CN108541344B - 受光模块及光学模块的制造方法 - Google Patents

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Abstract

受光模块具备：半导体受光元件；基板，其搭载半导体受光元件，且在主面上具有与该半导体受光元件电连接的端子部；及树脂部，其相对于规定波长的光为光学透明，且密封半导体受光元件及基板的主面。树脂部具有：第1端面，其沿与主面交叉的方向延伸；第2端面，其与第1端面相对，且沿与主面交叉的方向延伸；及第3端面，其连接第1端面与第2端面，且平行于基板的主面。第1端面为粗糙面且露出，第2端面相对于主面倾斜，第2端面及第3端面由遮蔽规定波长的光的遮光膜包覆。

Description

受光模块及光学模块的制造方法
技术领域
本发明涉及受光模块及光学模块的制造方法。
背景技术
为了实现光学模块的小型化，已知有相对于光学元件的检测面自侧面使光入射或出射的光学模块。例如，在专利文献1中公开有将具备反射膜的倾斜面设置于与光检测面相对的区域的光学半导体装置。该光学半导体装置通过使用反射膜使自侧面入射的光反射至光检测面而进行光的检测。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3762545号公报
发明内容
发明所要解决的问题
为了谋求如上所述的光学模块的性能的提高，需要使用具有遮光性的罩或壳体等，覆盖光的入射面或出射面以外的部分。然而，因设置罩或壳体，光学模块的小型化受阻碍。
本发明说明可实现遮光功能且可谋求小型化的受光模块及光学模块的制造方法。
解决问题的技术手段
本发明的一个方式所涉及的受光模块具备：半导体受光元件；基板，其搭载半导体受光元件，在主面上具有与该半导体受光元件电连接的端子部；及树脂部，其相对于规定波长的光为光学透明，且密封半导体受光元件及基板的主面。树脂部具有：第1端面，其沿与主面交叉的方向延伸；第2端面，其与第1端面相对，且沿与主面交叉的方向延伸；及第3端面，其连接第1端面与第2端面，且平行于基板的主面。第1端面为粗糙面且露出，第2端面相对于主面倾斜，第2端面及第3端面由遮蔽规定波长的光的遮光膜包覆。
一个方式所涉及的受光模块在树脂部的第2端面及第3端面形成有遮光膜。通过这样的结构，实现遮光功能，抑制干扰光侵入至受光模块内。另外，自第1端面入射至树脂部的内部的光被遮光膜反射，且封闭于树脂部的内部。再者，第1端面为粗糙面，由此入射至该第1端面的光成为扩散光而入射至树脂部的内部。树脂部的折射率大于空气的折射率，因而自第1端面入射的扩散光被封闭于树脂部的内部。通过它们的作用，可高灵敏度地检测自第1端面入射的光。再者，因不需要以用于遮光的罩或壳体等覆盖受光模块，因而可谋求受光模块的小型化。
在若干方式中，基板为玻璃环氧基板，该基板具有与第2端面连续的缺口部，缺口部被遮蔽规定波长的光的遮光膜包覆。通过该结构，可抑制干扰光经由基板而侵入至树脂部的内部。
在若干方式中，第2端面为粗糙面。根据该结构，入射至树脂部的内部的扩散光在第2端面进一步扩散。另外，扩散光由包覆第2端面的遮光膜反射。因此，可谋求树脂部的内部的亮度的均匀化，且可高精度地检测自第1端面入射的光。
在若干方式中，树脂部还具有连接第1端面与第2端面且沿与基板的主面交叉的方向延伸的第4端面及第5端面，第4端面及第5端面由遮蔽规定波长的光的遮光膜包覆。通过第4端面及第5端面也被遮光膜包覆，进一步抑制干扰光侵入至受光模块内。另外，可更有效地将自第1端面入射至树脂部的内部的光封闭于树脂部的内部。
在若干方式中，第4端面及第5端面为粗糙面，且相对于基板的主面倾斜。根据该结构，入射至树脂部的内部的扩散光在第4端面及第5端面也进一步扩散。因此，在树脂部的内部，可谋求亮度的更均匀化，且可更高精度地检测自第1端面入射的光。
本发明的一个方式所涉及的光学模块的制造方法包含：将半导体光学元件固定于基板的主面上的工序；将半导体光学元件、与形成于基板的主面上的端子部电连接的工序；使用相对于规定波长的光为光学透明的树脂，密封半导体光学元件及基板的主面，形成密封树脂部的工序；通过在沿基板的主面的第1方向上进行斜切割，而在密封树脂部形成相对于主面倾斜的倾斜面的工序；以遮蔽规定波长的光的遮光膜包覆平行于主面的密封树脂部的平行面及倾斜面的工序；及至少在与第1方向正交的第2方向上进行切割，而将基板单片化的工序。
在一个方式所涉及的光学模块的制造方法中，通过在第1方向上进行斜切割，而在密封树脂部形成倾斜面。该倾斜面由遮光膜包覆。另外，除该倾斜面外，平行于基板的主面的密封树脂部的平行面也由遮光膜包覆。因此，可制作遮光膜成为一体的光学模块，并可实现遮光功能，且可谋求光学模块的小型化。
在若干方式中，光学模块的制造方法还包含在由遮光膜包覆的工序之前，在第2方向上进行半切割的工序。根据该制造方法，可在密封树脂部中，在光的入射面或出射面以外的端面(沿第2方向延伸的端面)形成遮光膜。因此，可制造光学性能更良好的光学模块。
在若干方式中，在密封树脂部形成倾斜面的工序中，通过沿第1方向进行斜切割，而在基板形成与倾斜面连续的缺口部。根据该制造方法，也可由遮光膜包覆形成于基板的缺口部。
发明的效果
根据本发明，可实现遮光功能且可谋求小型化。
附图说明
图1(a)及图1(b)是显示本发明的实施方式所涉及的受光模块的立体图。
图2(a)是沿图1(a)的IIA-IIA线的截面图，图2(b)是沿图1(a)的IIB-IIB线的截面图。
图3是显示光学模块的制造方法的流程图。
图4(a)是显示图3所示的制造方法的一个工序中的被处理体的立体图，图4(b)是显示紧接图4(a)的工序中的被处理体的立体图。
图5(a)是显示紧接图4(b)的工序中的被处理体的一部分的立体图，图5(b)是沿图5(a)的VB-VB线的截面图，图5(c)是沿图5(a)的VC-VC线的截面图。
图6(a)是显示紧接图5(a)的工序中的被处理体的一部分的立体图，图6(b)是沿图6(a)的VIB-VIB线的截面图，图6(c)是图6(a)的一部分的沿VIC-VIC线的截面图。
图7(a)是显示紧接图6(a)的工序中的被处理体的一部分的立体图，图7(b)是沿图7(a)的VIIB-VIIB线的截面图，图7(c)是沿图7(a)的VIIC-VIIC线的截面图。
图8是显示紧接图7(a)的工序中的被处理体的立体图。
图9是沿图7(a)的VIIB-VIIB线的截面图，即显示将基板单片化的切断位置的图。
图10是显示将基板单片化的切断位置的其他例的图。
图11是显示将基板单片化的切断位置的另外的其他例的图。
图12是用于说明图1所示的受光模块的作用效果的图。
图13(a)及图13(b)是用于说明因缺口部中的遮光膜的有无而引起的作用效果的不同的图，图13(a)是显示比较例的受光模块的截面图，图13(b)是图1所示的受光模块的截面图。
图14(a)及图14(b)是显示本发明的变形例所涉及的受光模块的立体图。
图15(a)是沿图14(a)的XVA-XVA线的截面图，图15(b)是沿图14(a)的XVB-XVB线的截面图。
图16(a)是显示图3所示的制造方法的一个工序中的被处理体的一部分的立体图，图16(b)是沿图16(a)的XVIB-XVIB线的截面图，图16(c)是沿图16(a)的XVIC-XVIC线的截面图。
图17是显示紧接图16(a)的工序中的被处理体的立体图。
图18(a)及图18(b)是显示本发明的实施方式所涉及的发光模块的立体图。
图19是用于说明图18(a)及图18(b)所示的发光模块的作用效果的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对各种实施方式进行详细的说明。另外，在各附图中对于相同或相当的部分附注相同的符号。
参照图1及图2，对本实施方式所涉及的受光模块100的结构进行说明。受光模块100是例如搭载于手机等之类的小型电子设备的侧面入射型的受光模块。如图1所示，受光模块100整体上呈四角锥台状。受光模块100具备：半导体受光元件10，其检测入射至受光模块100的光；基板20，其搭载半导体受光元件10；及树脂部30，其设置于基板20上，相对于规定波长的光为光学透明。半导体受光元件10搭载于基板20的主面20M上。在基板20的主面20M上设置有端子部21。端子部21与半导体受光元件10电连接。树脂部30是设置于基板20的主面20M上，密封半导体受光元件10及主面20M的封装体。树脂部30具有第1端面31、第2端面32、第3端面33、第4端面34、及第5端面35。第1端面31与第2端面32为彼此相对的一对侧面，第4端面34与第5端面35为彼此相对的一对侧面。第3端面33为连接4个侧面的上表面。关于受光模块100的尺寸，例如，受光模块100的一边为0.5～2.0mm左右。受光模块100的尺寸可根据用途任意确定。
半导体受光元件10例如具有受光面11、与2个电极12a及12b。一方的电极12a形成于受光面11上，另一方的电极12b形成于受光面11的相反侧的面。电极12a及12b由金或铜等之类的导电性材料形成。对半导体受光元件10而言，例如可使用具有pn结构造的光电二极管等。另外，半导体受光元件10并未限定于上述构造，例如，也可为具有pin构造的光电二极管。
基板20呈长方体状，具有矩形状的主面20M及4个侧面20S1～20S4。各侧面20S1～20S4相对于主面20M大致垂直地形成。在主面20M上，形成有用于电连接半导体受光元件10与基板20的2个端子部21a及21b。将半导体受光元件10的电极12b以与端子部21b相对的方式载置于该端子部21b上。由此，电极12b与端子21b电连接。另外，半导体受光元件10的电极12a经由接合线22而与端子部21a电连接。对基板20例如使用玻璃环氧基板。端子部21a、21b及接合线22例如由金或铜等之类的导电性材料形成。
树脂部30呈四角锥台状。树脂部30的第1端面31沿与基板20的主面20M交叉的方向延伸。在受光模块100中，第1端面31相对于主面20M大致垂直而设置。该第1端面31设置成与基板20的侧面20S1相同面。与第1端面31相对的第2端面32沿与主面20M交叉的方向延伸。在受光模块100中，第2端面32相对于主面20M倾斜而设置。此处，“某面相对于主面20M倾斜”是指该面相对于主面20M成锐角。换言之，该面相对于与主面20M垂直的面成规定的角度。第3端面33平行于基板20的主面20M。第4端面34及第5端面35分别连接第1端面31与第2端面32，且沿与基板20的主面20M交叉的方向延伸。在受光模块100中，第4端面34及第5端面35相对于主面20M倾斜而设置。树脂部30由相对于规定波长的光为光学透明的热硬化性树脂、例如环氧树脂等之类的树脂材料形成。树脂部30的折射率大于空气的折射率，在一例中，由环氧树脂形成的树脂部30的折射率n约为1.5。另外，树脂部30也可由通过照射特定波长的光而硬化的光硬化性树脂形成。另外，也可在树脂部30包含用于扩散光的填料。
在基板20形成有3个缺口部23、24、及25。缺口部23与树脂部30的第2端面32连续成相同面，且连接基板20的侧面20S2与第2端面32。缺口部24与树脂部30的第4端面34连续成相同面，且连接基板20的侧面20S3与第4端面34。另外，缺口部25与树脂部30的第5端面35连续成相同面，且连接基板20的侧面20S4与第5端面35。即，缺口部23、24、及25设置于基板20的侧面。缺口部23、24、及25相对于基板20的主面20M倾斜。作为基板20使用的玻璃环氧基板为玻璃纤维的层及环氧树脂的层层叠而成的构造。基板20具有包含主面20M的最上层、即玻璃纤维层20a(参照图13(a))。缺口部23、24、及25至少形成于玻璃纤维层20a。在一例中，玻璃环氧基板的厚度为0.2～1.6mm左右。
树脂部30的第1端面31为露出的粗糙面，作为光的入射面发挥功能。另外，第2端面32、第4端面34及第5端面35也为粗糙面，作为使入射至树脂部30的光扩散的扩散面发挥功能。另一方面，第3端面33为镜面。此处，粗糙面是指在下述的制造工序中通过切割刀片研磨而形成，具有多个微米级以上的微细凹凸的面。在面粗糙度的定义中，粗糙面是指具有较面粗糙度Ra为0.2以下的镜面更大的面粗糙度的面。
受光模块100还具备遮蔽规定波长的光的遮光膜40。遮光膜40以包覆树脂部30的第2端面32、第3端面33、第4端面34、及第5端面35、以及形成于基板20的缺口部23、24、及25的方式设置。遮光膜40例如由Cr、Ag、Al、Pd等之类的金属、或Ag-Pd、蒙乃尔合金等之类的合金形成。遮光膜40的膜厚为1μm以下。
接着，参照图3～图8对受光模块100的制造方法进行说明。图3是显示若干方式中的光学模块的制造方法的流程图。图4～图8是显示图3所示的制造方法的一个工序中的被处理体300的一部分的图。此处，被处理体300是指位于上述制造方法的中途阶段的构造体。另，为了便于说明，在图5(a)、图6(a)、图7(a)、及图8中一并显示有XYZ正交坐标系。
首先，将半导体光学元件固定于基板20的主面20M上(工序ST1)。具体而言，以半导体受光元件10的电极12b与基板20的端子部21b相对的方式，将半导体受光元件10固定于端子部21b之上。对半导体受光元件10的固定而言，例如也可使用银膏体等之类的具有导电性的芯片接合膏体。通过使用具有导电性的芯片接合膏体，可固定半导体受光元件10，且可电连接电极12b与端子部21b。对半导体受光元件10的固定而言，可使用芯片接合器装置。另外，对半导体受光元件10的固定而言，不一定需要使用具有导电性的芯片接合膏体，也可使用绝缘性的粘结剂等。
其次，将半导体受光元件10与基板20上的端子部21电连接(工序ST2)。在工序ST2中，通过进行引线接合，而如图4(a)所示，半导体受光元件10的电极12a、与端子部21a经由接合线22电连接。另外，在工序ST1中电极12b与端子部21b未电连接的情况下，可通过进行引线接合，使电极12b与端子部21b电连接。对接合线22例如使用Ag、Cu、及Al等。对工序ST2的引线接合可使用引线接合器装置。另外，作为接合方法，可应用热压接方式或超声波热压接方式等。
接着，形成密封树脂部50(工序ST3)。具体而言，如图4(b)所示，形成密封基板20的主面20M及半导体受光元件10的密封树脂部50。密封树脂部50例如通过将未硬化状态的热硬化性树脂填充至模具或坝状的框体内后，加热使其硬化而形成。另外，只要热硬化性树脂不以未硬化的状态流出，则可不使用模具等，而在涂布或灌封(potting)后，加热硬化而形成。密封树脂部50也可通过将未硬化状态的光硬化性树脂填充至坝状的框体内后，照射特定的波长的光使其硬化而形成。只要光硬化性树脂不以未硬化的状态流出，则可在涂布或灌封后，照射特定波长的光使其硬化而形成。
其次，通过在沿基板20的主面20M的第1方向(Y轴方向)上进行斜切割，而在密封树脂部50形成倾斜面(工序ST4)。在工序ST4中，使用切割装置进行斜切割。另外，在进行该斜切割时，以进行半切割的方式，调节切割刀片的高度。对斜切割而言，使用刀片部的截面为锥状的第1切割刀片(未图示)。第1切割刀片的刀片部的厚度方向上的一侧面相对于第1切割刀片的旋转轴大致垂直，另一侧面相对于旋转轴倾斜。
通过使用这样的第1切割刀片进行切割，如图5(a)所示，相对于主面20M大致垂直的端面51(相当于受光模块100的第1端面31的端面)、与相对于主面20M倾斜的倾斜面52(相当于受光模块100的第2端面32的端面)形成于密封树脂部50。此时，如图5(a)及图5(b)所示，侧面20S2被一部分切削，在基板20形成与倾斜面52连续的缺口部23。在被处理体300的第1方向(Y轴方向)的截面中，如图5(c)所示，密封树脂部50保持连续。端面51及倾斜面52通过以第1切割刀片研磨而形成，因而端面51及倾斜面52的表面的形状为依赖于第1切割刀片的侧面的粒度的粗糙面。对第1切割刀片而言，例如，可使用一般的电铸切割刀片。另外，工序ST4所使用的切割刀片并未限定于刀片部的截面为锥状的第1切割刀片。例如，也可使用刀片部的截面为V字状的切割刀片。
其次，在正交于第1方向(Y轴方向)的第2方向(X轴方向)上进行半切割(工序ST5)。在工序ST5中，使用切割装置进行切割。切割刀片的高度与工序ST4同样，以进行半切割的方式进行调节。在工序ST5中，使用刀片部的截面为V字状的第2切割刀片(未图示)。第2切割刀片的刀片部的厚度方向上的一侧面及另一侧面以相对于切割刀片2的旋转轴倾斜，且厚度随接近旋转轴侧而增加的方式形成。另，一侧面及另一侧面的相对于旋转轴的倾斜角也可彼此相等，也可不同。
通过使用这样的第2切割刀片进行切割，如图6(a)及图6(c)所示，相对于基板20的主面20M倾斜的倾斜面54(相当于受光模块100的第4端面34的端面)、与倾斜面55(相当于受光模块100的第5端面35)形成于密封树脂部50。此时，如图6(c)所示，侧面20S3与侧面20S4被一部分切削，在基板20形成与倾斜面54连续的缺口部24、与倾斜面55连续的缺口部25。倾斜面54及倾斜面55通过以第2切割刀片研磨而形成，因而倾斜面54及倾斜面55的表面的形状为依赖于第2切割刀片的侧面的粒度的粗糙面。对第2切割刀片而言，例如，可使用一般电铸切割刀片。
接着，将密封树脂部50的平行面53、与倾斜面52、54及55以遮蔽规定波长的光的遮光膜40包覆(工序ST6)。在工序ST6中，使用溅射装置或蒸镀装置等之类的成膜装置。被处理体300在成膜装置内处理。如图7(a)～(c)所示，密封树脂部50的平行面53、倾斜面52、倾斜面54、及倾斜面55由遮光膜40包覆。再者，形成于基板20的缺口部23、24、及25也由遮光膜40包覆。通过以工序ST4及工序ST5形成倾斜的面(倾斜面52、54、及55等)，可容易地在这些面上形成遮光膜40。密封树脂部50的端面51因相对于基板20的主面20M大致垂直，因而未被遮光膜40包覆，而保持露出的状态。对遮光膜40的材料而言可使用Cr、Ag、或Al等金属材料。另外，用于将遮光膜40成膜的方法并未限定于溅射或蒸镀等之类的干式工艺，也可使用镀覆等之类的湿式工艺。
其次，在图3所示的制造方法中，将基板20单片化(工序ST7)。在工序ST7中，使用切割装置，在第1方向及第2方向上进行切割。由此，将基板20单片化，如图8所示，形成各个受光模块100。在工序ST7的切割中，以将已在工序ST4及工序ST5中进行半切割的部位完全切断的方式调节切割刀片的高度。另外，在该切割中，使用截面为长方形状的第3切割刀片(未图示)。第3切割刀片的刀片部的厚度方向的两侧面相对于第3切割刀片的旋转轴大致垂直。对第3切割刀片而言，例如可使用一般电铸切割刀片。
图9是显示工序ST7中的第1方向的切断位置的图。图9中的二点划线表示工序ST7中切割刀片切断的部位。在图9所示的切割方法中，在工序ST4中形成的端面51与倾斜面52之间的部位(为除了端面51及倾斜面52的中间的部位，厚度最小的部位)进行切割。在该方法中，可将由切割研磨的宽度抑制为最小限度，因而可增加能够由一片基板制造的受光模块100的个数(成品率)。另外，工序ST7中的第1方向的切断位置并未限定于此，可进行各种变化。
以下，对工序ST7中的第1方向的切断位置的变形例进行说明。图10是显示工序ST7中的第1方向的切断位置的变形例的图。图10中的二点划线表示工序ST7中切割刀片切断的部位。在图10所示的切割方法中，在包含工序ST4所形成的端面51的部位进行切割。通过如此切割，工序ST4所形成的端面51被研磨，形成新的端面51A。因此，在工序ST6中，即使在端面51略微形成有遮光膜40的情况下，也可获得在切割后完全露出的端面51A。由此，可提高成品率。另外，为了如此进行切割，也可适当变更刀片部的截面为长方形状的第3切割刀片的宽度。
图11是显示工序ST7中的第1方向的切断位置的又一变形例的图。图11中的二点划线表示工序ST7中切割刀片切断的部位。在图11所示的变形例中，工序ST4中的斜切割使用与工序ST5所使用的切割刀片同样的刀片部的截面为V字状的第2切割刀片进行。由此，端面51相对于基板20的主面20M倾斜而设置。该情况下，在工序ST7中，以研磨包含倾斜的端面51整体的范围的方式，使用刀片部的截面为长方形状的第3切割刀片进行切割。通过如此执行工序ST7，倾斜的端面51被研磨，形成相对于主面20M大致垂直的新的端面51B。因此，可可靠地获得露出的端面51，且可提高成品率。另外，可将受光模块100的制造中使用的切割刀片的种类限为2种。通过这些，可抑制制造成本。
其次，一面参照图12及图13，一面对由上述制造方法制造的受光模块100的作用效果进行说明。图12及图13是用于说明受光模块100的作用效果的图。
在受光模块100中，在树脂部30的第2端面32及第3端面33形成有遮光膜40。通过这样的结构，实现遮光功能，如图12所示，抑制干扰光侵入至受光模块100内。另外，自第1端面31入射至树脂部30的内部的光被遮光膜40反射，且封闭于树脂部30的内部。再者，第1端面31为粗糙面，由此入射至该第1端面31的光成为扩散光而入射至树脂部30的内部。树脂部30的折射率n为约1.5，大于空气的折射率(n＝1)。通过如此存在折射率的差，入射至树脂部30的扩散光容易被全反射，因而树脂部30具有将自第1端面31入射的扩散光封闭的效果。通过它们的作用，可通过半导体受光元件10高灵敏度地检测自第1端面31入射的光。再者，遮光膜40与树脂部30一体成型，因而不需要以用于遮光的罩或壳体等覆盖受光模块，可谋求受光模块100的小型化。
受光模块100的基板20为玻璃环氧基板，该基板20具有与第2端面32连续的缺口部23，缺口部23以遮蔽规定波长的光的遮光膜40包覆。由于玻璃环氧基板传输光，因而在缺口部23未被遮光膜包覆的情况下，如图13(a)所示，有干扰光经由玻璃环氧基板而侵入至树脂部30的担忧。干扰光经由基板20侵入的情况下，推测包含主面20M的玻璃纤维层20a的影响较大。因此，在至少最上层的玻璃纤维层20a形成缺口部23，且以遮光膜40包覆，由此可防止干扰光入射至玻璃纤维层20a。因此，如图13(b)所示，可遮断干扰光，防止干扰光经由基板20朝树脂部30的内部侵入。另外，不需要为了抑制干扰光经由基板20入射，而使用陶瓷基板等之类的高价基板。因此，可实现维持低成本且高性能的受光模块100。
受光模块100的基板20除缺口部23外，也具有与第4端面34连续的缺口部24、及与第5端面35连续的缺口部25。缺口部24及缺口部25也以至少到达至玻璃纤维层20a的方式形成，且由遮光膜40包覆。通过该结构，缺口部24及缺口部25发挥如上所述的与被遮光膜40包覆的缺口部23同样的效果。
在受光模块100中，第2端面32为粗糙面，因而入射至树脂部30的内部的扩散光在第2端面32进一步扩散。另外，扩散光由包覆第2端面32的遮光膜40反射。因此，在树脂部30的内部可谋求亮度的均匀化，且可高精度地检测自第1端面31入射的光。
在受光模块100的树脂部30中，第4端面34及第5端面35由遮蔽规定波长的光的遮光膜40包覆。通过第4端面34及第5端面35也以遮光膜40包覆，进一步抑制干扰光侵入至受光模块100内。另外，可更有效地将自第1端面31入射至树脂部30的内部的光封闭于树脂部30的内部。
在受光模块100中，第4端面34及第5端面35为粗糙面，且相对于基板20的主面20M倾斜。根据该结构，入射至树脂部30的内部的扩散光在第4端面34及第5端面35也进一步扩散。因此，可谋求树脂部30的内部的亮度的更均匀化，且可更高精度地检测自第1端面31入射的光。
其次，一面参照图14及图15，一面对本实施方式所涉及的受光模块100的变形例进行说明。图14(a)及图14(b)是显示本变形例所涉及的受光模块200的立体图。图15(a)是本变形例所涉及的受光模块200的沿XVA-XVA线的截面图，图15(b)是本变形例所涉及的受光模块200的沿XVB-XVB线的截面图。本变形例所涉及的受光模块200与受光模块100不同的点在于，树脂部30的第4端面34及第5端面35相对于基板20的主面20M大致垂直，这些第4端面34及第5端面35未被遮光膜40包覆。
在受光模块100中，仅露出树脂部30的第1端面31。与此相对，在受光模块200中，第1端面31、第4端面34、及第5端面35露出，仅第2端面32及第3端面33被遮光膜40包覆。第4端面34及第5端面35连接第1端面31与第2端面32，且相对于主面20M大致垂直而设置。另外，第4端面34及第5端面35为露出的粗糙面。
在受光模块200的制造方法中，与图3所示的制造方法同样，执行工序ST1至工序ST4。由此，被处理体300被加工成与图5所示的被处理体300相同的状态。
其次，不执行工序ST5，而执行工序ST6。由于未执行工序ST5、即第2方向上的半切割，因而以未在密封树脂部50形成倾斜面54及55的状态，执行工序ST6。因此，在工序ST6中，如图16(a)～(c)所示，仅密封树脂部50的倾斜面52、平行面53、及缺口部23被遮光膜40包覆。
接着，将基板20单片化(工序ST7)。因此，在工序ST7中，使用切割装置在第1方向(Y轴方向)及第2方向(X轴方向)上进行切割。在第1方向上，在工序ST4进行半切割的部位被完全切断。另外，在第2方向上，基板20、密封树脂部50、及遮光膜40由一次切割而切断。由此，如图17所示，被处理体300被单片化，形成受光模块200。
受光模块200与受光模块100同样，是用于检测自树脂部30的第1端面31入射的光的受光模块。受光模块200的树脂部30的第2端面32及第3端面33被遮光膜40包覆。由此，干扰光由遮光膜40反射，抑制其侵入至受光模块200内。自作为入射面发挥功能的第1端面31入射的光侵入至树脂部30的内部，且由半导体受光元件10检测。另外，因遮光膜40与受光模块200一体成型，因而可实现遮光功能，且可谋求小型化。在其他方面，受光模块200也可获得与受光模块100大致同样的作用效果。
在受光模块200中，树脂部30的第4端面34及第5端面35未被遮光膜40包覆，因而关于相对于干扰光的遮光性、及将扩散光封闭于树脂部30的内部的效果，可能较受光模块100稍逊色。然而，受光模块200可以较受光模块100少的工序制造。另外，可将受光模块200的制造中使用的切割刀片的种类限为2种。因此，可抑制制造成本且使量产性提高。
其次，一面参照图18，一面对本发明的实施方式所涉及的发光模块400进行说明。图18是显示本发明的实施方式所涉及的发光模块400的立体图。图18所示的发光模块400与受光模块100不同的点在于，取代半导体受光元件10，而将半导体发光元件410搭载于基板420。
发光模块400采用与受光模块100大致同样的结构，具备半导体发光元件410、基板420、树脂部430、及遮光膜440。半导体发光元件410搭载于基板420的主面420M上。在基板420的主面420M上设置有端子部421。端子部421与半导体发光元件410电连接。树脂部430设置于基板420的主面420M上，密封半导体发光元件410及主面420M。树脂部430具有第1端面431、第2端面432、第3端面433、第4端面434、及第5端面435。第1端面431露出，第2端面432、第3端面433、第4端面434、及第5端面435由遮光膜440包覆。发光模块400的整体尺寸可在与受光模块100的整体尺寸同样的范围内任意确定。
上述发光模块400可由与图3所示的制造方法同样的制造方法制作。在发光模块400的制作中，在工序ST1中，在基板20的主面20M上固定半导体发光元件410而非半导体受光元件10。对半导体发光元件410而言，例如，可使用发光二极管或半导体激光等。另外，对半导体发光元件410的固定而言，可与半导体受光元件10的固定同样，使用具有导电性的芯片接合膏体。关于工序ST2至工序ST7的工序，因与上述的受光模块100的制造方法相同，因而省略其说明。
发光模块400是将树脂部430的第1端面431设为发光面的发光模块。发光模块400的树脂部430的第2端面432、第3端面433、第4端面434、及第5端面435被遮光膜440包覆。由此，如图19所示，自半导体发光元件410出射的光在第2端面432、第3端面433、第4端面434、及第5端面435由遮光膜440反射至树脂部430的内部，且仅自第1端面431出射。因此，可抑制自半导体发光元件410出射的光的损失，且使光自第1端面431出射。另外，因遮光膜440与发光模块400一体成型，因而可实现遮光功能且谋求小型化。
在发光模块400中，树脂部430的第2端面432、第3端面433、第4端面434、及第5端面435为粗糙面，因而自半导体发光元件410出射的光在树脂部430的内部扩散。因此，可使光的出射面即第1端面431的整个面发光。另外，因第1端面431也为粗糙面，因而自该第1端面431出射的光为扩散光。
以上，对各种实施方式进行了说明，但本发明并未限定于上述的实施方式，可采用多种变形方式。例如，在受光模块200中，树脂部30的第4端面34及第5端面35也可被遮光膜40包覆。另外，在发光模块400中，树脂部430的第4端面434及第5端面435也可相对于基板420的主面420M大致垂直而形成。在该情况下，第4端面434及第5端面435也可露出。再者，在受光模块或发光模块中，与倾斜面(第2端面32等)连续成相同面的缺口部(缺口部23等)也可形成于基板的最上层之下。缺口部也可以到达基板的底面的方式形成。
产业上的可利用性
根据本发明，可实现遮光功能，且可谋求小型化。
符号的说明
10…半导体受光元件、11…受光面、12a、12b…电极、20…基板、20M…主面、20a…玻璃纤维层、21…端子部、22…接合线、23、24、25…缺口部、30…树脂部、31…第1端面、32…第2端面、33…第3端面、34…第4端面、35…第5端面、40…遮光膜、50…密封树脂部、100…受光模块、200…受光模块、300…被处理体、400…发光模块、410…半导体发光元件、420…基板、420M…主面、421…端子部、430…树脂部、440…遮光膜。

Claims (8)

1.一种受光模块，其特征在于，
包含：
半导体受光元件；
玻璃环氧基板，其搭载所述半导体受光元件，且在主面上具有与所述半导体受光元件电连接的端子部；及
树脂部，其相对于规定波长的光为光学透明，且密封所述半导体受光元件及所述玻璃环氧基板的所述主面，
所述玻璃环氧基板具有作为所述玻璃环氧基板的最上层的玻璃纤维层，
所述树脂部具有：
第1端面，其沿与所述主面交叉的方向延伸；
第2端面，其与所述第1端面相对，且沿与所述主面交叉的方向延伸；及
第3端面，其连接所述第1端面与所述第2端面，且平行于所述玻璃环氧基板的所述主面，
所述第1端面为面粗糙度Ra大于0.2的粗糙面且露出，
所述第2端面为面粗糙度Ra大于0.2的粗糙面且相对于所述主面以规定的角度倾斜的倾斜面，
所述玻璃环氧基板具有至少形成于所述玻璃纤维层且与所述第2端面连续成相同面的缺口部，
所述第2端面、所述缺口部及所述第3端面由遮蔽所述规定波长的光的遮光膜包覆。
2.如权利要求1所述的受光模块，其特征在于，
所述树脂部还具有连接所述第1端面与所述第2端面、且沿与所述玻璃环氧基板的所述主面交叉的方向延伸的第4端面及第5端面，
所述第4端面及所述第5端面由遮蔽所述规定波长的光的遮光膜包覆。
3.如权利要求2所述的受光模块，其特征在于，
所述第4端面及所述第5端面为粗糙面，且相对于所述玻璃环氧基板的所述主面倾斜。
4.一种光学模块的制造方法，其特征在于，
包含：
将半导体光学元件固定于玻璃环氧基板的主面上的工序；
将所述半导体光学元件、与形成于所述玻璃环氧基板的所述主面上的端子部电连接的工序；
使用相对于规定波长的光为光学透明的树脂，密封所述半导体光学元件及所述玻璃环氧基板的所述主面，形成密封树脂部的工序；
通过在沿所述玻璃环氧基板的所述主面的第1方向上进行斜切割，而在所述密封树脂部形成相对于所述主面以规定的角度倾斜的倾斜面，并且至少在作为所述玻璃环氧基板的最上层的玻璃纤维层形成与所述倾斜面连续成相同面的缺口部的工序；
以遮蔽所述规定波长的光的遮光膜包覆平行于所述主面的所述密封树脂部的平行面、所述倾斜面及所述缺口部的工序；及
至少在与所述第1方向正交的第2方向上进行切割，而将所述玻璃环氧基板单片化的工序。
5.如权利要求4所述的光学模块的制造方法，其特征在于，
在由所述遮光膜包覆的工序之前，还包含在所述第2方向上进行半切割的工序。
6.如权利要求5所述的光学模块的制造方法，其特征在于，
在所述密封树脂部形成所述倾斜面的所述工序中，通过在所述第1方向上进行斜切割，而在所述玻璃环氧基板形成与所述倾斜面连续的缺口部。
7.如权利要求4～6中任一项所述的光学模块的制造方法，其特征在于，
所述半导体光学元件为半导体受光元件。
8.如权利要求4～6中任一项所述的光学模块的制造方法，其特征在于，
所述半导体光学元件为半导体发光元件。
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