JP2004152875A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004152875A JP2004152875A JP2002314620A JP2002314620A JP2004152875A JP 2004152875 A JP2004152875 A JP 2004152875A JP 2002314620 A JP2002314620 A JP 2002314620A JP 2002314620 A JP2002314620 A JP 2002314620A JP 2004152875 A JP2004152875 A JP 2004152875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser element
- photodiode
- substrate
- monitoring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】少ない工程で、且つ安定した品質の半導体レーザモジュールを製造すると共に、小型化を可能にした半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板3に段差5を形成し、段差5の上側の第1の面6に半導体レーザ素子1を配設すると共に、段差5の下側の第2の面7にモニタ用フォトダイオード2を配設し、モニタ用フォトダイオード2の受光面2aが、第2の面7に対し平行になるように実装し、且つ、半導体レーザ素子1及びモニタ用フォトダイオード2が樹脂で覆われていないことを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】基板3に段差5を形成し、段差5の上側の第1の面6に半導体レーザ素子1を配設すると共に、段差5の下側の第2の面7にモニタ用フォトダイオード2を配設し、モニタ用フォトダイオード2の受光面2aが、第2の面7に対し平行になるように実装し、且つ、半導体レーザ素子1及びモニタ用フォトダイオード2が樹脂で覆われていないことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザモジュールに関わり、特に、光トランシーバモジュールに搭載される半導体レーザモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
図5、6は、従来の半導体レーザモジュールを示す図であり、図5に示すものは、例えば、特許文献1に示すものである。
図5に示すものは、基板上13に、半導体レーザ素子11とモニタ用フォトダイオード12とを組み付け、半導体レーザ素子11とモニタ用フォトダイオード12とを透明樹脂15で覆うように構成したものである。
このように構成した半導体レーザモジュールの場合、後方出力光14を透明樹脂15と空気との界面16で反射させて、モニタ用フォトダイオード12に入射させる構成であるため、モニター電流値が、樹脂15の形状に大きく依存してしまい、しかも、樹脂15の形状を一定に加工するのが難しく、このため、安定した品質の半導体レーザモジュールを歩留まりよく製造することが出来なかった。
図6は、半導体レーザ素子11の後方出力光14をチップキャリア17に取り付けたモニタ用フォトダイオード12に直接入射させるように構成した他の従来例を示す図である。
この構成の場合、モニタ用フォトダイオード12は、チップキャリア17に搭載されているため、工程数が多く、また、部品点数も多くなるという欠点があった。又、受光面での反射光の影響を低減するため、後方出力に対して数度傾ける必要があり、モニタ用フォトダイオード12を実装するのに大きな労力を要し、歩留まりも悪かった。更に、モジュールパッケージの高さが、チップキャリア17の高さで決まってしまうことが多く、パッケージの小型化を図る上で障害となっていた。
【0003】
【特許文献】
特開2000−269584号公報(第4頁、図1)
又、ドライバ内蔵の半導体レーザモジュールにおいて、いかに大きなモニター電流を確保し、いかに外部から入力した高周波電気信号を半導体レーザ素子に伝送するかが、ポイントになっている。しかしながら、半導体レーザ素子とモニタ用フォトダイオードと半導体レーザ素子用のレーザドライバを、基板の同一平面上に搭載した場合、前記の部材の寸法に起因して、半導体レーザとモニタ用フォトダイオード間距離が長いために十分なモニター電流が確保できないか、もしくは、半導体レーザ素子と半導体レーザ素子用のレーザドライバ間のボンディング距離が長いために十分な高周波電気特性が半導体レーザに伝送されず、十分な光変調特性を得られないという欠点があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を改良し、特に、少ない工程で、且つ安定した品質の半導体レーザモジュールを製造することができ、しかも、小型化を可能にした新規な半導体レーザモジュールを提供するものである。
更に、本発明の他の目的は、十分なモニター電流を確保すると共に、光変調特性の良い新規な半導体レーザモジュールを提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記した目的を達成するため、基本的には、以下に記載されたような技術構成を採用するものである。
即ち、本発明に係わる第1の半導体レーザモジュールの第1態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子及び前記モニタ用フォトダイオードが樹脂で覆われていないことを特徴とするものであり、
又、第2態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子と前記モニタ用フォトダイオード間の光路が、空気で満たされている光路であることを特徴とするものであり、
又、第3態様は、
前記基板がSiであることを特徴とするものである。
【0006】
又、本発明に係わる第2の半導体レーザモジュールの第1態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを前記第2の面上に設けたことを特徴とするものであり、
又、第2態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを前記第1の面上に設けたことを特徴とするものであり、
又、第3態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記第1の面と第2の面とで挟まれる位置に第3の面を設け、この第3の面上に前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを組み付けたことを特徴とするものであり、
又、第4態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に第1の段差を形成し、前記第1の段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記第1の段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記第1の面上に第2の段差を介して第3の面を設け、この第3の面上に前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを組み付けたことを特徴とするものであり、
又、第5態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に第1の段差を形成し、前記第1の段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記第1の段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記第2の面の下側に第2の段差を介して第3の面を設け、この第3の面上に前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを組み付けたことを特徴とするものであり、
又、第6態様は、
前記半導体レーザ素子及び前記モニタ用フォトダイオードが樹脂で覆われていないことを特徴とするものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体レーザモジュールは、半導体レーザ1と、半導体レーザ1用のモニタ用フォトダイオード2とを基板3上に搭載したモジュールに関するものである。
本発明は、モニタ用フォトダイオード2の受光面2aが、半導体レーザ1およびモニタ用フォトダイオード2が搭載されている基板3の主面に対して平行になるように実装し、且つ、基板3には半導体レーザ1の発光点の高さとモニタ用フォトダイオード2の受光面高さとの差が好適になるような段差5を形成し、しかも、好適な半導体レーザ1―モニタ用フォトダイオード2間距離を有する構造にすることで、半導体レーザ1の後方出力光4をモニタ用フォトダイオード2に直接入力させて、十分なモニター電流を確保出来るようにしたものである。
【0008】
【実施例】
以下に、本発明に係わる半導体レーザモジュールの実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。
【0009】
(第1の具体例)
図1乃至図3は、本発明の第1の具体例を示す図である。
図1は、第1の具体例の半導体レーザモジュールを示す図であり、この図には、
基板3上に半導体レーザ素子1とこの半導体レーザ素子1用のモニタ用フォトダイオード2とが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板3に段差5を形成し、前記段差5の上側の第1の面6に前記半導体レーザ素子1を配設すると共に、前記段差5の下側の第2の面7に前記モニタ用フォトダイオード2を配設し、前記モニタ用フォトダイオード2の受光面2aが、前記第2の面7に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子1及び前記モニタ用フォトダイオード2が樹脂で覆われていなく、又、前記半導体レーザ素子1と前記モニタ用フォトダイオード2間の光路が、空気で満たされている光路であることを特徴とする半導体レーザモジュールが示されている。
【0010】
以下に、本発明の第1の具体例の半導体レーザモジュールを更に詳細に説明する。
図1において、半導体レーザ1及びモニタ用フォトダイオード2は、段差5を有した基板3上に平面実装してある。この基板3には、半導体レーザ1の発光点高さH1がモニタ用フォトダイオード2の受光面高さH2よりも高くなるように、且つ、両者の高さ方向の差がモニター電流最大となるように好適な段差を設けている。また、半導体レーザ1とモニタ用フォトダイオード2との距離が、図1中のz軸方向に好適な間隔となるように実装する。
段差5は、基板3に例えば単結晶Si(面方位(100))を用い、異方性エッチングすることで、段差5を精度良く形成することが出来る。この構成により半導体レーザ1の後方出力光4を直接モニタ用フォトダイオード2で受光することができ、且つ、十分なモニター電流を確保することが出来る。
このように構成した半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ1を発光させた時、前方出力は図1左側へ出射され、図示しないレンズ等を通って光ファイバへ結合させる。一方、後方出力光4は、直接モニタ用フォトダイオード2の受光面2aに入射させる。
【0011】
図2は、本発明の半導体レーザモジュールの特性を測定するための構成を示す図、図3は、測定結果を示す図である。
図2に示すような装置を用い、半導体レーザ1の後方出力光をモニタ用フォトダイオード2に入射させ、モニタ用フォトダイオード2に流れる電流のモニタ用フォトダイオード位置(y方向、z方向)に対する依存性を測定した。
【0012】
一例として、半導体レーザにI=50(mA)、モニタ用フォトダイオードに5(V)印加したときの、z=200(μm)時のモニター電流のモニタ用フォトダイオード2の位置依存性(y方向)を図3に示す。本測定条件においては、y=120(μm)で最大電流≒210(μA)が得られ、モニタ用として十分な電流を確保出来ることが分かる。なお、以上は測定の一例であり、モニター電流のモニタ用フォトダイオード位置依存性は、半導体レーザ放射角およびモニタ用フォトダイオードの受光面位置に依存するためこの値が全てではない。
上記説明では、面方位が(100)のSi単結晶基板を用いたが、基板3は必ずしも面方位が(100)のSi単結晶である必要はない。又、基板3は必ずしもシリコン基板でなくても良い。
更に、基板3は、必ずしも1体の基板からなる必要はなく、例えば、半導体レーザ1およびモニタ用フォトダイオード2を実装する基板が別の基板に分かれていても良い。
【0013】
(第2の具体例)
図4は本発明の第2の具体例を示す図である。
図4に示すように、第2の具体例の半導体レーザモジュールでは、基板3の第1の面6に半導体レーザ1を設け、第2の面7にモニタ用フォトダイオード2と、半導体レーザ素子1用のレーザドライバ8を組み付けている。基板3に設けた段差5は、半導体レーザ1の発光点高さ、モニタ用フォトダイオード2の受光面位置、半導体レーザ素子1のボンディング位置及びレーザドライバ8のボンディング位置を考慮して、十分なモニター電流が確保でき、しかも、ボンディングワイヤ10の長さができるだけ短くなるように、設計されている。また、レーザドライバ8のz方向位置についても、できる限り半導体レーザ1に近くなるように、配置されている。
このように構成した第2の具体例の半導体レーザモジュールでは、外部から高周波電気信号をレーザドライバ8に入力し、レーザドライバ8から出力された高周波電気信号をボンディングワイヤ10を介して半導体レーザ1に入力する。 この場合も、第1の具体例と同様に、モニタ用フォトダイオード2の受光面位置が、最適に設定されているので、十分なモニター電流を確保できる。
又、ボンディングワイヤ10の長さができるだけ短くなるように考慮されているので、半導体レーザ素子1に入力される高周波電気信号の特性がよいため、光変調特性が良い。
【0014】
なお、第2の具体例においても、半導体レーザ1、モニタ用フォトダイオード2、レーザドライバ8を同一の基板上に組み付けるのでなく、別の基板、又はそれぞれの基板上に設けるように構成しても良い。
又、レーザドライバ8とモニタ用フォトダイオード2とは、必ずしも同一の平面上になくてもよい。
又、半導体レーザ1及びレーザドライバ8のボンディング位置は、必ずしも図6に示したようでなくても良い。即ち、半導体レーザ1上部にボンディングパッドを設けても良いし、又、レーザドライバ8の下部にボンディングパッドを設けても良い。
更に、レーザドライバ8の位置は、図6の限りでなく、x方向やz方向にずらして実装しても良い。
【0015】
又、半導体レーザ素子用のレーザドライバ8を第1の面6上に設けるように構成してもよい。
【0016】
又、前記第1の面6と第2の面7とで挟まれる位置に第3の面を設け、この第3の面上に半導体レーザ素子用のレーザドライバを組み付けるように構成してもよい。
【0017】
更に、基板3に第1の段差5を形成し、第1の段差5の上側の第1の面6に前記半導体レーザ素子1を配設すると共に、第1の段差5の下側の第2の面7にモニタ用フォトダイオード2を配設し、モニタ用フォトダイオード2の受光面が、第2の面7に対し平行になるように実装し、且つ、第1の面6上に第2の段差を介して第3の面を設け、この第3の面上に前記半導体レーザ素子用のレーザドライバ8を組み付けるように構成してもよい。
【0018】
同様に、基板3に第1の段差5を形成し、第1の段差5の上側の第1の面6に前記半導体レーザ素子1を配設すると共に、第1の段差5の下側の第2の面7にモニタ用フォトダイオード2を配設し、モニタ用フォトダイオード2の受光面が、第2の面7に対し平行になるように実装し、且つ、第2の面7の下側に第2の段差を介して第3の面を設け、この第3の面上に半導体レーザ素子用のレーザドライバ8を組み付けるように構成してもよい。
【0019】
ただし、何れの場合においても、半導体レーザ1の発光点高さ、モニタ用フォトダイオード2の受光面位置、半導体レーザ1のボンディング位置、及びレーザドライバ8のボンディング位置を考慮して、十分なモニター電流が確保でき、しかも、ボンディングワイヤ10の長さができるだけ短くなるように、設計されている必要がある。
【0020】
勿論、この具体例においても、半導体レーザ素子及びモニタ用フォトダイオードが樹脂で覆われていないことが望ましい。
【0021】
【発明の効果】
本発明に係わる半導体レーザモジュールは、半導体レーザおよびモニタ用フォトダイオードを樹脂等で覆うことなく、空気に晒されるように構成したので、以下のような効果を奏する。
【0022】
即ち、従来のように樹脂を用いない構造であり、又、チップキャリアを用いない構造であるため、部品点数を減らすことができ、その結果、低コスト化が図れた。
又、本発明の場合、モニタ用フォトダイオードを基板上に置くだけで実装でき、しかも、所定の性能が得られる構成であるから、工程が非常に簡単になり、低コスト化が可能になり、歩留まりも向上した。
【0023】
又、半導体レーザの発光点位置、モニタ用フォトダイオードの受光面位置を最適化しているので、十分なモニター電流を確保できる。
更に、ボンディングワイヤの長さもできるだけ短くなるように考慮されているので、半導体レーザ素子に入力される高周波電気信号の特性がよいため、光変調特性が良い。従って、高周波特性が良く、しかも小型化が可能な半導体レーザモジュールの提供を可能にした。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる半導体レーザモジュールの第1の具体例の構成を示す図である。
【図2】本発明の半導体レーザモジュールの特性を測定するための構成を示す図である。
【図3】測定結果を示すグラフである。
【図4】本発明の第2の具体例の構成を示す図である。
【図5】従来の半導体レーザモジュールの構成を示す図である。
【図6】他の従来の構成を示す図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザ素子
2 モニタ用フォトダイオード
2a モニタ用フォトダイオードの受光面
3 基板
4 後方出力光
5 段差
6 段差の上の面(第1の面)
7 段差の下の面(第2の面)
8 レーザドライバ
10 ボンディングワイヤ
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザモジュールに関わり、特に、光トランシーバモジュールに搭載される半導体レーザモジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
図5、6は、従来の半導体レーザモジュールを示す図であり、図5に示すものは、例えば、特許文献1に示すものである。
図5に示すものは、基板上13に、半導体レーザ素子11とモニタ用フォトダイオード12とを組み付け、半導体レーザ素子11とモニタ用フォトダイオード12とを透明樹脂15で覆うように構成したものである。
このように構成した半導体レーザモジュールの場合、後方出力光14を透明樹脂15と空気との界面16で反射させて、モニタ用フォトダイオード12に入射させる構成であるため、モニター電流値が、樹脂15の形状に大きく依存してしまい、しかも、樹脂15の形状を一定に加工するのが難しく、このため、安定した品質の半導体レーザモジュールを歩留まりよく製造することが出来なかった。
図6は、半導体レーザ素子11の後方出力光14をチップキャリア17に取り付けたモニタ用フォトダイオード12に直接入射させるように構成した他の従来例を示す図である。
この構成の場合、モニタ用フォトダイオード12は、チップキャリア17に搭載されているため、工程数が多く、また、部品点数も多くなるという欠点があった。又、受光面での反射光の影響を低減するため、後方出力に対して数度傾ける必要があり、モニタ用フォトダイオード12を実装するのに大きな労力を要し、歩留まりも悪かった。更に、モジュールパッケージの高さが、チップキャリア17の高さで決まってしまうことが多く、パッケージの小型化を図る上で障害となっていた。
【0003】
【特許文献】
特開2000−269584号公報(第4頁、図1)
又、ドライバ内蔵の半導体レーザモジュールにおいて、いかに大きなモニター電流を確保し、いかに外部から入力した高周波電気信号を半導体レーザ素子に伝送するかが、ポイントになっている。しかしながら、半導体レーザ素子とモニタ用フォトダイオードと半導体レーザ素子用のレーザドライバを、基板の同一平面上に搭載した場合、前記の部材の寸法に起因して、半導体レーザとモニタ用フォトダイオード間距離が長いために十分なモニター電流が確保できないか、もしくは、半導体レーザ素子と半導体レーザ素子用のレーザドライバ間のボンディング距離が長いために十分な高周波電気特性が半導体レーザに伝送されず、十分な光変調特性を得られないという欠点があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を改良し、特に、少ない工程で、且つ安定した品質の半導体レーザモジュールを製造することができ、しかも、小型化を可能にした新規な半導体レーザモジュールを提供するものである。
更に、本発明の他の目的は、十分なモニター電流を確保すると共に、光変調特性の良い新規な半導体レーザモジュールを提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記した目的を達成するため、基本的には、以下に記載されたような技術構成を採用するものである。
即ち、本発明に係わる第1の半導体レーザモジュールの第1態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子及び前記モニタ用フォトダイオードが樹脂で覆われていないことを特徴とするものであり、
又、第2態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子と前記モニタ用フォトダイオード間の光路が、空気で満たされている光路であることを特徴とするものであり、
又、第3態様は、
前記基板がSiであることを特徴とするものである。
【0006】
又、本発明に係わる第2の半導体レーザモジュールの第1態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを前記第2の面上に設けたことを特徴とするものであり、
又、第2態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを前記第1の面上に設けたことを特徴とするものであり、
又、第3態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記第1の面と第2の面とで挟まれる位置に第3の面を設け、この第3の面上に前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを組み付けたことを特徴とするものであり、
又、第4態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に第1の段差を形成し、前記第1の段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記第1の段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記第1の面上に第2の段差を介して第3の面を設け、この第3の面上に前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを組み付けたことを特徴とするものであり、
又、第5態様は、
基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に第1の段差を形成し、前記第1の段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記第1の段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記第2の面の下側に第2の段差を介して第3の面を設け、この第3の面上に前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを組み付けたことを特徴とするものであり、
又、第6態様は、
前記半導体レーザ素子及び前記モニタ用フォトダイオードが樹脂で覆われていないことを特徴とするものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体レーザモジュールは、半導体レーザ1と、半導体レーザ1用のモニタ用フォトダイオード2とを基板3上に搭載したモジュールに関するものである。
本発明は、モニタ用フォトダイオード2の受光面2aが、半導体レーザ1およびモニタ用フォトダイオード2が搭載されている基板3の主面に対して平行になるように実装し、且つ、基板3には半導体レーザ1の発光点の高さとモニタ用フォトダイオード2の受光面高さとの差が好適になるような段差5を形成し、しかも、好適な半導体レーザ1―モニタ用フォトダイオード2間距離を有する構造にすることで、半導体レーザ1の後方出力光4をモニタ用フォトダイオード2に直接入力させて、十分なモニター電流を確保出来るようにしたものである。
【0008】
【実施例】
以下に、本発明に係わる半導体レーザモジュールの実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。
【0009】
(第1の具体例)
図1乃至図3は、本発明の第1の具体例を示す図である。
図1は、第1の具体例の半導体レーザモジュールを示す図であり、この図には、
基板3上に半導体レーザ素子1とこの半導体レーザ素子1用のモニタ用フォトダイオード2とが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板3に段差5を形成し、前記段差5の上側の第1の面6に前記半導体レーザ素子1を配設すると共に、前記段差5の下側の第2の面7に前記モニタ用フォトダイオード2を配設し、前記モニタ用フォトダイオード2の受光面2aが、前記第2の面7に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子1及び前記モニタ用フォトダイオード2が樹脂で覆われていなく、又、前記半導体レーザ素子1と前記モニタ用フォトダイオード2間の光路が、空気で満たされている光路であることを特徴とする半導体レーザモジュールが示されている。
【0010】
以下に、本発明の第1の具体例の半導体レーザモジュールを更に詳細に説明する。
図1において、半導体レーザ1及びモニタ用フォトダイオード2は、段差5を有した基板3上に平面実装してある。この基板3には、半導体レーザ1の発光点高さH1がモニタ用フォトダイオード2の受光面高さH2よりも高くなるように、且つ、両者の高さ方向の差がモニター電流最大となるように好適な段差を設けている。また、半導体レーザ1とモニタ用フォトダイオード2との距離が、図1中のz軸方向に好適な間隔となるように実装する。
段差5は、基板3に例えば単結晶Si(面方位(100))を用い、異方性エッチングすることで、段差5を精度良く形成することが出来る。この構成により半導体レーザ1の後方出力光4を直接モニタ用フォトダイオード2で受光することができ、且つ、十分なモニター電流を確保することが出来る。
このように構成した半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザ1を発光させた時、前方出力は図1左側へ出射され、図示しないレンズ等を通って光ファイバへ結合させる。一方、後方出力光4は、直接モニタ用フォトダイオード2の受光面2aに入射させる。
【0011】
図2は、本発明の半導体レーザモジュールの特性を測定するための構成を示す図、図3は、測定結果を示す図である。
図2に示すような装置を用い、半導体レーザ1の後方出力光をモニタ用フォトダイオード2に入射させ、モニタ用フォトダイオード2に流れる電流のモニタ用フォトダイオード位置(y方向、z方向)に対する依存性を測定した。
【0012】
一例として、半導体レーザにI=50(mA)、モニタ用フォトダイオードに5(V)印加したときの、z=200(μm)時のモニター電流のモニタ用フォトダイオード2の位置依存性(y方向)を図3に示す。本測定条件においては、y=120(μm)で最大電流≒210(μA)が得られ、モニタ用として十分な電流を確保出来ることが分かる。なお、以上は測定の一例であり、モニター電流のモニタ用フォトダイオード位置依存性は、半導体レーザ放射角およびモニタ用フォトダイオードの受光面位置に依存するためこの値が全てではない。
上記説明では、面方位が(100)のSi単結晶基板を用いたが、基板3は必ずしも面方位が(100)のSi単結晶である必要はない。又、基板3は必ずしもシリコン基板でなくても良い。
更に、基板3は、必ずしも1体の基板からなる必要はなく、例えば、半導体レーザ1およびモニタ用フォトダイオード2を実装する基板が別の基板に分かれていても良い。
【0013】
(第2の具体例)
図4は本発明の第2の具体例を示す図である。
図4に示すように、第2の具体例の半導体レーザモジュールでは、基板3の第1の面6に半導体レーザ1を設け、第2の面7にモニタ用フォトダイオード2と、半導体レーザ素子1用のレーザドライバ8を組み付けている。基板3に設けた段差5は、半導体レーザ1の発光点高さ、モニタ用フォトダイオード2の受光面位置、半導体レーザ素子1のボンディング位置及びレーザドライバ8のボンディング位置を考慮して、十分なモニター電流が確保でき、しかも、ボンディングワイヤ10の長さができるだけ短くなるように、設計されている。また、レーザドライバ8のz方向位置についても、できる限り半導体レーザ1に近くなるように、配置されている。
このように構成した第2の具体例の半導体レーザモジュールでは、外部から高周波電気信号をレーザドライバ8に入力し、レーザドライバ8から出力された高周波電気信号をボンディングワイヤ10を介して半導体レーザ1に入力する。 この場合も、第1の具体例と同様に、モニタ用フォトダイオード2の受光面位置が、最適に設定されているので、十分なモニター電流を確保できる。
又、ボンディングワイヤ10の長さができるだけ短くなるように考慮されているので、半導体レーザ素子1に入力される高周波電気信号の特性がよいため、光変調特性が良い。
【0014】
なお、第2の具体例においても、半導体レーザ1、モニタ用フォトダイオード2、レーザドライバ8を同一の基板上に組み付けるのでなく、別の基板、又はそれぞれの基板上に設けるように構成しても良い。
又、レーザドライバ8とモニタ用フォトダイオード2とは、必ずしも同一の平面上になくてもよい。
又、半導体レーザ1及びレーザドライバ8のボンディング位置は、必ずしも図6に示したようでなくても良い。即ち、半導体レーザ1上部にボンディングパッドを設けても良いし、又、レーザドライバ8の下部にボンディングパッドを設けても良い。
更に、レーザドライバ8の位置は、図6の限りでなく、x方向やz方向にずらして実装しても良い。
【0015】
又、半導体レーザ素子用のレーザドライバ8を第1の面6上に設けるように構成してもよい。
【0016】
又、前記第1の面6と第2の面7とで挟まれる位置に第3の面を設け、この第3の面上に半導体レーザ素子用のレーザドライバを組み付けるように構成してもよい。
【0017】
更に、基板3に第1の段差5を形成し、第1の段差5の上側の第1の面6に前記半導体レーザ素子1を配設すると共に、第1の段差5の下側の第2の面7にモニタ用フォトダイオード2を配設し、モニタ用フォトダイオード2の受光面が、第2の面7に対し平行になるように実装し、且つ、第1の面6上に第2の段差を介して第3の面を設け、この第3の面上に前記半導体レーザ素子用のレーザドライバ8を組み付けるように構成してもよい。
【0018】
同様に、基板3に第1の段差5を形成し、第1の段差5の上側の第1の面6に前記半導体レーザ素子1を配設すると共に、第1の段差5の下側の第2の面7にモニタ用フォトダイオード2を配設し、モニタ用フォトダイオード2の受光面が、第2の面7に対し平行になるように実装し、且つ、第2の面7の下側に第2の段差を介して第3の面を設け、この第3の面上に半導体レーザ素子用のレーザドライバ8を組み付けるように構成してもよい。
【0019】
ただし、何れの場合においても、半導体レーザ1の発光点高さ、モニタ用フォトダイオード2の受光面位置、半導体レーザ1のボンディング位置、及びレーザドライバ8のボンディング位置を考慮して、十分なモニター電流が確保でき、しかも、ボンディングワイヤ10の長さができるだけ短くなるように、設計されている必要がある。
【0020】
勿論、この具体例においても、半導体レーザ素子及びモニタ用フォトダイオードが樹脂で覆われていないことが望ましい。
【0021】
【発明の効果】
本発明に係わる半導体レーザモジュールは、半導体レーザおよびモニタ用フォトダイオードを樹脂等で覆うことなく、空気に晒されるように構成したので、以下のような効果を奏する。
【0022】
即ち、従来のように樹脂を用いない構造であり、又、チップキャリアを用いない構造であるため、部品点数を減らすことができ、その結果、低コスト化が図れた。
又、本発明の場合、モニタ用フォトダイオードを基板上に置くだけで実装でき、しかも、所定の性能が得られる構成であるから、工程が非常に簡単になり、低コスト化が可能になり、歩留まりも向上した。
【0023】
又、半導体レーザの発光点位置、モニタ用フォトダイオードの受光面位置を最適化しているので、十分なモニター電流を確保できる。
更に、ボンディングワイヤの長さもできるだけ短くなるように考慮されているので、半導体レーザ素子に入力される高周波電気信号の特性がよいため、光変調特性が良い。従って、高周波特性が良く、しかも小型化が可能な半導体レーザモジュールの提供を可能にした。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる半導体レーザモジュールの第1の具体例の構成を示す図である。
【図2】本発明の半導体レーザモジュールの特性を測定するための構成を示す図である。
【図3】測定結果を示すグラフである。
【図4】本発明の第2の具体例の構成を示す図である。
【図5】従来の半導体レーザモジュールの構成を示す図である。
【図6】他の従来の構成を示す図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザ素子
2 モニタ用フォトダイオード
2a モニタ用フォトダイオードの受光面
3 基板
4 後方出力光
5 段差
6 段差の上の面(第1の面)
7 段差の下の面(第2の面)
8 レーザドライバ
10 ボンディングワイヤ
Claims (9)
- 基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子及び前記モニタ用フォトダイオードが樹脂で覆われていないことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子と前記モニタ用フォトダイオード間の光路が、空気で満たされている光路であることを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 前記基板がSiであることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体レーザモジュール。
- 基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを前記第2の面上に設けたことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを前記第1の面上に設けたことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に段差を形成し、前記段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記第1の面と第2の面とで挟まれる位置に第3の面を設け、この第3の面上に前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを組み付けたことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に第1の段差を形成し、前記第1の段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記第1の段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記第1の面上に第2の段差を介して第3の面を設け、この第3の面上に前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを組み付けたことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 基板上に半導体レーザ素子とこの半導体レーザ素子用のモニタ用フォトダイオードと前記半導体レーザ素子用のレーザドライバとが設けられている半導体レーザモジュールにおいて、
前記基板に第1の段差を形成し、前記第1の段差の上側の第1の面に前記半導体レーザ素子を配設すると共に、前記第1の段差の下側の第2の面に前記モニタ用フォトダイオードを配設し、前記モニタ用フォトダイオードの受光面が、前記第2の面に対し平行になるように実装し、且つ、前記第2の面の下側に第2の段差を介して第3の面を設け、この第3の面上に前記半導体レーザ素子用のレーザドライバを組み付けたことを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 前記半導体レーザ素子及び前記モニタ用フォトダイオードが樹脂で覆われていないことを特徴とする請求項4〜8の何れかに記載の半導体レーザモジュール。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002314620A JP2004152875A (ja) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | 半導体レーザモジュール |
EP20030024388 EP1416596A1 (en) | 2002-10-29 | 2003-10-24 | Semiconductor laser module |
CA002447242A CA2447242A1 (en) | 2002-10-29 | 2003-10-28 | Semiconductor laser module |
US10/694,720 US20040086010A1 (en) | 2002-10-29 | 2003-10-29 | Semiconductor laser module |
CNA2003101044282A CN1499682A (zh) | 2002-10-29 | 2003-10-29 | 半导体激光器模块 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002314620A JP2004152875A (ja) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004152875A true JP2004152875A (ja) | 2004-05-27 |
Family
ID=32089508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002314620A Pending JP2004152875A (ja) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040086010A1 (ja) |
EP (1) | EP1416596A1 (ja) |
JP (1) | JP2004152875A (ja) |
CN (1) | CN1499682A (ja) |
CA (1) | CA2447242A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010212491A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Sharp Corp | マウント部材およびマウント部材を備えた半導体発光装置 |
JPWO2009090988A1 (ja) * | 2008-01-16 | 2011-05-26 | 古河電気工業株式会社 | 光モジュール |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7598527B2 (en) * | 2004-01-20 | 2009-10-06 | Binoptics Corporation | Monitoring photodetector for integrated photonic devices |
GB2417366A (en) * | 2004-08-21 | 2006-02-22 | Intense Photonics Ltd | Carrier for array of optical emitters |
DE102016101942B4 (de) | 2016-02-04 | 2022-07-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung |
JP6565805B2 (ja) * | 2016-06-28 | 2019-08-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2018133084A1 (en) * | 2017-01-23 | 2018-07-26 | Shenzhen Genorivision Technology Co. Ltd. | A laser radar |
CN106785890A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-05-31 | 大连藏龙光电子科技有限公司 | 10g小型化eml激光器的光探测器装配结构 |
CN113540960A (zh) * | 2020-04-21 | 2021-10-22 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种夹心式边发射激光器封装结构及其制作方法 |
DE102022106941A1 (de) | 2022-03-24 | 2023-09-28 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4297653A (en) * | 1979-04-30 | 1981-10-27 | Xerox Corporation | Hybrid semiconductor laser/detectors |
FR2588701B1 (fr) * | 1985-10-14 | 1988-12-30 | Bouadma Noureddine | Procede de realisation d'une structure integree laser-photodetecteur |
DE3870651D1 (de) * | 1987-02-20 | 1992-06-11 | Siemens Ag | Lasersenderanordnung. |
TW289872B (ja) * | 1992-12-24 | 1996-11-01 | Sharp Kk | |
JPH06334262A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザアレイ装置,半導体レーザ装置,及びそれらの製造方法 |
US6115398A (en) * | 1998-05-18 | 2000-09-05 | Motorola, Inc. | Automatic power control of a semiconductor laser array |
JP2000269584A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
-
2002
- 2002-10-29 JP JP2002314620A patent/JP2004152875A/ja active Pending
-
2003
- 2003-10-24 EP EP20030024388 patent/EP1416596A1/en not_active Withdrawn
- 2003-10-28 CA CA002447242A patent/CA2447242A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-29 CN CNA2003101044282A patent/CN1499682A/zh active Pending
- 2003-10-29 US US10/694,720 patent/US20040086010A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2009090988A1 (ja) * | 2008-01-16 | 2011-05-26 | 古河電気工業株式会社 | 光モジュール |
JP2010212491A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Sharp Corp | マウント部材およびマウント部材を備えた半導体発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040086010A1 (en) | 2004-05-06 |
EP1416596A1 (en) | 2004-05-06 |
CA2447242A1 (en) | 2004-04-29 |
CN1499682A (zh) | 2004-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8378287B2 (en) | Optical sensor module including a diode laser and a substrate transparent to radiation emitted by the diode laser and a method for manufacturing an optical sensor module | |
US7281860B2 (en) | Optical transmitter | |
JP4882644B2 (ja) | 光電気変換装置 | |
JP5243806B2 (ja) | 紫外光発光装置 | |
JP7119271B2 (ja) | レーザダイオードパッケージモジュールおよび距離検出装置、電子機器 | |
JP2007258667A (ja) | 光電気複合基板及び電子機器 | |
US10203460B2 (en) | Optical semiconductor module | |
US20090323748A1 (en) | Photoelectric conversion device, photoelectric conversion module and method of manufacturing photoelectric conversion device | |
WO2009107671A1 (ja) | 光電気変換装置 | |
JP2004152875A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JP4643891B2 (ja) | パラレル光学系接続装置用の位置決め方法 | |
US20220075112A1 (en) | Integration of an active component on a photonics platform | |
US7067854B2 (en) | Optical receiver | |
US20120148190A1 (en) | Optical module and optical transmission device using the same | |
JP6500336B2 (ja) | 光導波路型モジュール装置および製造方法 | |
KR102486332B1 (ko) | 표면발광 레이저패키지 및 이를 포함하는 광 모듈 | |
JP2005159036A (ja) | 光送受信モジュール | |
JP2000156510A (ja) | 光半導体素子および光半導体素子の製造方法ならびに光電子装置 | |
KR102556816B1 (ko) | 표면방출발광레이저 패키지 및 이를 포함하는 광 모듈 | |
JP4501412B2 (ja) | 半導体素子、デバイス及び電子機器 | |
JP2009158506A (ja) | 発光装置 | |
JP4066375B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2006013048A (ja) | 発光用光半導体素子及び受光用光半導体素子 | |
JP2024088579A (ja) | 光電変換素子及びガスセンサ | |
JP6286989B2 (ja) | 光導波路型モジュールおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041228 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050524 |