JP2000156510A - 光半導体素子および光半導体素子の製造方法ならびに光電子装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 単一の光を受光しかつ光出力として出力する
受光素子の提供。 【解決手段】 受光素子を有する光半導体素子であっ
て、前記光半導体素子の受光領域内または受光領域の一
部に掛かって光が透過できる光透過部が設けられてい
る。前記光透過部は光半導体素子に設けられた孔や切り
欠きによる空間で形成されている。光は受光領域で受光
されてモニタされる。また、前記光透過部を透過した光
は光出力になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は受光素子を有する光
半導体素子および光半導体素子の製造方法ならびにその
光半導体素子を組み込んだ光電子装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光半導体素子の一つとして受光素子（ホ
トダイオード）が知られている。受光素子は、半導体チ
ップ（半導体素子）の一面に受光面（受光領域）を有
し、この受光領域に入射した光を電気量として検出する
構造になっている。

【０００３】受光素子は光検出器として市販されている
各種の光電子装置に組み込まれている。たとえば、光フ
ァイバ型マッハツェンダ干渉計による光変調器の動的チ
ャープ測定装置においては、被測定光は偏波制御器，偏
波保存ファイバ型マッハツェンダ干渉計を通った後、Ｏ
／Ｅ変換器で検出されて復調電気出力（高密度チャンネ
ル）として出力されるとともに、前記偏波保存ファイバ
型マッハツェンダ干渉計を通った被測定光は分岐されて
光出力として出力される。すなわち、一部の光の検出に
よる光強度の測定と、残りの光の光出力化が図られてい
る。

【０００４】また、光スペクトラム・アナライザでは、
被測定光はモノクロメータを通った後は、トランスファ
・スイッチで切替えられてホトダイオードで検出される
か、またはモノクロメータの出力（出力光）として出力
される構成になっている。

【０００５】一方、光加入者伝送システムにおけるシス
テム用光伝送装置（光電子装置）として、バースト伝送
光モジュールが知られている。光加入者伝送システム用
バースト伝送光モジュールについては、「ＦＵＪＩＴＳ
Ｕ」48.5,(09.1995)、P480〜P486に記載されている。こ
の光モジュールにおいては、双方向光デバイスであるこ
とから、レーザダイオード（ＬＤ）から出射した前方出
射光をレンズを介してＡ点に案内し、Ｂ点に到達した光
を前記レンズを介して受信ホトダイオードで受光するよ
うになっている。前記受信ホトダイオードは一枚の半導
体基板にモニタホトダイオードと並んで形成され、前記
モニタホトダイオードで前記レーザダイオードの後方出
射光を受光するようになっている。また、前記Ａ点，Ｂ
点は、フェルールに案内された光ファイバの一端に傾斜
して取り付けられたプリズムの各光軸上に位置してい
る。なお、前記文献には、「受信モード時にはドライバ
回路の動作を停止させることで消費電力の削減を図っ
た。」旨記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の受光素子は、半
導体基板の一面（主面）に受光面（受光領域）を有する
構造となり、前記受光領域に導かれた光は半導体基板の
裏側で再度被測定光として使用されることはなかった。
このため、被測定光を数回に分けて受光したり、一部の
光を受光し一部の光を光出力として出力する場合は、前
述のように被測定光を分岐させる構造が採用されてい
る。しかし、このような分岐構成では、光分岐のための
光部品や、分岐光路の設定のための光部品が必要にな
り、受光素子を組み込んだ光電子装置が大型化するとと
もに、製造コストの低減が妨げられる。また、前記光加
入者伝送システム用バースト伝送光モジュールにおい
て、前記レンズやプリズムを使用しなくても双方向光電
子装置とすることができないかを検討した。

【０００７】本発明の目的は、単一の光を他の光部品を
使用することなく受光しかつ光出力として出力できる受
光素子およびその光半導体素子の製造方法ならびにその
受光素子を組み込んだ光電子装置を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、単一の光を他の光部品を使用
することなく受光できるとともに光出力として出力でき
かつ光を出力する方向からの光を受光できる受光素子お
よびその光半導体素子を組み込んだ光電子装置を提供す
ることにある。本発明の他の目的は、レンズやプリズム
を使用しない双方向型の光電子装置を提供することにあ
る。本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴
は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになる
であろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）受光素子が設けられた光半導体素子であって、前
記受光素子の受光領域に隣り合って光が透過する光透過
部が設けられている。前記光透過部は光半導体素子に設
けられた孔や切り欠きによる空間で形成されている。こ
のような光半導体素子は以下の方法によって製造され
る。半導体基板の一面に受光素子の受光領域を形成する
ための第１導電型の半導体層を１乃至複数層形成する工
程と、前記半導体層に第２導電型の半導体領域を形成し
てｐｎ接合を形成する工程と、前記第１導電型の半導体
層に電気的に接続される第１の電極を形成する工程と、
前記第２導電型の半導体領域に電気的に接続される第２
の電極を形成する工程とを有する受光素子が設けられる
光半導体素子の製造方法であって、前記受光素子の受光
領域に隣り合って孔または切り欠きを形成して光が透過
する光透過部を形成する工程を有する。

【０００９】（２）前記手段（１）の構成の光半導体素
子において、前記光透過部は光が透過できる材質による
透明体で形成されている。前記透明体はレンズを構成し
ている。前記透明体は石英，ガラス，プラスチックのう
ちのいずれかの物質で形成され、かつ前記孔や切り欠き
に充填形成されている。このような光半導体素子は前記
手段（１）の製造方法において、前記孔または切り欠き
を形成した後、前記孔または切り欠きに光を透過する透
明体を充填形成する。前記透明体としてレンズを充填形
成する。前記透明体として石英，ガラス，プラスチック
のうちのいずれかの物質を充填形成する。

【００１０】（３）光を案内する光ガイド部と、前記光
ガイド部の端から放射される光を受光する受光素子が形
成された光半導体素子とを有する光電子装置であって、
前記受光素子の受光領域に隣り合って光が透過する光透
過部が設けられている。前記光透過部を有する光半導体
素子は前記手段（１）または手段（２）の構成になって
いる。

【００１１】（４）光を案内する光ガイド部と、前記光
ガイド部の端から放射される光を受光する受光素子が形
成された光半導体素子を有する光電子装置であって、前
記受光素子の受光領域に隣り合って光が透過する光透過
部が設けられ、かつ前記光透過部には光学的に接続され
る光ガイド部が設けられている。前記光透過部を有する
光半導体素子は前記手段（１）または手段（２）の構成
になっている。

【００１２】（５）光を発光する発光素子が設けられた
光半導体素子と、前記発光素子から放射される光を案内
する光ガイド部と、前記発光素子から放射される光を受
光する受光素子が設けられた光半導体素子とを有する光
電子装置であって、前記受光素子の受光領域に隣り合っ
て前記発光素子から放射される光が透過する光透過部が
設けられているとともに、前記光透過部を透過した光は
前記光ガイド部に光学的に接続されている。前記光透過
部を有する光半導体素子は前記手段（１）または手段
（２）の構成になっている。

【００１３】（６）光を発光する発光素子が設けられた
光半導体素子と、前記発光素子から放射される光を案内
する光ガイド部と、前記発光素子から放射される光を受
光する受光素子が設けられた光半導体素子とを有する光
電子装置であって、前記光半導体素子は、その表裏の対
応する二面にそれぞれ受光素子が設けられ、かつ前記表
裏の受光素子の受光領域に隣り合って光が透過できる光
透過部が設けられ、前記発光素子から放射される光の一
部は前記光透過部を透過して前記光ガイド部に光学的に
接続され、前記発光素子から放射される光の一部は前記
発光素子に対面する一方の受光素子で受光され、他方の
受光素子は前記光ガイド部の端から放射される光を受光
するように構成されている。前記発光素子は両端の出射
面からそれぞれレーザ光を出射する半導体レーザ素子か
らなっている。前記光透過部を有する光半導体素子は前
記手段（１）または手段（２）の構成になっている。

【００１４】（７）前記手段（６）の構成の光電子装置
であって、前記半導体レーザ素子の前方出射側および後
方出射側に、二面に受光素子が設けられた前記光半導体
素子と前記光ガイド部を配置した構成になり、前方出射
光および後方出射光はそれぞれ光半導体素子の光透過部
を透過して光ガイド部にそれぞれ出力されるようになっ
ている。

【００１５】前記（１）の手段によれば、（ａ）受光素
子の受光領域に隣り合って光が透過する光透過部（孔や
切り欠きによる空間）が設けられていることから、前記
光透過部を透過した光は光出力として使用できる。ま
た、前記光透過部を通過しない広がった光は前記光透過
部の周辺の受光領域で受光されることから光強度のモニ
タが可能になる。すなわち、この光半導体素子は、光を
受光領域で受けるだけで、一部の光で光強度を検出で
き、一部の光を光出力として出力することができるもの
である。 （ｂ）このような光半導体素子は、その製造において、
受光素子の受光領域に隣り合うように、半導体製造技術
で多用されているホトリソグラフィ技術とホトエッチン
グ技術で、前記孔または切り欠きを設けることができる
ため、新たな加工設備を必要とせず、安価に製造するこ
とができる。

【００１６】前記（２）の手段によれば、（ａ）前記光
透過部は光が透過できる材質による透明体で形成されて
いるため、前記手段（１）の構成による場合と同様に、
受光領域に光を受けるだけで一部の光で光強度を検出で
き、一部の光を光出力として出力することができる。 （ｂ）前記透明体がレンズを構成している場合は、前記
光出力を所定の位置に焦点を結ばせることができる。し
たがって、この光出力を光ファイバ等の光ガイド部に光
学的に接続する場合、光結合効率を高くすることもでき
る。 （ｃ）前記レンズは石英，ガラス，プラスチックのうち
のいずれかの物質で形成できるため、その製造は容易で
ある。

【００１７】前記（３）の手段によれば、光ガイド部の
端から放射される光を受光領域で受光するだけで、一部
の光で光強度を検出でき、前記光透過部を透過した光を
光出力として出力することができ、従来のように光を分
岐する光部品が不要になる。この結果、光電子装置の小
型化や製造コストの低減が達成できる。また、前記光透
過部がレンズの場合では、光の焦点位置を利用すること
によって光出力を最大の状態で使用することもできる。

【００１８】前記（４）の手段によれば、（ａ）光ガイ
ド部の端から放射される光を受光領域で受光するだけ
で、一部の光で光強度を検出でき、前記光透過部を通過
した光を前記光透過部に光学的に接続される光ガイド部
に出力することができ、従来のように光を分岐する光部
品が不要になる。この結果、光電子装置の小型化や製造
コストの低減が達成できる。 （ｂ）また、前記光透過部がレンズの場合では、光の焦
点位置を利用することによって光出力を最大の状態にし
て光ガイド部に出力することもできる。

【００１９】前記（５）の手段によれば、（ａ）発光素
子から放射される光を受光素子の受光領域で受光するだ
けで、一部の光で光強度を検出でき、前記光透過部を通
過した光を光ガイド部に出力することができ、従来のよ
うに光を分岐する光部品が不要になる。この結果、光電
子装置の小型化や製造コストの低減が達成できる。 （ｂ）また、前記光透過部がレンズの場合では、光の焦
点位置を利用することによって光出力を最大の状態にし
て光ガイド部に出力することもできる。 （ｃ）前記発光素子が半導体レーザ素子の場合、前記受
光素子の光透過部をレーザ光が透過するようにすれば、
レーザ光出力と光強度のモニタが可能になることから、
半導体レーザ素子の後方出射光の光強度は限りなく零に
近い強度や零にすることができ、半導体レーザ素子の前
方出射光の光強度を高くでき、光電子装置の光出力の増
大を達成することができる。

【００２０】前記（６）の手段によれば、（ａ）発光素
子から放射される光を受光する光半導体素子はその表裏
の二面にそれぞれ受光素子が設けられていて、前記発光
素子から放射される光を一方の受光素子の受光領域で受
光するだけで一部の光で光強度を検出でき、前記光透過
部を通過した光を光ガイド部に出力することができるた
め、従来のように光を分岐する光部品が不要になる。 （ｂ）また、前記光ガイド部から放射される光は他方の
受光素子の受光領域で受光することができるため、光電
子装置は双方向通信の光源用の光デバイスとして使用で
きる。バースト光伝送システムでは、受信モード時には
ドライバ回路の動作を停止させて使用させるシステムも
あることから、このようなシステムの場合には、光ガイ
ド部から放射される光が発光素子（半導体レーザ素子）
に到達しても、半導体レーザ素子は駆動状態にないこと
から、光通信に支障を来さない実益もある。 （ｃ）前記発光素子が半導体レーザ素子の場合、前記受
光素子の光透過部をレーザ光が透過するようにすれば、
レーザ光出力と光強度のモニタが可能になることから、
半導体レーザ素子の後方出射光の光強度を零または零に
限りなく近い光強度することができ、半導体レーザ素子
の前方出射光の光強度を高くでき、光電子装置の光出力
の増大を達成することができる。 （ｄ）前記光透過部がレンズの場合では、光の焦点位置
を利用することによって光出力を最大の状態にして光ガ
イド部に出力することもできる。 （ｅ）以上のように単一の光半導体素子で半導体レーザ
素子のレーザ光のモニタと受信光の受光を行うことがで
き、この種光伝送用の光電子装置における光部品数の低
減から、光電子装置の小型化や製造コストの低減が達成
できる。

【００２１】前記（７）の手段によれば、前記（６）の
構成による効果に加え、半導体レーザ素子の前方出射光
と後方出射光の光強度を同じにすることによって、二系
統の光伝送路との通信が可能になる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態および実施例を詳細に説明する。なお、発明の
実施の形態および実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。また、本実施形態では受光素子
が設けられた光半導体素子について説明するが、各実施
形態では受光素子のみが設けられた光半導体素子につい
て説明する。

【００２３】（実施形態１）図１乃至図１１は本発明の
一実施形態（実施形態１）である受光素子が設けられた
光半導体素子に係わる図であり、図１および図２は光半
導体素子に係わる図、図３乃至図８は光半導体素子の製
造方法に係わる図、図９乃至図１２は本実施形態１の光
半導体素子が組み込まれた光電子装置に係わる図であ
る。

【００２４】本実施形態１の光半導体素子１は、図１お
よび図２に示すように、矩形の第１導電型の半導体基板
２の一面（主面）側に第１導電型のエピタキシャル成長
層を複数多層に形成した構造になっている。たとえば、
ｎ⁺型（第１導電型）のＩｎＰ（インジウム・燐）から
なる半導体基板（ＩｎＰ半導体基板）２の主面には、ｎ
型ＩｎＰバッファ層３，ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層
４，ｎ型ＩｎＰ窓層５，ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層６が順次
エピタキシャル成長によって形成されている。また、前
記ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層６はドーナツ状に除去されてい
るとともに、その除去部分に対応するｎ型ＩｎＰ窓層５
からｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層４の中層に亘ってｐ⁺
型領域（第２導電型領域）７が設けられ、このｐ⁺型領
域７と各層との間でｐｎ接合が形成されている。

【００２５】また、前記光半導体素子１の中心には、光
半導体素子１を貫通する光透過孔１０が形成されてい
る。この光透過孔１０は空間となることから、光が透過
する光透過部１１を形成する。この光透過孔１０はドー
ナツ状のｐ⁺型領域７の内側のｎ型領域部分に形成され
ている。これは、ｐｎ接合が前記光透過孔１０に至る
と、光透過孔１０の周面に露出するｐｎ接合部分で電流
の漏れが発生して受光素子の作用を失うことを防止する
ためである。

【００２６】また、前記ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層６上と、
ｐ⁺型領域７の周縁部分を除く領域上にはパッシベーシ
ョン膜１２が形成されている。また、ｐ⁺型領域７およ
びパッシベーション膜１２上に掛けてアノード電極１３
が設けられ、半導体基板２の裏面（下面）にはカソード
電極１４が設けられている。

【００２７】これらの構造により、光半導体素子１の主
面側には受光素子１５が形成されることになる。本実施
形態１では光半導体素子１に受光素子１５のみを形成し
た例であるが、受光素子１５とトランジスタ等他の素子
を形成したものでもよい。

【００２８】ここで、特に限定はされないが、各部の寸
法の一例を挙げる。光半導体素子１は縦横の長さが７０
０μｍ、厚さが３６０μｍである。ｎ型ＩｎＰバッファ
層３は厚さ２．５μｍ、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層４
は厚さ２．５μｍ、ｎ型ＩｎＰ窓層５は厚さ３．０μ
ｍ、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層６は厚さ１．０μｍである。
カソード電極１４は、たとえば、Ａｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／Ｐ
ｄ／Ａｕからなり厚さは１μｍ、アノード電極１３はＡ
ｌからなりその厚さは１μｍである。また、光透過孔１
０の直径ｄは５０μｍであり、その光透過孔１０の縁か
らｎ（ｎ＝１０μｍ）離れて幅Ｗ（Ｗ＝３００μｍ）の
ドーナツ状の受光領域１６が設けられている。

【００２９】本実施形態１の光半導体素子１では、光半
導体素子１の主面側から光１７を照射した場合、一部の
光１７は前記光透過孔１０（光透過部１１）を透過し、
広がった光は受光領域１６に到達して受光される。これ
は、レーザ光を光透過孔１０に透過した場合でも、レー
ザ光の一部は受光領域１６で受光されることになる。し
たがって、本実施形態１の光半導体素子１、すなわち、
受光素子１５では、受光面側で光１７を受けると、一部
の光は受光素子１５によって受光され、光強度のモニタ
が可能になるとともに、一部の光は光透過孔１０を透過
する。この結果、光透過孔１０を透過した光を光出力と
することができる。

【００３０】つぎに、本実施形態１の光半導体素子１の
製造方法について説明する。本実施形態１の光半導体素
子１は、図３のフローチャートに示すように、ｎ⁺型Ｉ
ｎＰからなる半導体基板を用意する工程（ステップ１０
１）と、半導体基板の主面にエピタキシャル成長層を多
層に形成するエピタキシャル成長処理工程（ステップ１
０２）と、半導体基板に光透過部としての光透過孔を形
成する工程（ステップ１０３）と、半導体基板の主面側
にｐ⁺型領域を形成してｐｎ接合を形成する工程（ステ
ップ１０４）と、パッシベーション膜を形成する工程
（ステップ１０５）と、半導体基板の裏面を研磨して所
定の厚さとする工程（ステップ１０６）と、カソード電
極を形成する工程（ステップ１０７）と、アノード電極
を形成する工程（ステップ１０８）と、半導体基板を縦
横に分断して光半導体素子を形成するチップ化工程（ス
テップ１０９）によって製造される。

【００３１】以下、図４乃至図８を参照しながら光半導
体素子１の製造方法について説明する。図４に示すよう
に、最初に４００μｍ程度の厚さのｎ⁺型ＩｎＰからな
る半導体基板（ＩｎＰ半導体基板）２を用意（ステップ
１０１）し、その後エピタキシャル成長処理（ステップ
１０２）して、ＩｎＰ半導体基板２の主面に厚さ２．５
μｍのｎ型ＩｎＰバッファ層３、厚さ２．５μｍのｎ型
ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層４、厚さ３．０μｍのｎ型Ｉｎ
Ｐ窓層５、厚さ１．０μｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層６を
順次形成する。

【００３２】つぎに、図５に示すように、半導体基板２
の主面側に絶縁膜２０を形成した後、この絶縁膜２０を
選択的にエッチングして光透過孔形成用孔２１を形成す
る。半導体基板２は最終段階で縦横に分断されて光半導
体素子１となるが、この光半導体素子１となる領域の中
心に前記光透過孔形成用孔２１を設ける。この光透過孔
形成用孔２１は、特に限定はされないがたとえば直径が
５０μｍ弱とする。つぎに、前記絶縁膜２０をマスクと
してｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層６から半導体基板２に至る半
導体をエッチングして光透過孔１０を形成する（ステッ
プ１０３）。この光透過孔１０は孔状の空間となること
から光が透過する光透過部１１となる。前記絶縁膜２０
は、特に限定はされないが、たとえばＳｉＯ₂／Ａｌ₂Ｏ
₃による複合絶縁膜となっている。

【００３３】つぎに、図６に示すように、前記絶縁膜２
０をドーナツ状にエッチングする。このドーナツ穴２２
は、前記光透過孔１０に同心円的に形成され、ドーナツ
穴２２の内周面と光透過孔１０の周面との間隔ｎは、特
に限定はされないが１０μｍとする。また、ドーナツ穴
２２の帯状部分の幅Ｗは、これも特に限定はされないが
３００μｍとする。その後、前記絶縁膜２０をマスクと
してｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層６を除去し、さらに前記絶縁
膜２０をマスクとしてＺｎを拡散してｐ⁺型領域７を形
成する。この際、ｐ⁺型領域７の周面は光透過孔１０の
周面から８〜９μｍ程度離れるように形成する（ステッ
プ１０４）。その後、前記絶縁膜２０を除去する。

【００３４】つぎに、図７に示すように、半導体基板２
の主面側にパッシベーション膜１２を形成するととも
に、このパッシベーション膜１２を選択的にエッチング
する。このエッチングによってｐ⁺型領域７の周縁部分
が露出してコンタクト穴２５が形成される（ステップ１
０５）。前記亜鉛パッシベーション膜１２は、特に限定
はされないが、たとえばＳｉＯ₂／ＰＳＧ／Ａｌ₂Ｏ₃に
よる複合絶縁膜となっている。つぎに、半導体基板２の
裏面を研磨して（ステップ１０６）、半導体基板２等の
厚さを３６０μｍ程度とし、図７に示すように、半導体
基板２の裏面にカソード電極１４を形成する（ステップ
１０７）。カソード電極１４は、たとえば、Ａｕ−Ｇｅ
／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕからなり厚さは１μｍ程度である。
これにより、光半導体素子１を形成する領域には、すな
わち半導体基板２の主面側には受光素子１５の受光領域
１６が形成されることになる。

【００３５】つぎに、半導体基板２の主面側に厚さ１μ
ｍ程度のＡｌからなるアノード電極１３を形成する（ス
テップ１０８）。つぎに、前記半導体基板２を縦横に分
断して、図１および図２に示すような受光素子１５を有
する光半導体素子１を製造する（ステップ１０９）。

【００３６】このような光半導体素子１は、各種の光電
子装置に組み込まれて使用される。図９乃至図１２は本
実施形態１の受光素子が組み込まれた光電子装置、すな
わち半導体光モジュールに係わる図であり、図９は光電
子装置の外観を示す斜視図、図１０はパッケージのキャ
ップを取り外した状態を示す平面図、図１１は受光素子
および光ファイバの取り付け状態を示す分解斜視図、図
１２は受光素子および光ファイバの取り付け状態を示す
斜視図である。

【００３７】光電子装置３０の構造について、組み立て
方法をも含めて説明する。光電子装置３０は図９に示す
ように、外観的にはパッケージ３１と、このパッケージ
３１の両端からそれぞれ突出する光ファイバケーブル３
２，３３と、前記パッケージ３１の一側面から突出する
２本のリード（外部電極）３４とからなっている。

【００３８】パッケージ３１は矩形状の本体部３５と、
この本体部３５の両端中央から突出する細長のガイド部
３６とからなっている。また、パッケージ３１は下部を
構成する上部が開口したプラスチック製のケース３９
と、このケース３９の上部の開口部分を塞ぐように取り
付けられかつ接着剤で固定されるプラスチック製のキャ
ップ４０とで構成されている。したがって、ケース３９
およびキャップ４０は前記本体部３５およびガイド部３
６をも構成することになる。

【００３９】前記リード３４はケース３９の本体部３５
の一側から突出している。前記光ファイバケーブル３
２，３３は本体部３５のガイド部３６の溝４１に挿入嵌
合され、かつ図１０に示すように、接着剤４２によって
固定されている。

【００４０】前記溝４１は光ファイバケーブル３２，３
３を案内する径の大きい溝と、光ファイバケーブル３
２，３３の中心を貫く光ファイバ４３を案内する細い溝
とで構成されている。すなわち、光ファイバケーブル３
２，３３はその内端側ではジャケットが所定の長さ剥が
され、光ファイバ４３が露出する。

【００４１】そして、図１０に示すように、前記光ファ
イバのうちの一方の光ファイバ、たとえば光ファイバケ
ーブル３２の光ファイバ４３の一端側から本実施形態１
による光半導体素子１の受光面側に光が放射され、一部
の光は前記光半導体素子１の光透過孔１０を通過（透
過）して他方の光ファイバ４３、すなわち光ファイバケ
ーブル３３の光ファイバ４３の先端に取り込まれるよう
になる。また、光ファイバ４３の先端から放射される光
の一部は光透過孔１０の周囲の受光素子を構成する受光
領域に至り、受光される。

【００４２】光半導体素子１は、図１０乃至図１２に示
すように、支持ブロック５０に立てた状態、すなわち、
光透過孔１０の穴軸が光ファイバ４３の光軸と一致する
ように取り付けられ、かつ固定される。

【００４３】支持ブロック５０は、図１１に示すよう
に、中央に光半導体素子１を立てて挿入できる取付溝５
１が設けられているとともに、この取付溝５１の両側の
支持部５２の中央には、前記取付溝５１に交差（たとえ
ば直交）するガイド溝５３が設けられている。特に限定
はされないが、このガイド溝５３はＶ溝からなってい
る。すなわち、光ファイバ４３を高精度で案内できる構
造であれば他の構造の溝や窪み等であってもよい。

【００４４】組み立てにおいては、図１２に示すよう
に、光半導体素子１の下面を取付溝５１の底に接触させ
る状態で光半導体素子１を支持ブロック５０に固定し、
両側のガイド溝５３上に光ファイバ４３を載せるように
することによって、光半導体素子１の光透過孔１０の穴
軸と光ファイバ４３の光軸が一致するようになってい
る。したがって、接着剤５４で光ファイバ４３を支持部
５２に固定することによって、光半導体素子１に対して
光ファイバ４３を光学的に接続することができる。

【００４５】光ファイバ４３は、中心の直径８μｍのコ
ア４６と、このコア４６を覆う直径１２５μｍのクラッ
ド４７とからなっている。また、図示しないがクラッド
４７の表面にはメタライズ層が形成され、接着剤との接
合性が高められるようになっている。また、前記光ファ
イバ４３はそれぞれ光ガイド部を構成することになる。

【００４６】前記支持ブロック５０の両側の支持部５２
には、一部に点々を施して示すようにそれぞれ導体層５
５が設けられている。これらの導体層５５によって光半
導体素子１のアノード電極１３およびカソード電極１４
はそれぞれリード３４に電気的に接続されるようになっ
ている。導体層５５は取付溝５１の側面から上面を通り
さらに支持ブロック５０の側面を下がり下面にまで到達
延在するパターンになっている。これら支持ブロック５
０の下面に延在する導体層５５部分は、前記ケース３９
の本体部３５の内底面を延在するリード３４部分に重な
るようになっている（図１１参照）。

【００４７】支持ブロック５０は、図１０に示すよう
に、ケース３９の本体部３５の内底上に固定されるが、
たとえば、この固定において、導電性の接着剤を介して
各リード３４部分に、これと対応する導体層５５を接続
することによって固定する。この固定によって、支持ブ
ロック５０の固定と、リード３４と導体層５５の電気的
接続が行われることになる。

【００４８】取付溝５１の両側面の導体層５５の表面
に、あらかじめ半田５６を塗布しておき、取付溝５１に
光半導体素子１を位置決めして挿入載置した後、前記半
田をリフローすることによって、光半導体素子１の受光
素子１５のアノード電極１３およびカソード電極１４
は、それぞれ導体層５５に電気的に接続されることにな
る（図１０参照）。

【００４９】ケース３９にキャップ４０を固定した後、
ガイド部３６の先端中央部分の光ファイバ４３が突出す
る部分を接着剤５７で封止する。

【００５０】本実施形態１の光半導体素子およびその製
造方法ならびにこの光半導体素子を組み込んだ光電子装
置３０によれば、以下の効果を有する。

【００５１】（１）受光素子１５の受光領域１６に隣り
合って光１７が透過する光透過孔１０（光透過部１１）
が設けられていることから、前記光透過孔１０を透過し
た光１７は光出力として使用できる。また、前記光透過
孔１０を通過しない広がった光１７は前記光透過孔１０
の周辺の受光領域１６で受光されることから光強度のモ
ニタが可能になる。すなわち、この光半導体素子１は、
光を受光領域１６で受けるようにするだけで、一部の光
で光強度を検出でき、一部の光を光出力として出力する
ことができる。したがって、単一の光（光ビーム）を分
岐させることなく光検出部と光出力部に導くことがで
き、光電子装置のシステム設計が容易になる。また、光
部品の部品点数の低減が図れ、光電子装置の製造コスト
の低減が達成できる。

【００５２】この例では光透過孔１０を透過した光は光
ファイバケーブル３３の光ファイバ４３に出力される
が、光出力は光ファイバ以外の光ガイド部にする構成で
もよい。たとえば、パッケージの一部に透明なガラス板
やレンズを組み込んだ窓を形成し、この窓から光をパッ
ケージ外に放射する構造でもよい。

【００５３】（２）光半導体素子１は、その製造におい
て、受光素子１５の受光領域１６に隣り合うように、半
導体製造技術で多用されているホトリソグラフィ技術と
ホトエッチング技術で、前記光透過孔１０を設けること
ができるため、新たな加工設備を必要とせず、安価に製
造することができる。

【００５４】（実施形態２）図１３は本発明の他の実施
形態（実施形態２）である光半導体素子（受光素子）を
示す模式的平面図である。本実施形態２では、光半導体
素子１に矩形状（スリット状）の孔または切り欠き６０
を設け、この切り欠き部分を光透過部１１としてもよ
い。同図において点線で囲まれる領域が受光素子１５の
受光領域１６である。本実施形態２の光半導体素子１で
も前記切り欠き６０部分に光を照射することによって、
切り欠き６０を透過した光を光出力とし、受光領域１６
に照射された光で光強度を検出することができる。

【００５５】（実施形態３）図１４は本発明の他の実施
形態（実施形態３）である光半導体素子（受光素子）を
示す断面図である。

【００５６】本実施形態３では、図２に示す実施形態１
の構造の光半導体素子１において、光透過孔１０に光１
７が透過できる材質による透明体６１が充填形成されて
光透過部１１が形成されている。この透明体６１は両端
の表面が平坦なものでもよいが、本実施形態３では両端
の表面が円弧面となるレンズになっている。したがっ
て、透明体６１を透過した光１７は所定の位置に焦点を
結ぶことができる。なお、光１７の放射側の表面を窪ん
だ円弧面にしておいてもよい。

【００５７】前記透明体６１は、あらかじめ前記光透過
孔１０に挿入嵌合できるように形を整えておき、光半導
体素子１の受光素子１５を形成した後、光透過孔１０に
挿入嵌合させる。固定は嵌合だけでもよいが、電気的に
絶縁性となる接着剤等を用いてもよい。透明体６１は石
英，ガラス，プラスチック等によって形成されている。

【００５８】光半導体素子１の受光素子１５の製造途中
において、光半導体素子１の特性を損なわない温度で処
理できるならば、前記光透過孔１０にガラスやプラスチ
ック等を余分に充填し、かつ熱を加えて露出する表面を
円弧面化するようにしてもよい。

【００５９】また、図１３に示すような切り欠き６０
に、その形状が合うような透明体６１を充填形成しても
よい。

【００６０】本実施形態３の光半導体素子１によれば、
（１）光透過部１１は光１７が透過できる材質による透
明体６１で形成されているため、前記実施形態１および
実施形態２の場合と同様に、受光領域１６に光を受ける
だけで一部の光で光強度を検出でき、一部の光を光出力
として出力することができる。

【００６１】（２）前記透明体６１がレンズを構成して
いる場合は、前記光出力を所定の位置に焦点を結ばせる
ことができる。したがって、この光出力を光ファイバ等
の光ガイド部に光学的に接続する場合、光結合効率を高
くすることもできる。また、光の焦点位置を利用するこ
とによって光出力を最大の状態にして光ガイド部に出力
することもできる。

【００６２】（３）前記透明体６１は石英，ガラス，プ
ラスチックのうちのいずれかの物質で形成できるため、
その製造は容易である。

【００６３】（実施形態４）図１５乃至図１９は本発明
の他の実施形態（実施形態４）である光半導体素子（受
光素子）に係わる図であり、図１５は受光素子を示す断
面図である。本実施形態４では、表裏の二面にそれぞれ
受光素子が設けられ、かつ光透過部はこれら２個の受光
素子に亘って設けられ、光半導体素子の表面から光透過
部に入る光は光透過部を貫通して出力されるとともにこ
の光は表面側の受光素子によって光強度をモニタされ、
また、光半導体素子の裏面から光透過部に入る光は光透
過部を貫通して出力されるとともにこの光は裏面側の受
光素子によって光強度をモニタされる構成になってい
る。

【００６４】つぎに、一具体例について説明する。図１
５に示すように、本実施形態４は、図１および図２に示
す前記実施形態１の光半導体素子１をカソード電極１４
が重なりあうように導電性の接着剤６５で貼り合わせた
構造になっている。２個の光半導体素子１の光透過孔１
０の穴軸は一致している。光半導体素子１同士の貼り合
わせによるカソード電極１４は表面に筋状にしか現れな
いので、本実施形態３の場合には、複合構造の光半導体
素子１Ａの周面に導電性層６６を設けた構造にしてあ
る。前記導電性層６６は前記接着剤６５やカソード電極
１４に接続するように設けられていることからカソード
電極となる。

【００６５】本実施形態４の複合型の光半導体素子１Ａ
は、表面（一面）側から光透過部１１（光透過孔１０）
に入る光１７は光透過孔１０を貫通して裏面側に出力さ
れるとともにこの光１７は表面側の受光素子１５によっ
て光強度をモニタされる。また、光半導体素子１Ａの裏
面（他面）側から光透過部１１（光透過孔１０）に入る
光１８は光透過孔１０を貫通して表面側に出力されると
ともにこの光１８は裏面側の受光素子１５によって光強
度をモニタされる構成になっている。

【００６６】このような光半導体素子１Ａを組み込んだ
光電子装置（半導体光モジュール）を、図１６乃至図１
９に示す。図１６は受光素子が組み込まれた光電子装置
の原理図、図１７は光電子装置の一部を切り欠いた状態
を示す平面図、図１８は光電子装置の一部を切り欠いた
状態を示す断面図、図１９は光電子装置における受光素
子および光ファイバの取り付け状態を示す斜視図であ
る。

【００６７】本例では、発光素子７０を光半導体素子１
Ａの表面（一面）側に配置し、裏面（他面）側に光ガイ
ド部としてコアとクラッドからなる光ファイバ４３を配
置した例である。前記発光素子７０は、特に限定はされ
ないが、たとえば両端の出射面からからレーザ光を出射
する半導体レーザ素子７１である。半導体レーザ素子７
１の前方出射面から出射した光１７（前方出射光）は、
光半導体素子１Ａの光透過部１１（光透過孔１０）を透
過して光ファイバ４３に取り込まれる。また、光１７は
光半導体素子１Ａの表面（一面）側の受光素子１５で光
強度をモニタされる。

【００６８】一方、光ファイバ４３の先端から放射され
る光１８は、光半導体素子１Ａの裏面（他面）側の受光
素子１５によって光強度をモニタされる。このシステム
では、たとえば受信時には半導体レーザ素子７１の駆動
を停止し、光ファイバ４３から送り込まれる光１８のみ
を光半導体素子１Ａの裏面側の受光素子１５でモニタす
る。したがって、光１８が半導体レーザ素子７１に到達
しても何ら光システムにおいて支障を来さない。このよ
うな光システムは、たとえば光加入者伝送システム用バ
ースト伝送光モジュール（光電子装置）に適用できる。

【００６９】図１６に示す光システムを構成する光電子
装置７５は、図１７乃至図１９のような構造になってい
る。本実施形態４の光電子装置７５は、図１７および図
１８に示すように、前記実施形態１の構造（図９乃至図
１２参照）において、本体部３５の一端側にのみ光ファ
イバケーブル３２を案内するガイド部３６が存在するパ
ッケージ構造となるとともに、リード３４はケース３９
の本体部３５の両側から複数（４本）突出した構造とな
っている。また、前記リード３４の配列構造はデュアル
インライン型になっている。

【００７０】ケース３９の内底には幅広で長い金属板か
らなるベース板７６が設けられている。また、ベース板
７６の周囲にはリード３４の内端がそれぞれ位置してい
る。前記ベース板７６上にはシリコン単結晶からなる支
持基板（シリコンプラットフォーム）７７が固定されて
いる。この支持基板７７の上面には、導電パターン７８
が形成されている。この導電パターン７８の各部分に
は、半導体レーザ素子７１や支持ブロック５０が図示し
ない導電性接着剤を介して固定されている。

【００７１】半導体レーザ素子７１を固定する部分は、
前記支持ブロック５０に支持される光半導体素子１Ａの
光透過孔１０の穴軸と、半導体レーザ素子７１の光軸を
一致させるために、一段高く形成されている（図１８参
照）。

【００７２】支持ブロック５０は、図１９に示すよう
に、前記実施形態１の構造において、支持部５２の一
方、すなわち、半導体レーザ素子７１の配置側では光を
透過させるのみであることから、ガイド溝５３のみが設
けられる構造になっている。

【００７３】しかし、光１８を放射する光ファイバ４３
が配置される他方の支持部５２には、光ファイバ４３を
案内するガイド溝５３が設けられているとともに、光フ
ァイバ４３から放射される光１８を光半導体素子１Ａの
他面側の受光素子１５で受光させる必要があることか
ら、前記ガイド溝５３はその途中から光半導体素子１Ａ
側に向かって徐々に拡開する拡開部８０が設けられてい
る。

【００７４】支持ブロック５０の取付溝５１に光半導体
素子１Ａを挿入する際、光半導体素子１Ａの導電性層６
６が上面になるように挿入しかつ固定する。この導電性
層６６は受光素子１５のカソード電極１４となることか
ら、この導電性層６６と所定のリード３４の先端（内
端）を導電性のワイヤ８１で電気的に接続する。

【００７５】また、光半導体素子１Ａの両面の受光素子
１５の各アノード電極１３はそれぞれ支持部５２の導体
層５５に半田を介して電気的に接続（図示せず）され
る。これら各導体層５５は支持ブロック５０の下面で前
記導電パターン７８に電気的に接続される。したがっ
て、これらの導電パターン７８と所定のリード３４の内
端もワイヤ８１で電気的に接続されている。半導体レー
ザ素子７１の上部電極と所定のリード３４の内端もワイ
ヤ８１で電気的に接続されている。

【００７６】本実施形態４の光半導体素子１Ａおよびそ
の光半導体素子１Ａを組み込んだ光電子装置７５によれ
ば以下の効果を有する。 （１）半導体レーザ素子７１（発光素子７０）から放射
される光１７を受光する光半導体素子１Ａはその表裏の
二面にそれぞれ受光素子１５が設けられていて、半導体
レーザ素子７１から放射される光１７を一方の受光素子
１５の受光領域１６で受光するだけで一部の光で光強度
を検出でき、前記光透過孔１０を通過した光を光ファイ
バ４３（光ガイド部）に出力することができるため、従
来のように光を分岐する光部品が不要になる。

【００７７】（２）また、前記光ファイバ４３から放射
される光１８は他方の受光素子１５の受光領域１６で受
光することができるため、光電子装置７５は双方向通信
の光源用の光デバイスとして使用できる。バースト光伝
送システムでは、受信モード時にはドライバ回路の動作
を停止させて使用させるシステムもあることから、この
ようなシステムの場合には、光ファイバ４３から放射さ
れる光１８半導体レーザ素子７１に到達しても、半導体
レーザ素子７１は駆動状態にないことから、光通信に支
障を来さない実益もある。

【００７８】（３）半導体レーザ素子７１では、この光
システムにおいて前方出射光しか使用しないことから、
後方出射面に所定の反射膜を設けて、半導体レーザ素子
７１の後方出射光の光強度を零または零に限りなく近い
光強度にすることができる。この結果、半導体レーザ素
子７１の前方出射光の光強度を高くでき、光電子装置７
５の光出力の増大を達成することができる。

【００７９】（４）図示はしないが、光透過部をレンズ
で構成した場合には、光の焦点位置を利用することによ
って光出力を最大の状態にして光ガイド部に出力するこ
ともできる。

【００８０】（５）以上のように単一の光半導体素子１
Ａで半導体レーザ素子７１のレーザ光のモニタと受信光
の受光を行うことができ、この種光伝送用の光電子装置
７５における光部品数の低減から、光電子装置７５の小
型化や製造コストの低減が達成できる。

【００８１】（実施形態５）図２０は本発明の他の実施
形態（実施形態５）である受光素子が組み込まれた光電
子装置の原理図である。本実施形態５は、複数の方向に
光を放射する発光素子の各光路にそれぞれ光半導体素子
１Ａと光ガイド部を配置したものである。具体例として
は、図２０に示すように、両端面からレーザ光を出射す
る半導体レーザ素子７１の前方出射側および後方出射側
に光半導体素子１Ａと光ファイバ４３を配置したもので
ある。この例では、半導体レーザ素子７１の前方出射光
と後方出射光の光強度を同じにする必要がある場合は、
半導体レーザ素子７１の出射面に設ける反射膜を選択す
る必要がある。

【００８２】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば光半導体素子としては発光ダイオード等の他の発光素
子でもよい。

【００８３】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）受光素子の受光領域に隣り合って光が透過する光
透過部が設けられていることから、前記光透過部に光を
照射することによって、一部の光は光透過部を通過し、
一部の光は受光素子によって受光される。したがって単
一の受光素子で単一の光の光強度のモニタが可能になる
とともに、一部の光を光出力として使用することができ
る。

【００８４】（２）このような受光素子が設けられた光
半導体素子の使用により、光の分岐のための光路の設定
や光分岐部品が不要になることから、光電子装置の小型
化および製造コストの低減が達成できる。

【００８５】（３）光透過部がレンズで構成されている
場合には、光透過部を透過した光を所定の位置に焦点を
結ばせることができる。したがって、したがって、この
光出力を光ファイバ等の光ガイド部に光学的に接続する
場合、光結合効率を高くすることもできる。また、光の
焦点位置を利用することによって光出力を最大の状態に
して光ガイド部に出力することもできる。

【００８６】（４）光半導体素子の表裏の二面にそれぞ
れ受光素子を設けた構造では、前記光半導体素子の一面
側に発光素子を配置し、多面側に光ファイバ等の光ガイ
ド部を配置し、前記発光素子から放射される光および前
記光ガイド部から放射される光を受光できる。この構成
は、光加入者伝送システム用バースト伝送光モジュール
（光電子装置）にも適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である光半
導体素子（受光素子）を示す模式的平面図である。

【図２】本実施形態１の受光素子の断面図である。

【図３】本実施形態１の受光素子の製造方法を示すフロ
ーチャートである。

【図４】本実施形態１の受光素子の製造において半導体
基板に多層にエピタキシャル成長層を形成した状態を示
す断面図である。

【図５】本実施形態１の受光素子の製造において光透過
孔を形成した半導体基板を示す断面図である。

【図６】本実施形態１の受光素子の製造においてｐ⁺型
領域を形成した半導体基板を示す断面図である。

【図７】本実施形態１の受光素子の製造においてカソー
ド電極を形成した半導体基板を示す断面図である。

【図８】本実施形態１の受光素子の製造においてアノー
ド電極を形成した半導体基板を示す断面図である。

【図９】本実施形態１の受光素子が組み込まれた光電子
装置の外観を示す斜視図である。

【図１０】前記光電子装置において、パッケージのキャ
ップを取り外した状態を示す平面図である。

【図１１】前記光電子装置における受光素子および光フ
ァイバの取り付け状態を示す分解斜視図である。

【図１２】前記光電子装置における受光素子および光フ
ァイバの取り付け状態を示す斜視図である。

【図１３】本発明の他の実施形態（実施形態２）である
光半導体素子（受光素子）を示す模式的平面図である。

【図１４】本発明の他の実施形態（実施形態３）である
光半導体素子（受光素子）を示す断面図である。

【図１５】本発明の他の実施形態（実施形態４）である
光半導体素子（受光素子）を示す断面図である。

【図１６】本実施形態４の受光素子が組み込まれた光電
子装置の原理図である。

【図１７】本実施形態４の受光素子が組み込まれた光電
子装置の一部を切り欠いた状態を示す平面図である。

【図１８】本実施形態４の受光素子が組み込まれた光電
子装置の一部を切り欠いた状態を示す断面図である。

【図１９】本実施形態４の受光素子が組み込まれた光電
子装置における受光素子および光ファイバの取り付け状
態を示す斜視図である。

【図２０】本発明の他の実施形態（実施形態５）である
受光素子が組み込まれた光電子装置の原理図である。

【符号の説明】 １…光半導体素子、２…半導体基板（ＩｎＰ半導体基
板）、３…ｎ型ＩｎＰバッファ層、４…ｎ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ光吸収層、５…ｎ型ＩｎＰ窓層、６…ｎ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ層、７…ｐ⁺型領域（第２導電型領域）、１０…
光透過孔、１１…光透過部、１２…パッシベーション
膜、１３…アノード電極、１４…カソード電極、１５…
受光素子、１６…受光領域、２０…絶縁膜、２１…光透
過孔形成用孔、２２…ドーナツ穴、２５…コンタクト
穴、３０…光電子装置、３１…パッケージ、３２，３３
…光ファイバケーブル、３４…リード、３５…本体部、
３６…ガイド部、３９…ケース、４０…キャップ、４１
…溝、４２…接着剤、４３，４４…光ファイバ、４６…
コア、４７…クラッド、５０…支持ブロック、５１…取
付溝、５２…支持部、５３…ガイド溝、５４…接着剤、
５５…導体層、５６…半田、５７…接着剤、６０…切り
欠き、６１…透明体、６５…接着剤、６６…導電性層、
７０…発光素子、７１…半導体レーザ素子、７５…光電
子装置、７６…ベース板、７７…支持基板、７８…導電
パターン、８０…拡開部、８１…ワイヤ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB05 BA01 CA03 CA32 CA40 CB01 CB14 EA14 GA09 HA20 HA21 HA23 HA24 5F049 MA02 MB07 PA01 QA01 QA03 QA08 QA15 QA17 RA07 SE05 SE09 SE11 SS04 5F073 AA83 AB21 AB28 BA01 FA04 FA05 FA06 FA07 5F088 JA02 JA05 JA14

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 受光素子が設けられた光半導体素子であ
   って、前記受光素子の受光領域に隣り合って光が透過す
   る光透過部が設けられていることを特徴とする光半導体
   素子。
2. 【請求項２】 前記光透過部は光半導体素子に設けられ
   た孔や切り欠きによる空間で形成されていることを特徴
   とする請求項１に記載の光半導体素子。
3. 【請求項３】 前記光透過部は光が透過できる材質によ
   る透明体で形成されていることを特徴とする請求項１に
   記載の光半導体素子。
4. 【請求項４】 前記透明体はレンズを構成していること
   を特徴とする請求項３に記載の光半導体素子。
5. 【請求項５】 前記透明体は石英，ガラス，プラスチッ
   クのうちのいずれかの物質で形成され、かつ前記孔や切
   り欠きに充填形成されていることを特徴とする請求項３
   または請求項４に記載の光半導体素子。
6. 【請求項６】 半導体基板の一面に受光素子の受光領域
   を形成するための第１導電型の半導体層を１乃至複数層
   形成する工程と、前記半導体層に第２導電型の半導体領
   域を形成してｐｎ接合を形成する工程と、前記第１導電
   型の半導体層に電気的に接続される第１の電極を形成す
   る工程と、前記第２導電型の半導体領域に電気的に接続
   される第２の電極を形成する工程とを有する受光素子が
   設けられる光半導体素子の製造方法であって、前記受光
   素子の受光領域に隣り合って孔または切り欠きを形成し
   て光が透過する光透過部を形成する工程を有することを
   特徴とする光半導体素子の製造方法。
7. 【請求項７】 半導体基板の一面に受光素子の受光領域
   を形成するための第１導電型の半導体層を１乃至複数層
   形成する工程と、前記半導体層に第２導電型の半導体領
   域を形成してｐｎ接合を形成する工程と、前記第１導電
   型の半導体層に電気的に接続される第１の電極を形成す
   る工程と、前記第２導電型の半導体領域に電気的に接続
   される第２の電極を形成する工程とを有する受光素子が
   設けられる光半導体素子の製造方法であって、前記受光
   素子の受光領域に隣り合って孔または切り欠きを形成す
   るとともに、前記孔または切り欠きに光を透過する透明
   体を充填形成する工程を有することを特徴とする光半導
   体素子の製造方法。
8. 【請求項８】 前記透明体としてレンズを充填形成する
   ことを特徴とする請求項７に記載の光半導体素子の製造
   方法。
9. 【請求項９】 前記透明体として石英，ガラス，プラス
   チックのうちのいずれかの物質を前記孔または切り欠き
   に充填形成することを特徴とする請求項７または請求項
   ８に記載の光半導体素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 光を案内する光ガイド部と、前記光ガ
    イド部の端から放射される光を受光する受光素子が形成
    された光半導体素子とを有する光電子装置であって、前
    記受光素子の受光領域に隣り合って光が透過する光透過
    部が設けられていることを特徴とする光電子装置。
11. 【請求項１１】 光を案内する光ガイド部と、前記光ガ
    イド部の端から放射される光を受光する受光素子が形成
    された光半導体素子を有する光電子装置であって、前記
    受光素子の受光領域に隣り合って光が透過する光透過部
    が設けられ、かつ前記光透過部には光学的に接続される
    光ガイド部が設けられていることを特徴とする光電子装
    置。
12. 【請求項１２】 光を発光する発光素子が設けられた光
    半導体素子と、前記発光素子から放射される光を案内す
    る光ガイド部と、前記発光素子から放射される光を受光
    する受光素子が設けられた光半導体素子とを有する光電
    子装置であって、前記受光素子の受光領域に隣り合って
    前記発光素子から放射される光が透過する光透過部が設
    けられているとともに、前記光透過部を透過した光は前
    記光ガイド部に光学的に接続されていることを特徴とす
    る光電子装置。
13. 【請求項１３】 光を発光する発光素子が設けられた光
    半導体素子と、前記発光素子から放射される光を案内す
    る光ガイド部と、前記発光素子から放射される光を受光
    する受光素子が設けられた光半導体素子とを有する光電
    子装置であって、前記光半導体素子は、その表裏の対応
    する二面にそれぞれ受光素子が設けられ、かつ前記表裏
    の受光素子の受光領域に隣り合って光が透過できる光透
    過部が設けられ、前記発光素子から放射される光の一部
    は前記光透過部を透過して前記光ガイド部に光学的に接
    続され、前記発光素子から放射される光の一部は前記発
    光素子に対面する一方の受光素子で受光され、他方の受
    光素子は前記光ガイド部の端から放射される光を受光す
    るように構成されていることを特徴とする光電子装置。
14. 【請求項１４】 前記発光素子は両端の出射面からそれ
    ぞれレーザ光を出射する半導体レーザ素子からなるとと
    もに、二面に受光素子を有する前記光半導体素子と前記
    レーザ光を案内する光ガイド部は、前記半導体レーザ素
    子の前方出射側および後方出射側にそれぞれ配置されて
    いることを特徴とする請求項１３に記載の光電子装置。
15. 【請求項１５】 前記光透過部は光半導体素子に設けら
    れた孔や切り欠きによる空間で形成されていることを特
    徴とする請求項１０乃至請求項１４のいずれか１項に記
    載の光電子装置。
16. 【請求項１６】 前記光透過部は光が透過できる材質に
    よる透明体で形成されていることを特徴とする請求項１
    ０乃至請求項１４のいずれか１項に記載の光電子装置。
17. 【請求項１７】 前記透明体はレンズを構成しているこ
    とを特徴とする請求項１６に記載の光電子装置。
18. 【請求項１８】 前記透明体は石英，ガラス，プラスチ
    ックのうちのいずれかの物質で形成され、かつ前記孔や
    切り欠きに充填形成されていることを特徴とする請求項
    １０乃至請求項１７のいずれか１項に記載の光電子装
    置。