JP3517700B2 - 面型光素子およびその製造方法 - Google Patents
面型光素子およびその製造方法Info
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Description
びその製造方法に関し、特に、小型高密度実装する面型
光素子およびその製造方法に関する。
明する。発光ダイオード、面発光レーザ、フォトダイオ
ード、OEICは面型光素子に分類される発光素子であ
る。図6において、1はパッケージされていないベアの
光素子チップを示す。3は光素子チップ1の発光面を示
す。この光素子チップ1は、プリント基板60に対して
接着剤14により直接接着せしめられている。そして、
光素子チップ1を駆動発光せしめる電極4はボンディン
グワイヤ13を介してプリント配線6に引き出されて接
続している。11はボンディングワイヤ13を含む光素
子チップ1全体を包囲する枠板である。12は枠板11
内に充填されてボンディングワイヤ13および光素子チ
ップ1全体を埋設する透明合成樹脂を示す。
光素子チップ1をプリント基板60に高密度に実装する
には、光素子チップ1をプリント基板60に直接接着す
るのであるが、光素子チップ1とボンディングワイヤ1
3を保護する上において、光素子チップ1およびボンデ
ィングワイヤ13を囲う枠板11およびこれに充填され
る透明合成樹脂を必要とする。従って、光素子チップ1
は、枠板11まで含めると全体として光素子チップ1自
体よりもかなり広い実装面積を占有する欠点を有するも
のとなる。
の実装面積を光素子チップ自体の面積近くまで削減した
小型高密度実装する面型光素子およびその製造方法を提
供するものである。
クス状に形成した半導体ウェハ8をダイシングして形成
した光素子2を具備し、低損失ガラスウェハ7をダイシ
ングして光素子2表面と同一形状寸法に形成され光素子
2表面に貼り付けられた低損失ガラスウェハ片7’を具
備し、光素子2のダイシング端面に露出した光素子チッ
プ1に対する電気信号入出力用電極4の電極断面10を
具備し、電極断面10に接続して光素子2のダイシング
端面および裏面にかけて成膜形成された半田付け電極4
0を具備し、半田付電極40を介して光素子チップ1を
直接プリント基板60に半田付けすることにより光素子
2の固定と電気信号入出力用電極4とプリント基板の配
線の電気的接続をとる面型光素子を構成した。
プティックプレートにより構成した面型光素子を構成し
た。また、光素子2の光素子チップ1を半導体ウェハ8
にマトリクス状に形成し、半導体ウェハ8に低損失ガラ
スウェハ7を貼り付け、光素子チップ1に対する電気信
号入出力用電極4を横切って半導体ウェハ8および低損
失ガラスウェハ7をダイシングして光素子2を切り出
し、光素子2のダイシング端面に露出した電極断面10
に接続して半田付け電極40を光素子2のダイシング端
面および裏面にかけて成膜形成する面型光素子の製造方
法を構成した。
イバオプティックプレートを貼り付る面型光素子の製造
方法を構成した。また、先の面型光素子の製造方法にお
いて、更に、光素子2の半田付け電極40をプリント基
板60に半田付けする面型光素子の製造方法を構成し
た。
施例を参照して説明する。図3(a)において、7は透
明ガラスウェハであり、8は光素子チップ1をマトリク
ス状に形成した半導体ウェハである。図3(b)は半導
体ウェハ8に対して透明ガラスウェハ7を貼り付けたと
ころを示している。光素子チップ1は光が入出力するも
のであるところから、貼り付けに使用される接着剤14
としては透明接着剤が使用される。この透明ガラスウェ
ハおよび透明接着剤は利用する光の波長域において透明
或いは低損失であることを意味しており、可視光に対し
て透明であるという意味のものではない。赤外光を入出
力する光素子チップ1の場合、透明ガラスウェハの代わ
りにSiウェハを使用することができる。
た透明ガラスウェハ7および半導体ウェハ8をダイシン
グして、各光素子2の単位に分離する。9はこの場合の
ダインシング切断部を示す。なお、7’は透明ガラスウ
ェハをダイシングして切り出した素の透明ガラスウェハ
片を示す。図3(d)はダイシングして分離された1単
位の光素子2を示す。ここで、ダイシングの刃が半導体
ウェハ8の光素子チップ1に対する電気信号入出力用の
電極4のパターンを横切る様に設計すれば、光素子2の
ダイシング端面には切断された電極4の電極断面10が
露出形成される。
極断面10に接続して半田付け電極40を光素子2のダ
イシング端面および裏面にかけて成膜形成する。この電
極形成は、メタルマスクを使用したAu蒸着或いはスパ
ッタにより容易に実施することができる。なお、図3
(e)は電極4’を省略して示してあるが、これは実質
上図1に等しい。
のダイシング端面に形成される半田付け電極40とプリ
ント配線6とを半田5により半田付けして光素子2をプ
リント基板60に対して取り付けた状態を示す。プリン
ト基板60のプリント配線6にクリーム半田を塗布して
この上に光素子2設置した後、プリント基板60全体を
加熱して半田を溶融することにより、光素子2のプリン
ト基板60の取付を実施することができる。
び図5を参照して説明する。他の実施例は、先の実施例
において透明ガラスウェハ7の代わりに図5に示される
ファイバオプティックプレートFOPを使用したものに
相当する。図5を参照するに、(a)はFOPの斜視図
およびFOPの一部の厚さ方向に切断した断面を示す。
(b)は(a)のFOPの一部を水平方向に切断した断
面を示す。FOPは素の光ファイバ多数本を束ねて引き
延ばした結果のものをスライスして構成されたものであ
り、この様な断面形状のものとなる。即ち、80は光が
伝播する屈折率の大なる芯ガラスであるコアであり、9
0はコア80を包囲するコア80より屈折率の小なるク
ラッドである被覆ガラスである。33は光が伝播するコ
ア80相互間に介在する光吸収体ガラスである。なお、
クラッド90は極端に拡大して示されているが、実際は
コア80を極く薄く被覆しているものに過ぎず、コア8
0がFOP全体の殆どを占めている。現在市販されてい
るFOPのコア径は3μm程度である。FOPの一方の
端面に入射した光は図示される通りに平行なコア内を全
反射しながら伝播して他端に到達する。この様に、FO
Pは単なる透明ガラスウェハとは異なり、光の拡散を抑
制する作用をして拡散光による結合効率の低下と光の干
渉を防止している。
を束ねて延伸したものをウェハ状にスライスした部品で
あり、光を拡散させることなく、断面の表から裏へ導く
作用を有するものである。従って、透明ガラスウェハ7
の代わりにFOPを使用することにより、先の実施例の
場合と比較して、光素子2から入出力する光の拡散が抑
制されるので、光素子2をプリント基板60に対して実
装後、光素子2を光ファイバその他の光学素子と結合さ
せる場合、より高い結合効率を得ることができる。これ
は、図4(b)に示される如くに低損失ガラスウェハ7
としてFOPを使用すると、光15はその端面の発光面
3にほぼ等しい面積から入出力されるのに対して、図4
(a)に示される如くに低損失ガラスウェハ7を使用す
ると、発光面3と比較して遥かに広い面積から入出力さ
れることから容易に理解することができる。
ば、光素子の光素子チップに透明ガラスウェハを貼り付
けて、これにより光素子チップを保護しているので、プ
リント基板に対して光素子を実装した後においても、透
明合成樹脂に埋設保護する構成は必要とされない。
にかけて成膜形成した半田付け電極を利用して光素子を
プリント基板に半田付け固定するので、光素子の電極の
導出に格別のボンディングワイヤは不要であり、光素子
自体とほぼ同様の実装面積でプリント基板に対する光素
子の固定をすることができる。また、透明ガラスウェハ
の代りにFOPを使用することにより、光素子から入出
力する光の拡散が抑制されるので、光素子をプリント基
板に対して実装後、光素子を光ファイバその他の光学素
子と結合させる場合、より高い結合効率を得ることがで
きる。
素子に貼り付けて光素子表面を保護し、光素子のダイシ
ング端面に半田付け用電極を形成することにより、プリ
ント基板に対して実装面積を極小化して光素子を実装す
ることがができる。
視図。
図。
図。
Claims (5)
- 【請求項1】 光素子チップをマトリクス状に形成した
半導体ウェハをダイシングして形成した光素子を具備
し、 低損失ガラスウェハをダイシングして光素子表面と同一
形状寸法に形成され光素子表面に貼り付けられた低損失
ガラスウェハ片を具備し、 光素子のダイシング端面に露出した光素子チップに対す
る電気信号入出力用電極の電極断面を具備し、 電極断面に接続して光素子のダイシング端面および裏面
にかけて成膜形成された半田付け電極を具備し、半田付電極を介して光素子チップを直接プリント基板に
半田付けすることにより光素子の固定と入出力用電極と
プリント基板の配線の電気的接続をとる ことを特徴とす
る面型光素子。 - 【請求項2】 請求項1に記載される面型光素子におい
て、 低損失ガラスウェハはファイバオプティックプレートに
より構成したことを特徴とする面型光素子。 - 【請求項3】 光素子の光素子チップを半導体ウェハに
マトリクス状に形成し、 半導体ウェハに低損失ガラスウェハを貼り付け、 光素子チップに対する電気信号入出力用電極を横切って
半導体ウェハおよび低損失ガラスウェハをダイシングし
て光素子を切り出し、 光素子のダイシング端面に露出した電極断面に接続して
半田付け電極を光素子のダイシング端面および裏面にか
けて成膜形成することを特徴とする面型光素子の製造方
法。 - 【請求項4】 請求項3に記載される面型光素子の製造
方法において、 低損失ガラスウェハとしてファイバオプティックプレー
トを貼り付ることを特徴とする面型光素子の製造方法。 - 【請求項5】 請求項3および請求項4の何れかに記載
される面型光素子の製造方法において、 更に、光素子の半田付け電極をプリント基板に半田付け
することを特徴とする面型光素子の製造方法。
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JP28813496A JP3517700B2 (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 面型光素子およびその製造方法 |
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JPH10135517A JPH10135517A (ja) | 1998-05-22 |
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1996
- 1996-10-30 JP JP28813496A patent/JP3517700B2/ja not_active Expired - Fee Related
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