JP2003241028A - 光送信モジュール - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 モジュールが小型化されるとともに、高速で
の光信号の送信が可能な光送信モジュールを提供する。 【解決手段】 電気信号を光信号へと変換する発光素子
である半導体レーザ２０と、半導体レーザ２０からの光
信号を伝送して出力する光伝送路である光導波路２６を
有する平面導波路型の光導波路素子２５とを基板１０上
に設置して、表面実装型の光送信モジュール１Ａを構成
する。そして、半導体レーザ２０からみて光伝送路側
（光信号伝送方向での下流側）となる光導波路素子２５
の上面上の所定位置に、半導体レーザ２０を駆動制御す
るための駆動素子３０を設置する。これにより、半導体
レーザ２０から離れた位置に駆動素子を配置する必要が
なくなり、モジュールが小型化される。
の光信号の送信が可能な光送信モジュールを提供する。 【解決手段】 電気信号を光信号へと変換する発光素子
である半導体レーザ２０と、半導体レーザ２０からの光
信号を伝送して出力する光伝送路である光導波路２６を
有する平面導波路型の光導波路素子２５とを基板１０上
に設置して、表面実装型の光送信モジュール１Ａを構成
する。そして、半導体レーザ２０からみて光伝送路側
（光信号伝送方向での下流側）となる光導波路素子２５
の上面上の所定位置に、半導体レーザ２０を駆動制御す
るための駆動素子３０を設置する。これにより、半導体
レーザ２０から離れた位置に駆動素子を配置する必要が
なくなり、モジュールが小型化される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気信号を光信号
へと変換する発光素子を備える光送信モジュールに関す
るものである。
へと変換する発光素子を備える光送信モジュールに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】光を情報伝達媒体として用いる光通信シ
ステムにおいて、光ファイバ伝送路などの光伝送路を伝
送される光信号を送信するための送信装置として、電気
信号を光信号へと変換する発光素子を備える光送信モジ
ュールが用いられている（例えば、特開平１１−１０９
１８４号公報参照）。
ステムにおいて、光ファイバ伝送路などの光伝送路を伝
送される光信号を送信するための送信装置として、電気
信号を光信号へと変換する発光素子を備える光送信モジ
ュールが用いられている（例えば、特開平１１−１０９
１８４号公報参照）。
【０００３】図９は、従来の光送信モジュールの構成の
一例を一部破断して示す側面図である。この光送信モジ
ュール６は、金属パッケージなどのハウジング６０内に
発光素子である半導体レーザ６５等を設置した同軸型の
光モジュールである。光送信モジュール６のハウジング
６０内には、フェルール６１、レンズ６３、及び半導体
レーザ６５が光軸を一致させて設置されている。半導体
レーザ６５から出射された光信号は、集光用のレンズ６
３を介してフェルール６１に挿通された光ファイバ６２
に入射され、光ファイバ６２から外部へと出力される。
また、半導体レーザ６５の上流側（下方）には、フォト
ダイオード６６が配置されている。このフォトダイオー
ド６６は、半導体レーザ６５の後方光を検出して半導体
レーザ６５の駆動状態をモニタするために用いられる。
一例を一部破断して示す側面図である。この光送信モジ
ュール６は、金属パッケージなどのハウジング６０内に
発光素子である半導体レーザ６５等を設置した同軸型の
光モジュールである。光送信モジュール６のハウジング
６０内には、フェルール６１、レンズ６３、及び半導体
レーザ６５が光軸を一致させて設置されている。半導体
レーザ６５から出射された光信号は、集光用のレンズ６
３を介してフェルール６１に挿通された光ファイバ６２
に入射され、光ファイバ６２から外部へと出力される。
また、半導体レーザ６５の上流側（下方）には、フォト
ダイオード６６が配置されている。このフォトダイオー
ド６６は、半導体レーザ６５の後方光を検出して半導体
レーザ６５の駆動状態をモニタするために用いられる。
【０００４】図１０は、従来の光送信モジュールの構成
の他の例を示す側面断面図である。また、図１１は、図
１０に示した光送信モジュールの平面構成を示す上面図
である。この光送信モジュール７は、半導体レーザ８０
と、半導体レーザ８０からの光信号を伝送して出力する
光導波路８６を有する光導波路素子８５とが基板７０上
に設置された表面実装型の光モジュールである。
の他の例を示す側面断面図である。また、図１１は、図
１０に示した光送信モジュールの平面構成を示す上面図
である。この光送信モジュール７は、半導体レーザ８０
と、半導体レーザ８０からの光信号を伝送して出力する
光導波路８６を有する光導波路素子８５とが基板７０上
に設置された表面実装型の光モジュールである。
【０００５】光送信モジュール７には、フェルール９
０、光導波路８６を有する光導波路素子８５、及び半導
体レーザ８０が光軸を一致させて設置されている。半導
体レーザ８０から出射された光信号は、光導波路８６を
介して、フェルール９０に挿通された光ファイバ９１に
入射され、光ファイバ９１から外部へと出力される。ま
た、半導体レーザ８０の上流側には、後方光のモニタに
用いられる導波路型のフォトダイオード８１が配置され
ている。図９に示した同軸型の光送信モジュールでは、
その立体的構造からモジュールのサイズが大型化し、低
コスト化にも限界がある。一方、図１０及び図１１に示
した表面実装型の光送信モジュールでは、モジュールの
小型化、低コスト化が可能である。
０、光導波路８６を有する光導波路素子８５、及び半導
体レーザ８０が光軸を一致させて設置されている。半導
体レーザ８０から出射された光信号は、光導波路８６を
介して、フェルール９０に挿通された光ファイバ９１に
入射され、光ファイバ９１から外部へと出力される。ま
た、半導体レーザ８０の上流側には、後方光のモニタに
用いられる導波路型のフォトダイオード８１が配置され
ている。図９に示した同軸型の光送信モジュールでは、
その立体的構造からモジュールのサイズが大型化し、低
コスト化にも限界がある。一方、図１０及び図１１に示
した表面実装型の光送信モジュールでは、モジュールの
小型化、低コスト化が可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光送信モジュールにお
いては、電気信号を光通信システムで伝送される光信号
に変換して出力する発光素子に対して、発光素子を駆動
制御するための駆動ＩＣなどの駆動素子を設置する必要
がある。ここで、図９に示した同軸型の光送信モジュー
ル６の場合、半導体レーザ６５の下流側（上方）にはレ
ンズ６３などの光学素子やフェルール６１などが配置さ
れており、上流側（下方）はモニタ用のフォトダイオー
ド６６及びハウジング６０の金属製の台座となってい
る。
いては、電気信号を光通信システムで伝送される光信号
に変換して出力する発光素子に対して、発光素子を駆動
制御するための駆動ＩＣなどの駆動素子を設置する必要
がある。ここで、図９に示した同軸型の光送信モジュー
ル６の場合、半導体レーザ６５の下流側（上方）にはレ
ンズ６３などの光学素子やフェルール６１などが配置さ
れており、上流側（下方）はモニタ用のフォトダイオー
ド６６及びハウジング６０の金属製の台座となってい
る。
【０００７】このような構成からなる光送信モジュール
６に駆動素子を設ける場合、ハウジング６０の外側、ま
たはハウジング６０の内側で半導体レーザ６５から離れ
た位置に駆動素子を配置することとなる。このとき、半
導体レーザ６５と駆動素子との間の結線長さが長くな
り、モジュールが大型化する。また、半導体レーザ６５
と駆動素子との間の配線でのインピーダンスにより、半
導体レーザを高速で駆動させることが困難となる。
６に駆動素子を設ける場合、ハウジング６０の外側、ま
たはハウジング６０の内側で半導体レーザ６５から離れ
た位置に駆動素子を配置することとなる。このとき、半
導体レーザ６５と駆動素子との間の結線長さが長くな
り、モジュールが大型化する。また、半導体レーザ６５
と駆動素子との間の配線でのインピーダンスにより、半
導体レーザを高速で駆動させることが困難となる。
【０００８】また、図１０及び図１１に示した表面実装
型の光送信モジュール７に駆動素子を設ける場合、図１
２に示すように、光送信モジュール７を配線基板９５上
に実装した後、配線基板９５上に設置された駆動素子９
７に配線９６を介して接続する構成が用いられる。ま
た、この駆動素子９７は、さらに制御用ＩＣ９８に接続
される。このような構成においても、光送信モジュール
７の半導体レーザ８０と駆動素子９７との間の結線長さ
が長くなる。また、光送信モジュール７の外部に駆動素
子９７を設けているので、送信装置が全体として大型化
する。
型の光送信モジュール７に駆動素子を設ける場合、図１
２に示すように、光送信モジュール７を配線基板９５上
に実装した後、配線基板９５上に設置された駆動素子９
７に配線９６を介して接続する構成が用いられる。ま
た、この駆動素子９７は、さらに制御用ＩＣ９８に接続
される。このような構成においても、光送信モジュール
７の半導体レーザ８０と駆動素子９７との間の結線長さ
が長くなる。また、光送信モジュール７の外部に駆動素
子９７を設けているので、送信装置が全体として大型化
する。
【０００９】一方、光通信システムにおいては、近年、
光信号を伝送して通信を行う際の通信速度に対して、例
えば１Ｇｂｐｓから５Ｇｂｐｓへと、より高速の通信速
度が要求されている。このとき、光信号を送信する光送
信モジュールにおいても、同様に、高速の送信速度が要
求される。また、多数の通信を効率良く行うことが可能
な光通信システムを実現するため、光送信モジュールな
どの光モジュールのサイズを小型化することが必要とな
っている。
光信号を伝送して通信を行う際の通信速度に対して、例
えば１Ｇｂｐｓから５Ｇｂｐｓへと、より高速の通信速
度が要求されている。このとき、光信号を送信する光送
信モジュールにおいても、同様に、高速の送信速度が要
求される。また、多数の通信を効率良く行うことが可能
な光通信システムを実現するため、光送信モジュールな
どの光モジュールのサイズを小型化することが必要とな
っている。
【００１０】本発明は、以上の問題点を解決するために
なされたものであり、モジュールが小型化されるととも
に、高速での光信号の送信が可能な光送信モジュールを
提供することを目的とする。
なされたものであり、モジュールが小型化されるととも
に、高速での光信号の送信が可能な光送信モジュールを
提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による光送信モジュールは、電気信号
を光信号へと変換して送信する光送信モジュールであっ
て、（１）基板上に設置され、電気信号を光信号へと変
換する発光素子と、（２）基板上に発光素子とともに設
置され、発光素子からの光信号を伝送して出力する光伝
送路と、（３）発光素子からみて光伝送路側の所定位置
に配置され、発光素子を駆動する駆動素子とを備えるこ
とを特徴とする。
るために、本発明による光送信モジュールは、電気信号
を光信号へと変換して送信する光送信モジュールであっ
て、（１）基板上に設置され、電気信号を光信号へと変
換する発光素子と、（２）基板上に発光素子とともに設
置され、発光素子からの光信号を伝送して出力する光伝
送路と、（３）発光素子からみて光伝送路側の所定位置
に配置され、発光素子を駆動する駆動素子とを備えるこ
とを特徴とする。
【００１２】上記した光送信モジュールにおいては、発
光素子及び光伝送路が基板上に設置される表面実装型の
構成とするとともに、発光素子を駆動制御するための駆
動素子を発光素子からみて光伝送路側（下流側）に配置
している。これにより、発光素子及び光伝送路から離れ
た位置に駆動素子を設置する必要がなくなり、モジュー
ルを小型化することが可能となる。
光素子及び光伝送路が基板上に設置される表面実装型の
構成とするとともに、発光素子を駆動制御するための駆
動素子を発光素子からみて光伝送路側（下流側）に配置
している。これにより、発光素子及び光伝送路から離れ
た位置に駆動素子を設置する必要がなくなり、モジュー
ルを小型化することが可能となる。
【００１３】また、駆動素子を発光素子の直近に配置す
ることができるので、発光素子と駆動素子との間の結線
長さを充分に短くすることが可能となる。これにより、
発光素子と駆動素子との間の配線でのインピーダンスが
低減され、発光素子を高速で駆動させることができる。
したがって、高速での光信号の送信が可能な光送信モジ
ュールが実現される。
ることができるので、発光素子と駆動素子との間の結線
長さを充分に短くすることが可能となる。これにより、
発光素子と駆動素子との間の配線でのインピーダンスが
低減され、発光素子を高速で駆動させることができる。
したがって、高速での光信号の送信が可能な光送信モジ
ュールが実現される。
【００１４】また、光送信モジュールは、発光素子から
みて光伝送路とは反対側の所定位置に、発光素子からの
後方光を検出するモニタ用の受光素子が配置されている
ことを特徴とする。このような構成によれば、モニタ用
の受光素子で発光素子の後方光を検出することによって
発光素子の駆動状態をモニタして、発光素子を安定駆動
させることが可能となる。
みて光伝送路とは反対側の所定位置に、発光素子からの
後方光を検出するモニタ用の受光素子が配置されている
ことを特徴とする。このような構成によれば、モニタ用
の受光素子で発光素子の後方光を検出することによって
発光素子の駆動状態をモニタして、発光素子を安定駆動
させることが可能となる。
【００１５】ここで、光送信モジュールに用いられる発
光素子としては、半導体レーザからなる発光素子を用い
ることが好ましい。
光素子としては、半導体レーザからなる発光素子を用い
ることが好ましい。
【００１６】また、光伝送路としては、平面導波路型の
光導波路からなる光伝送路を用いることが好ましい。あ
るいは、光ファイバ、または光ファイバを挿通した光フ
ァイバ付フェルールからなる光伝送路を用いることが好
ましい。
光導波路からなる光伝送路を用いることが好ましい。あ
るいは、光ファイバ、または光ファイバを挿通した光フ
ァイバ付フェルールからなる光伝送路を用いることが好
ましい。
【００１７】また、光送信モジュールは、発光素子とし
て、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の発光素子を並列に配置
するとともに、光伝送路及び駆動素子として、Ｎ個の発
光素子に対応するＮ個の光伝送路及びＮ個の駆動素子を
それぞれ並列に配置することを特徴とする。これによ
り、Ｎチャンネル（複数チャンネル）の光信号を単一の
光送信モジュールから送信することが可能となり、光信
号当たりの光送信モジュールのサイズをさらに小型化す
ることができる。
て、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の発光素子を並列に配置
するとともに、光伝送路及び駆動素子として、Ｎ個の発
光素子に対応するＮ個の光伝送路及びＮ個の駆動素子を
それぞれ並列に配置することを特徴とする。これによ
り、Ｎチャンネル（複数チャンネル）の光信号を単一の
光送信モジュールから送信することが可能となり、光信
号当たりの光送信モジュールのサイズをさらに小型化す
ることができる。
【００１８】また、駆動素子と光伝送路との間に配置さ
れ、駆動素子を載置するサブマウント部材を備えること
を特徴とする。これにより、発光素子からみて光伝送路
側に配置される駆動素子を、光伝送路とともに良好に設
置することができる。
れ、駆動素子を載置するサブマウント部材を備えること
を特徴とする。これにより、発光素子からみて光伝送路
側に配置される駆動素子を、光伝送路とともに良好に設
置することができる。
【００１９】また、駆動素子を外部へと接続するための
電気的接続手段として、金属製のリードフレームを備え
ることを特徴とする。これにより、駆動素子による発光
素子の駆動制御を好適に行うことができる。
電気的接続手段として、金属製のリードフレームを備え
ることを特徴とする。これにより、駆動素子による発光
素子の駆動制御を好適に行うことができる。
【００２０】また、発光素子、光伝送路、及び光信号が
通過する所定の光路部分が、透明樹脂によって充填され
ていることが好ましい。あるいは、基板、発光素子、光
伝送路、及び駆動素子を含む全体が、樹脂モールドされ
ていることが好ましい。これにより、光送信モジュール
の各要素を良好に保持することができる。
通過する所定の光路部分が、透明樹脂によって充填され
ていることが好ましい。あるいは、基板、発光素子、光
伝送路、及び駆動素子を含む全体が、樹脂モールドされ
ていることが好ましい。これにより、光送信モジュール
の各要素を良好に保持することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面とともに本発明による
光送信モジュールの好適な実施形態について詳細に説明
する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符
号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法
比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
光送信モジュールの好適な実施形態について詳細に説明
する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符
号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法
比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００２２】図１は、本発明による光送信モジュールの
第１実施形態の断面構成を示す側面断面図である。ま
た、図２は、図１に示した光送信モジュールの平面構成
を示す上面図である。なお、図１は、本光送信モジュー
ルにおける光信号伝送方向（図２での横方向）に平行な
モジュールの中心軸を含む断面図となっている。
第１実施形態の断面構成を示す側面断面図である。ま
た、図２は、図１に示した光送信モジュールの平面構成
を示す上面図である。なお、図１は、本光送信モジュー
ルにおける光信号伝送方向（図２での横方向）に平行な
モジュールの中心軸を含む断面図となっている。
【００２３】本光送信モジュール１Ａは、電気信号を光
信号へと変換して送信する表面実装型の光モジュールで
あり、基板１０と、半導体レーザ２０と、平面導波路型
の光導波路素子２５と、駆動素子３０とを備えている。
信号へと変換して送信する表面実装型の光モジュールで
あり、基板１０と、半導体レーザ２０と、平面導波路型
の光導波路素子２５と、駆動素子３０とを備えている。
【００２４】半導体レーザ２０は、光送信モジュール１
Ａでの送信対象となる光信号について、電気信号を光信
号へと変換して出射する発光素子である。この半導体レ
ーザ２０は、基板１０上に設置されている。また、この
基板１０上には、半導体レーザ２０とともに、光導波路
素子２５が設置されている。光導波路素子２５は、半導
体レーザ２０から出射された光信号を伝送して出力する
光伝送路として機能する平面導波路型の光導波路２６を
有する。
Ａでの送信対象となる光信号について、電気信号を光信
号へと変換して出射する発光素子である。この半導体レ
ーザ２０は、基板１０上に設置されている。また、この
基板１０上には、半導体レーザ２０とともに、光導波路
素子２５が設置されている。光導波路素子２５は、半導
体レーザ２０から出射された光信号を伝送して出力する
光伝送路として機能する平面導波路型の光導波路２６を
有する。
【００２５】これらの半導体レーザ２０及び光導波路素
子２５は、半導体レーザ２０の光軸と、光伝送路である
光導波路２６の光軸とが一致するように配置されてい
る。これにより、半導体レーザ２０の下流側の端部から
出射された光信号が、光導波路２６に効率良く入射され
る。また、光導波路素子２５の下流側の端部には、フェ
ルール４０が接続されている。このフェルール４０は、
フェルール４０内に挿通される光信号出力用の光ファイ
バ４１と、光導波路２６とが光学的に接続されるように
配置されている。
子２５は、半導体レーザ２０の光軸と、光伝送路である
光導波路２６の光軸とが一致するように配置されてい
る。これにより、半導体レーザ２０の下流側の端部から
出射された光信号が、光導波路２６に効率良く入射され
る。また、光導波路素子２５の下流側の端部には、フェ
ルール４０が接続されている。このフェルール４０は、
フェルール４０内に挿通される光信号出力用の光ファイ
バ４１と、光導波路２６とが光学的に接続されるように
配置されている。
【００２６】また、半導体レーザ２０のさらに上流側と
なる後方の基板１０上には、導波路型のフォトダイオー
ド５０が設置されている。フォトダイオード５０は、半
導体レーザ２０から後方に出射される後方光を検出する
モニタ用の受光素子である。このフォトダイオード５０
は、半導体レーザ２０からみて、光伝送路である光導波
路２６とは反対側の所定位置に、半導体レーザ２０と光
軸が一致するように配置されている。
なる後方の基板１０上には、導波路型のフォトダイオー
ド５０が設置されている。フォトダイオード５０は、半
導体レーザ２０から後方に出射される後方光を検出する
モニタ用の受光素子である。このフォトダイオード５０
は、半導体レーザ２０からみて、光伝送路である光導波
路２６とは反対側の所定位置に、半導体レーザ２０と光
軸が一致するように配置されている。
【００２７】一方、駆動素子３０は、光信号へと変換さ
れる電気信号などの必要な電気信号を半導体レーザ２０
に供給し、半導体レーザ２０を駆動制御するための回路
素子である。この駆動素子３０は、光導波路素子２５の
上面上の所定位置に設置されている。すなわち、駆動素
子３０は、半導体レーザ２０からみて、光伝送路である
光導波路２６側となる所定位置に配置されている。ま
た、駆動素子３０からの電気信号を半導体レーザ２０へ
と入力するため、半導体レーザ２０の電極２１と、駆動
素子３０の対応する電極３１とが、ボンディングワイヤ
を介して電気的に接続されている。なお、駆動素子３０
としては、例えば、Ｓｉ−ＩＣやＧａＡｓ−ＩＣなどが
用いられる。
れる電気信号などの必要な電気信号を半導体レーザ２０
に供給し、半導体レーザ２０を駆動制御するための回路
素子である。この駆動素子３０は、光導波路素子２５の
上面上の所定位置に設置されている。すなわち、駆動素
子３０は、半導体レーザ２０からみて、光伝送路である
光導波路２６側となる所定位置に配置されている。ま
た、駆動素子３０からの電気信号を半導体レーザ２０へ
と入力するため、半導体レーザ２０の電極２１と、駆動
素子３０の対応する電極３１とが、ボンディングワイヤ
を介して電気的に接続されている。なお、駆動素子３０
としては、例えば、Ｓｉ−ＩＣやＧａＡｓ−ＩＣなどが
用いられる。
【００２８】基板１０の下面側には、金属製のリードフ
レーム１１が設けられている。このリードフレーム１１
は、駆動素子３０を外部へと接続するための電気的接続
手段である。リードフレーム１１には、光信号伝送方向
に平行な光送信モジュール１Ａの中心軸からみて左右の
両側に、それぞれ所定本数のリードピン１２が形成され
ている。また、駆動素子３０と外部との間で電気信号を
やり取りするため、駆動素子３０の電極３２と、リード
フレーム１１の対応するリードピン１２とが、ボンディ
ングワイヤを介して電気的に接続されている。また、モ
ニタ用のフォトダイオード５０の電極５１も同様に、リ
ードフレーム１１の対応するリードピン１２とボンディ
ングワイヤを介して電気的に接続されている。
レーム１１が設けられている。このリードフレーム１１
は、駆動素子３０を外部へと接続するための電気的接続
手段である。リードフレーム１１には、光信号伝送方向
に平行な光送信モジュール１Ａの中心軸からみて左右の
両側に、それぞれ所定本数のリードピン１２が形成され
ている。また、駆動素子３０と外部との間で電気信号を
やり取りするため、駆動素子３０の電極３２と、リード
フレーム１１の対応するリードピン１２とが、ボンディ
ングワイヤを介して電気的に接続されている。また、モ
ニタ用のフォトダイオード５０の電極５１も同様に、リ
ードフレーム１１の対応するリードピン１２とボンディ
ングワイヤを介して電気的に接続されている。
【００２９】図３は、図１及び図２に示した光送信モジ
ュールの外観構成を示す斜視図である。本光送信モジュ
ール１Ａにおいては、基板１０、リードフレーム１１、
半導体レーザ２０、光導波路２６を有する光導波路素子
２５、駆動素子３０、及びモニタ用のフォトダイオード
５０を含む全体が所定の樹脂材料によってトランスファ
モールドされており、このモールド樹脂１５がモジュー
ルの外形を構成している。ただし、図３に示すように、
リードフレーム１１のリードピン１２、及びフェルール
４０は、モールド樹脂１５の外側に突出している。
ュールの外観構成を示す斜視図である。本光送信モジュ
ール１Ａにおいては、基板１０、リードフレーム１１、
半導体レーザ２０、光導波路２６を有する光導波路素子
２５、駆動素子３０、及びモニタ用のフォトダイオード
５０を含む全体が所定の樹脂材料によってトランスファ
モールドされており、このモールド樹脂１５がモジュー
ルの外形を構成している。ただし、図３に示すように、
リードフレーム１１のリードピン１２、及びフェルール
４０は、モールド樹脂１５の外側に突出している。
【００３０】また、半導体レーザ２０、光伝送路である
光導波路２６、及び半導体レーザ２０と光導波路２６と
の間にあって光信号が通過する光路部分は、モールド樹
脂１５とは別または同一の透明樹脂によって充填されて
いる。半導体レーザ２０とモニタ用のフォトダイオード
５０との間にあって後方光が通過する光路部分も、同様
に、透明樹脂によって充填されている。なお、図１及び
図２においては、光送信モジュール１Ａの内部構成を示
すため、モールド樹脂１５の外形のみを破線によって図
示している。
光導波路２６、及び半導体レーザ２０と光導波路２６と
の間にあって光信号が通過する光路部分は、モールド樹
脂１５とは別または同一の透明樹脂によって充填されて
いる。半導体レーザ２０とモニタ用のフォトダイオード
５０との間にあって後方光が通過する光路部分も、同様
に、透明樹脂によって充填されている。なお、図１及び
図２においては、光送信モジュール１Ａの内部構成を示
すため、モールド樹脂１５の外形のみを破線によって図
示している。
【００３１】以上の構成において、駆動素子３０から半
導体レーザ２０へと光信号の送信を指示する電気信号が
入力されると、半導体レーザ２０において電気信号が光
信号へと変換されて出射される。そして、半導体レーザ
２０からの光信号は、光導波路２６と半導体レーザ２０
との間の光路部分、及び光導波路素子２５の光導波路２
６を介して、フェルール４０内に挿通された光信号出力
用の光ファイバ４１へと入射され、光ファイバ４１から
外部へと出力される。また、半導体レーザ２０から出射
される後方光がフォトダイオード５０によって検出さ
れ、半導体レーザ２０の駆動状態がモニタされる。
導体レーザ２０へと光信号の送信を指示する電気信号が
入力されると、半導体レーザ２０において電気信号が光
信号へと変換されて出射される。そして、半導体レーザ
２０からの光信号は、光導波路２６と半導体レーザ２０
との間の光路部分、及び光導波路素子２５の光導波路２
６を介して、フェルール４０内に挿通された光信号出力
用の光ファイバ４１へと入射され、光ファイバ４１から
外部へと出力される。また、半導体レーザ２０から出射
される後方光がフォトダイオード５０によって検出さ
れ、半導体レーザ２０の駆動状態がモニタされる。
【００３２】本実施形態の光送信モジュールの効果につ
いて説明する。図１〜図３に示した光送信モジュール１
Ａにおいては、発光素子である半導体レーザ２０と、光
伝送路である光導波路２６を有する光導波路素子２５と
が基板１０上に設置された表面実装型の構成とするとと
もに、半導体レーザ２０を駆動する駆動素子３０を半導
体レーザ２０からみて光伝送路側、すなわち、光信号伝
送方向からみて下流側に配置している。
いて説明する。図１〜図３に示した光送信モジュール１
Ａにおいては、発光素子である半導体レーザ２０と、光
伝送路である光導波路２６を有する光導波路素子２５と
が基板１０上に設置された表面実装型の構成とするとと
もに、半導体レーザ２０を駆動する駆動素子３０を半導
体レーザ２０からみて光伝送路側、すなわち、光信号伝
送方向からみて下流側に配置している。
【００３３】これにより、半導体レーザ２０、及び光伝
送路として設置されている光導波路素子２５から離れた
位置に駆動素子を設置する必要がなくなる。したがっ
て、光送信モジュール１Ａのサイズを小型化するととも
に、モジュールを低コスト化することが可能となる。ま
た、このような光送信モジュール１Ａは、量産に優れて
いる。
送路として設置されている光導波路素子２５から離れた
位置に駆動素子を設置する必要がなくなる。したがっ
て、光送信モジュール１Ａのサイズを小型化するととも
に、モジュールを低コスト化することが可能となる。ま
た、このような光送信モジュール１Ａは、量産に優れて
いる。
【００３４】また、上記のように駆動素子３０を配置す
る構成によれば、駆動素子３０を半導体レーザ２０の直
近に配置することができるので、半導体レーザ２０と駆
動素子３０との間の結線長さを充分に短くすることが可
能となる。これにより、半導体レーザ２０と駆動素子３
０との間の配線でのインピーダンスが低減され、半導体
レーザを高速で駆動させることができる。したがって、
高速での光信号の送信が可能な光送信モジュールが実現
される。
る構成によれば、駆動素子３０を半導体レーザ２０の直
近に配置することができるので、半導体レーザ２０と駆
動素子３０との間の結線長さを充分に短くすることが可
能となる。これにより、半導体レーザ２０と駆動素子３
０との間の配線でのインピーダンスが低減され、半導体
レーザを高速で駆動させることができる。したがって、
高速での光信号の送信が可能な光送信モジュールが実現
される。
【００３５】また、本実施形態においては、駆動素子３
０と外部の回路素子等との間で電気信号をやり取りする
ための電気的接続手段として、金属製のリードフレーム
１１を用いている。これにより、外部との電気信号のや
り取りを好適に行うことができる。
０と外部の回路素子等との間で電気信号をやり取りする
ための電気的接続手段として、金属製のリードフレーム
１１を用いている。これにより、外部との電気信号のや
り取りを好適に行うことができる。
【００３６】また、半導体レーザ２０からみて光導波路
素子２５とは反対側となる後方の所定位置に、モニタ用
のフォトダイオード５０が配置されている。このような
構成によれば、モニタ用のフォトダイオード５０で半導
体レーザ２０の後方光を検出することによって半導体レ
ーザ２０の駆動状態をモニタして、半導体レーザ２０を
安定駆動させることが可能となる。
素子２５とは反対側となる後方の所定位置に、モニタ用
のフォトダイオード５０が配置されている。このような
構成によれば、モニタ用のフォトダイオード５０で半導
体レーザ２０の後方光を検出することによって半導体レ
ーザ２０の駆動状態をモニタして、半導体レーザ２０を
安定駆動させることが可能となる。
【００３７】さらに、上記のように駆動素子３０を設置
する構成では、駆動素子３０は、半導体レーザ２０から
みてフォトダイオード５０とは反対側に位置する。した
がって、半導体レーザ２０に対してモニタ用のフォトダ
イオード５０を設置した場合においても、モジュールを
大型化することなく駆動素子３０を好適に設置すること
ができる。
する構成では、駆動素子３０は、半導体レーザ２０から
みてフォトダイオード５０とは反対側に位置する。した
がって、半導体レーザ２０に対してモニタ用のフォトダ
イオード５０を設置した場合においても、モジュールを
大型化することなく駆動素子３０を好適に設置すること
ができる。
【００３８】また、基板１０、半導体レーザ２０、光導
波路素子２５、及び駆動素子３０を含む全体が、モール
ド樹脂１５によって樹脂モールドされている。これによ
り、光送信モジュール１Ａの各要素を良好に保持するこ
とができる。また、半導体レーザ２０、光導波路素子２
５、及び光信号が通過する所定の光路部分には、透明樹
脂が充填されている。これにより、光送信モジュール１
Ａの各要素を良好に保持するとともに、光信号を充分な
透過率で伝送させることができる。
波路素子２５、及び駆動素子３０を含む全体が、モール
ド樹脂１５によって樹脂モールドされている。これによ
り、光送信モジュール１Ａの各要素を良好に保持するこ
とができる。また、半導体レーザ２０、光導波路素子２
５、及び光信号が通過する所定の光路部分には、透明樹
脂が充填されている。これにより、光送信モジュール１
Ａの各要素を良好に保持するとともに、光信号を充分な
透過率で伝送させることができる。
【００３９】ここで、透明樹脂としては、光送信モジュ
ール１Ａでの送信対象となっている光信号の波長の光を
充分に透過する樹脂を用いることが好ましい。また、全
体を樹脂モールドするモールド樹脂１５としては、必ず
しも透明樹脂を用いる必要はないが、全体を透明樹脂モ
ールドする構成としても良い。また、光送信モジュール
の具体的な構成等によっては、全体を樹脂モールドする
構成以外の構成を用いても良い。
ール１Ａでの送信対象となっている光信号の波長の光を
充分に透過する樹脂を用いることが好ましい。また、全
体を樹脂モールドするモールド樹脂１５としては、必ず
しも透明樹脂を用いる必要はないが、全体を透明樹脂モ
ールドする構成としても良い。また、光送信モジュール
の具体的な構成等によっては、全体を樹脂モールドする
構成以外の構成を用いても良い。
【００４０】本実施形態の光送信モジュール１Ａについ
て、その製造方法及び具体的な構成の一例を説明する。
て、その製造方法及び具体的な構成の一例を説明する。
【００４１】本実施例においては、まず、基板１０とし
て（１００）Ｓｉ基板（例えば３ｍｍ×７ｍｍ×厚さ
１．５ｍｍ）を用意する。そして、このＳｉ基板１０上
にＳｉＯ2の熱酸化膜を形成し、その上にＳｉＯ2からな
るアンダークラッド層（厚さ１０μｍ）、ＳｉＯ2−Ｇ
ｅＯ2からなり光導波路２６に対応する直線状の導波路
パターンを有するコア層（６μｍ×６μｍ）、及びＳｉ
Ｏ2からなるオーバークラッド層（厚さ１０μｍ）を順
に形成する。これらの積層構造により、平面導波路型の
光導波路素子２５が構成される。
て（１００）Ｓｉ基板（例えば３ｍｍ×７ｍｍ×厚さ
１．５ｍｍ）を用意する。そして、このＳｉ基板１０上
にＳｉＯ2の熱酸化膜を形成し、その上にＳｉＯ2からな
るアンダークラッド層（厚さ１０μｍ）、ＳｉＯ2−Ｇ
ｅＯ2からなり光導波路２６に対応する直線状の導波路
パターンを有するコア層（６μｍ×６μｍ）、及びＳｉ
Ｏ2からなるオーバークラッド層（厚さ１０μｍ）を順
に形成する。これらの積層構造により、平面導波路型の
光導波路素子２５が構成される。
【００４２】次に、この光導波路素子２５となる積層構
造のうち、半導体レーザ２０及びモニタ用のフォトダイ
オード５０が配置されるＳｉ基板１０上の所定範囲内に
形成された積層構造部分をエッチングにより除去し、そ
の部分に半導体レーザ２０及びフォトダイオード５０を
それぞれ半田付けするためのメタライズ層（メタライズ
パターン）を形成する。そして、半導体レーザ２０（Ｉ
ｎＧａＡｓＰ−ＬＤ、３００μｍ×３００μｍ×厚さ１
５０μｍ）及びフォトダイオード５０（ＩｎＧａＡｓ−
ＰＤ、３００μｍ×３００μｍ×厚さ１５０μｍ）を、
それぞれＳｉ基板１０上の所定位置に実装し、さらに、
駆動素子３０（Ｓｉ−ＩＣ、２ｍｍ×２ｍｍ×厚さ０．
５ｍｍ）を、光導波路素子２５上の所定位置に実装し、
対応する電極間をＡｕ線またはＡｌ線でワイヤボンディ
ングを行って結線する。
造のうち、半導体レーザ２０及びモニタ用のフォトダイ
オード５０が配置されるＳｉ基板１０上の所定範囲内に
形成された積層構造部分をエッチングにより除去し、そ
の部分に半導体レーザ２０及びフォトダイオード５０を
それぞれ半田付けするためのメタライズ層（メタライズ
パターン）を形成する。そして、半導体レーザ２０（Ｉ
ｎＧａＡｓＰ−ＬＤ、３００μｍ×３００μｍ×厚さ１
５０μｍ）及びフォトダイオード５０（ＩｎＧａＡｓ−
ＰＤ、３００μｍ×３００μｍ×厚さ１５０μｍ）を、
それぞれＳｉ基板１０上の所定位置に実装し、さらに、
駆動素子３０（Ｓｉ−ＩＣ、２ｍｍ×２ｍｍ×厚さ０．
５ｍｍ）を、光導波路素子２５上の所定位置に実装し、
対応する電極間をＡｕ線またはＡｌ線でワイヤボンディ
ングを行って結線する。
【００４３】続いて、基板１０をリードフレーム１１の
ベースメタル（例えばＦｅ、Ｃｕ、ステンレスなど）に
接着する。また、光導波路素子２５の光導波路２６に対
してつき合わせるように、光ファイバ４１が挿通された
フェルール４０を固定する。そして、半導体レーザ２
０、光導波路２６、及び半導体レーザ２０と光導波路２
６との間にあって光信号が通過する光路部分、半導体レ
ーザ２０とフォトダイオード５０との間にあって後方光
が通過する光路部分などの光が通る部分に透明樹脂とし
てシリコーン樹脂をポッティングし、さらに、エポキシ
系の樹脂で全体をトランスファモールドすることによっ
て、モジュールの外形形状となるモールド樹脂１５を形
成する。
ベースメタル（例えばＦｅ、Ｃｕ、ステンレスなど）に
接着する。また、光導波路素子２５の光導波路２６に対
してつき合わせるように、光ファイバ４１が挿通された
フェルール４０を固定する。そして、半導体レーザ２
０、光導波路２６、及び半導体レーザ２０と光導波路２
６との間にあって光信号が通過する光路部分、半導体レ
ーザ２０とフォトダイオード５０との間にあって後方光
が通過する光路部分などの光が通る部分に透明樹脂とし
てシリコーン樹脂をポッティングし、さらに、エポキシ
系の樹脂で全体をトランスファモールドすることによっ
て、モジュールの外形形状となるモールド樹脂１５を形
成する。
【００４４】以上のような構成及び製造方法によって、
図１〜図３に示した光送信モジュールを好適に実現する
ことができる。ただし、本光送信モジュールの具体的な
構成及び製造方法については、上記実施例には限定され
ない。例えば、基板１０として、Ｓｉ基板のかわりにセ
ラミック（Ａｌ2Ｏ3）基板などを用いても良い。
図１〜図３に示した光送信モジュールを好適に実現する
ことができる。ただし、本光送信モジュールの具体的な
構成及び製造方法については、上記実施例には限定され
ない。例えば、基板１０として、Ｓｉ基板のかわりにセ
ラミック（Ａｌ2Ｏ3）基板などを用いても良い。
【００４５】図４は、本発明による光送信モジュールの
第２実施形態の断面構成を示す側面断面図である。ま
た、図５は、図４に示した光送信モジュールの平面構成
を示す上面図である。本光送信モジュール１Ｂは表面実
装型の光モジュールであり、基板１０と、半導体レーザ
２０と、駆動素子３０とを備えている。
第２実施形態の断面構成を示す側面断面図である。ま
た、図５は、図４に示した光送信モジュールの平面構成
を示す上面図である。本光送信モジュール１Ｂは表面実
装型の光モジュールであり、基板１０と、半導体レーザ
２０と、駆動素子３０とを備えている。
【００４６】半導体レーザ２０は、電気信号を送信対象
となる光信号へと変換して出射する発光素子であり、基
板１０上に設置されている。また、この基板１０上に
は、半導体レーザ２０とともに、フェルール４０が設置
されている。このフェルール４０は、半導体レーザ２０
から出射された光信号を伝送して出力する光伝送路とし
て機能する光ファイバ４１が挿通された構成の光ファイ
バ付フェルールとなっている。
となる光信号へと変換して出射する発光素子であり、基
板１０上に設置されている。また、この基板１０上に
は、半導体レーザ２０とともに、フェルール４０が設置
されている。このフェルール４０は、半導体レーザ２０
から出射された光信号を伝送して出力する光伝送路とし
て機能する光ファイバ４１が挿通された構成の光ファイ
バ付フェルールとなっている。
【００４７】これらの半導体レーザ２０及び光ファイバ
付フェルール４０は、半導体レーザ２０の光軸と、光伝
送路である光ファイバ４１の光軸とが一致するように配
置されている。これにより、半導体レーザ２０の下流側
の端部から出射された光信号が、光ファイバ４１に効率
良く入射される。
付フェルール４０は、半導体レーザ２０の光軸と、光伝
送路である光ファイバ４１の光軸とが一致するように配
置されている。これにより、半導体レーザ２０の下流側
の端部から出射された光信号が、光ファイバ４１に効率
良く入射される。
【００４８】また、半導体レーザ２０のさらに上流側と
なる後方の基板１０上には、半導体レーザ２０から後方
に出射される後方光を検出するモニタ用の受光素子であ
るフォトダイオード５０が設置されている。このフォト
ダイオード５０は、半導体レーザ２０からみて、光ファ
イバ付フェルール４０とは反対側の所定位置に、半導体
レーザ２０と光軸が一致するように配置されている。
なる後方の基板１０上には、半導体レーザ２０から後方
に出射される後方光を検出するモニタ用の受光素子であ
るフォトダイオード５０が設置されている。このフォト
ダイオード５０は、半導体レーザ２０からみて、光ファ
イバ付フェルール４０とは反対側の所定位置に、半導体
レーザ２０と光軸が一致するように配置されている。
【００４９】一方、駆動素子３０は、半導体レーザ２０
を駆動するための回路素子であり、光ファイバ付フェル
ール４０の上方の所定位置に設置されている。すなわ
ち、駆動素子３０は、半導体レーザ２０からみて、光伝
送路である光ファイバ４１及びフェルール４０側となる
所定位置に配置されている。また、駆動素子３０からの
電気信号を半導体レーザ２０へと入力するため、半導体
レーザ２０の電極２１と、駆動素子３０の対応する電極
３１とが、ボンディングワイヤを介して電気的に接続さ
れている。
を駆動するための回路素子であり、光ファイバ付フェル
ール４０の上方の所定位置に設置されている。すなわ
ち、駆動素子３０は、半導体レーザ２０からみて、光伝
送路である光ファイバ４１及びフェルール４０側となる
所定位置に配置されている。また、駆動素子３０からの
電気信号を半導体レーザ２０へと入力するため、半導体
レーザ２０の電極２１と、駆動素子３０の対応する電極
３１とが、ボンディングワイヤを介して電気的に接続さ
れている。
【００５０】図６は、図４及び図５に示した光送信モジ
ュールの断面構成を示すＩ−Ｉ矢印断面図である。本実
施形態においては、基板１０上に、図６に示すように、
光ファイバ付フェルール４０を跨ぐサブマウント部材３
３が設置されている。サブマウント部材３３は、駆動素
子３０と、光伝送路である光ファイバ４１及びフェルー
ル４０との間に配置された載置部材であり、駆動素子３
０は、このサブマウント部材３３の上面上に載置されて
いる。
ュールの断面構成を示すＩ−Ｉ矢印断面図である。本実
施形態においては、基板１０上に、図６に示すように、
光ファイバ付フェルール４０を跨ぐサブマウント部材３
３が設置されている。サブマウント部材３３は、駆動素
子３０と、光伝送路である光ファイバ４１及びフェルー
ル４０との間に配置された載置部材であり、駆動素子３
０は、このサブマウント部材３３の上面上に載置されて
いる。
【００５１】基板１０の下面側には、左右の両側にそれ
ぞれ所定本数のリードピン１２が形成された金属製のリ
ードフレーム１１が設けられている。また、駆動素子３
０と外部との間で電気信号をやり取りするため、駆動素
子３０の電極３２と、リードフレーム１１の対応するリ
ードピン１２とが、ボンディングワイヤを介して電気的
に接続されている。また、モニタ用のフォトダイオード
５０の電極５１も同様に、リードフレーム１１の対応す
るリードピン１２とボンディングワイヤを介して電気的
に接続されている。
ぞれ所定本数のリードピン１２が形成された金属製のリ
ードフレーム１１が設けられている。また、駆動素子３
０と外部との間で電気信号をやり取りするため、駆動素
子３０の電極３２と、リードフレーム１１の対応するリ
ードピン１２とが、ボンディングワイヤを介して電気的
に接続されている。また、モニタ用のフォトダイオード
５０の電極５１も同様に、リードフレーム１１の対応す
るリードピン１２とボンディングワイヤを介して電気的
に接続されている。
【００５２】また、本光送信モジュール１Ｂにおいて
は、基板１０、リードフレーム１１、半導体レーザ２
０、光ファイバ４１が挿通されているフェルール４０、
駆動素子３０、及びモニタ用のフォトダイオード５０を
含む全体が所定の樹脂材料によってトランスファモール
ドされており、このモールド樹脂１５がモジュールの外
形を構成している。ただし、リードフレーム１１のリー
ドピン１２、及び光ファイバ付フェルール４０は、モー
ルド樹脂１５の外側に突出している。
は、基板１０、リードフレーム１１、半導体レーザ２
０、光ファイバ４１が挿通されているフェルール４０、
駆動素子３０、及びモニタ用のフォトダイオード５０を
含む全体が所定の樹脂材料によってトランスファモール
ドされており、このモールド樹脂１５がモジュールの外
形を構成している。ただし、リードフレーム１１のリー
ドピン１２、及び光ファイバ付フェルール４０は、モー
ルド樹脂１５の外側に突出している。
【００５３】また、半導体レーザ２０、光伝送路である
光ファイバ４１、及び半導体レーザ２０と光ファイバ４
１との間にあって光信号が通過する光路部分は、モール
ド樹脂１５とは別または同一の透明樹脂によって充填さ
れている。半導体レーザ２０とモニタ用のフォトダイオ
ード５０との間にあって後方光が通過する光路部分も、
同様に、透明樹脂によって充填されている。
光ファイバ４１、及び半導体レーザ２０と光ファイバ４
１との間にあって光信号が通過する光路部分は、モール
ド樹脂１５とは別または同一の透明樹脂によって充填さ
れている。半導体レーザ２０とモニタ用のフォトダイオ
ード５０との間にあって後方光が通過する光路部分も、
同様に、透明樹脂によって充填されている。
【００５４】以上の構成において、駆動素子３０から半
導体レーザ２０へと光信号の送信を指示する電気信号が
入力されると、半導体レーザ２０において電気信号が光
信号へと変換されて出射される。そして、半導体レーザ
２０からの光信号は、光ファイバ４１と半導体レーザ２
０との間の光路部分を介して、フェルール４０内に挿通
された光信号出力用の光ファイバ４１へと入射され、光
ファイバ４１から外部へと出力される。また、半導体レ
ーザ２０から出射される後方光がフォトダイオード５０
によって検出され、半導体レーザ２０の駆動状態がモニ
タされる。
導体レーザ２０へと光信号の送信を指示する電気信号が
入力されると、半導体レーザ２０において電気信号が光
信号へと変換されて出射される。そして、半導体レーザ
２０からの光信号は、光ファイバ４１と半導体レーザ２
０との間の光路部分を介して、フェルール４０内に挿通
された光信号出力用の光ファイバ４１へと入射され、光
ファイバ４１から外部へと出力される。また、半導体レ
ーザ２０から出射される後方光がフォトダイオード５０
によって検出され、半導体レーザ２０の駆動状態がモニ
タされる。
【００５５】本実施形態の光送信モジュールの効果につ
いて説明する。図４〜図６に示した光送信モジュール１
Ｂにおいては、表面実装型の構成とするとともに、駆動
素子３０を半導体レーザ２０からみて光伝送路側（下流
側）に配置している。これにより、光送信モジュール１
Ｂのサイズを小型化することが可能となる。また、駆動
素子３０を半導体レーザ２０の直近に配置して、半導体
レーザ２０と駆動素子３０との間の結線長さを充分に短
くすることができるので、半導体レーザを高速で駆動さ
せることができる。したがって、高速での光信号の送信
が可能な光送信モジュールが実現される。
いて説明する。図４〜図６に示した光送信モジュール１
Ｂにおいては、表面実装型の構成とするとともに、駆動
素子３０を半導体レーザ２０からみて光伝送路側（下流
側）に配置している。これにより、光送信モジュール１
Ｂのサイズを小型化することが可能となる。また、駆動
素子３０を半導体レーザ２０の直近に配置して、半導体
レーザ２０と駆動素子３０との間の結線長さを充分に短
くすることができるので、半導体レーザを高速で駆動さ
せることができる。したがって、高速での光信号の送信
が可能な光送信モジュールが実現される。
【００５６】また、本実施形態においては、駆動素子３
０をサブマウント部材３３上に載置している。このよう
に、サブマウント部材３３を用いることにより、半導体
レーザ２０からみて光伝送路側に配置される駆動素子３
０を良好に設置することができる。例えば、本実施形態
のように、半導体レーザ２０からの光信号を伝送して出
力する光伝送路として光ファイバ付フェルール４０を用
いた構成では、フェルール４０を跨ぐ形状を有するサブ
マウント部材３３を設けることにより、基板１０上での
フェルール４０のでっぱりを避けて駆動素子３０を設置
することが可能となる。なお、サブマウント部材３３と
しては、例えば、Ａｌ2Ｏ3、窒化アルミ、あるいは樹脂
などからなる部材を用いることができる。
０をサブマウント部材３３上に載置している。このよう
に、サブマウント部材３３を用いることにより、半導体
レーザ２０からみて光伝送路側に配置される駆動素子３
０を良好に設置することができる。例えば、本実施形態
のように、半導体レーザ２０からの光信号を伝送して出
力する光伝送路として光ファイバ付フェルール４０を用
いた構成では、フェルール４０を跨ぐ形状を有するサブ
マウント部材３３を設けることにより、基板１０上での
フェルール４０のでっぱりを避けて駆動素子３０を設置
することが可能となる。なお、サブマウント部材３３と
しては、例えば、Ａｌ2Ｏ3、窒化アルミ、あるいは樹脂
などからなる部材を用いることができる。
【００５７】図７は、本発明による光送信モジュールの
第３実施形態の断面構成を示す側面断面図である。ま
た、図８は、図７に示した光送信モジュールの平面構成
を示す上面図である。本光送信モジュール１Ｃは表面実
装型の光モジュールであり、基板１０と、半導体レーザ
アレイ２２と、平面導波路型の光導波路素子２７と、駆
動素子３５とを備えている。
第３実施形態の断面構成を示す側面断面図である。ま
た、図８は、図７に示した光送信モジュールの平面構成
を示す上面図である。本光送信モジュール１Ｃは表面実
装型の光モジュールであり、基板１０と、半導体レーザ
アレイ２２と、平面導波路型の光導波路素子２７と、駆
動素子３５とを備えている。
【００５８】半導体レーザアレイ２２は、光送信モジュ
ール１Ｃでの送信対象となるＮチャンネル（Ｎは２以上
の整数）の光信号について、各チャンネルの電気信号を
光信号へと変換して出射する発光素子であるＮ個の半導
体レーザが並列に配置された発光素子アレイである。こ
の半導体レーザアレイ２２は、基板１０上に設置されて
いる。なお、図７及び図８においては、Ｎ＝４とした４
チャンネルでの構成例を示している。
ール１Ｃでの送信対象となるＮチャンネル（Ｎは２以上
の整数）の光信号について、各チャンネルの電気信号を
光信号へと変換して出射する発光素子であるＮ個の半導
体レーザが並列に配置された発光素子アレイである。こ
の半導体レーザアレイ２２は、基板１０上に設置されて
いる。なお、図７及び図８においては、Ｎ＝４とした４
チャンネルでの構成例を示している。
【００５９】また、基板１０上には、半導体レーザアレ
イ２２とともに、光導波路素子２７が設置されている。
光導波路素子２７は、半導体レーザアレイ２２での対応
する半導体レーザから出射されたＮチャンネルの光信号
のそれぞれを伝送して出力する光伝送路として機能する
平面導波路型のＮ個の光導波路２８を有する。これらの
Ｎ個の光導波路２８は、半導体レーザアレイ２２でのＮ
個の半導体レーザに対応するように並列に配置されてい
る。
イ２２とともに、光導波路素子２７が設置されている。
光導波路素子２７は、半導体レーザアレイ２２での対応
する半導体レーザから出射されたＮチャンネルの光信号
のそれぞれを伝送して出力する光伝送路として機能する
平面導波路型のＮ個の光導波路２８を有する。これらの
Ｎ個の光導波路２８は、半導体レーザアレイ２２でのＮ
個の半導体レーザに対応するように並列に配置されてい
る。
【００６０】これらの半導体レーザアレイ２２及び光導
波路素子２７は、Ｎ個の半導体レーザのそれぞれの光軸
と、対応する光伝送路である光導波路２８の光軸とが一
致するように配置されている。これにより、半導体レー
ザアレイ２２でのＮ個の半導体レーザの下流側の端部か
ら出射された光信号が、それぞれ対応する光導波路２８
に効率良く入射される。
波路素子２７は、Ｎ個の半導体レーザのそれぞれの光軸
と、対応する光伝送路である光導波路２８の光軸とが一
致するように配置されている。これにより、半導体レー
ザアレイ２２でのＮ個の半導体レーザの下流側の端部か
ら出射された光信号が、それぞれ対応する光導波路２８
に効率良く入射される。
【００６１】また、光導波路素子２７の下流側の端部に
は、フェルール４２が接続されている。フェルール４２
は、図８に示すように、光信号出力用のＮ本の光ファイ
バ４３を並列に挿通させてテープファイバとすることが
可能な構成となっている。このフェルール４２は、フェ
ルール４２内に挿通される光信号出力用のＮ本の光ファ
イバ４３のそれぞれと、対応する光導波路２８とが光学
的に接続されるように配置されている。
は、フェルール４２が接続されている。フェルール４２
は、図８に示すように、光信号出力用のＮ本の光ファイ
バ４３を並列に挿通させてテープファイバとすることが
可能な構成となっている。このフェルール４２は、フェ
ルール４２内に挿通される光信号出力用のＮ本の光ファ
イバ４３のそれぞれと、対応する光導波路２８とが光学
的に接続されるように配置されている。
【００６２】また、半導体レーザアレイ２２のさらに上
流側となる後方の基板１０上には、フォトダイオードア
レイ５２が設置されている。フォトダイオードアレイ５
２は、半導体レーザアレイ２２でのＮ個の半導体レーザ
から後方に出射される後方光をそれぞれ検出するモニタ
用の受光素子であるＮ個のフォトダイオードが並列に配
置された受光素子アレイである。このフォトダイオード
アレイ５２は、半導体レーザアレイ２２からみて、光伝
送路である光導波路２８とは反対側の所定位置に、半導
体レーザアレイ２２での半導体レーザと対応するフォト
ダイオードとの光軸が一致するように配置されている。
流側となる後方の基板１０上には、フォトダイオードア
レイ５２が設置されている。フォトダイオードアレイ５
２は、半導体レーザアレイ２２でのＮ個の半導体レーザ
から後方に出射される後方光をそれぞれ検出するモニタ
用の受光素子であるＮ個のフォトダイオードが並列に配
置された受光素子アレイである。このフォトダイオード
アレイ５２は、半導体レーザアレイ２２からみて、光伝
送路である光導波路２８とは反対側の所定位置に、半導
体レーザアレイ２２での半導体レーザと対応するフォト
ダイオードとの光軸が一致するように配置されている。
【００６３】一方、駆動素子３５は、光信号へと変換さ
れる電気信号などの必要な電気信号を半導体レーザアレ
イ２２でのＮ個の半導体レーザに供給し、半導体レーザ
アレイ２２を駆動制御するためのＮ個の駆動素子を有す
る回路素子である。この駆動素子３５は、光導波路素子
２７の上面上の所定位置に設置されている。すなわち、
駆動素子３５は、半導体レーザアレイ２２からみて、光
伝送路である光導波路２８側となる所定位置に配置され
ている。また、駆動素子３５でのＮ個の駆動素子のそれ
ぞれからの電気信号を半導体レーザアレイ２２での対応
する半導体レーザへと入力するため、半導体レーザアレ
イ２２の電極２３と、駆動素子３５の対応する電極３６
とが、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されて
いる。
れる電気信号などの必要な電気信号を半導体レーザアレ
イ２２でのＮ個の半導体レーザに供給し、半導体レーザ
アレイ２２を駆動制御するためのＮ個の駆動素子を有す
る回路素子である。この駆動素子３５は、光導波路素子
２７の上面上の所定位置に設置されている。すなわち、
駆動素子３５は、半導体レーザアレイ２２からみて、光
伝送路である光導波路２８側となる所定位置に配置され
ている。また、駆動素子３５でのＮ個の駆動素子のそれ
ぞれからの電気信号を半導体レーザアレイ２２での対応
する半導体レーザへと入力するため、半導体レーザアレ
イ２２の電極２３と、駆動素子３５の対応する電極３６
とが、ボンディングワイヤを介して電気的に接続されて
いる。
【００６４】基板１０の下面側には、金属製のリードフ
レーム１１が設けられている。このリードフレーム１１
は、駆動素子３５でのＮ個の駆動素子のそれぞれを外部
へと接続するための電気的接続手段である。リードフレ
ーム１１には、光信号伝送方向に平行な光送信モジュー
ル１Ｃの中心軸からみて左右の両側、及びフェルール４
２の反対側となる上流側に、それぞれ所定本数のリード
ピン１２が形成されている。また、駆動素子３５でのＮ
個の駆動素子のそれぞれと外部との間で電気信号をやり
取りするため、駆動素子３５の電極３７と、リードフレ
ーム１１の対応するリードピン１２とが、ボンディング
ワイヤを介して電気的に接続されている。また、モニタ
用のフォトダイオードアレイ５２の電極５３も同様に、
リードフレーム１１の対応するリードピン１２とボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続されている。
レーム１１が設けられている。このリードフレーム１１
は、駆動素子３５でのＮ個の駆動素子のそれぞれを外部
へと接続するための電気的接続手段である。リードフレ
ーム１１には、光信号伝送方向に平行な光送信モジュー
ル１Ｃの中心軸からみて左右の両側、及びフェルール４
２の反対側となる上流側に、それぞれ所定本数のリード
ピン１２が形成されている。また、駆動素子３５でのＮ
個の駆動素子のそれぞれと外部との間で電気信号をやり
取りするため、駆動素子３５の電極３７と、リードフレ
ーム１１の対応するリードピン１２とが、ボンディング
ワイヤを介して電気的に接続されている。また、モニタ
用のフォトダイオードアレイ５２の電極５３も同様に、
リードフレーム１１の対応するリードピン１２とボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続されている。
【００６５】また、本光送信モジュール１Ｃにおいて
は、基板１０、リードフレーム１１、半導体レーザアレ
イ２２、光導波路２８を有する光導波路素子２７、駆動
素子３５、及びモニタ用のフォトダイオードアレイ５２
を含む全体が所定の樹脂材料によってトランスファモー
ルドされており、このモールド樹脂１５がモジュールの
外形を構成している。ただし、リードフレーム１１のリ
ードピン１２、及びフェルール４２は、モールド樹脂１
５の外側に突出している。
は、基板１０、リードフレーム１１、半導体レーザアレ
イ２２、光導波路２８を有する光導波路素子２７、駆動
素子３５、及びモニタ用のフォトダイオードアレイ５２
を含む全体が所定の樹脂材料によってトランスファモー
ルドされており、このモールド樹脂１５がモジュールの
外形を構成している。ただし、リードフレーム１１のリ
ードピン１２、及びフェルール４２は、モールド樹脂１
５の外側に突出している。
【００６６】また、半導体レーザアレイ２２、光伝送路
である光導波路２８、及び半導体レーザアレイ２２と光
導波路２８との間にあって光信号が通過する光路部分
は、モールド樹脂１５とは別または同一の透明樹脂によ
って充填されている。半導体レーザアレイ２２とモニタ
用のフォトダイオードアレイ５２との間にあって後方光
が通過する光路部分も、同様に、透明樹脂によって充填
されている。
である光導波路２８、及び半導体レーザアレイ２２と光
導波路２８との間にあって光信号が通過する光路部分
は、モールド樹脂１５とは別または同一の透明樹脂によ
って充填されている。半導体レーザアレイ２２とモニタ
用のフォトダイオードアレイ５２との間にあって後方光
が通過する光路部分も、同様に、透明樹脂によって充填
されている。
【００６７】以上の構成において、駆動素子３５でのＮ
個の駆動素子のそれぞれから半導体レーザアレイ２２へ
と光信号の送信を指示する電気信号が入力されると、半
導体レーザアレイ２２での対応する半導体レーザにおい
て電気信号が光信号へと変換されて、Ｎチャンネルの光
信号が出射される。そして、半導体レーザアレイ２２で
の半導体レーザからの光信号は、光導波路２８と半導体
レーザとの間の光路部分、及び光導波路素子２７の光導
波路２８を介して、フェルール４２内に挿通された光信
号出力用のＮ本の光ファイバ４３のそれぞれへと入射さ
れ、光ファイバ４３から外部へと出力される。また、半
導体レーザから出射される後方光がフォトダイオードア
レイ５２でのＮ個のフォトダイオードのそれぞれによっ
て検出され、半導体レーザアレイ２２の駆動状態がモニ
タされる。
個の駆動素子のそれぞれから半導体レーザアレイ２２へ
と光信号の送信を指示する電気信号が入力されると、半
導体レーザアレイ２２での対応する半導体レーザにおい
て電気信号が光信号へと変換されて、Ｎチャンネルの光
信号が出射される。そして、半導体レーザアレイ２２で
の半導体レーザからの光信号は、光導波路２８と半導体
レーザとの間の光路部分、及び光導波路素子２７の光導
波路２８を介して、フェルール４２内に挿通された光信
号出力用のＮ本の光ファイバ４３のそれぞれへと入射さ
れ、光ファイバ４３から外部へと出力される。また、半
導体レーザから出射される後方光がフォトダイオードア
レイ５２でのＮ個のフォトダイオードのそれぞれによっ
て検出され、半導体レーザアレイ２２の駆動状態がモニ
タされる。
【００６８】本実施形態の光送信モジュールの効果につ
いて説明する。図７、図８に示した光送信モジュール１
Ｃにおいては、表面実装型の構成とするとともに、駆動
素子３５を半導体レーザアレイ２２からみて光伝送路側
（下流側）に配置している。これにより、光送信モジュ
ール１Ｃのサイズを小型化することが可能となる。ま
た、駆動素子３５を半導体レーザアレイ２２の直近に配
置して、半導体レーザアレイ２２での各半導体レーザと
駆動素子３５での対応する駆動素子との間の結線長さを
充分に短くすることができるので、半導体レーザを高速
で駆動させることができる。したがって、高速での光信
号の送信が可能な光送信モジュールが実現される。
いて説明する。図７、図８に示した光送信モジュール１
Ｃにおいては、表面実装型の構成とするとともに、駆動
素子３５を半導体レーザアレイ２２からみて光伝送路側
（下流側）に配置している。これにより、光送信モジュ
ール１Ｃのサイズを小型化することが可能となる。ま
た、駆動素子３５を半導体レーザアレイ２２の直近に配
置して、半導体レーザアレイ２２での各半導体レーザと
駆動素子３５での対応する駆動素子との間の結線長さを
充分に短くすることができるので、半導体レーザを高速
で駆動させることができる。したがって、高速での光信
号の送信が可能な光送信モジュールが実現される。
【００６９】また、本実施形態においては、発光素子と
して、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の半導体レーザが並列
に配置された半導体レーザアレイ２２を用いるととも
に、光伝送路及び駆動素子として、Ｎ個の半導体レーザ
に対応するＮ個の光導波路２８及びＮ個の駆動素子がそ
れぞれ並列に配置された光導波路素子２７及び駆動素子
３５を用いている。これにより、Ｎチャンネル（複数チ
ャンネル）の光信号を単一の光送信モジュール１Ｃから
送信することが可能となり、光信号当たりの光送信モジ
ュールのサイズをさらに小型化することができる。
して、Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の半導体レーザが並列
に配置された半導体レーザアレイ２２を用いるととも
に、光伝送路及び駆動素子として、Ｎ個の半導体レーザ
に対応するＮ個の光導波路２８及びＮ個の駆動素子がそ
れぞれ並列に配置された光導波路素子２７及び駆動素子
３５を用いている。これにより、Ｎチャンネル（複数チ
ャンネル）の光信号を単一の光送信モジュール１Ｃから
送信することが可能となり、光信号当たりの光送信モジ
ュールのサイズをさらに小型化することができる。
【００７０】本発明による光送信モジュールは、上述し
た実施形態及び実施例に限られるものではなく、様々な
変形が可能である。例えば、電気信号を光信号へと変換
する発光素子としては、半導体レーザ以外の素子を用い
ても良い。また、光伝送路についても、平面導波路型の
光導波路及び光ファイバ付フェルール以外のものを用い
ても良く、例えばフェルールなしの光ファイバを用いて
も良い。また、半導体レーザの後方光を検出するモニタ
用のフォトダイオードについては、不要な場合には設け
ない構成としても良い。
た実施形態及び実施例に限られるものではなく、様々な
変形が可能である。例えば、電気信号を光信号へと変換
する発光素子としては、半導体レーザ以外の素子を用い
ても良い。また、光伝送路についても、平面導波路型の
光導波路及び光ファイバ付フェルール以外のものを用い
ても良く、例えばフェルールなしの光ファイバを用いて
も良い。また、半導体レーザの後方光を検出するモニタ
用のフォトダイオードについては、不要な場合には設け
ない構成としても良い。
【００７１】また、Ｎチャンネルの光信号を送信する光
送信モジュールについては、図７及び図８では発光素子
からの光信号を伝送する光伝送路として平面導波路型の
光導波路を用いているが、光伝送路としてＮ本の光ファ
イバを用いた場合でも、同様の構成が可能である。
送信モジュールについては、図７及び図８では発光素子
からの光信号を伝送する光伝送路として平面導波路型の
光導波路を用いているが、光伝送路としてＮ本の光ファ
イバを用いた場合でも、同様の構成が可能である。
【００７２】
【発明の効果】本発明による光送信モジュールは、以上
詳細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、発光素子及び光伝送路が基板上に設置される表面実
装型の構成とするとともに、発光素子を駆動するための
駆動素子を発光素子からみて光伝送路側（下流側）に配
置した光送信モジュールによれば、光伝送路及び発光素
子から離れた位置に駆動素子を設置する必要がなくな
り、モジュールを小型化、低コスト化することが可能と
なる。
詳細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、発光素子及び光伝送路が基板上に設置される表面実
装型の構成とするとともに、発光素子を駆動するための
駆動素子を発光素子からみて光伝送路側（下流側）に配
置した光送信モジュールによれば、光伝送路及び発光素
子から離れた位置に駆動素子を設置する必要がなくな
り、モジュールを小型化、低コスト化することが可能と
なる。
【００７３】また、駆動素子を発光素子の直近に配置す
ることができるので、発光素子と駆動素子との間の結線
長さを充分に短くすることが可能となる。これにより、
発光素子と駆動素子との間の配線でのインピーダンスが
低減され、発光素子を高速で駆動させることができる。
したがって、高速での光信号の送信が可能な光送信モジ
ュールが実現される。
ることができるので、発光素子と駆動素子との間の結線
長さを充分に短くすることが可能となる。これにより、
発光素子と駆動素子との間の配線でのインピーダンスが
低減され、発光素子を高速で駆動させることができる。
したがって、高速での光信号の送信が可能な光送信モジ
ュールが実現される。
【図１】光送信モジュールの第１実施形態の断面構成を
示す側面断面図である。
示す側面断面図である。
【図２】図１に示した光送信モジュールの平面構成を示
す上面図である。
す上面図である。
【図３】図１及び図２に示した光送信モジュールの外観
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図４】光送信モジュールの第２実施形態の断面構成を
示す側面断面図である。
示す側面断面図である。
【図５】図４に示した光送信モジュールの平面構成を示
す上面図である。
す上面図である。
【図６】図４及び図５に示した光送信モジュールの断面
構成を示すＩ−Ｉ矢印断面図である。
構成を示すＩ−Ｉ矢印断面図である。
【図７】光送信モジュールの第３実施形態の断面構成を
示す側面断面図である。
示す側面断面図である。
【図８】図７に示した光送信モジュールの平面構成を示
す上面図である。
す上面図である。
【図９】従来の光送信モジュールの構成の一例を一部破
断して示す側面図である。
断して示す側面図である。
【図１０】従来の光送信モジュールの構成の他の例を示
す側面断面図である。
す側面断面図である。
【図１１】図１０に示した光送信モジュールの平面構成
を示す上面図である。
を示す上面図である。
【図１２】図１０に示した光送信モジュールを配線基板
上に実装した構成を示す斜視図である。
上に実装した構成を示す斜視図である。
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ…光送信モジュール、１０…基板、１
１…リードフレーム、１２…リードピン、１５…モール
ド樹脂、２０…半導体レーザ、２１…電極、２２…半導
体レーザアレイ、２３…電極、２５、２７…平面導波路
型の光導波路素子、２６、２８…光導波路、３０、３５
…駆動素子、３１、３２、３６、３７…電極、３３…サ
ブマウント部材、４０、４２…フェルール、４１、４３
…光ファイバ、５０…モニタ用のフォトダイオード、５
１…電極、５２…モニタ用のフォトダイオードアレイ、
５３…電極。
１…リードフレーム、１２…リードピン、１５…モール
ド樹脂、２０…半導体レーザ、２１…電極、２２…半導
体レーザアレイ、２３…電極、２５、２７…平面導波路
型の光導波路素子、２６、２８…光導波路、３０、３５
…駆動素子、３１、３２、３６、３７…電極、３３…サ
ブマウント部材、４０、４２…フェルール、４１、４３
…光ファイバ、５０…モニタ用のフォトダイオード、５
１…電極、５２…モニタ用のフォトダイオードアレイ、
５３…電極。
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Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA04 BA05 DA03 DA04
DA06 DA12 DA35
5F073 AB15 AB28 BA02 FA02 FA06
FA13 FA21 FA27
5F088 AA01 BA15 BA16 BB01 GA03
JA03 JA06 JA10 JA14
Claims (10)
- 【請求項１】 電気信号を光信号へと変換して送信する
光送信モジュールであって、 基板上に設置され、電気信号を光信号へと変換する発光
素子と、 前記基板上に前記発光素子とともに設置され、前記発光
素子からの前記光信号を伝送して出力する光伝送路と、 前記発光素子からみて前記光伝送路側の所定位置に配置
され、前記発光素子を駆動する駆動素子とを備えること
を特徴とする光送信モジュール。 - 【請求項２】 前記発光素子からみて前記光伝送路とは
反対側の所定位置に、前記発光素子からの後方光を検出
するモニタ用の受光素子が配置されていることを特徴と
する請求項１記載の光送信モジュール。 - 【請求項３】 前記発光素子は、半導体レーザからなる
ことを特徴とする請求項１または２記載の光送信モジュ
ール。 - 【請求項４】 前記光伝送路は、平面導波路型の光導波
路からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一
項記載の光送信モジュール。 - 【請求項５】 前記光伝送路は、光ファイバ、または光
ファイバを挿通した光ファイバ付フェルールからなるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の光送
信モジュール。 - 【請求項６】 前記発光素子として、Ｎ個（Ｎは２以上
の整数）の発光素子を並列に配置するとともに、前記光
伝送路及び前記駆動素子として、前記Ｎ個の発光素子に
対応するＮ個の光伝送路及びＮ個の駆動素子をそれぞれ
並列に配置することを特徴とする請求項１〜５のいずれ
か一項記載の光送信モジュール。 - 【請求項７】 前記駆動素子と前記光伝送路との間に配
置され、前記駆動素子を載置するサブマウント部材を備
えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載
の光送信モジュール。 - 【請求項８】 前記駆動素子を外部へと接続するための
電気的接続手段として、金属製のリードフレームを備え
ることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の
光送信モジュール。 - 【請求項９】 前記発光素子、前記光伝送路、及び前記
光信号が通過する所定の光路部分が、透明樹脂によって
充填されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれ
か一項記載の光送信モジュール。 - 【請求項１０】 前記基板、前記発光素子、前記光伝送
路、及び前記駆動素子を含む全体が、樹脂モールドされ
ていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項記
載の光送信モジュール。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005215678A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 両方向光送受信モジュール及びこれを用いた両方向光送受信パッケージ |
| JP4951971B2 (ja) * | 2004-01-21 | 2012-06-13 | 日本電気株式会社 | 光電気複合モジュール |
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Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
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| US8288942B2 (en) * | 2004-12-28 | 2012-10-16 | Cree, Inc. | High efficacy white LED |
| US8901719B2 (en) * | 2009-05-08 | 2014-12-02 | Optis Cellular Technology, Llc | Transition from a chip to a waveguide port |
| US9059329B2 (en) * | 2011-08-22 | 2015-06-16 | Monolithic Power Systems, Inc. | Power device with integrated Schottky diode and method for making the same |
| US9698564B1 (en) * | 2016-02-09 | 2017-07-04 | Oracle International Corporation | Hybrid integrated MCM with waveguide-fiber connector |
| DE102017104108B4 (de) * | 2017-02-28 | 2023-12-21 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauelement mit laserdiode |
| DE102017105235B4 (de) * | 2017-03-13 | 2022-06-02 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bauelement mit Verstärkungsschicht und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
| US20220179050A1 (en) * | 2020-12-08 | 2022-06-09 | Beijing Voyager Technology Co., Ltd. | Integrated transmitter and receiver module for lidar system |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0773591A3 (en) * | 1995-11-13 | 1998-09-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting/detecting module |
| JP3416942B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2003-06-16 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュールおよび光モジュール用リードフレーム |
| JPH11109184A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Kyocera Corp | 光デバイス実装用基板及び光モジュール |
| KR100489147B1 (ko) | 1998-08-05 | 2005-05-17 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 광 모듈 |
| US6301401B1 (en) * | 1999-04-02 | 2001-10-09 | Convergence Technologies, Ltd. | Electro-optical package for reducing parasitic effects |
| US6540412B2 (en) * | 2000-02-10 | 2003-04-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical transceiver |
| JP2001324649A (ja) | 2000-03-09 | 2001-11-22 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 大口径光ファイバ用のアクティブ光コネクタ |
| JP3689615B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | 立体形状を有する光電融合デバイス |
| JP2002162527A (ja) | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光デバイスおよびその光デバイス用半製品 |
| US6635971B2 (en) * | 2001-01-11 | 2003-10-21 | Hitachi, Ltd. | Electronic device and optical transmission module |
| JP3822080B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2006-09-13 | 富士通株式会社 | レセプタクル型光モジュール及びその生産方法 |
-
2002
- 2002-02-14 JP JP2002037272A patent/JP3890999B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-24 US US10/350,681 patent/US7217957B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4951971B2 (ja) * | 2004-01-21 | 2012-06-13 | 日本電気株式会社 | 光電気複合モジュール |
| JP2005215678A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 両方向光送受信モジュール及びこれを用いた両方向光送受信パッケージ |
| JP2020174166A (ja) * | 2019-04-15 | 2020-10-22 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光装置、光学装置および情報処理装置 |
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