JP2009092690A - 光モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】光導波路のチャンネル間のコアの間隔を小さくすることができるとともに、光結合部におけるクロストークを低減することができる光モジュールを提供する。
【解決手段】基板1には、VCSEL20A〜20Dからなる発光素子アレイ2とPD30A〜30Dからなる受光素子アレイ30がギャップgを有し、VCSEL20A〜20DとPD30A〜30Dが平行になるように実装されており、VCSEL20A〜20D及びPD30A〜30Dには、光導波路7の発光側のミラーと受光側のミラーとが光結合されている。発光側のミラーと受光側のミラーとは、VCSEL20A〜20DとPD30A〜30Dとの間のギャップgに等しいギャップGを有するように配置されている。これにより、光結合部におけるクロストークを低減することができる。
【選択図】図2

Description

本発明は、光モジュールに関する。
一般に、電子機器は複数の装置から構成される場合が多い。例えば複写機は、画像入力装置と画像出力装置から成り、画像入力装置から入力された画像データはエレキケーブルを介して画像出力装置に送られ、紙等の表示媒体に印刷される。
近年、電子機器の高性能化に伴い、装置間の伝送容量が増大している。従来のパラレル伝送方式で大容量化に対応する為には、チャンネル数の増加や同期クロックの高速化が考えられる。しかし、配線長の違いやタイミングマージンの減少によるチャンネル間スキューによってエラーが発生しやすくなる。そこで、上記の問題を解決する為にデータ信号を1本の伝送路で送るシリアル伝送方式が注目されている。
しかしながら、シリアル伝送では伝送速度が上昇するため、従来のエレキケーブルでは信号品質を維持した状態で信号伝送を実現することが困難になっている。このような問題に対応する手段として、広帯域な信号伝送が可能な光信号の使用が検討されている。
一方で装置内信号伝送においても、例えば、非特許文献1に示すように、両端に光路変換面を有する光導波路が内蔵されたプリント配線板を有し、サブマウントの下面に発光素子が実装され、上面にドライバが実装された発光側光デバイスを、発光素子が一方の光路変換面の直上に位置するように半田ボールによってプリント配線板上に電気的に接続し、サブマウントの下面に受光素子が実装され、上面にレシーバが実装された受光側光デバイスを、受光素子が他方の光路変換面の直上に位置するように半田ボールによってプリント配線板上に電気的に接続した構造が知られている。
エレクトロニクス実装学会誌Vol.8 No.1(2005)、p29〜32
本発明の目的は、光導波路のチャンネル間のコアの間隔を小さくすることができるとともに、光結合部におけるクロストークを低減することができる光モジュールを提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、以下の光モジュールを提供する。
[1]発光又は受光を行う複数の光素子からなる光素子アレイと、それぞれの一端に光路変換部が設けられ、かつ前記複数の光路変換部を前記複数の光素子に光結合させた複数のコアがクラッド中に所定間隔で設けられているとともに、前記複数のコアに設けられる複数の前記光路変換部が前記コアの形成方向に対して前記複数の光素子の配置に応じた所定の角度を有するように配置されている光導波路と、を備えていることを特徴とする光モジュール。
[2]複数の発光素子からなる発光素子アレイと、複数の受光素子からなる受光素子アレイと、それぞれの一端に光路変換部が設けられ、かつ前記複数の光路変換部を前記複数の発光素子及び前記複数の受光素子に光結合させた複数のコアがクラッド中に所定間隔で設けられている光導波路と、を備え、前記受光素子アレイは、前記複数の受光素子が前記発光素子アレイの前記複数の発光素子と同ピッチで配置されるように配置されるとともに、前記複数の受光素子が前記発光素子アレイの前記複数の発光素子と平行に配置されるように前記コアの形成方向に対して素子間ピッチより大なるギャップを有してオフセットされていることを特徴とする光モジュール。
[3]前記発光素子アレイ及び前記受光素子アレイは、素子搭載方向が逆方向となるように配置されることを特徴とする前記[2]に記載の光モジュール。
[4]複数の発光素子からなる発光素子アレイと、複数の受光素子からなる受光素子アレイと、それぞれの一端に光路変換部が設けられ、かつ前記複数の光路変換部を前記複数の発光素子及び前記複数の受光素子に光結合させた複数のコアがクラッド中に所定間隔で設けられている光導波路と、を備え、前記発光素子アレイ及び前記受光素子アレイは、前記複数の受光素子と前記複数の発光素子が素子間ピッチより大なるギャップを有して配置されるとともに、前記コアの形成方向に対して所定の角度を有するように対向配置され、前記複数の光路変換部は、前記発光素子アレイ及び前記受光素子アレイの配置に合わせて前記コアに設けられていることを特徴とする光モジュール。
[5]前記光導波路は、前記所定の角度が前記発光素子アレイと前記受光素子アレイとで同一角度になるように前記複数の光路変換部を配置していることを特徴とする前記[4]に記載の光モジュール。
[6]前記発光素子アレイ及び前記受光素子アレイは、素子配列方向が直交するように配置され、前記光導波路は、前記素子配列方向に応じて複数の光路変換部が設けられたコアを有することを特徴とする前記[4]に記載の光モジュール。
[7]前記光導波路は、アレイ状デバイスを搭載する実装基板に内蔵されていることを特徴とする前記[1],[2],又は[4]に記載の光モジュール。
請求項1の光モジュールによれば、光導波路のチャンネル間におけるコアの間隔を小さくすることができるとともに、光結合部におけるクロストークを低減することができる。
請求項2の光モジュールによれば、請求項1の効果に加え、発光部と受光部との間のクロストークを低減することができる。
請求項3の光モジュールによれば、発光素子アレイ及び受光素子アレイに接続される電子部品等との接続を容易にすることができる。
請求項4の光モジュールによれば、請求項1の効果に加え、発光部と受光部との間のクロストークを低減することができる。
請求項5の光モジュールによれば、チャンネル間のピッチを狭くすることができる。
請求項6の光モジュールによれば、チャンネル間のピッチを狭くすることができる。
請求項7の光モジュールによれば、全体の厚みを小さくすることができる。
[第1の実施の形態]
(光モジュールの構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光モジュールを示し、(a)は側面図、(b)は光導波路の部分拡大図である。図2は、図1の光モジュールの平面図、図3は、図1における光導波路の平面図である。
光モジュール100は、4チャンネルの電気信号を光信号に変換して同時に送信し、また、4チャンネルの光信号を同時に受光して光信号を電気信号に変換する構成を有している。なお、本実施の形態においては、チャンネル数を4としたが、任意のチャンネル数にすることができる。これは、以下の他の実施の形態においても同様である。
光モジュール100は、図1(a),図1(b),及び図2に示すように、光素子を実装する実装基板としての基板1と、基板1に実装された発光素子アレイ2と、発光素子アレイ2に対して受発光部のギャップgを有して基板1に実装された受光素子アレイ3と、発光素子アレイ2に電気的に接続されて基板1に実装された駆動用IC4と、受光素子アレイ3に電気的に接続されて基板1に実装された増幅用IC5と、基板1に実装されたスペーサ6と、スペーサ6上に固定されるとともに一端に光路変換部としての45度の傾斜面に形成されるミラー74A〜74D,75A〜75Dを有した光導波路7とを備えて構成されている。
基板1は、例えば、エポキシ樹脂からなり、発光素子アレイ2,受光素子アレイ3,駆動用IC4、及び増幅用IC5に接続される電極パッド11A,11B,11C,11Dを備えている。
(発光素子アレイ2の構成)
発光素子アレイ2は、例えば、4チャンネルの変調光を生成する4つのVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser:垂直共振型面発光レーザ)20A,20B,20C,20Dを用いて構成されている。本実施形態において発光素子アレイ2は、図2に示すように、駆動用IC4との接続が容易になるように、受光素子アレイ3に対し、素子搭載方向が逆方向となるように配置されている。ここで、素子搭載方向とは、光素子アレイからボンディングワイヤを取り出している方向をいい、本実施形態では、発光素子アレイ2と受光素子アレイ3とで180度異なる向きとなっている。
VCSEL20A〜20Dは、例えば、裏面にn側電極を有するn型GaAs基板上に、n型下部反射鏡層、活性層、電流狭窄層、p型上部反射鏡層、p型コンタクト層、p側電極を積層した層構造の発光部を備えている。なお、p側電極は、ボンディングワイヤ(信号線)2aによって基板1の電極パッド11Bに接続されている。
(受光素子アレイ3の構成)
受光素子アレイ3は、例えば、4チャンネルの光−電気変換を行う4つのフォトダイオード(PD)30A,30B,30C,30Dを受光素子に用いて構成されており、特に、PD30A〜30DにGaAs系を用いると、高速応答性が得られるので好ましい。
なお、受光素子アレイ3は、図2に示すように、VCSEL20A〜20D及びPD30A〜30Dの隣接する方向を整列方向とする各素子間のピッチをpとするとき、VCSEL20A〜20DとPD30A〜30Dのギャップgが、g>pとなるように実装される。
PD30A〜30Dは、例えば、GaAs基板上に、PIN接合されたP層、I層およびN層と、P層に接続されたp側電極と、N層に形成されたn側電極とを備え、p側電極は、開口を有し、開口の内側がレーザ光を受光する受光部となっている。受光素子アレイ3のp側電極及びn側電極は、ボンディングワイヤ(信号線)3aによって基板1の電極パッド11Cに接続されている。
(駆動用IC4、増幅用IC5及びスペーサ6の構成)
駆動用IC4は、送信用データに基づいて発光素子アレイ2を電流駆動するための駆動回路から構成されており、本実施形態においては、駆動用IC4にフラットパッケージ(FP)型の表面実装型パッケージを用いている。
増幅用IC5は、例えば、受光素子アレイ3の電流変化を電圧変化に変換するトランスインピーダンスアンプ(TIA)及びTIAの出力電圧を一定の出力電圧スイングになるように増幅して出力するリミッティングアンプ(LA)(いずれも図示せず)を4チャンネル分備えて構成された増幅回路である。本実施形態においては、増幅用IC5にフラットパッケージ(FP)型の表面実装型パッケージを用いている。
スペーサ6は、発光素子アレイ2及び受光素子アレイ3と光導波路7との光結合距離が保持されるように光導波路7を位置決め及び固定するもので、例えば、エポキシ樹脂基板、Si基板等の絶縁性材料で形成されている。このスペーサ6は、光導波路7と接着剤を用いて接着されているが、嵌合等の他の支持接合構造によって位置決め固定することもできる。
(光導波路7の構成)
光導波路7は、図3に示すように、送信用の光信号を伝搬する4チャンネルのコア71A〜71Dと、受信用の光信号を伝搬する4チャンネルのコア72A〜72Dと、コア71A〜71D,72A〜72Dを囲むようにして設けられたクラッド73とを備えて構成されている。
コア71A〜71D,72A〜72Dは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等からなる。また、クラッド73は、コア71A〜71D,72A〜72Dよりも屈折率が小さく、かつ光透過性等の光学的特性、機械的強度、耐熱性、可撓性等を備えたフィルム材を用いることができる。このフィルム材として、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、オレフィン系樹脂、塩化ビニル系樹脂等がある。
コア71A〜71D,72A〜72Dの一端(先端)は、図1(b)に示すように、45度の傾斜面7aを有するように形成されるとともに、傾斜面7aにミラー74A〜74D,75A〜75Dが設けられている。ミラー74A〜74D,75A〜75Dは、例えば、コア71A〜71D,72A〜72Dの一端をレーザビームで除去して45度の傾斜面7aを形成し、その表面にAu膜等を電子ビームで蒸着することにより設けられている。また、精密金型を用いて設けることも可能である。なお、図3に示すように、ミラー74A〜74Dとミラー75A〜75DのギャップGは、VCSEL20A〜20DとPD30A〜30Dとの間のギャップgと等しくなるように形成されている。
(光モジュール100の動作)
次に、光モジュール100の動作について説明する。駆動用IC4に送信信号が入力すると、送信信号に応じた変調信号が発光素子アレイ2に印加され、VCSEL20A〜20Dに駆動電流が流れる。VCSEL20A〜20Dは、駆動電流に応じて発光し、その出力光は、光導波路7のコア71A〜71Dに設けられているミラー74A〜74Dに入射する。
ミラー74A〜74Dに入射した光信号は、ミラー74A〜74Dで反射して光路変換されることによりコア71A〜71D内に入射する。コア71A〜71Dに入射した光信号は、コア71A〜71D内を図3の右方向へ伝搬し、コア71A〜71Dの端部に達した後、図示しない他の光モジュールへ伝送される。
一方、光導波路7のコア72A〜72Dに光信号が入射すると、コア72A〜72D内を図3の右方向から左方向へ伝搬し、ミラー75A〜75Dに入射する。ミラー75A〜75Dに入射した光信号は、ミラー75A〜75Dで反射して光路変換された後、PD30A〜30Dに入射する。
PD30A〜30Dは、入射した光信号を電流に変換する。このPD30A〜30Dからの電気出力は、増幅用IC5によって電流から電圧に変換されることにより、電気信号が得られ、更に所定の増幅が行われた後、図示しない画像処理用のICに送られる。
なお、第1の実施の形態において説明した、発光素子アレイ2及び受光素子アレイ3の配置は一例であり、発光素子アレイ2と受光素子アレイ3とを入れ代えて基板1上に実装してもよい。
[第2の実施の形態]
図4は、本発明の第2の実施の形態に係る光モジュールの正面図、図5は、図4の光モジュールの平面図、図6は、図4における光導波路の平面図である。なお、図4〜図6においては、受光側の構成を不図示としている。
本実施形態は、第1の実施の形態において、発光素子アレイ2のVCSEL20A〜20Dを、光導波路7のコア71A〜71Dの形成方向に対して所定の角度(例えば、45度)θを有するように配置したものであり、その他の構成は第1の実施の形態と同様である。
図5に示すように、VCSEL20A〜20Dを、光導波路7の端面に対して角度θ、コア71A〜71D,72A〜72Dの形成方向に対して角度αを有するように配置している。光導波路7のコア71A〜71Dのピッチpは、VCSEL20A〜20DのピッチPに対し、p=Pcosθとなる。すなわち、コア71A〜71DのピッチpはVCSEL20A〜20DのピッチPより狭くなる。
第2の実施の形態において、発光素子アレイ2を受光素子アレイ3に置き代えた構成とすることも可能である。また、図5に示す構成にさらに受光素子アレイ3及び対応するコアを追加することも可能である。また、発光素子アレイ2が複数からなる構成も可能である。
[第3の実施の形態]
図7は、本発明の第3の実施の形態に係る光モジュールの構成を示す平面図、図8は、第3の実施の形態に係る光モジュールにおける光導波路の平面図である。
本実施形態は、第1の実施の形態において、発光素子アレイ2及び受光素子アレイ3を、第2の実施の形態と同様に、光導波路7のコア71A〜71D,72A〜72Dの端面に対しては角度θ、コア71A〜71D,72A〜72Dの形成方向に対しては角度αを持つように配置したものである。なお、図7においては第1の実施の形態で説明したスペーサを不図示としている。同様に、光導波路7は、コア71A〜71D及びコア72A〜72Dのそれぞれの端面が、光導波路7の端面7bに対して角度θで配列されるようにミラー74A〜74D,75A〜75Dが設けられ、図6に示した第2の実施の形態の光導波路7を2つ平行配置した構成になっている。
駆動用IC4と増幅用IC5は、図7に示すように、発光素子アレイ2及び受光素子アレイ3の実装位置より外側に配置して発光素子アレイ2と受光素子アレイ3を近接させ、図8に示すミラー74A〜74D,75A〜75Dが光導波路7の端部に集まるようにしている。
[第4の実施の形態]
図9は、本発明の第4の実施の形態に係る光モジュールの構成を示す平面図、図10は、第4の実施の形態に係る光モジュールにおける光導波路の平面図である。
本実施形態は、第3の実施の形態において、受光素子アレイ3のPD30A〜30Dが発光素子アレイ2のVCSEL20A〜20Dの整列方向に対して直交方向に配列されるように、受光素子アレイ3を90度回転した状態で実装されている。光導波路7のミラー74A〜74D,75A〜75Dは、発光素子アレイ2および受光素子アレイ3の配置に応じて設けられている。その他の構成は第3の実施の形態と同様である。
ここで、PD30A〜30Dは、光導波路7のコア71A〜71D,72A〜72Dが等ピッチになるように、VCSEL20A〜20Dと同様にピッチPになるように、受光素子アレイ3を配置している。
なお、第4の実施の形態において、光導波路7のミラー74A〜74D,75A〜75DをV字形に配列した構成にしてもよい。この場合、図9に示すVCSEL20A〜20DとPD30A〜30Dとによる形状がV字形になるように発光素子アレイ2と受光素子アレイ3を配置する。
[第5の実施の形態]
図11は、本発明の第5の実施の形態に係る光モジュールを示す断面図である。
本実施形態は、第1の実施の形態において、光導波路7を基板1内に設けるとともにスペーサ6を除去し、更に発光素子アレイ2を基板内光配線用にフェイスダウン実装したものであり、その他の構成は第1の実施の形態と同様である。なお、第5の実施の形態は、第2〜第4の実施の形態にも適用可能である。
光モジュール100は、光導波路7を内蔵した基板1と、基板1上に実装された発光部200とを備えて構成されている。
基板1は、絶縁層1aと、絶縁層1a上に設けられるとともに、光導波路7を形成する材料となるクラッド部70と、クラッド部70より屈折率が大であるコア部71と、光導波路7の上面に設けられるとともに電極パッド12A,12Bが設けられている配線層1bとを備えて構成されている。
本実施形態における光導波路7は、第1の実施の形態で説明したものと同様に、クラッド部70にコア71A〜71Dが設けられ、これらコア71A〜71Dの一端に形成された傾斜面7aにミラー74A〜74Dが形成されている。傾斜面7aおよびミラー74A〜74Dの部分は、クラッド部70と同等の屈折率を有する透光性樹脂材料で埋められている。
発光部200は、裏面に電極パッド202A,202Bを有した配線基板201と、電極パッド202A,202Bに実装されたはんだボール203と、配線基板201の裏面に実装された発光素子アレイ2と、配線基板201の表面に実装された駆動用IC4とを備えて構成されている。
[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、第1、第3、第4の実施の形態において、発光側又は受光側の一方のみによる構成も可能である。
なお、上記した各実施形態において、基板1は、光送信用の4チャンネルのコア74A〜74Dの他に,光受信用の4チャンネルのコア75A〜75Dを有していてもよく、更に、電気信号伝送用の電気配線層を多層化したものであってもよい。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光モジュールを示し、(a)は側面図、(b)は光導波路の部分拡大図である。 図2は、図1の光モジュールの平面図である。 図3は、図1における光導波路の平面図である。 図4は、本発明の第2の実施の形態に係る光モジュールの正面図である。 図5は、図4の光モジュールの平面図である。 図6は、図4における光導波路の平面図である。 図7は、本発明の第3の実施の形態に係る光モジュールの構成を示す平面図である。 図8は、第3の実施の形態に係る光モジュールにおける光導波路の平面図である。 図9は、本発明の第4の実施の形態に係る光モジュールの構成を示す平面図である。 図10は、第4の実施の形態に係る光モジュールにおける光導波路の平面図である。 図11は、本発明の第5の実施の形態に係る光モジュールを示す断面図である。
符号の説明
1 基板
1a 絶縁層
1b 配線層
2 発光素子アレイ
2a ボンディングワイヤ
3 受光素子アレイ
3a ボンディングワイヤ
4 駆動用IC
5 増幅用IC
6 スペーサ
7 光導波路
7a 傾斜面
7b 端面
11A〜11D,12A,12B,202A,202B 電極パッド
20A〜20D VCSEL
30A〜30D PD
70 クラッド部
71 コア部
71A〜71D,72A〜72D コア
73 クラッド
74A〜74D,75A〜75D ミラー
100 光モジュール
200 発光部
201 配線基板
203 はんだボール

Claims (7)

  1. 発光又は受光を行う複数の光素子からなる光素子アレイと、
    それぞれの一端に光路変換部が設けられ、かつ前記複数の光路変換部を前記複数の光素子に光結合させた複数のコアがクラッド中に所定間隔で設けられているとともに、前記複数のコアに設けられる複数の前記光路変換部が前記コアの形成方向に対して前記複数の光素子の配置に応じた所定の角度を有するように配置されている光導波路と、
    を備えていることを特徴とする光モジュール。
  2. 複数の発光素子からなる発光素子アレイと、
    複数の受光素子からなる受光素子アレイと、
    それぞれの一端に光路変換部が設けられ、かつ前記複数の光路変換部を前記複数の発光素子及び前記複数の受光素子に光結合させた複数のコアがクラッド中に所定間隔で設けられている光導波路と、を備え、
    前記受光素子アレイは、前記複数の受光素子が前記発光素子アレイの前記複数の発光素子と同ピッチで配置されるように配置されるとともに、前記複数の受光素子が前記発光素子アレイの前記複数の発光素子と平行に配置されるように前記コアの形成方向に対して素子間ピッチより大なるギャップを有してオフセットされていることを特徴とする光モジュール。
  3. 前記発光素子アレイ及び前記受光素子アレイは、素子搭載方向が逆方向となるように配置されることを特徴とする請求項2に記載の光モジュール。
  4. 複数の発光素子からなる発光素子アレイと、
    複数の受光素子からなる受光素子アレイと、
    それぞれの一端に光路変換部が設けられ、かつ前記複数の光路変換部を前記複数の発光素子及び前記複数の受光素子に光結合させた複数のコアがクラッド中に所定間隔で設けられている光導波路と、を備え、
    前記発光素子アレイ及び前記受光素子アレイは、前記複数の受光素子と前記複数の発光素子が素子間ピッチより大なるギャップを有して配置されるとともに、前記コアの形成方向に対して所定の角度を有するように対向配置され、前記複数の光路変換部は、前記発光素子アレイ及び前記受光素子アレイの配置に合わせて前記コアに設けられていることを特徴とする光モジュール。
  5. 前記光導波路は、前記所定の角度が前記発光素子アレイと前記受光素子アレイとで同一角度になるように前記複数の光路変換部を配置していることを特徴とする請求項4に記載の光モジュール。
  6. 前記発光素子アレイ及び前記受光素子アレイは、素子配列方向が直交するように配置され、
    前記光導波路は、前記素子配列方向に応じて複数の光路変換部が設けられたコアを有することを特徴とする請求項4に記載の光モジュール。
  7. 前記光導波路は、アレイ状デバイスを搭載する実装基板に内蔵されていることを特徴とする請求項1,2又は4に記載の光モジュール。
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