JP2000323791A - 垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法 - Google Patents
垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法Info
- Publication number
- JP2000323791A JP2000323791A JP11318214A JP31821499A JP2000323791A JP 2000323791 A JP2000323791 A JP 2000323791A JP 11318214 A JP11318214 A JP 11318214A JP 31821499 A JP31821499 A JP 31821499A JP 2000323791 A JP2000323791 A JP 2000323791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vcsel
- assembly
- monitor chip
- monitor
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
Abstract
(57)【要約】
【課題】 垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と
モニターとからなり、広帯域幅用に利用可能で、寄生容
量が少なく、低コストのデバイスを提供すること。 【解決手段】 寄生容量が低減されたＶＣＳＥＬとモニ
ター用ダイオードとの組合わせからなり、広帯域幅の通
信システムに利用可能である。ＶＣＳＥＬは、同一面に
ｐ型とｎ型のコンタクトを有する。これにより、金属コ
ンタクト層を用いることなく、ＶＣＳＥＬをモニター用
のチップ又はダイオードの上に実装できる。ＶＣＳＥＬ
に比べ小さい金属パッドを用いて、ＶＣＳＥＬをモニタ
ーチップにハンダ付けした実施例では、十分な強度でＶ
ＣＳＥＬを接合できた。金属部分を減らすことにより、
寄生容量が低減され、ポテンシャル動作速度が向上し
た。
モニターとからなり、広帯域幅用に利用可能で、寄生容
量が少なく、低コストのデバイスを提供すること。 【解決手段】 寄生容量が低減されたＶＣＳＥＬとモニ
ター用ダイオードとの組合わせからなり、広帯域幅の通
信システムに利用可能である。ＶＣＳＥＬは、同一面に
ｐ型とｎ型のコンタクトを有する。これにより、金属コ
ンタクト層を用いることなく、ＶＣＳＥＬをモニター用
のチップ又はダイオードの上に実装できる。ＶＣＳＥＬ
に比べ小さい金属パッドを用いて、ＶＣＳＥＬをモニタ
ーチップにハンダ付けした実施例では、十分な強度でＶ
ＣＳＥＬを接合できた。金属部分を減らすことにより、
寄生容量が低減され、ポテンシャル動作速度が向上し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、出力モニター用デ
バイスと組合わせた垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳ
ＥＬ）に係り、さらに詳しくは、広帯域幅用のＶＣＳＥ
Ｌと出力モニター用デバイスとの組合わせに関する。
バイスと組合わせた垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳ
ＥＬ）に係り、さらに詳しくは、広帯域幅用のＶＣＳＥ
Ｌと出力モニター用デバイスとの組合わせに関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ、特に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物等を
用いた半導体レーザは、デジタル通信システムの送信機
として広く使用されている。このタイプのレーザは、デ
バイスへの電気入力に応じてレーザの光出力が調節され
るような光ファイバーシステムに好適である。調節され
た光信号は、既設の光ファイバーを用いた送信システム
を利用して長距離を伝送させることが可能である
用いた半導体レーザは、デジタル通信システムの送信機
として広く使用されている。このタイプのレーザは、デ
バイスへの電気入力に応じてレーザの光出力が調節され
るような光ファイバーシステムに好適である。調節され
た光信号は、既設の光ファイバーを用いた送信システム
を利用して長距離を伝送させることが可能である
【０００３】上記の分野には、当初、デバイスの壁開し
た端部がファブリ・ぺローキャビティの反射面となる端
発光レーザが用いられていた。しかし、端発光レーザ
は、小さな直径の光ファイバーに正確にカップリングす
るためのアセンブリー前の試験と実装技術が十分と言え
るものではなかった。
た端部がファブリ・ぺローキャビティの反射面となる端
発光レーザが用いられていた。しかし、端発光レーザ
は、小さな直径の光ファイバーに正確にカップリングす
るためのアセンブリー前の試験と実装技術が十分と言え
るものではなかった。
【０００４】面発光レーザと、特に、垂直共振器型面発
光レーザ（ＶＣＳＥＬｓ）とが近年開発され、光ファイ
バー通信の分野に用いられる端発光デバイスに進歩をも
たらしている。ＶＣＳＥＬは、ブラッグミラーのような
２つの反射層の間に挟まれた活性領域を有し、レーザデ
バイスの２つの主面の一方に対して垂直方向に発光す
る。そのようなデバイスは、ブラッグミラーの一方には
第１導電型、例えばｎ型の材料を、そして、ブラッグミ
ラーの他方には第２導電型、例えばｐ型の材料を有して
いる。中間の活性領域又は中間層は、各ブラッグミラー
に隣接するクラッド層を含んでも良い。ブラッグミラー
は、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料層が交互に積層され、各
層は異なる反射特性を有している。各層は、活性材料の
発光波長の１／４の波長に対応する厚みを有している。
光レーザ（ＶＣＳＥＬｓ）とが近年開発され、光ファイ
バー通信の分野に用いられる端発光デバイスに進歩をも
たらしている。ＶＣＳＥＬは、ブラッグミラーのような
２つの反射層の間に挟まれた活性領域を有し、レーザデ
バイスの２つの主面の一方に対して垂直方向に発光す
る。そのようなデバイスは、ブラッグミラーの一方には
第１導電型、例えばｎ型の材料を、そして、ブラッグミ
ラーの他方には第２導電型、例えばｐ型の材料を有して
いる。中間の活性領域又は中間層は、各ブラッグミラー
に隣接するクラッド層を含んでも良い。ブラッグミラー
は、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料層が交互に積層され、各
層は異なる反射特性を有している。各層は、活性材料の
発光波長の１／４の波長に対応する厚みを有している。
【０００５】この構造、特に上面発光ＶＣＳＥＬｓで
は、デバイスの裏面又は底面が実装する基材に取付けら
れ、レーザ光はデバイスの上面又は前面から出力され
る。発光用開口部は、デバイスコンタクトの一つにより
決められ、光ファイバーに配向可能に形状が決められ
る。そのようなデバイスは既に確立されたプロセス技術
により作製可能で、そして、容易に光送信器ユニットへ
組込むことができる信頼性の高いレーザを提供できる。
は、デバイスの裏面又は底面が実装する基材に取付けら
れ、レーザ光はデバイスの上面又は前面から出力され
る。発光用開口部は、デバイスコンタクトの一つにより
決められ、光ファイバーに配向可能に形状が決められ
る。そのようなデバイスは既に確立されたプロセス技術
により作製可能で、そして、容易に光送信器ユニットへ
組込むことができる信頼性の高いレーザを提供できる。
【０００６】ＶＣＳＥＬｓのみならず半導体レーザの特
性として、一般的に、各デバイス間の電気特性と光学特
性が僅かに変化する。光出力をレーザ発振中の注入電流
の関数として表すと、注入電流の増加とともに、急勾配
を示して光出力が増加し、動作環境におけるわずかな変
化が大きな出力の変化をもたらす。この理由により、通
常、ＶＣＳＥＬｓにはモニター用ダイオードやモニター
チップが設けられ、モニターチップは光出力の大部分を
受光できるように配置されている。このモニター用出力
により、各レーザデバイスの較正が可能となり、又は、
そのモニター用出力をレーザの光出力を制御するための
フィードバックモードに用いることができる。スタンダ
ードエイジェンシーにより決められている「目の保護」
の規則により予め定められた範囲内にレーザの光出力が
入っていることの保証が、制御には要求される。通常、
モニター用ダイオードには、レーザの出力波長に概ね合
った感度曲線を持つＰＩＮデバイスのようなフォトトラ
ンジスタを用いることができる。
性として、一般的に、各デバイス間の電気特性と光学特
性が僅かに変化する。光出力をレーザ発振中の注入電流
の関数として表すと、注入電流の増加とともに、急勾配
を示して光出力が増加し、動作環境におけるわずかな変
化が大きな出力の変化をもたらす。この理由により、通
常、ＶＣＳＥＬｓにはモニター用ダイオードやモニター
チップが設けられ、モニターチップは光出力の大部分を
受光できるように配置されている。このモニター用出力
により、各レーザデバイスの較正が可能となり、又は、
そのモニター用出力をレーザの光出力を制御するための
フィードバックモードに用いることができる。スタンダ
ードエイジェンシーにより決められている「目の保護」
の規則により予め定められた範囲内にレーザの光出力が
入っていることの保証が、制御には要求される。通常、
モニター用ダイオードには、レーザの出力波長に概ね合
った感度曲線を持つＰＩＮデバイスのようなフォトトラ
ンジスタを用いることができる。
【０００７】レーザとモニターとの組合わせは、絶縁さ
れたコネクターリードを備えた実装用基材とシールされ
た蓋とを有するＴＯ−４６缶のような特別にデザインさ
れたパッケージの中によく実装される。その蓋は、ガラ
ス又は他の適当な透明材料からなる窓を上面の中央に有
し、その窓はレーザデバイスの発光用開口部に位置合わ
せされている。そのような組合わせの一例は、１９９８
年９月２２日にGillilandらに特許されている米国特許
第５,８１２,５８２号の公報に開示されている。第５,
８１２,５８２号公報には、ＴＯ−４６缶又はそれに類
似したものの中に配置された絶縁された基材の上にフォ
トダイオードが実装されていることが開示されている。
フォトダイオードの上面の大部分は金属層又はメタルマ
スクにより覆われている。ＶＣＳＥＬはそのメタルマス
クにハンダ又は導電性エポキシ樹脂により電気的に接合
されている。そして、ＶＣＳＥＬへのコンタクトの内の
一つ、即ち、裏面のコンタクトはマスクとの接触により
確保されている。上面又は発光面のコンタクトは、ＴＯ
−４６缶の中の分離されたコネクターの一つにワイヤボ
ンディングすることにより確保されている。
れたコネクターリードを備えた実装用基材とシールされ
た蓋とを有するＴＯ−４６缶のような特別にデザインさ
れたパッケージの中によく実装される。その蓋は、ガラ
ス又は他の適当な透明材料からなる窓を上面の中央に有
し、その窓はレーザデバイスの発光用開口部に位置合わ
せされている。そのような組合わせの一例は、１９９８
年９月２２日にGillilandらに特許されている米国特許
第５,８１２,５８２号の公報に開示されている。第５,
８１２,５８２号公報には、ＴＯ−４６缶又はそれに類
似したものの中に配置された絶縁された基材の上にフォ
トダイオードが実装されていることが開示されている。
フォトダイオードの上面の大部分は金属層又はメタルマ
スクにより覆われている。ＶＣＳＥＬはそのメタルマス
クにハンダ又は導電性エポキシ樹脂により電気的に接合
されている。そして、ＶＣＳＥＬへのコンタクトの内の
一つ、即ち、裏面のコンタクトはマスクとの接触により
確保されている。上面又は発光面のコンタクトは、ＴＯ
−４６缶の中の分離されたコネクターの一つにワイヤボ
ンディングすることにより確保されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】現在の光ファイバーの
帯域幅は、現在の通信システムに使用されている帯域幅
を大きくオーバーしている。したがって、光ファイバー
の能力をより有効に使うためには、通信システムのデー
タ速度を大きくする絶えざる努力が必要である。レーザ
送信機は、完全な通信システムの重要な一面を示してお
り、レーザのスイッチング速度をできるだけ大きくする
ことが重要となっている。高速デバイスのスイッチング
速度に影響を与える要因の一つは、ＶＣＳＥＬ、モニタ
ーチップそして実装時の配置による寄生容量である。
帯域幅は、現在の通信システムに使用されている帯域幅
を大きくオーバーしている。したがって、光ファイバー
の能力をより有効に使うためには、通信システムのデー
タ速度を大きくする絶えざる努力が必要である。レーザ
送信機は、完全な通信システムの重要な一面を示してお
り、レーザのスイッチング速度をできるだけ大きくする
ことが重要となっている。高速デバイスのスイッチング
速度に影響を与える要因の一つは、ＶＣＳＥＬ、モニタ
ーチップそして実装時の配置による寄生容量である。
【０００９】さらに検討すべき重要な問題としては、も
ちろん、光送信機又はレーザ／モニターのアセンブリー
のコストの問題がある。このコストには、デバイスをア
センブリングし、光ファイバーに対してデバイスを正確
に配置するコストだけでなく、材料プロセスのコストが
含まれる。
ちろん、光送信機又はレーザ／モニターのアセンブリー
のコストの問題がある。このコストには、デバイスをア
センブリングし、光ファイバーに対してデバイスを正確
に配置するコストだけでなく、材料プロセスのコストが
含まれる。
【００１０】したがって、本発明の目的は、高帯域幅用
に利用可能な、寄生容量が少なく、低コストのＶＣＳＥ
Ｌ／モニターデバイスを提供することにある。
に利用可能な、寄生容量が少なく、低コストのＶＣＳＥ
Ｌ／モニターデバイスを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の一つの好適な実
施態様において、ＶＣＳＥＬが上面又は発光面上にｐ型
及びｎ型コンタクトを有し、ＶＣＳＥＬがモニター用ダ
イオードの上に実装に金属をほとんど、あるいは全く使
用しないで実装されているＶＣＳＥＬとモニターとのア
センブリーが提供される。
施態様において、ＶＣＳＥＬが上面又は発光面上にｐ型
及びｎ型コンタクトを有し、ＶＣＳＥＬがモニター用ダ
イオードの上に実装に金属をほとんど、あるいは全く使
用しないで実装されているＶＣＳＥＬとモニターとのア
センブリーが提供される。
【００１２】したがって、本発明の第１の態様によれ
ば、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と光検出
用モニターとのアセンブリーが提供され、該アセンブリ
ーは、光検出用の第１の面とそれに平行な第２の面とを
備えた光検出用モニターチップと、モニターチップの上
記第１の面に実装され、その上面上にｐ型とｎ型のコン
タクトを有する上面発光ＶＣＳＥＬと、ＶＣＳＥＬの発
光部分をモニターチップの上記第１の面の方向に向ける
ようにアセンブリーを組合わせる組合わせ手段とからな
る。
ば、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と光検出
用モニターとのアセンブリーが提供され、該アセンブリ
ーは、光検出用の第１の面とそれに平行な第２の面とを
備えた光検出用モニターチップと、モニターチップの上
記第１の面に実装され、その上面上にｐ型とｎ型のコン
タクトを有する上面発光ＶＣＳＥＬと、ＶＣＳＥＬの発
光部分をモニターチップの上記第１の面の方向に向ける
ようにアセンブリーを組合わせる組合わせ手段とからな
る。
【００１３】本発明の第２の態様によれば、上面発光垂
直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と光検出光出力
モニターチップ対とのアセンブリング方法が提供され、
該方法は、光検出面を有するモニターチップを準備する
工程と、その上面上にｐ型とｎ型のコンタクトを有する
上面発光ＶＣＳＥＬを上記光検出面に接合する工程と、
モニターチップとＶＣＳＥＬとを接触させる手段を準備
する工程とを含む。
直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）と光検出光出力
モニターチップ対とのアセンブリング方法が提供され、
該方法は、光検出面を有するモニターチップを準備する
工程と、その上面上にｐ型とｎ型のコンタクトを有する
上面発光ＶＣＳＥＬを上記光検出面に接合する工程と、
モニターチップとＶＣＳＥＬとを接触させる手段を準備
する工程とを含む。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１に、本発明に用いるモニター
チップ１０の一例を示す。モニターには、フォトダイオ
ード、ＰＩＮ、アバランシェダイオード等が挙げられ
る。動作時には、面１２に適度な波長の光エネルギーが
当り、これによりデバイスのコンタクトを横切って電流
が発生する。その電流は、光検出又はモニターチップに
より受光される光エネルギー（この場合、レーザから
の）の強度に依存する。一つの電気的コンタクトは、裏
面（図示せず）に形成され、リードワイヤで接続する
か、公知の手段で基材上に直接実装するかによりコンタ
クトが形成される。同様に、上面又は前面へのコンタク
トは、コンタクトバッド１４の両方又は一方にワイヤボ
ンディングすることにより行う。あるいは、モニター用
ダイオードは同じ側にコンタクトと、電気的接続を有し
ていても良い。電気的接続は、上面上でのコンタクトの
ため、ピンへボンディングする方法でも、又は底面上で
のコンタクトのため、フォトダイオード上へ電極をパタ
ーニングする方法でも良い。
チップ１０の一例を示す。モニターには、フォトダイオ
ード、ＰＩＮ、アバランシェダイオード等が挙げられ
る。動作時には、面１２に適度な波長の光エネルギーが
当り、これによりデバイスのコンタクトを横切って電流
が発生する。その電流は、光検出又はモニターチップに
より受光される光エネルギー（この場合、レーザから
の）の強度に依存する。一つの電気的コンタクトは、裏
面（図示せず）に形成され、リードワイヤで接続する
か、公知の手段で基材上に直接実装するかによりコンタ
クトが形成される。同様に、上面又は前面へのコンタク
トは、コンタクトバッド１４の両方又は一方にワイヤボ
ンディングすることにより行う。あるいは、モニター用
ダイオードは同じ側にコンタクトと、電気的接続を有し
ていても良い。電気的接続は、上面上でのコンタクトの
ため、ピンへボンディングする方法でも、又は底面上で
のコンタクトのため、フォトダイオード上へ電極をパタ
ーニングする方法でも良い。
【００１５】図１に示すように、モニターチップの上面
の中心に配置されているのは位置合わせマーク１６であ
る。これは、矩形又は実質矩形であれば良く、後で述べ
るＶＣＳＥＬの形又は輪郭に対応するものである。ある
いは、位置合わせマーク１６は、ＶＣＳＥＬの輪郭の一
部を示すものでも良い。位置合わせマークは、ＶＣＳＥ
Ｌをフォトダイオードに対して正確に位置合わせした状
態でハンダ付けできるように、適切な金属を用いて形成
されることが望ましい。位置合わせは、後で述べるよう
に、システムのパッケージングに関係して重要である。
の中心に配置されているのは位置合わせマーク１６であ
る。これは、矩形又は実質矩形であれば良く、後で述べ
るＶＣＳＥＬの形又は輪郭に対応するものである。ある
いは、位置合わせマーク１６は、ＶＣＳＥＬの輪郭の一
部を示すものでも良い。位置合わせマークは、ＶＣＳＥ
Ｌをフォトダイオードに対して正確に位置合わせした状
態でハンダ付けできるように、適切な金属を用いて形成
されることが望ましい。位置合わせは、後で述べるよう
に、システムのパッケージングに関係して重要である。
【００１６】あるいは、位置合わせマークは、適当な位
置合わせマークを提供でき、かつ、長く安定な面を提供
できるのであれば、非金属層であっても良い。もちろ
ん、特定のアセンブリー技術によれば、特別の位置合わ
せマークを設けることなく、ＶＣＳＥＬを正確にモニタ
ーチップの上に実装することが可能である。たとえば、
コンタクトパターン又はチップ端部を位置合わせに用い
ることが可能である。
置合わせマークを提供でき、かつ、長く安定な面を提供
できるのであれば、非金属層であっても良い。もちろ
ん、特定のアセンブリー技術によれば、特別の位置合わ
せマークを設けることなく、ＶＣＳＥＬを正確にモニタ
ーチップの上に実装することが可能である。たとえば、
コンタクトパターン又はチップ端部を位置合わせに用い
ることが可能である。
【００１７】図２に示すように、本発明によれば、ＶＣ
ＳＥＬ２０は、その上面にｐ型とｎ型のコンタクトを有
している。発光用開口部２２は、ＶＣＳＥＬ構造のｐ型
ブラッグミラーに接続されるコンタクト２４の一つ（例
えば、ｐ型）により、明確に規定されている。第２のコ
ンタクト２６、この例ではｎ型であり、従来知られてい
るように、ｎ型ブラッグミラーに接続される。本発明の
開口部は、構造の所望の領域に注入電流を閉じ込めるた
めに、活性領域（図示せず）内に設けられている。コン
タクトパッド２４と２６は、適当な入力源に接続するた
め、ワイヤボンディング等が可能となるように、適切な
材料で形成されている。
ＳＥＬ２０は、その上面にｐ型とｎ型のコンタクトを有
している。発光用開口部２２は、ＶＣＳＥＬ構造のｐ型
ブラッグミラーに接続されるコンタクト２４の一つ（例
えば、ｐ型）により、明確に規定されている。第２のコ
ンタクト２６、この例ではｎ型であり、従来知られてい
るように、ｎ型ブラッグミラーに接続される。本発明の
開口部は、構造の所望の領域に注入電流を閉じ込めるた
めに、活性領域（図示せず）内に設けられている。コン
タクトパッド２４と２６は、適当な入力源に接続するた
め、ワイヤボンディング等が可能となるように、適切な
材料で形成されている。
【００１８】図２に示したＶＣＳＥＬは、実質的に矩形
であるが、本発明はこの形に限定されるものではなく、
デバイスが他の形をしていたり、大きさが異なっていて
も良い。もちろん、モニターチップ上の位置合わせマー
ク１６も、用いるＶＣＳＥＬの形状や大きさが変化すれ
ば、それに合わせて変化させる必要がある。
であるが、本発明はこの形に限定されるものではなく、
デバイスが他の形をしていたり、大きさが異なっていて
も良い。もちろん、モニターチップ上の位置合わせマー
ク１６も、用いるＶＣＳＥＬの形状や大きさが変化すれ
ば、それに合わせて変化させる必要がある。
【００１９】底面上にｐ型とｎ型のコンタクトを有する
底面発光ＶＣＳＥＬを用いることも、もちろん、本発明
の範囲内に含まれる。
底面発光ＶＣＳＥＬを用いることも、もちろん、本発明
の範囲内に含まれる。
【００２０】図３は、モニターチップ１０上に積層又は
取り付けられたＶＣＳＥＬ２０の断面図である。もし、
位置合わせマークが金属で形成されていると、ＶＣＳＥ
Ｌチップの裏面はＶＣＳＥＬをハンダ付けによりモニタ
ーチップに接合するために適切に金属で形成されている
必要がある。この場合、ＶＣＳＥＬはハンダ付けのプロ
セスにより位置合わせマークに自動的に位置合わせされ
る。位置合わせマークは、ＶＣＳＥＬの大きさに比べ小
さくても良く、その場合でも良好な機械的接続を与え、
かつ、正確な位置合わせが可能である。
取り付けられたＶＣＳＥＬ２０の断面図である。もし、
位置合わせマークが金属で形成されていると、ＶＣＳＥ
Ｌチップの裏面はＶＣＳＥＬをハンダ付けによりモニタ
ーチップに接合するために適切に金属で形成されている
必要がある。この場合、ＶＣＳＥＬはハンダ付けのプロ
セスにより位置合わせマークに自動的に位置合わせされ
る。位置合わせマークは、ＶＣＳＥＬの大きさに比べ小
さくても良く、その場合でも良好な機械的接続を与え、
かつ、正確な位置合わせが可能である。
【００２１】また、多くのものがその目的のために入手
可能であるエポキシ樹脂を用いて、ＶＣＳＥＬをモニタ
ーチップに接合することもできる。この場合、位置合わ
せマークは金属ではなく、作業者がモニターチップに対
しＶＣＳＥＬを正確に配置できるよう手助けとなるよう
にデザインされたパターンを有する誘電体のような他の
材料を用いることが好ましい。前述のアセンブリー技術
を用いれば、作業者は何ら特別の位置合わせマークを用
いることなく、モニターチップの上にＶＣＳＥＬを配置
できる。
可能であるエポキシ樹脂を用いて、ＶＣＳＥＬをモニタ
ーチップに接合することもできる。この場合、位置合わ
せマークは金属ではなく、作業者がモニターチップに対
しＶＣＳＥＬを正確に配置できるよう手助けとなるよう
にデザインされたパターンを有する誘電体のような他の
材料を用いることが好ましい。前述のアセンブリー技術
を用いれば、作業者は何ら特別の位置合わせマークを用
いることなく、モニターチップの上にＶＣＳＥＬを配置
できる。
【００２２】図４は、通常のＴＯ−４６缶のようなパッ
ケージに実装された図３のアセンブリーの断面図であ
る。その缶は複数のポスト又はコネクター３２を有して
おり、それらは、通常分離して設けられているが、ＶＣ
ＳＥＬに電流を流す目的とモニターチップを横切って発
生する電気信号によりＶＣＳＥＬの光出力をモニターす
る目的とに用いられるものは、分離されていない。蓋４
２は、窓又はレンズである反射面４４を有している。反
射面の材料には、ガラス、エポキシ樹脂、又はＶＣＳＥ
Ｌの波長に対して、少なくとも部分的に透明である他の
材料を用いることができる。出力されたレーザの一部
は、窓４４に反射して蓋の内側に戻り、モニターチップ
の表面１２に当り、ＶＣＳＥＬの出力に比例した信号を
与える。
ケージに実装された図３のアセンブリーの断面図であ
る。その缶は複数のポスト又はコネクター３２を有して
おり、それらは、通常分離して設けられているが、ＶＣ
ＳＥＬに電流を流す目的とモニターチップを横切って発
生する電気信号によりＶＣＳＥＬの光出力をモニターす
る目的とに用いられるものは、分離されていない。蓋４
２は、窓又はレンズである反射面４４を有している。反
射面の材料には、ガラス、エポキシ樹脂、又はＶＣＳＥ
Ｌの波長に対して、少なくとも部分的に透明である他の
材料を用いることができる。出力されたレーザの一部
は、窓４４に反射して蓋の内側に戻り、モニターチップ
の表面１２に当り、ＶＣＳＥＬの出力に比例した信号を
与える。
【００２３】その装置につなぐ光ファイバーに関して、
ＶＣＳＥＬの発光用開口部の配置が非常に重要であると
いうことは明らかである。ＴＯ−４６缶やＴＯ−５６
缶、ＭＴコネクター等の組立部品をファイバーに対して
配置するに際し、差込やスリーブを用いて固定すること
ができる。したがって、ＶＣＳＥＬ、よって発光用開口
部をＴＯ−４６缶の基底部に対して正確に配置すること
は重要なことである。モニターチップの位置合わせマー
クは、モニターチップに対してＶＣＳＥＬを配置する際
の助けとなる一方、パッケージに対してモニターチップ
を配置するには他の手段を用いて行なうことができる。
図４に示すように、発光用開口部の中心軸は窓４４の中
心と光ファイバー（図示せず）の長さ方向軸とに対して
位置合わせされている。
ＶＣＳＥＬの発光用開口部の配置が非常に重要であると
いうことは明らかである。ＴＯ−４６缶やＴＯ−５６
缶、ＭＴコネクター等の組立部品をファイバーに対して
配置するに際し、差込やスリーブを用いて固定すること
ができる。したがって、ＶＣＳＥＬ、よって発光用開口
部をＴＯ−４６缶の基底部に対して正確に配置すること
は重要なことである。モニターチップの位置合わせマー
クは、モニターチップに対してＶＣＳＥＬを配置する際
の助けとなる一方、パッケージに対してモニターチップ
を配置するには他の手段を用いて行なうことができる。
図４に示すように、発光用開口部の中心軸は窓４４の中
心と光ファイバー（図示せず）の長さ方向軸とに対して
位置合わせされている。
【００２４】本発明のＶＣＳＥＬとモニターとのアセン
ブリーにおいて、金属の量を減らすことにより、それに
対応して寄生容量が減少する。米国特許５,８１２,５８
２号公報に開示されている従来のデバイスは、モニター
チップの上面にメタルマスク又は金属層を設けている。
チップを実装する基材とメタルマスクとの組合わせは、
板状のキャパシタとして働き、そのキャパシタによる寄
生容量が高速動作に影響を与える遅延をもたらす。同様
に、ＶＣＳＥＬコンタクトは対向する他方の面にも形成
されているため、上記組合わせの寄生容量に加えて、も
う一つの板状キャパシタができることになる。本発明に
おいては、両方のＶＣＳＥＬコンタクトが上面又は発光
面に設けられているため、寄生容量を減らすことができ
る。さらに、本発明においては裏面で電気的接続を行な
わないため、従来のデバイスのようなモニターチップ上
のメタルマスクは不要である。
ブリーにおいて、金属の量を減らすことにより、それに
対応して寄生容量が減少する。米国特許５,８１２,５８
２号公報に開示されている従来のデバイスは、モニター
チップの上面にメタルマスク又は金属層を設けている。
チップを実装する基材とメタルマスクとの組合わせは、
板状のキャパシタとして働き、そのキャパシタによる寄
生容量が高速動作に影響を与える遅延をもたらす。同様
に、ＶＣＳＥＬコンタクトは対向する他方の面にも形成
されているため、上記組合わせの寄生容量に加えて、も
う一つの板状キャパシタができることになる。本発明に
おいては、両方のＶＣＳＥＬコンタクトが上面又は発光
面に設けられているため、寄生容量を減らすことができ
る。さらに、本発明においては裏面で電気的接続を行な
わないため、従来のデバイスのようなモニターチップ上
のメタルマスクは不要である。
【００２５】図５は、本発明のデバイスの周波数応答
（曲線Ａ）と従来技術のデバイスの周波数応答（曲線Ｂ
とＣ）とを比較したものである。本発明のデバイスの出
力は、高周波に対して最適化されていないＴＯ−４６缶
をパッケージに用いた場合においても、１．７ＧＨｚま
で実質的に一定であった。本発明のデバイスの応用とし
ては、低速と高速のデータ通信、例えば、１００Ｍｂｐ
ｓ、イーサーネット（Ethernet）、ギガビットイーサー
ネット、ファイバーチャンネル、そしてＡＴＭ又はＳＤ
ＨそしてＩＥＥＥが挙げられる。また、本発明のデバイ
スの応用には、ファイバーを用いない応用、例えば、医
学や化学分野において、発光波長でフォトンとの相互作
用を利用して物質の濃度を測定するような応用も含まれ
る。本発明は、光パワーのフィードバックのためにモニ
ター用ダイオードが必要なあらゆる分野に応用できる。
（曲線Ａ）と従来技術のデバイスの周波数応答（曲線Ｂ
とＣ）とを比較したものである。本発明のデバイスの出
力は、高周波に対して最適化されていないＴＯ−４６缶
をパッケージに用いた場合においても、１．７ＧＨｚま
で実質的に一定であった。本発明のデバイスの応用とし
ては、低速と高速のデータ通信、例えば、１００Ｍｂｐ
ｓ、イーサーネット（Ethernet）、ギガビットイーサー
ネット、ファイバーチャンネル、そしてＡＴＭ又はＳＤ
ＨそしてＩＥＥＥが挙げられる。また、本発明のデバイ
スの応用には、ファイバーを用いない応用、例えば、医
学や化学分野において、発光波長でフォトンとの相互作
用を利用して物質の濃度を測定するような応用も含まれ
る。本発明は、光パワーのフィードバックのためにモニ
ター用ダイオードが必要なあらゆる分野に応用できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明を特定の実施例を用いて説明した
が、本発明は、その基本的な概念から逸脱することな
く、いろいろな形で実施することができる。例えば、Ｖ
ＣＳＥＬとモニター用ダイオードの形と大きさは、その
応用とする対象に応じて選択することができる。ＶＣＳ
ＥＬとモニター用ダイオードの導電型は、実装方法によ
り影響されない。例えば、ｎ型の基材を有するＶＣＳＥ
Ｌはｐ型、ｎ型又はモニターチップの分離部分の上に実
装できる。ｐ型基材の上に成長させたＶＣＳＥＬに対し
ても同様である。しかし、そのような変形は添付された
特許請求の範囲で規程される本発明の範囲内のものであ
る。
が、本発明は、その基本的な概念から逸脱することな
く、いろいろな形で実施することができる。例えば、Ｖ
ＣＳＥＬとモニター用ダイオードの形と大きさは、その
応用とする対象に応じて選択することができる。ＶＣＳ
ＥＬとモニター用ダイオードの導電型は、実装方法によ
り影響されない。例えば、ｎ型の基材を有するＶＣＳＥ
Ｌはｐ型、ｎ型又はモニターチップの分離部分の上に実
装できる。ｐ型基材の上に成長させたＶＣＳＥＬに対し
ても同様である。しかし、そのような変形は添付された
特許請求の範囲で規程される本発明の範囲内のものであ
る。
【図１】 本発明に用いるモニターチップの構造を示す
上面図である。
上面図である。
【図２】 本発明に用いるＶＣＳＥＬの構造を示す図で
あって、発光面に両方のコンタクトを有する上面発光Ｖ
ＣＳＥＬの構造を示す上面図である。
あって、発光面に両方のコンタクトを有する上面発光Ｖ
ＣＳＥＬの構造を示す上面図である。
【図３】 本発明に用いるＶＣＳＥＬの構造を示す図で
あって、モニタチップ上に実装されたＶＣＳＥＬの構造
を示す断面図である。
あって、モニタチップ上に実装されたＶＣＳＥＬの構造
を示す断面図である。
【図４】 本発明のアセンブリーの構造を示す図であっ
て、光ファイバーとの接続用に差込口又はスリーブを有
する実装ケース中に配置されたアセンブリーの構造を示
す断面図である。
て、光ファイバーとの接続用に差込口又はスリーブを有
する実装ケース中に配置されたアセンブリーの構造を示
す断面図である。
【図５】 本発明と従来のデバイスについて、周波数と
変調応答との関係を示す帯域幅曲線である。
変調応答との関係を示す帯域幅曲線である。
１０ モニターチップ、１２ モニターチップ上面、１
４ コンタクトパッド、１６ 位置合わせマーク、２０
ＶＣＳＥＬ、２２ 発光用開口部、２４,２６コンタ
クト、３２ コネクター、４２ 蓋、４４ 反射面、４
６ 缶。
４ コンタクトパッド、１６ 位置合わせマーク、２０
ＶＣＳＥＬ、２２ 発光用開口部、２４,２６コンタ
クト、３２ コネクター、４２ 蓋、４４ 反射面、４
６ 缶。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヤン・イェンソン スウェーデン177 32ヤルファラ、ヴァサ ヴェーゲン89番 Ｆターム(参考） 5F073 AB15 AB17 BA02 EA14 FA04 FA21 FA23
Claims (19)
- 【請求項１】 垂直共振器型面発光レーザＶＣＳＥＬと
光検出用モニターとのアセンブリーであって、 上記アセンブリーが、光検出用の第１の面と該第１の面
に平行な第２の面とを有する光検出用のモニターチップ
と、 上記モニターチップの上記第１の面に実装され、その上
面にｐ型とｎ型の両方のコンタクトを有する上面発光の
上記ＶＣＳＥＬと、上記モニターチップの上記第１の面
に上記ＶＣＳＥＬの発光領域を向けるように上記アセン
ブリーを組合わせる組合わせ手段とを有する垂直共振器
型面発光レーザＶＣＳＥＬと光検出用モニターとのアセ
ンブリー。 - 【請求項２】 上記ＶＣＳＥＬが、底面発光であり、上
記ｐ型とｎ型コンタクトが底面側にある請求項１記載の
アセンブリー。 - 【請求項３】 上記光検出用モニターチップの応答波長
範囲に、上記ＶＣＳＥＬの発光波長が含まれる請求項１
又は２に記載のアセンブリー。 - 【請求項４】 上記モニターチップと上記ＶＣＳＥＬを
外部接続するための受入部を有するパッケージに、上記
アセンブリーを配置した請求項３記載のアセンブリー。 - 【請求項５】 上記パッケージが蓋を有し、該蓋が、少
なくとも一部が透明で、かつ、上記ＶＣＳＥＬの発光領
域と実質的に一直線となった窓を含む請求項４記載のア
センブリー。 - 【請求項６】 上記パッケージが蓋を有し、該蓋が、少
なくとも一部が透明で、かつ、上記ＶＣＳＥＬの発光領
域と実質的に一直線となったレンズを含む請求項４記載
のアセンブリー。 - 【請求項７】 上記窓又はレンズが、上記ＶＣＳＥＬか
らの発光の一部を上記モニターチップに向ける反射部を
有する請求項５又は６に記載のアセンブリー。 - 【請求項８】 上記モニターチップが、上記第１の面上
に、上記ＶＣＳＥＬを上記モニターチップに位置合わせ
するのに用いる位置合わせマークを有する請求項７記載
のアセンブリー。 - 【請求項９】 上記位置合わせマークが、上記ＶＣＳＥ
Ｌと実質的に同じ形である請求項８記載のアセンブリ
ー。 - 【請求項１０】 上記位置合わせマークが、上記ＶＣＳ
ＥＬを上記モニターチップにハンダ付け可能なように金
属で形成されている請求項８記載のアセンブリー。 - 【請求項１１】 上記位置合わせマークが、上記ＶＣＳ
ＥＬの形状部分を表し、上記ＶＣＳＥＬを上記モニター
チップにハンダ付け可能なように金属で形成されている
請求項９記載のアセンブリー。 - 【請求項１２】 上記アセンブリーが、上記パッケージ
を受け入れ、かつ、上記ＶＣＳＥＬの上記発光領域と光
ファイバーとを位置合わせする差込手段をさらに含む請
求項８記載のアセンブリー。 - 【請求項１３】 上面発光垂直共振器型面発光レーザＶ
ＣＳＥＬと光検出用光出力モニターチップ対とを組立て
るアセンブリング方法であって、 上記アセンブリング方法が、フォトン検出面を有するモ
ニターチップを準備する工程と、 その上面にｐ型とｎ型コンタクトとを有する上面発光の
上記ＶＣＳＥＬを上記フォトン検出面に接合する工程
と、上記モニターチップと上記ＶＣＳＥＬとを接触させ
る手段を準備する工程とを含むアセンブリング方法。 - 【請求項１４】 上記モニターチップの上記フォトン検
出面に、上記ＶＣＳＥＬを上記モニターチップに位置合
わせするのに用いる位置合わせマークを設ける請求項１
３記載の方法。 - 【請求項１５】 上記ＶＣＳＥＬをハンダ付けにより上
記モニターチップに接合可能なように、上記位置合わせ
マークを金属で形成する請求項１４記載の方法。 - 【請求項１６】 上記ＶＣＳＥＬからの発光がその窓を
通ってパッケージの外へ出るように設けられた窓を有す
るパッケージの中に、上記モニターチップとＶＣＳＥＬ
の組合わせを実装する請求項１３又は１４に記載の方
法。 - 【請求項１７】 上記発光の一部が上記窓に反射され、
上記モニターチップに当る請求項１６記載の方法。 - 【請求項１８】 上記ＶＣＳＥＬからの発光がそのレン
ズを通ってパッケージの外へ出るように設けられたレン
ズを有するパッケージの中に、上記モニターチップとＶ
ＣＳＥＬの組合わせを実装する請求項１３又は１４に記
載の方法。 - 【請求項１９】 上記発光の一部が上記レンズに反射さ
れ、上記モニターチップに当る請求項１８記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9910202 | 1999-05-05 | ||
| GB9910202A GB2349740A (en) | 1999-05-05 | 1999-05-05 | Vertical cavity surface emitting laser with monitoring diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323791A true JP2000323791A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=10852713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11318214A Pending JP2000323791A (ja) | 1999-05-05 | 1999-11-09 | 垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000323791A (ja) |
| CA (1) | CA2287134A1 (ja) |
| DE (1) | DE19947817A1 (ja) |
| GB (1) | GB2349740A (ja) |
| SE (1) | SE9903888L (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7113658B2 (en) | 2003-09-08 | 2006-09-26 | Seiko Epson Corporation | Optical module, and optical transmission device |
| US7339970B2 (en) | 2003-07-10 | 2008-03-04 | Seiko Epson Corporation | Surface light emitting element, optical module, light transmission device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10012869C2 (de) * | 2000-03-16 | 2002-05-29 | Infineon Technologies Ag | Vertikalresonator-Laserdiode mit koplanaren elektrischen Anschlußkontakten und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100259490B1 (ko) * | 1995-04-28 | 2000-06-15 | 윤종용 | 광검출기 일체형 표면광 레이저와 이를 채용한 광픽업 장치 |
| US5812582A (en) * | 1995-10-03 | 1998-09-22 | Methode Electronics, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser feedback system and method |
| US5724376A (en) * | 1995-11-30 | 1998-03-03 | Hewlett-Packard Company | Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding |
-
1999
- 1999-05-05 GB GB9910202A patent/GB2349740A/en not_active Withdrawn
- 1999-10-05 DE DE19947817A patent/DE19947817A1/de not_active Withdrawn
- 1999-10-19 CA CA002287134A patent/CA2287134A1/en not_active Abandoned
- 1999-10-28 SE SE9903888A patent/SE9903888L/xx not_active Application Discontinuation
- 1999-11-09 JP JP11318214A patent/JP2000323791A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7339970B2 (en) | 2003-07-10 | 2008-03-04 | Seiko Epson Corporation | Surface light emitting element, optical module, light transmission device |
| US7113658B2 (en) | 2003-09-08 | 2006-09-26 | Seiko Epson Corporation | Optical module, and optical transmission device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE9903888D0 (sv) | 1999-10-28 |
| CA2287134A1 (en) | 2000-11-05 |
| GB9910202D0 (en) | 1999-06-30 |
| SE9903888L (sv) | 2000-11-06 |
| DE19947817A1 (de) | 2000-11-09 |
| GB2349740A (en) | 2000-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6368890B1 (en) | Top contact VCSEL with monitor | |
| EP0786836B1 (en) | Laser-based light source | |
| US5809050A (en) | Integrated controlled intensity laser-based light source using diffraction, scattering and transmission | |
| US5771254A (en) | Integrated controlled intensity laser-based light source | |
| KR100770853B1 (ko) | 광 모듈 | |
| US5761229A (en) | Integrated controlled intensity laser-based light source | |
| US20090003398A1 (en) | Light-transmitting module capable of responding a high-frequency over 10GHz | |
| US20050094999A1 (en) | Module for bi-directional optical signal transmission | |
| CN111522102A (zh) | 一种光模块 | |
| JP2002343983A (ja) | 光素子実装体 | |
| CA2398658A1 (en) | Optical transmitter | |
| US6876682B2 (en) | Light generating module | |
| JPWO2021014568A1 (ja) | Ｔｏ−ｃａｎ型光送信モジュール | |
| US7018110B2 (en) | Optical module | |
| JP2002374027A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US6990262B2 (en) | Optical module | |
| JP2000323791A (ja) | 垂直共振器型面発光レーザと光検出用モニターとのアセンブリー及びそのアセンブリング方法 | |
| US20040141699A1 (en) | Optical module | |
| JP2000156510A (ja) | 光半導体素子および光半導体素子の製造方法ならびに光電子装置 | |
| US7206518B2 (en) | High speed optoelectronic subassembly and package for optical devices | |
| JP2003264513A (ja) | 双方向光通信システム | |
| JP4454233B2 (ja) | 光パッケージ及びそれを用いた光モジュール | |
| KR20020065096A (ko) | 표면 실장 소자 형태의 수직 공동 표면 방출 레이저디바이스 패키징 모듈 | |
| JP2001223369A (ja) | 端面入射導波路型半導体受光素子およびそれを用いた光受信モジュール | |
| JP2002299680A (ja) | 半導体受光素子及び受光モジュール |