DE19947817A1 - Oben-Kontakt-VCSEL mit Monitor - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft einen sogenannten VCSEL-Laser (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) und eine Monitordiode in Kombination, mit reduzierter parasitärer Kapazität zur Verwendung in Kommunikationssystemen mit hoher Bandbreite. Der VCSEL hat Kontakte sowohl vom p-Typ wie vom n-Typ auf der gleichen Fläche. Dies ermöglicht es, den VCSEL auf einem Monitorchip oder einer Monitordiode anzubringen, ohne eine Metallkontaktschicht zu verwenden. Bei einer Ausführungsform, wo der VCSEL an den Monitorchip angelötet wird, wird nur ein kleiner Metallflecken, nicht größer als der VCSEL selbst, verwendet. Die Reduktion in der Metallisierung führt zu einer niedrigeren parasitären Kapazität, die ihrerseits zu höheren Arbeitsgeschwindigkeiten führt.
Description
Die Erfindung betrifft einen Laser vom VCSEL-Typ (Vertical Cavi
ty Surface Emitting Laser) mit zugeordneter Ausgangsüberwa
chungseinrichtung und insbesondere solch eine Kombination zur
Verwendung in Anwendungen mit hoher Bandbreite.
Laser und insbesondere Halbleiterlaser, wie solche, die aus III-V-Ver
bindungen gebildet sind, werden häufig als Transmitter in
digitalen Kommunikationssystemen eingesetzt. Laser dieser Art
sind besonders gut geeignet für Systeme auf der Basis von opti
schen Fasern, bei denen der optische Ausgang des Lasers entspre
chend einem elektrischen Eingang zur Einrichtung moduliert wird.
Das modulierte optische Signal kann über relativ große Entfer
nungen unter Verwendung von stromleitenden Transmissionssystemen
mit optischer Faser übertragen werden.
Frühere Laser in solchen Anwendungen umfassen kantenemittierende
Laser, wobei die gespaltenen Kanten der Einrichtung die reflek
tierenden Flächen des Fabry-Perrot-Hohlraums darstellen. Kan
tenemittierende Laser haben gewisse Begrenzungen hinsichtlich
eines Testens vor dem Zusammenbau und im Zusammenbau, um wirksam
optische Fasern mit kleinem Durchmesser zu kuppeln.
Oberflächenemittierende Laser und insbesondere Vertikalhohlraum
oberflächenemittierende Laser (sogenannte VCSEL) wurden kürzlich
entwickelt und stellen eine Verbesserung gegenüber kantenemit
tierenden Einrichtungen zur Verwendung in Kommunikationsanwen
dungen mit optischer Faser dar. Der VCSEL, der seinen aktiven
Bereich zwischen zwei reflektierenden Schichten findet, bei
spielsweise Bragg-Spiegeln, emittiert in einer Ebene normal zu
einer der zwei Hauptflächen der Lasereinrichtung. Bekanntlich
umfassen solche Einrichtungen ein Material eines ersten Leitfä
higkeitstyps, beispielsweise vom n-Typ, für einen der Bragg-Spiegel
und Material eines zweiten Leitfähigkeitstyps, nämlich
des p-Typs, für den anderen Bragg-Spiegel. Der aktive Zwischen
bereich oder die Schicht kann eine Verkleidungsschicht benach
bart jedem der Bragg-Spiegel einschließen. Die Bragg-Spiegel
sind typischerweise aus abwechselnden Schichten von III-V-Halb
leitermaterial gebildet, wobei jede Schicht eine unterschiedli
che Reflexionseigenschaft hat. Jede abwechselnde Schicht hat
typischerweise eine Dicke gleich einer viertel Wellenlänge,
basierend auf der Emissionswellenlänge des aktiven Materials.
Bei dieser Struktur, insbesondere bei oben emittierenden VCSEL,
wird die Rück- oder Bodenfläche der Einrichtung gewöhnlich an
einem Aufbausubstrat befestigt und der Laserausgang durch den
Kopf oder die Vorderfläche der Einrichtung emittiert. Eine emit
tierende Öffnung, die durch einen der Einrichtungskontakte defi
niert wird, ist typischerweise so konfiguriert, daß eine Aus
richtung mit einer optischen Faser möglich wird. Solche Einrich
tungen werden hergestellt unter Verwendung sehr gut etablierter
Verfahrenstechniken und ergeben verläßliche Laser, die zweckmä
ßigerweise in optischen Transmittereinheiten zusammengebaut
werden können.
Die Art der VCSEL und tatsächlich der Halbleiterlaser im all
gemeinen ist darin zu sehen, daß die elektrischen und optischen
Eigenschaften zwischen jeder Einrichtung gering variieren. Der
optische Ausgang, genommen als Funktion des Eingangsstroms wäh
rend des Laserbetriebes stellt einen steilen Anstieg dar und
geringe Veränderungen in der Arbeitsumgebung können zu merkli
chen Veränderungen im Ausgang führen. Aus diesem Grunde ist es
üblich, eine Überwachungsdiode oder einen Überwachungs- oder
Monitorchip mit einem VCSEL vorzusehen, wobei der Monitorchip so
angeordnet ist, daß er einen repräsentativen Teil des optischen
Ausgangs empfängt. Der repräsentative Ausgang kann verwendet
werden, um jede Lasereinrichtung zu kalibrieren oder er kann
verwendet werden in einem Feedback-Mode, um den optischen Aus
gang des Lasers zu regeln. Die Regelung kann erforderlich sein,
um sicherzustellen, daß der optische Ausgang des Lasers in vor
eingestellte Grenzen fällt, wie dies beispielsweise erforderlich
sein kann durch "narrensichere" Vorschriften der "Standard Agen
cies". Typischerweise wird es sich bei der Überwachungsdiode um
einen Phototransistor, beispielsweise eine PIN-Einrichtung, mit
einer Empfindlichkeitskurve handeln, die im allgemeinen an den
Wellenlängenausgang des Lasers angepaßt ist.
Laser/Monitorkombinationen werden oft in einem speziell ausge
legten sogenannten Gehäuse, wie einer TO-46-Büchse, montiert,
die über eine Aufbaubasis mit isolierten Verbindungszuführungen
und einen abgedichteten Deckel verfügt. Diese Abdeckung hat ein
Fenster aus Glas oder anderem geeigneten transparenten Material
über einen Zentralteil der Oberseite, derart, daß das Fenster
bezüglich der emittierenden Öffnung der Lasereinrichtung ausge
richtet ist. Eine solche Kombination ist beschrieben in der US-
Patentschrift 5 812 582, ausgegeben am 22. September 1998 auf
den Namen Gilliland et al. In dem Patent 5 812 582 ist die Pho
todiode auf einem isolierten Substrat aufgebracht, das innerhalb
einer TO-46-Büchse oder dergleichen positioniert ist. Ein großer
Teil der Oberfläche der Photodiode ist mit einer Metallschicht
oder Maske abgedeckt. Ein VCSEL ist elektrisch an der Maske
durch Löten oder leitende Epoxy befestigt und einer der Kontakte
zum VCSEL, d. h. der rückseitige Kontakt, erfolgt über die Maske.
Die Oberseite oder der (das) Top oder der emittierende Flächen
kontakt geht über eine Drahtverbindung an einen der isolierten
Anschlüsse in der TO-46-Büchse.
Die Bandbreitenkapazität der üblichen optischen Fasern über
schreitet bei weitem die Bandbreite, wie sie von heutigen Kom
munikationssystemen verwendet werden. Es ist daher eine kontinu
ierliche Anstrengung notwendig, um die Datengeschwindigkeit der
Kommunikationssysteme zu erhöhen, um besser die Eigenschaften
der optischen Fasern zu nutzen. Da der Lasertransmitter einen
wichtigen Aspekt des vollständigen Kommunikationssystems dar
stellt, ist es wichtig, daß die Schaltrate des Lasers so hoch
wie möglich ist. Ein Faktor, der die Schaltrate bei Hochge
schwindigkeitsgeräten beeinflußt, ist die parasitäre Kapazität
des VCSELs, des Überwachungschips und die Aufbaukonfiguration.
Von Wichtigkeit sind natürlich die Kosten des optischen Trans
mitters oder der Laser/Monitoranordnung. Diese Kosten umfassen
die Materialverarbeitungskosten sowie die Kosten der Montage der
Einrichtungen und der akkuraten Ausrichtung der Einrichtung be
züglich einer optischen Faser.
Es ist somit ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine VCSEL/Mo
nitoreinrichtung mit niedrigen Kosten bei verminderter parasi
tärer Kapazität für Anwendungen mit hoher Bandbreite zur Ver
fügung zu stellen.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung ist eine VCSEL/Monitoranordnung vorgesehen, in der der
VCSEL über Kontakte sowohl vom p-Typ wie vom n-Typ oben auf der
Emitterfläche verfügt, und ist auf einer Überwachungsdiode ange
bracht, die keine oder nur wenig Metallisierung in der Montage
technik verwendet.
Entsprechend einem ersten Aspekt der Erfindung ist daher ein
Vertikalhohlraum-oberflächenemittierender Laser (VCSEL) und eine
Photodetektorüberwachungsanordnung vorgesehen, die umfaßt: einen
photodetektierenden Überwachungschip mit einer ersten Photode
tektorfläche und einer zweiten Fläche parallel hierzu; ein oben
emittierender VCSEL, angebracht auf der ersten Fläche des Über
wachungschips, wobei der VCSEL Kontakte sowohl vom p-Typ wie vom
n-Typ oben auf der Fläche hat; und dieser Anordnung zugeordnete
Mittel, um einen Teil der VCSEL-Emission an die erste Fläche des
Monitorchips zu richten.
Nach einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein
Verfahren vorgesehen, um einen Vertikalhohlraum-oberflächenemit
tierenden Laser (VCSEL) zusammenzubauen, mit einem Photodetek
torausgang, umfassend: zuerst wird ein Monitorchip mit einer
Photodetektorfläche vorgesehen; oben emittierende VCSELs werden
an der Detektorfläche befestigt, der VCSEL hat Kontakte vom p-Typ
und n-Typ auf der oberen Fläche; und es werden Mittel zur
Kontaktierung des Überwachungschips und des VCSELs vorgesehen.
Die Erfindung soll nun mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnun
gen näher erläutert werden. Diese zeigen in:
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Monitorchip bzw.
Überwachungschip;
Fig. 2 ist eine Draufsicht auf einen oben emittierenden VCSEL
mit beiden Kontakten auf der emittierenden Fläche;
Fig. 3 ist ein Querschnitt durch einen VCSEL, aufgebracht auf
einem Monitorchip nach der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 ist ein Querschnitt durch die Anordnung in einem Mon
tagegenäuse mit einem Gefäß oder einer Büchse zur
Verwendung in Verbindung mit einer optischen Faser und
Fig. 5 zeigt eine Bandbreitenkurve, wo das Modulationsan
sprechverhalten als Funktion der Frequenz gezeigt ist.
Fig. 1 zeigt ein Beispiel eines Monitorchips 10 zur Verwendung
der Maßnahme nach der Erfindung. Der Monitor ist eine Photodiode
PIN, eine Lawinendiode etc. Im Betrieb wird auf die Oberfläche
12 optische Energie einer geeigneten Wellenlänge auftreffen und
dies führt zu einem elektrischen Ausgang über die Kontakte an
der Vorrichtung. Der elektrische Ausgang wird abhängig sein von
der Stärke der optischen Energie (vom Laser bei dieser Anwen
dung), die durch den Photodetektor- oder Monitorchip empfangen
wird. Ein elektrischer Kontakt ist auf der Rückseite (nicht
dargestellt) vorgesehen und wird mit einer Drahtzuführung ver
bunden oder direkt auf einem Substrat durch an sich bekannte
Mittel angeschlossen. In ähnlicher Weise kann ein Kontakt auf
der oberen oder vorderen Fläche mittels Drahtverbindungen zu
einem oder beiden Kontaktpads oder -flecken 14 hergestellt wer
den. Alternativ kann die Monitordiode beide Kontakte auf der
gleichen Seite haben und die elektrischen Verbindungen können
durch Verbindungen der Stifte für Kontakte auf der Oberseite
gemacht sein oder mittels bemusterter Elektroden auf dem Photo
diodenträger für Kontakte auf der Bodenseite.
Wie in Fig. 1 gezeigt, befindet sich mittig positioniert auf
der Kopffläche des Monitorchips eine Ausrichtungsmarkierung 16.
Diese kann quadratisch oder im wesentlichen quadratisch, wie in
Fig. 1 gezeigt, sein und in der Gestalt oder dem Umriß eines
VCSELs, der später beschrieben werden soll, entsprechen. Alter
nativ kann die Ausrichtungsmarke 16 einen kleinen Teil des
VCSEL-Umrisses darstellen. Die Ausrichtungsmarke kann geformt
werden aus einem geeigneten Metall, damit der VCSEL in genau
ausgerichteter Beziehung bezüglich der Photodiode angelötet
werden kann. Diese Ausrichtung ist wichtig bezüglich des System
packs, wie später beschrieben werden wird. Alternativ kann die
Ausrichtungsmarke eine nicht-metallische Schicht sein, solange
sie eine stabile Fläche bietet, während sie eine geeignete Aus
richtungsmarke darstellt. Es ist natürlich möglich, bei gewissen
Montagetechniken den VCSEL genau auf dem Überwachungschip zu
positionieren, ohne die spezielle Ausrichtungsmarke zu Hilfe zu
nehmen. Beispielsweise kann das Kontaktmuster oder die Chipkante
zu Ausrichtungszwecken herangezogen werden.
Nach Fig. 2 hat der VCSEL 20 nach der vorliegenden Erfindung
Kontakte sowohl vom p- wie vom n-Typ auf der Oberfläche. Eine
emittierende Öffnung 22 ist typischerweise definiert durch einen
der Kontakte 24 (beispielsweise vom p-Typ), der mit dem Bragg-Spiegel
der VCSEL-Struktur vom p-Typ verbunden werden kann. Ein
zweiter Kontakt 26, beispielsweise vom n-Typ, wird mit dem
Bragg-Spiegel vom n-Typ in an sich bekannter Weise verbunden.
Eine Stromöffnung ist typischerweise im aktiven Bereich (nicht
dargestellt) vorgesehen, um den Injektionsstrom auf den ge
wünschten Bereich der Struktur zu begrenzen. Kontaktflecken oder
-pads 24 und 26 sind aus geeignetem Material aufgebaut und neh
men Drahtbindungen oder dergleichen zur Verbindung mit einer
geeigneten Eingangsquelle auf.
Der VCSEL 20 ist in Fig. 2 gezeigt und ist im wesentlichen
quadratisch (oder rechteckig), während selbstverständlich auch
andere Formen und Größen der Einrichtungen erfindungsgemäß ver
wendet werden können. Die Ausrichtungsmarke 16 auf dem Moni
torchip wird natürlich zu modifizieren sein, um im allgemeinen
der Form und Größe des VCSEL-Chips zu entsprechen, wenn andere
Konfigurationen verwendet werden.
Auch im Rahmen der Erfindung ist es möglich, einen bodenemit
tierenden VCSEL mit Kontakten sowohl vom p-Typ wie vom n-Typ auf
der Bodenfläche zu verwenden.
Fig. 3 zeigt einen Querschnitt durch einen VCSEL 20, der auf
dem Monitorchip 10 gestapelt oder angebracht ist. Wenn die Aus
richtungsmarke aus Metall gebildet ist, wird die rückseitige
Fläche des VCSEL-Chips eine geeignete Metallisierung tragen,
damit der VCSEL an den Monitorchip durch Löten befestigt werden
kann. In diesem Fall richtet sich der VCSEL selbst auf die Aus
richtungsmarke durch den Lötprozeß aus. Selbstverständlich kann
die Ausrichtungsmarke beschränkt werden auf einen gewissen Teil
der Größe des VCSELs und wird trotzdem zu einer guten mechani
schen Verbindung führen und in geeigneter Weise ausgerichtet
sein.
Der VCSEL kann auch am Monitorchip durch geeignete Epoxyharze
befestigt sein, von denen viele für solche Zwecke verfügbar
sind. Die Ausrichtungsmarke in diesem Fall wird bevorzugt nicht
aus Metall, sondern aus irgendeinem anderen Material, wie bei
spielsweise einem Dielektrikum, sein, das wieder ein Muster
derart hat, das dem Betriebspersonal am richtigen Ort des VCSELs
bezüglich des Monitorchips Hilfe leistet. Wie vorher erwähnt,
ermöglichen gewisse Montagetechniken es dem Betriebspersonal,
den VCSEL auf dem Überwachungschip zu positionieren, ohne ir
gendwelche speziellen Ausrichtungsmarken zu verwenden.
Fig. 4 ist ein Querschnitt durch die Anordnung der Fig. 3,
montiert in einem Bauteil, beispielsweise einer üblichen T046-Büchse.
Wie gezeigt, umfaßt die Büchse Ständer oder Anschlüsse
32, die normalerweise isoliert sind, die jedoch auch nicht iso
liert zur Verwendung bei einer Maßnahme der Herstellung eines
elektrischen Eingangs zum VCSEL sind und um den optischen Aus
gang des VCSELs vermittels des elektrischen über das Monitorchip
erzeugten Signals zu erreichen. Der Deckel 42 umfaßt eine re
flektierende Oberfläche 44, bei der es sich um ein Fenster oder
eine Linse handeln kann. Das Material für die reflektierende
Oberfläche kann Glas, plastisches Epoxy oder ein anderes Materi
al sein, das wenigstens teilweise gegen die Wellenlänge des
VCSELs transparent ist. Ein Teil des Laserausgangs wird durch
das Fenster 44 zurück in das Innere des Deckels reflektiert und
trifft auf der Monitorchipoberfläche 12 auf und liefert so ein
Signal, welches proportional dem VCSEL-Ausgang ist.
Offensichtlich ist die Positionierung der emittierenden Öffnung
des VCSELs bezüglich einer optischen, mit der Anordnung gekop
pelten Faser kritisch. Das Positionieren der Unteranordnung, bei
der es sich um eine TO-46-Büchse, eine TO-56-Büchse, einen MT-Connector
oder eine andere Unteranordnung handelt, kann bezüg
lich der Faser mittels eines Gefäßes oder einer Büchse fixiert
werden. Es ist daher wichtig, daß der VCSEL und damit die emit
tierende Öffnung günstig bezüglich der Basis der TO-46-Büchse
positioniert wird. Die Ausrichtungsmarke auf dem Monitorchip
trägt zur Positionierung des VCSELs bezüglich des Monitorchips
bei, und die Positionierung des Monitorchips bezüglich des Bau
teils/Gehäuses kann durch andere Mittel vorgenommen werden. Wie
in Fig. 4 gezeigt, wird die Mittelachse der emittierenden Öff
nung bezüglich der Mitte des Fensters 44 sowie der Längsachse
einer optischen Faser (nicht gezeigt) ausgerichtet.
Durch Reduzierung der Menge an Metall in der VCSEL-Monitoranord
nung nach der Erfindung wird die parisitäre Kapazität entspre
chend reduziert. Die bekannte Vorrichtung, wie in der US-PS 5 812 582
beschrieben, benutzt eine Metallmaske oder Schicht oben
auf dem Monitorchip. Diese Maske in Kombination mit dem Sub
strat, auf dem der Chip montiert ist, wirken als ein Platten
kondensator (Capacitor) und die hierdurch erzeugte parasitäre
Kapazität kann eine Verzögerung einbringen, die den Hochge
schwindigkeitsbetrieb beeinflußt. In ähnlicher Weise kontaktiert
der VCSEL, der auf sich gegenüberliegenden Flächen vorgesehen
ist, einen anderen Plattenkondensator, der auch zur parasitären
Kapazität der Kombination beiträgt. Erfindungsgemäß befinden
sich beide VCSEL-Kontakte auf der oberen oder emittierenden
Fläche, wodurch die parasitäre Kapazität reduziert wird. Zusätz
lich ist die Metallmaske auf dem Monitorchip nach dem Stand der
Technik erfindungsgemäß nicht notwendig, da ein elektrischer
rückseitiger Anschluß nicht gemacht wird.
Die Diagramme in Fig. 5 vergleichen den Durchlaßbereich bzw.
das Frequenzverhalten der Einrichtungen nach der Erfindung (Kur
ve A) mit Einrichtungen nach dem Stand der Technik (Kurven B und
C). Das Diagramm erläutert, daß der Ausgang der Einrichtungen
nach der vorliegenden Erfindung im wesentlichen bis zu 1,7 GHz
konstant bleibt, selbst wenn das Bauteil/Gehäuse eine TO-46-Büchse
ist, das für hohe Frequenzen nicht optimiert ist. Anwen
dungen für Vorrichtungen nach der vorliegenden Erfindung umfas
sen Datenübertragungen hoher und niedriger Geschwindigkeit, zum
Beispiel 100 Mbps Ethernet, Gigabit Ethernet, Fiber Channel und
ATM oder SDH und IEEE. Anwendungen umfassen auch Nicht-Faseran
wendungen, wie medizinische und chemische, wo die Konzentration
einer Substanz mittels ihrer Wechselwirkung mit Photonen bei der
emittierten Wellenlänge gemessen wird. Tatsächlich richtet sich
die Erfindung auf jede Anwendung, wo eine Monitordiode für den
Feedback der optischen Leistung erforderlich ist.
Während besondere Ausführungsformen der Erfindung beschrieben
und dargestellt wurden, ist es für den Fachmann klar, daß zahl
reiche Variationen, ohne das Basiskonzept der vorliegenden Er
findung zu verlassen, vorgenommen werden können. Beispielsweise
können Form und Größe des VCSELs und der Monitordiode entspre
chend der Anwendung gewählt werden. Der Leitfähigkeitstyp des
VCSELs und der Monitordiode werden nicht beeinflußt durch die
Montagetechnik, d. h. ein VCSEL mit einem Substrat vom n-Typ kann
aufgebracht werden auf einen p-Typ, einen n-Typ oder einen iso
lierenden Teil des Monitorchips. Das gleiche gilt für einen
VCSEL, der auf einem Substrat vom p-Typ gewachsen ist. Selbst
verständlich fallen diese Variationen in den vollen Bereich der
Erfindung, insbesondere wie er durch die Ansprüche definiert ist.
Claims (19)
1. Anordnung aus einem Laser vom VCSEL-Typ (Vertical Cavity
Surface Emitting Laser) und einem Photodetektor-Monitor,
die aufweist: einen Photodetektor-Monitorchip mit einer
ersten als Photodetektor wirksamen Fläche und einer zweiten
Fläche parallel hierzu sowie einen oben emittierenden
VCSEL-Laser, der auf der ersten Fläche dieses Monitorchips
sitzt, wobei der VCSEL-Laser Kontakte sowohl vom p-Typ wie
vom n-Typ auf einer oben befindlichen Seite hiervon hat und
Mittel dieser Anordnung zugeordnet sind, um einen Teil der
Laser-Emission auf die erste Fläche des Monitorchips zu
richten.
2. Anordnung nach Anspruch 1, wobei dieser Laser an der Boden
seite emittierend ausgebildet ist und die Kontakte vom p-Typ
und n-Typ sich auf der Bodenseite befinden.
3. Anordnung gemäß den Ansprüchen 1 oder 2, wobei der Photode
tektor-Monitorchip in einem Wellenlängenbereich empfindlich
ist, welcher die Emissionswellenlänge des Lasers ein
schließt.
4. Anordnung nach Anspruch 3, angeordnet in einem Gehäuse, das
Zugang zu äußeren Anschlüssen für den Monitorchip und den
Laser bietet.
5. Anordnung nach Anspruch 4, wobei das Gehäuse einen Deckel
hat, der ein zumindest teilweise transparentes Fenster hat,
das im wesentlichen auf einen emittierenden Bereich des
Lasers ausgerichtet ist.
6. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
dieses Gehäuse einen Deckel hat, der eine zumindest teil
Weise transparente Linse enthält, die im wesentlichen mit
einem emittierenden Bereich des Lasers fluchtet.
7. Anordnung nach Anspruch 5 oder 6, wobei das Fenster oder
diese Linse einen reflektierenden Bereich umfaßt, der einen
Teil der Emission vom Laser auf den Monitorchip reflek
tiert.
8. Anordnung nach Anspruch 7, wobei der Monitorchip auf der
ersten Fläche Ausrichtungsmarkierungen zur Verwendung bei
der Ausrichtung des Lasers auf den Monitorchip enthält.
9. Anordnung nach Anspruch 8, wobei die Form der Ausrichtungs
markierungen im wesentlichen der Form des Lasers gleicht.
10. Anordnung nach Anspruch 8, wobei die Ausrichtungsmarkie
rungen metallbeschichtet sind, um das Auflöten des Lasers
auf den Monitorchip zu erlauben.
11. Anordnung nach Anspruch 9, wobei die Ausrichtungsmarkie
rungen einen Teil der Form des Lasers bilden und metall
beschichtet sind, um das Auflöten des Lasers auf den Mo
nitorchip zu erlauben.
12. Anordnung nach Anspruch 8, die weiter ein Behältermittel
enthält, um das Gehäuse aufzunehmen und um den emittieren
den Bereich des Lasers bezüglich einer Lichtleit-Faser in
Flucht zu bringen.
13. Verfahren zum Zusammenbauen eines Lasers vom VCSEL-Typ und
eines Monitorchippaares für einen optischen Photodetektor
ausgang, wobei ein Monitorchip mit einer Photodetektorflä
che vorgesehen wird, an dessen Detektorfläche ein solcher
Laser befestigt wird, wobei dieser Laser Kontakte vom p-Typ
und vom n-Typ auf seiner emittierenden Oberseite hat; und
wobei Mittel vorgesehen sind, um den Monitorchip und den
Laser zu kontaktieren.
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Detektorfläche des
Monitorchips mit einer Ausrichtungsmarke versehen ist, die
der Ausrichtung dieses VCSEL auf diesen Chip dient.
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei diese Ausrichtungsmarke
metallbeschichtet ist, damit dieser Laser an diesem Moni
torchip durch Löten befestigbar ist.
16. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei diese Kombination
aus Monitorchip- und VCSEL-Laser in einem Gehäuse mit einem
Fenster derart montiert ist, daß eine Emission von dem
Laser aus dem Gehäuse durch das Fenster nach außen erfolgt.
17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei ein Teil dieser Emission
durch das Fenster auf den Monitorchip reflektiert wird.
18. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei die Kombination
aus Monitorchip und Laser in einem Gehäuse montiert ist,
die eine Linse aufweist, derart, daß die Emission des La
sers das Gehäuse über diese Linse verläßt.
19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei ein Teil dieser Emission
durch diese Linse auf den Monitorchip reflektiert wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB9910202A GB2349740A (en) | 1999-05-05 | 1999-05-05 | Vertical cavity surface emitting laser with monitoring diode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19947817A1 true DE19947817A1 (de) | 2000-11-09 |
Family
ID=10852713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19947817A Withdrawn DE19947817A1 (de) | 1999-05-05 | 1999-10-05 | Oben-Kontakt-VCSEL mit Monitor |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000323791A (de) |
CA (1) | CA2287134A1 (de) |
DE (1) | DE19947817A1 (de) |
GB (1) | GB2349740A (de) |
SE (1) | SE9903888L (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001069736A2 (de) * | 2000-03-16 | 2001-09-20 | Infineon Technologies Ag | Vertikalresonator-laserdiode mit koplanaren elektrischen anschlusskontakten |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4058633B2 (ja) | 2003-07-10 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型発光素子、光モジュール、光伝達装置 |
JP2005085942A (ja) | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Seiko Epson Corp | 光モジュール、光伝送装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100259490B1 (ko) * | 1995-04-28 | 2000-06-15 | 윤종용 | 광검출기 일체형 표면광 레이저와 이를 채용한 광픽업 장치 |
US5812582A (en) * | 1995-10-03 | 1998-09-22 | Methode Electronics, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser feedback system and method |
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-
1999
- 1999-05-05 GB GB9910202A patent/GB2349740A/en not_active Withdrawn
- 1999-10-05 DE DE19947817A patent/DE19947817A1/de not_active Withdrawn
- 1999-10-19 CA CA002287134A patent/CA2287134A1/en not_active Abandoned
- 1999-10-28 SE SE9903888A patent/SE9903888L/xx not_active Application Discontinuation
- 1999-11-09 JP JP11318214A patent/JP2000323791A/ja active Pending
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WO2001069736A3 (de) * | 2000-03-16 | 2001-12-06 | Infineon Technologies Ag | Vertikalresonator-laserdiode mit koplanaren elektrischen anschlusskontakten |
US6829282B2 (en) | 2000-03-16 | 2004-12-07 | Infineon Technologies Ag | Vertical resonator laser diode containing coplanar electrical connecting contacts |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2349740A (en) | 2000-11-08 |
SE9903888L (sv) | 2000-11-06 |
CA2287134A1 (en) | 2000-11-05 |
JP2000323791A (ja) | 2000-11-24 |
SE9903888D0 (sv) | 1999-10-28 |
GB9910202D0 (en) | 1999-06-30 |
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---|---|---|---|
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