JP2000269584A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP2000269584A JP2000269584A JP11075743A JP7574399A JP2000269584A JP 2000269584 A JP2000269584 A JP 2000269584A JP 11075743 A JP11075743 A JP 11075743A JP 7574399 A JP7574399 A JP 7574399A JP 2000269584 A JP2000269584 A JP 2000269584A
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- laser device
- optical fiber
- monitor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に光ファイバを使用した薄型の半導体レー
ザ装置において、前方及び後方からの出力光の効率的な
利用を実現する。 【解決手段】 シリコン基板上に半導体レーザ素子、モ
ニタＰＤ素子とが実装され、かつ前記半導体レーザ素子
の前面に光ファイバを実装した半導体レーザ装置におい
て、少なくとも前記半導体レーザ素子、モニタフォトダ
イオード、及び光ファイバを、その屈折率が空気の屈折
率以上で光ファイバの屈折率以下である透明樹脂で封入
する。
ザ装置において、前方及び後方からの出力光の効率的な
利用を実現する。 【解決手段】 シリコン基板上に半導体レーザ素子、モ
ニタＰＤ素子とが実装され、かつ前記半導体レーザ素子
の前面に光ファイバを実装した半導体レーザ装置におい
て、少なくとも前記半導体レーザ素子、モニタフォトダ
イオード、及び光ファイバを、その屈折率が空気の屈折
率以上で光ファイバの屈折率以下である透明樹脂で封入
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装
置、特に基板上に樹脂モールドされた半導体レーザ装置
に関する。
置、特に基板上に樹脂モールドされた半導体レーザ装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】モニタ用のフォトダイオード素子（以下
モニタＰＤ素子と記述する）を内蔵した半導体レーザ装
置においては、半導体レーザ素子からの出力光と前記モ
ニタＰＤ素子との光学的結合を確実に実現する必要があ
る。そこで通常、図３に示されるように、モニタＰＤ素
子１３を実装したサブキャリア３１を半導体レーザ素子
１２の後方に配置して、半導体レーザ素子１２の後方出
力光１７をモニタＰＤ素子１３に対して直接的に入射さ
せる構造が採用されてきた。しかし近年、構造の簡略化
及び形状の薄型化への要求がより一層高まり、このよう
な課題を解決するための研究開発が種々行われている。
モニタＰＤ素子と記述する）を内蔵した半導体レーザ装
置においては、半導体レーザ素子からの出力光と前記モ
ニタＰＤ素子との光学的結合を確実に実現する必要があ
る。そこで通常、図３に示されるように、モニタＰＤ素
子１３を実装したサブキャリア３１を半導体レーザ素子
１２の後方に配置して、半導体レーザ素子１２の後方出
力光１７をモニタＰＤ素子１３に対して直接的に入射さ
せる構造が採用されてきた。しかし近年、構造の簡略化
及び形状の薄型化への要求がより一層高まり、このよう
な課題を解決するための研究開発が種々行われている。
【０００４】例えば１９９８年電子情報通信学会エレク
トロソサイエティ大会Ｃ−３−９４においては図４に示
されるように、従来の表面入射型のモニタＰＤ素子１３
に代えて端面入射型モニタＰＤ素子４１を使用して、そ
のモニタＰＤを半導体レーザ素子１２と同一の基板１１
上に実装することにより上記課題を解決できるとしてい
る。しかし、導波路ＰＩＮに代表される端面入射型モニ
タＰＤ素子４１は、従来の表面入射型のモニタＰＤ素子
１３に比較すると生産数が少量であってコストが高いと
いう問題があった。
トロソサイエティ大会Ｃ−３−９４においては図４に示
されるように、従来の表面入射型のモニタＰＤ素子１３
に代えて端面入射型モニタＰＤ素子４１を使用して、そ
のモニタＰＤを半導体レーザ素子１２と同一の基板１１
上に実装することにより上記課題を解決できるとしてい
る。しかし、導波路ＰＩＮに代表される端面入射型モニ
タＰＤ素子４１は、従来の表面入射型のモニタＰＤ素子
１３に比較すると生産数が少量であってコストが高いと
いう問題があった。
【０００５】そこで、量産品であって低コストの表面入
射型のモニタＰＤ素子を使用し、かつ部品製造コストや
組立コストを低減することが可能な構造として、樹脂に
よる被覆を行う構造が、例えば特開平５−６３３０９号
公報に開示されている。
射型のモニタＰＤ素子を使用し、かつ部品製造コストや
組立コストを低減することが可能な構造として、樹脂に
よる被覆を行う構造が、例えば特開平５−６３３０９号
公報に開示されている。
【０００６】これは図５に示されるように、シリコン基
板１１上に半導体レーザ素子１２及び表面入射型のモニ
タＰＤ素子１３を実装した後にそれらを樹脂によって覆
うことにより、半導体レーザ素子１２の後方出力光１７
を透明樹脂１６と空気との界面において反射させ、モニ
タＰＤ素子１３に対して入射させるものである。これに
より、透明樹脂１６による被覆を行わない場合には散乱
光として損失されてしまう後方出力光１７を、モニタＰ
Ｄ素子１３に対して入射させることを可能としている。
板１１上に半導体レーザ素子１２及び表面入射型のモニ
タＰＤ素子１３を実装した後にそれらを樹脂によって覆
うことにより、半導体レーザ素子１２の後方出力光１７
を透明樹脂１６と空気との界面において反射させ、モニ
タＰＤ素子１３に対して入射させるものである。これに
より、透明樹脂１６による被覆を行わない場合には散乱
光として損失されてしまう後方出力光１７を、モニタＰ
Ｄ素子１３に対して入射させることを可能としている。
【０００７】また、上記公知例においては後方出力光１
７の反射に透明樹脂１６を利用しているが、特開平６−
６９６０６号公報においては図６に示されるような反射
板６１を設け、これにより後方出力光１７をモニタＰＤ
素子１３に対して入射させている。またこのときさら
に、半導体レーザ素子１２とモニタＰＤ素子１３との実
装位置に段差を設けることにより、モニタＰＤ素子１３
への入射効率が上昇し、高性能の半導体レーザ装置が得
られるとしている。
７の反射に透明樹脂１６を利用しているが、特開平６−
６９６０６号公報においては図６に示されるような反射
板６１を設け、これにより後方出力光１７をモニタＰＤ
素子１３に対して入射させている。またこのときさら
に、半導体レーザ素子１２とモニタＰＤ素子１３との実
装位置に段差を設けることにより、モニタＰＤ素子１３
への入射効率が上昇し、高性能の半導体レーザ装置が得
られるとしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、モニタＰＤ
素子から出力する光は後方だけではなく、前方において
も存在する。従って、そのような前方出力光についても
後方出力光と同様の配慮を行う必要がある。
素子から出力する光は後方だけではなく、前方において
も存在する。従って、そのような前方出力光についても
後方出力光と同様の配慮を行う必要がある。
【０００９】前記特開平５−６３３０９号公報において
は、半導体レーザ素子１２と透明板６１との間にも透明
樹脂１６を配置し、前方出力光１８を透明板５１に対し
て効率的に入射させるよう配慮を行っている。
は、半導体レーザ素子１２と透明板６１との間にも透明
樹脂１６を配置し、前方出力光１８を透明板５１に対し
て効率的に入射させるよう配慮を行っている。
【００１０】また、前記特開平６−６９６０６号公報に
おいては、被覆用の透明樹脂１６と従来の透明板５１と
を兼用させることにより特別な光学的結合を行う必要性
をなくしており、さらに半導体レーザ素子１２前方端面
にレンズ機能を付加することにより、ピックアップレン
ズをも兼用させて構造の簡略化を図っている。
おいては、被覆用の透明樹脂１６と従来の透明板５１と
を兼用させることにより特別な光学的結合を行う必要性
をなくしており、さらに半導体レーザ素子１２前方端面
にレンズ機能を付加することにより、ピックアップレン
ズをも兼用させて構造の簡略化を図っている。
【００１１】ところで半導体レーザ装置はその用途に応
じて、半導体レーザ素子前方に透明板ではなく光ファイ
バを配置する構造を必要とする場合がある。しかし光フ
ァイバを使用する場合、光の入射は光ファイバ端面から
しか行うことができないので、その実装に際しては非常
に高精度な位置決めを行う必要があり、実際に光ファイ
バを使用することは技術上困難であり、また上記従来技
術をそのまま適用することができなかった。
じて、半導体レーザ素子前方に透明板ではなく光ファイ
バを配置する構造を必要とする場合がある。しかし光フ
ァイバを使用する場合、光の入射は光ファイバ端面から
しか行うことができないので、その実装に際しては非常
に高精度な位置決めを行う必要があり、実際に光ファイ
バを使用することは技術上困難であり、また上記従来技
術をそのまま適用することができなかった。
【００１２】そこで本発明の課題は、特に光ファイバを
使用した薄型の半導体レーザ装置において、前方及び後
方からの出力光を効率的に利用することが可能な構造を
提供することである。
使用した薄型の半導体レーザ装置において、前方及び後
方からの出力光を効率的に利用することが可能な構造を
提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の半導体レーザ装置は、シリコン基板上に半導
体レーザ素子、モニタＰＤ素子とが実装され、かつ前記
半導体レーザ素子の前面に光ファイバを実装した半導体
レーザ装置において、少なくとも前記半導体レーザ素
子、モニタフォトダイオード、及び光ファイバを、その
屈折率が空気の屈折率以上で光ファイバの屈折率以下で
ある透明樹脂により封入してなることを特徴とする。こ
れにより、従来と同様に半導体レーザ素子の後方出力光
をモニタＰＤに対して効率良く入射させることが可能で
あるとともに、光ファイバの実装時における位置精度を
緩和して前方出力光を容易かつ効率的に入射させること
ができる。
の本発明の半導体レーザ装置は、シリコン基板上に半導
体レーザ素子、モニタＰＤ素子とが実装され、かつ前記
半導体レーザ素子の前面に光ファイバを実装した半導体
レーザ装置において、少なくとも前記半導体レーザ素
子、モニタフォトダイオード、及び光ファイバを、その
屈折率が空気の屈折率以上で光ファイバの屈折率以下で
ある透明樹脂により封入してなることを特徴とする。こ
れにより、従来と同様に半導体レーザ素子の後方出力光
をモニタＰＤに対して効率良く入射させることが可能で
あるとともに、光ファイバの実装時における位置精度を
緩和して前方出力光を容易かつ効率的に入射させること
ができる。
【００１４】また本発明の半導体レーザ装置は、前記樹
脂の屈折率が１．２〜１．４５の範囲であることを特徴
とする。これにより、半導体レーザ素子の後方出力光を
モニタＰＤに対して効率良く入射させることが可能であ
るとともに、前方出力光も光ファイバに対して容易かつ
効率的に入射させることが可能となる。
脂の屈折率が１．２〜１．４５の範囲であることを特徴
とする。これにより、半導体レーザ素子の後方出力光を
モニタＰＤに対して効率良く入射させることが可能であ
るとともに、前方出力光も光ファイバに対して容易かつ
効率的に入射させることが可能となる。
【００１５】また本発明の半導体レーザ装置は、前記樹
脂の表面に密着する反射層を有することを特徴とする。
これにより、光の利用効率を一層高めることが可能とな
る。
脂の表面に密着する反射層を有することを特徴とする。
これにより、光の利用効率を一層高めることが可能とな
る。
【００１６】また本発明の半導体レーザ装置は、前記反
射層が、金属薄膜によりなることを特徴とする。これに
より、光の利用効率を一層高めることが可能となる。
射層が、金属薄膜によりなることを特徴とする。これに
より、光の利用効率を一層高めることが可能となる。
【００１７】また本発明の半導体レーザ装置は、前記樹
脂の表面において、内面に反射層を配したカバーを密着
して配置してなることを特徴とする。これにより、光の
利用効率を一層高めることが可能となる。また、樹脂の
形状を一定にすることが容易となり、出力光を安定的に
モニタＰＤに入射させることが可能となる。
脂の表面において、内面に反射層を配したカバーを密着
して配置してなることを特徴とする。これにより、光の
利用効率を一層高めることが可能となる。また、樹脂の
形状を一定にすることが容易となり、出力光を安定的に
モニタＰＤに入射させることが可能となる。
【００１８】また本発明の半導体レーザ装置は、前記半
導体レーザ素子とモニタフォトダイオード素子との実装
位置に高低差を設けてなることを特徴とする。これによ
り、光の利用効率を一層高めることが可能となる。
導体レーザ素子とモニタフォトダイオード素子との実装
位置に高低差を設けてなることを特徴とする。これによ
り、光の利用効率を一層高めることが可能となる。
【００１９】また本発明の半導体レーザ装置は、前記シ
リコン基板が段差のある一体形状であって、前記段差の
上部に半導体レーザ素子が、下部にモニタフォトダイオ
ードが配されていることを特徴とする。これにより、半
導体レーザ素子の基台となる部分がシリコン基板と一体
化され、部品数の低減が実現されて、部品製造及び組立
コストが削減される。
リコン基板が段差のある一体形状であって、前記段差の
上部に半導体レーザ素子が、下部にモニタフォトダイオ
ードが配されていることを特徴とする。これにより、半
導体レーザ素子の基台となる部分がシリコン基板と一体
化され、部品数の低減が実現されて、部品製造及び組立
コストが削減される。
【００２０】また本発明の半導体レーザ装置は、シリコ
ン基板上に設けられたＶ型の溝に光ファイバを配してな
ることを特徴とする。これにより、光ファイバの実装が
容易になると同時に、装置の薄型化が促進される。
ン基板上に設けられたＶ型の溝に光ファイバを配してな
ることを特徴とする。これにより、光ファイバの実装が
容易になると同時に、装置の薄型化が促進される。
【００２１】本発明においては従来と同様に透明樹脂に
よる封入を行っているが、従来その目的が単に出力光の
利用効率を高めるという点だけにあったのに対し、前方
出力光の受容体を透明樹脂から光ファイバへと代えた場
合に特有の問題点を解決するために、封入に使用する透
明樹脂の屈折率を調整する点に最大の特徴を有する。す
なわち単に従来技術の一部を光ファイバに置き換えただ
けのものではない。
よる封入を行っているが、従来その目的が単に出力光の
利用効率を高めるという点だけにあったのに対し、前方
出力光の受容体を透明樹脂から光ファイバへと代えた場
合に特有の問題点を解決するために、封入に使用する透
明樹脂の屈折率を調整する点に最大の特徴を有する。す
なわち単に従来技術の一部を光ファイバに置き換えただ
けのものではない。
【００２２】前述のとおり、前方出力光の受容体として
光ファイバを設置する場合、前方出力光を光ファイバの
端面から正確に入射させるためには高い位置精度が要求
される。そこで本発明においては、空気の屈折率（１）
より大で光ファイバの屈折（１．４６程度）より小であ
る屈折率、より望ましくは１．２〜１．４５の屈折率を
有する透明樹脂により半導体レーザ素子と光ファイバと
を封入することにより両者の光学的結合を確実なものと
して、実装位置精度の緩和を可能とするものである。こ
のとき同時に、半導体レーザ素子とモニタＰＤとについ
ても上記透明樹脂による封入を行うことにより、従来と
同様に後方出力光をモニタＰＤに対して効率良く入射さ
せることができる。すなわち上記透明樹脂を用いた封入
により、 前方出力光の光ファイバ端面への入射を容易に実現
する 後方出力光のモニタＰＤへの入射を効率的に行う という２つの効果を同時に得る。
光ファイバを設置する場合、前方出力光を光ファイバの
端面から正確に入射させるためには高い位置精度が要求
される。そこで本発明においては、空気の屈折率（１）
より大で光ファイバの屈折（１．４６程度）より小であ
る屈折率、より望ましくは１．２〜１．４５の屈折率を
有する透明樹脂により半導体レーザ素子と光ファイバと
を封入することにより両者の光学的結合を確実なものと
して、実装位置精度の緩和を可能とするものである。こ
のとき同時に、半導体レーザ素子とモニタＰＤとについ
ても上記透明樹脂による封入を行うことにより、従来と
同様に後方出力光をモニタＰＤに対して効率良く入射さ
せることができる。すなわち上記透明樹脂を用いた封入
により、 前方出力光の光ファイバ端面への入射を容易に実現
する 後方出力光のモニタＰＤへの入射を効率的に行う という２つの効果を同時に得る。
【００２２】このような透明樹脂としては、例えば透明
なシリコーン系樹脂等が挙げられる。
なシリコーン系樹脂等が挙げられる。
【００２３】また、このような樹脂の表面に対して反射
層を設けること、より具体的には蒸着等により金属薄膜
を形成することは、樹脂と空気との界面における光の反
射率を上げて後方出力光の利用効率を高める上で好まし
い。このような金属薄膜としては、金等、反射率の高い
ものを使用するとよい。
層を設けること、より具体的には蒸着等により金属薄膜
を形成することは、樹脂と空気との界面における光の反
射率を上げて後方出力光の利用効率を高める上で好まし
い。このような金属薄膜としては、金等、反射率の高い
ものを使用するとよい。
【００２４】また、内面に反射層を設けたカバーを取り
付けてもよい。この場合、カバーを所定位置に設置した
うえで透明樹脂を硬化させれば、硬化後の樹脂形状を常
に一定のものにすることが容易となり、光の反射、入射
等が安定化して製品の信頼性が向上する。
付けてもよい。この場合、カバーを所定位置に設置した
うえで透明樹脂を硬化させれば、硬化後の樹脂形状を常
に一定のものにすることが容易となり、光の反射、入射
等が安定化して製品の信頼性が向上する。
【００２５】後方出力光の利用効率を高めるために、半
導体レーザ素子とモニタＰＤ素子との実装位置に段差を
設けることが、従来一般的であり、本発明においてもこ
のような構造を採用することが好ましい。特に、従来の
ように基板上において半導体レーザ素子用の基台を設け
て段差を形成するのではなく、シリコン基板自体を予め
段差のある形状とすれば、部品製造及び組立のコストが
削減されることから、より望ましい。
導体レーザ素子とモニタＰＤ素子との実装位置に段差を
設けることが、従来一般的であり、本発明においてもこ
のような構造を採用することが好ましい。特に、従来の
ように基板上において半導体レーザ素子用の基台を設け
て段差を形成するのではなく、シリコン基板自体を予め
段差のある形状とすれば、部品製造及び組立のコストが
削減されることから、より望ましい。
【００２６】また、シリコン基板において、予め光ファ
イバ実装用のＶ時溝を形成しておけば、光ファイバの実
装がより容易なものとなって作業が効率的になり、また
半導体レーザ装置の薄型化に寄与することから、好まし
い。
イバ実装用のＶ時溝を形成しておけば、光ファイバの実
装がより容易なものとなって作業が効率的になり、また
半導体レーザ装置の薄型化に寄与することから、好まし
い。
【００２７】
【発明の実施形態】本発明への理解を容易にするため
に、以下により詳細な実施形態を上げて説明する。
に、以下により詳細な実施形態を上げて説明する。
【００２８】（実施形態１）図１に、第一の実施形態に
おける断面図を示す。半導体レーザ装置１０は、段差を
設けたシリコン基板１１の上段に半導体レーザ素子１
２、下段には表面入射型のモニタＰＤ素子１３を配置し
ている。さらに半導体レーザ素子１２の前方には光ファ
イバ１４が配置されるが、この光ファイバ１４は、シリ
コン基板１１表面のＶ型溝１５に嵌合されている。さら
にこれら半導体レーザ素子１２、モニタＰＤ素子１３、
及び光ファイバ１４は、透明樹脂１６により被覆されて
いる。
おける断面図を示す。半導体レーザ装置１０は、段差を
設けたシリコン基板１１の上段に半導体レーザ素子１
２、下段には表面入射型のモニタＰＤ素子１３を配置し
ている。さらに半導体レーザ素子１２の前方には光ファ
イバ１４が配置されるが、この光ファイバ１４は、シリ
コン基板１１表面のＶ型溝１５に嵌合されている。さら
にこれら半導体レーザ素子１２、モニタＰＤ素子１３、
及び光ファイバ１４は、透明樹脂１６により被覆されて
いる。
【００２９】透明樹脂１６は、その屈折率が空気よりも
大でかつ光ファイバよりも小であるもの、具体的には透
明なシリコーン樹脂等によりなる。
大でかつ光ファイバよりも小であるもの、具体的には透
明なシリコーン樹脂等によりなる。
【００３０】このような屈折率を有する樹脂を使用する
ことにより、半導体レーザ素子１０の後方出力光１７
を、モニタＰＤ素子１３に対して直接入射させる、ある
いは透明樹脂１６と空気との界面において反射した後に
入射させることができる。また、半導体レーザ素子１２
と光ファイバ１４との間にこのような透明樹脂１６が存
在することにより両者の光学的結合が確実なものとなっ
て光ファイバ１４の位置精度が緩和され、その実装が容
易となる。
ことにより、半導体レーザ素子１０の後方出力光１７
を、モニタＰＤ素子１３に対して直接入射させる、ある
いは透明樹脂１６と空気との界面において反射した後に
入射させることができる。また、半導体レーザ素子１２
と光ファイバ１４との間にこのような透明樹脂１６が存
在することにより両者の光学的結合が確実なものとなっ
て光ファイバ１４の位置精度が緩和され、その実装が容
易となる。
【００３１】また、半導体レーザ素子１２とモニタＰＤ
１３との実装位置に段差を設けたことにより、半導体レ
ーザ素子１２の後方出力光１７について、下方へと放射
する光をも有効利用することが可能となり、光利用効率
が上昇して性能向上に寄与する。
１３との実装位置に段差を設けたことにより、半導体レ
ーザ素子１２の後方出力光１７について、下方へと放射
する光をも有効利用することが可能となり、光利用効率
が上昇して性能向上に寄与する。
【００３２】また、シリコン基板１１において、予めこ
のような段差を形成しておくことにより、従来使用され
ていた基台を略すことができ、製造工程が簡略化され
る。
のような段差を形成しておくことにより、従来使用され
ていた基台を略すことができ、製造工程が簡略化され
る。
【００３３】また、シリコン基板１１において、予め光
ファイバ１４実装用のＶ型溝１５を形成することによ
り、光ファイバ１４の実装がより容易となる。また、半
導体レーザ装置１０の薄型化に寄与する。
ファイバ１４実装用のＶ型溝１５を形成することによ
り、光ファイバ１４の実装がより容易となる。また、半
導体レーザ装置１０の薄型化に寄与する。
【００３４】（実施形態２）図２に第二の実施形態にお
ける断面図を示す。本実施形態は、第一の実施形態にお
いて、透明樹脂１６表面にさらに反射層２１を設けたも
のである。反射層２１は、蒸着等により形成された金属
薄膜、特に金等反射率の高い金属薄膜により形成される
ことが望ましい。反射層２１を設けることにより、透明
樹脂１６と空気との界面における光反射率が上昇し、光
の利用効率を一層高めることが可能となる。
ける断面図を示す。本実施形態は、第一の実施形態にお
いて、透明樹脂１６表面にさらに反射層２１を設けたも
のである。反射層２１は、蒸着等により形成された金属
薄膜、特に金等反射率の高い金属薄膜により形成される
ことが望ましい。反射層２１を設けることにより、透明
樹脂１６と空気との界面における光反射率が上昇し、光
の利用効率を一層高めることが可能となる。
【００３５】（実施形態３）本実施形態は、実施形態２
における金属薄膜の反射層２１に代えて、カバーを設置
するものである。カバーの内面は反射率の高い金属等か
らなり、これにより実施形態２と同様の効果を得る。ま
た、カバーを予め所定位置に設置した後に透明樹脂１６
の硬化工程を行えば、硬化後の透明樹脂１６の形状を一
定のものとすることが容易であり、光の反射や入射を安
定化することができて製品の信頼性向上に寄与する。
における金属薄膜の反射層２１に代えて、カバーを設置
するものである。カバーの内面は反射率の高い金属等か
らなり、これにより実施形態２と同様の効果を得る。ま
た、カバーを予め所定位置に設置した後に透明樹脂１６
の硬化工程を行えば、硬化後の透明樹脂１６の形状を一
定のものとすることが容易であり、光の反射や入射を安
定化することができて製品の信頼性向上に寄与する。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体レ
ーザ装置、特に光ファイバを使用した薄型の半導体レー
ザ装置において、前方及び後方からの出力光を容易かつ
効率的に利用することが可能となる。
ーザ装置、特に光ファイバを使用した薄型の半導体レー
ザ装置において、前方及び後方からの出力光を容易かつ
効率的に利用することが可能となる。
【図１】 本発明第一実施形態における断面図である。
【図２】 本発明第二実施形態における断面図である。
【図３】 従来の半導体レーザ装置の説明図である。
【図４】 従来の半導体レーザ装置の説明図である。
【図５】 従来の半導体レーザ装置の説明図である。
【図６】 従来の半導体レーザ装置の説明図である。
１０ 半導体レーザ装置 １１ シリコン基板 １２ 半導体レーザ素子 １３ モニタＰＤ素子 １４ 光ファイバ １５ 透明樹脂 １６ Ｖ型溝 １７ 後方出力光 １８ 前方出力光 ２１ 反射層 ３１ サブキャリア ４１ 端面入射型モニタＰＤ素子 ５１ 透明板 ６１ 反射板
Claims (8)
- 【請求項１】 シリコン基板上に半導体レーザ素子と、
モニタフォトダイオード素子とが実装され、かつ前記半
導体レーザ素子の前面に光ファイバを実装した半導体レ
ーザ装置において、少なくとも前記半導体レーザ素子、
モニタフォトダイオード、及び光ファイバを、その屈折
率が空気の屈折率以上で光ファイバの屈折率以下である
透明樹脂により封入してなることを特徴とする半導体レ
ーザ装置装。 - 【請求項２】 前記樹脂の屈折率が１．２〜１．４５の
範囲であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項３】 前記樹脂の表面に密着する反射層を有す
ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記反射層が、金属薄膜によりなること
を特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 前記樹脂の表面において、内面に反射層
を配したカバーを密着して配置してなることを特徴とす
る請求項１又は請求項２に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 前記半導体レーザ素子とモニタフォトダ
イオード素子との実装位置に高低差を設けてなることを
特徴とする請求項１〜５のいずれか一に記載の半導体レ
ーザ装置。 - 【請求項７】 前記シリコン基板が段差のある一体形状
であって、前記段差の上部に半導体レーザ素子が、下部
にモニタフォトダイオードが配されていることを特徴と
する請求項６に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項８】 シリコン基板上に設けられたＶ型の溝に
光ファイバを配してなることを特徴とする請求項１〜７
のいずれか一に記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075743A JP2000269584A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11075743A JP2000269584A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269584A true JP2000269584A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13585078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11075743A Pending JP2000269584A (ja) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269584A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1416596A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-05-06 | NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Semiconductor laser module |
| US8909010B2 (en) | 2010-01-06 | 2014-12-09 | Fujikura Ltd. | Optical coupling structure and optical transreceiver module |
-
1999
- 1999-03-19 JP JP11075743A patent/JP2000269584A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1416596A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-05-06 | NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Semiconductor laser module |
| US8909010B2 (en) | 2010-01-06 | 2014-12-09 | Fujikura Ltd. | Optical coupling structure and optical transreceiver module |
| EP3428702A1 (en) | 2010-01-06 | 2019-01-16 | Fujikura Ltd. | Optical coupling structure and optical transreceiver module |
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