JPH0945957A - 端面発光型ｌｅｄアレイの製造方法及びその検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイシング位置が正確に分るダイシングマー
クを形成し、さらにダイシングの切りすぎや切り残しを
容易に検査して良否の判定ができるダイシングマークを
形成する。 【解決手段】 半導体下地１の表面のＮ型層１ｂ内に、
拡散防止膜を用いて不純物を拡散し、Ｐ型層１１を形成
する。このＰ型層１１とＮ型層１ｂとで、発光部を構成
するＰＮ接合面が形成される。Ｐ型層１１にはＰ側電極
１４が形成され、半導体下地１の裏面にはＮ側電極１５
が形成される。発光部を形成するための拡散防止膜を用
いて、それと同時に、合せマーク領域５−１，５−２内
にダイシングマーク６，７を形成する。そのため、ダイ
シングマーク６，７は、発光部からの距離が一定であ
り、アライメント誤差が含まれないため、正確な位置で
ダイシングを行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真方式のプ
リンタ用光源等に用いられるＬＥＤ（Light Emitting D
iode、発光ダイオード）アレイの１つである端面発光型
ＬＥＤアレイを製造する際に好適な、端面発光型ＬＥＤ
アレイの製造方法と、製造された端面発光型ＬＥＤアレ
イの仕上がり状態を検査する端面発光型ＬＥＤアレイ製
造の検査方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、端面発光型ＬＥＤアレイの構造及
び製造方法に関する技術としては、例えば、次のような
文献に記載されるものがあった。 文献１：特開平２−１２５７６５号公報 文献２：特開平５−３１９５５号公報 例えば、文献１の第３頁左上欄には、Ｎ側電極、Ｎ−Ｇ
ａＡｓバッファ層、Ｎ−ＡｌＧａＡｓ層、Ｐ−ＡｌＧａ
Ａｓ層、及びＰ側電極が積層された構成の半導体ウェハ
をダイシング（切断、分離）することにより、個々の端
面発光型ＬＥＤアレイを製造する技術が記載されてい
る。また、文献２の第５頁右欄第３１行〜第３２行に
は、ダブルヘテロ構造を有する半導体ウェハに発光端面
を形成する際、それを塩素系ガスを用いたドライエッチ
ング法によって行う製造方法の技術が記載されている。
このような製造方法を用いて製造された端面発光型ＬＥ
Ｄアレイの発光端面は、基板に対して垂直となってい
る。そして、このような従来の端面発光型ＬＥＤアレイ
の製造方法では、次の（ａ），（ｂ）のような問題があ
る。

【０００３】（ａ） ダイシングによって個々のＬＥＤ
アレイを分離する製造方法の場合、ダイシングの衝撃が
原因と考えられるが、ＬＥＤアレイの切断面から５〜１
０μｍまでの部分に、欠けやクラックが発生しやすい。
このような欠けやクラックが特に発光部（ＰＮ接合面）
に発生すると、所定の発光が得られないので、ＬＥＤア
レイの製造歩留まりが悪化する。また、このような従来
方法では、ＬＥＤアレイの上部側の電極（例えば、Ｐ側
電極）をもダイシングする。ここで、このＰ側電極下の
Ｐ及びＮ型半導体層（発光層）の厚さは薄いので、Ｐ側
電極とこれより数層下方にあるＮ型半導体層との距離が
近くなる。そのため、Ｐ側電極のダイシング時に生じる
バリが、Ｎ型半導体層に接触し、Ｐ側電極−Ｎ型半導体
層間を短絡してしまうおそれがある。また、電極を形成
する材料がダイシング用ブレード（刃）の目につまるの
で、このダインシグ用ブレードの寿命低下を招きやす
い。ダイシング用ブレードを用いたブレードダイシング
法は、例えば、ダイヤモンドブレードを高速回転させて
半導体ウェハを個々のチップに切断する方法である。

【０００４】（ｂ） ドライエッチング法を用いてＰＮ
接合面を垂直方向にエッチングして発光端面を形成する
従来の方法では、微細なパターンで、かつ深いエッチン
グが必要なため、エッチング不良をなくすには高い製造
加工精度が必要になる。また、高価な真空装置を使う必
要があり、その上、スループット（処理量）も良くな
い。そこで、このような（ａ），（ｂ）の問題を解決す
る方法の１つに、ウェットエッチング法を用いてＰＮ接
合面をエッチングし、発光端面を形成する製造方法もあ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ウェットエッチング法を用いて発光端面を形成した場
合、ダイシング位置を示すダイシングマークを形成でき
ないという問題が生じる。これは、ダイシングを行う位
置が、ウェットエッチングで形成された凹部の底にあた
る部分となるため、ウェハ表面に通常のパターニングを
行っても、ウェットエッチングによる凹部形成で、それ
らが除去されてしまうことによる。そのため、従来のウ
ェットエッチング法を用いた製造方法で作成したウェハ
をダイシングする場合は、凹部以外のＬＥＤチップ上の
部分に設けたパターンを基準に、距離を測定してダイシ
ング位置を決めている。しかし、このような方法では、
ダイシングの位置決定が煩雑で、位置ずれが発生しやす
い。また、ダイシング後の切りすぎや切り残しの検査
も、切断部にはパターンがないことから、容易に行うこ
とができず、ダイシング端部から凹部外に別に設けられ
たチップ上のパターンまでの距離を測定することが必要
となる。従って、従来のいずれの製造方法も、いまだ技
術的に充分満足するものが得られなかった。本発明は、
前記従来技術がもっていた課題を解決し、容易かつ正確
にダイシングを行うことができ、また切りすぎや切り残
し等の検査も容易に行うことができる、端面発光型ＬＥ
Ｄアレイの製造方法及びその検査方法を提供するもので
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、第１の発明は、端面発光型ＬＥＤアレイの製造方法
において、拡散防止膜形成工程と、第２導電型層形成工
程と、発光端面形成工程と、電極形成工程と、切断工程
とを行うようにしている。拡散防止膜形成工程では、Ｌ
ＥＤアレイ形成領域の両側に合せマーク領域を有する第
１導電型（例えば、Ｎ型）の半導体下地の表面に、絶縁
膜を被着する。そして、この絶縁膜をパターニング（加
工形成）し、前記ＬＥＤアレイ形成領域内に位置する不
純物拡散形成用の開口部と、前記合せマーク領域内に位
置する合せマーク部と、前記合せマーク領域内に位置
し、かつ前記開口部に隣接する所定幅の直線状の第１の
ダイシング領域上に位置する第１のダイシングマーク部
と、前記ＬＥＤアレイ形成領域と前記合せマーク領域と
の境界の所定幅の直線状の第２のダイシング領域上に位
置する第２のダイシングマーク部とを、有する拡散防止
膜を形成する。第２導電型形成工程では、前記合せマー
ク部を基準にして、前記開口部を通して第２導電型（例
えば、Ｐ型）の不純物を前記半導体下地に拡散して第２
導電型層（例えば、Ｐ型層）を形成する。発光端面形成
工程では、前記合せマーク部を基準にして、前記拡散防
止用の開口部に隣接しかつ前記第１のダイシング領域を
含む所定領域に、該拡散防止膜を通して、前記第２導電
型層と前記半導体下地とで構成されるＰＮ接合面を越え
る深さまで、該半導体下地を凹部状にエッチングし、そ
の凹部側面に位置する該ＰＮ接合面の発光端面を形成す
る。電極形成工程では、前記第２導電型層形成工程以降
の任意の工程において、前記半導体下地上に第１電極
（例えば、Ｐ側電極）を選択的に形成して前記第２導電
型層と接続すると共に、前記半導体下地の裏面に第２電
極（例えば、Ｎ側電極）を形成する。その後、切断工程
では、前記第１のダイシングマーク部を基準にして、前
記半導体下地の凹部内を通る前記第１のダイシング領域
を切断すると共に、前記第２のダイシングマーク部を基
準にして、前記第２のダイシング領域を切断する。

【０００７】第２の発明は、端面発光型ＬＥＤアレイ製
造の検査方法において、第１の発明の第１及び第２のダ
イシングマーク部として、前記所定幅の第１及び第２の
ダイシング領域の側線上に、前記拡散防止膜を用いて所
定形状のダイシングマークを形成する。そして、前記切
断工程によって切断された前記ダイシングマークの残渣
形状から、ダイシング状態を検査するようにしている。
第１の発明によれば、ＬＥＤアレイ形成領域の両側に設
けられた合せマーク領域にダイシングマーク部が形成さ
れるので、実際のダイシング位置にダイシングマーク部
を設けることが可能となる。しかも、第２導電型層を形
成するための拡散防止膜を用いて同時にダイシングマー
ク部が形成されるので、発光端面とダイシングマーク部
との位置ずれがなくなる。これにより、ダイシング位置
が正確に分かる。よって、たとえウェットエッチングを
用いて発光端面を形成する場合でも、正確な位置のダイ
シングが行える。第２の発明によれば、拡散防止膜を用
いて形成されたダイシングマークの切断後の残渣形状か
ら、ダイシング状態を検査するので、ダイシング後の検
査において、切断後のダイシン後の切りすぎや切り残し
等を容易に検査し、良否判定が行える。

【０００８】

【発明の実施例の形態】以下、図面を参照して本発明の
実施形態を説明する。但し、いずれの図面も、本実施形
態を理解できる程度に各構成成分の寸法、形状及び配置
関係が概略的に示されている。また、各図面において、
共通の要素には共通の符号が付されている。図１
（Ａ），（Ｂ）は本発明の実施形態を示す端面発光型Ｌ
ＥＤアレイの構成図であり、同図（Ａ）は上方から見た
平面図、及び同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＩ−Ｉ線断面図
である。さらに、図２（Ａ），（Ｂ）は図１（Ａ）の断
面図であり、同図（Ａ）は図１（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線断
面図、及び同図（Ｂ）は図１（Ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線
断面図である。図１において、第１導電型（例えば、Ｎ
型）の半導体下地１には、図１（Ａ）の長手方向に、所
定幅の直線上の第１のダイシング領域２が配置され、さ
らにそれと直交する短手方向に、所定幅の直線上の複数
の第２のダイシング領域３が配置されている。両側の２
本の第２のダイシング領域３，３によってＬＥＤアレイ
形成領域４が区画され、そのＬＥＤアレイ形成領域４の
両側において、各２本の第２のダイシング領域３，３に
よって合せマーク領域５−１，５−２がそれぞれ区画さ
れている。

【０００９】所定幅の第１のダイシング領域２の側線上
で、かつ合せマーク領域５−１，５−２内には、そのダ
イシング領域２の位置を示す凸型の長手方向ダイシング
マーク（第１のダイシングマーク）６が、拡散防止膜を
用いて形成されている。さらに、ＬＥＤアレイ形成領域
４と合せマーク領域５−１，５−２とを区画する所定幅
の第２のダイシング領域３の側線上には、そのダイシン
グ領域３の位置を示す凸型の短手方向ダイシングマーク
（第２のダイシングマーク）７が、拡散防止膜を用いて
形成されている。ＬＥＤアレイ形成領域４の中央の長手
方向には、第１のダイシング領域２にそって、それより
も幅の広いＬＥＤアレイ分離用の凹部８が形成されてい
る。凹部８によって分離された２つのＬＥＤアレイ形成
領域には、それぞれ端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，
１０−２が同一方向をむいて形成されている。また、合
せマーク領域５−１，５−２内には、例えば十字状のパ
ターンからなる複数の合せマーク９が形成されている。
この合せマーク９は、拡散防止膜を用いて形成され、ホ
トリソによるパターンを形成するときに各層のパターン
を合せるためのマークである。この合せマーク領域５−
１，５−２内には、前述した凹部８が形成されておら
ず、第１のダイシングマーク６が形成されている。

【００１０】図１（Ｂ）及び図２（Ａ），（Ｂ）に示す
ように、Ｎ型の半導体下地１は、例えば、Ｎ型のガリウ
ム・砒素（ＧａＡｓ）からなるＮ型基板１ａと、このＮ
型基板１ａ上にエピタキシャル成長させたＮ型のガリウ
ム・砒素・燐（ＧａＡｓＰ）からなるＮ型層１ｂとで、
形成されている。Ｎ型層１ｂ内には、所定間隔（ＬＥＤ
の配列ピッチに応じた間隔）で複数のＰ型層１１が形成
されている。各Ｐ型層１１は、例えば、Ｐ型ＧａＡｓＰ
層で形成された発光層である。このＰ型層１１とＮ型層
１ｂとの接合によって、ＰＮ接合面の発光部が構成され
ている。このＰＮ接合面は、ＬＥＤアレイ１０−１と１
０−２を分離するための凹部８の側面によってテーパー
状に切断され、その切断面が発光端面１１ａとなり、そ
の発光端面１１ａから光が出射されるようになってい
る。Ｐ型層１１上の近傍には、拡散防止膜１２が形成さ
れている。拡散防止膜１２は、Ｐ型層１１を形成する際
に用いる製造上必要なものであり、Ｐ型層形成のために
Ｐ型不純物を半導体下地１に拡散する際に、そのＰ型不
純物が所定領域以外の領域に拡散するのを防止する膜で
ある。この拡散防止膜１２を用いて、ダイシングマーク
６，７及び合せマーク９も形成されている。拡散防止膜
１２上には、絶縁膜１３を介して第１電極（例えば、Ｐ
側電極）１４が形成され、そのＰ側電極１４がＰ型層１
１に接続されている。絶縁膜１３は、Ｐ側電極１４と半
導体下地１とを電気的に絶縁するためのものである。さ
らに、半導体下地１の裏面には、第２電極（例えば、Ｎ
側電極）１５が形成されている。

【００１１】図１及び図２に示すチップをダイシング領
域２，３で切断することにより、例えば２つの端面発光
型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−２が分離される。この
端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−２では、Ｐ側
電極１４とＮ側電極１５とに電圧を印加することによっ
てＰＮ接合面に順方向の電流を流せば、その発光端面１
１ａから光が出射される。図３（Ａ）〜（Ｊ）は図１
（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面の製造工程図、及び図４
（Ａ）〜（Ｊ）は図１（Ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面の
製造工程図である。以下、これらの図面を参照しつつ、
本実施形態の端面発光型ＬＥＤアレイの製造方法の一例
を示す製造工程（１）〜（５）を説明する。

【００１２】（１） 拡散防止膜形成工程（図３
（Ａ）、図４（Ａ）） Ｎ型の半導体下地１におけるＮ型ＧａＡｓからなるＮ型
基板１ａ上に、Ｎ型ＧａＡｓＰをエピタキシャル成長さ
せてＮ型層１ｂを形成する。半導体下地１の表面に、公
知の成膜方法（例えば、蒸着法、スパッタ法あるいはＣ
ＶＤ法（気相成長法等）で絶縁膜を被着する。この絶縁
膜の所定領域を、ホトリソグラフィ技術及びエッチング
技術によってパターニングし、ＬＥＤアレイ形成領域４
及び合せマーク領域５−１，５−２に拡散防止膜１２を
形成する。拡散防止膜１２のパターニングでは、ＬＥＤ
アレイ形成領域４において拡散させたい領域の不純物拡
散形成用の開口部１２ａを形成すると共に、合せマーク
領域５−１，５−２においてダイシングマーク６，７及
び合せマーク９を形成するためのダイシングマーク形成
用の開口部（ダイシングマーク部）１２ｂ及び合せマー
ク形成用の開口部（合せマーク部）を形成する。パター
ニングされた拡散防止膜１２は、例えば、アルミナ膜、
窒化珪素膜、及び酸化珪素膜等から選ばれる膜で形成さ
れ、その膜厚が５０〜５００ｎｍ等の範囲で形成され
る。次に、拡散防止膜１２が形成された半導体下地１上
に、蒸着等の公知の成膜方法によって拡散制御膜２１を
形成する。この拡散制御膜２１は、不純物拡散の際のダ
メージを少なくするために形成されるもので、例えば、
アルミナ膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜、ＰＳＧ（Phosph
o-Silicate Glass）膜等から選ばれる膜で形成され、そ
の膜厚が１０〜３００ｎｍ等の範囲で形成される。

【００１３】（２） Ｐ型層形成工程（図３（Ｂ）、図
４（Ｂ）） 半導体下地１の拡散防止膜１２で覆われていない部分
に、拡散制御膜２１を通して、Ｐ型不純物（例えば、亜
鉛（Ｚｎ））を不純物拡散法（例えば、気相拡散法）に
より拡散させ、発光部となるＰ型ＧａＡｓＰからなるＰ
型層１１と、ダイシングマーク６，７を形成するための
Ｐ型ＧａＡｓＰからなるＰ型層１１ａとを形成する。 （３） 発光端面形成工程（図３（Ｃ）〜（Ｆ）、図４
（Ｃ）〜（Ｆ）） 隣合う端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１と１０−２の間
の部分の、発光端面側のダイシング予定領域にあたる部
分に所定の凹部８を形成するために、まず、図３（Ｃ）
及び図４（Ｃ）に示すように、凹部形成予定領域の拡散
防止膜１２をエッチングによって選択的に除去する。次
に、図３（Ｄ）及び図４（Ｄ）に示すように、ホトレジ
スト等を用いて凹部形成予定領域以外を覆うエッチング
マスク２２を、半導体下地１上に選択的に形成する。そ
して、図３（Ｅ）及び図４（Ｅ）に示すように、クエン
酸系やフッ酸系、硫酸系等を用いたウェットエッチング
法、あるいはドライエッチング法等を用い、エッチング
マスク２２を通して半導体下地１を選択的にエッチング
することにより、所定の凹部８を形成する。この凹部８
は、Ｐ型層１１とＮ型層１ｂとで構成されるＰＮ接合面
を越える深さとなるように形成され、その両側面がテー
パー状となっている。このテーパー状は、ウェットエッ
チング等を行うと、半導体下地１の結晶方向等によって
サイドエッチングが生じるために、テーパー形状となる
ものである。エッチング方法やエッチング条件等を変え
ることにより、凹部８の両側面の形状を、垂直形状、あ
るいは逆テーパー形状にすることも可能である。このよ
うな凹部８は、合せマーク領域５−１，５−２には形成
しない。

【００１４】その後、図３（Ｆ）及び図４（Ｆ）に示す
ように、不要となったエッチングマスク２２を、エッチ
ング液を用いたウェットエッチング法等によって除去す
る。 （４） 電極形成工程（図３（Ｇ）〜（Ｉ）、図４
（Ｇ）〜（Ｉ）） 半導体下地１と後に形成されるＰ側電極１４との絶縁を
図るため、半導体下地１の全面に絶縁膜１３を公知の成
膜方法によって形成する。この絶縁膜１３は、例えば、
アルミナ膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜等から選ばれる膜
で形成でき、その膜厚は５０〜５００ｎｍ程度とする。
次に、図３（Ｈ）及び図４（Ｈ）に示すように、絶縁膜
１３を公知のホトリソグラフィ技術及びエッチング技術
によってパターニングし、不要部分を除去する。その
後、図３（Ｉ）及び図４（Ｉ）に示すように、公知の成
膜方法及び微細加工技術を用い、Ｐ型層１１に接続され
るＰ側電極１４を選択的に形成すると共に、半導体下地
１の裏面にもＮ側電極１５を形成する。Ｐ側電極１４を
構成する材料は、Ｐ型層１１との間でオーミックコンタ
クトがとれる材料であれば、アルミニウム等といった種
々の構成材料で形成できる。なお、半導体下地１の裏面
を研磨した後にＮ側電極１５を形成すれば、電気的特性
が向上する。

【００１５】（５） 切断工程（図３（Ｊ）、図４
（Ｊ）） Ｐ側電極１４及びＮ側電極１５を用い、プロービング等
によって発光特性及び電気特性の検査を行う。そして、
図１（Ａ）において、両側の合せマーク領域５−１，５
−２内の２つのダイシングマーク２，２に基づき、長手
方向のダイシング領域２にそってダイシングを行い、Ｌ
ＥＤアレイ形成領域４をその凹部８で切断して分離す
る。さらに、ＬＥＤアレイ形成領域４と合せマーク領域
５−１，５−２との境界線上に位置する短手方向のダイ
シングマーク７に基づき、短手方向のダイシング領域３
をダイシングし、ＬＥＤアレイ形成領域４と合せマーク
領域５−１，５−２とを切断して分離する。これによ
り、個々の端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−２
のチップが得られる。以上のように、本実施形態の端面
発光型ＬＥＤアレイの製造方法では、合せマーク領域５
−１，５−２には凹部８を形成せず、その合せマーク領
域５−１，５−２にダイシングマーク６，７を形成す
る。特に、このダイシングマーク６，７は、発光部を形
成するための拡散防止膜１２を用いて形成するため、発
光端面１１ａからの距離が一定であり、アライメント誤
差が含まれない。そのため、このダイシングマーク６，
７を基準にして容易かつ正確にダイシングを行うことが
できる。

【００１６】次に、本発明の実施形態の端面発光型ＬＥ
Ｄアレイ製造の検査方法を、図５（Ａ）〜（Ｃ）を参照
しつつ説明する。図５（Ａ）〜（Ｃ）は、図１中のダイ
シングマーク６，７の形状の例を示す図である。図５
（Ａ）は、図１（Ａ）に示されるものと同一であり、凸
型のダイシングマーク例である。図５（Ｂ）は、凸型の
ダイシングマークを２つ組合せたパターン例である。凸
型マークのマーク内をダイシングしたものが良品（Ｏ
Ｋ）と判定できるように、凸型マークの寸法を決定す
る。２つのダイシングマークを組合せることで、ダイシ
ング時の切りすぎや、切り残しの検査の他に、ダイシン
グブレードの劣化や、調整不良によるダイシング領域
２，３の太さの変化を検査することができる。

【００１７】図５（Ｂ）において、（ａ）で示す矢印の
幅が設計ダイシング領域を示す。（ｂ）の例では、ダイ
シング領域が図中上側にずれた場合を示し、この例では
ダイシングマージンの領域内なので良品（ＯＫ）と判定
する。（ｃ）の例では、ダイシング領域が図中下側にず
れた場合を示し、この例ではダイシングマージンの領域
内なので良品（ＯＫ）と判定する。（ｄ）の例では、ダ
イシング領域が図中上側にずれた場合を示し、この例で
はダイシングマージンの領域外なので不良品（ＮＧ）と
判定する。さらに、（ｅ）の例では、ダイシング領域が
図中上下に広がった場合を示し、この例ではダイシング
マージンの領域内なので良品（ＯＫ）と判定するが、ダ
イシングブレードの劣化が進行してきており、ダイシン
グブレードを交換しないと、ダイシングマージンが狭く
なり、歩留まり低下の危険性があることが判断できる。

【００１８】図５（Ｃ）は、１つのダイシングマークで
切りすぎ、切り残し、ダイシングブレードの劣化や調整
不良等を検査できるパターン例である。ダイシングマー
ク６，７を以上のような形状のパターンとすることで、
正確にダイシング位置を決定できる。さらに、ダイシン
グ後の切りすぎや切り残し検査も、あるいはダイシング
ブレードの劣化や、調整不良を、ダイシングマークのパ
ターンの残り方を観察するのみで可能であり、測長を行
うことなく、容易に行うことが可能となる。これらの検
査は、ダイシング工程途中でも、ダイシングブレードの
劣化や調整不良を検査及び検出できるため、不良発生時
にすぐに工程を止めて不良原因を取り除き、工程を再開
することが可能となる。その結果、不良品の発生数を低
減し、歩留まりを向上させることが可能となる。その
後、ダイシングによる切りすぎ、切り残し等の外観検査
を行い、プロービング等の良否判定データをもとに、良
品チップのみを取り出し、駆動回路と接続してプリンタ
ヘッドの光源等を製造する。なお、本発明は上記実施形
態に限定されず、種々の変形が可能である。その変形例
としては、例えば次のようなものがある。

【００１９】（ｉ） 図３（Ａ）〜（Ｊ）及び図４
（Ａ）〜（Ｊ）の製造工程において、他の製造工程に変
更することも可能である。例えば、図３（Ｇ）〜（Ｉ）
の絶縁膜１３及びＰ側電極１４を、図３（Ｄ）の工程で
形成し、その後、図３（Ｅ）で凹部８を形成するような
工程にしてもよい。Ｐ側電極１４の形成以降の工程な
ら、Ｎ側電極１５を任意の工程で形成してもよい。図３
（Ａ）及び図４（Ａ）の拡散制御膜２１は、不純物の拡
散時におけるダメージを少なくするためのものである
が、エッチング条件等によってはその拡散制御膜２１を
形成しなくてもよく、それによって製造工程の簡略化が
図れる。また、図３（Ｇ）及び図４（Ｇ）の絶縁膜１３
は、Ｐ側電極１４と半導体下地１との電気的絶縁を図る
ためのものであるが、拡散防止膜１２に絶縁性を持たせ
る等の処理を施せば、その絶縁膜１３を省略して、製造
工程の簡略化を図ることも可能である。

【００２０】（ii） 図１及び図２に示す端面発光型Ｌ
ＥＤアレイの構造や形状、あるいはその構成材料を他の
ものに変更することも可能である。例えば、図１（Ａ）
では、２つの端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−
２が同一方向をむいて形成されているが、それらが対向
するように形成された場合でも、上記実施形態を適用で
きる。また、図１（Ｂ）及び図２（Ａ）では、Ｎ型層１
ｂとその上のＰ型層１１とでＰＮ接合面を構成したが、
下側にＰ型層１１及び上側にＮ型層１ｂとなるようなＰ
Ｎ接合面を形成するような製造方法も可能である。 （iii) 合せマーク９は、十字状のパターン形状に限ら
ず、各層の合せが行える形状なら、いかなる形状でも構
わない。 （iv） 検査方法に用いられるダイシングマーク６，７
は、図５（Ａ）〜（Ｃ）の形状に限定されず、端面発光
型ＬＥＤアレイの形状や、検査内容等に応じて種々の形
状に変更可能である。

【００２１】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
によれば、合せマーク領域には凹部を形成せず、その合
せマーク領域に、拡散防止膜を用いてダイシングマーク
部を形成するようにしたので、このダイシングマーク部
を基準にしてダイシング領域を切断すれば、容易かつ正
確にダイシンを行うことができる。第２の発明によれ
ば、拡散防止膜を用いて形成されたダイシングマークの
切断された残渣形状から、ダイシング状態を検査するよ
うにしたので、切りすぎや、切り残し等の検査も容易に
行うことができる。このため、ダイシングずれの発生が
少なくなり、不良品の発生を少なくできるので、コスト
の低減が可能となる。しかも、切りすぎや切り残しの検
査が容易に行えるので、検査の時間も短縮することが可
能となる。さらに、ダイシング時の切りすぎや切り残し
の検査の他に、ダイシングブレードの劣化や、調整不良
によるダイシング領域の太さの変化を検査することがで
きる。これらの検査は、ダイシング工程途中でも、ダイ
シングブレードの劣化や調整不良を検査及び検出できる
ため、不良発生時にすぐに工程を止めて不良原因を取り
除き、工程を再開することが可能となる。従って、不良
品の発生数を低減し、歩留まりを向上させてコストを低
減することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態を示す端面発光型ＬＥＤアレ
イの構成図である。

【図２】図１（Ａ）の断面図である。

【図３】図１（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面の製造工程図で
ある。

【図４】図１（Ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面の製造工程
図である。

【図５】図１のダイシングマーク例を示す図である。

【符号の説明】

１ 半導体下地 １ａ Ｎ型基板 １ｂ Ｎ型層 ２，３ ダイシング領域 ４ ＬＥＤアレイ形成領域 ５−１，５−２ 合せマーク領域 ６，７ ダイシングマーク ８ 凹部 ９ 合せマーク １０−１，１０−２ 端面発光型ＬＥＤアレイ １１ Ｐ型層 １１ａ 発光端面 １２ 拡散防止膜 １３ 絶縁膜 １４ Ｐ側電極 １５ Ｎ側電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜野 広 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＬＥＤアレイ形成領域の両側に合せマー
   ク領域を有する第１導電型の半導体下地の表面に絶縁膜
   を被着し、その絶縁膜をパターニングして、前記ＬＥＤ
   アレイ形成領域内に位置する不純物拡散形成用の開口部
   と、前記合せマーク領域内に位置する合せマーク部と、
   前記合せマーク領域内に位置し、かつ前記開口部に隣接
   する所定幅の直線状の第１のダイシング領域上に位置す
   る第１のダイシングマーク部と、前記ＬＥＤアレイ形成
   領域と前記合せマーク領域との境界の所定幅の直線状の
   第２のダイシング領域上に位置する第２のダイシングマ
   ーク部とを、有する拡散防止膜を形成する拡散防止膜形
   成工程と、 前記合せマーク部を基準にして、前記開口部を通して第
   ２導電型の不純物を前記半導体下地に拡散して第２導電
   型層を形成する第２導電型層形成工程と、 前記合せマーク部を基準にして、前記拡散防止膜の開口
   部に隣接しかつ前記第１のダイシング領域を含む所定領
   域に、該拡散防止膜を通して、前記第２導電型層と前記
   半導体下地とで構成されるＰＮ接合面を越える深さま
   で、該半導体下地を凹部状にエッチングし、その凹部側
   面に位置する該ＰＮ接合面の発光端面を形成する発光端
   面形成工程と、 前記第２導電型層形成工程以降の任意の工程において、
   前記半導体下地上に第１電極を選択的に形成して前記第
   ２導電型層と接続すると共に、前記半導体下地の裏面に
   第２電極を形成する電極形成工程と、 前記第１のダイシングマーク部を基準にして、前記半導
   体下地の凹部内を通る前記第１のダイシング領域を切断
   すると共に、前記第２のダイシングマーク部を基準にし
   て、前記第２のダイシング領域を切断する切断工程と
   を、 行うことを特徴とする端面発光型ＬＥＤアレイの製造方
   法。
2. 【請求項２】 請求項１の第１及び第２のダイシングマ
   ーク部として、前記所定幅の第１及び第２のダイシング
   領域の側線上に、前記拡散防止膜を用いて所定形状のダ
   イシングマークを形成し、前記切断工程によって切断さ
   れた前記ダイシングマークの残渣形状から、ダイシング
   状態を検査することを特徴とする端面発光型ＬＥＤアレ
   イ製造の検査方法。