JPH0945958A - 端面発光型ｌｅｄアレイ及びその製造方法 - Google Patents
端面発光型ｌｅｄアレイ及びその製造方法Info
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- JPH0945958A JPH0945958A JP19649795A JP19649795A JPH0945958A JP H0945958 A JPH0945958 A JP H0945958A JP 19649795 A JP19649795 A JP 19649795A JP 19649795 A JP19649795 A JP 19649795A JP H0945958 A JPH0945958 A JP H0945958A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気的絶縁膜、電極を水平面上で形成してか
ら分離溝を形成することにより、断線や短絡をなくすと
ともに、低コストの端面発光型ＬＥＤアレイを提供す
る。 【構成】 Ｎ型の半導体下地１１に所定間隔（ＬＥＤの
配列ピッチに応じた間隔）で形成したＰ型ＧａＡｓＰ層
１３を形成し、このＰ型ＧａＡｓＰ層１３とＮ型ＧａＡ
ｓＰ層１１ｂとの界面近傍が発光部となる。また、Ｐ側
電極１５は絶縁膜１９上に設け、Ｎ型の半導体下地１１
側にＮ側電極１７を設ける。
ら分離溝を形成することにより、断線や短絡をなくすと
ともに、低コストの端面発光型ＬＥＤアレイを提供す
る。 【構成】 Ｎ型の半導体下地１１に所定間隔（ＬＥＤの
配列ピッチに応じた間隔）で形成したＰ型ＧａＡｓＰ層
１３を形成し、このＰ型ＧａＡｓＰ層１３とＮ型ＧａＡ
ｓＰ層１１ｂとの界面近傍が発光部となる。また、Ｐ側
電極１５は絶縁膜１９上に設け、Ｎ型の半導体下地１１
側にＮ側電極１７を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、端面発光型ＬＥＤ（Ｌ
ｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）アレイ及び
その製造方法に関するものである。
ｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）アレイ及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に示すようなものがあった。ＬＥＤアレイ
は、例えば電子写真方式のプリンタ用光源などとして利
用されており、ＬＥＤアレイの一つのタイプに、端面発
光型ＬＥＤアレイと称されるものがある。
例えば、以下に示すようなものがあった。ＬＥＤアレイ
は、例えば電子写真方式のプリンタ用光源などとして利
用されており、ＬＥＤアレイの一つのタイプに、端面発
光型ＬＥＤアレイと称されるものがある。
【０００３】そのようなＬＥＤアレイの構造及び製造方
法は、例えば、（１）特開平２−１２５７６５号公報
（以下、第１先行技術）、（２）特開平５−３１９５５
公報（以下、第２先行技術）に開示されている。第１先
行技術には、Ｎ電極、Ｎ−ＧａＡｓバッファ層、Ｎ−Ａ
ｌＧａＡｓ層、Ｐ−ＡｌＧａＡｓ層、Ｐ側電極が積層さ
れた構成の半導体ウエハをダイシングすることにより、
個々の端面発光型のＬＥＤアレイが得られる点が記載さ
れている。
法は、例えば、（１）特開平２−１２５７６５号公報
（以下、第１先行技術）、（２）特開平５−３１９５５
公報（以下、第２先行技術）に開示されている。第１先
行技術には、Ｎ電極、Ｎ−ＧａＡｓバッファ層、Ｎ−Ａ
ｌＧａＡｓ層、Ｐ−ＡｌＧａＡｓ層、Ｐ側電極が積層さ
れた構成の半導体ウエハをダイシングすることにより、
個々の端面発光型のＬＥＤアレイが得られる点が記載さ
れている。
【０００４】また、第２先行技術には、ダブルヘテロ構
造を有する半導体ウエハに、端面発光を作製する際、そ
れを塩素系ガスを用いたドライエッチング法により行う
点が記載されている。
造を有する半導体ウエハに、端面発光を作製する際、そ
れを塩素系ガスを用いたドライエッチング法により行う
点が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１先
行技術として開示されたＬＥＤアレイの場合、Ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ層を、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地の中に島状に形成
している。このため、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ層を形成する
際、ホトリソエッチングなどを用いてＮ型ＡｌＧａＡｓ
下地の中に、部分的にＰ型ＡｌＧａＡｓ層を形成する工
程が必要であった。
行技術として開示されたＬＥＤアレイの場合、Ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓ層を、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地の中に島状に形成
している。このため、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ層を形成する
際、ホトリソエッチングなどを用いてＮ型ＡｌＧａＡｓ
下地の中に、部分的にＰ型ＡｌＧａＡｓ層を形成する工
程が必要であった。
【０００６】また、第２先行技術として開示されたＬＥ
Ｄアレイの場合、分離溝により端面を形成した後、垂直
面や第１導電型基板上等の電極を接続しない部分を、電
気的絶縁層で覆った後に電極を形成している。このため
垂直面と水平面に均一に電気的絶縁膜を形成し、また垂
直面と水平面に均一に電極を形成し、ホトリソエッチン
グなどにより加工する技術が必要であった。
Ｄアレイの場合、分離溝により端面を形成した後、垂直
面や第１導電型基板上等の電極を接続しない部分を、電
気的絶縁層で覆った後に電極を形成している。このため
垂直面と水平面に均一に電気的絶縁膜を形成し、また垂
直面と水平面に均一に電極を形成し、ホトリソエッチン
グなどにより加工する技術が必要であった。
【０００７】また、分離溝形成を塩素系ガスを用いたド
ライエッチングで行うため、形成された垂直面、エッチ
ング底面にエッチング残渣や、エッチングダメージによ
る凹凸が発生してしまう等の問題があった。このエッチ
ング残渣やエッチングダメージによる凹凸のため、その
上に形成される電気的絶縁膜の絶縁不良が発生し易かっ
た。
ライエッチングで行うため、形成された垂直面、エッチ
ング底面にエッチング残渣や、エッチングダメージによ
る凹凸が発生してしまう等の問題があった。このエッチ
ング残渣やエッチングダメージによる凹凸のため、その
上に形成される電気的絶縁膜の絶縁不良が発生し易かっ
た。
【０００８】また、垂直面と水平面に均一に電気的絶縁
膜、電極膜を形成し、加工することは困難であり、絶縁
不良、パターン形成不良による断線・短絡が発生し易い
という問題があった。本発明は、上記問題点を解決する
ために、電気的絶縁膜、電極を水平面上で形成してから
分離溝を形成することにより、断線や短絡をなくすとと
もに、工程数を低減できる端面発光型ＬＥＤアレイ及び
その製造方法を提供することを目的とする。
膜、電極膜を形成し、加工することは困難であり、絶縁
不良、パターン形成不良による断線・短絡が発生し易い
という問題があった。本発明は、上記問題点を解決する
ために、電気的絶縁膜、電極を水平面上で形成してから
分離溝を形成することにより、断線や短絡をなくすとと
もに、工程数を低減できる端面発光型ＬＥＤアレイ及び
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
（１）端面発光型ＬＥＤアレイにおいて、第１導電型化
合物半導体基板と、この第１導電型化合物半導体基板全
面に形成した第２導電型化合物半導体層と、電極形成後
に形成される分離溝と、この分離溝によって形成される
端面発光部を設けるようにしたものである。
合物半導体基板と、この第１導電型化合物半導体基板全
面に形成した第２導電型化合物半導体層と、電極形成後
に形成される分離溝と、この分離溝によって形成される
端面発光部を設けるようにしたものである。
【００１０】（２）端面発光型ＬＥＤアレイの製造方法
において、第１導電型化合物半導体基板を形成する工程
と、この第１導電型化合物半導体基板全面に第２導電型
化合物半導体層を形成する工程と、この第２導電型化合
物半導体層上に選択的に絶縁膜をパターニングする工程
と、前記絶縁膜と前記第２導電型化合物半導体層とを跨
ぐように第２導電側電極を選択的に形成する工程と、分
離溝及び端面形成用マスクパターンを形成する工程と、
この分離溝及び端面形成用マスクパターン及び前記第２
導電側電極の一部をマスクとして、分離溝及び端面形成
を行う工程と、前記分離溝及び端面形成用マスクをエッ
チングする工程と、第１導電側電極を形成する工程とを
施すようにしたものである。
において、第１導電型化合物半導体基板を形成する工程
と、この第１導電型化合物半導体基板全面に第２導電型
化合物半導体層を形成する工程と、この第２導電型化合
物半導体層上に選択的に絶縁膜をパターニングする工程
と、前記絶縁膜と前記第２導電型化合物半導体層とを跨
ぐように第２導電側電極を選択的に形成する工程と、分
離溝及び端面形成用マスクパターンを形成する工程と、
この分離溝及び端面形成用マスクパターン及び前記第２
導電側電極の一部をマスクとして、分離溝及び端面形成
を行う工程と、前記分離溝及び端面形成用マスクをエッ
チングする工程と、第１導電側電極を形成する工程とを
施すようにしたものである。
【００１１】（３）上記（２）記載の端面発光型ＬＥＤ
アレイの製造方法において、一連のホトリソエッチング
工程により、前記第２導電側電極の一部分が空中配線と
して形成されるようにしたものである。
アレイの製造方法において、一連のホトリソエッチング
工程により、前記第２導電側電極の一部分が空中配線と
して形成されるようにしたものである。
【００１２】
（１）請求項１記載の端面発光型ＬＥＤアレイによれ
ば、第１導電型化合物半導体基板と、この第１導電型化
合物半導体基板全面に形成した第２導電型化合物半導体
層と、電極形成後に形成される分離溝と、この分離溝に
よって形成される端面発光部を設けるようにしたので、
断線や短絡をなくすとともに、低コストの端面発光型Ｌ
ＥＤアレイを提供することができる。
ば、第１導電型化合物半導体基板と、この第１導電型化
合物半導体基板全面に形成した第２導電型化合物半導体
層と、電極形成後に形成される分離溝と、この分離溝に
よって形成される端面発光部を設けるようにしたので、
断線や短絡をなくすとともに、低コストの端面発光型Ｌ
ＥＤアレイを提供することができる。
【００１３】（２）請求項２記載の端面発光型ＬＥＤア
レイの製造方法によれば、電気的絶縁膜、電極を水平面
上で形成してから分離溝を形成することにより、従来技
術の問題にあったような垂直面に電気的絶縁膜、電極を
成膜、加工することなく、水平面で成膜、加工が可能と
なる。このため、絶縁膜不良の発生が減少し、また電極
の成膜、加工不良も減少し、しかも工程数を低減するこ
とができる。
レイの製造方法によれば、電気的絶縁膜、電極を水平面
上で形成してから分離溝を形成することにより、従来技
術の問題にあったような垂直面に電気的絶縁膜、電極を
成膜、加工することなく、水平面で成膜、加工が可能と
なる。このため、絶縁膜不良の発生が減少し、また電極
の成膜、加工不良も減少し、しかも工程数を低減するこ
とができる。
【００１４】また、従来のように、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ層
を、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地の中に島状に形成する必要が
なく、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地基板上の全面にＰ型ＡｌＧ
ａＡｓ層を形成した後、分離溝で各発光ドットを分離形
成できるため、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地の中に部分的にＰ
型ＡｌＧａＡｓ層を形成するためのホトリソエッチング
等の工程が不要となり、工程数を減らし、容易に端面発
光型ＬＥＤアレイの製造が可能となる。
を、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地の中に島状に形成する必要が
なく、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地基板上の全面にＰ型ＡｌＧ
ａＡｓ層を形成した後、分離溝で各発光ドットを分離形
成できるため、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地の中に部分的にＰ
型ＡｌＧａＡｓ層を形成するためのホトリソエッチング
等の工程が不要となり、工程数を減らし、容易に端面発
光型ＬＥＤアレイの製造が可能となる。
【００１５】（３）請求項３記載の端面発光型ＬＥＤア
レイの製造方法によれば、一連のホトリソエッチング工
程により、電極の一部分が空中配線として形成されるた
め、電極と発光部との接続が、簡単であり、しかも確実
である。
レイの製造方法によれば、一連のホトリソエッチング工
程により、電極の一部分が空中配線として形成されるた
め、電極と発光部との接続が、簡単であり、しかも確実
である。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。ただし、いずれの図もこれらの
発明を理解できる程度に各構成部分の寸法、形状および
配置関係を概略的に示してある。また、説明に用いる各
図において同様な構成部分については同一の番号を付し
て示している。
ながら詳細に説明する。ただし、いずれの図もこれらの
発明を理解できる程度に各構成部分の寸法、形状および
配置関係を概略的に示してある。また、説明に用いる各
図において同様な構成部分については同一の番号を付し
て示している。
【００１７】図１は本発明の実施例を示す端面発光型Ｌ
ＥＤアレイの斜視図、図２はその端面発光型ＬＥＤアレ
イの平面図、図３は図２のＡ−Ａ線断面図、図４は図２
のＢ−Ｂ線断面図、図５は図２のＣ−Ｃ線断面図であ
る。これらの図において、１１は第１導電型の半導体下
地である。この実施例では、Ｎ型の半導体下地１１とし
ている。詳細には、Ｎ型のガリウム・砒素（ＧａＡｓ）
基板１１ａと、このＮ型のＧａＡｓ基板１１ａ上にエピ
タキシャル成長させたＮ型のガリウム・砒素・燐（Ｎ型
のＧａＡｓＰ）層１１ｂとでＮ型半導体下地１１を構成
している。
ＥＤアレイの斜視図、図２はその端面発光型ＬＥＤアレ
イの平面図、図３は図２のＡ−Ａ線断面図、図４は図２
のＢ−Ｂ線断面図、図５は図２のＣ−Ｃ線断面図であ
る。これらの図において、１１は第１導電型の半導体下
地である。この実施例では、Ｎ型の半導体下地１１とし
ている。詳細には、Ｎ型のガリウム・砒素（ＧａＡｓ）
基板１１ａと、このＮ型のＧａＡｓ基板１１ａ上にエピ
タキシャル成長させたＮ型のガリウム・砒素・燐（Ｎ型
のＧａＡｓＰ）層１１ｂとでＮ型半導体下地１１を構成
している。
【００１８】１３はＮ型の半導体下地１１に所定間隔
（ＬＥＤの配列ピッチに応じた間隔）で形成したＰ型Ｇ
ａＡｓＰ層である。このＰ型ＧａＡｓＰ層１３とＮ型の
ＧａＡｓＰ層１１ｂとの界面近傍が発光部となる。ま
た、１５はＰ側電極、１７はＮ側電極である。１９は電
気的絶縁性を有する絶縁膜であり、Ｐ型ＧａＡｓＰ層１
３とＰ側電極１５を電気的に絶縁する役割を持ってい
る。
（ＬＥＤの配列ピッチに応じた間隔）で形成したＰ型Ｇ
ａＡｓＰ層である。このＰ型ＧａＡｓＰ層１３とＮ型の
ＧａＡｓＰ層１１ｂとの界面近傍が発光部となる。ま
た、１５はＰ側電極、１７はＮ側電極である。１９は電
気的絶縁性を有する絶縁膜であり、Ｐ型ＧａＡｓＰ層１
３とＰ側電極１５を電気的に絶縁する役割を持ってい
る。
【００１９】なお、２つの端面発光型ＬＥＤアレイ１０
間を分離するように設けられた凹部及び分離溝の形状
は、ここではテーパー状となっているが、垂直でも、逆
テーパー状でも本発明は適用できる。また、端面発光の
光取り出し側の凹部斜面を順メサ形状の例で示している
ため、基板の結晶方向の関係で、発光ドット間の分離溝
の凹部斜面形状は逆メサ形状として表している。
間を分離するように設けられた凹部及び分離溝の形状
は、ここではテーパー状となっているが、垂直でも、逆
テーパー状でも本発明は適用できる。また、端面発光の
光取り出し側の凹部斜面を順メサ形状の例で示している
ため、基板の結晶方向の関係で、発光ドット間の分離溝
の凹部斜面形状は逆メサ形状として表している。
【００２０】以下、本発明の実施例を示す端面発光型Ｌ
ＥＤアレイの製造方法について図を参照しながら説明す
る。図６は本発明の実施例を示す端面発光型ＬＥＤアレ
イの製造工程断面図（その１）、図７はその端面発光型
ＬＥＤアレイの製造工程断面図（その２）である。 （１）まず、図６（ａ）に示すように、Ｎ型ＧａＡｓ基
板と、このＮ型ＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長さ
せたＮ型ＧａＡｓＰ層とで構成されるＮ型の半導体下地
１１上に、拡散制御膜２５を公知の成膜方法により形成
する。この拡散制御膜２５は、例えばアルミナ膜、窒化
珪素膜、酸化珪素膜、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌ
ｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜などから選ばれる膜で形成
できる。また、その膜厚は例えば１０〜３００ｎｍ等の
範囲で形成する。
ＥＤアレイの製造方法について図を参照しながら説明す
る。図６は本発明の実施例を示す端面発光型ＬＥＤアレ
イの製造工程断面図（その１）、図７はその端面発光型
ＬＥＤアレイの製造工程断面図（その２）である。 （１）まず、図６（ａ）に示すように、Ｎ型ＧａＡｓ基
板と、このＮ型ＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長さ
せたＮ型ＧａＡｓＰ層とで構成されるＮ型の半導体下地
１１上に、拡散制御膜２５を公知の成膜方法により形成
する。この拡散制御膜２５は、例えばアルミナ膜、窒化
珪素膜、酸化珪素膜、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌ
ｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜などから選ばれる膜で形成
できる。また、その膜厚は例えば１０〜３００ｎｍ等の
範囲で形成する。
【００２１】（２）次に、図６（ｂ）に示すように、拡
散制御膜２５を通して、Ｐ型不純物として、例えば亜鉛
（Ｚｎ）を気相拡散法により拡散させて、Ｐ型ＧａＡｓ
Ｐ層１３を形成する。その後、不要となった拡散制御膜
２５を公知のエッチング法を用いて除去する。 （３）次に、図６（ｃ）に示すように、Ｎ型半導体下地
１１とＰ側電極パッドとを電気的に絶縁するために、公
知の成膜技術で絶縁膜を形成する。絶縁膜は、例えばア
ルミナ膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜、ＰＳＧ膜などから
選ばれる膜で形成できる。また、その膜厚は、例えば１
０００〜４０００ｎｍ等の範囲で形成する。更に、ホト
リソエッチング等の公知の加工方法で絶縁膜の不要部分
を除去し、パターン化された絶縁膜１９を形成する。
散制御膜２５を通して、Ｐ型不純物として、例えば亜鉛
（Ｚｎ）を気相拡散法により拡散させて、Ｐ型ＧａＡｓ
Ｐ層１３を形成する。その後、不要となった拡散制御膜
２５を公知のエッチング法を用いて除去する。 （３）次に、図６（ｃ）に示すように、Ｎ型半導体下地
１１とＰ側電極パッドとを電気的に絶縁するために、公
知の成膜技術で絶縁膜を形成する。絶縁膜は、例えばア
ルミナ膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜、ＰＳＧ膜などから
選ばれる膜で形成できる。また、その膜厚は、例えば１
０００〜４０００ｎｍ等の範囲で形成する。更に、ホト
リソエッチング等の公知の加工方法で絶縁膜の不要部分
を除去し、パターン化された絶縁膜１９を形成する。
【００２２】（４）次に、図６（ｄ）に示すように、Ｐ
型ＧａＡｓＰ層１３に接続されるＰ側電極１５を、蒸着
法などの公知の成膜方法及び微細加工技術により形成す
る。ここで、Ｐ側電極１５を構成する材料は、Ｐ型Ｇａ
ＡｓＰ層１３との間でオーミックコンタクトがとれる材
料であれは特に限定されない。例えば、アルミニウムは
Ｐ側電極１５の構成材料として用いることができる。
型ＧａＡｓＰ層１３に接続されるＰ側電極１５を、蒸着
法などの公知の成膜方法及び微細加工技術により形成す
る。ここで、Ｐ側電極１５を構成する材料は、Ｐ型Ｇａ
ＡｓＰ層１３との間でオーミックコンタクトがとれる材
料であれは特に限定されない。例えば、アルミニウムは
Ｐ側電極１５の構成材料として用いることができる。
【００２３】（５）次いで、隣合う端面発光型ＬＥＤア
レイ１０間の部分の、発光端面側のダイシング予定領域
にあたる部分に所定の凹部と、発光部とパッド間、隣接
する発光部間のＰ型ＧａＡｓＰ層の分離溝を形成する。
このため、図６（ｅ）に示すように、エッチングされて
はならない部分を覆う分離溝及び端面形成用マスクパタ
ーン２７を試料上に形成する。
レイ１０間の部分の、発光端面側のダイシング予定領域
にあたる部分に所定の凹部と、発光部とパッド間、隣接
する発光部間のＰ型ＧａＡｓＰ層の分離溝を形成する。
このため、図６（ｅ）に示すように、エッチングされて
はならない部分を覆う分離溝及び端面形成用マスクパタ
ーン２７を試料上に形成する。
【００２４】（６）次いで、図７（ａ）に示すように、
この分離溝及び端面形成用マスクパターン２７と、Ｐ側
電極の一部分をマスクとしてエッチングを行うことで所
定の凹部２９を形成する。この凹部２９は、Ｐ型ＧａＡ
ｓＰ層１３ａと、Ｎ型半導体下地１１とで構成されるｐ
ｎ接合面を越える深さとなるように形成する。この際サ
イドエッチングにより、分離溝及び端面形成用マスクパ
ターン２７と、Ｐ側電極の一部分でエッチングマスクと
した領域の下にもエッチングが進行する。このため、Ｐ
側電極の一部分のように細いパターンをマスクとしてエ
ッチングを行うと、細いパターンの両脇よりサイドエッ
チングが入ると、そのパターンの下がエッチングされ、
エッチングにより形成された中空部５０が形成される。
この分離溝及び端面形成用マスクパターン２７と、Ｐ側
電極の一部分をマスクとしてエッチングを行うことで所
定の凹部２９を形成する。この凹部２９は、Ｐ型ＧａＡ
ｓＰ層１３ａと、Ｎ型半導体下地１１とで構成されるｐ
ｎ接合面を越える深さとなるように形成する。この際サ
イドエッチングにより、分離溝及び端面形成用マスクパ
ターン２７と、Ｐ側電極の一部分でエッチングマスクと
した領域の下にもエッチングが進行する。このため、Ｐ
側電極の一部分のように細いパターンをマスクとしてエ
ッチングを行うと、細いパターンの両脇よりサイドエッ
チングが入ると、そのパターンの下がエッチングされ、
エッチングにより形成された中空部５０が形成される。
【００２５】その結果、Ｐ側電極の一部分が空中に架橋
されたように残る。このためＰ側電極の一部分の細い部
分の下のＰ型ＧａＡｓＰ層１３が完全に除去され、発光
部分のＰ型ＧａＡｓＰ層１３ａと、パッド部分の下のＰ
型ＧａＡｓＰ層１３ｂは電気的に絶縁される。ここで、
凹部２９の両側はテーパー状となっているが、垂直で
も、逆テーパー状でも本発明は適用できる。エッチング
マスクは、例えばホトレジストなどで形成できる。
されたように残る。このためＰ側電極の一部分の細い部
分の下のＰ型ＧａＡｓＰ層１３が完全に除去され、発光
部分のＰ型ＧａＡｓＰ層１３ａと、パッド部分の下のＰ
型ＧａＡｓＰ層１３ｂは電気的に絶縁される。ここで、
凹部２９の両側はテーパー状となっているが、垂直で
も、逆テーパー状でも本発明は適用できる。エッチング
マスクは、例えばホトレジストなどで形成できる。
【００２６】また、エッチングはクエン酸系やフッ酸
系、硫酸系などを用いたウェットエッチングや、塩素系
ガスなどを用いたドライエッチングなどが利用できる。 （７）次に、図７（ｂ）に示すように、分離溝及び端面
形成用マスクパターン２７〔図７（ａ）参照〕を好適な
方法により除去する。 （８）次に、図７（ｃ）に示すように、Ｎ型半導体下地
１１の裏面にＮ側電極１７を形成する。なお、特性向上
のためにＮ型半導体下地１１の裏面を研磨した後にＮ側
電極１７を形成することができる。
系、硫酸系などを用いたウェットエッチングや、塩素系
ガスなどを用いたドライエッチングなどが利用できる。 （７）次に、図７（ｂ）に示すように、分離溝及び端面
形成用マスクパターン２７〔図７（ａ）参照〕を好適な
方法により除去する。 （８）次に、図７（ｃ）に示すように、Ｎ型半導体下地
１１の裏面にＮ側電極１７を形成する。なお、特性向上
のためにＮ型半導体下地１１の裏面を研磨した後にＮ側
電極１７を形成することができる。
【００２７】ここまでの工程において、Ｐ側電極とＮ側
電極の形成は逆の工程でも可能である。 （９）その後、図７（ｄ）に示すように、プロービング
により発光特性電気特性の検査を行い、ダイシングによ
りアレイを分離する。その後、プロービングの良否判定
データをもとに、良品チップのみ取り出し、駆動回路と
接続してプリンタヘッド等を作製する。
電極の形成は逆の工程でも可能である。 （９）その後、図７（ｄ）に示すように、プロービング
により発光特性電気特性の検査を行い、ダイシングによ
りアレイを分離する。その後、プロービングの良否判定
データをもとに、良品チップのみ取り出し、駆動回路と
接続してプリンタヘッド等を作製する。
【００２８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、第１導電型化合物
半導体基板と、この第１導電型化合物半導体基板全面に
形成した第２導電型化合物半導体層と、電極形成後に形
成される分離溝と、この分離溝によって形成される端面
発光部を設けるようにしたので、断線や短絡をなくすと
ともに、低コストの端面発光型ＬＥＤアレイを提供する
ことができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、第１導電型化合物
半導体基板と、この第１導電型化合物半導体基板全面に
形成した第２導電型化合物半導体層と、電極形成後に形
成される分離溝と、この分離溝によって形成される端面
発光部を設けるようにしたので、断線や短絡をなくすと
ともに、低コストの端面発光型ＬＥＤアレイを提供する
ことができる。
【００３０】（２）請求項２記載の発明によれば、電気
的絶縁膜、電極を水平面上で形成してから分離溝を形成
することにより、従来技術の問題にあったような垂直面
に電気的絶縁膜、電極を成膜、加工することなく、水平
面で成膜、加工が可能となる。このため、絶縁膜不良の
発生が減少し、また電極の成膜、加工不良も減少し、し
かも工程数を低減することができる。
的絶縁膜、電極を水平面上で形成してから分離溝を形成
することにより、従来技術の問題にあったような垂直面
に電気的絶縁膜、電極を成膜、加工することなく、水平
面で成膜、加工が可能となる。このため、絶縁膜不良の
発生が減少し、また電極の成膜、加工不良も減少し、し
かも工程数を低減することができる。
【００３１】また、従来のように、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ層
を、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地の中に島状に形成する必要が
なく、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地基板上の全面にＰ型ＡｌＧ
ａＡｓ層を形成した後、分離溝で各発光ドットを分離形
成できるため、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地の中に部分的にＰ
型ＡｌＧａＡｓ層を形成するためのホトリソエッチング
等の工程が不要となり、工程数を減らし、容易に端面発
光型ＬＥＤアレイの製造が可能となる。
を、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地の中に島状に形成する必要が
なく、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地基板上の全面にＰ型ＡｌＧ
ａＡｓ層を形成した後、分離溝で各発光ドットを分離形
成できるため、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下地の中に部分的にＰ
型ＡｌＧａＡｓ層を形成するためのホトリソエッチング
等の工程が不要となり、工程数を減らし、容易に端面発
光型ＬＥＤアレイの製造が可能となる。
【００３２】（３）請求項３記載の発明によれば、一連
のホトリソエッチング工程により、電極の一部分が空中
配線として形成されるため、電極と発光部との接続が、
簡単で、しかも確実である。
のホトリソエッチング工程により、電極の一部分が空中
配線として形成されるため、電極と発光部との接続が、
簡単で、しかも確実である。
【図１】本発明の実施例を示す端面発光型ＬＥＤアレイ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】本発明の実施例を示す端面発光型ＬＥＤアレイ
の平面図である。
の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図６】本発明の実施例を示す端面発光型ＬＥＤアレイ
の製造工程断面図（その１）である。
の製造工程断面図（その１）である。
【図７】本発明の実施例を示す端面発光型ＬＥＤアレイ
の製造工程断面図（その２）である。
の製造工程断面図（その２）である。
１０ 端面発光型ＬＥＤアレイ １１ Ｎ型の半導体下地 １１ａ Ｎ型のガリウム・砒素（ＧａＡｓ）基板 １１ｂ Ｎ型のガリウム・砒素・燐（Ｎ型のＧａＡｓ
Ｐ）層 １３ Ｐ型ＧａＡｓＰ層 １３ａ Ｐ型ＧａＡｓＰ層 １３ｂ パッド部分の下のＰ型ＧａＡｓＰ層 １５ Ｐ側電極 １７ Ｎ側電極 １９ 絶縁膜 ２５ 拡散制御膜 ２７ 分離溝及び端面形成用マスクパターン ２９ 凹部 ５０ 中空部
Ｐ）層 １３ Ｐ型ＧａＡｓＰ層 １３ａ Ｐ型ＧａＡｓＰ層 １３ｂ パッド部分の下のＰ型ＧａＡｓＰ層 １５ Ｐ側電極 １７ Ｎ側電極 １９ 絶縁膜 ２５ 拡散制御膜 ２７ 分離溝及び端面形成用マスクパターン ２９ 凹部 ５０ 中空部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜野 広 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】（ａ）第１導電型化合物半導体基板と、
（ｂ）該第１導電型化合物半導体基板全面に形成した第
２導電型化合物半導体層と、（ｃ）電極形成後に形成さ
れる分離溝と、（ｄ）該分離溝によって形成される端面
発光部を具備することを特徴とする端面発光型ＬＥＤア
レイ。 - 【請求項２】（ａ）第１導電型化合物半導体基板を形成
する工程と、（ｂ）該第１導電型化合物半導体基板全面
に第２導電型化合物半導体層を形成する工程と、（ｃ）
該第２導電型化合物半導体層上に選択的に絶縁膜をパタ
ーニングする工程と、（ｄ）前記絶縁膜と前記第２導電
型化合物半導体層とを跨ぐように第２導電側電極を選択
的に形成する工程と、（ｅ）分離溝及び端面形成用マス
クパターンを形成する工程と、（ｆ）該分離溝及び端面
形成用マスクパターン及び前記第２導電側電極の一部を
マスクとして、分離溝及び端面形成を行う工程と、
（ｇ）前記分離溝及び端面形成用マスクをエッチングす
る工程と、（ｈ）第１導電側電極を形成する工程とを施
すことを特徴とする端面発光型ＬＥＤアレイの製造方
法。 - 【請求項３】 請求項２記載の端面発光型ＬＥＤアレイ
の製造方法において、一連のホトリソエッチング工程に
より、前記第２導電側電極の一部分が空中配線として形
成されることを特徴とする端面発光型ＬＥＤアレイの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19649795A JPH0945958A (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 端面発光型ｌｅｄアレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19649795A JPH0945958A (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 端面発光型ｌｅｄアレイ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945958A true JPH0945958A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16358757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19649795A Withdrawn JPH0945958A (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 端面発光型ｌｅｄアレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945958A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007299955A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Kyocera Corp | 電子装置、発光装置および画像形成装置 |
| JP2014090117A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の実装構造、および半導体装置の製造方法 |
| JP2018026440A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 住友電気工業株式会社 | 集積量子カスケードレーザ、半導体光装置 |
-
1995
- 1995-08-01 JP JP19649795A patent/JPH0945958A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007299955A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Kyocera Corp | 電子装置、発光装置および画像形成装置 |
| JP2014090117A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の実装構造、および半導体装置の製造方法 |
| JP2018026440A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 住友電気工業株式会社 | 集積量子カスケードレーザ、半導体光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021001 |