JPH0799344A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPH0799344A JPH0799344A JP23870193A JP23870193A JPH0799344A JP H0799344 A JPH0799344 A JP H0799344A JP 23870193 A JP23870193 A JP 23870193A JP 23870193 A JP23870193 A JP 23870193A JP H0799344 A JPH0799344 A JP H0799344A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 一列に整列する複数のＬＥＤ３によって構成
されるＬＥＤアレイと、各ＬＥＤ３毎に設けられる個別
電極４とを備える半導体発光装置１をウエハー６上に複
数形成し、しかる後にウエハー６を分断ラインＬに沿っ
て分断することで各半導体発光装置１を互いに分離す
る。そのウエハー６の分断前に、前記個別電極４の全て
に接続される短絡配線８を、各個別電極４の相互間にお
いて前記分断ラインＬを跨ぐようにウエハー６上に形成
する。 【効果】 その短絡配線をウエハーを分断すると同時に
切断し、別途フォトエッチング等を行うことなく各個別
電極を互いに絶縁できる。
されるＬＥＤアレイと、各ＬＥＤ３毎に設けられる個別
電極４とを備える半導体発光装置１をウエハー６上に複
数形成し、しかる後にウエハー６を分断ラインＬに沿っ
て分断することで各半導体発光装置１を互いに分離す
る。そのウエハー６の分断前に、前記個別電極４の全て
に接続される短絡配線８を、各個別電極４の相互間にお
いて前記分断ラインＬを跨ぐようにウエハー６上に形成
する。 【効果】 その短絡配線をウエハーを分断すると同時に
切断し、別途フォトエッチング等を行うことなく各個別
電極を互いに絶縁できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばページプリンタ
の感光ドラムの露光用光源として用いられるＬＥＤアレ
イを備える半導体発光装置の製造方法に関する。
の感光ドラムの露光用光源として用いられるＬＥＤアレ
イを備える半導体発光装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一列に整列する複数のＬＥＤによって構
成されるＬＥＤアレイと、各ＬＥＤ毎に設けられる個別
電極とを備える半導体発光装置の製造に際しては、その
半導体発光装置をウエハー上に複数形成し、しかる後に
ウエハーを分断して各半導体発光装置を互いに分離する
ことが行われている。
成されるＬＥＤアレイと、各ＬＥＤ毎に設けられる個別
電極とを備える半導体発光装置の製造に際しては、その
半導体発光装置をウエハー上に複数形成し、しかる後に
ウエハーを分断して各半導体発光装置を互いに分離する
ことが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような半導体発
光装置の電極をマイクロバンプボンディング法等によっ
て制御回路基板の配線にバンプを介し押し付けて接続す
るため、その電極にバンプを電気メッキにより形成する
ことが提案されている。そこで、ウエハーを分断して各
半導体発光装置を互いに分離する前に、各ＬＥＤの個別
電極の全てに接続される短絡配線をウエハー上に形成
し、その短絡配線をメッキ電極に接続してバンプを電極
に形成することが考えられる。
光装置の電極をマイクロバンプボンディング法等によっ
て制御回路基板の配線にバンプを介し押し付けて接続す
るため、その電極にバンプを電気メッキにより形成する
ことが提案されている。そこで、ウエハーを分断して各
半導体発光装置を互いに分離する前に、各ＬＥＤの個別
電極の全てに接続される短絡配線をウエハー上に形成
し、その短絡配線をメッキ電極に接続してバンプを電極
に形成することが考えられる。
【０００４】また、そのような短絡配線を介し各ＬＥＤ
に通電して発光抜けの有無を検査したり、各ＬＥＤの静
電破壊を防止することが考えられる。
に通電して発光抜けの有無を検査したり、各ＬＥＤの静
電破壊を防止することが考えられる。
【０００５】上記のような短絡配線は、各ＬＥＤを個別
に発光制御するため最終的には各個別電極の相互間にお
いて切断する必要がある。しかし、短絡配線をフォトエ
ッチングにより切断しようとすると工程が増大して生産
性が低下してしまう。
に発光制御するため最終的には各個別電極の相互間にお
いて切断する必要がある。しかし、短絡配線をフォトエ
ッチングにより切断しようとすると工程が増大して生産
性が低下してしまう。
【０００６】本発明は、上記従来技術の問題を解決する
ことのできる半導体発光装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
ことのできる半導体発光装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、一列に整列す
る複数のＬＥＤによって構成されるＬＥＤアレイと、各
ＬＥＤ毎に設けられる個別電極とを備える半導体発光装
置をウエハー上に複数形成し、しかる後にウエハーを分
断ラインに沿って分断することで各半導体発光装置を互
いに分離するに際し、そのウエハーの分断前に、前記個
別電極の全てに接続される短絡配線を、各個別電極の相
互間において前記分断ラインを跨ぐようにウエハー上に
形成することを特徴とする。
る複数のＬＥＤによって構成されるＬＥＤアレイと、各
ＬＥＤ毎に設けられる個別電極とを備える半導体発光装
置をウエハー上に複数形成し、しかる後にウエハーを分
断ラインに沿って分断することで各半導体発光装置を互
いに分離するに際し、そのウエハーの分断前に、前記個
別電極の全てに接続される短絡配線を、各個別電極の相
互間において前記分断ラインを跨ぐようにウエハー上に
形成することを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明によれば、ウエハー上に形成された複数
のＬＥＤの個別電極は、そのウエハーの分断前において
は全て短絡配線により互いに接続される。その短絡配線
は、各個別電極の相互間においてウエハーの分断ライン
を跨ぐように形成されているので、その分断ラインに沿
ってウエハーを分断すると同時に各個別電極の相互間に
おいて切断され、これにより、各個別電極は互いに絶縁
される。
のＬＥＤの個別電極は、そのウエハーの分断前において
は全て短絡配線により互いに接続される。その短絡配線
は、各個別電極の相互間においてウエハーの分断ライン
を跨ぐように形成されているので、その分断ラインに沿
ってウエハーを分断すると同時に各個別電極の相互間に
おいて切断され、これにより、各個別電極は互いに絶縁
される。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００１０】図３、図４に示す半導体発光装置１は、シ
リコン基板２の一方の主面上で一列に並列する複数のＬ
ＥＤ３によって構成されるＬＥＤアレイと、その基板２
の一方の主面に形成された各ＬＥＤ３毎に設けられるア
ノード電極（個別電極）４と、その基板２の他方の主面
に形成されたカソード電極（共通電極）５とを備えてい
る。
リコン基板２の一方の主面上で一列に並列する複数のＬ
ＥＤ３によって構成されるＬＥＤアレイと、その基板２
の一方の主面に形成された各ＬＥＤ３毎に設けられるア
ノード電極（個別電極）４と、その基板２の他方の主面
に形成されたカソード電極（共通電極）５とを備えてい
る。
【００１１】その半導体発光装置１は、図２に示すよう
なシリコンウエハー６に多数つくり込まれたものの一つ
である。すなわち、図２おいて２点鎖線で示す分断ライ
ンＬによって囲まれる複数の領域それぞれに半導体発光
装置１が形成され、その分断ラインＬに沿ってウエハー
６を分断することで各半導体発光装置１は互いに分離さ
れる。
なシリコンウエハー６に多数つくり込まれたものの一つ
である。すなわち、図２おいて２点鎖線で示す分断ライ
ンＬによって囲まれる複数の領域それぞれに半導体発光
装置１が形成され、その分断ラインＬに沿ってウエハー
６を分断することで各半導体発光装置１は互いに分離さ
れる。
【００１２】各ＬＥＤ３は、ウエハー６の一方の主面に
半導体結晶を有機金属気相エピタキシー（ＭＯＣＶＤ）
や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）等により成長させ、そ
の成長層をＬＥＤ３となる部分を残してエッチングする
ことで形成でき、例えば図５に示すように、ガリウム砒
素（ＧａＡｓ）、ガリウム砒素リン（ＧａＡｓＰ）、ガ
リウムリン（ＧａＰ）等の成長層であるバッファー層３
ａと、ＡｌX Ｇａ1-XＡｓの成長層であるｎ形半導体層
３ｂ、ｐ形半導体層３ｃおよびｐ+ 形半導体層３ｄとで
構成でき、さらに、窒化珪素（ＳｉＮX ）、酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）等の保護膜７をプラズマＣＶＤ等により形
成することができる。各ＬＥＤ３毎の個別電極４は、各
ＬＥＤ３の発光面を覆う保護膜７の一部をエッチングに
より除去することで露出するｐ+ 型半導体層３ｄに接続
され、共通電極５はウエハー６の他方の主面の全域に接
続される。
半導体結晶を有機金属気相エピタキシー（ＭＯＣＶＤ）
や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）等により成長させ、そ
の成長層をＬＥＤ３となる部分を残してエッチングする
ことで形成でき、例えば図５に示すように、ガリウム砒
素（ＧａＡｓ）、ガリウム砒素リン（ＧａＡｓＰ）、ガ
リウムリン（ＧａＰ）等の成長層であるバッファー層３
ａと、ＡｌX Ｇａ1-XＡｓの成長層であるｎ形半導体層
３ｂ、ｐ形半導体層３ｃおよびｐ+ 形半導体層３ｄとで
構成でき、さらに、窒化珪素（ＳｉＮX ）、酸化珪素
（ＳｉＯ2 ）等の保護膜７をプラズマＣＶＤ等により形
成することができる。各ＬＥＤ３毎の個別電極４は、各
ＬＥＤ３の発光面を覆う保護膜７の一部をエッチングに
より除去することで露出するｐ+ 型半導体層３ｄに接続
され、共通電極５はウエハー６の他方の主面の全域に接
続される。
【００１３】図１に示すように、そのウエハー６の分断
前に、各ＬＥＤ３の個別電極４の全てに接続される短絡
配線８が、各個別電極４の相互間において前記分断ライ
ンＬを跨ぐように形成される。この短絡配線８は各個別
電極４と同時に形成することができ、例えば、金属膜を
成長させた後に個別電極４となる部分と短絡配線８とな
る部分をエッチングにより除去することで形成できる。
前に、各ＬＥＤ３の個別電極４の全てに接続される短絡
配線８が、各個別電極４の相互間において前記分断ライ
ンＬを跨ぐように形成される。この短絡配線８は各個別
電極４と同時に形成することができ、例えば、金属膜を
成長させた後に個別電極４となる部分と短絡配線８とな
る部分をエッチングにより除去することで形成できる。
【００１４】各個別電極４は、各ＬＥＤ３からＬＥＤア
レイの並列方向（図１において左右方向）に直角な方向
（図１において上下方向）に引き出され、一側方に引き
出されるものと他側方に引き出されるものとが交互に並
列し、ウエハー６上のＬＥＤアレイ形成領域の周縁部に
位置するものを除き、隣接するＬＥＤアレイの個別電極
４と分断ラインＬを挟んで対向する。
レイの並列方向（図１において左右方向）に直角な方向
（図１において上下方向）に引き出され、一側方に引き
出されるものと他側方に引き出されるものとが交互に並
列し、ウエハー６上のＬＥＤアレイ形成領域の周縁部に
位置するものを除き、隣接するＬＥＤアレイの個別電極
４と分断ラインＬを挟んで対向する。
【００１５】その短絡配線８は、ＬＥＤアレイの並列方
向に直角な方向に沿う第１部分８ａと、ＬＥＤアレイの
並列方向に対し傾斜する方向に沿う第２部分８ｂと、Ｌ
ＥＤアレイ形成領域を囲む環状の第３部分８ｃと、この
第３部分８ｃとＬＥＤアレイ形成領域との間の分断ライ
ンＬに跨がる第４部分８ｄとから構成されている。その
短絡配線８の第１部分８ａは、分断ラインＬを挟んで相
対向する個別電極４同志を接続すると共に、その分断ラ
インＬに跨がる。その短絡配線８の第２部分８ｂは、分
断ラインＬを挟んで相対向する個別電極４の一方を、そ
の相対向する個別電極４に隣接する相対向する個別電極
４の他方に接続すると共に、その分断ラインＬに跨が
る。その短絡配線８の第４部分８ｄは、第３部分８ｃと
ＬＥＤアレイ形成領域の周縁部に位置する個別電極４と
を接続する。
向に直角な方向に沿う第１部分８ａと、ＬＥＤアレイの
並列方向に対し傾斜する方向に沿う第２部分８ｂと、Ｌ
ＥＤアレイ形成領域を囲む環状の第３部分８ｃと、この
第３部分８ｃとＬＥＤアレイ形成領域との間の分断ライ
ンＬに跨がる第４部分８ｄとから構成されている。その
短絡配線８の第１部分８ａは、分断ラインＬを挟んで相
対向する個別電極４同志を接続すると共に、その分断ラ
インＬに跨がる。その短絡配線８の第２部分８ｂは、分
断ラインＬを挟んで相対向する個別電極４の一方を、そ
の相対向する個別電極４に隣接する相対向する個別電極
４の他方に接続すると共に、その分断ラインＬに跨が
る。その短絡配線８の第４部分８ｄは、第３部分８ｃと
ＬＥＤアレイ形成領域の周縁部に位置する個別電極４と
を接続する。
【００１６】上記構成によれば、ウエハー６に形成され
た各ＬＥＤ３の個別電極４は、そのウエハー６の分断前
においては全て短絡配線８により互いに接続されるの
で、その短絡配線８をメッキ電極に接続して各個別電極
４に図５において仮想線で示すような金バンプ１０を形
成したり、その短絡配線８を介し各ＬＥＤ３に通電して
発光抜けの有無を検査したり、各ＬＥＤ３の静電破壊を
防止することが可能になる。その短絡配線８は、ウエハ
ー６を分断ラインＬに沿って分断すると同時に切断され
るので、別途フォトエッチング等を行うことなく各個別
電極４を互いに絶縁することができる。
た各ＬＥＤ３の個別電極４は、そのウエハー６の分断前
においては全て短絡配線８により互いに接続されるの
で、その短絡配線８をメッキ電極に接続して各個別電極
４に図５において仮想線で示すような金バンプ１０を形
成したり、その短絡配線８を介し各ＬＥＤ３に通電して
発光抜けの有無を検査したり、各ＬＥＤ３の静電破壊を
防止することが可能になる。その短絡配線８は、ウエハ
ー６を分断ラインＬに沿って分断すると同時に切断され
るので、別途フォトエッチング等を行うことなく各個別
電極４を互いに絶縁することができる。
【００１７】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではない。例えば、図６に示す変形例のように、各個
別電極４を各ＬＥＤ３から一側方にのみ引き出し、共通
電極５を個別電極と同様にウエハー６の一方の主面に形
成し、個別電極４の全てだけでなく共通電極５にも接続
される短絡配線８を、各電極４、５相互間において分断
ラインＬを跨ぐようにウエハー６上に形成してもよい。
この場合、分断ラインＬを挟んで対向する共通電極５同
志を接続する第５短絡配線部分８ｅと、短絡配線８の第
３部分８ｃとＬＥＤアレイ形成領域の周縁部に位置する
共通電極５とを接続する第６短絡配線部分８ｆとを上記
実施例に加えて新たに形成するようにすればよく、他は
上記実施例と同様で同様部分は同一符号で示す。なお、
この変形例の場合は短絡配線を介し各ＬＥＤに通電して
発光抜けの検査をすることはできないが、共通電極にも
バンプを電気メッキによって形成することができる。
のではない。例えば、図６に示す変形例のように、各個
別電極４を各ＬＥＤ３から一側方にのみ引き出し、共通
電極５を個別電極と同様にウエハー６の一方の主面に形
成し、個別電極４の全てだけでなく共通電極５にも接続
される短絡配線８を、各電極４、５相互間において分断
ラインＬを跨ぐようにウエハー６上に形成してもよい。
この場合、分断ラインＬを挟んで対向する共通電極５同
志を接続する第５短絡配線部分８ｅと、短絡配線８の第
３部分８ｃとＬＥＤアレイ形成領域の周縁部に位置する
共通電極５とを接続する第６短絡配線部分８ｆとを上記
実施例に加えて新たに形成するようにすればよく、他は
上記実施例と同様で同様部分は同一符号で示す。なお、
この変形例の場合は短絡配線を介し各ＬＥＤに通電して
発光抜けの検査をすることはできないが、共通電極にも
バンプを電気メッキによって形成することができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハーに形成された
各ＬＥＤの個別電極は、そのウエハーの分断前において
は全て短絡配線により互いに接続されるので、その短絡
配線をメッキ電極に接続して各電極にバンプを形成した
り、その短絡配線を介し各ＬＥＤに通電して発光抜けの
有無を検査したり、各ＬＥＤの静電破壊を防止すること
が可能になる。その短絡配線は、ウエハーを分断して各
ＬＥＤアレイを互いに分離すると同時に切断されるの
で、別途フォトエッチング等を行うことなく各個別電極
を互いに絶縁することができる。
各ＬＥＤの個別電極は、そのウエハーの分断前において
は全て短絡配線により互いに接続されるので、その短絡
配線をメッキ電極に接続して各電極にバンプを形成した
り、その短絡配線を介し各ＬＥＤに通電して発光抜けの
有無を検査したり、各ＬＥＤの静電破壊を防止すること
が可能になる。その短絡配線は、ウエハーを分断して各
ＬＥＤアレイを互いに分離すると同時に切断されるの
で、別途フォトエッチング等を行うことなく各個別電極
を互いに絶縁することができる。
【図１】本発明の実施例における短絡配線パターンを示
す平面図
す平面図
【図２】本発明の実施例の半導体発光装置のウエハー上
での配置説明図
での配置説明図
【図３】本発明の実施例の半導体発光装置の平面図
【図４】本発明の実施例の半導体発光装置の斜視図
【図５】本発明の実施例の半導体発光装置の断面図
【図６】本発明の変形例における短絡配線パターンを示
す平面図
す平面図
３ ＬＥＤ ４ 個別電極 ６ ウエハー ８ 短絡配線 Ｌ 分断ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】 一列に整列する複数のＬＥＤによって構
成されるＬＥＤアレイと、各ＬＥＤ毎に設けられる個別
電極とを備える半導体発光装置をウエハー上に複数形成
し、しかる後にウエハーを分断ラインに沿って分断する
ことで各半導体発光装置を互いに分離するに際し、その
ウエハーの分断前に、前記個別電極の全てに接続される
短絡配線を、各個別電極の相互間において前記分断ライ
ンを跨ぐようにウエハー上に形成することを特徴とする
半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23870193A JP2863979B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23870193A JP2863979B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799344A true JPH0799344A (ja) | 1995-04-11 |
| JP2863979B2 JP2863979B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=17034010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23870193A Expired - Fee Related JP2863979B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2863979B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007317686A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Seiko Epson Corp | 光素子チップ、並びに、光モジュールおよびその製造方法 |
| JP2008227018A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US7567735B2 (en) | 2006-05-23 | 2009-07-28 | Seiko Epson Corporation | Optical device wafer, and optical device chip and method for manufacturing the same |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP23870193A patent/JP2863979B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007317686A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Seiko Epson Corp | 光素子チップ、並びに、光モジュールおよびその製造方法 |
| US7567735B2 (en) | 2006-05-23 | 2009-07-28 | Seiko Epson Corporation | Optical device wafer, and optical device chip and method for manufacturing the same |
| JP2008227018A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2863979B2 (ja) | 1999-03-03 |
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