JP2010177446A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る発光素子1は、基板3と、基板3上に複数の半導体層を積層して形成され、少なくとも一層のp型半導体層からなるp型半導体領域5n及び少なくとも一層のn型半導体層からなるn型半導体領域5pを有する半導体積層部5と、p型半導体領域5p及びn型半導体領域5nのそれぞれに接続される電極7と、を備え、p型半導体領域5p及びn型半導体領域5nのうちの一方の半導体領域は、他方の半導体領域上で複数の部分5aに分割されていることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
3 基板
5 半導体積層部
5a 分割部
5n n型半導体領域
5p p型半導体領域
7 電極
7a アノード電極
7b カソード電極
13 活性層
Claims (4)
- 基板と、
前記基板上に複数の半導体層を積層して形成され、少なくとも一層のp型半導体層からなるp型半導体領域及び少なくとも一層のn型半導体層からなるn型半導体領域を有する半導体積層部と、
前記p型半導体領域及び前記n型半導体領域のそれぞれに接続される電極と、
を備え、
前記p型半導体領域及び前記n型半導体領域のうちの一方の半導体領域は、他方の半導体領域上で複数の部分に分割されていることを特徴とする、発光素子。 - 前記一方の半導体領域に接続される電極は、分割された前記複数の部分間を接続していることを特徴とする、請求項1に記載の発光素子。
- 分割された前記複数の部分は、列状に形成されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の発光素子。
- 分割された前記複数の部分は、同一面上に形成されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の発光素子。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2009
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