JP2008529297A - 直列接続された複数の発光セルを有する発光装置及びそれを製造する方法 - Google Patents
直列接続された複数の発光セルを有する発光装置及びそれを製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008529297A JP2008529297A JP2007553021A JP2007553021A JP2008529297A JP 2008529297 A JP2008529297 A JP 2008529297A JP 2007553021 A JP2007553021 A JP 2007553021A JP 2007553021 A JP2007553021 A JP 2007553021A JP 2008529297 A JP2008529297 A JP 2008529297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- series
- emitting cells
- layer
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 238000003491 array Methods 0.000 description 11
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010199 LiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUSQJEHVTIBRNR-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;oxygen(2-) Chemical compound [Li+].[O-2].[O-2].[Al+3] ZUSQJEHVTIBRNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61G—TRANSPORT, PERSONAL CONVEYANCES, OR ACCOMMODATION SPECIALLY ADAPTED FOR PATIENTS OR DISABLED PERSONS; OPERATING TABLES OR CHAIRS; CHAIRS FOR DENTISTRY; FUNERAL DEVICES
- A61G17/00—Coffins; Funeral wrappings; Funeral urns
- A61G17/04—Fittings for coffins
- A61G17/044—Corpse supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【選択図】 図6
Description
本発明の他の目的は、交流電源に直接接続して駆動させることができる発光装置を製造する方法を提供することにある。
一方、前記ワイヤと前記p型層との間に電極を介在させることもできる。前記電極は、P層とオーミックコンタクトを形成し、接合抵抗を減少させる。
一方、絶縁膜を形成した後、p型層上に電極を形成することもできる。前記電極は、p型層とオーミックコンタクトを形成し、接合抵抗を減少させる。
以下に紹介される実施形態は、当業者に本発明の思想が十分に伝達され得るようにするために例として提供されるものである。したがって、本発明は、以下説明される実施形態に限定されず、他の形態で具体化されることもできる。また、図面において、構成要素の幅、長さ、厚さなどは、便宜のために誇張されて表現され得る。明細書全体にわたって同じ参照番号は、同じ構成要素を示す。
図1を参照すると、発光セル51a、51b、51cが直列接続されて第1の直列アレイ51を形成し、他の発光セル53a、53b、53cが直列接続されて第2の直列アレイ53を形成する。
第1及び第2の直列アレイ51、53の両端部は、各々交流電源55及び接地に接続される。第1及び第2の直列アレイは、交流電源55と接地との間に並列で接続される。すなわち、第1及び第2の直列アレイ51、53の両端部は、互いに電気的に接続される。
したがって、交流電源55が正の位相である場合、第1の直列アレイ51に含まれた発光セルがターンオンされ発光し、第2の直列アレイ53に含まれた発光セルはターンオフされる。これとは反対に、交流電源55が負の位相である場合、第1の直列アレイ51に含まれた発光セルがターンオフされ、第2の直列アレイ53に含まれた発光セルがターンオンする。
一つの発光ダイオードで構成された発光チップを図1の回路のように接続し、交流電源を使用して駆動させることができるが、複数の発光チップが占有する空間が増加する。しかし、本発明の発光装置では、一つのチップに交流電源を接続して駆動させることができるので、発光装置が占有する空間が増加しない。
基板21は、サファイア(Al2O3)、炭化シリコン(SiC)、酸化亜鉛(ZnO)、シリコン(Si)、ガリウム砒素(GaAs)、ガリウムリン(GaP)、酸化リチウム−アルミニウム(LiAl2O3)、窒化ホウ酸(BN)、窒化アルミニウム(AlN)または窒化ガリウム(GaN)から基板をなすことができる。基板21は、その上に形成される半導体層の格子定数を考慮して選択される。例えば、基板21上にGaN系の半導体層が形成される場合、基板21は、サファイア基板であることが好ましい。
バッファ層23は、その上に形成される半導体層と基板21との格子定数の相違により発生するストレスを緩和するために使われる。バッファ層としては、III族窒化物(III−N)系物質、すなわちAlN、GaNまたはInNなどの半導体層を用いることができる。ここで、バッファ層23を介して過度な電流が流れることを防止するために、不純物を別途にドープしない。バッファ層23は、水素化物気相成長法(hydride vapor phase epitaxy;HVPE)、化学気相蒸着法(CVD)、または金属有機化学気相蒸着法(MOCVD)を使用して形成することができる。したがって、バッファ層23を薄く形成することが可能である。
積層棒26は、HVPE、CVD及びMOCVDを使用して形成することができる。この時、図4に示すように、積層棒26は、バッファ層23上に互いに離隔して形成される。
p型半導体棒29及び活性層27をエッチングする間に、隣接する絶縁膜31をエッチングすることができる。また、電極33を当該エッチング工程の間に形成することもできる。すなわち電極層を形成した後、電極層と共にp型半導体棒29及び活性層27を順にエッチングすることによって、電極3を形成することができる。この場合、電極33を形成するための別途のパターニング工程は省略することができる。
金属配線35は、隣り合う発光セル26aを互いに直列接続し、これにより、直列発光セルアレイが形成される。金属配線35は、n型半導体棒25と電極33とを接続する。また、金属配線35を形成する前に、露出したn型半導体棒25上にオーミックコンタクトを形成するための電極を追加的に形成することもできる。
一方、金属配線35がp型半導体棒29aとオーミックコンタクトを形成する場合、電極33は省略することができる。
再び図6を参照すると、発光装置は、基板21を含む。基板21は、サファイア基板であることができる。基板21上にバッファ層23が配置される。バッファ層23は、MOCVDを使用して形成されたGaNであることができる。
バッファ層23上に互いに離隔された複数の発光セル26aが位置する。各々の発光セル26aは、n型半導体棒25と、エッチングされたp型半導体棒29a、及びn型半導体棒25とp型半導体棒29aとの間に介在するエッチングされた活性層27aを含む。
活性層27a及びp型半導体棒29aは、n型半導体棒25に比べて小さい面積を有する。したがって、n型半導体棒25の一部が露出される。金属配線35が露出したn型半導体棒25とp型半導体棒29aとを各々接続し、直列接続された発光セルアレイを形成する。
一方、金属配線35とp型半導体棒29aとの間に電極33を介在させることができる。電極33は、p型半導体棒29aとオーミックコンタクトを形成し、接合抵抗を減少させる。
23 バッファ層
25 n型半導体棒
26a 発光セル
27a エッチングされた活性層
29a エッチングされたp型半導体棒
31 絶縁膜
33 電極
35 金属配線
Claims (5)
- 基板上に形成されるバッファ層と、
前記バッファ層上に棒状形状にて相互離隔するように形成され、各々がn型層、活性層及びp型層を備えた複数の発光セルと、
前記離隔された発光セルを直列または並列に接続するワイヤとを有することを特徴とする直列接続された複数の発光セルを有する発光装置。 - 前記バッファ層は、III族窒化物(III−N)系物質であることを特徴とする請求項1に記載の直列接続された複数の発光セルを有する発光装置。
- 前記棒状形状の発光セルは、窒化ガリウム系化合物から形成されることを特徴とする請求項1に記載の直列接続された複数の発光セルを有する発光装置。
- 前記発光セル間の空き空間を満たす絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の直列接続された複数の発光セルを有する発光装置。
- 基板上にバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層上に、各々n型層、活性層及びp型層が順次に形成された複数の積層棒状形状の発光セルを形成するステップと、
前記n型層の一部が露出するまでp型層及び活性層をエッチングするステップと、
前記露出したn型層と隣接する発光セルのp型層とを各々ワイヤで直列または並列に接続するステップとを有することを特徴とする直列接続された複数の発光セルを有する発光装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0007310 | 2005-01-26 | ||
KR1020050007310A KR101138944B1 (ko) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및그것을 제조하는 방법 |
PCT/KR2005/002115 WO2006080609A1 (en) | 2005-01-26 | 2005-07-04 | Light emitting device having a plurality of light emitting cells connected in series and method of fabricating the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008529297A true JP2008529297A (ja) | 2008-07-31 |
JP5291937B2 JP5291937B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=36740610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007553021A Expired - Fee Related JP5291937B2 (ja) | 2005-01-26 | 2005-07-04 | 直列接続された複数の発光セルを有する発光装置及びそれを製造する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7763900B2 (ja) |
JP (1) | JP5291937B2 (ja) |
KR (1) | KR101138944B1 (ja) |
DE (1) | DE112005003422T5 (ja) |
TW (1) | TWI294698B (ja) |
WO (1) | WO2006080609A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014520389A (ja) * | 2011-05-18 | 2014-08-21 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 発光ナノワイヤの電気的直列接続 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008075797A1 (en) * | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having isolating insulative layer for isolating light emitting cells from each other and method of fabricating the same |
TWI481019B (zh) * | 2006-12-26 | 2015-04-11 | Seoul Viosys Co Ltd | 具有將各發光單元彼此隔離的隔離絕緣層的發光元件以及其製造方法 |
KR100974923B1 (ko) * | 2007-03-19 | 2010-08-10 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
KR100889956B1 (ko) * | 2007-09-27 | 2009-03-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 교류용 발광다이오드 |
JP2011515859A (ja) * | 2008-03-26 | 2011-05-19 | ラティス パワー (チアンシ) コーポレイション | 高反射性オーム電極を有する半導体発光デバイス |
US8461613B2 (en) | 2008-05-27 | 2013-06-11 | Interlight Optotech Corporation | Light emitting device |
KR101332794B1 (ko) * | 2008-08-05 | 2013-11-25 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법 |
US9117944B2 (en) * | 2008-09-24 | 2015-08-25 | Koninklijke Philips N.V. | Semiconductor light emitting devices grown on composite substrates |
JP5123269B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-01-23 | ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド | 発光素子及びその製造方法 |
WO2011002208A2 (ko) | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
US9256460B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-02-09 | International Business Machines Corporation | Selective checkpointing of links in a data flow based on a set of predefined criteria |
US9323619B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | International Business Machines Corporation | Deploying parallel data integration applications to distributed computing environments |
US9401835B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-07-26 | International Business Machines Corporation | Data integration on retargetable engines in a networked environment |
US9477511B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-10-25 | International Business Machines Corporation | Task-based modeling for parallel data integration |
CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57197590A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | Nippon Denso Co | Led matrix display |
JPS60136788A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | 日本ビクター株式会社 | Led平面パネルデイスプレイの製作法 |
JPS62243376A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-23 | Sanyo Electric Co Ltd | GaPモノリシツクデイスプレイ |
JPH05121320A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-05-18 | Fujitsu Ltd | 半導体量子箱装置及びその製造方法 |
JPH088462A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JPH11150303A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光部品 |
JP2000068555A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 照明システム |
JP2000101136A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及び半導体発光装置の駆動方法 |
JP2000349333A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-12-15 | Sony Corp | 発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法 |
JP2001156331A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2002359402A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Lumileds Lighting Us Llc | 高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列/並列ledアレイ |
JP2003115611A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-04-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2004006582A (ja) * | 2002-04-12 | 2004-01-08 | Shiro Sakai | 発光装置 |
JP2004505434A (ja) * | 1999-12-03 | 2004-02-19 | クリー インコーポレイテッド | 光抽出を向上させた微小発光ダイオードアレイ |
JP2004079867A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Shiro Sakai | 窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法及び発光装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940019586A (ko) * | 1993-02-04 | 1994-09-14 | 휴고 라이히무트, 한스 블뢰흐레 | 엘리베이터용 표시소자 |
US5936599A (en) * | 1995-01-27 | 1999-08-10 | Reymond; Welles | AC powered light emitting diode array circuits for use in traffic signal displays |
JPH08330636A (ja) | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード |
US5636599A (en) * | 1995-06-07 | 1997-06-10 | Russell; Robert L. | Cylinder assembly |
KR100220250B1 (ko) * | 1996-10-19 | 1999-09-15 | 김영환 | 광전자 집적 회로의 제조 방법 |
JPH10321915A (ja) | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
US6791119B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
JP4101468B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
WO2002084750A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Light source device using led, and method of producing same |
EP1553641B1 (en) | 2002-08-29 | 2011-03-02 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light-emitting device having light-emitting diodes |
DE60334745D1 (de) * | 2003-08-08 | 2010-12-09 | Kang Sang Kyu | Nitrid-mikrolicht-emissionsdiode mit grosser helligkeit und herstellungsverfahren dafür |
US6934065B2 (en) * | 2003-09-18 | 2005-08-23 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices |
US7066623B2 (en) * | 2003-12-19 | 2006-06-27 | Soo Ghee Lee | Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes |
-
2005
- 2005-01-26 KR KR1020050007310A patent/KR101138944B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-07-04 DE DE112005003422T patent/DE112005003422T5/de not_active Ceased
- 2005-07-04 US US11/813,812 patent/US7763900B2/en active Active
- 2005-07-04 WO PCT/KR2005/002115 patent/WO2006080609A1/en active Application Filing
- 2005-07-04 JP JP2007553021A patent/JP5291937B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-23 TW TW095102427A patent/TWI294698B/zh not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-04-30 US US12/772,015 patent/US8129848B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57197590A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | Nippon Denso Co | Led matrix display |
JPS60136788A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-20 | 日本ビクター株式会社 | Led平面パネルデイスプレイの製作法 |
JPS62243376A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-23 | Sanyo Electric Co Ltd | GaPモノリシツクデイスプレイ |
JPH05121320A (ja) * | 1991-06-13 | 1993-05-18 | Fujitsu Ltd | 半導体量子箱装置及びその製造方法 |
JPH088462A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JPH11150303A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光部品 |
JP2000349333A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-12-15 | Sony Corp | 発光素子,発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法 |
JP2000068555A (ja) * | 1998-08-19 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 照明システム |
JP2000101136A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及び半導体発光装置の駆動方法 |
JP2001156331A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2004505434A (ja) * | 1999-12-03 | 2004-02-19 | クリー インコーポレイテッド | 光抽出を向上させた微小発光ダイオードアレイ |
JP2002359402A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Lumileds Lighting Us Llc | 高抵抗性基層の上に形成されたモノリシック直列/並列ledアレイ |
JP2003115611A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-04-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2004006582A (ja) * | 2002-04-12 | 2004-01-08 | Shiro Sakai | 発光装置 |
JP2004079867A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Shiro Sakai | 窒化ガリウム系化合物半導体装置の製造方法及び発光装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014520389A (ja) * | 2011-05-18 | 2014-08-21 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 発光ナノワイヤの電気的直列接続 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080164485A1 (en) | 2008-07-10 |
DE112005003422T5 (de) | 2008-02-28 |
KR101138944B1 (ko) | 2012-04-25 |
US7763900B2 (en) | 2010-07-27 |
JP5291937B2 (ja) | 2013-09-18 |
TW200627679A (en) | 2006-08-01 |
KR20060086534A (ko) | 2006-08-01 |
US8129848B2 (en) | 2012-03-06 |
US20100219425A1 (en) | 2010-09-02 |
TWI294698B (en) | 2008-03-11 |
WO2006080609A1 (en) | 2006-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5291937B2 (ja) | 直列接続された複数の発光セルを有する発光装置及びそれを製造する方法 | |
US7704771B2 (en) | Light emitting device, method of manufacturing the same and monolithic light emitting diode array | |
EP2074667B1 (en) | Light emitting diode having light emitting cell with different size and light emitting device thereof | |
TWI322516B (en) | Ac light emitting device having photonic crystal structure and method of fabricating the same | |
TWI282616B (en) | Light emitting device having a plurality of light emitting cells and method of fabricating the same | |
JP2009510762A (ja) | 垂直に積層された発光ダイオードを有する発光素子 | |
KR100716645B1 (ko) | 수직으로 적층된 발광 다이오드들을 갖는 발광 소자 | |
KR100765385B1 (ko) | 다수의 발광 셀이 어레이된 발광 소자 | |
KR20060090446A (ko) | 기판으로부터 절연된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자및 그것을 제조하는 방법 | |
KR101138946B1 (ko) | 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는방법 | |
KR100642522B1 (ko) | 패터닝된 투명기판을 채택하는 발광 다이오드 및 그것을제조하는 방법 | |
KR20120031207A (ko) | 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
KR101221336B1 (ko) | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR101308129B1 (ko) | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR100898585B1 (ko) | 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
KR101216934B1 (ko) | 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100599014B1 (ko) | 이형 반도체 반복층을 갖는 발광소자 및 그 제조 방법 | |
JP2010177446A (ja) | 発光素子 | |
KR101599529B1 (ko) | 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR20120117969A (ko) | 미세로드들을 구비하는 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR20100023564A (ko) | 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
KR20070049910A (ko) | 미세로드들을 구비하는 복수개의 발광셀들을 갖는 발광다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
KR20110110751A (ko) | 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080717 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090224 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090330 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101220 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101228 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110120 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110127 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110217 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120110 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120405 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120509 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121227 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130610 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5291937 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |