KR101216934B1 - 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 발광 소자는 서브마운트 기판, 서브마운트 기판 상에 서로 이격되어 위치하는 복수개의 전극패턴들, 전극패턴들 상에 위치하고, 각각 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하는 복수개의 발광셀들, 및 복수개의 발광셀들을 직렬연결하는 배선들을 포함한다. 이에 따라, 셀간의 간격을 최소화하여 색상의 재현성 및 균일도가 높은 백색 광을 발광할 수 있다.

발광셀, 직렬 어레이, 백색광, 컬러 혼합, 발광 소자

Description

다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING ARRAYED CELLS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

발광 다이오드는 N형 반도체와 P형 반도체가 서로 접합된 구조를 가지는 광전변환 반도체 소자로서, 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발산한다. 이러한 발광 다이오드는 표시소자 및 백라이트로 널리 이용되고 있다. 또한, 발광 다이오드는 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 길어, 백열전구 및 형광등을 대체하여 일반 조명 용도로 그 사용 영역을 넓히고 있다.

현재 백라이트 및 일반 조명 용도로 사용하기 위해 개발되는 백색 발광 다이오드는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)과 같은 세 가지 이상의 색상을 갖는 개별 발광 다이오드를 사용하여 컬러 혼합(Color mixing)에 의해 백색광을 발광하도록 하거나 파장변환재를 사용하여 발광 다이오드에서 발광된 빛의 파장을 변환시켜 백색광을 발광하도록 하는 기술이 공지되어 있다.

컬러 혼합에 의해 백색광을 발광하는 발광 소자의 경우 기존에는 상기한 바 와 같이 적색(R), 녹색(G), 청색(B)과 같은 세 가지 이상의 색상을 갖는 개별 발광 다이오드 칩을 하나의 패키지에 실장하고 각각의 칩을 동시 점등하는 방식으로 백색광을 발광한다.

그러나, 이 경우 하나의 패키지에 각각의 칩을 실장하는 데 따라 각각의 칩간의 거리가 발생하므로 색재현성이나 색의 균일도가 떨어지고 패키지 제조 과정에 상당한 시간이 소요되는 문제점이 있다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 색재현성과 색의 균일도가 높고 제조 과정이 간단한 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 교류 전원에 직접 적용할 수 있는 백색 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 태양에 따른 발광 소자는 서브마운트 기판, 상기 서브마운트 기판 상에 서로 이격되어 위치하는 복수개의 전극패턴들, 상기 전극패턴들 상에 위치하고, 각각 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하는 복수개의 서로 다른 파장의 빛을 발광하는 복수개의 발광셀들, 및 상기 복수개의 발광셀들을 직렬연결하는 배선들을 포함한다.

여기서, 상기 발광셀들은 상기 배선들에 의해 적어도 두개의 직렬 어레이들 로 연결되고, 동작시 상기 직렬 어레이들은 서로 역병렬로 연결되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 발광셀들 중 서로 다른 파장의 빛을 발광하는 발광셀들은 상기 배선들에 의해 서로 다른 직렬 어레이들로 연결되는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 발광셀들은 상하로 전극 패드가 마련된 수직형의 발광셀들인 것이 바람직하다.

또한, 상기 각 전극패턴의 일 영역이 노출되도록 상기 발광셀들은 각각 상기 전극패턴들의 일부 영역 상에 위치하고, 상기 배선들은 노출된 상기 각 전극패턴의 일 영역과 그것에 인접한 발광셀을 전기적으로 연결하는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 서브마운트 기판 상에 위치하고, 상기 직렬연결된 발광셀들에 연결된 브리지 정류기용 발광셀들을 더 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 발광셀들은 플립형의 발광셀들인 것이 바람직하다.

한편, 본 발명의 또다른 태양에 따른 발광 소자 제조방법은, 복수개의 기판들 상에 각각 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층들을 형성하되, 상기 기판들 상에 형성된 상기 활성층들 각각은 서로 다른 파장대의 빛을 발광하고, 상기 기판들 상에 각각 형성된 반도체층들을 패터닝하여 서로 이격된 복수개의 발광셀들을 형성하고, 서브마운트 기판 상에 전극패턴을 형성하고, 상기 복수개의 발광셀들을 상기 기판으로부터 분리하여 상기 서브마운트기판의 전극패턴에 본딩하고, 상기 발광셀들을 직렬 연결하는 배선들을 형성하는 것을 포함한다.

이에 따라, 다수의 서로 다른 색상의 빛을 발광하는 발광 셀들을 서브마운트 기판상에 본딩하여 셀간의 간격을 최소화하여 색상의 재현성 및 균일도가 높은 백색 광을 발광할 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 다수의 서로 다른 색상의 광을 발광하는 발광 셀들을 서브마운트 기판상에 본딩하여 셀간의 간격을 최소화할 수 있고 색상의 재현성 및 균일도가 높은 백색 광을 발광할 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 따르면 교류-직류 변환기 없이 교류전원에 직접 연결하여 구동할 수 있으며, 에피층들을 성장시키는데 사용된 기판을 분리하여 기판에 의한 광흡수를 방지하고 발광효율을 개선할 수 있는 다수의 셀을 결합한 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.

다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다수의 셀을 결합한 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 다수의 셀을 결합한 발광 소자는 N형 반도체층(3), 활성층(5), P형 반도체층(7)들로 구성된 다수의 셀들, 범프들(9, 11), 전극패턴(15) 및 서브마운트 기판(10)을 포함한다.

여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 다수의 셀을 결합한 발광 소자를 제조하기 위해서는, 사파이어 기판(도시되지 않음) 상에 도 1에 도시된 바와 같은 반도체층들을 N형 반도체층(3) 활성층(5) 및 P형 반도체층(7)의 순서로 형성하고 각각 셀을 패터닝하여 서로 분리한다. 또한, 여기서 셀들로부터 사파이어 기판(도시되지 않음)을 제거하고 각각의 셀을 서브 마운트에 실장하게 되면 사파이어 기판(도시되지 않음)에 의한 광흡수를 감소시킬 수 있어 발광 소자의 광 방출 효율이 더욱 향상될 수 있다. 또한, 이러한 플립칩형 발광 소자는 서브마운트 기판(10)을 통해 열방출을 촉진시킬 수 있어 광추출 효율을 향상시킨다.

상기 N형 반도체층(3), 활성층(5) 및 P형 반도체층(7)은 각각 (B, Al, Ga, In)N로 형성된 GaN 계열의 반도체층들일 수 있다. 그러나, 상기 반도체층들은 GaN 계열의 반도체층에 한정되는 것은 아니며, ZnO와 같은 다른 물질층들일 수 있다.

또한, 상기 활성층(5)은 단일 양자웰 또는 다중 양자웰일 수 있다. 상기 N형 반도체층(3) 및 상기 P형 반도체층(7)은 상기 활성층(5)보다 넓은 밴드갭을 갖는다.

상기 N형 반도체층(3)은, 도시한 바와 같이, 상기 활성층(5) 및 P형 반도체층(7)의 측면으로 연장된 연장부를 갖는다. 상기 연장부 상에 범프(11)가 형성된다. 한편, 상기 P형 반도체층(7) 상에 또한 범프(9)가 형성된다.

상기 범프들(9, 11)은 서브 마운트 기판(10) 상에 형성된 전극패턴(10)에 본딩된다. 상기 서브마운트 기판(10)은 예컨대, 실리콘(Si) 기판 또는 금속 기판일 수 있다.

상기 N형 반도체층(3), 활성층(5), P형 반도체층(7)은 각각 금속유기화학기상증착(metalorganic chemical vapor deposition; MOCVD), 수소화물 기상성장(hydride vapor phase epitaxy; HVPE), 분자선 성장(molecular beam epitaxy; MBE) 기술 등을 사용하여 형성될 수 있다. 한편, 상기 P형 반도체층(7) 및 활성층(5)을 사진 및 식각기술을 사용하여 패터닝함으로써 상기 N형 반도체층(3)의 일부를 노출시킬 수 있다. 상기 노출된 N형 반도체층(3)은 앞에서 설명한 N형 반도체층의 연장부가 된다. 범프들(9, 11)을 통해 전력이 공급되어 활성층(5)에서 방출된 광은 N형 반도체층(3)을 통해 외부로 방출된다.

여기서, N형 반도체층(3), 활성층(5) P형 반도체층(7)으로 구성된 셀들은 각각 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 등의 서로 다른 색상의 광을 발광하는, 즉 활성층(5)에서 발광되는 빛의 파장대가 서로 다른 셀들일 수 있다. 즉, 서로 다른 기판 각각에 대해 방출되는 광의 파장대가 서로 다른 활성층(5)을 N형 반도체층(3)과 P형 반도체층(7) 사이에 게재하여 발광셀들을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 서브마운트(10)에 형성된 전극패턴(15)에 서로 다른 색상의 광을 발광하는 개별 셀들을 다수개 본딩함으로써 셀들의 간격이 좁아질 뿐만 아니라 상당히 다수의 셀들이 본딩될 수 있어 색상의 재현성 및 균일도가 높은 백색 발광 소자를 제공할 수 있다.

도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다수의 셀을 결합한 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.

도 2를 참조하면, 소정의 전극패턴(25)이 형성된 서브마운트 기판(20)의 전극패턴(25) 상에 발광 반도체층들(33, 35, 37)과, 발광 반도체층들(33, 35, 37) 상하에 제1 및 제2 전극패드들(39 및 41)이 형성된 다수의 발광셀들을 본딩한다.

여기서, 서브마운트 기판(20)에 본딩되는 다수의 발광셀들은 앞서 설명한 실시예에서와 같이 활성층(5)에서 발광되는 빛의 파장대가 서로 다른 셀들일 수 있다. 따라서, 상기 서브마운트(20)에 형성된 전극패턴(25)에 다수의 서로 다른 색상의 빛을 발광하는 셀들을 본딩함으로써 셀들의 간격이 좁아질 뿐만 아니라 다수의 셀들이 본딩될 수 있어 색상의 재현성 및 균일도가 높은 백색 발광 소자를 제공할 수 있다.

서브마운트 기판(20)상에 형성된 전극패턴(25)은 발광셀들을 직렬 연결시키기 위한 다양한 어레이가 가능하다. 물론 전극패턴(25)은 목표로 하는 발광셀의 개수만큼 형성하고, 발광셀의 크기보다 일측 방향으로 길게 형성한다. 또한, 각각의 전극패턴(25) 간은 전기적 물리적으로 분리되어 있다. 이 경우 서브마운트 기판(20) 상에 전극패턴(25)이 형성되어 있으므로 발광셀의 제1 전극패드(39)를 형성하지 않고, 서브마운트 기판(20) 상의 전극패턴(25)을 제1 전극패드(39)로 사용할 수 있다.

도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 다수의 셀을 결합한 발광 소자를 설명하기 위한 단면도들이다.

도 3a를 참조하면, 사파이어 기판(30) 상에 N형 반도체층(33), 활성층(35) 및 P형 반도체층(37)을 차례로 형성한다. 상기 N형 반도체층(33)을 형성하기 전, 버퍼층(31)을 형성할 수 있다. 상기 N형 반도체층(33), 활성층(35) 및 P형 반도체층(37)은 (B, Al, Ga, In)N로 형성된 GaN 계열의 반도체층들로 형성될 수 있다. 상기 반도체층들은 GaN 계열의 반도체층에 한정되는 것은 아니며, ZnO와 같은 다른 물질층들로 형성될 수도 있다.

상기 반도체층들(33, 35, 37)은 각각 금속유기화학기상증착(metalorganic chemical vapor deposition; MOCVD), 수소화물 기상성장(hydride vapor phase epitaxy; HVPE), 분자선 성장(molecular beam epitaxy; MBE) 기술 등을 사용하여 형성될 수 있다.

상기 버퍼층(31)은 예컨대 GaN 계열의 반도체층, AlN 또는 ZnO로 형성될 수 있다.

이어서, 상기 P형 반도체층(37), 활성층(35) 및 N형 반도체층(33)을 패터닝하여 복수개의 발광셀들을 형성한다. 구체적으로 설명하면, 우선 상기 반도체층들(37, 35, 33)을 사진 및 식각 공정을 사용하여 연속적으로 패터닝하여 발광셀 영역들을 분리한다. 이때, 상기 버퍼층(31)도 함께 식각되어 상기 기판(30)을 노출시킬 수 있으며 이 후, 상기 기판(30)은 버퍼층(31)과 함께 제거되고 발광 반도체층들(33, 35, 37) 상하에 제1 및 제2 전극패드들(39 및 41)이 형성된다.

상술한 바와 같이 기판(30) 상에 P형 반도체층(33), 활성층(35), N형 반도체층(37)을 형성하고 이들 반도체층들을 패터닝하여 복수개의 발광셀들을 형성하는 과정을 서로 다른 복수개의 기판에 대해 각각 수행하되, 각각의 기판 상에 형성되 는 활성층(35)에서 방출되는 광의 파장대가 각각 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 등으로 서로 다른 파장대의 광을 발광하도록 함으로써, 서로 다른 색상의 빛을 발광하는 복수의 발광셀들을 형성할 수 있다.

도 3b를 참조하면, 각각의 발광셀들이 서브마운트 기판(20)상에 본딩된다. 서브마운트 기판(20)으로는 실리콘 기판 또는 절연성의 기판을 사용한다. 만일 전도성의 기판을 사용하는 경우에는 절연을 위해 그 상부 표면에 절연층이 형성된 기판을 사용한다.

발광셀들은 앞서 설명한 바와 같이 발광 반도체층들(33, 35, 37)과, 발광 반도체층들(33, 35, 37) 상하에 제1 및 제2 전극패드들(39 및 41)을 포함하나, 제1 전극패드(37)는 생략될 수 있다.

이어서, 제2 전극패드(41)와 이와 인접한 다른 일 발광셀이 본딩된 서브마운트 기판(20) 상의 전극패턴(25)을 배선(50)으로 연결한다. 이때 브리지(Bridge) 공정 또는 스텝 커버(Step cover) 등의 공정을 통해 각기 인접한 발광 셀들의 제1 전극패드와 제2 전극패드 간을 전기적으로 연결하는 도전성 배선(50)을 형성한다.

여기서 발광 셀들로부터 사파이어 기판이 제거됨으로써 사파이어 기판에 의한 광흡수를 감소시킬 수 있어 발광 소자의 광 방출 효율이 더욱 향상될 수 있다. 또한, 이러한 수직형 발광 소자는 서브마운트 기판(20)을 통해 열방출을 촉진시킬 수 있어 광추출 효율을 향상시킨다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 소자의 동작원리를 설명하기 위한 회로도들이다.

도 4a를 참조하면, 발광셀들(111a, 111b, 111c)이 직렬 연결되어 제1 직렬 발광셀 어레이(111)를 형성하고, 또 다른 발광셀들(113a, 113b, 113c)이 직렬 연결되어 제2 직렬 발광셀 어레이(113)를 형성한다. 여기서, "직렬 발광셀 어레이"는 다수의 발광셀들이 직렬로 연결된 구조를 의미한다.

상기 제1 및 제2 직렬 어레이들(111, 113)의 양 단부들은 각각 교류전원(115) 및 접지에 연결된다. 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들은 교류전원(115)과 접지 사이에서 병렬로 연결된다. 즉, 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들의 양 단부들은 서로 전기적으로 연결된다.

한편, 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들(111, 113)은 서로 반대 방향으로 흐르는 전류에 의해 발광셀들이 구동되도록 배치된다. 즉, 도시한 바와 같이, 제1 직렬 어레이(111)에 포함된 발광셀들의 양극(anode) 및 음극(cathode)과 제2 직렬 어레이(113)에 포함된 발광셀들의 양극 및 음극은 서로 반대 방향으로 배치된다.

따라서, 교류전원(115)이 양의 위상일 경우, 상기 제1 직렬 어레이(111)에 포함된 발광셀들이 턴온되어 발광하며, 제2 직렬 어레이(113)에 포함된 발광셀들은 턴오프된다. 이와 반대로, 교류전원(115)이 음의 위상일 경우, 상기 제1 직렬 어레이(111)에 포함된 발광셀들이 턴오프되고, 제2 직렬 어레이(113)에 포함된 발광셀들이 턴온된다.

결과적으로, 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들(111, 113)이 교류전원에 의해 턴온 및 턴오프를 교대로 반복함으로써, 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들을 포함하는 발광 소자는 연속적으로 빛을 방출한다.

하나의 발광 다이오드로 구성된 발광칩들을 도 4a의 회로와 같이 연결하여 교류전원을 사용하여 구동시킬 수 있으나, 발광칩들이 점유하는 공간이 증가한다. 그러나, 본 발명의 발광 소자는 하나의 칩에 교류전원을 연결하여 구동시킬 수 있으므로, 발광 소자가 점유하는 공간이 증가하지 않는다.

한편, 도 4a의 회로는 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들의 양단부들이 교류전원(115) 및 접지에 각각 연결되도록 구성하였으나, 상기 양단부들이 교류전원의 양 단자에 연결되도록 구성할 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 직렬 어레이들은 각각 세 개의 발광셀들로 구성되어 있으나, 이는 설명을 돕기 위한 예시이고, 발광셀들의 수는 필요에 따라 더 증가될 수 있다. 그리고, 상기 직렬 어레이들의 수도 더 증가될 수 있다.

도 4b를 참조하면, 발광셀들(121a, 121b, 121c, 121d, 121e, 121f)이 직렬 발광셀 어레이(121)를 구성한다. 한편, 교류전원(125)과 직렬 발광셀 어레이(121) 및 접지와 직렬 발광셀 어레이(121) 사이에 발광셀들(D1, D2, D3, D4)을 포함하는 브리지 정류기가 배치된다. 상기 직렬 발광셀 어레이(121)의 애노드 단자는 상기 발광셀들(D1, D2) 사이의 노드에 연결되고, 캐소드 단자는 발광셀들(D3, D4) 사이의 노드에 연결된다. 한편, 교류전원(125)의 단자는 발광셀들(D1, D4) 사이의 노드에 연결되고, 접지는 발광셀들(D2, D3) 사이의 노드에 연결된다.

상기 교류전원(125)이 양의 위상을 갖는 경우, 브리지 정류기의 발광셀들(D1, D3)가 턴온되고, 발광셀들(D2, D4)가 턴오프된다. 따라서, 전류는 브리지 정류기의 발광셀(D1), 상기 직렬 발광셀 어레이(121) 및 브리지 정류기의 발광 셀(D3)를 거쳐 접지로 흐른다.

한편, 상기 교류전원(125)이 음의 위상을 갖는 경우, 브리지 정류기의 발광셀들(D1, D3)가 턴오프되고, 발광셀들(D2, D4)가 턴온된다. 따라서, 전류는 브리지 정류기의 발광셀(D2), 상기 직렬 발광셀 어레이(121) 및 브리지 정류기의 발광셀(D4)를 거쳐 교류전원으로 흐른다.

결과적으로, 직렬 발광셀 어레이(121)에 브리지 정류기를 연결하므로써, 교류전원(125)을 사용하여 직렬 발광셀 어레이(121)를 계속적으로 구동시킬 수 있다. 여기서, 브리지 정류기의 단자들이 교류전원(125) 및 접지에 연결되도록 구성하였으나, 상기 양단부들이 교류전원의 양 단자에 연결되도록 구성할 수도 있다.

본 실시예에 따르면, 하나의 직렬 발광셀 어레이를 교류전원에 전기적으로 연결하여 구동시킬 수 있으며, 도 4a의 발광소자에 비해 발광셀의 사용효율을 높일 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따른 다수의 셀을 결합한 발광 소자는 각각의 발광 셀들을 그 발광되는 빛의 파장이 다른 발광 셀들로 구성하고 이러한 발광 셀들을 도 4a 및 도 4b를 참조하여 설명한 바와 같이 직렬 어레이로 구성하여 교류 전원에서 직접 구동 가능하도록 제조될 있다. 또한, 서브마운트 기판 상에 각각의 파장대 별로 복수의 직렬 어레이를 형성하도록 전극패턴을 형성하고 각각의 직렬 어레이들을 병렬로 구동하여 백색광을 발광하도록 구현할 수도 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다수의 셀이 결합된 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 다수의 셀이 결합된 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예들에 따른 다수의 셀이 결합된 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예들에 따른 다수의 셀이 결합된 발광 소자의 동작원리를 설명하기 위한 회로도들이다.

Claims (8)

1. 서브마운트 기판;

   상기 서브마운트 기판 상에 서로 이격되어 위치하는 복수개의 전극패턴들;

   상기 전극패턴들 상에 위치하고, 각각 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하는 복수개의 발광셀들; 및

   상기 복수개의 발광셀들을 직렬 연결하는 배선을 포함하되,

   상기 복수개의 발광셀들은,

   제1 기판상에 형성된 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층이 복수개의 영역으로 이격되고 해당 기판으로부터 분리되어 형성된 복수개의 제1 발광셀들; 및

   제2 기판상에 형성된 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층이 복수개의 영역으로 이격되고 해당 기판으로부터 분리되어 형성된 복수개의 제2 발광셀들; 중에서

   선택되어 상기 복수개의 전극패턴들상에 실장된 것을 특징으로 하는 발광소자.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 발광셀들은 상기 배선들에 의해 적어도 두개의 직렬 어레이들로 연결되고, 동작시 상기 직렬 어레이들은 서로 역병렬로 연결되는 발광 소자.
3. 삭제
4. 청구항 1에 있어서,

   상기 발광셀들은 상하로 전극 패드가 마련된 수직형의 발광셀들인 발광 소자.
5. 청구항 1에 있어서,

   상기 각 전극패턴의 일 영역이 노출되도록 상기 발광셀들은 각각 상기 전극패턴들의 일부 영역 상에 위치하고, 상기 배선들은 노출된 상기 각 전극패턴의 일 영역과 그것에 인접한 발광셀을 전기적으로 연결하는 발광 소자.
6. 청구항 1에 있어서,

   상기 서브마운트 기판 상에 위치하고, 상기 직렬연결된 발광셀들에 연결된 브리지 정류기용 발광셀들을 더 포함하는 발광 소자.
7. 청구항 1에 있어서,

   상기 발광셀들은 플립형의 발광셀들인 발광 소자.
8. 서브마운트 기판을 준비하는 단계;

   상기 서브마운트 기판상에 서로 이격되어 위치하는 복수개의 전극패턴들을 형성하는 단계;

   각각 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 포함하는 복수개의 발광셀들을 상기 전극패턴들 상에 각각 실장하는 단계; 및

   상기 복수개의 발광셀들을 직렬 연결하는 배선을 형성하는 단계를 포함하되,

   상기 복수개의 발광셀들은,

   제1 기판상에 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 형성한 후 복수개의 영역으로 이격하고 해당 기판으로부터 분리하여 복수개의 제1 발광셀들을 형성하는 단계; 및

   제2 기판상에 N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 형성한 후 복수개의 영역으로 이격하고 해당 기판으로부터 분리하여 복수개의 제2 발광셀들을 형성하는 단계;

   를 수행하여 준비된 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법.

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