KR20070009938A - 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 베이스를 이루는 기판을 준비하고,상기 기판 위에 상면이 요철된 제1 버퍼층을 형성하고,상기 제1 버퍼층의 요철(凹凸) 위로 제2 버퍼층을 형성하고,상기 제2 버퍼층 위에 직렬 연결된 복수개의 발광셀들을 형성하는 것을 포함하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 제조방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 상면이 요철된 제1 버퍼층을 형성하는 것은,상기 제1 버퍼층 위에 도전성 금속물질을 도포하여 소정 두께의 금속막을 형성한 후 소정의 온도로 가열하여 금속 아일랜드를 형성하고,상기 금속 아일랜드를 식각마스크로, 상기 제1 버퍼층 상면을 상기 기판이 드러나도록 식각하고 상기 제1 버퍼층 상면에 요철을 형성한 후 상기 금속 아일랜드를 제거하는 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 제조방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si) 기판, 실리콘카바이드(SiC) 기판 또는 게르마늄(Ge) 기판인 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 제조방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제1 버퍼층은 실리콘(Si)계 또는 게르마늄(Ge)계로 이루어진 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 제조방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제2 버퍼층은 절연성 질화물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 제조방법.
- 청구항 5에 있어서, 상기 절연성 질화물 반도체는 AlN 또는 저 도우핑(low-doping)된 GaN인 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 제조방법.
- 청구항 1에 있어서, 상기 발광셀들 각각은 N형 반도체층, 발광층 및 P형 반도체층을 포함하고,상기 발광셀들은 인접한 발광셀들의 N형 반도체층들과 P형 반도체층들이 금속배선들에 의해 각각 전기적으로 직렬 연결된 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 제조방법.
- 청구항 2에 있어서, 상기 금속막의 두께는 1 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 제조방법.
- 청구항 2에 있어서, 상기 가열 온도는 200℃ 내지 1000℃인 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 제조방법.
- 베이스를 이루는 기판;상기 기판 위에서 요철을 상면에 갖도록 형성된 제1 버퍼층;상기 제1 버퍼층 위에 형성된 절연성 물질로 이루어진 제2 버퍼층;상기 제2 버퍼층 위에 위치하는 직렬 연결된 복수개의 발광셀들;을 포함하는 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자.
- 청구항 10에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si) 기판, 실리콘카바이드(SiC) 기판 또는 게르마늄(Ge) 기판인 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자.
- 청구항 10에 있어서, 상기 제1 버퍼층은 실리콘(Si)계 또는 게르마늄(Ge)계 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자.
- 청구항 10에 있어서, 상기 제2 버퍼층은 절연성 질화물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자.
- 청구항 13에 있어서, 상기 절연성 질화물 반도체는 AlN 또는 저 도우핑(low-doping)된 GaN인 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자.
- 청구항 10에 있어서,상기 발광셀들 각각은 N형 반도체층, 발광층 및 P형 반도체층을 포함하고,상기 발광셀들은 인접한 발광셀들의 N형 반도체층들과 P형 반도체층들이 금속배선들에 의해 각각 전기적으로 직렬 연결된 것을 특징으로 하는 요철 버퍼층을 갖는 발광소자.
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