JP3053750B2 - 端面発光型ｌｅｄの製造方法 - Google Patents
端面発光型ｌｅｄの製造方法Info
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- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真方式のプ
リンタ用光源等の種々の用途に用いられるＬＥＤ（Ligh
t Emitting Diode、発光ダイオード）の１つのタイプで
ある端面発光型ＬＥＤを製造する際に好適な、端面発光
型ＬＥＤの製造方法に関するものである。
リンタ用光源等の種々の用途に用いられるＬＥＤ（Ligh
t Emitting Diode、発光ダイオード）の１つのタイプで
ある端面発光型ＬＥＤを製造する際に好適な、端面発光
型ＬＥＤの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の端面発光型ＬＥＤに関す
る技術としては、例えば、次のような文献に記載される
ものがあった。 文献１：特開平２−１２５７６５号公報 文献２：特開平５−３１９５５号公報 ＬＥＤは、それらを複数配列してＬＥＤアレイを構成
し、例えば電子写真方式のプリンタ用光源等の種々の用
途に利用されている。このＬＥＤアレイの１つのタイプ
に端面発光型ＬＥＤアレイと称されるものがある。この
構造及び製造方法は、例えば、前記文献１及び文献２に
記載されている。前記文献１の第３頁左上欄には、Ｎ側
電極、Ｎ−ＧａＡｓバッファ層、Ｎ−ＡｌＧａＡｓ層、
Ｐ−ＡｌＧａＡｓ層、及びＰ側電極が積層されて構成さ
れた半導体ウェハを、ダイシング（小さな方形のダイス
に切り分ける）することにより、個々の端面発光型ＬＥ
Ｄアレイを製造する方法が記載されている。この種の端
面発光型ＬＥＤアレイでは、Ｐ−ＡｌＧａＡｓ層と、Ｎ
−ＧａＡｓバッファ層及びＮ−ＡｌＧａＡｓ層とのＰＮ
接合面に、Ｐ側電極及びＮ側電極への電圧印加によって
順方向の電流を流すことにより、電気エネルギーを直接
光に変換できる。また、前記文献２の第５頁右欄第３１
行〜第３２行には、ダブルヘテロ構造を有する半導体ウ
ェハに発光端面を作製する際、それを塩素系ガスを用い
たドライエッチング法により製造する方法が記載されて
いる。
る技術としては、例えば、次のような文献に記載される
ものがあった。 文献１：特開平２−１２５７６５号公報 文献２：特開平５−３１９５５号公報 ＬＥＤは、それらを複数配列してＬＥＤアレイを構成
し、例えば電子写真方式のプリンタ用光源等の種々の用
途に利用されている。このＬＥＤアレイの１つのタイプ
に端面発光型ＬＥＤアレイと称されるものがある。この
構造及び製造方法は、例えば、前記文献１及び文献２に
記載されている。前記文献１の第３頁左上欄には、Ｎ側
電極、Ｎ−ＧａＡｓバッファ層、Ｎ−ＡｌＧａＡｓ層、
Ｐ−ＡｌＧａＡｓ層、及びＰ側電極が積層されて構成さ
れた半導体ウェハを、ダイシング（小さな方形のダイス
に切り分ける）することにより、個々の端面発光型ＬＥ
Ｄアレイを製造する方法が記載されている。この種の端
面発光型ＬＥＤアレイでは、Ｐ−ＡｌＧａＡｓ層と、Ｎ
−ＧａＡｓバッファ層及びＮ−ＡｌＧａＡｓ層とのＰＮ
接合面に、Ｐ側電極及びＮ側電極への電圧印加によって
順方向の電流を流すことにより、電気エネルギーを直接
光に変換できる。また、前記文献２の第５頁右欄第３１
行〜第３２行には、ダブルヘテロ構造を有する半導体ウ
ェハに発光端面を作製する際、それを塩素系ガスを用い
たドライエッチング法により製造する方法が記載されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
端面発光型ＬＥＤアレイの製造方法では、次のような課
題があった。前記文献１及び文献２のいずれの製造方法
も、発光層であるＰ型層を形成した後に発光端面を形成
する際、そのＰ型層の形成と無関係の精度の方法を用い
て発光端面を形成している。つまり、ダイヤモンドブレ
ード（刃）を高速回転させて半導体ウェハを小さな方形
のダイスに切り分けるダイシング装置を用い、ＬＥＤア
レイを切断することによって発光端面を形成したり、あ
るいはホトリソグラフィ技術及びドライエッチング法を
用い、ＬＥＤ端部を凹部状にエッチングし、その凹部側
面によって発光端面を形成している。このような従来の
製造方法では、ダイシングの合せ精度、及びダイシング
装置の精度による発光端面の位置ずれや、あるいはホト
リソの合せずれによる発光端面の位置ずれが発生する。
発光端面の位置ずれが発生すると、半導体基板を平面か
らみたＰ型層の大きさが変化し、均一な発光光量を得る
ためにはそのＰ型層の大きさに比例した電流を供給しな
ければならないという不都合がある。特に、定電流駆動
型のＬＥＤにおいては、供給される電流が一定であるた
め、Ｐ型層の大きさがばらついてしまうと、発光光量む
らになるという不都合が生じる。本発明は、前記従来技
術が持っていた課題を解決し、ＰＮ接合面と発光端面の
位置ずれがなく、均一な大きさの発光部の形成が可能
で、定電流駆動のＬＥＤにおいても均一な発光光量が得
られる端面発光型ＬＥＤの製造方法を提供するものであ
る。
端面発光型ＬＥＤアレイの製造方法では、次のような課
題があった。前記文献１及び文献２のいずれの製造方法
も、発光層であるＰ型層を形成した後に発光端面を形成
する際、そのＰ型層の形成と無関係の精度の方法を用い
て発光端面を形成している。つまり、ダイヤモンドブレ
ード（刃）を高速回転させて半導体ウェハを小さな方形
のダイスに切り分けるダイシング装置を用い、ＬＥＤア
レイを切断することによって発光端面を形成したり、あ
るいはホトリソグラフィ技術及びドライエッチング法を
用い、ＬＥＤ端部を凹部状にエッチングし、その凹部側
面によって発光端面を形成している。このような従来の
製造方法では、ダイシングの合せ精度、及びダイシング
装置の精度による発光端面の位置ずれや、あるいはホト
リソの合せずれによる発光端面の位置ずれが発生する。
発光端面の位置ずれが発生すると、半導体基板を平面か
らみたＰ型層の大きさが変化し、均一な発光光量を得る
ためにはそのＰ型層の大きさに比例した電流を供給しな
ければならないという不都合がある。特に、定電流駆動
型のＬＥＤにおいては、供給される電流が一定であるた
め、Ｐ型層の大きさがばらついてしまうと、発光光量む
らになるという不都合が生じる。本発明は、前記従来技
術が持っていた課題を解決し、ＰＮ接合面と発光端面の
位置ずれがなく、均一な大きさの発光部の形成が可能
で、定電流駆動のＬＥＤにおいても均一な発光光量が得
られる端面発光型ＬＥＤの製造方法を提供するものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、第１の発明は、第１導電型（例えば、Ｎ型）の半導
体下地の表面に、第２導電型（例えば、Ｐ型）の不純物
を選択的に拡散して第２導電型層（例えば、Ｐ型層）を
作り、これらの第２導電型層と半導体下地とで構成され
るＰＮ接合面を有する発光部を形成する発光部形成工程
と、前記半導体下地上に第１電極（例えば、Ｐ側電極）
を選択的に形成して前記第２導電型層と接続すると共
に、前記半導体下地の裏面に第２電極（例えば、Ｎ側電
極）を形成する電極形成工程とを、有する端面発光型Ｌ
ＥＤの製造方法において、次のような手段を講じてい
る。即ち、前記発光部形成工程では、拡散防止膜形成工
程と、第２導電型層形成工程と、発光端面形成工程とを
行うようにしている。拡散防止膜形成工程では、前記半
導体下地の表面に絶縁膜を被着し、その絶縁膜の不純物
拡散予定領域と、該不純物拡散予定領域に隣接した発光
端面形成用の凹部形成予定領域とを、選択的に除去し
て、パターニングされた拡散防止膜を形成する。第２導
電型層形成工程では、前記拡散防止膜で覆われていない
前記半導体下地部分に、該拡散防止膜をマスクにして、
前記第２導電型の不純物を選択的に拡散して前記第２導
電型層を形成する。そして、前記発光端面形成工程で
は、前記拡散防止膜で覆われていない前記凹部形成予定
領域を通して、前記第２導電型層と前記半導体下地とで
構成される前記ＰＮ接合面を越える深さまで、前記半導
体下地を凹部状にエッチングし、その凹部側面に位置す
る前記発光部の発光端面を形成する。
に、第１の発明は、第１導電型（例えば、Ｎ型）の半導
体下地の表面に、第２導電型（例えば、Ｐ型）の不純物
を選択的に拡散して第２導電型層（例えば、Ｐ型層）を
作り、これらの第２導電型層と半導体下地とで構成され
るＰＮ接合面を有する発光部を形成する発光部形成工程
と、前記半導体下地上に第１電極（例えば、Ｐ側電極）
を選択的に形成して前記第２導電型層と接続すると共
に、前記半導体下地の裏面に第２電極（例えば、Ｎ側電
極）を形成する電極形成工程とを、有する端面発光型Ｌ
ＥＤの製造方法において、次のような手段を講じてい
る。即ち、前記発光部形成工程では、拡散防止膜形成工
程と、第２導電型層形成工程と、発光端面形成工程とを
行うようにしている。拡散防止膜形成工程では、前記半
導体下地の表面に絶縁膜を被着し、その絶縁膜の不純物
拡散予定領域と、該不純物拡散予定領域に隣接した発光
端面形成用の凹部形成予定領域とを、選択的に除去し
て、パターニングされた拡散防止膜を形成する。第２導
電型層形成工程では、前記拡散防止膜で覆われていない
前記半導体下地部分に、該拡散防止膜をマスクにして、
前記第２導電型の不純物を選択的に拡散して前記第２導
電型層を形成する。そして、前記発光端面形成工程で
は、前記拡散防止膜で覆われていない前記凹部形成予定
領域を通して、前記第２導電型層と前記半導体下地とで
構成される前記ＰＮ接合面を越える深さまで、前記半導
体下地を凹部状にエッチングし、その凹部側面に位置す
る前記発光部の発光端面を形成する。
【０００５】第２の発明は、端面発光型ＬＥＤの製造方
法において、拡散防止膜形成工程と、第２導電型層形成
工程と、第１電極形成工程と、発光端面形成工程と、不
要部分除去工程と、第２電極形成工程とを、行うように
している。拡散防止膜形成工程では、第１導電型（例え
ば、Ｎ型）の半導体下地の表面に絶縁膜を被着し、その
絶縁膜の不純物拡散予定領域と、該不純物拡散予定領域
に隣接した発光端面形成用の凹部形成予定領域とを、選
択的に除去して、パターニングされた拡散防止膜を形成
する。第２導電型層形成工程では、前記拡散防止膜をマ
スクにして第２導電型（例えば、Ｐ型）の不純物を、該
拡散防止膜で覆われていない前記半導体下地部分に選択
的に拡散して第２導電型層（例えば、Ｐ型層）を形成す
る。第１電極形成工程では、前記拡散防止膜上に第１電
極（例えば、Ｐ型電極）を選択的に形成して前記第２導
電型層と接続する。発光端面形成工程では、前記拡散防
止膜及び前記第１電極をマスクにして、前記第２導電型
層と前記半導体下地とで構成されるＰＮ接合面を越える
深さまで、該半導体下地を凹部状にエッチングし、その
凹部側面に位置する該ＰＮ接合面の発光端面を形成す
る。不要部分除去工程では、前記第１電極をマスクにし
て、エッチングによって前記拡散防止膜の不要部分を除
去する。そして、第２電極形成工程では、前記第１電極
形成工程以降の任意の工程において、前記半導体下地の
裏面に第２電極（例えば、Ｎ側電極）を形成する。
法において、拡散防止膜形成工程と、第２導電型層形成
工程と、第１電極形成工程と、発光端面形成工程と、不
要部分除去工程と、第２電極形成工程とを、行うように
している。拡散防止膜形成工程では、第１導電型（例え
ば、Ｎ型）の半導体下地の表面に絶縁膜を被着し、その
絶縁膜の不純物拡散予定領域と、該不純物拡散予定領域
に隣接した発光端面形成用の凹部形成予定領域とを、選
択的に除去して、パターニングされた拡散防止膜を形成
する。第２導電型層形成工程では、前記拡散防止膜をマ
スクにして第２導電型（例えば、Ｐ型）の不純物を、該
拡散防止膜で覆われていない前記半導体下地部分に選択
的に拡散して第２導電型層（例えば、Ｐ型層）を形成す
る。第１電極形成工程では、前記拡散防止膜上に第１電
極（例えば、Ｐ型電極）を選択的に形成して前記第２導
電型層と接続する。発光端面形成工程では、前記拡散防
止膜及び前記第１電極をマスクにして、前記第２導電型
層と前記半導体下地とで構成されるＰＮ接合面を越える
深さまで、該半導体下地を凹部状にエッチングし、その
凹部側面に位置する該ＰＮ接合面の発光端面を形成す
る。不要部分除去工程では、前記第１電極をマスクにし
て、エッチングによって前記拡散防止膜の不要部分を除
去する。そして、第２電極形成工程では、前記第１電極
形成工程以降の任意の工程において、前記半導体下地の
裏面に第２電極（例えば、Ｎ側電極）を形成する。
【０００６】第３の発明は、端面発光型ＬＥＤの製造方
法において、拡散防止膜形成工程と、拡散制御膜形成工
程と、第２導電型層形成工程と、第１電極形成工程と、
発光端面形成工程と、不要部分除去工程と、第２電極形
成工程と、切断工程とを行うようにしている。拡散防止
膜形成工程では、第２の発明の拡散防止膜形成工程と同
様の処理を行う。拡散制御膜形成工程では、前記拡散防
止膜、前記不純物拡散予定領域、及び前記凹部形成予定
領域を覆う拡散制御膜を形成する。第２導電型層形成工
程では、前記拡散防止膜をマスクにして第２導電型の不
純物を、前記拡散制御膜を通して、該拡散防止膜で覆わ
れていない前記半導体下地部分に選択的に拡散して第２
導電型層を形成する。第１電極形成工程では、前記拡散
制御膜を選択的に除去した後、前記拡散防止膜上に第１
電極を選択的に形成して前記第２導電型層と接続する。
発光端面形成工程では、前記拡散防止膜をマスクにし
て、前記第２導電型層と前記半導体下地とで構成される
ＰＮ接合面を越える深さまで、該半導体下地を凹部状に
エッチングし、その凹部側面に位置する該ＰＮ接合面の
発光端面を形成する。不要部分除去工程と第２電極形成
工程では、第２の発明の不要部分除去工程及び第２電極
形成工程と同様の処理を行う。そして、切断工程では、
前記半導体下地の凹部箇所を切断する。
法において、拡散防止膜形成工程と、拡散制御膜形成工
程と、第２導電型層形成工程と、第１電極形成工程と、
発光端面形成工程と、不要部分除去工程と、第２電極形
成工程と、切断工程とを行うようにしている。拡散防止
膜形成工程では、第２の発明の拡散防止膜形成工程と同
様の処理を行う。拡散制御膜形成工程では、前記拡散防
止膜、前記不純物拡散予定領域、及び前記凹部形成予定
領域を覆う拡散制御膜を形成する。第２導電型層形成工
程では、前記拡散防止膜をマスクにして第２導電型の不
純物を、前記拡散制御膜を通して、該拡散防止膜で覆わ
れていない前記半導体下地部分に選択的に拡散して第２
導電型層を形成する。第１電極形成工程では、前記拡散
制御膜を選択的に除去した後、前記拡散防止膜上に第１
電極を選択的に形成して前記第２導電型層と接続する。
発光端面形成工程では、前記拡散防止膜をマスクにし
て、前記第２導電型層と前記半導体下地とで構成される
ＰＮ接合面を越える深さまで、該半導体下地を凹部状に
エッチングし、その凹部側面に位置する該ＰＮ接合面の
発光端面を形成する。不要部分除去工程と第２電極形成
工程では、第２の発明の不要部分除去工程及び第２電極
形成工程と同様の処理を行う。そして、切断工程では、
前記半導体下地の凹部箇所を切断する。
【０００７】第４の発明は、端面発光型ＬＥＤの製造方
法において、拡散防止膜形成工程と、第２導電型層形成
工程と、第１電極形成工程と、エッチングマスク形成工
程と、発光端面形成工程と、不要部分除去工程と、第２
電極形成工程と、切断工程とを行うようにしている。拡
散防止膜形成工程、第２導電型層形成工程、及び第１電
極形成工程では、第２の発明の工程と同様の処理を行
う。エッチングマスク形成工程では、前記拡散防止膜及
び前記第１電極上において、前記凹部形成予定領域以外
で、かつ後工程の不要部分のエッチングの際にエッチン
グされてはならない部分を覆う凹部形成補助用エッチン
グマスク膜を形成する。発光端面形成工程では、前記拡
散防止膜及び前記エッチングマスク膜をマスクにして、
前記第２導電型層と前記半導体下地とで構成されるＰＮ
接合面を越える深さまで、該半導体下地を凹部状にエッ
チングし、その凹部側面に位置する該ＰＮ接合面の発光
端面を形成する。不要部分除去工程では、前記エッチン
グマスク膜をマスクにして、エッチングによって前記拡
散防止膜の不要部分を除去した後、該エッチングマスク
膜を選択的に除去する。第２電極形成工程では、第２の
発明の第２電極形成工程と同様の処理を行う。そして、
切断工程では、前記半導体下地の凹部箇所を切断する。
法において、拡散防止膜形成工程と、第２導電型層形成
工程と、第１電極形成工程と、エッチングマスク形成工
程と、発光端面形成工程と、不要部分除去工程と、第２
電極形成工程と、切断工程とを行うようにしている。拡
散防止膜形成工程、第２導電型層形成工程、及び第１電
極形成工程では、第２の発明の工程と同様の処理を行
う。エッチングマスク形成工程では、前記拡散防止膜及
び前記第１電極上において、前記凹部形成予定領域以外
で、かつ後工程の不要部分のエッチングの際にエッチン
グされてはならない部分を覆う凹部形成補助用エッチン
グマスク膜を形成する。発光端面形成工程では、前記拡
散防止膜及び前記エッチングマスク膜をマスクにして、
前記第２導電型層と前記半導体下地とで構成されるＰＮ
接合面を越える深さまで、該半導体下地を凹部状にエッ
チングし、その凹部側面に位置する該ＰＮ接合面の発光
端面を形成する。不要部分除去工程では、前記エッチン
グマスク膜をマスクにして、エッチングによって前記拡
散防止膜の不要部分を除去した後、該エッチングマスク
膜を選択的に除去する。第２電極形成工程では、第２の
発明の第２電極形成工程と同様の処理を行う。そして、
切断工程では、前記半導体下地の凹部箇所を切断する。
【０００８】第５の発明は、端面発光型ＬＥＤの製造方
法において、拡散防止膜形成工程と、拡散制御膜形成工
程と、第２導電型層形成工程と、第１電極形成工程と、
エッチングマスク形成工程と、発光端面形成工程と、不
要部分除去工程と、第２電極形成工程と、切断工程とを
行うようにしている。拡散防止膜形成工程では、第２の
発明の拡散防止膜形成工程と同様の処理を行う。拡散制
御膜形成工程では、前記拡散防止膜、前記不純物拡散予
定領域、及び前記凹部形成予定領域を覆う拡散制御膜を
形成する。第２導電型層形成工程では、前記拡散防止膜
をマスクにして第２導電型の不純物を、前記拡散制御膜
を通して、該拡散防止膜で覆われていない前記半導体下
地部分に選択的に拡散して第２導電型層を形成する。第
１電極形成工程では、前記拡散制御膜を選択的に除去し
た後、前記拡散防止膜上に第１電極を選択的に形成して
前記第２導電型層と接続する。エッチングマスク形成工
程では、前記拡散防止膜及び前記第１電極上において、
前記凹部形成予定領域以外で、かつ後工程の不要部分の
エッチングの際にエッチングされてはならない部分を覆
う凹部形成補助用エッチングマスク膜を形成する。発光
端面形成工程では、前記拡散防止膜及び前記エッチング
マスク膜をマスクにして、前記第２導電型層と前記半導
体下地とで構成されるＰＮ接合面を越える深さまで、該
半導体下地を凹部状にエッチングし、その凹部側面に位
置する該ＰＮ接合面の発光端面を形成する。不要部分除
去工程では、前記エッチングマスク膜をマスクにして、
エッチングによって前記拡散防止膜の不要部分を除去し
た後、該エッチングマスク膜を選択的に除去する。第２
電極形成工程では、第２の発明の第２電極形成工程と同
様の処理を行う。そして、切断工程では、前記半導体下
地の凹部箇所を切断する。
法において、拡散防止膜形成工程と、拡散制御膜形成工
程と、第２導電型層形成工程と、第１電極形成工程と、
エッチングマスク形成工程と、発光端面形成工程と、不
要部分除去工程と、第２電極形成工程と、切断工程とを
行うようにしている。拡散防止膜形成工程では、第２の
発明の拡散防止膜形成工程と同様の処理を行う。拡散制
御膜形成工程では、前記拡散防止膜、前記不純物拡散予
定領域、及び前記凹部形成予定領域を覆う拡散制御膜を
形成する。第２導電型層形成工程では、前記拡散防止膜
をマスクにして第２導電型の不純物を、前記拡散制御膜
を通して、該拡散防止膜で覆われていない前記半導体下
地部分に選択的に拡散して第２導電型層を形成する。第
１電極形成工程では、前記拡散制御膜を選択的に除去し
た後、前記拡散防止膜上に第１電極を選択的に形成して
前記第２導電型層と接続する。エッチングマスク形成工
程では、前記拡散防止膜及び前記第１電極上において、
前記凹部形成予定領域以外で、かつ後工程の不要部分の
エッチングの際にエッチングされてはならない部分を覆
う凹部形成補助用エッチングマスク膜を形成する。発光
端面形成工程では、前記拡散防止膜及び前記エッチング
マスク膜をマスクにして、前記第２導電型層と前記半導
体下地とで構成されるＰＮ接合面を越える深さまで、該
半導体下地を凹部状にエッチングし、その凹部側面に位
置する該ＰＮ接合面の発光端面を形成する。不要部分除
去工程では、前記エッチングマスク膜をマスクにして、
エッチングによって前記拡散防止膜の不要部分を除去し
た後、該エッチングマスク膜を選択的に除去する。第２
電極形成工程では、第２の発明の第２電極形成工程と同
様の処理を行う。そして、切断工程では、前記半導体下
地の凹部箇所を切断する。
【０００９】第６の発明は、端面発光型ＬＥＤの製造方
法において、拡散防止膜形成工程と、第２導電型層形成
工程と、エッチングマスク形成工程と、発光端面形成工
程と、不要部分除去工程と、第１電極形成工程と、第２
電極形成工程と、切断工程とを行うようにしている。拡
散防止膜形成工程及び第２導電型層形成工程では、第２
の発明の工程と同様の処理を行う。エッチングマスク形
成工程では、前記拡散防止膜上において、前記凹部形成
予定領域以外で、かつ後工程の不要部分のエッチングの
際にエッチングされてはならない部分を覆う凹部形成補
助用エッチングマスク膜を形成する。発光端面形成工程
では、前記拡散防止膜及び前記エッチングマスク膜をマ
スクにして、前記第２導電型層と前記半導体下地とで構
成されるＰＮ接合面を越える深さまで、該半導体下地を
凹部状にエッチングし、その凹部側面に位置する該ＰＮ
接合面の発光端面を形成する。不要部分除去工程では、
前記エッチングマスク膜をマスクにして、エッチングに
よって前記拡散防止膜の不要部分を除去した後、該エッ
チングマスク膜を選択的に除去する。第１電極形成工程
では、前記拡散防止膜上に第１電極を選択的に形成して
前記第２導電型層と接続する。第２電極形成工程では、
前記エッチングマスク形成工程以降の任意の工程におい
て、前記半導体下地の裏面に第２電極を形成する。そし
て、切断工程では、前記半導体下地の凹部箇所を切断す
る。
法において、拡散防止膜形成工程と、第２導電型層形成
工程と、エッチングマスク形成工程と、発光端面形成工
程と、不要部分除去工程と、第１電極形成工程と、第２
電極形成工程と、切断工程とを行うようにしている。拡
散防止膜形成工程及び第２導電型層形成工程では、第２
の発明の工程と同様の処理を行う。エッチングマスク形
成工程では、前記拡散防止膜上において、前記凹部形成
予定領域以外で、かつ後工程の不要部分のエッチングの
際にエッチングされてはならない部分を覆う凹部形成補
助用エッチングマスク膜を形成する。発光端面形成工程
では、前記拡散防止膜及び前記エッチングマスク膜をマ
スクにして、前記第２導電型層と前記半導体下地とで構
成されるＰＮ接合面を越える深さまで、該半導体下地を
凹部状にエッチングし、その凹部側面に位置する該ＰＮ
接合面の発光端面を形成する。不要部分除去工程では、
前記エッチングマスク膜をマスクにして、エッチングに
よって前記拡散防止膜の不要部分を除去した後、該エッ
チングマスク膜を選択的に除去する。第１電極形成工程
では、前記拡散防止膜上に第１電極を選択的に形成して
前記第２導電型層と接続する。第２電極形成工程では、
前記エッチングマスク形成工程以降の任意の工程におい
て、前記半導体下地の裏面に第２電極を形成する。そし
て、切断工程では、前記半導体下地の凹部箇所を切断す
る。
【００１０】第７の発明は、端面発光型ＬＥＤの製造方
法において、拡散防止膜形成工程と、拡散制御膜形成工
程と、第２導電型層形成工程と、エッチングマスク形成
工程と、発光端面形成工程と、不要部分除去工程と、第
１電極形成工程と、第２電極形成工程と、切断工程とを
行うようにしている。拡散防止膜形成工程では、第６の
発明の拡散防止膜形成工程と同様の処理を行う。拡散制
御膜形成工程では、前記拡散防止膜、前記不純物拡散予
定領域、及び前記凹部形成予定領域を覆う拡散制御膜を
形成する。第２導電型層形成工程では、前記拡散防止膜
をマスクにして第２導電型の不純物を、前記拡散制御膜
を通して、該拡散防止膜で覆われていない前記半導体下
地部分に選択的に拡散して第２導電型層を形成する。エ
ッチングマスク形成工程、発光端面形成工程、不要部分
除去工程、第１電極形成工程、第２電極形成工程、及び
切断工程では、第６の発明の工程と同様の処理を行う。
第１〜第８の発明によれば、半導体下地部分に、拡散防
止膜をマスクにして第２導電型の不純物を選択的に拡散
して第２導電型層を形成した後、その拡散防止膜等をマ
スクにして半導体下地を凹部状にエッチングすると、そ
の凹部側面に位置する発光部の発光端面が形成される。
このように、拡散防止膜を用いて第２導電型層と発光端
面とを形成することにより、それら両者間の位置ずれを
なくすことが可能となる。従って、前記課題を解決でき
るのである。
法において、拡散防止膜形成工程と、拡散制御膜形成工
程と、第２導電型層形成工程と、エッチングマスク形成
工程と、発光端面形成工程と、不要部分除去工程と、第
１電極形成工程と、第２電極形成工程と、切断工程とを
行うようにしている。拡散防止膜形成工程では、第６の
発明の拡散防止膜形成工程と同様の処理を行う。拡散制
御膜形成工程では、前記拡散防止膜、前記不純物拡散予
定領域、及び前記凹部形成予定領域を覆う拡散制御膜を
形成する。第２導電型層形成工程では、前記拡散防止膜
をマスクにして第２導電型の不純物を、前記拡散制御膜
を通して、該拡散防止膜で覆われていない前記半導体下
地部分に選択的に拡散して第２導電型層を形成する。エ
ッチングマスク形成工程、発光端面形成工程、不要部分
除去工程、第１電極形成工程、第２電極形成工程、及び
切断工程では、第６の発明の工程と同様の処理を行う。
第１〜第８の発明によれば、半導体下地部分に、拡散防
止膜をマスクにして第２導電型の不純物を選択的に拡散
して第２導電型層を形成した後、その拡散防止膜等をマ
スクにして半導体下地を凹部状にエッチングすると、そ
の凹部側面に位置する発光部の発光端面が形成される。
このように、拡散防止膜を用いて第２導電型層と発光端
面とを形成することにより、それら両者間の位置ずれを
なくすことが可能となる。従って、前記課題を解決でき
るのである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態を図面
を参照しつつ説明する。但し、いずれの図面も、各実施
形態を理解できる程度に各構成成分の寸法、形状及び配
置関係が概略的に示されている。また、各図面におい
て、共通の要素には共通の符号が付されている。第１の実施形態 図２（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態を示す
端面発光型ＬＥＤアレイの構成図であり、同図（Ａ）は
上方からみた平面図、及び同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＩ
−Ｉ線断面図である。さらに、図３は、図２（Ａ）のII
−II線断面図である。図２に示すように、複数（例え
ば、２個）の端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−
２が、第１導電型（例えば、Ｎ型）の半導体下地１１に
形成されている。半導体下地１１は、例えば、Ｎ型のガ
リウム・砒素（ＧａＡｓ）で形成されたＮ型基板１１ａ
と、このＮ型基板１１ａ上にエピタキシャル成長させた
Ｎ型のガリウム・砒素・燐（ＧａＡｓＰ）で形成された
Ｎ型層１１ｂとで、構成されている。Ｎ型層１１ｂ内に
は、所定間隔（ＬＥＤの配列ピッチに応じた間隔）で、
第２導電型（例えば、Ｐ型）のＧａＡｓＰからなる複数
のＰ型層１２が形成されている。このＰ型層１２とＮ型
層１１ｂとの接合面（界面）が発光部となる。図３に示
すように、Ｐ型層１２上には、拡散防止膜１３を介して
第１電極（例えば、Ｐ側電極）１４が形成され、さら
に、Ｎ型基板１１ａの底面に、第２電極（例えば、Ｎ側
電極）１５が形成されている。
を参照しつつ説明する。但し、いずれの図面も、各実施
形態を理解できる程度に各構成成分の寸法、形状及び配
置関係が概略的に示されている。また、各図面におい
て、共通の要素には共通の符号が付されている。第１の実施形態 図２（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態を示す
端面発光型ＬＥＤアレイの構成図であり、同図（Ａ）は
上方からみた平面図、及び同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＩ
−Ｉ線断面図である。さらに、図３は、図２（Ａ）のII
−II線断面図である。図２に示すように、複数（例え
ば、２個）の端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−
２が、第１導電型（例えば、Ｎ型）の半導体下地１１に
形成されている。半導体下地１１は、例えば、Ｎ型のガ
リウム・砒素（ＧａＡｓ）で形成されたＮ型基板１１ａ
と、このＮ型基板１１ａ上にエピタキシャル成長させた
Ｎ型のガリウム・砒素・燐（ＧａＡｓＰ）で形成された
Ｎ型層１１ｂとで、構成されている。Ｎ型層１１ｂ内に
は、所定間隔（ＬＥＤの配列ピッチに応じた間隔）で、
第２導電型（例えば、Ｐ型）のＧａＡｓＰからなる複数
のＰ型層１２が形成されている。このＰ型層１２とＮ型
層１１ｂとの接合面（界面）が発光部となる。図３に示
すように、Ｐ型層１２上には、拡散防止膜１３を介して
第１電極（例えば、Ｐ側電極）１４が形成され、さら
に、Ｎ型基板１１ａの底面に、第２電極（例えば、Ｎ側
電極）１５が形成されている。
【００１２】拡散防止膜１３は、製造上必要なものであ
り、Ｐ型層１２を形成する際に用いるＰ型不純物が、半
導体下地１１の所定領域以外の領域に拡散するのを防止
するものである。また、この拡散防止膜１３は、絶縁性
を有する膜で形成することで、半導体下地１１とＰ側電
極１４とを電気的に絶縁する役割を持っている。なお、
この拡散防止膜１３の上に、さらに絶縁性を有する膜を
形成することで、絶縁不良の発生率を低下させることも
可能である。さらに、拡散防止膜１３は、発光端面１６
ａを形成するための凹部１６の形成の際のエッチングマ
スクとしても利用する。２つの端面発光型ＬＥＤアレイ
１０−１と１０−２との間を分離するために設けられた
凹部１６のほぼ中央は、ダイシング領域１６ｂであり、
このダイシング領域１６ｂを切断して分離することによ
り、個々の端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−２
が作成される。凹部１６の側面は、図３ではテーパー状
となっている。これは、凹部１６を例えばウェットエッ
チングで形成する場合、半導体下地１１の結晶方向によ
ってテーパー形状になったものである。しかし、この凹
部１６の側面形状は、ウェットエッチングのエッチング
条件や、あるいはドライエッチングのエッチング条件等
により、垂直形状や、あるいは逆テーパー形状にするこ
ともできる。凹部１６のダイシング領域１６ｂで切断、
分離された各端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−
２では、Ｐ側電極１４とＮ側電極１５との間に電圧を印
加することによってＰＮ接合面に順方向の電流を流せ
ば、電気エネルギーが直接光に変換され、その光が発光
端面１６ａから出射される。
り、Ｐ型層１２を形成する際に用いるＰ型不純物が、半
導体下地１１の所定領域以外の領域に拡散するのを防止
するものである。また、この拡散防止膜１３は、絶縁性
を有する膜で形成することで、半導体下地１１とＰ側電
極１４とを電気的に絶縁する役割を持っている。なお、
この拡散防止膜１３の上に、さらに絶縁性を有する膜を
形成することで、絶縁不良の発生率を低下させることも
可能である。さらに、拡散防止膜１３は、発光端面１６
ａを形成するための凹部１６の形成の際のエッチングマ
スクとしても利用する。２つの端面発光型ＬＥＤアレイ
１０−１と１０−２との間を分離するために設けられた
凹部１６のほぼ中央は、ダイシング領域１６ｂであり、
このダイシング領域１６ｂを切断して分離することによ
り、個々の端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−２
が作成される。凹部１６の側面は、図３ではテーパー状
となっている。これは、凹部１６を例えばウェットエッ
チングで形成する場合、半導体下地１１の結晶方向によ
ってテーパー形状になったものである。しかし、この凹
部１６の側面形状は、ウェットエッチングのエッチング
条件や、あるいはドライエッチングのエッチング条件等
により、垂直形状や、あるいは逆テーパー形状にするこ
ともできる。凹部１６のダイシング領域１６ｂで切断、
分離された各端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−
２では、Ｐ側電極１４とＮ側電極１５との間に電圧を印
加することによってＰＮ接合面に順方向の電流を流せ
ば、電気エネルギーが直接光に変換され、その光が発光
端面１６ａから出射される。
【００１３】図１（Ａ）〜（Ｉ）は、図２及び図３の端
面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−２の製造方法を
示す製造工程図である。以下、この図１（Ａ）〜（Ｉ）
を参照しつつ、本実施形態の製造工程（１）〜（８）を
説明する。 （１） 拡散防止膜及び拡散制御膜形成工程（図１
（Ａ）） Ｎ型ＧａＡｓからなるＮ型基板１１ａ上に、Ｎ型ＧａＡ
ｓＰからなるＮ型層１１ｂをエピタキシャル成長させ
て、Ｎ型の半導体下地１１を形成する。公知の成膜方法
（例えば、蒸着法、スパッタ法、あるいはＣＶＤ法（気
相成長法）等）を用い、半導体下地１１上に、絶縁膜
（例えば、アルミナ膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜等から
選ばれた膜）を、膜厚が例えば５０〜５００ｎｍ程度に
形成する。この絶縁膜の不純物拡散予定領域１３ａと、
それに隣接した発光端面形成用の凹部形成予定領域１３
ｂとを、ホトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用
いて選択的に除去し、パターニングされた拡散防止膜１
３を形成する。拡散防止膜１３が形成された半導体下地
１１上に、公知の成膜方法（例えば、蒸着法、スパッタ
法等）を用いて拡散制御膜２１を形成する。この拡散制
御膜２１は、例えば、アルミナ膜、窒化珪素膜、酸化珪
素膜、ＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）膜等から選ば
れる膜で形成される。この膜厚は、例えば１０〜３００
ｎｍ等の範囲で形成される。
面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−２の製造方法を
示す製造工程図である。以下、この図１（Ａ）〜（Ｉ）
を参照しつつ、本実施形態の製造工程（１）〜（８）を
説明する。 （１） 拡散防止膜及び拡散制御膜形成工程（図１
（Ａ）） Ｎ型ＧａＡｓからなるＮ型基板１１ａ上に、Ｎ型ＧａＡ
ｓＰからなるＮ型層１１ｂをエピタキシャル成長させ
て、Ｎ型の半導体下地１１を形成する。公知の成膜方法
（例えば、蒸着法、スパッタ法、あるいはＣＶＤ法（気
相成長法）等）を用い、半導体下地１１上に、絶縁膜
（例えば、アルミナ膜、窒化珪素膜、酸化珪素膜等から
選ばれた膜）を、膜厚が例えば５０〜５００ｎｍ程度に
形成する。この絶縁膜の不純物拡散予定領域１３ａと、
それに隣接した発光端面形成用の凹部形成予定領域１３
ｂとを、ホトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用
いて選択的に除去し、パターニングされた拡散防止膜１
３を形成する。拡散防止膜１３が形成された半導体下地
１１上に、公知の成膜方法（例えば、蒸着法、スパッタ
法等）を用いて拡散制御膜２１を形成する。この拡散制
御膜２１は、例えば、アルミナ膜、窒化珪素膜、酸化珪
素膜、ＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）膜等から選ば
れる膜で形成される。この膜厚は、例えば１０〜３００
ｎｍ等の範囲で形成される。
【００１４】（２） Ｐ型層形成工程（図１（Ｂ）） 半導体下地１１の拡散防止膜１３で覆われていない部分
に、拡散制御膜２１を通して、Ｐ型不純物（例えば、亜
鉛（Ｚｎ））を不純物拡散法（例えば、気相拡散法）に
よって拡散させ、Ｐ型ＧａＡｓＰからなるＰ型層１２を
形成する。その後、不要となった拡散制御膜２１を公知
のエッチング法（例えば、エッチング液を用いたウェッ
トエッチング法等）を用いて除去する。 （３） Ｐ側電極形成工程（図１（Ｃ）） Ｐ型層１２との間でオーミックコンタクトがとれる配線
材料（例えば、アルミニウム等）を、公知の成膜方法
（例えば、蒸着法等）によって全面に形成する。そし
て、この配線材料を微細加工技術によってパターニング
し、Ｐ側電極１４を形成する。 （４） エッチングマスク形成工程（図１（Ｄ）） 隣合うＬＥＤアレイ１０−１と１０−２の間の部分の、
発光端面１６ａ側のダイシング予定領域にあたる部分に
所定の凹部１６を形成するために、全面にホトレジスト
等のエッチングマスク材を形成する。このエッチングマ
スク材の所定箇所をホトリソグラフィ技術によってエッ
チングし、特定部分（凹部形成予定領域以外で、かつ後
工程の庇取りエッチングの際にエッチングされてはなら
ない部分）を覆う凹部形成補助用のエッチングマスク膜
２２を形成する。
に、拡散制御膜２１を通して、Ｐ型不純物（例えば、亜
鉛（Ｚｎ））を不純物拡散法（例えば、気相拡散法）に
よって拡散させ、Ｐ型ＧａＡｓＰからなるＰ型層１２を
形成する。その後、不要となった拡散制御膜２１を公知
のエッチング法（例えば、エッチング液を用いたウェッ
トエッチング法等）を用いて除去する。 （３） Ｐ側電極形成工程（図１（Ｃ）） Ｐ型層１２との間でオーミックコンタクトがとれる配線
材料（例えば、アルミニウム等）を、公知の成膜方法
（例えば、蒸着法等）によって全面に形成する。そし
て、この配線材料を微細加工技術によってパターニング
し、Ｐ側電極１４を形成する。 （４） エッチングマスク形成工程（図１（Ｄ）） 隣合うＬＥＤアレイ１０−１と１０−２の間の部分の、
発光端面１６ａ側のダイシング予定領域にあたる部分に
所定の凹部１６を形成するために、全面にホトレジスト
等のエッチングマスク材を形成する。このエッチングマ
スク材の所定箇所をホトリソグラフィ技術によってエッ
チングし、特定部分（凹部形成予定領域以外で、かつ後
工程の庇取りエッチングの際にエッチングされてはなら
ない部分）を覆う凹部形成補助用のエッチングマスク膜
２２を形成する。
【００１５】（５） 発光端面形成工程（図１（Ｅ）） 拡散防止膜１３及びエッチングマスク膜２２をマスクと
して半導体下地１１をエッチングし、所定の深さの凹部
１６を形成する。この深さは、Ｐ型層１２とＮ型層１１
ｂとで構成されるＰＮ接合面を越える深さとする。ま
た、エッチングは、クエン酸系やフッ酸系、硫酸系等を
用いたウェットエッチングや、あるいは塩素系ガス等を
用いたドライエッチング等が利用できる。このようなエ
ッチングによって凹部１６を形成すると、その側面に発
光端面１６ａが形成される。ウェットエッチング等のよ
うに、エッチング速度が等方的のとき、深さ方向（縦方
向）だけでなく、拡散防止膜１３の下側（横方向）にも
エッチングが進行し、テーパー状となってサイドエッチ
ング（アンダカット）部分１６ｃが発生する。なお、エ
ッチング方法やエッチング条件等によって、凹部１６の
両側面を、垂直形状や、あるいは逆テーパー形状にする
こともできる。 （６） 不要部分除去工程（図１（Ｆ），（Ｇ）） 凹部形成時にサイドエッチング部分１６ｃによって、凹
部形成のマスクとなった拡散防止膜１３に庇状部分１３
ｃが形成されているときには、エッチングマスク膜２２
をマスクとして、ウェットエッチング等によってその庇
状部分１３ｃを除去する。この際、エッチングマスク膜
２２で覆われた部分以外の拡散防止膜１３が、全て除去
される。その後、エッチング液を用いたウェットエッチ
ング法等によって、不要となったエッチングマスク膜２
２を除去する。
して半導体下地１１をエッチングし、所定の深さの凹部
１６を形成する。この深さは、Ｐ型層１２とＮ型層１１
ｂとで構成されるＰＮ接合面を越える深さとする。ま
た、エッチングは、クエン酸系やフッ酸系、硫酸系等を
用いたウェットエッチングや、あるいは塩素系ガス等を
用いたドライエッチング等が利用できる。このようなエ
ッチングによって凹部１６を形成すると、その側面に発
光端面１６ａが形成される。ウェットエッチング等のよ
うに、エッチング速度が等方的のとき、深さ方向（縦方
向）だけでなく、拡散防止膜１３の下側（横方向）にも
エッチングが進行し、テーパー状となってサイドエッチ
ング（アンダカット）部分１６ｃが発生する。なお、エ
ッチング方法やエッチング条件等によって、凹部１６の
両側面を、垂直形状や、あるいは逆テーパー形状にする
こともできる。 （６） 不要部分除去工程（図１（Ｆ），（Ｇ）） 凹部形成時にサイドエッチング部分１６ｃによって、凹
部形成のマスクとなった拡散防止膜１３に庇状部分１３
ｃが形成されているときには、エッチングマスク膜２２
をマスクとして、ウェットエッチング等によってその庇
状部分１３ｃを除去する。この際、エッチングマスク膜
２２で覆われた部分以外の拡散防止膜１３が、全て除去
される。その後、エッチング液を用いたウェットエッチ
ング法等によって、不要となったエッチングマスク膜２
２を除去する。
【００１６】（７） Ｎ側電極形成工程（図１（Ｈ）） 半導体下地１１の裏面に、アルミニウム等の配線材料を
用いて、蒸着法等でＮ側電極１５を形成する。この際、
半導体下地１１の裏面を研磨した後に、Ｎ側電極１５を
形成すれば、電気的特性が向上する。 （８） 切断工程（図１（Ｉ）） Ｐ側電極１４及びＮ側電極１５を用い、プロービング等
によって発光特性及び電気特性の検査を行った後、凹部
１６のダイシング領域１６ｂをダイシングによって切断
し、ＬＥＤアレイ１０−１と１０−２を分離する。その
後、プロービングの良否判定データをもとに、良品チッ
プのみを取り出し、駆動回路と接続してプリンタヘッド
等を製造する。
用いて、蒸着法等でＮ側電極１５を形成する。この際、
半導体下地１１の裏面を研磨した後に、Ｎ側電極１５を
形成すれば、電気的特性が向上する。 （８） 切断工程（図１（Ｉ）） Ｐ側電極１４及びＮ側電極１５を用い、プロービング等
によって発光特性及び電気特性の検査を行った後、凹部
１６のダイシング領域１６ｂをダイシングによって切断
し、ＬＥＤアレイ１０−１と１０−２を分離する。その
後、プロービングの良否判定データをもとに、良品チッ
プのみを取り出し、駆動回路と接続してプリンタヘッド
等を製造する。
【００１７】以上のように、この第１の実施形態では、
次のような効果等がある。 （ｉ） 発光端面１６ａを形成するマスクを、Ｐ型層１
２を形成するためのマスク（拡散防止膜１３）で形成す
るようにしている。そのため、図２（Ａ）の平面からみ
たＰ型層１２と発光端面１６ａとの位置ずれがなくな
り、均一な大きさのＰ型層１２を形成できる。従って、
定電流駆動のＬＥＤにおいても、均一な発光光量が得ら
れる端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−２の製造
が可能となる。 （ii） 発光端面１６ａを形成するマスクを、Ｐ型層１
２を形成するためのマスク（拡散防止膜１３）で形成す
るので、マスクの使用回数が１回でよい。そのため、マ
スクずれによるマージン（余裕）を小さくでき、それに
よってＰ型層１２の横方向の面積をより小さくでき、単
位ＰＮ接合面積当りの電流密度を大きくできる。従っ
て、小さな電流で、より大きな発光光量が得られる。 (iii） 図１（Ｈ）のＮ型電極形成工程（７）は、図１
（Ｃ）のＰ側電極形成工程（３）以降の工程なら、任意
の工程で実施可能である。
次のような効果等がある。 （ｉ） 発光端面１６ａを形成するマスクを、Ｐ型層１
２を形成するためのマスク（拡散防止膜１３）で形成す
るようにしている。そのため、図２（Ａ）の平面からみ
たＰ型層１２と発光端面１６ａとの位置ずれがなくな
り、均一な大きさのＰ型層１２を形成できる。従って、
定電流駆動のＬＥＤにおいても、均一な発光光量が得ら
れる端面発光型ＬＥＤアレイ１０−１，１０−２の製造
が可能となる。 （ii） 発光端面１６ａを形成するマスクを、Ｐ型層１
２を形成するためのマスク（拡散防止膜１３）で形成す
るので、マスクの使用回数が１回でよい。そのため、マ
スクずれによるマージン（余裕）を小さくでき、それに
よってＰ型層１２の横方向の面積をより小さくでき、単
位ＰＮ接合面積当りの電流密度を大きくできる。従っ
て、小さな電流で、より大きな発光光量が得られる。 (iii） 図１（Ｈ）のＮ型電極形成工程（７）は、図１
（Ｃ）のＰ側電極形成工程（３）以降の工程なら、任意
の工程で実施可能である。
【００１８】第２の実施形態 図４（Ａ）〜（Ｉ）は、本発明の第２の実施形態を示す
端面発光型ＬＥＤアレイの製造方法の他の製造工程図で
ある。この図４（Ａ）〜（Ｉ）の製造工程図は、第１の
実施形態の図１（Ａ）〜（Ｉ）の製造工程図に対応する
ものであり、図面中の共通する要素には共通の符号が付
されている。この第２の実施形態の製造工程は、図１
（Ｄ）の凹部形成補助用のエッチングマスク膜２２を使
用しない製造方法である。即ち、図４（Ｄ），（Ｇ）に
示すように、図１（Ｄ）のエッチングマスク形成工程
と、図１（Ｇ）のエッチングマスク除去工程とを、省略
した製造方法となっている。凹部形成補助用のエッチン
グマスク膜２２は、図１（Ｆ）の不要部分除去工程の庇
取りエッチング時にＰ側電極１４を保護するためのもの
である。そのため、Ｐ側電極１４がエッチングされない
ようなエッチング条件（例えば、Ｐ側電極１４がエッチ
ングされないようなエッチング液を用いたウェットエッ
チング法等）によって拡散防止膜１３の庇状部分１３ｃ
を除去する場合は、凹部形成補助用エッチングマスク膜
２２を形成する工程が不要となる。これに伴い、エッチ
ングマスク除去工程も不要となる。その他の工程は、第
１の実施形態と同様である。
端面発光型ＬＥＤアレイの製造方法の他の製造工程図で
ある。この図４（Ａ）〜（Ｉ）の製造工程図は、第１の
実施形態の図１（Ａ）〜（Ｉ）の製造工程図に対応する
ものであり、図面中の共通する要素には共通の符号が付
されている。この第２の実施形態の製造工程は、図１
（Ｄ）の凹部形成補助用のエッチングマスク膜２２を使
用しない製造方法である。即ち、図４（Ｄ），（Ｇ）に
示すように、図１（Ｄ）のエッチングマスク形成工程
と、図１（Ｇ）のエッチングマスク除去工程とを、省略
した製造方法となっている。凹部形成補助用のエッチン
グマスク膜２２は、図１（Ｆ）の不要部分除去工程の庇
取りエッチング時にＰ側電極１４を保護するためのもの
である。そのため、Ｐ側電極１４がエッチングされない
ようなエッチング条件（例えば、Ｐ側電極１４がエッチ
ングされないようなエッチング液を用いたウェットエッ
チング法等）によって拡散防止膜１３の庇状部分１３ｃ
を除去する場合は、凹部形成補助用エッチングマスク膜
２２を形成する工程が不要となる。これに伴い、エッチ
ングマスク除去工程も不要となる。その他の工程は、第
１の実施形態と同様である。
【００１９】以上のように、この第２の実施形態では、
第１の実施形態の効果（ｉ）〜(iii）等と同様の効果を
有する上に、次のような効果等もある。 （iv） 第１の実施形態に比べ、エッチングマスク形成
工程とエッチングマスク除去工程とを省略したので、製
造工程が簡単になる。 （ｖ） 図４（Ａ）に示す拡散制御膜２１は、不純物の
拡散によってＰ型層１２を形成する際に、素子の表面欠
陥等を防止するために使用する膜である。しかし、不純
物の拡散法や拡散条件等によっては、表面欠陥等を小さ
くすることも可能である。このような場合には、図４
（Ａ）において拡散制御膜２１の形成工程を省略し、さ
らにそれに伴う拡散制御膜２１の除去工程を省略するこ
とにより、製造工程をより簡単化できる。
第１の実施形態の効果（ｉ）〜(iii）等と同様の効果を
有する上に、次のような効果等もある。 （iv） 第１の実施形態に比べ、エッチングマスク形成
工程とエッチングマスク除去工程とを省略したので、製
造工程が簡単になる。 （ｖ） 図４（Ａ）に示す拡散制御膜２１は、不純物の
拡散によってＰ型層１２を形成する際に、素子の表面欠
陥等を防止するために使用する膜である。しかし、不純
物の拡散法や拡散条件等によっては、表面欠陥等を小さ
くすることも可能である。このような場合には、図４
（Ａ）において拡散制御膜２１の形成工程を省略し、さ
らにそれに伴う拡散制御膜２１の除去工程を省略するこ
とにより、製造工程をより簡単化できる。
【００２０】第３の実施形態 図５（Ａ）〜（Ｉ）は、本発明の第３の実施形態を示す
端面発光型ＬＥＤアレイの製造方法の他の製造工程図で
あり、第１の実施形態の図１（Ａ）〜（Ｉ）中の要素と
共通の要素には共通の符号が付されている。この第３の
実施形態の製造工程では、凹部１６を形成した後、Ｐ側
電極１４とＮ側電極１５を形成するようにしている。以
下その製造工程（１）〜（８）を説明する。 （１） 拡散防止膜及び拡散制御膜形成工程（図５
（Ａ）） 図１（Ａ）と同様に、半導体下地１１上に、拡散防止膜
１３と拡散制御膜２１を形成する。 （２） Ｐ型層形成工程（図５（Ｂ）） 図１（Ｂ）と同様に、半導体下地１１の表面側に、Ｐ型
層１２を形成する。 （３） エッチングマスク形成工程（図５（Ｃ）） 拡散防止膜１３上に、図１（Ｄ）と同様の凹部形成補助
用のエッチングマスク膜２２を、凹部形成予定領域以外
で、かつ後工程の庇取りエッチングの際にエッチングさ
れてはならない部分を覆うように、選択的に形成する。
このエッチングマスク膜２２は、後工程の庇取りエッチ
ング時に、Ｐ側電極１４が形成される部分の拡散防止膜
１３を保護するためと、発光部を構成するＰ型層部分を
保護するためのものである。従って、後工程で庇状部分
１３ｃを除去しない場合でも、このエッチングマスク膜
２２が必要である。
端面発光型ＬＥＤアレイの製造方法の他の製造工程図で
あり、第１の実施形態の図１（Ａ）〜（Ｉ）中の要素と
共通の要素には共通の符号が付されている。この第３の
実施形態の製造工程では、凹部１６を形成した後、Ｐ側
電極１４とＮ側電極１５を形成するようにしている。以
下その製造工程（１）〜（８）を説明する。 （１） 拡散防止膜及び拡散制御膜形成工程（図５
（Ａ）） 図１（Ａ）と同様に、半導体下地１１上に、拡散防止膜
１３と拡散制御膜２１を形成する。 （２） Ｐ型層形成工程（図５（Ｂ）） 図１（Ｂ）と同様に、半導体下地１１の表面側に、Ｐ型
層１２を形成する。 （３） エッチングマスク形成工程（図５（Ｃ）） 拡散防止膜１３上に、図１（Ｄ）と同様の凹部形成補助
用のエッチングマスク膜２２を、凹部形成予定領域以外
で、かつ後工程の庇取りエッチングの際にエッチングさ
れてはならない部分を覆うように、選択的に形成する。
このエッチングマスク膜２２は、後工程の庇取りエッチ
ング時に、Ｐ側電極１４が形成される部分の拡散防止膜
１３を保護するためと、発光部を構成するＰ型層部分を
保護するためのものである。従って、後工程で庇状部分
１３ｃを除去しない場合でも、このエッチングマスク膜
２２が必要である。
【００２１】（４） 発光端面形成工程（図５（Ｄ）） 図１（Ｅ）とほぼ同様に、拡散防止膜１３及びその上の
エッチングマスク膜２２をマスクとして、ウェットエッ
チングやドライエッチング等によって半導体下地１１を
所定の深さにエッチングし、凹部１６を形成する。この
凹部１６の形成により、その側面に発光端面１６ａが形
成される。この際、サイドエッチング（アンダカット）
部分１６ｃが発生し、拡散防止膜１３に庇状部分１３ｃ
が生じることがある。 （５） 不要部分除去工程（図５（Ｅ），（Ｆ）） エッチングマスク膜２２をマスクとして、エッチングに
よって拡散防止膜１３の庇状部分１３ｃ等の不要部分を
除去する。その後、ドライエッチング等によってエッチ
ングマスク膜２２を選択的に除去する。 （６） Ｐ型電極形成工程（図５（Ｇ）） 全面にアルミニウム等の配線材料を蒸着法等で形成した
後、微細加工技術によってパターニングし、Ｐ型層１２
に接続されたＰ側電極１４を形成する。 （７） Ｎ型電極形成工程（図５（Ｈ）） 図１（Ｈ）と同様に、半導体下地１１の裏面にＮ側電極
１５を形成する。 （８） 切断工程（図５（Ｉ）） 図１（Ｉ）と同様に、凹部１６のダイシング領域１６ｂ
をダイシングによって切断し、ＬＥＤアレイ１０−１と
１０−２を分離する。
エッチングマスク膜２２をマスクとして、ウェットエッ
チングやドライエッチング等によって半導体下地１１を
所定の深さにエッチングし、凹部１６を形成する。この
凹部１６の形成により、その側面に発光端面１６ａが形
成される。この際、サイドエッチング（アンダカット）
部分１６ｃが発生し、拡散防止膜１３に庇状部分１３ｃ
が生じることがある。 （５） 不要部分除去工程（図５（Ｅ），（Ｆ）） エッチングマスク膜２２をマスクとして、エッチングに
よって拡散防止膜１３の庇状部分１３ｃ等の不要部分を
除去する。その後、ドライエッチング等によってエッチ
ングマスク膜２２を選択的に除去する。 （６） Ｐ型電極形成工程（図５（Ｇ）） 全面にアルミニウム等の配線材料を蒸着法等で形成した
後、微細加工技術によってパターニングし、Ｐ型層１２
に接続されたＰ側電極１４を形成する。 （７） Ｎ型電極形成工程（図５（Ｈ）） 図１（Ｈ）と同様に、半導体下地１１の裏面にＮ側電極
１５を形成する。 （８） 切断工程（図５（Ｉ）） 図１（Ｉ）と同様に、凹部１６のダイシング領域１６ｂ
をダイシングによって切断し、ＬＥＤアレイ１０−１と
１０−２を分離する。
【００２２】以上のように、この第３の実施形態では、
第１の実施形態の効果（ｉ），（ii）と同様の効果を有
する上に、次のような効果等もある。 （vi） 図５（Ｈ）のＮ側電極形成工程は、図５（Ｃ）
のエッチングマスク形成工程以降の工程なら、どの工程
で実施してもよい。 (vii） 図５（Ａ）において、拡散制御膜２１は、第２
の実施形態の効果（ｖ）で説明したように、形成しなく
てもよい。これにより、製造工程の簡単化が図れる。
第１の実施形態の効果（ｉ），（ii）と同様の効果を有
する上に、次のような効果等もある。 （vi） 図５（Ｈ）のＮ側電極形成工程は、図５（Ｃ）
のエッチングマスク形成工程以降の工程なら、どの工程
で実施してもよい。 (vii） 図５（Ａ）において、拡散制御膜２１は、第２
の実施形態の効果（ｖ）で説明したように、形成しなく
てもよい。これにより、製造工程の簡単化が図れる。
【００２３】なお、本発明は上記実施形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。その変形例としては、例
えば次のようなものがある。 （ａ） 上記実施形態では、発光端面形成工程におい
て、凹部形成時のサイドエッチングによって拡散防止膜
１３に庇状部分１３ｃが発生する例を説明したが、エッ
チング条件等によってサイドエッチングが無視できる程
度ならば、その庇状部分１３ｃの除去工程を省略でき
る。これによって製造工程をより簡単化できる。 （ｂ） 上記実施形態のＬＥＤアレイ１０−１，１０−
２の形状や構造、あるいはそのＬＥＤアレイ１０−１，
１０−２を製造する製造条件や使用材料等を、上記実施
形態以外の種々のものに変更することが可能である。 （ｃ） 図２（Ｂ）では、Ｎ型層１１ｂとその上のＰ型
層１２とでＰＮ接合面を構成したが、下側にＰ型層１２
及び上側にＮ型層１１ｂとなるようなＰＮ接合面を形成
するような製造方法も可能である。 （ｄ） 上記実施形態では、ＬＥＤアレイ１０−１，１
０−２の製造方法について説明したが、アレイ状でない
端面発光型ＬＥＤの製造方法についても、上記実施形態
を適用できる。
ず、種々の変形が可能である。その変形例としては、例
えば次のようなものがある。 （ａ） 上記実施形態では、発光端面形成工程におい
て、凹部形成時のサイドエッチングによって拡散防止膜
１３に庇状部分１３ｃが発生する例を説明したが、エッ
チング条件等によってサイドエッチングが無視できる程
度ならば、その庇状部分１３ｃの除去工程を省略でき
る。これによって製造工程をより簡単化できる。 （ｂ） 上記実施形態のＬＥＤアレイ１０−１，１０−
２の形状や構造、あるいはそのＬＥＤアレイ１０−１，
１０−２を製造する製造条件や使用材料等を、上記実施
形態以外の種々のものに変更することが可能である。 （ｃ） 図２（Ｂ）では、Ｎ型層１１ｂとその上のＰ型
層１２とでＰＮ接合面を構成したが、下側にＰ型層１２
及び上側にＮ型層１１ｂとなるようなＰＮ接合面を形成
するような製造方法も可能である。 （ｄ） 上記実施形態では、ＬＥＤアレイ１０−１，１
０−２の製造方法について説明したが、アレイ状でない
端面発光型ＬＥＤの製造方法についても、上記実施形態
を適用できる。
【００２４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１〜第８
の発明によれば、発光端面を形成するマスクを、第２導
電型層を形成するためのマスク（拡散防止膜）で形成す
るようにしたので、半導体下地の平面からみた第２導電
型層と発光端面との位置ずれがなくなり、均一な大きさ
の第２導電型層を形成できる。そのため、定電流駆動の
ＬＥＤにおいても、均一な発光光量が得られる発光端面
型ＬＥＤの製造が可能となる。しかも、発光端面を形成
するマスクを、第２導電型層を形成するためのマスクで
形成したので、マスクの数を１つ減らすことができ、そ
れによってマスクずれを考慮したマージンも小さくでき
る。そのため、半導体下地の平面からみた第２導電型層
の面積を小さくでき、ＰＮ接合の単位面積当りの電流密
度を大きくできる。従って、小さな電流で、より大きな
発光光量が得られる。また、第２、第３、第４、第６、
及び第７の発明では、製造工程数の削減化によって、製
造工程をより簡単化できる。
の発明によれば、発光端面を形成するマスクを、第２導
電型層を形成するためのマスク（拡散防止膜）で形成す
るようにしたので、半導体下地の平面からみた第２導電
型層と発光端面との位置ずれがなくなり、均一な大きさ
の第２導電型層を形成できる。そのため、定電流駆動の
ＬＥＤにおいても、均一な発光光量が得られる発光端面
型ＬＥＤの製造が可能となる。しかも、発光端面を形成
するマスクを、第２導電型層を形成するためのマスクで
形成したので、マスクの数を１つ減らすことができ、そ
れによってマスクずれを考慮したマージンも小さくでき
る。そのため、半導体下地の平面からみた第２導電型層
の面積を小さくでき、ＰＮ接合の単位面積当りの電流密
度を大きくできる。従って、小さな電流で、より大きな
発光光量が得られる。また、第２、第３、第４、第６、
及び第７の発明では、製造工程数の削減化によって、製
造工程をより簡単化できる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す端面発光型ＬＥ
Ｄアレイの製造工程図である。
Ｄアレイの製造工程図である。
【図２】本発明の第１の実施形態を示す端面発光型ＬＥ
Ｄアレイの構成図である。
Ｄアレイの構成図である。
【図３】図２（Ａ）のII−II線断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態を示す端面発光型ＬＥ
Ｄアレイの製造工程図である。
Ｄアレイの製造工程図である。
【図５】本発明の第３の実施形態を示す端面発光型ＬＥ
Ｄアレイの製造工程図である。
Ｄアレイの製造工程図である。
１０−１，１０−２ 端面発光型ＬＥＤアレイ １１ 半導体下地 １１ａ Ｎ型基板 １１ｂ Ｎ型層 １２ Ｐ型層 １３ 拡散防止膜 １３ｃ 庇状部分 １４ Ｐ側電極 １５ Ｎ側電極 １６ 凹部 １６ａ 発光端面 １６ｂ ダイシング領域 １６ｃ サイドエッチング部分 ２１ 拡散制御膜 ２２ エッチングマスク膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石丸 真人 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電 気工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−310756（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−283757（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−237015（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−238673（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−166213（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−125765（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 33/00 B41J 2/44 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (8)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体下地の表面に、第２
導電型の不純物を選択的に拡散して第２導電型層を作
り、これらの第２導電型層と半導体下地とで構成される
ＰＮ接合面を有する発光部を形成する発光部形成工程
と、 前記半導体下地上に第１電極を選択的に形成して前記第
２導電型層と接続すると共に、前記半導体下地の裏面に
第２電極を形成する電極形成工程とを、 有する端面発光型ＬＥＤの製造方法において、 前記発光部形成工程は、 前記半導体下地の表面に絶縁膜を被着し、その絶縁膜の
不純物拡散予定領域と該不純物拡散予定領域に隣接した
発光端面形成用の凹部形成予定領域とを選択的に除去し
てパターニングされた拡散防止膜を形成する拡散防止膜
形成工程と、 前記拡散防止膜で覆われていない前記半導体下地部分
に、該拡散防止膜をマスクにして前記第２導電型の不純
物を選択的に拡散して前記第２導電型層を形成する第２
導電型層形成工程と、 前記拡散防止膜で覆われていない前記凹部形成予定領域
を通して、前記第２導電型層と前記半導体下地とで構成
される前記ＰＮ接合面を越える深さまで、前記半導体下
地を凹部状にエッチングし、その凹部側面に位置する前
記発光部の発光端面を形成する発光端面形成工程とを、 行うことを特徴とする端面発光型ＬＥＤの製造方法。 - 【請求項２】 第１導電型の半導体下地の表面に絶縁膜
を被着し、その絶縁膜の不純物拡散予定領域と該不純物
拡散予定領域に隣接した発光端面形成用の凹部形成予定
領域とを選択的に除去してパターニングされた拡散防止
膜を形成する拡散防止膜形成工程と、 前記拡散防止膜をマスクにして第２導電型の不純物を、
該拡散防止膜で覆われていない前記半導体下地部分に選
択的に拡散して第２導電型層を形成する第２導電型層形
成工程と、 前記拡散防止膜上に第１電極を選択的に形成して前記第
２導電型層と接続する第１電極形成工程と、 前記拡散防止膜及び前記第１電極をマスクにして、前記
第２導電型層と前記半導体下地とで構成されるＰＮ接合
面を越える深さまで、該半導体下地を凹部状にエッチン
グし、その凹部側面に位置する該ＰＮ接合面の発光端面
を形成する発光端面形成工程と、 前記第１電極をマスクにして、エッチングによって前記
拡散防止膜の不要部分を除去する不要部分除去工程と、 前記第１電極形成工程以降の任意の工程において前記半
導体下地の裏面に第２電極を形成する第２電極形成工程
とを、 行うことを特徴とする端面発光型ＬＥＤの製造方法。 - 【請求項３】 第１導電型の半導体下地の表面に絶縁膜
を被着し、その絶縁膜の不純物拡散予定領域と該不純物
拡散予定領域に隣接した発光端面形成用の凹部形成予定
領域とを選択的に除去してパターニングされた拡散防止
膜を形成する拡散防止膜形成工程と、 前記拡散防止膜、前記不純物拡散予定領域、及び前記凹
部形成予定領域を覆う拡散制御膜を形成する拡散制御膜
形成工程と、 前記拡散防止膜をマスクにして第２導電型の不純物を、
前記拡散制御膜を通して、該拡散防止膜で覆われていな
い前記半導体下地部分に選択的に拡散して第２導電型層
を形成する第２導電型層形成工程と、 前記拡散制御膜を選択的に除去した後、前記拡散防止膜
上に第１電極を選択的に形成して前記第２導電型層と接
続する第１電極形成工程と、 前記拡散防止膜をマスクにして、前記第２導電型層と前
記半導体下地とで構成されるＰＮ接合面を越える深さま
で、該半導体下地を凹部状にエッチングし、その凹部側
面に位置する該ＰＮ接合面の発光端面を形成する発光端
面形成工程と、 前記第１電極をマスクにして、エッチングによって前記
拡散防止膜の不要部分を除去する不要部分除去工程と、 前記第１電極形成工程以降の任意の工程において前記半
導体下地の裏面に第２電極を形成する第２電極形成工程
と、 前記半導体下地の凹部箇所を切断する切断工程とを、 行うことを特徴とする端面発光型ＬＥＤの製造方法。 - 【請求項４】 第１導電型の半導体下地の表面に絶縁膜
を被着し、その絶縁膜の不純物拡散予定領域と該不純物
拡散予定領域に隣接した発光端面形成用の凹部形成予定
領域とを選択的に除去してパターニングされた拡散防止
膜を形成する拡散防止膜形成工程と、 前記拡散防止膜をマスクにして第２導電型の不純物を、
該拡散防止膜で覆われていない前記半導体下地部分に選
択的に拡散して第２導電型層を形成する第２導電型層形
成工程と、 前記拡散防止膜上に第１電極を選択的に形成して前記第
２導電型層と接続する第１電極形成工程と、 前記拡散防止膜及び前記第１電極上において前記凹部形
成予定領域以外で、かつ後工程の不要部分のエッチング
の際にエッチングされてはならない部分を覆う凹部形成
補助用エッチングマスク膜を形成するエッチングマスク
形成工程と、 前記拡散防止膜及び前記エッチングマスク膜をマスクに
して、前記第２導電型層と前記半導体下地とで構成され
るＰＮ接合面を越える深さまで、該半導体下地を凹部状
にエッチングし、その凹部側面に位置する該ＰＮ接合面
の発光端面を形成する発光端面形成工程と、 前記エッチングマスク膜をマスクにして、エッチングに
よって前記拡散防止膜の不要部分を除去した後、該エッ
チングマスク膜を選択的に除去する不要部分除去工程
と、 前記第１電極形成工程以降の任意の工程において前記半
導体下地の裏面に第２電極を形成する第２電極形成工程
と、 前記半導体下地の凹部箇所を切断する切断工程とを、 行うことを特徴とする端面発光型ＬＥＤの製造方法。 - 【請求項５】 第１導電型の半導体下地の表面に絶縁膜
を被着し、その絶縁膜の不純物拡散予定領域と該不純物
拡散予定領域に隣接した発光端面形成用の凹部形成予定
領域とを選択的に除去してパターニングされた拡散防止
膜を形成する拡散防止膜形成工程と、 前記拡散防止膜、前記不純物拡散予定領域、及び前記凹
部形成予定領域を覆う拡散制御膜を形成する拡散制御膜
形成工程と、 前記拡散防止膜をマスクにして第２導電型の不純物を、
前記拡散制御膜を通して、該拡散防止膜で覆われていな
い前記半導体下地部分に選択的に拡散して第２導電型層
を形成する第２導電型層形成工程と、 前記拡散制御膜を選択的に除去した後、前記拡散防止膜
上に第１電極を選択的に形成して前記第２導電型層と接
続する第１電極形成工程と、 前記拡散防止膜及び前記第１電極上において前記凹部形
成予定領域以外で、かつ後工程の不要部分のエッチング
の際にエッチングされてはならない部分を覆う凹部形成
補助用エッチングマスク膜を形成するエッチングマスク
形成工程と、 前記拡散防止膜及び前記エッチングマスク膜をマスクに
して、前記第２導電型層と前記半導体下地とで構成され
るＰＮ接合面を越える深さまで、該半導体下地を凹部状
にエッチングし、その凹部側面に位置する該ＰＮ接合面
の発光端面を形成する発光端面形成工程と、 前記エッチングマスク膜をマスクにして、エッチングに
よって前記拡散防止膜の不要部分を除去した後、該エッ
チングマスク膜を選択的に除去する不要部分除去工程
と、 前記第１電極形成工程以降の任意の工程において前記半
導体下地の裏面に第２電極を形成する第２電極形成工程
と、 前記半導体下地の凹部箇所を切断する切断工程とを、 行うことを特徴とする端面発光型ＬＥＤの製造方法。 - 【請求項６】 第１導電型の半導体下地の表面に絶縁膜
を被着し、その絶縁膜の不純物拡散予定領域と該不純物
拡散予定領域に隣接した発光端面形成用の凹部形成予定
領域とを選択的に除去してパターニングされた拡散防止
膜を形成する拡散防止膜形成工程と、 前記拡散防止膜をマスクにして第２導電型の不純物を、
該拡散防止膜で覆われていない前記半導体下地部分に選
択的に拡散して第２導電型層を形成する第２導電型層形
成工程と、 前記拡散防止膜上において前記凹部形成予定領域以外
で、かつ後工程の不要部分のエッチングの際にエッチン
グされてはならない部分を覆う凹部形成補助用エッチン
グマスク膜を形成するエッチングマスク形成工程と、 前記拡散防止膜及び前記エッチングマスク膜をマスクに
して、前記第２導電型層と前記半導体下地とで構成され
るＰＮ接合面を越える深さまで、該半導体下地を凹部状
にエッチングし、その凹部側面に位置する該ＰＮ接合面
の発光端面を形成する発光端面形成工程と、 前記エッチングマスク膜をマスクにして、エッチングに
よって前記拡散防止膜の不要部分を除去した後、該エッ
チングマスク膜を選択的に除去する不要部分除去工程
と、 前記拡散防止膜上に第１電極を選択的に形成して前記第
２導電型層と接続する第１電極形成工程と、 前記エッチングマスク形成工程以降の任意の工程におい
て前記半導体下地の裏面に第２電極を形成する第２電極
形成工程と、 前記半導体下地の凹部箇所を切断する切断工程とを、 行うことを特徴とする端面発光型ＬＥＤの製造方法。 - 【請求項７】 第１導電型の半導体下地の表面に絶縁膜
を被着し、その絶縁膜の不純物拡散予定領域と該不純物
拡散予定領域に隣接した発光端面形成用の凹部形成予定
領域とを選択的に除去してパターニングされた拡散防止
膜を形成する拡散防止膜形成工程と、 前記拡散防止膜、前記不純物拡散予定領域、及び前記凹
部形成予定領域を覆う拡散制御膜を形成する拡散制御膜
形成工程と、 前記拡散防止膜をマスクにして第２導電型の不純物を、
前記拡散制御膜を通して、該拡散防止膜で覆われていな
い前記半導体下地部分に選択的に拡散して第２導電型層
を形成する第２導電型層形成工程と、 前記拡散防止膜上において前記凹部形成予定領域以外
で、かつ後工程の不要部分のエッチングの際にエッチン
グされてはならない部分を覆う凹部形成補助用エッチン
グマスク膜を形成するエッチングマスク形成工程と、 前記拡散防止膜及び前記エッチングマスク膜をマスクに
して、前記第２導電型層と前記半導体下地とで構成され
るＰＮ接合面を越える深さまで、該半導体下地を凹部状
にエッチングし、その凹部側面に位置する該ＰＮ接合面
の発光端面を形成する発光端面形成工程と、 前記エッチングマスク膜をマスクにして、エッチングに
よって前記拡散防止膜の不要部分を除去した後、該エッ
チングマスク膜を選択的に除去する不要部分除去工程
と、 前記拡散防止膜上に第１電極を選択的に形成して前記第
２導電型層と接続する第１電極形成工程と、 前記エッチングマスク形成工程以降の任意の工程におい
て前記半導体下地の裏面に第２電極を形成する第２電極
形成工程と、 前記半導体下地の凹部箇所を切断する切断工程とを、 行うことを特徴とする端面発光型ＬＥＤの製造方法。 - 【請求項８】 請求項１、２、３、４、５、６又は７記
載の端面発光型ＬＥＤの製造方法において、 前記第１導電型はＮ型、前記第２導電型はＰ型である端
面発光型ＬＥＤの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18608595A JP3053750B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 端面発光型ｌｅｄの製造方法 |
| EP96111517A EP0755084A3 (en) | 1995-07-21 | 1996-07-17 | Method of fabricating an end face light emitting type light-emitting diode and a light-emitting diode array device |
| US08/687,046 US5866439A (en) | 1995-07-21 | 1996-07-18 | Method of fabricating an end face light emitting type light-emitting diode and a light-emitting diode array device |
Applications Claiming Priority (1)
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