JPH06310755A - Ｌｅｄアレイチップおよびその製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄアレイチップおよびその製造方法Info
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- JPH06310755A JPH06310755A JP10090193A JP10090193A JPH06310755A JP H06310755 A JPH06310755 A JP H06310755A JP 10090193 A JP10090193 A JP 10090193A JP 10090193 A JP10090193 A JP 10090193A JP H06310755 A JPH06310755 A JP H06310755A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡便かつ短い工数で良好な発光形状を有する
プレーナ型の端面発光型のＬＥＤアレイチップを実現す
ることを目的とする。 【構成】 半導体基板５の表面に絶縁膜２を付け、その
一部分をエッチングにより除去して拡散窓６をあけ、こ
れに不純物拡散を行ってＰＮ接合面を作る。次にＰ側電
極３を拡散窓６全面を覆うように蒸着する。この後、前
記拡散窓６中央でＰＮ接合面を分割し、ＰＮ接合面がチ
ップ端部に現れるようにして、プレーナ型でありながら
端面から採光する端面発光型のＬＥＤアレイチップを得
る。 【効果】 プレーナ型のＬＥＤを用いたので、簡便かつ
短工数の製造で、加工ダメージのない高品質のＬＥＤア
レイチップを得られる。また、プレーナ型であっても短
面方向へしか採光しないので、書き込みに有効な配光特
性の発光が得られる。
プレーナ型の端面発光型のＬＥＤアレイチップを実現す
ることを目的とする。 【構成】 半導体基板５の表面に絶縁膜２を付け、その
一部分をエッチングにより除去して拡散窓６をあけ、こ
れに不純物拡散を行ってＰＮ接合面を作る。次にＰ側電
極３を拡散窓６全面を覆うように蒸着する。この後、前
記拡散窓６中央でＰＮ接合面を分割し、ＰＮ接合面がチ
ップ端部に現れるようにして、プレーナ型でありながら
端面から採光する端面発光型のＬＥＤアレイチップを得
る。 【効果】 プレーナ型のＬＥＤを用いたので、簡便かつ
短工数の製造で、加工ダメージのない高品質のＬＥＤア
レイチップを得られる。また、プレーナ型であっても短
面方向へしか採光しないので、書き込みに有効な配光特
性の発光が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば感光媒体に光書
き込みを行う際の光源として好適に用いられる、ＬＥＤ
アレイチップとその製造方法に関する。
き込みを行う際の光源として好適に用いられる、ＬＥＤ
アレイチップとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤアレイは、発光部の微細化が図れ
ることから、高解像度の光書き込み光源として利用が高
まっている。その一例としては、プリンタに搭載される
ＬＥＤアレイヘッドが挙げられる。
ることから、高解像度の光書き込み光源として利用が高
まっている。その一例としては、プリンタに搭載される
ＬＥＤアレイヘッドが挙げられる。
【０００３】このＬＥＤアレイヘッドに用いられるＬＥ
Ｄアレイチップとしては、図６，図７に示す二つのタイ
プがある。図６（ａ）は半導体基板２６表面に絶縁膜２
７を付け、その一部をエッチングして拡散窓２８を開
け、そこに不純物拡散を行い、その拡散領域に接触させ
て、オーミックとワイヤーボンドの為のＰ側電極２９を
つけて、この接合に順方向電流を供給して発光させ、ウ
ェハ表面から、同ウェハと垂直方向、すなわち矢印Ｄ方
向に採光する形式のＬＥＤアレイチップである。図６
（ｂ）は、これをＬＥＤアレイヘッドに用いた一例を側
面図で示す。ＬＥＤアレイヘッドは配線を有するプリン
ト基板２０にＬＥＤアレイチップ２１とこれを駆動する
ＩＣ２２をダイスボンドし、これをＡｕワイヤ２３で接
続して電流を印加しＬＥＤアレイチップ２１を発光させ
るものである。図７（ａ）は液相エピタキシャル成長等
によりＰＮ接合を形成した半導体基板３１に電極３２を
設け、メサやダイシング等で発光ドット間３３を分割
し、ウェハ端面から矢印Ｅ方向に採光する形式のＬＥＤ
アレイチップである。図７（ｂ）は図７（ａ）のＬＥＤ
アレイチップ３４を使用したＬＥＤアレイヘッドであ
る。この場合は、図６（ｂ）とは異なり、光をウェハ端
面から取り出すのでワイヤーボンドのＡｕワイヤ２３が
妨げになることがなく、発光面を感光媒体２５に限りな
く近づけることが出来る。
Ｄアレイチップとしては、図６，図７に示す二つのタイ
プがある。図６（ａ）は半導体基板２６表面に絶縁膜２
７を付け、その一部をエッチングして拡散窓２８を開
け、そこに不純物拡散を行い、その拡散領域に接触させ
て、オーミックとワイヤーボンドの為のＰ側電極２９を
つけて、この接合に順方向電流を供給して発光させ、ウ
ェハ表面から、同ウェハと垂直方向、すなわち矢印Ｄ方
向に採光する形式のＬＥＤアレイチップである。図６
（ｂ）は、これをＬＥＤアレイヘッドに用いた一例を側
面図で示す。ＬＥＤアレイヘッドは配線を有するプリン
ト基板２０にＬＥＤアレイチップ２１とこれを駆動する
ＩＣ２２をダイスボンドし、これをＡｕワイヤ２３で接
続して電流を印加しＬＥＤアレイチップ２１を発光させ
るものである。図７（ａ）は液相エピタキシャル成長等
によりＰＮ接合を形成した半導体基板３１に電極３２を
設け、メサやダイシング等で発光ドット間３３を分割
し、ウェハ端面から矢印Ｅ方向に採光する形式のＬＥＤ
アレイチップである。図７（ｂ）は図７（ａ）のＬＥＤ
アレイチップ３４を使用したＬＥＤアレイヘッドであ
る。この場合は、図６（ｂ）とは異なり、光をウェハ端
面から取り出すのでワイヤーボンドのＡｕワイヤ２３が
妨げになることがなく、発光面を感光媒体２５に限りな
く近づけることが出来る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図６の場合の例による
と、このＬＥＤアレイヘッドの場合チップの構造から採
光するウェハ表面上にワイヤーボンドのＡｕワイヤ２３
が有るため、Ａｕワイヤ２３の高さよりＬＥＤ表面つま
り発光面を感光媒体２５に近づけることが出来ない。こ
のため、ＬＥＤ２１と感光媒体２５の間にセルフォック
レンズ等の光学レンズ２４を用いるため非常に高価にな
るという問題があった。
と、このＬＥＤアレイヘッドの場合チップの構造から採
光するウェハ表面上にワイヤーボンドのＡｕワイヤ２３
が有るため、Ａｕワイヤ２３の高さよりＬＥＤ表面つま
り発光面を感光媒体２５に近づけることが出来ない。こ
のため、ＬＥＤ２１と感光媒体２５の間にセルフォック
レンズ等の光学レンズ２４を用いるため非常に高価にな
るという問題があった。
【０００５】また、図６の例では、発光ドットの分割の
ために半導体基板をエッチングまたはダイシングする必
要が有り、製造工程が複雑になると共にウェハへのダメ
ージが輝度劣化や特性低下の要因となっている。
ために半導体基板をエッチングまたはダイシングする必
要が有り、製造工程が複雑になると共にウェハへのダメ
ージが輝度劣化や特性低下の要因となっている。
【０００６】本発明は上記の問題を解決するものであ
り、簡便に製造でき、かつ感光媒体に密着可能なプレー
ナ型の端面発光ＬＥＤアレイチップを提供することを目
的とする。
り、簡便に製造でき、かつ感光媒体に密着可能なプレー
ナ型の端面発光ＬＥＤアレイチップを提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、半導体基板に絶縁膜を付けたのち、所定位置をエッ
チングして一列に並んだ複数の拡散窓を形成し、前記拡
散窓から不純物拡散を行ってＰＮ接合を形成してモノリ
シックなプレーナ型のＬＥＤウェハを製造する。このウ
ェハの端部に位置する前記拡散窓の中央部に、拡散窓の
並び方向と略平行にスクライブ溝を引き、半導体基板の
へき開性を活用して分割し、そのへき開面を光放射端面
とすることで、発光に良好な端面を有するＬＥＤアレイ
チップとなるものである。
に、半導体基板に絶縁膜を付けたのち、所定位置をエッ
チングして一列に並んだ複数の拡散窓を形成し、前記拡
散窓から不純物拡散を行ってＰＮ接合を形成してモノリ
シックなプレーナ型のＬＥＤウェハを製造する。このウ
ェハの端部に位置する前記拡散窓の中央部に、拡散窓の
並び方向と略平行にスクライブ溝を引き、半導体基板の
へき開性を活用して分割し、そのへき開面を光放射端面
とすることで、発光に良好な端面を有するＬＥＤアレイ
チップとなるものである。
【０００８】
【作用】この発明によると、良好な端面および発光形状
を有する感光媒体に密着可能な端面発光型のＬＥＤアレ
イチップが簡便な加工方法で得られる。
を有する感光媒体に密着可能な端面発光型のＬＥＤアレ
イチップが簡便な加工方法で得られる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１０】本発明のＬＥＤアレイチップを図１（ａ）
に、そのウェハを図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）でウェ
ハ表面には絶縁膜２とＰ側電極３そしてへき開ストリー
ト７が見える。これを図１（ａ）のＬＥＤアレイチップ
１に分割すると、チップ表面は絶縁膜２とＰ側電極３が
あり、裏面にＮ側電極４をもつ半導体基板５および不純
物拡散を行った拡散窓６はＰ側電極３に覆われている。
また、絶縁膜２の一部を除去したへき開ストリート７が
発光端面側とその反対面側に有る。また実際の発光に寄
与する発光部は８の部分で、発光部８部分から矢印Ａ方
向へ発光する。
に、そのウェハを図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）でウェ
ハ表面には絶縁膜２とＰ側電極３そしてへき開ストリー
ト７が見える。これを図１（ａ）のＬＥＤアレイチップ
１に分割すると、チップ表面は絶縁膜２とＰ側電極３が
あり、裏面にＮ側電極４をもつ半導体基板５および不純
物拡散を行った拡散窓６はＰ側電極３に覆われている。
また、絶縁膜２の一部を除去したへき開ストリート７が
発光端面側とその反対面側に有る。また実際の発光に寄
与する発光部は８の部分で、発光部８部分から矢印Ａ方
向へ発光する。
【００１１】次に、実施例のウェハの製造手順を図２の
フローチャートに示す。本実施例では、ガリウム砒素燐
（以下ＧａＡｓＰ）の半導体基板５を用意し、その全面
に絶縁膜２を成膜する。ついで、拡散窓６となる所望の
位置をエッチングして半導体基板５を露出させ、この部
分に不純物としての亜鉛（以下Ｚｎ）を導入する。そし
て、拡散窓６のオーミックとワイヤーボンドパッドとし
てのＰ側電極３を蒸着し、半導体基板５裏面にＮ側電極
４を蒸着してＬＥＤのウェハを得る。
フローチャートに示す。本実施例では、ガリウム砒素燐
（以下ＧａＡｓＰ）の半導体基板５を用意し、その全面
に絶縁膜２を成膜する。ついで、拡散窓６となる所望の
位置をエッチングして半導体基板５を露出させ、この部
分に不純物としての亜鉛（以下Ｚｎ）を導入する。そし
て、拡散窓６のオーミックとワイヤーボンドパッドとし
てのＰ側電極３を蒸着し、半導体基板５裏面にＮ側電極
４を蒸着してＬＥＤのウェハを得る。
【００１２】ここで図３（ａ）に拡散窓６とＰ側電極３
との関係を斜視断面図によって示す。本実施例ではＬＥ
Ｄアレイチップの加工効率を上げるために、一つの拡散
窓６を挟む対向位置に、加工後は別々のチップに属する
ことになる、二つのＰ側電極３ａ，３ｂを蒸着し、拡散
窓６をその中心で二つに分割して、２チップが得られる
ように形成されている。こうすることにより、一回の分
割で二つの発光端面を得ることが出来、かつ一つの拡散
窓を二つにするので同等の発光特性を有するＬＥＤアレ
イチップを得られる。
との関係を斜視断面図によって示す。本実施例ではＬＥ
Ｄアレイチップの加工効率を上げるために、一つの拡散
窓６を挟む対向位置に、加工後は別々のチップに属する
ことになる、二つのＰ側電極３ａ，３ｂを蒸着し、拡散
窓６をその中心で二つに分割して、２チップが得られる
ように形成されている。こうすることにより、一回の分
割で二つの発光端面を得ることが出来、かつ一つの拡散
窓を二つにするので同等の発光特性を有するＬＥＤアレ
イチップを得られる。
【００１３】図３（ａ）で得られたＬＥＤアレイチップ
をこのままで発光させると、拡散窓からウェハ表面へ出
る光と、目的とする端面とから光が得られる。しかしな
がら、ウェハ表面への光は発光ドットを大きくし、印字
形状に悪影響を及ぼすため、ウェハ表面への光を遮断す
べく、拡散窓全面を非透光性材料のアルミニウムＰ側電
極で被覆している。図３（ｂ）はその斜視断面図であ
る。ここでＰ側電極３は、図３（ａ）でのＰ側電極３
ａ，３ｂが中央でつながったものである。また前述のよ
うにＰ側電極３で拡散窓６を覆ってしまうので、同拡散
窓６は表面から見えなくなる。
をこのままで発光させると、拡散窓からウェハ表面へ出
る光と、目的とする端面とから光が得られる。しかしな
がら、ウェハ表面への光は発光ドットを大きくし、印字
形状に悪影響を及ぼすため、ウェハ表面への光を遮断す
べく、拡散窓全面を非透光性材料のアルミニウムＰ側電
極で被覆している。図３（ｂ）はその斜視断面図であ
る。ここでＰ側電極３は、図３（ａ）でのＰ側電極３
ａ，３ｂが中央でつながったものである。また前述のよ
うにＰ側電極３で拡散窓６を覆ってしまうので、同拡散
窓６は表面から見えなくなる。
【００１４】また、本実施例では後述するように半導体
基板のへき開性を利用してウェハ分割を行うので、特に
発光端面が分割されやすく鏡面状となるように、へき開
する部分の絶縁膜２を幅４０μｍ程度エッチングして、
半導体基板５を露出させている。これを示すのが図３
（ａ），（ｂ）のへき開ストリート７である。
基板のへき開性を利用してウェハ分割を行うので、特に
発光端面が分割されやすく鏡面状となるように、へき開
する部分の絶縁膜２を幅４０μｍ程度エッチングして、
半導体基板５を露出させている。これを示すのが図３
（ａ），（ｂ）のへき開ストリート７である。
【００１５】つぎに、本発明でのＬＥＤアレイチップの
へき開分割方法を、図４を用いて説明する。図４（ａ）
はウェハにスクライブ溝を引く加工の概念図、図４
（ｂ）はウェハ分割加工の概念図である。ウェハ９をス
テージ１０に固定して所定の位置、図４では分割すべき
へき開ストリート７の中心部分に約３００μｍ長のスク
ライブ溝１２ａ，１２ｂをダイヤモンドポイント１１を
矢印Ｂ方向へ動かし入れる。この時、ウェハ９はへき開
ストリート７が半導体基板の持つへき開と略平行に形成
されているので、上記のスクライブ溝１２ａ，１２ｂも
へき開と略平行となる。この手順でウェハ９の全てのへ
き開ストリートに２本ずつのスクライブ溝を入れる。次
に前記のスクライブ加工の終了したウェハ９を、粘着性
のあるシート１３に張り付け、このシート１３をへき開
治具１４に固定する。へき開治具１４では、シート１３
を引っ張って緩みなく固定し、ウェハ９を空中に浮かせ
た状態で固定する。この後、前記スクライブ溝１２ａ，
１２ｂの内、ウェハ端部に近い方１２ａの略下部を、鋭
利刃状物１５で矢印Ｃ方向へ突き上げ、スクライブ溝１
２ａの箇所から半導体基板のへき開を起こして、ウェハ
９を分割する。このとき、２本目のスクライブ溝１２ｂ
は、１本目のスクライブキズ１２ａで起こったへき開の
方向の修正する役目を持つものである。１本目のスクラ
イブ溝１２ａでは複数箇所でへき開が起ころうとする
が、２本目のスクライブ溝１２ｂでへき開を１本化する
ので、それ以降は一へき開面でのみウェハ９が分割さ
れ、鏡面状の良好な発光端面が得られる。全てのへき開
分割がなされた後はウェハ９をシート１３から外し、発
光に寄与しない面をダイシング等の方法で分割してＬＥ
Ｄアレイチップが出来上がる。
へき開分割方法を、図４を用いて説明する。図４（ａ）
はウェハにスクライブ溝を引く加工の概念図、図４
（ｂ）はウェハ分割加工の概念図である。ウェハ９をス
テージ１０に固定して所定の位置、図４では分割すべき
へき開ストリート７の中心部分に約３００μｍ長のスク
ライブ溝１２ａ，１２ｂをダイヤモンドポイント１１を
矢印Ｂ方向へ動かし入れる。この時、ウェハ９はへき開
ストリート７が半導体基板の持つへき開と略平行に形成
されているので、上記のスクライブ溝１２ａ，１２ｂも
へき開と略平行となる。この手順でウェハ９の全てのへ
き開ストリートに２本ずつのスクライブ溝を入れる。次
に前記のスクライブ加工の終了したウェハ９を、粘着性
のあるシート１３に張り付け、このシート１３をへき開
治具１４に固定する。へき開治具１４では、シート１３
を引っ張って緩みなく固定し、ウェハ９を空中に浮かせ
た状態で固定する。この後、前記スクライブ溝１２ａ，
１２ｂの内、ウェハ端部に近い方１２ａの略下部を、鋭
利刃状物１５で矢印Ｃ方向へ突き上げ、スクライブ溝１
２ａの箇所から半導体基板のへき開を起こして、ウェハ
９を分割する。このとき、２本目のスクライブ溝１２ｂ
は、１本目のスクライブキズ１２ａで起こったへき開の
方向の修正する役目を持つものである。１本目のスクラ
イブ溝１２ａでは複数箇所でへき開が起ころうとする
が、２本目のスクライブ溝１２ｂでへき開を１本化する
ので、それ以降は一へき開面でのみウェハ９が分割さ
れ、鏡面状の良好な発光端面が得られる。全てのへき開
分割がなされた後はウェハ９をシート１３から外し、発
光に寄与しない面をダイシング等の方法で分割してＬＥ
Ｄアレイチップが出来上がる。
【００１６】ここで本発明のＬＥＤアレイチップ１の発
光形状について述べる。本実施例では、半導体基板表面
から不純物拡散を行ってＰＮ接合を形成しているので、
発光端面方向から見たＰＮ接合面を線で表すと図５
（ａ）のライン１６の様になっている。これは絶縁膜２
をエッチングした拡散窓６から時間経過にともなって等
速度で半導体基板５内へ不純物が拡散していくためであ
る。また光はＰＮ接合面のライン１６で発生するもので
あるので、このチップを発光させると図５（ｂ）のごと
くなり、図５（ａ）のライン１６を中心に上下に広が
り、ウェハ９の表面が暗い凹字状１７になる。これで
は、感光媒体への書き込みに最適な発光形状とは言えな
い。ここで本実施例では、図５（ｃ）のように、拡散窓
幅を従来の半分以下の１０μｍ程度とし、また不純物拡
散の時間もごく短くして拡散の深さを１μｍ程度の半導
体基板の表層のみとすることにより、図５（ｄ）に示す
ように、ウェハ表面に非発光部分の無い逆台形または発
光形状１９のようなまとまった形状の発光となり、書き
込みに最適となる。
光形状について述べる。本実施例では、半導体基板表面
から不純物拡散を行ってＰＮ接合を形成しているので、
発光端面方向から見たＰＮ接合面を線で表すと図５
（ａ）のライン１６の様になっている。これは絶縁膜２
をエッチングした拡散窓６から時間経過にともなって等
速度で半導体基板５内へ不純物が拡散していくためであ
る。また光はＰＮ接合面のライン１６で発生するもので
あるので、このチップを発光させると図５（ｂ）のごと
くなり、図５（ａ）のライン１６を中心に上下に広が
り、ウェハ９の表面が暗い凹字状１７になる。これで
は、感光媒体への書き込みに最適な発光形状とは言えな
い。ここで本実施例では、図５（ｃ）のように、拡散窓
幅を従来の半分以下の１０μｍ程度とし、また不純物拡
散の時間もごく短くして拡散の深さを１μｍ程度の半導
体基板の表層のみとすることにより、図５（ｄ）に示す
ように、ウェハ表面に非発光部分の無い逆台形または発
光形状１９のようなまとまった形状の発光となり、書き
込みに最適となる。
【００１７】以上のように本発明では、プレーナ型での
端面発光を実現したので、簡便な方法で端面発光型のＬ
ＥＤアレイチップの製造が可能となった。また、ウェハ
表面の拡散窓を電極の一部で被覆したので、ウェハ表面
への余剰光の出力を防ぎ、良好な端面発光形状を保つこ
とが出来る。さらに、２本のスクライブ溝とへき開技術
を使っての発光端面加工を実現でき、良好な発光端面を
得られた。これにより、拡散窓を小型化し、かつ拡散を
ウェハ表層のみとしたので、コンパクトな配光特性の発
光ドットを得られることに成功した。
端面発光を実現したので、簡便な方法で端面発光型のＬ
ＥＤアレイチップの製造が可能となった。また、ウェハ
表面の拡散窓を電極の一部で被覆したので、ウェハ表面
への余剰光の出力を防ぎ、良好な端面発光形状を保つこ
とが出来る。さらに、２本のスクライブ溝とへき開技術
を使っての発光端面加工を実現でき、良好な発光端面を
得られた。これにより、拡散窓を小型化し、かつ拡散を
ウェハ表層のみとしたので、コンパクトな配光特性の発
光ドットを得られることに成功した。
【００１８】
【発明の効果】本発明によると、プレーナ型のモノリシ
ックＬＥＤアレイチップで端面発光型のＬＥＤアレイチ
ップを実現したので、簡便かつ短工程で製造でき、ま
た、コンパクトで印字に良好な発光端面を実現できる。
ックＬＥＤアレイチップで端面発光型のＬＥＤアレイチ
ップを実現したので、簡便かつ短工程で製造でき、ま
た、コンパクトで印字に良好な発光端面を実現できる。
【図１】（ａ）本発明の一実施例のＬＥＤアレイチップ
の斜視図 （ｂ）本発明の一実施例のＬＥＤアレイのウェハの斜視
図
の斜視図 （ｂ）本発明の一実施例のＬＥＤアレイのウェハの斜視
図
【図２】本発明の一実施例のＬＥＤアレイチップの製造
フローチャート
フローチャート
【図３】（ａ）本発明の一実施例のＬＥＤアレイチップ
の斜視断面図 （ｂ）本発明の一実施例のＬＥＤアレイチップの斜視断
面図
の斜視断面図 （ｂ）本発明の一実施例のＬＥＤアレイチップの斜視断
面図
【図４】（ａ）本発明の一実施例のＬＥＤアレイウェハ
のスクライブ加工図 （ｂ）本発明の一実施例のＬＥＤアレイウェハのへき開
加工図
のスクライブ加工図 （ｂ）本発明の一実施例のＬＥＤアレイウェハのへき開
加工図
【図５】（ａ）本発明のＬＥＤアレイチップのＰＮ接合
面の一例（ＰＮ接合面が深い場合）を示す説明図 （ｂ）図５（ａ）におけるＬＥＤアレイチップの発光形
状を示す説明図 （ｃ）本発明のＬＥＤアレイチップのＰＮ接合面の一例
（ＰＮ接合面が浅い場合）を示す説明図 （ｄ）図５（ｃ）におけるＬＥＤアレイチップの発光形
状を示す説明図
面の一例（ＰＮ接合面が深い場合）を示す説明図 （ｂ）図５（ａ）におけるＬＥＤアレイチップの発光形
状を示す説明図 （ｃ）本発明のＬＥＤアレイチップのＰＮ接合面の一例
（ＰＮ接合面が浅い場合）を示す説明図 （ｄ）図５（ｃ）におけるＬＥＤアレイチップの発光形
状を示す説明図
【図６】（ａ）従来のＬＥＤアレイチップの斜視図 （ｂ）図６（ａ）のＬＥＤアレイチップを使ったＬＥＤ
アレイヘッドを示す説明図
アレイヘッドを示す説明図
【図７】（ａ）従来のＬＥＤアレイチップの斜視図 （ｂ）図７（ａ）のＬＥＤアレイチップを使ったＬＥＤ
アレイヘッドを示す説明図
アレイヘッドを示す説明図
１ ＬＥＤアレイチップ ２ 絶縁膜 ３，３ａ，３ｂ Ｐ側電極 ５ 半導体基板 ６ 拡散窓 ７ へき開ストリート ８ 発光部 ９ ウェハ １２ａ，１２ｂ スクライブキズ １４ へき開治具 １５ 鋭利刃状物 １８ ＰＮ接合面 １９ 発光形状
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｌ 8617−4Ｍ Ｑ 8617−4Ｍ Ｕ 8617−4Ｍ (72)発明者 ▲真▼田 研一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上の絶縁膜に、所定形状の直
線状に並んだ複数の拡散窓を形成し、前記拡散窓から不
純物拡散を行ってＰＮ接合を形成し、前記拡散窓で、拡
散窓の並び方向と略平行に分割し、同分割した端面を発
光面となしたＬＥＤアレイチップ。 - 【請求項２】 複数の拡散窓を一列に並べ、前記拡散窓
を挟む位置に各２片の電極を設けて２チップで一列の拡
散窓を共有する構造とし、前記拡散窓の中央部を拡散窓
の並び方向と略平行に分割して２チップと成すことを特
徴とする請求項１記載のＬＥＤアレイチップの製造方
法。 - 【請求項３】 ウェハ端部に位置するチップの拡散窓の
中央部に、分割する方向と略平行に破線状のスクライブ
キズを引き、前記スクライブキズの略下部を鋭利刃状物
で突き上げ、ウェハをへき開分割する請求項２記載のＬ
ＥＤアレイチップの製造方法。 - 【請求項４】 発光端面側から所定幅の絶縁膜を除去し
たことを特徴とする請求項１記載のＬＥＤアレイチッ
プ。 - 【請求項５】 拡散窓前面に非透光性膜を被覆したこと
特徴とする請求項１記載のＬＥＤアレイチップ。 - 【請求項６】 不純物拡散を行う拡散窓幅が１５μｍ以
下かつ不純物拡散の深さが２μｍ以下であり、発光が半
導体基板表層で起こることを特徴とする請求項１記載の
ＬＥＤアレイチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10090193A JPH06310755A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Ｌｅｄアレイチップおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10090193A JPH06310755A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Ｌｅｄアレイチップおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310755A true JPH06310755A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14286254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10090193A Pending JPH06310755A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Ｌｅｄアレイチップおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310755A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0755084A2 (en) * | 1995-07-21 | 1997-01-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating an end face light emitting type light-emitting diode and a light-emitting diode array device |
| EP0779667A3 (en) * | 1995-12-14 | 1999-05-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End face light-emitting-type LED, end face light-emitting-type LED array and methods of manufacturing them |
| US6420734B1 (en) | 1998-01-30 | 2002-07-16 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light emitting diode and a method manufacturing the same |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP10090193A patent/JPH06310755A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0755084A2 (en) * | 1995-07-21 | 1997-01-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating an end face light emitting type light-emitting diode and a light-emitting diode array device |
| EP0755084A3 (en) * | 1995-07-21 | 1999-05-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of fabricating an end face light emitting type light-emitting diode and a light-emitting diode array device |
| EP0779667A3 (en) * | 1995-12-14 | 1999-05-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End face light-emitting-type LED, end face light-emitting-type LED array and methods of manufacturing them |
| US6420734B1 (en) | 1998-01-30 | 2002-07-16 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light emitting diode and a method manufacturing the same |
| US6596556B2 (en) | 1998-01-30 | 2003-07-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light emitting diode and a method for manufacturing the same |
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