TWI581455B - 發光裝置及發光裝置之製造方法 - Google Patents

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Description

發光裝置及發光裝置之製造方法
本發明係關於一種發光裝置，特別是有關於一種增進出光效率之發光裝置。
照明的手段隨著時代的演進，從以燃燒物品的方式做為光源的的火把、油燈及蠟燭等光源，演進成以通電方式發光的白熾燈泡、日光燈管、省電燈泡及發光二極體等光源。其中，發光二極體形之發光裝置由於體積小且耗電量低，故現在有許多相關業者投入相關領域的發展。
發光二極體之發光裝置中，可藉由對發光晶片之不同類型的半導體層通電，而令不同類型的半導體層之間的發光接面發出光線。發光接面發出的光線可朝向各方向照射，但使用者通常會從發光裝置的正面利用發光晶片所發出的光線。因此，在評論發光裝置的出光效率時，常會討論正面出光效率。發光接面於發光晶片的側面位置上也會發出光線，且有可能因為光線繞射或發光晶片的周圍環境，而使得此光線對發光裝置之正面出光效率具有某種程度上的貢獻。
然而，設置電性連接發光晶片且用以對發光晶片通電之電極時，電極會覆蓋發光晶片之側面，而導致發光晶片側面發光的部分範圍受到電極遮蔽，因此降低發光裝置之正面出光效率。
有鑑於以上的問題，本發明提出一種發光裝置及其製造方法，藉以增進發光裝置之出光效率。
本發明之一實施例提出一種發光裝置，包括基板、發光晶片、透光層、第一電極及第二電極。發光晶片包括第一半導體層及第二半導體層。第一半導體層設置於基板上。第二半導體層堆疊於第一半導體層上，且與第一半導體層之間形成一發光接面。透光層設置於基板上且圍繞並接觸發光晶片之側面。透光層之折射率介於發光晶片之折射率及真空之折射率之間。第一電極電性連接於第一半導體層。第二電極電性連接於第二半導體層。
本發明之另一實施例提出一種發光裝置，包括基板、發光晶片、第一電極及第二電極。發光晶片包括一第一半導體層及一第二半導體層。第一半導體層設置於基板上。第二半導體層堆疊於第一半導體層上，且與第一半導體層之間形成一發光接面。第一電極包括第一接觸部及第一延伸部。第一接觸部貫穿第二半導體層，電性連接於第一半導體層，且與第二半導體層在第一接觸部貫穿第二半導體層的位置電性絕緣。第一延伸部堆疊於第一接觸部上及第二半導體層上，且與第二半導體層在第一延伸部堆疊於第二半導體層的位置上電性絕緣。第二電極包括第二接觸部及第二延伸部。第二接觸部堆疊於第二半導體層上，電性連接於第二半導體層，且與第一電極電性絕緣。第二延伸部堆疊於第二接觸部上。
本發明之另一實施例提出一種發光裝置之製造方法，包括以下步驟。提供一基板。於基板上設置發光晶片。發光晶片包括第一半導體層及第二半導體層。第一半導體層設置於基板上，第二半導體層堆疊於第一半導體層上，且第二半導體層與第一半導體層之間形成一發光接面。於第二半導體層上形成一開孔，開孔貫穿第二半導體層且延伸至第一半導體層。於開孔之內壁形成一第一絕緣層。於開孔內形成一第一接觸部，第一接觸部電性連接於第一半導體層，且第一絕緣層電性絕緣第一接觸部及第二半導體層。於第二半導體層上形成一第二絕緣層。於第二半導體層上形成一第二接觸部，第二接觸部電性連接於第二半導體層。於第二絕緣層上形成一第一延伸部，第一接觸部電性連接於第一延伸部，且第二絕緣層電性絕緣第一延伸部及第二半導體層。於第二接觸部上形成一第二延伸部，第二延伸部電性連接於第二接觸部。其中，第一接觸部及第一延伸部形成一第一電極，第二接觸部及第二延伸部形成一第二電極。
根據本發明之實施例之發光裝置及其製造方法，能夠藉由電極的配置而避開發光晶片之側面，以增加發光晶片之側面之出光範圍，進而增加發光裝置之出光效率。另外，發光裝置也可藉由發光晶片之側面接觸折射率介於發光晶片及真空之間之透光層，而利用透光層之反射、折射、散射等方式將發光晶片之側面所發出之光線導向發光晶片之正面方向，以提升發光裝置之正面出光效率。
以上之關於本發明內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之實施例之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何本領域中具通常知識者了解本發明之實施例之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何本領域中具通常知識者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。
請參照圖1，繪示依照本發明之一實施例之發光裝置100之側視剖面示意圖。發光裝置100包括基板110、分隔牆體120、發光晶片150、透光層160、絕緣層170、第一電極180及第二電極190。
基板110包括多個驅動元件111。驅動元件111可為或包含薄膜電晶體（thin film transistor，TFT）。彼此相鄰的多個分隔牆體120設置於基板110上，且分別圍繞至少一個或多個驅動元件111。多個發光晶片150可經由未繪示之黏著層而設置於基板110上，且多個分隔牆體120分別圍繞多個發光晶片150。圖1中雖然例示一個分隔牆體120內可設置一個驅動元件111及一個發光晶片150，但不限於此。一個分隔牆體120內亦可設置一個驅動元件111及多個發光晶片150。多個發光晶片150可為發出相同顏色光線之發光晶片150，也可為發出不同顏色光線之發光晶片150。
發光晶片150包括第一半導體層151及第二半導體層152。第一半導體層151設置於基板110上。第二半導體層152堆疊於第一半導體層151上，且與第一半導體層151之間形成一發光接面153。第一半導體層151與第二半導體層152由相異類型的半導體材料製成。例如，第一半導體層151可為N型半導體且第二半導體層152可為P型半導體，或者第一半導體層151可為P型半導體且第二半導體層152可為N型半導體。另外，關於發光晶片150之形成，可藉由對半導體材料摻雜不同類型的摻雜物，而於半導體材料中分別形成第一半導體層151及第二半導體層152，再切割此經摻雜之半導體材料。發光晶片150的其中一側面150a可具有一缺口150b，以露出部分第一半導體層151。
絕緣層170局部覆蓋發光晶片150，以露出位於缺口150b之部分第一半導體層151且露出部分第二半導體層152。絕緣層170可用另外附加透明絕緣材料之方式形成。此外，絕緣層170亦可為對身為發光晶片150之半導體材料進行鈍化（passivation）而形成。絕緣層170之材料可為氧化矽（SiO 2）、氮化矽（SiN x）、氧化鋯（ZrO x）、氧化鋁（Al 2O 3）或其組合。
第一電極180包括第一接觸部181及第一延伸部182。第一接觸部181設置於絕緣層170所露出之第一半導體層151上，且電性連接於第一半導體層151。第一延伸部182電性連接於第一接觸部181，並自第一接觸部181經過發光晶片150之側面150a及基板110，而延伸至分隔牆體120之頂端。第一接觸部181可由透明導電材料製成，且可選擇與第一半導體層151之間的歐姆接觸（ohmic contact）良好之材料。舉例而言，第一接觸部181之材料可為鈦鋁鈦金合金（Ti/Al/Ti/Au）、鋁（Al）、金（Au）、鈦（Ti）、銦（In）、鎢（W）、銀（Ag）、銦錫合金（InSn）、氮化鈦（TiN）、釹鋁合金（Nd/Al）、鈀鋁合金（Pd/Al）、鉭鋁合金（Ta/Al）、鈦鋁合金（Ti/Al）、鈦金合金（Ti/Au）、金鍺鎳合金（Au/Ge/Ni）、鉻鎳金合金（Cr/Ni/Au）、鈦鈀金合金（Ti/Pd/Au）、鈦鉑金合金（Ti/Pt/Au）、鈦鋁鎳金合金（Ti/Al/Ni/Au）或其組合。第一延伸部182可由高導電材料製成。舉例而言，第一沿伸部182之材料可為銀、金、銅（Cu）、氧化銦錫（ITO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）、鎳金合金（Ni/Au）或其組合。第一電極180藉由絕緣層170而與第二半導體層152電性絕緣。
第二電極190包括第二接觸部191及第二延伸部192。第二接觸部191設置於絕緣層170所露出之第二半導體層152上，且電性連接於第二半導體層152。第二延伸部192電性連接於第二接觸部191，並自第二接觸部191經過覆蓋發光晶片150之側面150a之絕緣層170，而延伸至基板110，且電性連接於基板110之驅動元件111。第二接觸部191可由透明導電材料製成，且可選擇與第二半導體層152之間的歐姆接觸良好之材料。第二延伸部192可由高導電材料製成。第二電極190藉由絕緣層170而與第一半導體層151電性絕緣。
透光層160設置於基板110上，且位於發光晶片150及分隔牆體120之間。圖1中雖顯示透光層160接觸位於發光晶片150之部分絕緣層170、位於發光晶片150之部分第一電極180及位於發光晶片150之部分第二電極190，但透光層160還可圍繞並接觸絕緣層170露出之發光晶片150之側面150a。其中，部分第一電極180位於發光晶片150之側面150a及透光層160之間，部分第一電極180位於基板110及透光層160之間，且部分第一電極180位於分隔牆體120及透光層160之間。部分第二電極190位於絕緣層170及透光層160之間，且部分第二電極180位於基板110及透光層160之間。再者，透光層160之折射率介於發光晶片150之折射率及真空之折射率之間。透光層160可藉由反射、折射、散射等方式，將發光晶片150所發出之側向光線導向發光晶片150之正面方向，以提升發光裝置100之正面出光效率。
舉例而言，透光層160之材料可為環氧樹脂（epoxy resin）材料或矽膠（silicon）材料。第二半導體層152之材料例如為氮化鎵（GaN），其折射率為2.5。真空之折射率為1，空氣之折射率趨近於1。環氧樹脂之折射率約為1.58。若未設置透光層160，則氮化鎵及空氣之間的全反射臨界角約為23.57°。因此，從發光接面153產生而經過氮化鎵之光線中，超過23.57°之光線會被全反射回第二半導體層152內。若設置了透光層160，則氮化鎵及環氧樹脂之間的全反射臨界角擴大約為42.84°，故23.57°～42.84°範圍內的光線可離開發光晶片150，而提升發光裝置100之正面出光效率。
於本實施例中，第一電極180可電性連接共同電壓源（Vss）及第一半導體層151，第二電極190可電性連接驅動元件111如電晶體之汲極及第二半導體層152。藉由驅動元件111之控制對第一半導體層151及第二半導體層152施加偏壓，以令發光接面153發出光線。或者藉由驅動元件111之控制對第一半導體層151及第二半導體層152提供電流，以令發光接面153發出光線。
於本實施例中，正面出光效率為正面收光強度與全面出光強度的比值。其中，全面出光強度表示發光晶片150於所有方向上發出光線的強度總和，正面收光強度表示於發光晶片150之正面方向收到光線的強度總和。相較於本實施例，若是未設置透光層160，則發光裝置之正面出光效率為約11.3%。本實施例之發光裝置100藉由設置了透光層160，其正面出光效率可提升至約20%。
請參照圖2，繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置200之側視剖面示意圖。發光裝置200包括基板210、分隔牆體220、發光晶片250、透光層260、第一電極280及第二電極290。本實施例中之元件與圖1之發光裝置100中相似或相同的部分，將以相似之符號標示，且於此將省略部分重覆的說明而不加以贅述。
基板210包括多個驅動元件211。彼此相連的多個分隔牆體220設置於基板210上，且分別圍繞多個驅動元件211。第一電極280包括第一接觸部281及第一延伸部282。第一延伸部282設置於基板210上，且電性連接於驅動元件211。第一接觸部281設置於第一延伸部282上，發光晶片250經由第一電極280之第一接觸部281及第一延伸部282而設置於基板210上。多個分隔牆體220分別圍繞多個發光晶片250。圖2中雖然例示一個分隔牆體220內可設置一個驅動元件211及一個發光晶片250，但不限於此。一個分隔牆體220內亦可設置一個驅動元件211及多個發光晶片250。第一電極280可由高導電材料製成。
發光晶片250包括第一半導體層251及第二半導體層252。第一半導體層251設置於第一接觸部281上且電性連接於第一電極280，且進一步電性連接於驅動元件211。第二半導體層252堆疊於第一半導體層251上，且與第一半導體層251之間形成一發光接面253。本實施例之發光晶片250可不具有缺口。第一半導體層251之材料可例如為p型氮化鎵（p-GaN）、p型砷化鎵（p-GaAs）、p型磷化銦（p-InP）或其組合。第二半導體層252之材料可例如為n型氮化鎵（n-GaN）、n型砷化鎵（n-GaAs）、n型磷化銦（n-InP）或其組合。
透光層260設置於基板210上，且位於發光晶片250及分隔牆體220之間，且接觸發光晶片250之側面250a。其中，部分第一電極280位於分隔牆體220及透光層260之間，部分第一電極280位於基板210及透光層260之間。透光層260之折射率介於發光晶片250之折射率及真空之折射率之間。透光層260可藉由反射、折射、散射等方式，將發光晶片250所發出之側向光線導向發光晶片250之正面方向，以提升發光裝置200之正面出光效率。
第二電極290堆疊於第二半導體層252上及透光層260上，且延伸至分隔牆體220上。第二電極290電性連接於第二半導體層252。透光層260阻隔發光晶片250之側面250a與第二電極290。
於本實施例中，第一電極280可電性連接驅動元件211及第一半導體層251，第二電極290可電性連接共同電壓源及第二半導體層252。藉由驅動元件211之控制對第一半導體層251及第二半導體層252施加偏壓，以令發光接面253發出光線。或者藉由驅動元件211之控制對第一半導體層251及第二半導體層252提供電流，以令發光接面253發出光線。
於本實施例中，發光裝置200藉由透光層260阻隔第二電極290與發光晶片250之側面250a，以避免第二電極290緊貼側面250a而遮蔽從側面250a所發出的光線。發光裝置200還藉由透光層260之反射、折射、散射，而可將發光晶片250所發出之側向光線導向發光晶片250之正面方向，以提升發光裝置200之正面出光效率。本實施例之發光裝置200之正面出光效率可提升至約20%。
請參照圖3A及圖3B，圖3A繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置300之一型態之俯視示意圖，圖3B繪示圖3A之發光裝置300之一型態之側視剖面示意圖。發光裝置300包括基板310、絕緣層312、分隔牆體320、黏著層330、驅動電極340、發光晶片350、透光層360、絕緣層370、第一電極380及第二電極390。本實施例中之元件與圖1之發光裝置100中相似或相同的部分，將以相似之符號標示，且於此將省略部分重覆的說明而不加以贅述。
基板310包括多個驅動元件311。絕緣層312設置於基板310上且具有多個開口312a，多個分隔牆體320設置於絕緣層312上，且分別圍繞多個驅動元件311。圖3A中，一個分隔牆體320圍繞一個驅動元件311。黏著層330及驅動電極340設置於絕緣層312上，且驅動電極340一端經由開口312a貫穿絕緣層312以與驅動元件311電性連接。驅動電極340另一端延伸至分隔牆體320之頂端。多個發光晶片350可經由黏著層330而設置於絕緣層312上，且多個分隔牆體320分別圍繞多個發光晶片350。圖3A中雖然例示一個分隔牆體320內可設置二個發光晶片350，但不限於此。一個分隔牆體320內亦可設置一個或大於二個的發光晶片350。
發光晶片350包括第一半導體層351及第二半導體層352。第一半導體層351設置於黏著層330上。第二半導體層352堆疊於第一半導體層351上，且與第一半導體層351之間形成一發光接面353。發光晶片350具有一開孔350b。開孔350b貫穿第二半導體層352且延伸至第一半導體層351。
透光層360設置於基板310上，且位於發光晶片350及分隔牆體320之間。透光層360可圍繞並接觸發光晶片350之側面350a。透光層360之折射率介於發光晶片350之折射率及真空之折射率之間。透光層360可藉由反射、折射、散射等方式，將發光晶片350所發出之側向光線導向發光晶片350之正面方向，以提升發光裝置300之正面出光效率。
絕緣層370包括彼此相連之第一絕緣層371及第二絕緣層372。第一絕緣層371設置於開孔350b之內壁，第二絕緣層372設置於第二半導體層352上。
第一電極380包括第一接觸部381及第一延伸部382。第一接觸部381設置於開孔350b內，且第一接觸部381貫穿第一絕緣層371以電性連接於第一半導體層351。第一接觸部381藉由第一絕緣層371電性絕緣於第二半導體層352。第一延伸部382堆疊於第一接觸部381上及第二絕緣層372上，且藉由第二絕緣層372電性絕緣於第二半導體層352。第一延伸部382自第一接觸部381延伸經過發光晶片350之側面350a之上緣之上方，延伸經過透光層360上，再延伸至分隔牆體320上。第一延伸部382延伸經過發光晶片350之側面350a之上緣之上方，代表第一延伸部382可懸置於發光晶片350之側面350a之上方，而可不直接與發光晶片350之側面350a接觸。透光層360阻隔發光晶片350之側面350a與第一電極380。第一電極380與發光晶片350之側面350a分開而未貼合或未完全貼合。
第二電極390包括第二接觸部391及第二延伸部392。第二接觸部391設置於貫穿第二絕緣層372之開口372a內，且實質鋪設於第二半導體層352之未被第二絕緣層372覆蓋的整體表面。第二接觸部391鋪設於第二半導體層352之面積愈大，則愈可降低二者間的阻抗，且愈能夠避免後續電性連接時發生錯誤電性連接的問題。第二接觸部391避開第一延伸部382及第一接觸部381。藉此，第二接觸部391堆疊於第二半導體層352上，電性連接於第二半導體層352，且與第一電極380電性絕緣。第一延伸部382位於第二半導體層352上之面積小於第二接觸部391位於第二半導體層352上之面積。第二延伸部392堆疊於第二接觸部391上且電性連接於第二接觸部391。第二延伸部392自第二接觸部391延伸經過發光晶片350之側面350a之上緣之上方，延伸經過透光層360上，再延伸至分隔牆體320之頂端，與驅動電極340電性連接，並進一步電性連接於驅動元件311。第二延伸部392延伸經過發光晶片350之側面350a之上緣之上方，代表第二延伸部392可懸置於發光晶片350之側面350a之上方，而可不直接與發光晶片350之側面350a接觸。透光層360阻隔發光晶片350之側面350a與第二電極390。第二電極390與發光晶片350之側面350a分開而未貼合或未完全貼合。
另外，由於第二接觸部391位於第二半導體層352上之面積較大，故第二延伸部392相對於第二接觸部391有較高的容錯率，而可避免電性連接錯誤問題。
於本實施例中，第一電極380可電性連接共同電壓源及第一半導體層351，第二電極390可電性連接驅動元件311及第二半導體層351。藉由驅動元件311之控制對第一半導體層351及第二半導體層352施加偏壓，以令發光接面353發出光線。或者藉由驅動元件311之控制對第一半導體層351及第二半導體層352提供電流，以令發光接面353發出光線。
於本實施例中，發光裝置300藉由透光層360阻隔第一電極380與發光晶片350之側面350a，且阻隔第二電極390與發光晶片350之側面350a，以避免第一電極380及第二電極390緊貼側面350a而遮蔽從側面350a所發出的光線。發光裝置300還藉由透光層360之反射、折射、散射，而可將發光晶片350所發出之側向光線導向發光晶片350之正面方向，以提升發光裝置300之正面出光效率。本實施例之發光裝置300之正面出光效率可提升至約36.2%。
請參照圖4A至圖4R，圖4A、圖4C、圖4E、圖4G、圖4I、圖4K、圖4M、圖4O及圖4Q繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置300之另一型態之製造流程俯視示意圖，圖4B、圖4D、圖4F、圖4H、圖4J、圖4L、圖4N、圖4P及圖4R分別繪示其側視剖面示意圖。為了簡化說明，圖4A至圖4R中之發光裝置300之型態為一個分隔牆體320設置一個發光晶片350及一個驅動元件311的型態，而本發明並非限定於此，分隔牆體320、發光晶片350及驅動元件311的數量可依需求調整。圖4B、圖4D、圖4F、圖4H、圖4J、圖4L、圖4N、圖4P及圖4R分別依照前圖中所繪剖面線繪示其側視剖面示意圖，如驅動緣件311等以虛線繪示的部分雖未經過剖面線，但仍一併繪示以方便說明。
如圖4A及圖4B所示，提供包括驅動元件311之基板310。
如圖4C及圖4D所示，於基板310上設置絕緣層312，且絕緣層312對應於驅動元件311形成多個開口312a。開口312a可利用蝕刻方式形成。分隔牆體320設置於絕緣層312上，且圍繞驅動元件311。
如圖4E及圖4F所示，於絕緣層312上設置黏著層330及驅動電極340。驅動電極340一端經由開口312a貫穿絕緣層312以與驅動元件311電性連接。驅動電極340另一端延伸至分隔牆體320之頂端。於絕緣層312未設置驅動電極340的部分設置黏著層330。黏著層330可延伸至分隔牆體320。
如圖4G及圖4H所示，藉由黏著層330而於絕緣層312上設置發光晶片350。發光晶片350包括第一半導體層351及第二半導體層352。第一半導體層351設置於黏著層330上。第二半導體層352堆疊於第一半導體層351上，且與第一半導體層351之間形成一發光接面353。
如圖4I及圖4J所示，於基板310上設置透光層360，且透光層360位於發光晶片350及分隔牆體320之間。透光層360可圍繞並接觸發光晶片350之側面350a。透光層360之折射率介於發光晶片350之折射率及真空之折射率之間。
如圖4K及圖4L所示，於發光晶片350之第二半導體層352之中央附近向下形成一開孔350b。開孔350b貫穿第二半導體層352及發光接面353且延伸至第一半導體層351。開孔350b可利用蝕刻方式形成。
如圖4M及圖4N所示，於發光晶片350上形成絕緣層370。絕緣層370包括彼此相連之第一絕緣層371及第二絕緣層372。第一絕緣層371設置於開孔350b之內壁，第二絕緣層372設置於第二半導體層352上。第二絕緣層372自第一絕緣層371延伸至發光晶片350之側面350a之上緣。第一絕緣層371及第二絕緣層372的形成順序沒有限定，亦可同時。絕緣層370可利用塗布、沉積或鈍化等方式形成。
如圖4O及圖4P所示，於開孔350b內設置第一接觸部381，且於貫穿第二絕緣層372之開口372a內設置第二接觸部391。其中，第一接觸部381經由貫穿第一絕緣層371之開口371a電性連接至第一半導體層351。第一接觸部381藉由第一絕緣層371電性絕緣於第二半導體層352。第二接觸部391經由貫穿第二絕緣層372之開口372a而實質鋪設於第二半導體層352之未被第二絕緣層372覆蓋的整體表面且電性連接至第二半導體層352。第二接觸部391鋪設於第二半導體層352之面積愈大，則愈可降低二者間的阻抗，且愈可提升後續電性連接之容錯率。第二接觸部391避開第一接觸部381，且與第一接觸部381電性絕緣。第一接觸部381及第二接觸部391的形成順序沒有限定，亦可同時。第一接觸部381及第二接觸部391可利用濺鍍、電鍍或沉積等方式形成。
如圖4Q及圖4R所示，於第一接觸部381上及第二絕緣層372上形成第一延伸部382，於第二接觸部391上形成第二延伸部392。其中，第一延伸部382電性連接於第一接觸部381，且第二絕緣層372電性絕緣第一延伸部382及第二半導體層352。第一延伸部382自第一接觸部381延伸經過發光晶片350之側面350a之上緣之上方，延伸經過透光層360上，再延伸至分隔牆體320上。第一延伸部382位於第二半導體層352上之面積小於第二接觸部391位於第二半導體層352上之面積。第一接觸部381及第一延伸部382形成第一電極380。第二延伸部392電性連接於第二接觸部391。第二延伸部392自第二接觸部391延伸經過發光晶片350之側面350a之上緣之上方，延伸經過透光層360上，再延伸至分隔牆體320之頂端，與驅動電極340電性連接，並進一步電性連接於驅動元件311。第二接觸部391及第二延伸部392形成第二電極390。第一延伸部382及第二延伸部392可利用濺鍍、電鍍或沉積等方式形成。
請參照圖5，繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置301之側視剖面示意圖。發光裝置301與圖3B之發光裝置300相似。差別在於發光裝置301中，第一電極380電性連接發光晶片350之第一半導體層351及驅動電極340，進而電性連接第一半導體層351及驅動元件311。而第二電極390則電性連接發光晶片350之第二半導體層352及共同電壓源。因此可依需求調整發光晶片350電性連接至驅動元件411或共同電壓源之相對關係。
請參照圖6，繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置302之俯視示意圖。發光裝置302與圖3A之發光裝置300相似。差別在於發光裝置302中，由於第二接觸部391位於發光晶片350上之面積大於第一延伸部382位於發光晶片350上之面積，故第二電極390中可包括多個第二延伸部392電性連接於第二接觸部391。
請參照圖7A及圖7B，圖7A繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置400之一型態之俯視示意圖，圖7B繪示圖7A之發光裝置400之一型態之側視剖面示意圖。發光裝置400包括基板410、絕緣層412、分隔牆體420、黏著層430、驅動電極440、發光晶片450、透光層460、絕緣層470、第一電極480及第二電極490。本實施例中之元件與圖1之發光裝置100中相似或相同的部分，將以相似之符號標示，且於此將省略部分重覆的說明而不加以贅述。
基板410包括多個驅動元件411。絕緣層412設置於基板410上且具有多個開口412a，多個分隔牆體420設置於絕緣層412上，且分別圍繞多個驅動元件411。圖7A中，一個分隔牆體420圍繞一個驅動元件411。黏著層430及驅動電極440設置於絕緣層412上，且驅動電極440一端經由開口412a貫穿絕緣層412以與驅動元件411電性連接。驅動電極440另一端延伸至分隔牆體420之頂端。多個發光晶片450可經由黏著層430而設置於絕緣層412上，且多個分隔牆體420分別圍繞多個發光晶片450。圖7A中雖然例示一個分隔牆體420內可設置二個發光晶片450，但不限於此。一個分隔牆體420內亦可設置一個或大於二個的發光晶片450。
發光晶片450包括第一半導體層451及第二半導體層452。第一半導體層451設置於黏著層430上。第二半導體層452堆疊於第一半導體層451上，且與第一半導體層451之間形成一發光接面453。發光晶片450具有一開孔450b。開孔450b貫穿第二半導體層452且延伸至第一半導體層451。
透光層460設置於基板410上，且位於發光晶片450及分隔牆體420之間。透光層460可圍繞並接觸發光晶片450之側面450a。透光層460之折射率介於發光晶片450之折射率及真空之折射率之間。透光層460可藉由反射、折射、散射等方式，將發光晶片450所發出之側向光線導向發光晶片450之正面方向，以提升發光裝置400之正面出光效率。
第二電極490包括第二接觸部491及第二延伸部492。第二接觸部491鋪設於第二半導體層452之實質之整體表面且電性連接於第二半導體層452。第二接觸部491鋪設於第二半導體層452之面積愈大，則愈可降低二者間的阻抗。第二接觸部491避開開孔450b。絕緣層470包括彼此相連之第一絕緣層471及第二絕緣層472。第一絕緣層471設置於開孔450b之內壁。第二絕緣層472鋪設於第二接觸部491上。
第一電極480包括第一接觸部481及第一延伸部482。第一接觸部481之一部分設置於開孔450b內，且第一接觸部481之另一部分設置於部分第二絕緣層472上。第一接觸部481設置於第二絕緣層472上之範圍約略為第二絕緣層472之一半。第一接觸部481貫穿第一絕緣層471以電性連接於第一半導體層451。第一接觸部481藉由第一絕緣層471電性絕緣於第二半導體層452，且藉由第二絕緣層472電性絕緣於第二接觸部491。第二絕緣層472之約略另一半則開設有開口472a而露出第二接觸部491。第一接觸部481位於第二半導體層452上之面積與第二接觸部491露出於開口472a之面積相近。
第一延伸部482堆疊於第一接觸部481上且電性連接於第一接觸部481。第一延伸部482自第一接觸部481延伸經過發光晶片450之側面450a之上緣之上方，延伸經過透光層460上，再延伸至分隔牆體420上。第一延伸部482延伸經過發光晶片450之側面450a之上緣之上方，代表第一延伸部482可懸置於發光晶片450之側面450a之上方，而可不直接與發光晶片450之側面450a接觸。透光層460阻隔發光晶片450之側面450a與第一電極480。第一電極480與發光晶片450之側面450a分開而未貼合或未完全貼合。第一接觸部481之外露面積夠大，故可供多個第一延伸部482電性連接至第一接觸部481。
第二延伸部492堆疊於第二接觸部491上且電性連接於第二接觸部491。第二延伸部492自第二接觸部491延伸經過發光晶片450之側面450a之上緣之上方，延伸經過透光層460上，再延伸至分隔牆體420之頂端，與驅動電極440電性連接，並進一步電性連接於驅動元件411。第二延伸部492延伸經過發光晶片450之側面450a之上緣之上方，代表第二延伸部492可懸置於發光晶片450之側面450a之上方，而可不直接與發光晶片450之側面450a接觸。透光層460阻隔發光晶片450之側面450a與第二電極490。第二電極490與發光晶片450之側面450a分開而未貼合或未完全貼合。第二接觸部491之外露面積夠大，故可供多個第二延伸部492電性連接至第二接觸部491。
另外，由於第一接觸部481及第二接觸部491之外露面積皆夠大，故第一延伸部482相對於第一接觸部481以及第二延伸部492相對於第二接觸部491皆有較高的容錯率，而可避免電性連接錯誤問題。
於本實施例中，第一電極480可電性連接共同電壓源及第一半導體層451，第二電極490可電性連接驅動元件411及第二半導體層451。藉由驅動元件411之控制對第一半導體層451及第二半導體層452施加偏壓，以令發光接面453發出光線。或者藉由驅動元件411之控制對第一半導體層451及第二半導體層452提供電流，以令發光接面453發出光線。
於本實施例中，發光裝置400藉由透光層460阻隔第一電極480與發光晶片450之側面450a，且阻隔第二電極490與發光晶片450之側面450a，以避免第一電極480及第二電極490緊貼側面450a而遮蔽從側面450a所發出的光線。發光裝置400還藉由透光層460之反射、折射、散射，而可將發光晶片450所發出之側向光線導向發光晶片450之正面方向，以提升發光裝置400之正面出光效率。本實施例之發光裝置400之正面出光效率可提升至約36.2%。
請參照圖8A至圖8T，圖8A、圖8C、圖8E、圖8G、圖8I、圖8K、圖8M、圖8O、圖8Q、圖8S繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置400之另一型態之製造流程俯視示意圖，圖8B、圖8D、圖8F、圖8H、圖8J、圖8L、圖8N、圖8P、圖8R、圖8T分別繪示其側視剖面示意圖。為了簡化說明，圖8A至圖8T中之發光裝置400之型態為一個分隔牆體420設置一個發光晶片450及一個驅動元件411的型態，而本發明並非限定於此，分隔牆體420、發光晶片450及驅動元件411的數量可依需求調整。
圖8A至圖8J之製造流程與圖4A至圖4J之製造流程相似。如圖8A及8B所示，提供包括驅動元件411之基板410。如圖8C及圖8D所示，於基板410上設置絕緣層412，且絕緣層412對應於驅動元件411形成多個開口412a。分隔牆體420設置於絕緣層412上，且圍繞驅動元件411。如圖8E及圖8F所示，於絕緣層412上設置黏著層430及驅動電極440。驅動電極440一端經由開口412a貫穿絕緣層412以與驅動元件411電性連接。驅動電極440另一端延伸至分隔牆體420之頂端。如圖4G及圖4H所示，藉由黏著層430而於絕緣層412上設置發光晶片450。發光晶片450包括第一半導體層4351及第二半導體層452，且二者之間形成一發光接面453。如圖4I及圖4J所示，於基板410上設置透光層460，且透光層460位於發光晶片450及分隔牆體420之間。透光層460可圍繞並接觸發光晶片450之側面450a。透光層460可以透過例如填充、塗布的方式形成。
接下來，如圖8K及圖8L所示，於第二半導體層452上鋪設第二接觸部491。
如圖8M及圖8N所示，於第二接觸部491之中央附近向下形成一開孔450b。開孔450b貫穿第二接觸部491、第二半導體層452及發光接面453且延伸至第一半導體層451。
如圖8O及圖8P所示，於發光晶片450上形成絕緣層470。絕緣層470包括彼此相連之第一絕緣層471及第二絕緣層472。第一絕緣層471設置於開孔450b之內壁，第二絕緣層472設置於第二接觸部491上。第二絕緣層472自第一絕緣層471延伸至發光晶片450之側面450a之上緣。第一絕緣層471及第二絕緣層472的形成順序沒有限定，亦可同時。絕緣層470可利用塗布、沉積或鈍化等方式形成。
如圖8Q及圖8R所示，於開孔450b內及部分第二絕緣層472上設置第一接觸部481。第一接觸部481設置於第二絕緣層472上之範圍約略為第二絕緣層472之一半。第一接觸部481經由貫穿第一絕緣層471之開口471a電性連接至第一半導體層451。第一接觸部481藉由第一絕緣層471電性絕緣於第二半導體層452，且在發光晶片450上藉由第二絕緣層472電性絕緣於第二接觸部491。第二絕緣層472之約略另一半則開設有開口472a而露出第二接觸部491。第一接觸部481位於第二半導體層452上之面積與第二接觸部491露出於開口472a之面積相近。第一接觸部481及第二接觸部491可利用濺鍍、電鍍或沉積等方式形成。
如圖8S及圖8T所示，於第一接觸部481上形成多個第一延伸部482，於第二接觸部491上形成多個第二延伸部492。其中，第一延伸部482電性連接於第一接觸部481。第一延伸部482自第一接觸部481延伸經過發光晶片450之側面450a之上緣之上方，延伸經過透光層460上，再延伸至分隔牆體420上。第一接觸部481及第一延伸部482形成第一電極480。第二延伸部492電性連接於第二接觸部491。第二延伸部492自第二接觸部491延伸經過發光晶片450之側面450a之上緣之上方，延伸經過透光層460上，再延伸至分隔牆體420之頂端，與驅動電極440電性連接，並進一步電性連接於驅動元件411。第二接觸部491及第二延伸部492形成第二電極490。第一延伸部482及第二延伸部492可利用濺鍍、電鍍或沉積等方式形成。
請參照圖9，繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置401之側視剖面示意圖。發光裝置401與圖7B之發光裝置400相似。差別在於發光裝置401中，第一電極480電性連接發光晶片450之第一半導體層451及驅動電極440，進而電性連接第一半導體層451及驅動元件411。而第二電極490則電性連接發光晶片450之第二半導體層152及共同電壓源。因此可依需求調整發光晶片450電性連接至驅動元件411或共同電壓源之相對關係。
綜上所述，本發明之實施例之發光裝置及其製造方法，能夠藉由電極的配置而避開發光晶片之側面，以增加發光晶片之側面之出光範圍，進而增加發光裝置之出光效率。另外，發光裝置也可藉由發光晶片之側面接觸折射率介於發光晶片及真空之間之透光層，而利用透光層之反射、折射、散射等方式將發光晶片之側面所發出之光線導向發光晶片之正面方向，以提升發光裝置之正面出光效率。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
100、200、300、301、302、400、401‧‧‧發光裝置
110、210、310、410‧‧‧基板
111、211、311、411‧‧‧驅動元件
120、220、320、420‧‧‧分隔牆體
150、250、350、450‧‧‧發光晶片
150a、250a、350a、450a‧‧‧側面
150b‧‧‧缺口
151、251、351、451‧‧‧第一半導體層
152、252、352、452‧‧‧第二半導體層
153、253、353、453‧‧‧發光接面
160、260、360、460‧‧‧透光層
170、370、470‧‧‧絕緣層
180、280、380、480‧‧‧第一電極
181、281、381、481‧‧‧第一接觸部
182、282、382、482‧‧‧第一延伸部
190、290、390、490‧‧‧第二電極
191、391、491‧‧‧第二接觸部
192、392、492‧‧‧第二延伸部
312、412‧‧‧絕緣層
330、430‧‧‧黏著層
340、440‧‧‧驅動電極
350b、450b‧‧‧開孔
371、471‧‧‧第一絕緣層
372、472‧‧‧第二絕緣層
371a、372a、471a、472a‧‧‧開口
圖1繪示依照本發明之一實施例之發光裝置之側視剖面示意圖。 圖2，繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置之側視剖面示意圖。 圖3A繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置之一型態之俯視示意圖。 圖3B繪示圖3A之發光裝置之一型態之側視剖面示意圖。 圖4A、圖4C、圖4E、圖4G、圖4I、圖4K、圖4M、圖4O及圖4Q繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置之另一型態之製造流程俯視示意圖。 圖4B、圖4D、圖4F、圖4H、圖4J、圖4L、圖4N、圖4P及圖4R分別繪示圖4A、圖4C、圖4E、圖4G、圖4I、圖4K、圖4M、圖4O及圖4Q之發光裝置之側視剖面示意圖。 圖5繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置之側視剖面示意圖。 圖6繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置之俯視示意圖。 圖7A繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置之一型態之俯視示意圖。 圖7B繪示圖7A之發光裝置之一型態之側視剖面示意圖。 圖8A、圖8C、圖8E、圖8G、圖8I、圖8K、圖8M、圖8O、圖8Q、圖8S繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置之另一型態之製造流程俯視示意圖。 圖8B、圖8D、圖8F、圖8H、圖8J、圖8L、圖8N、圖8P、圖8R、圖8T分別繪示圖8A、圖8C、圖8E、圖8G、圖8I、圖8K、圖8M、圖8O、圖8Q、圖8S之發光裝置之側視剖面示意圖。 圖9繪示依照本發明之另一實施例之發光裝置之側視剖面示意圖。
100‧‧‧發光裝置
110‧‧‧基板
111‧‧‧驅動元件
120‧‧‧分隔牆體
150‧‧‧發光晶片
150a‧‧‧側面
150b‧‧‧缺口
151‧‧‧第一半導體層
152‧‧‧第二半導體層
153‧‧‧發光接面
160‧‧‧透光層
170‧‧‧絕緣層
180‧‧‧第一電極
181‧‧‧第一接觸部
182‧‧‧第一延伸部
190‧‧‧第二電極
191‧‧‧第二接觸部
192‧‧‧第二延伸部

Claims (20)

  1. 一種發光裝置，包括：一基板；一發光晶片，包括：一第一半導體層，設置於該基板上；以及一第二半導體層，堆疊於該第一半導體層上，且與該第一半導體層之間形成一發光接面；一透光層，設置於該基板上且圍繞並接觸該發光晶片之側面，該透光層之折射率介於該發光晶片之折射率及真空之折射率之間；一第一電極，電性連接於該第一半導體層；一第二電極，電性連接於該第二半導體層；以及一分隔牆體，圍繞該發光晶片，且該第一電極或該第二電極自該發光晶片延伸至該分隔牆體上。
  2. 如請求項1所述之發光裝置，其中該基板包括一驅動元件，該第二電極自該第二半導體層之表面沿該發光晶片之側面及該透光層之間延伸至該基板，該第二電極電性連接該第二半導體層及該驅動元件，且該第二電極在該第二半導體層之表面上與該第一半導體層電性絕緣。
  3. 如請求項1所述之發光裝置，其中該基板包括一驅動元件，該第一電極設置於該第一半導體層及該基板之間且延伸至該驅動元件，該第一電極電性連接該第一半導體層及該驅動元件。
  4. 如請求項1所述之發光裝置，其中該第二電極堆疊於該第二半導體層上及該透光層上，且該透光層阻隔該發光晶片之側面與該第二電極。
  5. 如請求項1所述之發光裝置，其中該透光層位於該發光晶片及該分隔牆體之間，該第一電極自該第一半導體層之表面沿該發光晶片之側面及該透光層之間延伸至該基板，且再延伸至該分隔牆體上，該第一電極與該第二半導體層於該發光晶片之側面電性絕緣。
  6. 如請求項1所述之發光裝置，其中該透光層位於該發光晶片及該分隔牆體之間，該第二電極堆疊於該第二半導體層上及該透光層上，且延伸至該分隔牆體上。
  7. 一種發光裝置，包括：一基板；一發光晶片，包括：一第一半導體層，設置於該基板上；以及一第二半導體層，堆疊於該第一半導體層上，且與該第一半導體層之間形成一發光接面；一第一電極，包括一第一接觸部及一第一延伸部，該第一接觸部貫穿該第二半導體層，電性連接於該第一半導體層，且與該第二半導體層在該第一接觸部貫穿該第二半導體層的位置電性絕緣，該第一延伸部堆疊於該第一接觸部上及該第二半導體層上，且與該第二半導體層在該第一延伸部堆疊於該第二半導體層的位置上電性絕緣； 一第二電極，包括一第二接觸部及一第二延伸部，該第二接觸部堆疊於該第二半導體層上，電性連接於該第二半導體層，且與該第一電極電性絕緣，該第二延伸部堆疊於該第二接觸部上；以及一分隔牆體，圍繞該發光晶片，且該第一電極或該第二電極自該發光晶片延伸至該分隔牆體上。
  8. 如請求項7所述之發光裝置，其中該第一延伸部自該第一接觸部延伸至該發光晶片之側面之上緣之上方，該第二接觸部鋪設於該第二半導體層之實質之整體表面且避開該第一延伸部及該第一接觸部，該第一延伸部位於該第二半導體層上之面積小於該第二接觸部位於該第二半導體層上之面積。
  9. 如請求項7所述之發光裝置，其中該第二接觸部鋪設於該第二半導體層之實質之整體表面，該第一接觸部之一部分更貫穿該第二接觸部，該第一接觸部之另一部分鋪設於該第二接觸部之部分上並露出部分該第二接觸部，且與該第二接觸部在該發光晶片上電性絕緣。
  10. 如請求項7所述之發光裝置，更包括一透光層，設置於該基板上且圍繞並接觸該發光晶片之側面，該透光層之折射率介於該發光晶片之折射率及真空之折射率之間。
  11. 如請求項10所述之發光裝置，其中該第一延伸部及該第二延伸部分別延伸至該透光層上，該透光層阻隔該發光晶片之側面與該第一電極且阻隔該發光晶片之側面與該第二電極。
  12. 如請求項7所述之發光裝置，其中且該透光層位於該發光晶片及該分隔牆體之間，該第一延伸部及該第二延伸部分別延伸至該分隔牆體上。
  13. 如請求項7至12項任一項所述之發光裝置，其中該第一電極及該第二電極與該發光晶片之側面分開而未貼合該發光晶片之側面。
  14. 一種發光裝置之製造方法，包括：提供一基板；於該基板上設置一發光晶片，其中該發光晶片包括一第一半導體層及一第二半導體層，該第一半導體層設置於該基板上，該第二半導體層堆疊於該第一半導體層上，且該第二半導體層與該第一半導體層之間形成一發光接面；於該基板上形成一分隔牆體，該發光晶片位於該分隔牆體之內，以令該分隔牆體圍繞該發光晶片；於該第二半導體層上形成一開孔，該開孔貫穿該第二半導體層且延伸至該第一半導體層；於該開孔之內壁形成一第一絕緣層；於該開孔內形成一第一接觸部，該第一接觸部電性連接於該第一半導體層，且該第一絕緣層電性絕緣該第一接觸部及該第二半導體層；於該第二半導體層上形成一第二絕緣層； 於該第二半導體層上形成一第二接觸部，該第二接觸部電性連接於該第二半導體層；於該第二絕緣層上形成一第一延伸部，該第一接觸部電性連接於該第一延伸部，且該第二絕緣層電性絕緣該第一延伸部及該第二半導體層；以及於該第二接觸部上形成一第二延伸部，該第二延伸部電性連接於該第二接觸部；其中，該第一接觸部及該第一延伸部形成一第一電極，該第二接觸部及該第二延伸部形成一第二電極，該第一電極或該第二電極自該發光晶片延伸至該分隔牆體上。
  15. 如請求項14所述之發光裝置之製造方法，其中於該第二半導體層上形成該第二接觸部及該第二絕緣層之步驟中，該第二絕緣層與該第一絕緣層相連，且該第二絕緣層自該第一絕緣層延伸至該發光晶片之側面之上緣之上方，該第二接觸部鋪設於該第二半導體層上之實質之整體表面且避開該第一電極，該第二絕緣層位於該第二半導體層上之面積小於該第二接觸部位於該第二半導體層上之面積。
  16. 如請求項14所述之發光裝置之製造方法，其中：於該第二半導體層上形成該開孔之步驟之前，於該第二半導體層上形成該第二接觸部，該第二接觸部鋪設於該第二半導體層上之實質之整體表面且電性連接於該第二半導體層；於該第二半導體層上形成該開孔之步驟中，該開孔貫通該第二接觸部及該第二半導體層且延伸至該第一半導體層；以及 於該開孔內形成該第一接觸部之步驟之前，於該開孔之內壁形成該第一絕緣層，且於該第二半導體層上之該第二接觸部上形成該第二絕緣層。
  17. 如請求項14所述之發光裝置之製造方法，更包括於該基板上設置該發光晶片之步驟之後，於該基板上形成一透光層，該透光層圍繞且接觸該發光晶片之側面，該透光層之折射率介於該發光晶片之折射率及真空之折射率之間。
  18. 如請求項17所述之發光裝置之製造方法，其中該第一延伸部及該第二延伸部分別延伸至該透光層上，該透光層阻隔該發光晶片之側面與該第一電極且阻隔該發光晶片之側面與該第二電極。
  19. 如請求項14所述之發光裝置之製造方法，其中該第一延伸部及該第二延伸部分別延伸至該分隔牆體上。
  20. 如請求項14所述之發光裝置之製造方法，其中該第一電極及該第二電極與該發光晶片之側面分開而未貼合該發光晶片之側面。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9680077B1 (en) * 2016-07-20 2017-06-13 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light-emitting diode lighting device
KR102587215B1 (ko) 2016-12-21 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR20180079078A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치
FR3068514B1 (fr) * 2017-06-30 2019-08-09 Aledia Dispositif optoelectronique
TWI630729B (zh) 2017-08-28 2018-07-21 友達光電股份有限公司 發光裝置
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
KR102603411B1 (ko) 2017-12-18 2023-11-16 엘지디스플레이 주식회사 마이크로led 표시장치
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
KR102147443B1 (ko) * 2018-10-25 2020-08-28 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201336121A (zh) * 2012-01-03 2013-09-01 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光裝置
TW201501347A (zh) * 2013-03-07 2015-01-01 Toshiba Kk 半導體發光元件及其製造方法
TW201532308A (zh) * 2014-02-07 2015-08-16 Lextar Electronics Corp 半導體發光元件、覆晶封裝結構及其製作方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3053750B2 (ja) 1995-07-21 2000-06-19 沖電気工業株式会社 端面発光型ｌｅｄの製造方法
AU2002235132A1 (en) * 2000-11-16 2002-05-27 Emcore Corporation Led packages having improved light extraction
US6607286B2 (en) * 2001-05-04 2003-08-19 Lumileds Lighting, U.S., Llc Lens and lens cap with sawtooth portion for light emitting diode
US6598998B2 (en) * 2001-05-04 2003-07-29 Lumileds Lighting, U.S., Llc Side emitting light emitting device
US6717362B1 (en) 2002-11-14 2004-04-06 Agilent Technologies, Inc. Light emitting diode with gradient index layering
JP4535053B2 (ja) 2006-10-12 2010-09-01 ソニー株式会社 発光ダイオードの配線の形成方法、発光ダイオード実装基板、ディスプレイ、バックライト、照明装置および電子機器
TWI442595B (zh) 2007-07-25 2014-06-21 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體裝置
TWI665800B (zh) 2015-06-16 2019-07-11 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201336121A (zh) * 2012-01-03 2013-09-01 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光裝置
TW201501347A (zh) * 2013-03-07 2015-01-01 Toshiba Kk 半導體發光元件及其製造方法
TW201532308A (zh) * 2014-02-07 2015-08-16 Lextar Electronics Corp 半導體發光元件、覆晶封裝結構及其製作方法

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Publication number Publication date
US20170222108A1 (en) 2017-08-03
CN105742451A (zh) 2016-07-06
TW201727934A (zh) 2017-08-01
CN105742451B (zh) 2018-07-10
US10056535B2 (en) 2018-08-21

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