TWI630729B - 發光裝置 - Google Patents

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Abstract

一種發光裝置，包括第一半導體層、發光層、第二半導體層、第一電極及第二電極。發光層位於第一半導體層與第二半導體層之間。第一電極與第一半導體層電性連接。第二電極與第二半導體層電性連接。第一半導體層、發光層與第二半導體層形成階梯結構，其包括第一電極連接面、第二電極連接面及連接部。第一電極連接面位於第一半導體層上。第二電極連接面位於第二半導體層上。連接部連接第一電極連接面與第二電極連接面。連接部包含第一表面、第二表面及第三表面。第一表面與第二表面之間形成第一轉角部。第二表面與第三表面之間形成第二轉角部。

Description

發光裝置
本發明是有關於一種發光裝置，且特別是有關於一種具有階梯結構的發光裝置。
發光二極體（light emitting diode；LED）具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、低熱產生及低功率消耗等優點，因此已被廣泛應用於家用及各種設備中的指示器或光源。近年來，發光二極體已朝多色彩及高亮度發展，因此其應用領域已擴展至大型戶外看板、交通號誌燈及相關領域。在未來，發光二極體甚至可能成為兼具省電及環保功能的主要照明光源。
因此，如何進一步提升發光二極體的發光效率，實已成目前亟欲解決的課題。
本發明提供一種發光裝置，具有較佳的光取出效率（Light extraction efficiency）。
本發明提供一種發光裝置，具有較佳的發光效率。
本發明提供一種發光裝置，包括第一半導體層、發光層、第二半導體層、第一電極以及第二電極。發光層位於第一半導體層上。第二半導體層位於發光層上。第一電極與第一半導體層電性連接。第二電極與第二半導體層電性連接。第一半導體層、發光層與第二半導體層形成階梯結構，其中階梯結構包括第一電極連接面、第二電極連接面以及連接部。第一電極連接面位於第一半導體層上。第二電極連接面位於第二半導體層上。連接部連接第一電極連接面與第二電極連接面。連接部至少包含第一表面、第二表面、第三表面。第一表面與第二表面之間形成第一轉角部。第二表面與第三表面之間形成第二轉角部。
基於上述，本發明的發光裝置具有階梯結構。因此，可以提升光取出效率，進而增加發光裝置的發光效率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A、圖2A及圖3A依序是依照本發明第一實施例的發光裝置的製造流程的上視示意圖。圖3A是依照本發明第一實施例的發光裝置的上視示意圖。圖1B是圖1A的發光裝置的製造流程沿剖面線A-A’的剖面示意圖。圖2B是圖2A的發光裝置的製造流程沿剖面線B-B’的剖面示意圖。圖2C是圖2A的階梯結構的立體示意圖。圖3B是圖3A的發光裝置的沿剖面線C-C’的剖面示意圖。圖3C是圖3A的發光裝置的立體示意圖。為求清楚表示與便於說明，圖3C省略繪示部分的膜層。
首先，請同時參照圖1A及圖1B，提供基材110。基材110具有底面BS、相對於底面BS的第二電極連接面ES2以及位於與第二電極連接面ES2同側的凹陷處111。凹陷處111自第二電極連接面ES2向底面BS凹陷，且凹陷處111包括第一表面S1以及內凹面111a。第一表面S1與第二電極連接面ES2連接，且第二電極連接面ES2與第一表面S1之間形成外凸的第三轉角部C3。換言之，第二電極連接面ES2的延伸方向實質上不同於第一表面S1的延伸方向。第三轉角部C3可以是由第二電極連接面ES2與第一表面S1所形成的交界處，或是具有弧型的交界面。
基材110包括第一半導體層120、發光層130以及第二半導體層140。發光層130位於第一半導體層120以及第二半導體層140之間。在本實施例中，基材110的第二電極連接面ES2位於第二半導體層140上，且凹陷處111的內凹面111a位於第一半導體層120上，但本發明不限於此。在其他的實施例中，基材110的第二電極連接面ES2以及凹陷處111的內凹面111a可以皆位於第二半導體層140上。
在本實施例中，第一半導體層120為N型（N-type）半導體層，且第二半導體層140為P型（P-type）半導體層，但本發明不限於此。在其他實施例中，第一半導體層120可以為P型半導體層，且第二半導體層140為N型半導體層。N型（N-type）半導體層的材料例如是具有IVA族元素（如：矽）摻雜的N型氮化鎵（n-GaN），P型半導體層的材料例如是具有IIA族元素（如：鎂）摻雜的P型氮化鎵（p-GaN）。發光層130例如具有多層量子井（Multiple Quantum Well；MQW）結構。多重量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子井層（Well）和多個量子阻障層（Barrier）。進一步來說，發光層130的材料例如是包括交替堆疊的多層氮化銦鎵以及多層氮化鎵（InGaN/GaN），藉由設計發光層130中銦或鎵的比例，可使發光層130發出不同的發光波長範圍。第一半導體層120、發光層130及第二半導體層140例如可以有機金屬氣相沉積法（Metal-organic Chemical Vapor Deposition；MOCVD）形成。值得注意的是，關於上述的第一半導體層120、發光層130或第二半導體層140的材質或形成方式僅為舉例，本發明並不以此為限。
請同時參照圖1A至圖2C。可以於部分內凹面111a上進行蝕刻製程（etching process），以使基材110具有階梯結構LS。舉例而言，可以是以三氯化硼（BCl 3）及/或氯氣（Cl 2）作為蝕刻反應氣體，藉由反應離子蝕刻（Reactive-Ion Etching；RIE）的方式對遠離於第一表面S1的部分內凹面111a進行蝕刻，而使遠離於第一表面S1的部分凹陷處111進一步地向底面BS凹陷，以使基材110具有階梯結構LS。
在本實施例中，第一半導體層120、發光層130與第二半導體層140形成階梯結構LS。階梯結構LS包括第一電極連接面ES1、第二電極連接面ES2以及連接部CP。連接部CP連接第一電極連接面ES1與第二電極連接面ES2。也就是說，第一電極連接面ES1、連接部CP以及第二電極連接面ES2構成一相對於底面BS的連續面。連接部CP自第二電極連接面ES2向第一電極連接面ES1的延伸方向上，依序至少包含第一表面S1、第二表面S2以及第三表面S3。第一表面S1與第二表面S2連接，第一表面S1的延伸方向實質上不同於第二表面S2的延伸方向，且第一表面S1與第二表面S2之間形成內凹的第一轉角部C1。第二表面S2與第三表面S3連接，第二表面S2的延伸方向實質上不同於第三表面S3的延伸方向，且第二表面S2與第三表面S3之間形成外凸的第二轉角部C2。第三表面S3與第一電極連接面ES1連接，第三表面S3的延伸方向實質上不同於第一電極連接面ES1的延伸方向，且第三表面S3與第一電極連接面ES1之間形成內凹的第四轉角部C4。
一般而言，發光裝置100的發光效率稱為元件的外部量子效率（external quantum efficiency；EQE），其為發光裝置100的內部量子效率（internal quantum efficiency；IQE）與發光裝置100的光取出效率（light extraction efficiency）的乘積。發光裝置100的內部量子效率即為發光裝置100的電光轉換效率，主要與發光裝置100本身的特性如第一半導體層120、發光層130及/或第二半導體層140的能帶、缺陷、摻雜濃度及/或磊晶等相關。而發光裝置100的光取出效率指的則是發光裝置100內部於電光轉換後所產生的光子，在經過發光裝置100本身的吸收、折射、反射後實際上在發光裝置100外部可量測到的光子數目。換言之，發光裝置100的光取出效率與發光裝置100的幾何結構及/或出光面積（light extraction area）等特性有關。也就是說，本發明的發光裝置100至少可以藉由階梯結構LS的第一表面S1、第二表面S2以及第三表面S3，來提升發光裝置100的光取出效率，以進一步提升發光二極體的發光效率。
從另一方面而言，在本實施例中，發光裝置100可以在不調整第一半導體層120、發光層130及/或第二半導體層140的能帶、缺陷、摻雜濃度及/或磊晶等條件（即內部量子效率）之下，藉由階梯結構LS的第一表面S1、第二表面S2以及第三表面S3來提升發光裝置100的光取出效率，以提升發光二極體的發光效率。在其他實施例中，也可以藉由提升發光裝置100的內部量子效率，以及藉由階梯結構LS的第一表面S1、第二表面S2以及第三表面S3來提升發光裝置100的光取出效率，以進一步提升發光裝置100的發光效率。
在本實施例中，階梯結構LS更包含第一側壁SW1、第二側壁SW2、第三側壁SW3、第四側壁SW4以及底面BS。階梯結構LS的底面BS可以為上述基材110的底面BS。第一側壁SW1與第二側壁SW2位於階梯結構LS的相對兩側。第一側壁SW1的與第一電極連接面ES1和底面BS連接。第二側壁SW2與第二電極連接面ES2和底面BS連接。第三側壁SW3與第四側壁SW4位於階梯結構LS的另一相對兩側。第三側壁SW3與第一側壁SW1、第二側壁SW2、第一電極連接面ES1、第二電極連接面ES2、第一表面S1、第二表面S2、第三表面S3以及底面BS連接。第四側壁SW4與第一側壁SW1、第二側壁SW2、第一電極連接面ES1、第二電極連接面ES2、第一表面S1、第二表面S2、第三表面S3以及底面BS連接。
在本實施例中，第二表面S2與第一電極連接面ES1之間具有第一高度H1，第一電極連接面ES1與底面BS之間具有第二高度H2，且第一高度H1大於第二高度H2。如此一來，可以增加第三表面S3的表面積，而提升發光裝置100的光取出效率，以進一步提升發光裝置100的發光效率。
請同時參照圖2A至圖3C。在形成階梯結構LS之後，於階梯結構LS上形成圖案化絕緣層150。在一實施例中，例如藉由化學氣相沈積法（chemical vapor deposition；PECVD）形成一絕緣材料層，絕緣材料層例如包含氮化矽層及/或氧化矽層，並可以藉由蝕刻製程將絕緣材料層圖案化，以形成圖案化絕緣層150，但本發明不限於此。圖案化絕緣層150至少設置於階梯結構LS的第二側壁SW2上，以避免後續形成的第二電極180與第一半導體層120和發光層130接觸。在本實施例中，圖案化絕緣層150可進一步設置於階梯結構LS的第一表面S1、第二表面S2、第三表面S3、部分的第一電極連接面ES1、部分的第二電極連接面ES2、第三側壁SW3、第四側壁SW4及/或第一側壁SW1，但本發明不限於此。
請同時參照圖3A至圖3C。在形成圖案化絕緣層150之後，於部分的第一電極連接面ES1與第一側壁SW1之上形成第一電極170，且於部分的第二電極連接面ES2與第二側壁SW2之上形成第二電極180。換言之，第一電極170配置於第一電極連接面ES1與第一側壁SW1之上，且第二電極180配置於第二電極連接面ES2與第二側壁SW2之上。第一半導體層120與第一電極170電性連接，且第二半導體層140與第二電極180電型連接。圖案化絕緣層150位於第一半導體層120與第二電極180之間。
在本實施例中，第一電極170及第二電極180未覆蓋於第一表面S1（繪示於圖2C）、第二表面S2及第三表面S3上。如此一來，可以提升發光裝置100的光取出效率，以進一步提升發光裝置100的發光效率。但本發明不以此為限，在其他實施例中，第一電極170及第二電極180未覆蓋於第一表面S1和第二表面S2上，且至少部分的第三表面S3未被覆蓋，如此一來，可以提升發光裝置100的光取出效率，以進一步提升發光裝置100的發光效率。
在本實施例中，第一電極170更可以配置於部分的第三側壁SW3與部分的第四側壁SW4上。第二電極180更配置於其餘的部分第三側壁SW3與其餘的部分第四側壁SW4上，第一電極170與第二電極180結構上彼此分離，且圖案化絕緣層150位於第一半導體層120與第二電極180之間。詳細而言，第一電極170更配置於接近第一側壁SW1的部分第三側壁SW3與接近第一側壁SW1的部分第四側壁SW4上。換言之，配置於部分的第一電極連接面ES1、第一側壁SW1、部分的第三側壁SW3與部分的第四側壁SW4上的第一電極170具有連續的結構。第二電極180更配置於接近第二側壁SW2的部分第三側壁SW3與接近第一側壁SW2的部分第四側壁SW4。換言之，配置於部分的第二電極連接面ES2、第二側壁SW2、部分的第三側壁SW3與部分的第四側壁SW4上的第二電極180具有連續的結構。
在本實施例中，第一電極170與第二電極180例如是先以物理氣相沉積（physical vapor deposition；PVD）等類似的方法形成導電層後，再以微影（photolithography）及蝕刻製程所形成。在其他實施例中，第一電極170與第二電極180也可以是將銀漿藉由網印的方式所形成，於本發明不加以限制。
經過上述製程後，基本上完成本發明的第一實施例的發光裝置100的製作。上述的發光裝置100包括第一半導體層120、發光層130、第二半導體層140、第一電極170以及第二電極180。發光層130位於第一半導體層120上。第二半導體層140位於發光層130上。第一電極170與第一半導體層120電性連接。第二電極180與第二半導體層140電性連接。第一半導體層120、發光層130與第二半導體層140形成階梯結構LS，其中階梯結構LS包括第一電極連接面ES1、第二電極連接面ES2以及連接部CP。第一電極連接面ES1及第二表面S2位於第一半導體層120上。第二電極連接面ES2位於第二半導體層140上。連接部CP連接第一電極連接面ES1與第二電極連接面ES2。連接部CP至少包含第一表面S1、第二表面S2、第三表面S3。第二電極連接面ES2與第一表面S1之間形成外凸的第三轉角部C3。第一表面S1與第二表面S2之間形成內凹的第一轉角部C1。第二表面S2與第三表面S3之間形成外凸的第二轉角部C2。第三表面S3與第一電極連接面ES1之間形成內凹的第四轉角部C4。
在本實施例中，發光裝置100可以為發光二極體或微型發光二極體（Micro LED；μLED）但本發明不限於此。
圖4是依照本發明第二實施例的發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1A至圖3C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請參照圖4，本實施例的發光裝置400更包括基板SUB、主動元件T以及共通線CL。
在本實施例中，階梯結構LS是以其第一半導體層120朝向基板SUB的方式配置於基板SUB上。主動元件T配置在基板SUB上，其中第二電極180與主動元件T電性連接。第一電極170與共通線CL電性連接。
主動元件T包括源極S、汲極D、閘極G以及通道層SM。閘極G與掃描線（未繪示）電性連接。源極S與資料線（未繪示）電性連接。基板SUB可以為玻璃基板、軟性基板、矽質（Si-based）基板、有機聚合物基板、或者是其他類型的基板，但本發明不限於此。在本實施例中，主動元件T例如為低溫多晶矽薄膜電晶體（Low temperture poly Si thin film transistor；LTPS TFT），但本發明並不以此為限制。此外，基於導電性的考量，共通線CL一般是使用金屬材料，然本發明不限於此。
在本實施例中，發光裝置400更包括黏著層290以及導通孔292。黏著層290位於主動元件T與第一半導體層120之間。導通孔292貫通黏著層290。第二電極180藉由導通孔292以與主動元件T電性連接。黏著層290的材質例如為環氧樹脂（epoxy）、光阻或矽膠，但本發明不限於此。一般而言，例如可藉由黃光微影蝕刻、機械穿孔或雷射鑽孔的方式，於黏著層290上形成導通孔292。就製程上而言，例如可利用微機械裝置或聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane；PDMS）基板轉印等方式，將階梯結構LS安裝於具有主動元件T的基板SUB上。並且藉由黏著層290將階梯結構LS固定於基板SUB上。
在本實施例中，是以第二電極180更填入導通孔292為例，但本發明並不以此為限。在其他實施例中，黏著層290上的導通孔292也可以填入其他的導電材料以使第二電極180與主動元件T電性連接。
在本實施例中，發光裝置400更包括反射層RL。反射層RL位於主動元件T與第一半導體層120之間，且反射層RL與第一半導體層120重疊。也就是說，在本實施例中，發光裝置400屬於上發光型（top emission type）設計。在本實施例中，反射層RL可以為導電材質，且反射層RL、第二電極180、導通孔292與主動元件T彼此電性連接，但本發明不限於此。在一些實施例中，前述黏著層290的材質更可包括二氧化鈦粒子，以使黏著層290可以具有反射光線的性質。
圖5為本發明的第三實施例的發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請參照圖5，本實施例的發光裝置500與圖4的實施例的發光裝置400相似，兩者的差異在於：第一電極170與汲極D電性連接，第二電極180與共通線CL電性連接。
前述實施例的發光裝置100、400、500中的階梯結構LS可以有其他的設計，以下圖6至圖7將針對階梯結構的變化進行描述。
圖6是依照本發明第四實施例的發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖1A至圖3C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請參照圖6，本實施例的發光裝置600與圖3A至圖3C的實施例的發光裝置100相似，兩者的差異在於：第一半導體層220、發光層230與第二半導體層240形成階梯結構LS’。階梯結構LS’的第一電極連接面ES1位於第一半導體層220上。階梯結構LS’的第二電極連接面ES2及第二表面S2位於第二半導體層240上。
圖7為本發明的第五實施例的發光裝置的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖6的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
請參照圖7，本實施例的發光裝置700與圖6的實施例的發光裝置600相似，兩者的差異在於：第一半導體層320、發光層230與第二半導體層240形成階梯結構LS”。階梯結構LS”的連接部CP更包含第四表面S4以及第五表面S5。階梯結構LS”的第一電極連接面ES1及第四表面S4位於第一半導體層220上。階梯結構LS”的第二電極連接面ES2及第二表面S2位於第二半導體層240上。
圖8是依照本發明一實施例的顯示面板的局部上視示意圖。在本實施例中，顯示面板800可以包括多個畫素單元PU，且每一個畫素單元PU可以包括多個發光裝置400。各個發光裝置400的共通線CL可以彼此電性連接，以接收共通電壓源所輸出的一共通電壓（common voltage；Vcom）。各個發光裝置400可以發出相同或不同的顏色光，但本發明不限於此。畫素單元PU中的多個發光裝置400為沿著橫向（row）排列，但本發明不限於此。在其他實施例中，畫素單元PU中的多個發光裝置400也可以為沿著縱向（column）排列。
本實施例的顯示面板800中所具有的發光裝置是以發光裝置400為例，但顯示面板800中所具有的發光裝置也可以採用多種的結構設計，於本發明並不加以限制。
綜上所述，本發明的發光裝置具有階梯結構。因此，可以提升發光裝置的光取出效率，以進一步提升發光裝置的發光效率。除此之外，以本發明的發光裝置所構成的顯示面板具有較佳的發光效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、400、500、600、700‧‧‧發光裝置
800‧‧‧顯示面板
110‧‧‧基材
111‧‧‧凹陷處
111a‧‧‧內凹面
120、220、320‧‧‧第一半導體層
130、230‧‧‧發光層
140、240‧‧‧第二半導體層
150‧‧‧圖案化絕緣層
170‧‧‧第一電極
180‧‧‧第二電極
290‧‧‧黏著層
292‧‧‧導通孔
BS‧‧‧底面
LS、LS’、LS”‧‧‧階梯結構
ES1‧‧‧第一電極連接面
ES2‧‧‧第二電極連接面
CP‧‧‧連接部
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
S3‧‧‧第三表面
S4‧‧‧第四表面
S5‧‧‧第五表面
SW1‧‧‧第一側壁
SW2‧‧‧第二側壁
SW3‧‧‧第三側壁
SW4‧‧‧第四側壁
C1‧‧‧第一轉角部
C2‧‧‧第二轉角部
C3‧‧‧第三轉角部
C4‧‧‧第四轉角部
H1‧‧‧第一高度
H2‧‧‧第二高度
SUB‧‧‧基板
T‧‧‧主動元件
S‧‧‧源極
D‧‧‧汲極
G‧‧‧閘極
SM‧‧‧通道層
RL‧‧‧反射層
CL‧‧‧共通線
PU‧‧‧畫素單元
圖1A、圖2A及圖3A依序是依照本發明第一實施例的發光裝置的製造流程的上視示意圖。 圖3A是依照本發明第一實施例的發光裝置的上視示意圖。 圖1B是圖1A的發光裝置的製造流程沿剖面線A-A’的剖面示意圖。 圖2B是圖2A的發光裝置的製造流程沿剖面線B-B’的剖面示意圖。 圖2C是圖2A的階梯結構的立體示意圖。 圖3B是圖3A的發光裝置的沿剖面線C-C’的剖面示意圖。 圖3C是圖3A的發光裝置的立體示意圖。 圖4是依照本發明第二實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖5是依照本發明第三實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖6是依照本發明第四實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖7是依照本發明第五實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖8是依照本發明一實施例的顯示面板的局部上視示意圖。

Claims (13)

  1. 一種發光裝置，包括：一第一半導體層；一發光層，位於該第一半導體層上；一第二半導體層，位於該發光層上，該第一半導體層、該發光層與該第二半導體層形成一階梯結構，其中該階梯結構包括：一第一電極連接面，位於該第一半導體層上；一第二電極連接面，位於該第二半導體層上；一第一側壁；一第二側壁；一底面，其中該第一側壁與該第一電極連接面和該底面連接，且該第二側壁與該第二電極連接面和該底面連接；以及一連接部，連接該第一電極連接面與該第二電極連接面，其中該連接部至少包含一第一表面、一第二表面、一第三表面，該第一表面與該第二表面之間形成一第一轉角部，以及該第二表面與該第三表面之間形成一第二轉角部；一第一電極，與該第一半導體層電性連接；以及一第二電極，與該第二半導體層電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該第一電極配置於該第一電極連接面上，以及該第二電極配置於該第二電極連接面上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的發光裝置，其中該第一電極未覆蓋於該第二表面上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該第一電極配置於該第一電極連接面與該第一側壁之上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該第二電極配置於該第二電極連接面與該第二側壁之上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的發光裝置，更包括一圖案化絕緣層，且該圖案化絕緣層位於該第一半導體層與該第二電極之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該第一表面與該第二電極連接面之間形成一第三轉角部，且該第三表面與該第一電極連接面之間形成一第四轉角部。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該第二表面位於該第一半導體層上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該第二表面位於該第二半導體層上。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，更包括：一基板，其中該第一半導體層位於該基板與該發光層之間；一主動元件，配置在該基板上，其中該第二電極與該主動元件電性連接；以及一共通線，該共通線與該第一電極電性連接。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，更包括：一黏著層，位於該主動元件與該第一半導體層之間；以及一導通孔，貫通該黏著層，其中該第二電極藉由該導通孔以與該主動元件電性連接。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，更包含一基板，其中該第一半導體層位於該基板與該發光層之間；一主動元件，配置在該基板上，其中該第一電極與該主動元件電性連接；以及一共通線，該共通線與該第二電極電性連接。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的發光裝置，更包括：一黏著層，位於該主動元件與該第一半導體層之間；以及一導通孔，貫通該黏著層，其中該第一電極藉由該導通孔以與該主動元件電性連接。
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