CN111864025A - 微型发光二极管及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种微型发光二极管及其制作方法、显示装置，微型发光二极管包括依次层叠设置的第二型半导体层、发光层、第一型半导体层，第一型半导体层在第二型半导体层上的投影面积小于第二型半导体层的面积；还包括覆盖第一型半导体层的顶面、侧面、发光层的侧面、第二型半导体层的侧面、部分顶面的绝缘层，绝缘层中设置有第一过孔和第二过孔；还包括设置在绝缘层两侧的第一电极和第二电极，第一电极通过第一过孔与第一型半导体层电性连接，第二电极通过第二过孔与第二型半导体层电性连接，增大了第一电极和第二电极与电路板绑定时与电路板的接触面积，提高了绑定时的准确性和牢固性。

Description

微型发光二极管及其制作方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微型发光二极管及其制作方法、显示装置。

背景技术

目前微型发光二极管(micro-LED)显示技术在市场上逐渐受到重视，micro-LED继承了LED的优秀特性，具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩饱和度高、响应速度快、寿命长等优点，有望取代现在的OLED和LCD，成为下一代新型显示技术。

微型发光二极管包括第二型半导体层、发光层、第一型半导体层和绝缘层，其中，第一型半导体层连接有第一电极，第二型半导体层连接有第二电极，第一电极和第二电极均设置在绝缘层上；另外，还设置有依次贯穿绝缘层、第一型半导体层和发光层的过孔，第二电极伸入过孔内从而与第二型半导体层电性连接。

但是，随着微型发光二极管向小型化趋势发展，第一电极和第二电极的面积越来越小，在与电路板绑定时，第一电极和第二电极与电路板的接触面积变小，导致在转移到电路板上时容易出现位置偏移，绑定的牢固性差，易发生短路。

发明内容

本发明实施例提供一种微型发光二极管及其制作方法、显示装置，用以提高微型发光二极管与电路板绑定时的准确性和牢固性。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供一种微型发光二极管，包括依次层叠设置的第二型半导体层、发光层、第一型半导体层，且所述第一型半导体层在所述第二型半导体层上的投影面积小于所述第二型半导体层的面积；

还包括绝缘层，绝缘层覆盖所述第一型半导体层的顶面、侧面、所述发光层的侧面、所述第二型半导体层的侧面、部分顶面，所述绝缘层中设置有第一过孔和第二过孔；

还包括分别设置在所述绝缘层两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一型半导体层电性连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二型半导体层电性连接。

与现有技术相比，本发明实施例提供的微型发光二极管具有如下优点：

本发明实施例提供的微型发光二极管通过在绝缘层中设置第二过孔使第二电极与第二型半导体层电性连接，避免了在第一型半导体层和发光层挖孔，降低了制程难度和制造成本；第一电极和第二电极分别跨接第一型半导体层的顶面、侧面以及第二型半导体层的侧面、部分顶面，增大了第一电极和第二电极的面积，从而增大了第一电极和第二电极与电路板绑定时与电路板的接触面积，提高了绑定时的准确性和牢固性，降低或避免了发生短路的可能性。

作为本发明实施例微型发光二极管的一种改进，所述第一型半导体层的掺杂类型为P型或N型，所述第二型半导体层的掺杂类型与所述第一型半导体层的掺杂类型相反。

作为本发明实施例微型发光二极管的一种改进，所述第一电极的至少部分顶面与所述第二电极的至少部分顶面相平齐。

作为本发明实施例微型发光二极管的一种改进，所述微型发光二极管还包括增透膜，所述增透膜设置在所述第二型半导体层背离所述发光层的一侧。

作为本发明实施例微型发光二极管的一种改进，所述第一电极和所述第二电极的光电特性测试表面露出在所述增透膜外。

作为本发明实施例微型发光二极管的一种改进，所述第一过孔位于所述第一型半导体层的顶面与所述第一电极之间，所述第二过孔位于所述第二型半导体层的顶面与所述第二电极之间。

作为本发明实施例微型发光二极管的一种改进，所述微型发光二极管还包括第一电流扩展层和第二电流扩展层，所述第一电流扩展层设置在所述第一电极与所述第一型半导体层之间，所述第二电流扩展层设置在所述第二电极与所述第二型半导体层之间。

另一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述微型发光二极管。

本发明实施例提供的显示装置包括上述微型发光二极管，因此也具有与上述微型发光二极管的优点相同的优点，在此不再赘述。

另一方面，本发明实施例还提供了一种微型发光二极管的制作方法，包括：

提供过程基板；

在所述过程基板上形成过渡层；

在所述过渡层上依次层叠形成第二型半导体层、发光层和第一型半导体层，使所述第一型半导体层、所述第二型半导体层和所述过渡层在所述过程基板上的投影面积逐渐增大；

在所述第一型半导体层的顶面、侧面、所述发光层的侧面、所述第二型半导体层的侧面、部分顶面以及所述过渡层的部分顶面形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成第一过孔和第二过孔；

设置第一电极和第二电极，使第一电极通过所述第一过孔与所述第一型半导体层电性连接，使所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二型半导体层电性连接；

在所述第一电极和所述第二电极背离所述绝缘层的一侧设置牺牲层；

图形化所述牺牲层；

在所述牺牲层上设置临时键合层；

在所述临时键合层上键合临时基板；

去除所述过程基板和所述过渡层。

本发明实施例提供的制作方法用于制作上述微型发光二极管，因此也具有与上述微型发光二极管的优点相同的优点，在此不再赘述。

进一步地，在所述第一型半导体层背离所述发光层的一侧沉积增透膜；

图形化所述增透膜，露出所述第一电极的光电特性测试表面和所述第二电极的光电特性测试表面；

去除所述牺牲层，在所述牺牲层的位置形成供拾取工具穿过的空间。

除了上面所描述的本发明解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本发明实施例提供的微型发光二极管及其制作方法、显示装置所能够解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本发明实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一部分实施例，这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本公开构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本公开的概念，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明实施例一提供的微型发光二极管的结构示意图；

图2为图1中微型发光二极管的俯视图一；

图3为图1中微型发光二极管的俯视图二；

图4为本发明实施例三提供的微型发光二极管的制作方法中微型发光二极管与临时基板结合后的结构示意图。

附图标记说明：

10-基板；

20-过渡层；

21-第三平面；

30-第一型半导体层；

31-第一平面；

40-发光层；

50-第二型半导体层；

51-第二平面；

60-绝缘层；

71-第一电极；

72-第二电极；

81-牺牲层；

82-临时键合层；

83-临时基板；

90-增透膜；

d-第一电极/第二电极的宽度。

具体实施方式

现有的微型发光二极管由于第一电极和第二电极的面积逐渐减小，第一电极、第二电极与电路板的接触面积随之变小，微型发光二极管与电路板绑定时的准确性和牢固性较差，导致在绑定时容易发生偏移，在绑定后容易发生短路。

针对上述缺陷，本发明实施例提供了一种改进的技术方案，在该技术方案中，微型发光二极管包括第一电极、第二电极以及依次层叠设置的第二型半导体层、发光层和第一型半导体层，还包括绝缘层，第一电极和第二电极分别设置在绝缘层上，其中，绝缘层中设置有第一过孔和第二过孔，第二电极穿过绝缘层与第二型半导体层电性连接，避免了在第一型半导体层和发光层挖孔，降低了制程难度和制造成本，且第一电极和第二电极的面积大，从而增大了与电路板绑定时与电路板的接触面积，提高了绑定时的准确性和牢固性。

为了使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。

实施例一

请参阅图1-图3，本发明实施例一提供的微型发光二极管包括依次层叠设置的第二型半导体层50、发光层40、第一型半导体层30，且第一型半导体层30在第二型半导体层50上的投影面积小于第二型半导体层50的面积；还包括覆盖第一型半导体层30的顶面、侧面、发光层40的侧面、第二型半导体层50的侧面、部分顶面的绝缘层60，绝缘层60中设置有第一过孔和第二过孔；还包括分别设置在绝缘层60两侧的第一电极71和第二电极72，第一电极71通过第一过孔与第一型半导体层30电性连接，第二电极72通过第二过孔与第二型半导体层50电性连接。

具体地，如图2所示，第二型半导体层50背离发光层40的一侧可以设置有临时基板或增透膜90，以设置有增透膜90为例进行描述，本实施例以第一型半导体层30的顶面为第一平面31，在俯视方向上，第二型半导体层50伸出第一型半导体层30的部位的顶面为第二平面51，增透膜90伸出第二型半导体层50的部位的顶面为第三平面21；绝缘层60分别覆盖第一型半导体层30的侧面、发光层40的侧面、第二型半导体层50的侧面、第一平面31、第二平面51以及部分第三平面21；第一电极71和第二电极72分别设置在绝缘层60上，且第一电极71和第二电极72的底部分别与第三平面21相接触。

本实施例中，绝缘层60中设置有第一过孔和第二过孔，第一过孔可以设置在绝缘层的顶面，也可以设置在绝缘层的侧面，第一电极71通过第一过孔与第一型半导体层30电性连接，第二电极72通过第二过孔与第二型半导体层50电性连接。

具体地，如图1和图2所示，在本实施例中，位于增透膜90上的第二型半导体层50、发光层40和第一型半导体层30的顶面的面积依次减小，需要说明的是，本实施例中的顶面指的是背离增透膜90的一侧的平面。

进一步地，绝缘层60形成在第一型半导体层30、发光层40、第二型半导体层50和增透膜90上，具体地，如图1所示，以第一型半导体层30的顶面为第一平面31，在上述实施方式的基础上，第二型半导体层50的顶面的面积大于第一型半导体层30的顶面的面积，增透膜90的顶面的面积大于第二型半导体层50的顶面的面积，以第二型半导体层50伸出第一型半导体层30的区域的顶面为第二平面51，以增透膜90伸出第二型半导体层50的区域的顶面为第三平面21，则本实施例中绝缘层60覆盖上述第一平面31、第二平面51和第三平面21，同时绝缘层60还覆盖在第一型半导体层30、发光层40、第二型半导体层50的侧面。

以图1和图2所示的显示面板为例，图2和图3分别示出了两种可行的微型发光二极管的俯视图，需要说明的是，在俯视方向上，绝缘层60覆盖在第一平面31、第二平面51和第三平面21上，第一电极71和第二电极72分别设置在绝缘层60的两对的两侧，如图2所示，第一电极71/第二电极72的宽度d可以小于绝缘层60的宽度，如图3所示，第一电极71/第二电极72的宽度d也可以等于绝缘层60的宽度。

进一步地，如图1所示，本实施例中第一电极71通过第一过孔与第一型半导体层30电性连接，第一过孔可以设置在绝缘层60的位于第一电极71与第一平面31之间的部位，此外，第一过孔也可以设置在第一电极71与第一型半导体层30的侧面之间；本实施例中第二电极72通过第二过孔与第二型半导体层50电性连接，第二过孔可以设置在绝缘层60的位于第二电极72与第二平面51之间的部位，此外，第二过孔也可以设置在第二电极72与第二型半导体层50的侧面之间。

此外，第一电极71与第二电极72之间设置有定位间隙。在本实施例中，第一电极71和第二电极72分别设置在绝缘层60的两侧，本实施例在第一电极71与第二电极72之间设置了定位间隙，使得微型发光二极管在与电路板绑定时，有利于定位，进一步提高了绑定时的准确性。

综上所述，本发明实施例一提供的微型发光二极管使第二电极72通过绝缘层60中的第二过孔与第二型半导体层50电性连接，避免了在第一型半导体层30和发光层40挖孔，降低了制程难度和制造成本；第一电极71和第二电极72分别跨接第一型半导体层30的顶面、侧面以及第二型半导体层50的侧面、部分顶面，从而使第一电极71和第二电极72的面积较大，在与电路板绑定时，第一电极71和第二电极72与电路板的接触面积也随之增大，绑定时不易偏移，从而提高了绑定时的准确性和牢固性，降低或避免了发生短路的可能性。

在上述实施方式的基础上，进一步地，第一型半导体层30的掺杂类型为P型或N型，第二型半导体层50的掺杂类型与第一型半导体层30的掺杂类型相反。本实施例中，当第一型半导体层30的掺杂类型为P型时，第二型半导体层50的掺杂类型则为N型，当第一型半导体层30的掺杂类型为N型时，第二型半导体层50的掺杂类型则为P型。

在一种可能的实施方式中，第一电极71的至少部分顶面与第二电极72的至少部分顶面相平齐。具体地，为了防止发生芯粒倾斜，第一电极71与第二电极72的顶面至少部分相平齐，优选地，第一电极71的顶面与第二电极72的顶面完全平齐。需要说明的是，本实施例中第一电极71的顶面指的是第一电极71在竖直方向上高度最高的平面，即第一电极71位于第一平面31正上方的部位，第二电极72的顶面指的是第二电极72在竖直方向上高度最高的平面，即第二电极72位于第一平面31正上方的部位，在上述实施方式的基础上，第一电极71和第二电极72的位于第一平面31正上方的部位的顶面相互平齐，这样的设置便于制作，且提高了后续与电路板绑定时的稳定性和便捷性。

在一种可能的实施方式中，微型发光二极管还包括增透膜90，增透膜90设置在第二型半导体层50背离发光层40的一侧。第二型半导体层50在增透膜90上的投影面积小于增透膜90的面积。

进一步地，第一电极71第二电极72的光电特性测试表面露出在增透膜90外。需要说明的是，本实施中的光电特性测试表面指的是第一电极71和第二电极72靠近增透膜90的一面，即第一电极71和第二电极72的底面，本实施例中，使第一电极71和第二电极72的光电特性测试表面露出，保证了后续能够对微型发光二极管进行光电特性测试。

在一种可能的实施方式中，第一过孔位于第一型半导体层30的顶面与第一电极71之间，第二过孔位于第二型半导体层50的顶面与第二电极72之间。本实施例中第一过孔和第二过孔可以通过蚀刻形成在绝缘层60中。此外，第一过孔和第二过孔也可以设置在绝缘层的侧壁上。

在一种可能的实施方式中，微型发光二极管还包括第一电流扩展层和第二电流扩展层，第一电流扩展层设置在第一电极71与第一型半导体层30之间，第二电流扩展层设置在第二电极72与第二型半导体层50之间。本实施例中，电流扩展层可以是铟锡氧化物层、铟锌氧化物层、镓锌氧化物层或透明金属层等透明导电层，也可以是具有反射功能的金属层，金属可以是金、镍、铂、锡、铝、钛、钨金合金、铝/铜合金、锡/银/铜合金或锡合金。第一电极71穿过第一电流扩展层与第一半导体层电性连接；第二电极72穿过第二电流扩展层与第二半导体层电性连接。

实施例二

本发明实施例二提供的显示装置包括上述实施例一中提供的微型发光二极管，其中，微型发光二极管的结构、功能及实现可参照上述实施例中的具体描述，此处不再赘述。本实施例提供的显示装置可以是手机、平板电脑、智能手表、电子书、导航仪、电视、数码相机等任意包括显示面板的、具有显示功能的设备。本实施例提供的显示装置也具有与实施一所提供的微型发光二极管相同的优点，在此不再赘述。

实施例三

本发明实施例三提供了一种微型发光二极管的制作方法，包括：

提供过程基板10；本实施例中，过程基板10的材料可以是蓝宝石、硅、碳化硅、砷化镓、氮化镓等。

在过程基板10上形成过渡层20，本实施例中，过渡层20可以是非掺杂的氮化镓或砷化镓层。

在过渡层20上依次层叠形成第二型半导体层50、发光层40和第一型半导体层30，使第一型半导体层30、第二型半导体层50和过渡层20在过程基板10上的投影面积逐渐增大；本实施例中，第一型半导体层30为P型掺杂半导体层或N型掺杂半导体层，第二型半导体层50的掺杂类型与第一型半导体层30的掺杂类型相反，即为N型掺杂半导体层或P型掺杂半导体层。本实施例对第一型半导体层30和第二型半导体层50的掺杂类型不作具体限定，可根据实际情况进行选择。

在本实施例中，可以通过蚀刻第一型半导体层30和发光层40的两侧边缘区域，露出部分第二型半导体层50，从而使第一型半导体层30在过程基板10上的投影面积小于第二型半导体层50在过程基板10上的投影面积；可以通过蚀刻第二型半导体层50的两侧边缘区域，露出部分过渡层20，从而使第二型半导体层50在过程基板10上的投影面积小于过渡层20在过程基板10上的投影面积。在上述两步蚀刻中，蚀刻的方法可以是干法蚀刻，也可以是湿法蚀刻，优选采用干法蚀刻。

在第一型半导体层30的顶面、侧面、发光层40的侧面、第二型半导体层50的侧面、部分顶面以及增透膜90的部分顶面上形成绝缘层60；本实施例中，绝缘层60可以是氮化硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氟化镁等单层膜，也可以是以上两种或多种膜交叠形成的复合膜。

在绝缘层60上形成第一过孔和第二过孔，形成方式可以为蚀刻；蚀刻的方法可以是干法蚀刻，也可以是湿法蚀刻，优选采用干法蚀刻。

设置第一电极71和第二电极72，使第一电极71通过第一过孔与第一型半导体层30电性连接，使第二电极72穿过第二过孔与第二型半导体层50电性连接。在本实施例中，第一电极71材料可以是P型电极，也可以是金属电极，第二电极72材料可以是N型电极，也可以是金属电极，其中，金属材料可以是金、镍、铂、锡、铝、钛、铝铜合金、锡/银/铜合金、金锡合金、锡合金或其他合金，本实施例对第一电极71和第二电极72的材料不作具体限定。

在第一电极71和第二电极72背离绝缘层60的一侧设置牺牲层81；本实施例中，牺牲层81的材料可以是金属材料，例如可以为钛、铝、银、钛钨等能够被碱性溶液蚀刻的金属材料，也可以为低温氮化硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛等氧化物材料。

图形化牺牲层81；本实施例中，图形化的方法可以是光刻加干法蚀刻或者光刻加湿法蚀刻，优选地，选择光刻加湿法蚀刻。

在牺牲层81上设置临时键合层82；本实施例中，临时键合层82可以为BCB胶、Si胶、UV胶或树脂等材料。

在临时键合层82上设置临时基板83；本实施例中，临时基板83可以是玻璃基板、蓝宝石基板、氮化铝基板或硅基板等。如图4所示，图4示出了微型发光二极管在与临时基板83键合后的结构示意图。

去除过程基板10和过渡层20；本实施例中，去除过程基板10的方法可以是湿法腐蚀、激光剥离等；去除过渡层20的方法可以是湿法蚀刻或干法蚀刻，优选地，采用湿法蚀刻。

在一种可能的实施方式中，在第二型半导体层50背离发光层40的一侧沉积增透膜90；本实施例中，增透膜90可以氮化硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氟化镁等单层膜，也可以是以上两种或多种膜交叠形成的复合膜。

图形化增透膜90，露出第一电极71的光电特性测试表面和第二电极72的光电特性测试表面，以便于测试微型发光二级管的光电特性；

去除牺牲层81，在牺牲层81的位置形成供拾取工具穿过的空间。本实施例中，去除牺牲层81能够使微型发光二极管形成悬空部位，便于在转移时被拾取，去除的方式为溶液腐蚀方式。

优选地，在一种可能的实施方式中，增透膜90为氮化硅膜或氧化硅膜，本实施例中将增透膜90设置为单层膜便于制作。

本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：

依次层叠设置的第二型半导体层、发光层、第一型半导体层，且所述第一型半导体层在所述第二型半导体层上的投影面积小于所述第二型半导体层的面积；

绝缘层，覆盖所述第一型半导体层的顶面和侧面、所述发光层的侧面、所述第二型半导体层的侧面和部分顶面，所述绝缘层中设置有第一过孔和第二过孔；

分别设置在所述绝缘层两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极通过所述第一过孔与所述第一型半导体层电性连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二型半导体层电性连接。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层的掺杂类型为P型或N型，所述第二型半导体层的掺杂类型与所述第一型半导体层的掺杂类型相反。

3.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极的至少部分顶面与所述第二电极的至少部分顶面相平齐。

4.根据权利要求1或3所述的微型发光二极管，其特征在于，还包括增透膜，所述增透膜设置在所述第二型半导体层背离所述发光层的一侧。

5.根据权利要求4所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的光电特性测试表面露出在所述增透膜外。

6.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一过孔位于所述第一型半导体层的顶面与所述第一电极之间，所述第二过孔位于所述第二型半导体层的顶面与所述第二电极之间。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，还包括第一电流扩展层和第二电流扩展层，所述第一电流扩展层设置在所述第一电极与所述第一型半导体层之间，所述第二电流扩展层设置在所述第二电极与所述第二型半导体层之间。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的微型发光二极管。

9.一种微型发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

提供过程基板；

在所述过程基板上形成过渡层；

在所述过渡层上依次层叠形成第二型半导体层、发光层和第一型半导体层，使所述第一型半导体层、所述第二型半导体层和所述过渡层在所述过程基板上的投影面积逐渐增大；

在所述第一型半导体层的顶面、侧面、所述发光层的侧面、所述第二型半导体层的侧面、部分顶面以及所述过渡层的部分顶面形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成第一过孔和第二过孔；

设置第一电极和第二电极，使第一电极通过所述第一过孔与所述第一型半导体层电性连接，使所述第二电极通过所述第二过孔与所述第二型半导体层电性连接；

在所述第一电极和所述第二电极背离所述绝缘层的一侧设置牺牲层；

图形化所述牺牲层；

在所述牺牲层上设置临时键合层；

在所述临时键合层上键合临时基板；

去除所述过程基板和所述过渡层。

10.根据权利要求9所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第一型半导体层背离所述发光层的一侧沉积增透膜；

图形化所述增透膜，露出所述第一电极的光电特性测试表面和所述第二电极的光电特性测试表面；

去除所述牺牲层，在所述牺牲层的位置形成供拾取工具穿过的空间。

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