TWI667786B - 發光二極體顯示器及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種發光二極體顯示器的製造方法，其包括以下步驟。提供包括多個驅動元件的基板。轉置多個發光單元於基板上，發光單元各自包括第一電極、第二電極和位於兩者之間的發光結構。於發光單元上分別形成相對應的第一導體結構。於基板上形成絕緣層，其覆蓋第一導體結構與第一電極且暴露出第二電極。於絕緣層上形成電性連接至第二電極的第二導體結構，其中發光單元包括多個第一和第二發光單元，第一發光單元之第一導體結構電性連接相對應的第一電極和驅動元件，且第二發光單元之第一導體結構電性連接相對應的第一電極和第二電極。
Description
本發明是有關於一種顯示器及其製造方法，且特別是有關於一種發光二極體顯示器及其製造方法。
隨著光電技術的演進，傳統的白熾燈泡與螢光燈管已逐漸被新一代的固態光源例如是發光二極體（light-emitting diode, LED）所取代，其具有諸如壽命長、體積小、高抗震性、高光效率及低功率消耗等優點，因此已經廣泛在家用照明及各種設備中作為光源使用。除了液晶顯示器的背光模組與家用照明燈具已廣泛採用發光二極體作為光源之外，近年來，發光二極體的應用領域已擴展至道路照明、大型戶外看板、交通號誌燈、UV固化及相關領域。發光二極體已經成為發展兼具省電及環保功能之光源的主要項目之一。
在LED領域中，微型發光二極體（micro LED）具有高亮度、高對比、體積小及低耗電等優點，因此近年來逐漸受到重視。當微型發光二極體應用於在顯示技術的領域中，以紅、藍、綠的微型發光二極體晶片當作顯示子畫素，將這些多個可獨立發光的微型發光二極體晶片排列成顯示畫面的顯示技術，即為微型發光二極體顯示器的技術。
一般來說，微型發光二極體顯示器是利用轉置技術來將微型發光二極體設置在主動陣列基板上，然而巨量轉置（mass transfer）製程容易出現對位不準或是電極橋接不良的問題，進而造成微型發光二極體的解析度無法提升及生產良率下降。
因此，如何改善電極橋接不良的問題，以提升發光二極體顯示器的解析度及生產良率，實為目前研發人員積極研究的課題之一。
本發明提供一種發光二極體顯示器及其製造方法，其能夠改善電極橋接不良的問題，使得發光二極體顯示器具有較好的生產良率同時可以使顯示器的解析度可以提升。
本發明的發光二極體顯示器的製造方法，其包括以下步驟：提供包括多個驅動元件的基板。轉置多個發光單元於基板上，發光單元各自包括第一電極、第二電極和位於第一電極與第二電極間之發光結構。分別形成相對應的第一導體結構於發光單元上，第一導體結構分別與相對應的第一電極電性連接。於基板上形成絕緣層，絕緣層覆蓋第一導體結構與第一電極且暴露出第二電極。以及於絕緣層上形成第二導體結構，使第二導體結構電性連接至第二電極，其中發光單元包括多個第一發光單元與多個第二發光單元，第一發光單元之第一導體結構電性連接相對應的第一電極和相對應的驅動元件，且第二發光單元之第一導體結構電性連接相對應的第一電極和相對應的第二電極。
在本發明的發光二極體顯示器，其包括基板、第一發光單元、第二發光單元、多個第一導體結構、第一絕緣層以及第二導體結構。基板包括驅動元件和共用電極。第一發光單元設置於基板上，且第一發光單元包括第一電極、第二電極和配置於第一電極與該第二電極之間的第一發光結構。第二發光單元設置於基板上，且第二發光單元包括第三電極、第四電極和配置於第三電極與第四電極之間的第二發光結構。多個第一導體結構分別設置於第一發光單元和第二發光單元上，且第一電極藉由相對應的第一導體結構與驅動元件電性連接，而第三電極藉由相對應的第一導體結構與第四電極和共用電極電性連接。第一絕緣層設置於基板上，且第一絕緣層覆蓋於第一電極之上。第二導體結構設置於第一絕緣層上且第二導體結構與第二電極和第四電極電性相連。
基於上述，在本發明的發光二極體顯示器及其製造方法中，發光單元包括多個第一發光單元與多個第二發光單元，其中第一發光單元的第一導體結構電性連接相對應的第一電極和相對應的驅動元件，且第二發光單元的第一導體結構電性連接相對應的第一電極和相對應的第二電極。如此一來，第二發光單元可用來當作從基板橋接至第一發光單元的導線，故可避免橋接線路在第一發光單元的爬坡處（例如側壁）產生斷線的問題，並且顯示區內用來設置橋接線路的空間也可縮減，致使發光二極體顯示器具有良好的解析度及生產良率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下將參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。另外，實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。此外，在各圖式中使用相似或相同的元件符號來標示相似或相同元件或特徵，且圖式中如有與前一圖相同的元件符號，則將省略其贅述。
圖1A至圖1D為本發明一實施例的發光二極體顯示器的製造方法的剖面示意圖。
首先，請參照圖1A，提供基板100。在本實施例中，基板100可包括多個驅動元件TFT，亦即，基板100可作為顯示器的驅動陣列基板。驅動元件TFT可以是主動元件或是被動元件。舉例來說，主動元件可以是薄膜電晶體；而被動元件可以是二極體。在本實施例中，基板100可包括基材S、絕緣層IL1、多個驅動元件TFT以及多個接觸窗C1。
在本實施例中，驅動元件TFT可設置於基材S上。基材S之材料可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其它可適用的材料）或是其它可適用的材料。若基材S使用導電材料或金屬時，則在基材S上覆蓋一層絕緣層（未繪示），以避免短路問題。在一些實施例中，基材S還可包括用來當作緩衝層之無機材料，例如氮化矽（SiNx）、氧化矽（SiOx）或其組合。
在本實施例中，絕緣層IL1可設置於基材S上且覆蓋驅動元件TFT。在一些實施例中，絕緣層IL1的材料可以是無機介電材料、有機介電材料或其組合。舉例來說，無機介電材料可以是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合；有機介電材料可以是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料。
接觸窗C1可設置於絕緣層IL1中，其可用來電性連接驅動元件TFT和後續轉置於基板100上的發光單元EU1（即第一發光單元）。接觸窗C1的材料可以是導電材料，例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或其組合。
在一些實施例中，基板100還可包括共用電極CE，其可與後續轉置於基板100上的發光單元EU2（即第二發光單元）電性連接。在本實施例中，共用電極CE可設置於基材S上且被絕緣層IL1所覆蓋，並且共用電極CE可藉由接觸窗C2電性連接至後續轉置於基板100上的發光單元EU2（即第二發光單元），但本發明不以此為限。在其他實施例中，共用電極CE也可設置於絕緣層IL1之上或是其他適當的位置，本發明不以此為限。接觸窗C2的材料可以是導電材料，例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或其組合。
接著，轉置多個發光單元EU1、EU2於基板100上。在本實施例中，發光單元EU1和發光單元EU2可分別位於基板100的顯示區AA和周邊區PA中（周邊區PA可環繞顯示區AA），如此可提升面內畫素面積的分佈效率，而且在轉置製程時，周邊區PA可單獨轉置不同的發光單元或採用不同的畫素間距（pitch），進而提升使用性。在其他實施例中，發光單元EU1和發光單元EU2也可都位於基板100的顯示區AA中，如此可提升發光單元EU1、EU2於顯示區AA中的均勻性，以減少電阻電容負載（RC loading）。在一些實施例中，可藉由微拾取陣列（micro pick up array）形式將各個發光單元EU1、EU2轉置於基板100上。舉例來說，可採用微機械裝置（例如真空吸頭）或者圖章（PDMS）轉印等方法將各個發光單元EU1、EU2轉置於基板100上。在一些實施例中，可採用以下步驟形成發光單元EU1、EU2並將其轉置於基板100上。首先，可採用磊晶的方式將發光單元EU1、EU2形成於生長基板（例如藍寶石基板）上。接著，利用微拾取陣列將各個發光單元EU1、EU2轉置於基板100上。之後，再以雷射剝除技術（laser lift-off technology）移除生長基板。發光單元EU1、EU2的尺寸可為微米或奈米等級。舉例來說，發光單元EU1、EU2為微型發光二極體（μLED），其尺寸介於5 μm
2至400 μm
2之間。
發光單元EU1、EU2可各自包括第一電極E1、第二電極E2和位於第一電極E1與第二電極E2間之發光結構LES。在本實施例中，發光單元EU1、EU2的第一電極E1與第二電極E2可皆配置於發光結構LES之遠離基板100的表面上，亦即，發光單元EU1、EU2可以是水平式發光二極體。
發光結構LES可包括第一半導體層SE1、主動層EL以及第二半導體層SE2。主動層EL位於第一半導體層SE1和第二半導體層SE2之間，且第一電極E1與第一半導體層SE1電性連接，而第二電極E2則與第二半導體層SE2電性連接。在一些實施例中，第一半導體層SE1與第二半導體層SE2彼此電性相反。舉例來說，第一半導體層SE1為P型摻雜半導體層與N型摻雜半導體層中的其中一者；而第二半導體層SE2為P型摻雜半導體層與N型摻雜半導體層中的其中另一者。P型摻雜半導體層的材料例如是P型氮化鎵（p-GaN）。N型摻雜半導體層的材料例如是N型氮化鎵（n-GaN）。
在一些實施例中，主動層EL可以是由多層井層（well layer）與多層阻障層（barrier layer）所交替堆疊而構成的多重量子井層（multiple quantum well, MQW），但本發明不以此為限。在另一些實施例中，主動層EL的結構也可為第一半導體層SE1與第二半導體層SE2之電子電洞交匯形成的結合區。在其他實施例中，主動層EL還可為單一量子井層（single quantum well, SQW）。在本實施例中，主動層EL可為多重量子井層，其中多重量子井層中的井層可以是氮化銦鎵層（InGaN），且多重量子井層中的阻障層可以是氮化鎵層（GaN）。在井層相對於阻障層具有較低能隙的情況下，阻障層可限制電子和電洞於井層中結合以發射出光子。
在一些實施例中，發光單元EU1、EU2包括絕緣層IL2，其形成於第一半導體層SE1、第二半導體層SE2以及主動層EL的側壁，如此可確保電子和電洞於主動層EL中結合，藉此提升發光效率。絕緣層IL2的材料可以是無機介電材料，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合。絕緣層IL2的形成方法例如是先於生長基板上形成覆蓋第一電極E1、第二電極E2和發光結構LES的絕緣材料層（未繪示）。接著，移除部分絕緣材料層以形成暴露第一電極E1和第二電極E2的絕緣層IL2。絕緣材料層的形成方法例如是化學氣相沉積法（chemical vapor deposition, CVD）、原子層沉積法（atomic layer deposition, ALD）或其組合。移除部分絕緣材料層的方法例如是乾蝕刻、溼蝕刻或其組合。
第一電極E1和第二電極E2的材料可為透明導電材料、非透明導電材料或是能夠反射可見光之導電材料。舉例來說，透明導電材料可以是銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）、鋁錫氧化物（ATO）或鋁鋅氧化物（AZO）等金屬氧化物；非透明導電材料可以是鉭（Ta）、鉻（Cr）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、鋁（Al）等金屬材料；而能夠反射可見光之導電材料例如鋁（Al）、銀（Ag）、鉻（Cr）、銅（Cu）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉬（Mo）、鎂（Mg）、鉑（Pt）、金（Au）或其組合。在一些實施例中，第一電極E1和第二電極E2中的至少一者具有反射光線路徑之功能。
然後，請參照圖1B，分別形成相對應的第一導體結構CS1於發光單元EU1、EU2上，其中第一導體結構CS1分別與相對應的第一電極E1電性連接。在本實施例中，設置於發光單元EU1（即第一發光單元）上的第一導體結構CS1電性連接相對應的第一電極E1和相對應的驅動元件TFT；而設置於發光單元EU2（即第二發光單元）上的第一導體結構CS1電性連接相對應的第一電極E1和相對應的第二電極E2。換句話說，發光單元EU2為虛設發光二極體（dummy LED），其可作為用來電性連接發光單元EU1之第二電極E2的導電結構，在發光單元EU1和發光單元EU2的形狀和尺寸近似相同的情況下（兩者可由同一製程同時形成），發光單元EU2和後續形成之第二導體結構CS2可用來當作從基板100橋接至發光單元EU1的導線，故可避免橋接線路在發光單元EU1的爬坡處（例如側壁）產生斷線的問題，並且顯示區AA內用來設置橋接線路的空間也可縮減，致使發光二極體顯示器具有良好的解析度及生產良率。
第一導體結構CS1的材料可以是透明導電材料或是非透明導電材料。舉例來說，透明導電材料可以是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鍺鋅氧化物等金屬氧化物；而非透明導電材料可以是鉭、鉻、鉬、鈦、鋁等金屬材料或複合物。
在一些實施例中，發光單元EU1中的第一電極E1可藉由設置在其上的第一導體結構CS1和設置在基板100中的接觸窗C1來電性連接驅動元件TFT；而發光單元EU1中的第一電極E1和第二電極E2可藉由設置在其上的第一導體結構CS1和設置在基板100中的接觸窗C2來電性連接共用電極CE。
而後，請參照圖1C，在基板100上形成絕緣層IL3以覆蓋第一導體結構CS1與第一電極E1並且暴露出第二電極E2。在一些實施例中，絕緣層IL3可直接覆蓋於第一導體結構CS1與第一電極E1之上。在另一些實施例中，絕緣層IL3也可間接覆蓋於第一導體結構CS1與第一電極E1之上（例如絕緣層IL3與第一導體結構CS1之間還存在其他膜層）。絕緣層IL3的材料可以是有機介電材料，例如聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、壓克力系樹脂等高分子材料或其他適合的光阻材料。絕緣層IL3的形成方法例如是先以旋塗（spin coating）的方式將絕緣材料層形成於基板100上並覆蓋發光單元EU1、EU2。接著，移除部分絕緣材料層以形成暴露第二電極E2的絕緣層IL3。移除部分絕緣材料層的方法例如是乾蝕刻、溼蝕刻或其組合。
請參照圖1D，在絕緣層IL3上形成第二導體結構CS2，使得第二導體結構CS2電性連接至第二電極E2。也就是說，發光單元EU2和第二導體結構CS2可作為從基板100橋接至發光單元EU1的導線。如此一來，在發光單元EU1和發光單元EU2的形狀和尺寸近似相同的情況下（兩者可由同一製程同時形成），第二導體結構CS2可良好地形成於絕緣層IL3之上並與發光單元EU1的第二電極E2電性連接，避免橋接線路形成於發光單元EU1的側壁時易產生斷線的問題，且顯示區AA內用來設置橋接線路的空間也可縮減，致使發光二極體顯示器LED具有良好的解析度。
除此之外，由於第二導體結構CS2可良好地形成於相對平坦的絕緣層IL3上，而不需形成於發光單元EU1的側壁，故可降低第二導體結構CS2的厚度，以提升發光二極體顯示器LED的出光效率（一般來說，橋接線路需具有足夠的厚度來避免其於爬坡處易產生斷線的問題）。另外，發光單元EU2和第二導體結構CS2所構成之橋接線路能夠使電阻降低，故可進一步減少第二導體結構CS2的厚度，以提升發光二極體顯示器LED的出光效率。此外，由於發光單元EU2（即第二發光單元）位於周邊區PA的設計，可使畫素面積的分布比率改變，因此可提升發光二極體顯示器的高解析度畫素設計；且進行發光單元EU2轉置步驟時，周邊區PA可轉置不同的發光單元或設定不同的畫素間距，進而提升發光二極體顯示器的使用性。
第二導體結構CS2的材料可以是透明導電材料。舉例來說，透明導電材料可以是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物或鋁鋅氧化物等金屬氧化物。
基於上述，由於設置在發光單元EU1上的第一導體結構CS1電性連接相對應的第一電極E1和相對應的驅動元件TFT；而設置在發光單元EU2上的第一導體結構CS1電性連接相對應的第一電極E1和相對應的第二電極E2。如此一來，發光單元EU1可用來當作從基板100橋接至發光單元EU2的導線，故可避免橋接線路在發光單元EU1的爬坡處（例如側壁）易產生斷線的問題，致使發光二極體顯示器LED具有良好的解析度及生產良率。
圖2為本發明一實施例的發光二極體顯示器的俯視圖。圖3為本發明另一實施例的發光二極體顯示器的俯視圖。圖4為本發明又一實施例的發光二極體顯示器的俯視圖。
以下，將藉由圖1D和圖2來說明上述實施例的發光二極體顯示器LED1，相同或相似元件使用相同或相似標號，其材料、製程及功效已於前文中進行詳盡地描述，故於下文中不再重複贅述。此外，本實施例的發光二極體顯示器LED1的製造方法雖然是以上述製程步驟為例進行說明，但本發明的發光二極體顯示器的製造方法並不以此為限。
請參照圖1D，發光二極體顯示器LED1可包括基板100、發光單元EU1（即第一發光單元）、發光單元EU2（即第二發光單元）、多個第一導體結構CS1、絕緣層IL3（即第一絕緣層）和第二導體結構CS2。基板100可包括驅動元件TFT和共用電極CE。發光單元EU1設置於基板100上，且發光單元EU1包括第一電極E1、第二電極E2和配置於第一電極E1與第二電極E2間之發光結構LES（即第一發光結構）。發光單元EU2設置於基板100上，且發光單元EU2包括第三電極（即上述發光單元EU2的第一電極E1）、第四電極（即上述發光單元EU2的第二電極E2）和配置於第三電極與第四電極間之發光結構LES（即第二發光結構）。第一導體結構CS1分別設置於發光單元EU1和發光單元EU2上，且第一電極E1藉由相對應的第一導體結構CS1與驅動元件TFT電性連接，而第三電極（即上述發光單元EU2的第一電極E1）藉由相對應的第一導體結構CS1與第四電極（即上述發光單元EU2的第二電極E2）和該共用電極CE電性連接。絕緣層IL3設置於基板100上，且絕緣層IL3覆蓋於第一電極E1之上。第二導體結構CS2設置於絕緣層IL3上且第二導體結構CS2與第二電極E2和第四電極（即上述發光單元EU2的第二電極E2）電性相連。
在一些實施例中，第一電極E1與第二電極E2設置於發光結構LES之遠離基板100的表面上。在另一些實施例中，上述的第三電極（即上述發光單元EU2的第一電極E1）與第四電極（即上述發光單元EU2的第二電極E2）也可設置於發光單元EU2之發光結構LES的遠離基板100的表面上。
在本實施例中，發光單元EU1、EU2的發光結構LES可分別包括第一半導體層SE1、第二半導體層SE2和設置於第一半導體層SE1和第二半導體層SE2之間的主動層EL。
在一些實施例中，發光二極體顯示器LED1還可包括絕緣層IL2（即第二絕緣層），其設置於第一半導體層SE1、第二半導體層SE2和主動層EL的側壁。
請同時參照圖1D和圖2，在本實施例中，基板100具有顯示區AA和圍繞顯示區AA的周邊區PA，其中發光單元EU1設置在顯示區AA內，且發光單元EU2設置在周邊區PA內。在另一些實施例中，發光單元EU1和發光單元EU2皆設置在顯示區AA內，例如發光單元EU2（在此可以是虛設發光二極體）設置在相鄰的兩個發光單元EU1之間（如圖3和圖4所示），但本發明不以此為限，發光單元EU1和發光單元EU2的相對配置位置能依照需求進行調整。
圖5為本發明的再一實施例的發光二極體顯示器的剖面示意圖，其中發光二極體顯示器LED2大致相同於發光二極體顯示器LED1，其不同之處在於發光二極體顯示器LED2的絕緣層IL3’覆蓋於發光單元EU1的第一電極E1並暴露發光單元EU2的第一電極E1，故相同或相似元件使用相同或相似標號，其餘構件之連接關係、材料及其製程已於前文中進行詳盡地描述，故於下文中不再重複贅述。
請參照圖5，發光二極體顯示器LED2的絕緣層IL3覆蓋於發光單元EU1的第一電極E1並暴露發光單元EU2的第一電極E1，因此，對於發光單元EU2而言，第二導體結構CS2’可覆蓋於發光單元EU2的第一電極E1上並與其直接接觸，如此可進一步降低由發光單元EU2和第二導體結構CS2’所構成之橋接線路的電阻，藉此降低第二導體結構CS2’於發光單元EU1上的厚度，進而提升發光二極體顯示器LED2的出光效率。
圖6為本發明的再一實施例的發光二極體顯示器的剖面示意圖，其中發光二極體顯示器LED3大致相同於發光二極體顯示器LED1，其不同之處在於發光二極體顯示器LED3的第一電極E1’設置於發光結構LES之鄰近基板100的表面上，而第二電極E2則設置於發光結構LES之遠離基板100的表面上，故相同或相似元件使用相同或相似標號，其餘構件之連接關係、材料及其製程已於前文中進行詳盡地描述，故於下文中不再重複贅述。
請參照圖6，發光二極體顯示器LED3的第一電極E1’設置於發光結構LES之鄰近基板100的表面上，而第二電極E2則設置於發光結構LES之遠離基板100的表面上，如此可進一步提升發光二極體顯示器LED3的出光效率。在本實施例中，發光單元EU1和發光單元EU2的第一電極E1’（亦即第一電極和第三電極）皆形成於發光結構LES之鄰近基板100的表面上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，也可只有發光單元EU1的第一電極E1’形成於發光結構LES之鄰近基板100的表面。在本實施例中，第一導體結構CS1可覆蓋於被發光結構LES所暴露的第一電極E1’之上。
在本實施例中，發光單元EU1、EU2的形成方法例如是先於生長基板上依序形成發光結構LES和第二電極E2。接著，翻轉上述的發光結構LES1和第二電極E2，並將第一電極E1’形成於第一半導體層SE1的表面上，以形成發光單元EU1、EU2。
綜上所述，在上述實施例的發光二極體顯示器及其製造方法中，發光單元包括多個第一發光單元與多個第二發光單元，其中第一發光單元的第一導體結構電性連接相對應的第一電極和相對應的驅動元件，且第二發光單元的第一導體結構電性連接相對應的第一電極和相對應的第二電極。如此一來，第二發光單元可用來當作從基板橋接至第一發光單元的導線，故可避免橋接線路在第一發光單元的爬坡處（例如側壁）產生斷線的問題，並且顯示區內用來設置橋接線路的空間也可縮減，致使發光二極體顯示器具有良好的解析度及生產良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧基板
S‧‧‧基材
TFT‧‧‧驅動元件
C1、C2‧‧‧接觸窗
IL1、IL2、IL3、IL3’‧‧‧絕緣層
CE‧‧‧共用電極
EU1、EU2‧‧‧發光單元
E1、E1’‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
LES‧‧‧發光結構
SE1‧‧‧第一半導體層
SE2‧‧‧第二半導體層
EL‧‧‧主動層
CS1‧‧‧第一導體結構
CS2、CS2’‧‧‧第二導體結構
AA‧‧‧顯示區
PA‧‧‧周邊區
LED1、LED2、LED3‧‧‧發光二極體顯示器
圖1A至圖1D為本發明一實施例的發光二極體顯示器的製造方法的剖面示意圖。 圖2為本發明一實施例的發光二極體顯示器的俯視圖。 圖3為本發明另一實施例的發光二極體顯示器的俯視圖。 圖4為本發明又一實施例的發光二極體顯示器的俯視圖。 圖5為本發明再一實施例的發光二極體顯示器的剖面示意圖。 圖6為本發明再一實施例的發光二極體顯示器的剖面示意圖。
Claims (15)
- 一種發光二極體顯示器的製造方法，包括： 提供一基板，該基板包括多個驅動元件； 轉置多個發光單元於該基板上，該些發光單元各自包括一第一電極、一第二電極和位於該第一電極與該第二電極間之一發光結構； 分別形成相對應的一第一導體結構於該些發光單元上，該些第一導體結構分別與相對應的該第一電極電性連接； 於該基板上形成一絕緣層，該絕緣層覆蓋該些第一導體結構與該些第一電極且暴露出該些第二電極；以及 於該絕緣層上形成一第二導體結構，使該第二導體結構電性連接至該些第二電極， 其中該些發光單元包括多個第一發光單元與多個第二發光單元，該些第一發光單元之該些第一導體結構電性連接相對應的該第一電極和相對應的該驅動元件，且該些第二發光單元之該些第一導體結構電性連接相對應的該第一電極和相對應的該第二電極。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器的製造方法，其中轉置該些發光單元為藉由一微拾取陣列形式將該些發光單元設置於該基板上。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器的製造方法，其中各該發光單元之該第一電極與該第二電極皆配置於該發光結構之遠離該基板的表面上。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器的製造方法，其中該些第一電極形成於該些發光結構之鄰近該基板的表面上，該些第二電極形成於該些發光結構之遠離該基板的表面上，且該些第一導體結構覆蓋於被該些發光結構所暴露的該些第一電極之上。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器的製造方法，其中該些發光結構各自包括一第一半導體層、一主動層以及一第二半導體層，該主動層位於該第一半導體層與該第二半導體層之間，且該第一電極與該第一半導體層電性連接，該第二電極與該第二半導體層電性連接。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體顯示器的製造方法，其中該基板更包括： 一共用電極，電性連接該些第二發光單元之該些第一導體結構。
- 一種發光二極體顯示器，包括： 一基板，包括一驅動元件和一共用電極； 一第一發光單元，設置於該基板上，該第一發光單元包括一第一電極、一第二電極和配置於該第一電極與該第二電極間之一第一發光結構； 一第二發光單元，設置於該基板上，該第二發光單元包括一第三電極、一第四電極和配置於該第三電極與該第四電極間之一第二發光結構； 多個第一導體結構，分別設置於該第一發光單元和該第二發光單元上，且該第一電極藉由相對應的第一導體結構與該驅動元件電性連接，而該第三電極藉由相對應的第一導體結構與該第四電極和該共用電極電性連接； 一第一絕緣層，設置於該基板上，該第一絕緣層覆蓋於該第一電極之上；以及 一第二導體結構，設置於該第一絕緣層上且該第二導體結構與該些第二電極和該些第四電極電性相連。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體顯示器，其中該第一電極與該第二電極設置於該第一發光結構之遠離該基板的表面上。
- 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體顯示器，其中該第三電極與該第四電極設置於該第二發光結構之遠離該基板的表面上。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體顯示器，其中該第一電極設置於該第一發光結構之鄰近該基板的表面上，該第二電極設置於該第一發光結構之遠離該基板的表面上，且該第一導體結構覆蓋於被該第一發光結構所暴露的該第一電極之上。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體顯示器，其中該第一發光結構和該第二發光結構分別包括： 一第一半導體層； 一第二半導體層；以及 一主動層，設置於該第一半導體層和該第二半導體層之間。
- 如申請專利範圍第11項所述的發光二極體顯示器，更包括： 一第二絕緣層，設置於該第一半導體層、該第二半導體層以及該主動層的側壁。
- 如申請專利範圍第11項所述的發光二極體顯示器，其中該主動層包括量子井結構。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體顯示器，該基板具有一顯示區和一周邊區，該周邊區圍繞該顯示區，其中該第一發光單元與該第二發光單元皆設置在該顯示區內。
- 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體顯示器，該基板具有一顯示區和一周邊區，該周邊區圍繞該顯示區，其中該第一發光單元設置在該顯示區內，且該第二發光單元設置在該周邊區內。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201236138A (en) * | 2011-02-14 | 2012-09-01 | Cree Inc | Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201517262A (zh) * | 2010-06-04 | 2015-05-01 | Samsung Display Co | 製造有機發光二極體顯示器之方法 |
| TW201236138A (en) * | 2011-02-14 | 2012-09-01 | Cree Inc | Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies |
| TW201701458A (zh) * | 2015-06-16 | 2017-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體顯示器及其製造方法 |
| TW201719881A (zh) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | 三星顯示器有限公司 | 有機發光二極體顯示器及其製造方法 |
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