TW201517262A - 製造有機發光二極體顯示器之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種有機發光二極體(OLED)顯示器及其製造方法，該OLED顯示器包含：一基板主體；一多晶矽層圖樣，其包含一被形成在該基板主體之上的多晶主動層和一第一電容器電極；一閘極絕緣層圖樣，其會被形成在該多晶矽層圖樣之上；一第一導體層圖樣，其包含一閘極電極和一第二電容器電極，它們係被形成在該閘極絕緣層圖樣之上；一層間絕緣層圖樣，其係被形成在該第一導體層圖樣之上；以及一第二導體層圖樣，其包含一源極電極、一汲極電極以及一像素電極，它們係被形成在該層間絕緣層圖樣之上。該閘極絕緣層圖樣會與該多晶矽層圖樣及該第一導體層圖樣中的任一者同時被圖樣化。

Description

製造有機發光二極體顯示器之方法
本發明的觀點大體上關於一種有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示器及其製造方法。更明確地說，本文所述的技術大體上關於一種有機發光二極體(OLED)顯示器及其製造方法，其中，其結構和製造方法已被簡化。
有機發光二極體(OLED)顯示器係一種自發光顯示裝置，其會藉由使用一會發光的有機發光二極體來顯示影像。光係由激子從激昇狀態處跌落時所產生的能量來產生。激子則係藉由結合一有機發射層中的電子和電洞來產生。該有機發光二極體(OLED)顯示器會利用該被產生的光來顯示影像。
ㄧ般來說，有機發光二極體(OLED)顯示器係藉由八個或更多個遮罩經由光微影術製程所製成。然而，隨著有機發光二極體(OLED)顯示器逐漸變大以及遮罩數量增加，問題隨之產生，因為製造的生產力可能會變差。
上面在先前技術段落中所揭示的資訊僅係為增強對本文所述技術之背景的瞭解，且所以，其可能含有並不構成本國中熟習本技術的人士已知的先前技術的資訊。
本發明的觀點提供一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其具有一種簡單結構，俾便減少製造過程中所使用的光微影術製程的數量。此外，本發明的觀點還提供一種製造該OLED顯示器的方法。
根據本發明的觀點，一種OLED顯示器包含：一基板主體；一多晶矽層圖樣，其包含一被形成在該基板主體之上的多晶主動層和一第一電容器電極；一閘極絕緣層圖樣，其會被形成在該多晶矽層圖樣之上；一第一導體層圖樣，其包含一閘極電極和一第二電容器電極，它們係被形成在該閘極絕緣層圖樣之上；一層間絕緣層圖樣，其係被形成在該第一導體層圖樣之上；以及一第二導體層圖樣，其包含一源極電極、一汲極電極以及一像素電極，它們係被形成在該層間絕緣層圖樣之上。該閘極絕緣層圖樣可以與該多晶矽層圖樣及該第一導體層圖樣中的任一者同時以相等的方式被圖樣化。
根據本發明的另一項觀點，該閘極絕緣層圖樣具有複數個接觸孔，用以露出該多晶矽層圖樣的一部分，且其中，該閘極絕緣層圖樣可和該多晶矽層圖樣以相同的圖樣被形成。
根據本發明的另一項觀點，該第一導體層圖樣可能包含一第一金屬層，且其中，該第二導體層圖樣可能包含一透明導體層以及一被形成在該透明導體層的一部分的一區域之上的第二金屬層。
根據本發明的另一項觀點，該層間絕緣層圖樣可能具有用以露出該第一導體層圖樣之一部分的多個接觸孔以及用以配合該閘極絕緣層圖樣來露出該多晶矽層圖樣之一部分的多個接觸孔。
根據本發明的另一項觀點，該閘極絕緣層圖樣可和該第一導體層圖樣以相同的圖樣被形成。
根據本發明的另一項觀點，該第一導體層圖樣可能包含一已摻雜的非晶矽層以及該第一金屬層，其中，該第一金屬層會被形成在該已摻雜的非晶矽層之上，且其中，該第二導體層圖樣可能包含該透明導體層以及被形成在該透明導體層之一部分的一區域之上的該第二金屬層。
根據本發明的另一項觀點，該層間絕緣層圖樣可能具有用以露出該第一導體層圖樣之一部分的多個接觸孔，且其中，該層間絕緣層圖樣具有用以配合該閘極絕緣層圖樣來露出該多晶矽層圖樣之一部分的多個開口區域。
根據本發明的另一項觀點，該OLED顯示器可能進一步包含：一像素定義膜，其具有一用以露出該像素電極之一部分的開口，該像素定義膜係被形成在該第二導體層圖樣之上；一有機發射層，其係被形成在該像素電極之上；以及一共同電極，其係被形成在該有機發射層之上。
根據本發明的另一項觀點，該源極電極和該汲極電極可能包含該透明導體層和該第二金屬層，而且該像素電極可能包含該透明導體層。
根據本發明的另一項觀點，該源極電極、該汲極電極、以及該像素電極可能各包含該透明導體層。
根據本發明的另一項觀點，該第一導體層圖樣可能進一步包含一資料線和一共同電力線。
根據本發明的另一項觀點，該第二導體層圖樣可能進一步包含一閘極線和一連接線。
根據本發明的另一項觀點，該層間絕緣層可能包含第一層間絕緣層以及第二層間絕緣層，且其中，該第二層間絕緣層的折射率不同於該第一層間絕緣層的折射率。
根據本發明的另一項觀點，該層間絕緣層可能包含各種無機膜和有機膜中的至少其中一者。
根據本發明的觀點，提供一種製造一有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，其包含：製備一基板主體；在該基板主體之上依序層疊一多晶矽層、一閘極絕緣層以及一第一金屬層；藉由圖樣化該多晶矽層、該閘極絕緣層以及該第一金屬層來形成一多晶矽層圖樣、一閘極絕緣層圖樣以及一第一導體層圖樣；在該第一導體層圖樣之上形成一層間絕緣層圖樣；以及在該閘極絕緣層圖樣之上形成一第二導體層圖樣。該多晶矽層圖樣可能包含該多晶主動層和該第一電容器電極，其中，該閘極絕緣層圖樣具有用以露出該多晶矽層圖樣之一部分的複數個接觸孔並且會以和該多晶矽層圖樣相同的圖樣被形成，且其中，該第一導體層圖樣包含該閘極電極和該第二電容器電極，它們會被形成在該閘極絕緣層圖樣之上。
根據本發明的另一項觀點，該多晶矽層圖樣、該閘極絕緣層圖樣以及該第一導體層圖樣可以使用一雙重曝光或是半色調曝光製程經由一光微影術製程一起被形成。
根據本發明的另一項觀點，該層間絕緣層圖樣可能具有用以露出該第一導體層圖樣之一部分的多個接觸孔，且其中，該層間絕緣層具有用以配合該閘極絕緣層圖樣來露出該多晶矽層圖樣之一部分的多個接觸孔。
根據本發明的另一項觀點，該源極電極和該汲極電極可各自被連接至該多晶主動層中經由該層間絕緣層圖樣和該閘極絕緣層圖樣露出的部分的一區域。
根據本發明的另一項觀點，該第一導體層圖樣包含一資料線和一共同電力線。
根據本發明的另一項觀點，該第二導體層圖樣之形成可能包含：在該層間絕緣層之上依序層疊該透明導體層和該第二金屬層；形成包含該透明導體層和該第二金屬層的源極電極和汲極電極；以及藉由一起圖樣化該透明導體層和該第二金屬層來形成包含該透明導體層的像素電極。
根據本發明的另一項觀點，該製造OLED顯示器的方法可能包含在形成該第二導體層圖樣之前先在該多晶矽層之一部分的一區域中摻雜一n型或p型雜質。
根據本發明的另一項觀點，該第二導體層圖樣之形成可能包含：在該層間絕緣層之上依序層疊該透明導體層和該第二金屬層；以及藉由一起圖樣化該透明導體層和該第二金屬層來形成包含該透明導體層的該源極電極和汲極電極以及該像素電極。
根據本發明的另一項觀點，該製造OLED顯示器的方法可能包含在形成該第二導體層圖樣之後在該多晶矽層之一部分的一區域中摻雜一n型或p型雜質。
根據本發明的另一項觀點，該製造OLED顯示器的方法可能進一步包含：在該第二導體層圖樣之上形成該像素定義膜，其具有一用以露出該像素電極之一部分的開口；在該像素電極之上形成一有機發射層；以及在該有機發射層之上形成一共同電極。
根據本發明的另一項觀點，該第二導體層圖樣可能進一步包含一閘極線和一連接線。
根據本發明的另一項觀點，該層間絕緣層圖樣可能包含第一層間絕緣層以及第二層間絕緣層，其中，該第二層間絕緣層的折射率不同於該第一層間絕緣層的折射率。
根據本發明的另一項觀點，該層間絕緣層可能包含各種無機膜和有機膜中的至少其中一者。
根據本發明的觀點， 提供一種製造一有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，其包含：製備一基板主體；在該基板主體之上依序層疊一多晶矽層、一閘極絕緣層、一已摻雜的非晶矽層以及一第一金屬層；形成該多晶矽層圖樣，其包含該多晶主動層以及該第一電容器電極；形成一閘極絕緣層中間物，其係被形成在該多晶矽層圖樣之上；藉由一起圖樣化該多晶矽層、該閘極絕緣層、該已摻雜的非晶矽層以及該第一金屬層來形成一第一導體層中間物，其係被形成在該閘極絕緣層中間物之上；在該第一導體層中間物之上形成一層間絕緣層；藉由圖樣化該第一導體層圖樣中間物和該層間絕緣層來形成會露出該閘極絕緣層中間物之一部分的一第一導體層圖樣和一層間絕緣層圖樣；藉由蝕刻經由該第一導體層圖樣和該層間絕緣層圖樣露出的該閘極絕緣層中間物來形成一會露出該多晶主動層之一部分的閘極絕緣層圖樣；以及在該多晶主動層和該層間絕緣層圖樣之上形成一第二導體層圖樣。
根據本發明的另一項觀點，該第一導體層圖樣可能包含一閘極電極和一第二電容器電極，其中，該第一導體層圖樣可能係由該已摻雜的非晶矽層和該第一金屬層所構成。
根據本發明的另一項觀點，該第一導體層圖樣可能進一步包含一資料線和一共同電力線。
根據本發明的另一項觀點，該層間絕緣層圖樣可能具有用以露出該第一導體層圖樣之一部分的多個接觸孔以及用以配合該閘極絕緣層圖樣來露出該多晶矽層圖樣之一部分的多個開口區域。
根據本發明的另一項觀點，該源極電極和該汲極電極可各自被連接至該多晶主動層中經由該層間絕緣層圖樣和該閘極絕緣層圖樣露出的部分的一區域。
根據本發明的另一項觀點，該第二導體層圖樣之形成可能包含：在該層間絕緣層之上依序層疊該透明導體層和該第二金屬層；以及藉由一起圖樣化該透明導體層和該第二金屬層來形成一源極電極、一汲極電極以及一像素電極，其中，該源極電極和該汲極電極包含該透明導體層和該第二金屬層，且其中，該像素電極包含該透明導體層。
根據本發明的另一項觀點，該製造OLED顯示器的方法可能包含在形成該第二導體層圖樣之前先在該多晶矽層之一部分的一區域中摻雜一n型或p型雜質。
根據本發明的另一項觀點，該第二導體層圖樣之形成可能包含：在該層間絕緣層之上依序層疊該透明導體層和該第二金屬層；以及藉由一起圖樣化該透明導體層和該第二金屬層來形成全部包含該透明導體層的一源極電極、一汲極電極以及一像素電極。
根據本發明的另一項觀點，該製造OLED顯示器的方法可能包含在形成該第二導體層圖樣之後在該多晶矽層之一部分的一區域中摻雜一n型或p型雜質。
根據本發明的另一項觀點，該製造OLED顯示器的方法可能進一步包含：在該第二導體層圖樣之上形成一像素定義膜，其具有一用以露出一像素電極之一部分的開口；在該像素電極之上形成一有機發射層；以及在該有機發射層之上形成一共同電極。
根據本發明的另一項觀點，該第二導體層圖樣可能進一步包含一閘極線和一連接線。
根據本發明的另一項觀點，該層間絕緣層圖樣可能包含第一層間絕緣層以及第二層間絕緣層，其中，該第二層間絕緣層的折射率不同於該第一層間絕緣層的折射率。
根據本發明的另一項觀點，該層間絕緣層可能包含各種無機膜和有機膜中的至少其中一者。
根據本發明的觀點，該OLED顯示器可能具有一種簡單的結構，俾便減少製造過程中所使用的光微影術製程的數量。此外，本發明的一示範性實施例還提供一種製造一有機發光二極體(OLED)顯示器的方法。
在後面的說明中將會部分提出本發明的額外觀點及/或優點，而且，從該說明中便很容易明白其一部分，或者，藉由實行本發明便可以習得。
現在將詳細說明本發明的實施例，該等實施例的範例圖解在隨附的圖式中，其中，全文中，相同的元件符號表示相同的元件。下面會參考圖式來解釋該等實施例以便達到解釋本發明的目的。
如本文中的用法，當提到一第一元件、物件、或是層被設置在或是被形成在一第二元件、物件、或是層「之上」或「旁邊」時，該第一元件、物件、或是層可能直接接觸該第二元件、物件、或是層，或者可能藉由位於它們之間的一或多個其它元件、物件、或是層而與該第二元件、物件、或是層分離。相反地，當一元件、物件、或是層被指為「直接」被設置在或是被形成在另一元件、物件、或是層「之上」時，則不會有任何中間元件、物件、或是層存在。
下文中，將參考圖1和圖2來說明根據本發明一實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器101。如圖1和圖2中所示，該有機發光二極體(OLED)顯示器101包含被形成在一基板主體111上每一個像素之上的薄膜電晶體10和20、OLED 70、以及電容器90。像素係該OLED顯示器101用來顯示影像的最小單元。
此外，該OLED顯示器101還進一步包含：一沿著其中一個方向被設置的閘極線171；一於絕緣狀態中交越該閘極線171的資料線151；以及一共同電力線152。此處，一像素雖然可以由該閘極線171、該資料線151、以及該共同電力線152作為其邊界來定義；不過，本發明的觀點並不受限於此並且可以其它合宜的方式來定義一像素。
該OLED 70包含：一像素電極710；一有機發射層720，其係被形成在該像素電極710之上；以及一共同電極730，其係被形成在該第一有機發射層720之上。電洞和電子會從該像素電極710和該共同電極730處被注入該有機發射層720之中。當一激子(其中，該等被注入的電洞會黏合一電子)從激昇狀態跌落至基礎狀態時便會發光。
電容器90包含一第一電容器電極139以及一第二電容器電極159，在兩者之間會設置一閘極絕緣層圖樣140。此處，該閘極絕緣層圖樣140會成為一介電材料。電容則係由累積在該電容器90之中的電量以及該等第一電容器電極139和第二電容器電極159之間的電壓來決定。
該等薄膜電晶體包含：第一薄膜電晶體10，其充當一切換器；以及第二薄膜電晶體20，其會驅動OLED 70。該等薄膜電晶體10和20中的每一者皆包含一閘極電極153和154、源極電極175和176、以及汲極電極177和178。該第一薄膜電晶體10會選擇一要發光的像素。該第一薄膜電晶體10的閘極電極153會被連接至該閘極線171。該第一薄膜電晶體10的源極電極175會被連接至該資料線151。該汲極電極177則會被連接至該電容器90的電容器電極159和該第二薄膜電晶體20的源極電極157中的任一者。
該第二薄膜電晶體20會施加一驅動訊號至該選定像素中的OLED 70的像素電極710。該第二薄膜電晶體20的源極電極176和該電容器90的另一電容器電極139會被連接至該共同電力線152。該第二薄膜電晶體20的汲極電極178則會被連接至該OLED 70的像素電極710。
藉由上面結構，該第一薄膜電晶體10會由一被施加至該閘極線171的閘極電壓來操作並且將被施加至該資料線151的資料電壓傳輸至該第二薄膜電晶體20。一對應於從該共同電力線152被施加至該第二薄膜電晶體20的共同電壓以及傳送自該第一薄膜電晶體10的資料電壓之間的差異的電壓會被儲存在電容器90之中。對應於被儲存在電容器90之中的電壓的電流則會經由該第二薄膜電晶體20被供應至該有機發光二極體70。
下文中將依照層疊順序來詳細說明根據圖1之實施例的OLED顯示器101。基板主體111雖然係由玻璃、石英、陶瓷、塑膠、或是其它雷同材料製成的一透明絕緣材料所構成；不過，本發明的觀點並不受限於此，而且該基板主體111亦可能係由不鏽鋼或是其它雷同材料製成的一金屬基板所構成。此外，於該基板主體111由塑膠或是其它雷同材料製成的情況中，其還可能係由一撓性基板所構成。
一緩衝層120會被形成在該基板主體111之上，並且係由熟習本技術的人士已知的各種絕緣材料所構成，例如，氮化矽SiNx以及氧化矽SiO2。舉例來說，該緩衝層120可以被形成單膜的氮化矽SiNx；或是被形成雙膜結構，其中，氮化矽SiNx以及氧化矽SiO2會被層疊。該緩衝層120會防止雜質元素、外來材料、或是不必要的成份(例如，濕氣或粉塵)滲入並且平坦化表面。然而，本發明的觀點並不受限於此，而且可以根據該基板主體111的種類以及製程條件來使用或省略該緩衝層120。
一多晶矽層圖樣130會被形成在該緩衝層120之上。該多晶矽層圖樣130包含多晶主動層133和134以及該第一電容器電極139。此外，該多晶矽層圖樣130還進一步包含一假多晶層131，其會被設置在該資料線151和共同電力線152的下方(參見圖1)。
該多晶矽層圖樣130係藉由光微影術製程來圖樣化該多晶矽層所構成。於此情況中，該多晶矽層圖樣130會配合該閘極絕緣層圖樣140和該第一導體層圖樣150經由相同的光微影術製程來圖樣化，如稍後說明。此外，該多晶矽層則係藉由使用一種用於形成與結晶化一非晶矽層的方法所形成。
該閘極絕緣層圖樣140係使用和該多晶矽層圖樣130相同的圖樣所形成，其具有會露出該多晶矽層圖樣130之個別部分的複數個接觸孔645、646、647、648、以及649。也就是，在沒有形成該多晶矽層圖樣130的區域中，該閘極絕緣層圖樣140便不會被形成。該閘極絕緣層圖樣140係藉由包含熟習本技術的人士已知的各種絕緣材料中的一或多者所構成，例如，四乙氧基矽烷(Tetra Ethyl Ortho Silicate，TEOS)、氮化矽SiNx以及氧化矽SiO2、或是其它合宜的材料。
一第一導體層圖樣150會被形成在該閘極絕緣層圖樣140之上。該第一導體層圖樣150包含該等閘極電極153和154以及該第二電容器電極159。此外，該第一導體層圖樣150還進一步包含該資料線151以及共同電力線152(參見圖1)。然而，本發明的觀點並不受限於此，而且該第一導體層圖樣150還可能進一步包含該閘極線171，而非該資料線151和共同電力線152。
該第一導體層圖樣150包含一第一金屬層1500(參見圖3)。也就是，該第一導體層圖樣150係藉由上面提及的光微影術製程來圖樣化該第一金屬層1500而形成的。該第一金屬層1500係藉由包含各種金屬材料中的一或多者所構成，例如，鉬(Mo)、鉻(Cr)、鋁(Al)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、以及鎢(W)、或是其它合宜的金屬材料。電容器90係由該第一電容器電極139、該第二電容器電極159、以及被設置在該第一電容器電極139和該第二電容器電極159之間的閘極絕緣層圖樣140所形成。
一層間絕緣層圖樣160會被形成在該第一導體層圖樣150之上。該層間絕緣層圖樣160具有會露出該等閘極電極153和154之一部分、該第二電容器電極159、該資料線151、以及該共同電力線152的多個接觸孔601、603、604、以及609。此外，該層間絕緣層圖樣160還具有會配合該閘極絕緣層圖樣140來露出該等多晶主動層133和134之一部分以及該第一電容器電極139的多個接觸孔645、646、647、648、以及649。
此外，該層間絕緣層圖樣160還包含該第一層間絕緣層1601以及該第二層間絕緣層1602。該第一層間絕緣層1601以及該第二層間絕緣層1602雖然具有不同的折射率；然而，本發明的觀點並不受限於此，而且該第一層間絕緣層1601以及該第二層間絕緣層1602可能具有相同的折射率。如上面所述，該第一層間絕緣層1601以及該第二層間絕緣層1602具有不同的折射率，因此，該OLED顯示器101可能會有鏡射的效果，因為，光會在該第一層間絕緣層1601以及該第二層間絕緣層1602之間的介面處被反射。舉例來說，該第一層間絕緣層1601以及該第二層間絕緣層1602中的其中一者係由具有較高折射率的氮化矽所形成，而另一者則係由具有較低折射率的氧化矽所形成。然而，本發明的觀點並不受限於此，而且該層間絕緣層圖樣160亦可能包含各種無機膜和有機膜中的至少其中一者。
一第二導體層圖樣170會被形成在該層間絕緣層圖樣160之上。該第二導體層圖樣170包含該等源極電極175和176、該等汲極電極177和178、以及該像素電極710。此外，該第二導體層圖樣170還包含該閘極線171(參見圖1)以及一連接線172。然而，本發明的觀點並不受限於此，而且該第二導體層圖樣170亦可能進一步包含該資料線151和共同電力線152，而非該閘極線171。
該等源極電極175和176以及汲極電極177和178會經由該等接觸孔645、646、647、以及648被連接至該等多晶主動層133和134。該像素電極710係延伸自該第二薄膜電晶體20的汲極電極178。該連接線172會經由接觸孔604和609來相互連接該閘極電極154、該第二電容器電極159、以及該汲極電極177。此外，該連接線172還會經由接觸孔601來將該源極電極175連接至該資料線151。此外，該連接線172還可能連接圖中並未顯示的多個組成。
該第二導體層圖樣170包含該透明導體層1701以及該第二金屬層1702，該第二金屬層1702係被形成在該透明導體層1701之一部分中的一區域之上。該等源極電極175和176、汲極電極177和178、以及像素電極710包含該透明導體層1701。據此，該OLED顯示器101會藉由在後側方向中發光來顯示一影像，也就是，朝該基板主體111發光。此外，該閘極線171(參見圖1)以及連接線172還會由該透明導體層1701和該第二金屬層1702所形成。然而，本發明的觀點並不受限於此，而且該等源極電極175和176以及汲極電極177和178亦可能係由該透明導體層1701和該第二金屬層1702所形成。
然而，在該等多晶主動層133和134之一部分的一區域之中，可以根據該等源極電極175和176以及汲極電極177和178究竟是由該透明導體層1701所形成或是由該透明導體層1701和該第二金屬層1702兩者所形成來改變摻雜n型或p型雜質之製程的順序。舉例來說，倘若該等源極電極175和176以及汲極電極177和178是由該透明導體層1701所形成的話，那麼，在該第二導體層圖樣170被形成之後，該n型或p型雜質便會被摻雜在該等多晶主動層133和134之一部分的一區域之中。另一方面，倘若該等源極電極175和176以及汲極電極177和178是由該透明導體層1701以及該第二金屬層1702所形成的話，那麼，在該第二導體層圖樣170被形成之前，該n型或p型雜質會先被摻雜在該等多晶主動層133和134之一部分的一區域之中。
該透明導體層1701包含下面一或多者：ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、ZITO(氧化鋅銦錫)、GITO(氧化鎵銦錫)、In2O3(氧化銦)、ZnO(氧化鋅)、GIZO(氧化鎵銦鋅)、GZO(氧化鎵鋅)、FTO(氧化氟錫)、以及AZO(摻鋁的氧化鋅)、或是其它合宜的材料。和該第一金屬層1500(參見圖3)相同，該第二金屬層1702係由熟習本技術的人士已知的各種金屬材料所形成。此外，該第二導體層圖樣170係經由一包含雙重曝光或是半色調曝光製程的光微影術製程所形成。該等閘極電極153和154、多晶主動層133和134、源極電極175和176、以及汲極電極177和178會變成該等薄膜電晶體10和20。
該像素定義膜180會被形成在該第二導體層圖樣170之上。該像素定義膜180包含一開口185，其會露出該像素電極710的一部分。該像素定義膜180係由熟習本技術的人士已知的各種有機材料或無基材料所形成。舉例來說，該像素定義膜180可能會在藉由使用一光敏有機膜被圖樣化之後利用熱或光被固化且構形。
該有機發射層720會被形成在該像素電極710之上，而該共同電極730則會被形成在該有機發射層720之上。該像素電極710、有機發射層720、以及共同電極730為該OLED 70。此外，一像素定義膜180還會在其上方依序層疊該像素電極710、該有機發射層720、以及該共同電極730。同樣地，該像素定義膜180包含一會變成該OLED 70之發光區的開口185。根據上面的配置，該OLED顯示器101可能具有一種簡單的結構，俾便最小化製造過程中所使用的光微影術製程的數量。
詳細來說，可以使用一相同的光微影術製程來形成該多晶矽層圖樣130和該第一導體層圖樣150。該第一多晶矽層圖樣130包含該等多晶主動層133和134以及該閘極絕緣層圖樣140。該第一導體層圖樣150包含該等閘極電極153和154。此外，該第二薄膜電晶體20的汲極電極178以及該有機發光二極體70的像素電極710亦可能經由相同的光微影術製程被形成。所以，根據本示範性實施例，大型的OLED顯示器101可以在製造產量方面有效地保持高生產力。此外，該OLED顯示器101亦可經由具有不同折射率的第一層間絕緣層1601和第二層間絕緣層1602來達到鏡射效果。
下文中，將參考圖3至圖12來說明製造根據圖1之實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器101的方法。首先，如圖3中所示，該緩衝層120、一多晶矽層1300、一閘極絕緣層1400、以及一第一金屬層1500會依序被形成在該基板主體111之上。
該緩衝層120可能係由熟習本技術的人士已知的各種絕緣材料所形成，例如，氮化矽SiNx以及氧化矽SiO2、或是其它合宜的絕緣材料。該多晶矽層1300係藉由沉積與結晶化該緩衝層120之上的非晶矽層的方法所形成。可以使用熟習本技術的人士已知的各種方法作為結晶化該非晶矽層的方法，例如，施加熱或雷射的方法、使用金屬催化劑的方法、或是其它合宜的方法。
接著，如圖4中所示，一多晶矽層圖樣130以及閘極絕緣層圖樣140會藉由蝕穿一第一光敏膜圖樣810而被形成，並且因而會形成一第一導體層中間物1550。於此情況中，該第一光敏膜圖樣810係經由雙重曝光或是半色調曝光製程所形成。該第一光敏膜圖樣810包含一第一高厚度部分811以及一第一低厚度部分812。
接著，在圖5和圖6中，該第一光敏膜圖樣810的第一低厚度部分812會被移除，或者換言之，在圖5和6中所示的實施例中並沒有第一低厚度部分812。於此情況中，該第一高厚度部分811可能會稍微下降。此外，該第一導體層圖樣150還會藉由蝕刻該第一導體層中間物1550貫穿該第一高厚度部分811而形成。
如上面所述，該多晶矽層圖樣130、閘極絕緣層圖樣140、以及該第一導體層圖樣150係經由單一光微影術製程所形成。該多晶矽層圖樣130包含一多晶主動層133和134以及該第一電容器電極139。該閘極絕緣層圖樣140會以和該多晶矽層圖樣130相同的圖樣被形成。該第一導體層圖樣150包含該等閘極電極153和154、該等第二電容器電極159、以及該資料線151和該共同電力線152(參見圖1)。此外，該多晶矽層圖樣130還進一步包含一假多晶層131。該假多晶層131會被設置在該第一導體層圖樣150的資料線151以及該共同電力線152的下方。該假多晶層131同樣會在製造根據圖1之實施例的OLED顯示器101的製程中被形成。
如圖7中所示，一第一層間絕緣層1601以及一第二層間絕緣層1602會依序被形成在該第一導體層圖樣150之上。在本發明的所有觀點中雖然並非必要；不過，該第一層間絕緣層1601以及該第二層間絕緣層1602可具有不同的折射率。舉例來說，該第一層間絕緣層1601以及該第二層間絕緣層1602中的其中一者係由具有較高折射率的氮化矽所形成，而另一者則係由具有較低折射率的氧化矽所形成。一第二光敏膜圖樣820會被設置在該第二層間絕緣層之上並且包含一第二高厚度部分821以及一第二低厚度部分822。
接著，如圖8和圖9中所示，一層間絕緣層圖樣160會藉由使用該第二光敏膜圖樣820經由一光微影術製程來圖樣化該第一層間絕緣層1601以及該第二層間絕緣層1602而形成。該層間絕緣層圖樣160具有會露出該等閘極電極153和154之一部分、該第二電容器電極159、該資料線151以及該共同電力線152的多個接觸孔601、603、604、以及609。此外，該層間絕緣層圖樣160還具有會配合該閘極絕緣層圖樣140來露出該等多晶主動層133和134之一部分以及該第一電容器電極139的多個接觸孔645、646、647、648、以及649。此外，該第二層間絕緣層1602被蝕刻貫穿該第二光敏膜圖樣820(其具有該第二高厚度部分821以及該第二低厚度部分822)的區域還可能大於該第一層間絕緣層1601。
接著，如圖10中所示，一透明導體層1701和一第二金屬層1702會依序被層疊在該層間絕緣層圖樣160之上。該透明導體層1701會經由該層間絕緣層圖樣160的該等接觸孔601、603、604、609、645、646、647、648、以及649(參見圖9)被連接至該等閘極電極153和154、該第一電容器電極139、該第二電容器電極159、該資料線151、該共同電力線152、以及該等多晶主動層133和134。
此外，一第三光敏膜圖樣830會被形成在該第二金屬層1702之上。該第三光敏膜圖樣830包含一第三高厚度部分831以及一第三低厚度部分832。於此情況中，該第三低厚度部分832對應於一會於其中形成該等源極電極175和176、汲極電極177和178、以及像素電極710的位置。
接著，如圖11中所示，藉由蝕穿該第三光敏膜圖樣830，便會形成一第二導體層圖樣中間物圖樣1700，其係由該透明導體層1701和該第二金屬層1702所形成。而後，該第三低厚度部分832會被移除，而該第二導體層圖樣中間物1700會再次經由該第三高厚度部分831被蝕刻，以便形成該第二導體層圖樣170(參見圖12)。該第二導體層圖樣170、該閘極線171以及連接線172係由該透明導體層1701和該第二金屬層1702所形成。該等源極電極175和176、該等汲極電極177和178、以及該像素電極710係由該透明導體層1701所形成。
接著，ㄧn型或p型雜質會被摻雜在該等多晶主動層133和134之一部分的一區域之中。在該等多晶主動層133和134之該部分的該區域之中，該第二金屬層1702會被移除並且會形成該透明導體層1701。因此，該n型或p型雜質會經由該等源極電極175和176以及汲極電極177和178被摻雜在該等多晶主動層133和134之該部分的該區域之中。另一方面，該等閘極電極153和154則會防止該n型或p型雜質在會摻雜該n型或p型雜質的該等多晶主動層133和134之該部分的該區域以外的區域之中被摻雜在該等多晶主動層133和134之中。所以，該等多晶主動層133和134係一被設置在該等閘極電極153和154下方的本質半導體區以及一被設置在該等源極電極175和176以及汲極電極177和178下方的雜質半導體區。
然而，本發明的觀點並不受限於上面所述的製程；也就是，將該n型或p型雜質摻雜在該等多晶主動層133和134之該部分的該區域之中的製程亦可以在該第二導體層圖樣170被形成之前先被實施。於此情況中，該等源極電極175和176以及汲極電極177和178係由該透明導體層1701和該第二金屬層1702所形成。
如圖12中所示，該像素定義膜180會被形成在該第二導體層圖樣170之上。該像素定義膜180包含一開口185，其會露出該像素電極710的一部分。此外，該有機發射層720和共同電極730則會依序被層疊在該像素電極710之上。
經由上面所述之製造OLED顯示器101的方法，便可以製造出根據圖1之實施例的OLED顯示器101。也就是，藉由最小化光微影術製程的數量，可以製造出OLED顯示器101。所以，根據圖1的實施例，該大型的OLED顯示器101可以在製造產量方面有效地保持高生產力。此外，在本發明的所有觀點中雖然並非必要；不過，該OLED顯示器101仍可經由具有不同折射率的第一層間絕緣層1601和第二層間絕緣層1602來達到鏡射效果。
下文中將會參考圖13和14來說明根據另一實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器102。如圖13和圖14中所示，一多晶矽層圖樣230會被形成在該緩衝層120之上。該多晶矽層圖樣230包含多晶主動層233和234以及ㄧ第一電容器電極239。此外，該多晶矽層圖樣230還進一步包含一假多晶層231，其會被設置在該資料線251和共同電力線252的下方。
一閘極絕緣層圖樣240會被形成在該多晶矽層圖樣230之一部分的一區域之中。也就是，在本實施例中，該閘極絕緣層圖樣240不會以該多晶矽層圖樣230相同的圖樣被形成。確切地說，該閘極絕緣層圖樣240會以和下面將說明的第一導體層圖樣250相同的圖樣被形成。
該第一導體層圖樣250係利用和該閘極絕緣層圖樣240相同的圖樣被形成並且會被形成在該閘極絕緣層圖樣240之上。該第一導體層圖樣250包含閘極電極253和254以及一第二電容器電極259。此外，該第一導體層圖樣250還進一步包含一資料線251以及一共同電力線252(參見圖13)。然而，本發明的觀點並不受限於此，而且該第一導體層圖樣250還可能進一步包含一閘極線271(參見圖13)，而非該資料線251和該共同電力線252。
該第一導體層圖樣250係由已摻雜的非晶矽層2511、2531、2541、2591以及第一金屬層2512、2532、2542、以及2592會在形成該第二導體層圖樣270的過程中當該等第一金屬層2512、2532、2542、以及2592受損或是短路時進行補償。
一層間絕緣層圖樣260會被形成在該第一導體層圖樣250之上。該層間絕緣層圖樣260具有會露出該等閘極電極253和254之一部分、該第二電容器電極259、該資料線251、以及該共同電力線252的多個接觸孔601、603、604、以及609。此外，該層間絕緣層圖樣260還具有會配合該閘極絕緣層圖樣240來露出該等多晶主動層133和134之一部分以及該第一電容器電極239的多個接觸孔645、646、647、以及648。
此外，該層間絕緣層圖樣260還包含一第一層間絕緣層2601以及一第二層間絕緣層2602。在本發明的所有觀點中雖然並非必要；不過，該第一層間絕緣層2601以及該第二層間絕緣層2602可能具有不同的折射率。如上面所述，該第一層間絕緣層2601以及該第二層間絕緣層2602具有不同的折射率，因此，該OLED顯示器102可能會有鏡射的效果，因為，光會在該第一層間絕緣層2601以及該第二層間絕緣層2602之間的介面處被反射。
一第二導體層圖樣270會被形成在該層間絕緣層圖樣260之上。該第二導體層圖樣270會被形成在該多晶矽層圖樣230中經由該層間絕緣層圖樣260的接觸孔646的一區域而露出的部分之上。該第二導體層圖樣270包含源極電極275和276、汲極電極277和278、以及像素電極710。此外，該第二導體層圖樣270還進一步包含該閘極線271(參見圖13)以及一連接線272。然而，本發明的觀點並不受限於此，而且該第二導體層圖樣270亦可能進一步包含該資料線251和共同電力線252，而非該閘極線271。
該等源極電極275和276以及汲極電極277和278會經由該等接觸孔645、646、647、648被連接至該等多晶主動層233和234。該像素電極710係延伸自該第二薄膜電晶體20的汲極電極278。同時，如圖14中所示，該第二薄膜電晶體20的源極電極276會被形成在該多晶矽層圖樣230之上，然而，本發明的觀點並不受限於此。
該連接線272會經由接觸孔604和609來連接該第二薄膜電晶體20的閘極電極254 和該第二電容器電極259以及該第一薄膜電晶體10的汲極電極277。此外，該連接線272還會經由接觸孔601來連接該第一薄膜電晶體10的源極電極275以及資料線251。再者，在本發明的所有觀點中雖然並非必要；不過，該連接線272亦可能會連接圖中並未顯示的多個組成或是其它物件和元件。
該第二導體層圖樣270包含一透明的導體層2701以及一第二金屬層2702，該第二金屬層2702係被形成在該透明導體層2701之一部分中的一區域之上。該等源極電極275和276、汲極電極277和278、該閘極線271、以及該連接線272係由該透明導體層2701和該第二金屬層2702所形成。此外，該像素電極710則係由該透明導體層2701所形成。據此，該OLED顯示器201能夠藉由朝後側方向發光來顯示一影像，也就是，朝該基板主體111發光。然而，本發明的觀點並不受限於此，而且該等源極電極275和276以及汲極電極277和278亦可能係僅由該透明導體層2701所形成。
然而，在該等多晶主動層233和234之該部分的該區域之中，可以根據該等源極電極275和276以及汲極電極277和278究竟是僅由該透明導體層2701所形成或是由該透明導體層2701和該第二金屬層2702兩者所形成來改變摻雜n型或p型雜質之製程的順序。舉例來說，倘若該等源極電極275和276以及汲極電極277和278是由該透明導體層2701和該第二金屬層2702所形成的話，那麼，在該第二導體層圖樣270被形成之前，該n型或p型雜質便會先被摻雜在該多晶矽層圖樣230之該部分的該區域之中。另一方面，倘若該等源極電極275和276以及汲極電極277和278僅係由該透明導體層2701所形成的話，那麼，在該第二導體層圖樣270被形成之後，該n型或p型雜質便會被摻雜在該等多晶主動層233和234之該部分的該區域之中。
該像素定義膜180會被形成在該第二導體層圖樣270之上。該像素定義膜180包含一開口185，其會露出該像素電極710的一部分。該有機發射層720會被形成在該像素電極710之上，而該共同電極730則會被形成在該有機發射層720之上。
藉由上面的配置，根據本發明的有機發光二極體(OLED)顯示器102可能具有一種簡單的結構，俾便會減少製造過程中所使用的光微影術製程的數量。詳細言之，該閘極絕緣層圖樣240、該第一導體層圖樣250、以及該層間絕緣層圖樣260係經由相同的光微影術製程所形成。此外，該第二薄膜電晶體20的汲極電極278以及該OLED 70的像素電極710係經由相同的光微影術製程所形成。
此外，在形成該第二導體層圖樣270中，於該等第一金屬層2512、2532、2542、以及2592受損或是短路的情況中，其可以藉由讓該等已摻雜的非晶矽層2511、2531、2541、以及2591分別被設置在該等第一金屬層2512、2532、2542、以及2592的下方來防止發生短路與缺陷。此外，在本發明的所有觀點中雖然並非必要；不過，該OLED顯示器102仍可藉由具有不同折射率的第一層間絕緣層2601和第二層間絕緣層2602來達到鏡射效果。
下文中將參考圖15至圖21來說明製造根據圖14之實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器102的方法。首先，如圖15中所示，在一多晶矽層之後，一閘極絕緣層、一已摻雜的非晶矽層以及一第一金屬層會依序被層疊在該緩衝層120之上，並且會經由一光微影術製程進行圖樣化而形成該多晶矽層圖樣230、一閘極絕緣層中間物2410以及一第一導體層中間物2510。該多晶矽層圖樣230包含該等多晶主動層233和234以及該第一電容器電極239。該第一導體層中間物2510包含一已摻雜的非晶矽層2501以及一第一金屬層2502。在本發明的所有觀點中雖然並非必要；不過，該多晶矽層圖樣230、閘極絕緣層中間物2410以及該第一導體層中間物2510可以使用一光敏膜圖樣經由一光微影術製程來形成。
如圖16中所示，一第一層間絕緣層2601以及一第二層間絕緣層2602會依序被形成在該第一導體層中間物2510之上並且具有不同的折射率。此外，一第一光敏膜圖樣910還會被形成在該第二層間絕緣層2602之上。該第一光敏膜圖樣910係經由雙重曝光或是半色調曝光製程所形成。該第一光敏膜圖樣910包含一第一高厚度部分911以及一第一低厚度部分912。
如圖17和圖18中所示，該閘極絕緣層圖樣240、該第一導體層圖樣250以及層間絕緣層圖樣260係利用該第一光敏膜圖樣910經由一光微影術製程來圖樣化該閘極絕緣層中間物2410、該第一導體層中間物2510、該第一層間絕緣層2601以及該第二層間絕緣層2602而形成的。
該閘極絕緣層圖樣240係以和該第一導體層圖樣250相同的圖樣被形成。該第一導體層圖樣250包含該等閘極電極253和254、該第二電容器電極259、該資料線251、以及該共同電力線252(參見圖13)。該層間絕緣層圖樣260包含會露出該等閘極電極253和254之一部分並且還會露出該第二電容器電極259、該資料線251以及該共同電力線252的多個接觸孔601、603、604以及609。此外，該層間絕緣層圖樣260還具有會配合該閘極絕緣層圖樣240來露出該等多晶主動層133和134之一部分以及該第一電容器電極239的多個接觸孔645、646、647以及648。
此外，該多晶矽層圖樣230還進一步包含假多晶層231。該假多晶層231會被設置在該第一導體層圖樣250的資料線251以及該共同電力線252的下方。該假多晶層231同樣會在製造根據本實施例之OLED顯示器102的過程中被形成。
ㄧn型或p型雜質會被摻雜在該等多晶主動層233和234之該部分的該區域之中。於此情況中，該等閘極電極253和254會防止該n型或p型雜質被摻雜在該等多晶主動層233和234之中。所以，該等多晶主動層233和234係一被設置在該等閘極電極153和154下方的本質半導體區以及一被設置在該等源極電極275和276以及汲極電極277和278下方的雜質半導體區。
然而，本發明的觀點並不受限於此，而且，將該n型或p型雜質摻雜在該等多晶主動層233和234之該部分的該區域之中的製程亦可以在該第二導體層圖樣170被形成之後才被實施。於此情況中，為讓該等源極電極275和276以及汲極電極277和278通過該n型或p型雜質摻雜，一第二金屬層2702應該被移除而且其應該由一透明導體層2701所形成(參見圖19)。
如圖19中所示，該透明導體層2701和該第二金屬層2702會依序被層疊在該層間絕緣層圖樣260之上。該透明導體層2701會經由該層間絕緣層圖樣260的該等接觸孔601、603、604以及609以及開口區域645、646、647以及648被連接至該等閘極電極253和254、該第一電容器電極239、該第二電容器電極259、該資料線251、該共同電力線252以及該等多晶主動層233和234。此外，一第二光敏膜圖樣920還會被形成在該第二金屬層2702之上。該第二光敏膜圖樣920包含一第二高厚度部分921以及一第二低厚度部分922。於此情況中，該第二低厚度部分922對應於一將會形成該像素電極710的位置。
如圖20中所示，藉由蝕穿該第二光敏膜圖樣920，便會形成一第二導體層圖樣中間物圖樣2700，其係由該透明導體層2701和該第二金屬層2702所形成。接著，該第二光敏膜圖樣920的該第二低厚度部分922會被移除，而且該第二導體層圖樣中間物2700會再次經由該第二高厚度部分921被蝕刻，以便形成該第二導體層圖樣270。該第二導體層圖樣270，如圖21中所示，會形成該等源極電極275和276、該等汲極電極277和278、閘極線271以及連接線272，它們係由該透明導體層2701和該第二金屬層2702所形成。該第二導體層圖樣270還會構成該像素電極710，其係由該透明導體層2701所形成。
如圖21中所示，該像素定義膜180會被形成在該第二導體層圖樣270之上。該像素定義膜180包含一開口185，其會露出該像素電極710的一部分。此外，該有機發射層720和共同電極730還會依序被層疊在該像素電極710之上。經由該方法，便可以製造出根據圖14之實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器102。也就是，藉由減少光微影術製程的數量，可以製造出該有機發光二極體(OLED)顯示器102。所以，根據圖14的實施例，大型的OLED顯示器102可以在製造產量方面有效地保持高生產力。
此外，在形成該第二導體層圖樣270中，於該等第一金屬層2512、2532、2542以及2592受損或是短路的情況中，其還可以經由該等已摻雜的非晶矽層2511、2531、2541以及2591來防止發生短路與缺陷。此外，該OLED顯示器102還可藉由具有不同折射率的第一層間絕緣層2601和第二層間絕緣層2602來達到鏡射效果。
雖然本文已經顯示且說明過本發明的數個實施例；不過，熟習本技術的人士便會明白，可在此實施例中進行改變，其並不會脫離本發明的原理與精神，本發明的範疇定義在申請專利範圍以及它們的等效範圍之中。
10,20‧‧‧薄膜電晶體
70‧‧‧OLED
90‧‧‧電容器
101‧‧‧有機發光二極體(OLED)顯示器
102‧‧‧OLED顯示器
111‧‧‧基板主體
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧多晶矽層圖樣
131‧‧‧假多晶層
133,134‧‧‧多晶主動層
139‧‧‧第一電容器電極
140‧‧‧閘極絕緣層圖樣
150‧‧‧第一導體層圖樣
151‧‧‧資料線
152‧‧‧共同電源線
153,154‧‧‧閘極電極
159‧‧‧第二電容器電極
160‧‧‧層間絕緣層圖樣
170‧‧‧第二導體層圖樣
171‧‧‧閘極線
172‧‧‧連接線
175,176‧‧‧源極電極
177,178‧‧‧汲極電極
180‧‧‧像素定義膜
185‧‧‧開口
230‧‧‧多晶矽層圖樣
231‧‧‧假多晶層
233,234‧‧‧多晶主動層
239‧‧‧第一電容器電極
240‧‧‧閘極絕緣層圖樣
250‧‧‧第一導體層圖樣
251‧‧‧資料線
252‧‧‧共同電力線
253,254‧‧‧閘極電極
259‧‧‧第二電容器電極
260‧‧‧層間絕緣層圖樣
270‧‧‧第二導體層圖樣
271‧‧‧閘極線
272‧‧‧連接線
275,276‧‧‧源極電極
277,278‧‧‧汲極電極
601,603,604,609‧‧‧接觸孔
645-649‧‧‧接觸孔
710‧‧‧像素電極
720‧‧‧有機發射層
730‧‧‧共同電極
810‧‧‧第一光敏膜圖樣
811‧‧‧第一高厚度部分
812‧‧‧第一低厚度部分
820‧‧‧第二光敏膜圖樣
821‧‧‧第二高厚度部分
822‧‧‧第二低厚度部分
830‧‧‧第三光敏膜圖樣
831‧‧‧第三高厚度部分
832‧‧‧第三低厚度部分
910‧‧‧第一光敏膜圖樣
911‧‧‧第一高厚度部分
912‧‧‧第一低厚度部分
920‧‧‧第二光敏膜圖樣
921‧‧‧第二高厚度部分
922‧‧‧第二低厚度部分
1300‧‧‧多晶矽層
1400‧‧‧閘極絕緣層
1500‧‧‧第一金屬層
1550‧‧‧第一導體層中間物
1601‧‧‧第一層間絕緣層
1602‧‧‧第二層間絕緣層
1700‧‧‧第二導體層圖樣中間物圖樣
1701‧‧‧透明導體層
1702‧‧‧第二金屬層
2410‧‧‧閘極絕緣層中間物
2501‧‧‧已摻雜的非晶矽層
2502‧‧‧第一金屬層
2510‧‧‧第一導體層中間物
2511,2531,2541,2591‧‧‧已摻雜的非晶矽層
2512,2532,2542,2592‧‧‧第一金屬層
2601‧‧‧第一層間絕緣層
2602‧‧‧第二層間絕緣層
2700‧‧‧第二導體層圖樣中間物
2701‧‧‧透明導體層
2702‧‧‧第二金屬層
從上面的實施例說明中，配合隨附的圖式，便會明白且更容易察覺本發明的前述及/或其它觀點和優點，其中：
圖1所示的係根據本發明一實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的佈局圖；
圖2所示的係沿著圖1的直線II-II所獲得的剖視圖；
圖3至圖12依序圖解顯示在圖1和圖2中的有機發光二極體(OLED)顯示器之製造過程的剖視圖和佈局圖；
圖13所示的係根據本發明另一實施例的有機發光二極體(OLED)顯示器的佈局圖；
圖14所示的係沿著圖13的直線XVI-XVI所獲得的剖視圖；以及
圖15至圖21依序圖解顯示在圖13和圖14中的有機發光二極體(OLED)顯示器之製造過程的剖視圖和佈局圖。
無
無
10,20‧‧‧薄膜電晶體
70‧‧‧OLED
90‧‧‧電容器
101‧‧‧有機發光二極體(OLED)顯示器
111‧‧‧基板主體
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧多晶矽層圖樣
131‧‧‧假多晶層
133,134‧‧‧多晶主動層
139‧‧‧第一電容器電極
140‧‧‧閘極絕緣層圖樣
150‧‧‧第一導體層圖樣
151‧‧‧資料線
153,154‧‧‧閘極電極
159‧‧‧第二電容器電極
160‧‧‧層間絕緣層圖樣
170‧‧‧第二導體層圖樣
172‧‧‧連接線
175,176‧‧‧源極電極
177,178‧‧‧汲極電極
180‧‧‧像素定義膜
185‧‧‧開口
601,603,604,609‧‧‧接觸孔
645-649‧‧‧接觸孔
710‧‧‧像素電極
720‧‧‧有機發射層
730‧‧‧共同電極
1601‧‧‧第一層間絕緣層
1602‧‧‧第二層間絕緣層
1701‧‧‧透明導體層
1702‧‧‧第二金屬層

Claims (13)

  1. 一種製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法，其包括： 製備一基板主體； 在該基板主體之上依序層疊一多晶矽層、一閘極絕緣層、一已摻雜的非晶矽層以及一第一金屬層； 形成一多晶矽層圖樣，其包含一多晶主動層以及一第一電容器電極； 形成一閘極絕緣層中間物，其係被形成在該多晶矽層圖樣之上； 藉由一起圖樣化該多晶矽層、該閘極絕緣層、該已摻雜的非晶矽層以及該第一金屬層來形成一第一導體層中間物，其係被形成在該閘極絕緣層中間物之上； 在該第一導體層中間物之上形成一層間絕緣層； 藉由圖樣化該第一導體層中間物和該層間絕緣層來形成會露出該閘極絕緣層中間物之一部分的一第一導體層圖樣和一層間絕緣層圖樣； 藉由蝕刻經由該第一導體層圖樣和該層間絕緣層圖樣露出的該閘極絕緣層中間物來形成會露出該多晶主動層之一部分的一閘極絕緣層圖樣；以及 在該多晶主動層和該層間絕緣層圖樣之上形成一第二導體層圖樣。
  2. 如申請專利範圍第1項的方法，其中，該第一導體層圖樣包括： 一閘極電極；以及 一第二電容器電極， 其中，該第一導體層圖樣係由該已摻雜的非晶矽層和該第一金屬層所構成。
  3. 如申請專利範圍第2項的方法，其中，該第一導體層圖樣進一步包括： 一資料線；以及 一共同電力線。
  4. 如申請專利範圍第1項的方法，其中，該層間絕緣層圖樣包括： 用以露出該第一導體層圖樣之一部分的多個接觸孔；以及 用以配合該閘極絕緣層圖樣來露出該多晶矽層圖樣之一部分的多個開口區域。
  5. 如申請專利範圍第4項的方法，其中，一源極電極和一汲極電極會各自被連接至該多晶主動層中經由該層間絕緣層圖樣和該閘極絕緣層圖樣露出的部分的一區域。
  6. 如申請專利範圍第1項的方法，其中，該第二導體層圖樣之形成包括： 在該層間絕緣層之上依序層疊一透明導體層和一第二金屬層；以及 藉由一起圖樣化該透明導體層和該第二金屬層來形成一源極電極、一汲極電極以及一像素電極， 其中，該源極電極和該汲極電極包含該透明導體層和該第二金屬層，以及 其中，該像素電極包含該透明導體層。
  7. 如申請專利範圍第6項的方法，其進一步包括在形成該第二導體層圖樣之前先在該多晶矽層之一部分的一區域中摻雜一n型或p型雜質。
  8. 如申請專利範圍第1項的方法，其中，該第二導體層圖樣之形成包括： 在該層間絕緣層之上依序層疊一透明導體層和一第二金屬層；以及 藉由一起圖樣化該透明導體層和該第二金屬層來形成全部包含該透明導體層的一源極電極、一汲極電極以及一像素電極。
  9. 如申請專利範圍第8項的方法，其進一步包括在形成該第二導體層圖樣之後在該多晶矽層之一部分的一區域中摻雜一n型或p型雜質。
  10. 如申請專利範圍第1項的方法，其進一步包括： 在該第二導體層圖樣之上形成一像素定義膜，其具有用以露出一像素電極之一部分的一開口； 在該像素電極之上形成一有機發射層；以及 在該有機發射層之上形成一共同電極。
  11. 如申請專利範圍第10項的方法，其中，該第二導體層圖樣包括： 一閘極線；以及 一連接線。
  12. 如申請專利範圍第10項的方法，其中，該層間絕緣層包括： 一第一層間絕緣層；以及 一第二層間絕緣層， 其中，該第二層間絕緣層的折射率不同於該第一層間絕緣層的折射率。
  13. 如申請專利範圍第12項的方法，其中，該層間絕緣層包含各種無機膜和有機膜中的至少其中一者。
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