JP5362670B2 - 有機発光表示装置およびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は有機発光表示装置およびその製造方法に関し、より詳細には、構造および製造工程を簡素化した有機発光表示装置およびその製造方法に関する。
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）は、光を放出する有機発光素子を有して画像を表示する自発光型表示装置である。有機発光層の内部で電子と正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちるときに発生するエネルギーによって光が発生し、これを用いて有機発光表示装置は画像を表示する。
一般的に、有機発光表示装置は８枚以上のマスクを有し、数回に渡るフォトエッチング工程によって製造される。
しかしながら、有機発光表示装置が次第に大型化するに伴い、製造過程で用いられるマスクの数が多くなるほど、生産性が極めて低下するという問題点がある。
本発明の実施形態は、製造過程で用いられるフォトエッチング工程数を最小化できるように簡素な構造を有する有機発光表示装置を提供することを目的とする。
また、本発明の実施形態は、前記有機発光表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の実施形態によれば、有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上に形成された多結晶アクティブ層および第１キャパシタ電極を含む多結晶シリコン層パターンと、前記多結晶シリコン層パターン上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、前記ゲート絶縁膜パターン上に形成されたゲート電極および第２キャパシタ電極を含む第１導電膜パターンと、前記第１導電膜パターン上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されたソース電極、ドレイン電極、および画素電極を含む第２導電膜パターンとを含む。前記ゲート絶縁膜パターンは、前記多結晶シリコン層パターンおよび前記第１導電膜パターンのうちのいずれか１つと共に同じようにパターニングされる。
前記ゲート絶縁膜パターンは前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する複数の接触孔を有し、前記多結晶シリコン層パターンと同じパターンで形成してもよい。
前記第１導電膜パターンは第１金属層を含み、前記第２導電膜パターンは透明導電層と前記透明導電層の一部領域上に形成された第２金属層を含んでもよい。
前記層間絶縁膜パターンは、前記第１導電膜パターンの一部を露出する接触孔と、前記ゲート絶縁膜パターンと共に前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する接触孔を有してもよい。
また、前記ゲート絶縁膜パターンは、前記第１導電膜パターンと同じパターンで形成されてもよい。
前記第１導電膜パターンはドーピングされた非晶質シリコン層と前記ドーピングされた非晶質シリコン層上に形成された第１金属層を含み、前記第２導電膜パターンは透明導電層と前記透明導電層の一部領域上に形成された第２金属層を含んでもよい。
前記層間絶縁膜パターンは、前記第１導電膜パターンの一部を露出する接触孔と、前記ゲート絶縁膜パターンと共に前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する開口領域を有してもよい。
前記有機発光表示装置は、前記画素電極の一部を露出する開口部を有して前記第２導電膜パターン上に形成された画素定義膜と、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された共通電極とをさらに含んでもよい。
前記ソース電極および前記ドレイン電極は前記透明導電層および前記第２金属層で形成され、前記画素電極は前記透明導電層で形成されてもよい。
また、前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記画素電極は前記透明導電層で形成されてもよい。
前記第１導電膜パターンは、データラインおよび共通電源ラインをさらに含んでもよい。
前記第２導電膜パターンは、ゲートラインおよび連結ラインをさらに含んでもよい。
前記層間絶縁膜は、第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と異なる屈折率を有する第２層間絶縁膜を含んでもよい。
前記層間絶縁膜は、複数の無機膜および有機膜のうちの１つ以上の膜を含んでもよい。
また、本発明の実施形態によれば、有機発光表示装置の製造方法は、基板本体を設ける段階と、前記基板本体上に多結晶シリコン層、ゲート絶縁膜、および第１金属層を順に積層する段階と、前記多結晶シリコン層、前記ゲート絶縁膜、および前記第１金属層を共にパターニングして多結晶シリコン層パターン、ゲート絶縁膜パターン、および第１導電膜パターンを形成する段階と、前記第１導電膜パターン上に層間絶縁膜パターンを形成する段階と、前記層間絶縁膜パターン上に第２導電膜パターンを形成する段階とを含む。前記多結晶シリコン層パターンは多結晶アクティブ層および第１キャパシタ電極を含み、前記ゲート絶縁膜パターンは前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する複数の接触孔を有して前記多結晶シリコン層パターンと同じパターンで形成され、前記第１導電膜パターンは前記ゲート絶縁膜パターン上に形成されたゲート電極および第２キャパシタ電極を含んでもよい。
前記多結晶シリコン層パターン、前記ゲート絶縁膜パターン、および前記第１導電膜パターンは、二重露光またはハーフトーン（ｈａｌｆｔｏｎｅ）露光工程を含むフォトエッチング工程によって共に形成されてもよい。
前記層間絶縁膜パターンは、前記第１導電膜パターンの一部を露出する接触孔と、前記ゲート絶縁膜パターンと共に前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する接触孔を有してもよい。
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記層間絶縁膜パターンおよび前記ゲート絶縁膜パターンを介して露出された前記多結晶アクティブ層の一部領域とそれぞれ接続してもよい。
前記第１導電膜パターンは、データラインおよび共通電源ラインをさらに含んでもよい。
前記第２導電膜パターンを形成する段階は、前記層間絶縁膜上に透明導電層および第２金属層を順に積層する段階と、前記透明導電層および前記第２金属層を共にパターニングして前記透明導電層および前記第２金属層を含むソース電極およびドレイン電極と前記透明導電層を含む画素電極を形成する段階とを含んでもよい。
前記第２導電膜パターンを形成する前に、前記多結晶シリコン層の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする段階をさらに含んでもよい。
また、前記第２導電膜パターンを形成する段階は、前記層間絶縁膜上に透明導電層および第２金属層を順に積層する段階と、前記透明導電層および前記第２金属層を共にパターニングして前記透明導電層を含むソース電極、ドレイン電極、および画素電極を形成する段階とを含んでもよい。
前記第２導電膜パターンを形成した後に、前記多結晶シリコン層の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする段階をさらに含んでもよい。
前記有機発光表示装置の製造方法は、前記画素電極の一部を露出する開口部を有する画素定義膜を前記第２導電膜パターン上に形成する段階と、前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層上に共通電極を形成する段階とをさらに含んでもよい。
前記第２導電膜パターンは、ゲートラインおよび連結ラインをさらに含んでもよい。
前記層間絶縁膜パターンは、第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と異なる屈折率を有する第２層間絶縁膜を含んでもよい。
前記層間絶縁膜パターンは、複数の無機膜および有機膜のうちの１つ以上の膜を含んでもよい。
また、本発明の他の実施形態によれば、有機発光表示装置の製造方法は、基板本体を設ける段階と、前記基板本体上に多結晶シリコン層、ゲート絶縁膜、ドーピングされた非晶質シリコン層、および第１金属層を順に積層する段階と、前記多結晶シリコン層、前記ゲート絶縁膜、ドーピングされた非晶質シリコン層、および前記第１金属層を共にパターニングして多結晶アクティブ層と第１キャパシタ電極を含む多結晶シリコン層パターン、前記多結晶シリコン層パターン上に形成されたゲート絶縁膜中間体、および前記ゲート絶縁膜中間体上に形成された第１導電膜中間体を形成する段階と、前記第１導電膜中間体上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記第１導電膜中間体および前記層間絶縁膜をパターニングして前記ゲート絶縁膜中間体の一部を露出する第１導電膜パターンおよび層間絶縁膜パターンを形成する段階と、前記第１導電膜パターンおよび前記層間絶縁膜パターンを介して露出された前記ゲート絶縁膜中間体をエッチングして前記多結晶アクティブ層の一部を露出するゲート絶縁膜パターンを形成する段階と、前記多結晶アクティブ層および前記層間絶縁膜パターン上に第２導電膜パターンを形成する段階とを含む。
前記第１導電膜パターンはゲート電極と第２キャパシタ電極を含み、前記ドーピングされた非晶質シリコン層および第１金属層で形成してもよい。
前記第１導電膜パターンは、データラインおよび共通電源ラインをさらに含んでもよい。
前記層間絶縁膜パターンは、前記第１導電膜パターンの一部を露出する接触孔と、前記ゲート絶縁膜パターンと共に前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する開口領域を有してもよい。
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記層間絶縁膜パターンおよび前記ゲート絶縁膜パターンを介して露出された前記多結晶アクティブ層の一部領域とそれぞれ接続してもよい。
前記第２導電膜パターンを形成する段階は、前記層間絶縁膜上に透明導電層および第２金属層を順に積層する段階と、前記透明導電層および前記第２金属層を共にパターニングして前記透明導電層および前記第２金属層を含むソース電極およびドレイン電極と前記透明導電層を含む画素電極を形成する段階とを含んでもよい。
前記第２導電膜パターンを形成する前に、前記多結晶シリコン層の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする段階をさらに含んでもよい。
前記第２導電膜パターンを形成する段階は、前記層間絶縁膜上に透明導電層および第２金属層を順に積層する段階と、前記透明導電層および前記第２金属層を共にパターニングして前記透明導電層を含むソース電極、ドレイン電極、および画素電極を形成する段階とを含んでもよい。
前記第２導電膜パターンを形成した後に、前記多結晶シリコン層の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする段階をさらに含んでもよい。
前記有機発光表示装置の製造方法は、前記画素電極の一部を露出する開口部を有する画素定義膜を前記第２導電膜パターン上に形成する段階と、前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層上に共通電極を形成する段階をさらに含んでもよい。
前記第２導電膜パターンは、ゲートラインおよび連結ラインをさらに含んでもよい。
前記層間絶縁膜は、第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と異なる屈折率を有する第２層間絶縁膜を含んでもよい。
前記層間絶縁膜は、複数の無機膜および有機膜のうちの１つ以上の膜を含んでもよい。
本発明の実施形態によれば、有機発光表示装置は、製造過程で用いられるフォトエッチング工程数を最小化できるように簡素な構造を有することができる。
また、本発明の実施形態によれば、前記有機発光表示装置の製造方法を提供することができる。
本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置の配置図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。 図１および図２に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１および図２に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１および図２に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１および図２に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１および図２に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１および図２に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１および図２に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１および図２に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１および図２に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１および図２に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置の配置図である。 図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿って切断した断面図である。 図１３および図１４に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１３および図１４に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１３および図１４に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１３および図１４に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１３および図１４に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１３および図１４に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。 図１３および図１４に示す有機発光表示装置の製造過程を順に示す断面図および配置図である。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の多様な実施形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様に相違した形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されることはない。
また、明細書全体に渡って同一または類似する構成要素については同一する参照符号を付与するようにする。さらに、多様な実施形態において、第１実施形態以外の実施形態では第１実施形態とは異なる構成を中心に説明する。
また、図面に示す各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したのもであるため、本発明が必ずしも示されたものに限定されることはない。
図面において、多様な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。さらに、図面において、説明の便宜のために、一部層および領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分「上に」あるとするとき、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合だけではなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
以下、図１および図２を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１０１を説明する。
図１および図２に示すように、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１０１は、基板本体１１１上に各画素ごとに形成された複数の薄膜トランジスタ１０、２０と、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）７０と、キャパシタ９０などを含む。ここで、画素は、有機発光表示装置１０１が画像を表示する最小単位を意味する。
また、有機発光表示装置１０１は、一方向に沿って配置されるゲートライン１７１と、ゲートライン１７１と絶縁交差するデータライン１５１と、共通電源ライン１５２とをさらに含む。ここで、１つの画素は、ゲートライン１７１、データライン１５１、および共通電源ライン１５２を境界として定義されてもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
有機発光素子７０は、画素電極７１０と、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０と、有機発光層７２０上に形成された共通電極７３０とを含む。画素電極７１０および共通電極７３０からそれぞれ正孔と電子が有機発光層７２０内部に注入される。注入された正孔と電子が結合した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちるときに発光が行われる。
キャパシタ９０は、ゲート絶縁膜パターン１４０を間において配置された１対のキャパシタ電極１５９、１３９を含む。ここで、ゲート絶縁膜パターン１４０は誘電体となる。キャパシタ９０で蓄電された電荷と正キャパシタ電極１５９、１３９の間の電圧によって蓄電容量が決定される。
複数の薄膜トランジスタは、スイッチング素子の役割を行う第１薄膜トランジスタ１０と、有機発光素子７０を駆動する第２薄膜トランジスタ２０を含む。各薄膜トランジスタ１０、２０は、ゲート電極１５３、１５４、ソース電極１７５、１７６、およびドレイン電極１７７、１７８を含む。
第１薄膜トランジスタ１０は発光させようとする画素を選択する。第１薄膜トランジスタ１０のゲート電極１５３はゲートライン１７１に連結する。第１薄膜トランジスタ１０のソース電極１７５はデータライン１５１に連結し、ドレイン電極１７７はキャパシタ９０の１つのキャパシタ電極１５９および第２薄膜トランジスタ２０のソース電極１７６と連結する。
第２薄膜トランジスタ２０は、選択された画素内の有機発光素子７０を発光させるための駆動信号を画素電極７１０に印加する。第２薄膜トランジスタ２０のソース電極１７６およびキャパシタ９０の他の１つのキャパシタ電極１３９はそれぞれ共通電源ライン１５２と連結する。第２薄膜トランジスタ２０のドレイン電極１７８は有機発光素子７０の画素電極７１０と連結する。
このような構造により、第１薄膜トランジスタ１０は、ゲートライン１７１に印加されるゲート電圧によって作動し、データライン１５１に印加されるデータ電圧を第２薄膜トランジスタ２０に伝達する役割を行う。共通電源ライン１５２から第２薄膜トランジスタ２０に印加される共通電圧と第１薄膜トランジスタ１０から伝達されたデータ電圧の差に相当する電圧がキャパシタ９０に貯蔵されて、キャパシタ９０に貯蔵された電圧に対応する電流が第２薄膜トランジスタ２０を介して有機発光素子７０に供給される。
以下、図２を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１０１を積層順にしたがって詳しく説明する。
基板本体１１１はガラス、石英、セラミック、およびプラスチックなどからなる透明な絶縁性基板で形成される。しかしながら、本発明の第１実施形態がこれに限定されるものではなく、基板本体１１１がステンレス鋼などからなる金属性基板で形成してもよい。また、基板本体１１１がプラスチックなどで生成される場合、柔軟性のある（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板で形成してもよい。
バッファ層１２０は基板本体１１１上に形成される。バッファ層１２０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）および酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などのように当該技術分野の従事者に公知の多様な絶縁物質で形成してもよい。例えば、バッファ層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）の単一膜または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯ２）が積層された二重膜構造で形成してもよい。バッファ層１２０は不純元素または水分のように不必要な成分の浸透を防いで表面を平坦化する役割を行う。バッファ層１２０は基板本体１１１の種類および工程条件に応じて使用してもよいし省略してもよい。
多結晶シリコン層パターン１３０はバッファ層１２０上に形成される。多結晶シリコン層パターン１３０は多結晶アクティブ層１３３、１３４および第１キャパシタ電極１３９を含む。また、多結晶シリコン層パターン１３０は、後述するデータライン１５１および共通電源ライン１５２（図１に図示）の下に位置するダミー多結晶層１３１をさらに含んでもよい。
多結晶シリコン層パターン１３０は、多結晶シリコン層を形成した後にこれをフォトエッチング工程によってパターニングして形成される。このとき、多結晶シリコン層パターン１３０は、後述するゲート絶縁層パターン１４０および第１導電膜パターン１５０と共に同じフォトエッチング工程によって共にパターニングされる。そして、多結晶シリコン層は非晶質シリコン層を形成し、これを結晶化する方法によって形成される。
ゲート絶縁膜パターン１４０は、多結晶シリコン層パターン１３０の一部を露出する複数の接触孔６４５、６４６、６４７、６４８、６４９を有して多結晶シリコン層パターン１３０と同じパターンで形成される。すなわち、多結晶シリコン層パターン１３０が形成されない領域にはゲート絶縁膜パターン１４０も形成されない。
ゲート絶縁膜パターン１４０はテトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａ ｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏ ｓｉｌｉｃａｔｅ、ＴＥＯＳ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、および酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などのように、当該技術分野の従事者に公知の多様な絶縁物質のうちの１つ以上を含んで形成される。
第１導電膜パターン１５０はゲート絶縁膜パターン１４０上に形成される。第１導電膜パターン１５０は、ゲート電極１５３、１５４および第２キャパシタ電極１５９を含む。また、第１導電膜パターン１５０は、データライン１５１および共通電源ライン１５２（図１に図示）をさらに含む。しかしながら、本発明の第１実施形態がこれに限定されるものではない。すなわち、第１導電膜パターン１５０は、データライン１５１および共通電源ライン１５２の代わりにゲートライン１７１をさらに含んでもよい。
第１導電膜パターン１５０は第１金属層１５００（図３に図示）で形成される。すなわち、第１導電膜パターン１５０は、第１金属１５００層を上述したフォトエッチング工程によってパターニングして形成される。第１金属層１５００はモリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、およびタングステン（Ｗ）などのように、当該技術分野の従事者に公知の多様な金属物質のうちの１つ以上を含んで形成される。
以上において上述した第１キャパシタ電極１３９、第２キャパシタ電極１５９、または第１キャパシタ電極１３９および第２キャパシタ電極１５９の間に配置されたゲート絶縁膜パターン１４０はキャパシタ９０となる。
層間絶縁膜パターン１６０は第１導電膜パターン１５０上に形成される。層間絶縁膜パターン１６０は、ゲート電極１５３、１５４、第２キャパシタ電極１５９、データライン１５１、および共通電源ライン１５２（図１に図示）の一部をそれぞれ露出する接触孔６０１、６０３、６０４、６０９を有する。また、層間絶縁膜パターン１６０は、ゲート絶縁膜パターン１４０と共に多結晶アクティブ層１３３、１３４および第１キャパシタ電極１３９の一部を露出する接触孔６４５、６４６、６４７、６４８、６４９を有する。
また、層間絶縁膜パターン１６０は、第１層間絶縁膜１６０１と第２層間絶縁膜１６０２を含む。第１層間絶縁膜１６０１および第２層間絶縁膜１６０２は互いに異なる屈折率を有してもよい。このように、第１層間絶縁膜１６０１と第２層間絶縁膜１６０２が互いに異なる屈折率を有すれば、有機発光表示装置１０１は第１層間絶縁膜１６０１と第２層間絶縁膜１６０２の間の界面で反射する光によってミラー効果を得ることができる。例えば、第１層間絶縁膜１６０１および第２層間絶縁膜１６０２のうちのいずれか１つは相対的に高い屈折率を有する窒化ケイ素で形成され、他の１つは相対的に低い屈折率を有する酸化ケイ素に形成されてもよい。
しかしながら、本発明の第１実施形態が上述したものに限定されるものではない。したがって、層間絶縁膜パターン１６０は、多様な無機膜および有機膜のうちの１つ以上の膜含む多様な組み合わせで形成されてもよい。
第２導電膜パターン１７０は層間絶縁膜パターン１６０上に形成される。第２導電膜パターン１７０は、ソース電極１７５、１７６、ドレイン電極１７７、１７８、および画素電極７１０を含む。また、第２導電膜パターン１７０は、ゲートライン１７１（図１に図示）および連結ライン１７２をさらに含む。しかしながら、本発明の第１実施形態がこれに限定されるものではない。すなわち、第２導電膜パターン１７０は、ゲートライン１７１の代わりにデータライン１５１および共通電源ライン１５２をさらに含んでもよい。
ソース電極１７５、１７６およびドレイン電極１７７、１７８は接触孔６４５、６４６、６４７、６４８を介して多結晶アクティブ層１３３、１３４と連結する。画素電極７１０は第２薄膜トランジスタ２０のドレイン電極１７８から延長する。
連結ライン１７２は接触孔６０４、６０９を介して第２薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５４と第２キャパシタ電極１５９、または第１薄膜トランジスタ１０のドレイン電極１７７を連結する。また、連結ライン１７２は接触孔６０１を介して第１薄膜トランジスタ１０のソース電極１７５とデータライン１５１を連結する。また、連結ライン１７２は図に示されていないその他の構成を連結してもよい。
第２導電膜パターン１７０は、透明導電層１７０１と、透明導電層１７０１の一部領域の上に形成された第２金属層１７０２を含む。ソース電極１７５、１７６、ドレイン電極１７７、１７８、および画素電極７１０は透明導電層１７０１で形成される。したがって、有機発光表示装置１０１は背面方向、すなわち、基板本体１１１方向に光を放出して画像を表示することができる。また、ゲートライン１７１（図１に図示）および連結ライン１７２は透明導電層１７０１および第２金属層１７０２で形成される。しかしながら、本発明の第１実施形態が上述したものに限定されるものではなく、ソース電極１７５、１７６およびドレイン電極１７７、１７８も透明導電層１７０１および第２金属層１７０２で形成されてもよい。ただし、ソース電極１７５、１７６およびドレイン電極１７７、１７８が透明導電層１７０１で形成されたのか、あるいは透明導電層１７０１と第２金属層１７０２で形成されたのかにより、多結晶アクティブ層１３３、１３４の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする工程の順が変わることがある。例えば、ソース電極１７５、１７６およびドレイン電極１７７、１７８が透明導電層１７０１で形成されれば、第２導電膜パターン１７０を形成した後にｎ型またはｐ型不純物を多結晶アクティブ層１３３、１３４の一部領域にドーピングすることが適切である。この反面、ソース電極１７５、１７６およびドレイン電極１７７、１７８が透明導電層１７０１と第２金属層１７０２で形成されれば、第２導電膜パターン１７０を形成する前にｎ型またはｐ型不純物を多結晶アクティブ層１３３、１３４の一部領域にドーピングすることが適切である。
透明導電層１７０１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺＩＴＯ（Ｚｉｎｃ Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＩＴＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＩＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、およびＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ−Ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）のうちの１つ以上を含む。
第２金属層１７０２は、第１金属層１５００（図３に図示）のように、当該技術分野の従事者に公知された多様な金属物質で形成してもよい。
また、第２導電膜パターン１７０は、二重露光またはハーフトーン（ｈａｌｆｔｏｎｅ）露光工程を含むフォトエッチング工程によって形成される。
以上において上述したゲート電極１５３、１５４、多結晶アクティブ層１３３、１３４、ソース電極１７５、１７６、およびドレイン電極１７７、１７８は薄膜トランジスタ１０、２０となる。
画素定義膜１８０は第２導電膜パターン１７０上に形成される。画素定義膜１８０は画素電極７１０の一部を露出する開口部１８５を含む。画素定義膜１８０は当該技術分野の従事者に公知された多様な有機または無機物質で形成してもよい。例えば、画素定義膜１８０は、感光性有機膜でパターニングされた後に熱硬化または光硬化されて形成してもよい。
有機発光層７２０は画素電極７１０上に形成され、共通電極７３０は有機発光層７２０上に形成される。画素電極７１０、有機発光層７２０、および共通電極７３０は有機発光素子７０となる。また、画素電極７１０、有機発光層７２０、および共通電極７３０が順に積層される画素定義膜１８０の開口部１８５は、有機発光素子７０の実際の発光領域となる。
このような構成により、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１０１は、製造過程で用いられるフォトエッチング工程数を最小化できるように簡素な構造を有することができる。
具体的に、多結晶アクティブ層１３３、１３４を含む多結晶シリコン層パターン１３０、ゲート絶縁膜パターン１４０、またはゲート電極１５３、１５４を含む第１導電膜パターン１５０を同じフォトエッチング工程によって形成してもよい。また、第２薄膜トランジスタ２０のドレイン電極１７８と有機発光素子７０の画素電極７１０を同じフォトエッチング工程によって形成してもよい。
したがって、本発明の第１実施形態によれば、大型化した有機発光表示装置１０１も効果的に高い生産性を維持することができる。
また、有機発光表示装置１０１は、互いに異なる屈折率を有する第１層間絶縁膜１６０１と第２層間絶縁膜１６０２を介してミラー効果を得ることができる。
以下、図３〜図１２を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１０１の製造方法を説明する。
まず、図３に示すように、基板本体１１１上にバッファ層１２０、多結晶シリコン層１３００、ゲート絶縁膜１４００、および第１金属層１５００を順に形成する。
バッファ層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）および酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などのように、当該技術分野の従事者に公知の多様な絶縁物質で形成してもよい。
多結晶シリコン層１３００は、バッファ層１２０上に非晶質シリコン層を蒸着してこれを結晶化させる方法によって形成してもよい。非晶質シリコン層を結晶化させる方法としては、熱またはレーザを加えたり金属触媒を用いるなど、当該技術分野の従事者に公知の多様な方法を用いてもよい。
次に、図４に示すように、第１感光膜パターン８１０を介してエッチングして多結晶シリコン層パターン１３０およびゲート絶縁膜パターン１４０を形成し、第１導電膜中間体１５５０を形成する。このとき、第１感光膜パターン８１０は、二重露光またはハーフトーン（ｈａｌｆｔｏｎｅ）露光工程によって形成される。第１感光膜パターン８１０は第１高厚さ部８１１と第１低厚さ部８１２とを含む。
次に、図５および図６に示すように、第１感光膜パターン８１０の第１低厚さ部８１２を除去する。このとき、第１高厚さ部８１１の厚さも多少減少してもよい。そして、残された第１高厚さ部８１１を介して第１導電膜中間体１５５０を再びエッチングして第１導電膜パターン１５０を形成する。
このように、１つのフォトエッチング工程によって多結晶シリコン層パターン１３０、ゲート絶縁膜パターン１４０、および第１導電膜パターン１５０を形成してもよい。多結晶シリコン層パターン１３０は、多結晶アクティブ層１３３、１３４および第１キャパシタ電極１３９を含む。ゲート絶縁膜パターン１４０は、多結晶シリコン層パターン１３０と同じパターンで形成される。第１導電膜パターン１５０は、ゲート電極１５３、１５４、第２キャパシタ電極１５９、データライン１５１、および共通電源ライン１５２（図１に図示）を含む。また、多結晶シリコン層パターン１３０は、ダミー多結晶層１３１をさらに含んでもよい。ダミー多結晶層１３１は、第１導電膜パターン１５０のデータライン１５１および共通電源ライン１５２の下に配置される。ダミー多結晶層１３１は、有機発光表示装置１０１が本発明の第１実施形態によって製造される過程において付随的に形成される構成である。
次に、図７に示すように、第１導電膜パターン１５０上に第１層間絶縁膜１６０１および第２層間絶縁膜１６０２を順に形成する。第１層間絶縁膜１６０１および第２層間絶縁膜１６０２は互いに異なる屈折率を有する。例えば、第１層間絶縁膜１６０１および第２層間絶縁膜１６０２のうちのいずれか１つは相対的に高い屈折率を有する窒化ケイ素で形成され、他の１つは相対的に低い屈折率を有する酸化ケイ素で形成してもよい。
次に、図８および図９に示すように、第１層間絶縁膜１６０１および第２層間絶縁膜１６０２を第２感光膜パターン８２０を用いたフォトエッチング工程によってパターニングして層間絶縁膜パターン１６０を形成する。層間絶縁膜パターン１６０は、ゲート電極１５３、１５４、第２キャパシタ電極１５９、データライン１５１、および共通電源ライン１５２（図２に図示）の一部をそれぞれ露出する接触孔６０１、６０３、６０４、６０９を有する。また、層間絶縁膜パターン１６０とゲート絶縁膜パターン１４０は共に、多結晶アクティブ層１３３、１３４および第１キャパシタ電極１３９の一部を露出する接触孔６４５、６４６、６４７、６４８、６４９を有する。
また、第２層間絶縁膜１６０２は、第２高厚さ部８２１と第２低厚さ部８２２を有する第２感光膜パターン８２０を介して第１層間絶縁膜１６０１よりもさらに多くの面積がエッチングされる。
次に、図１０に示すように、層間絶縁膜パターン１６０上に透明導電層１７０１および第２金属層１７０２を順に積層する。透明導電層１７０１は、層間絶縁膜パターン１６０の接触孔６０１、６０３、６０４、６０９、６４５、６４６、６４７、６４８、６４９を介してそれぞれゲート電極１５３、１５４、第１キャパシタ電極１３９、第２キャパシタ電極１５９、データライン１５１、共通電源ライン１５２、および多結晶アクティブ層１３３、１３４と接続する。
そして、第２金属層１７０２上に第３感光膜パターン８３０を形成する。第３感光膜パターン８３０も第３高厚さ部８３１と第３低厚さ部８３２を含む。このとき、第３低厚さ部８３２は、ソース電極１７５、１７６、ドレイン電極１７７、１７８および画素電極７１０が形成される位置と対応する。
次に、図１１に示すように、第３感光膜パターン８３０を介してエッチングして透明導電層１７０１と第２金属層１７０２で形成された第２導電膜パターン中間体１７００を形成する。この後、第３感光膜パターン８３０の第３低厚さ部８３２を除去し、第３高厚さ部８３１を介して第２導電膜パターン中間体１７００を再びエッチングして第２導電膜パターン１７０を形成する。第２導電膜パターン１７０は、図１２に示すように、透明導電層１７０１と第２金属層１７０２で形成されたゲートライン１７１および連結ライン１７２と、透明導電層１７０１で形成されたソース電極１７５、１７６、ドレイン電極１７７、１７８と、画素電極７１０とを含む。
次に、多結晶アクティブ層１３３、１３４の一部領域にｎ型またはｐ型分酒物をドーピングする。ソース電極１７５、１７６およびドレイン電極１７７、１７８は第２金属層１７０２が除去されて透明導電層１７０１で形成されるため、ｎ型またはｐ型不純物がソース電極１７５、１７６およびドレイン電極１７７、１７８を通過して多結晶アクティブ層１３３、１３４の一部領域にドーピングされる。この反面、ゲート電極１５３、１５４はｎ型またはｐ型不純物が多結晶アクティブ層１３３、１３４にドーピングされることを遮断する。したがって、多結晶アクティブ層１３３、１３４は、ゲート電極１５３、１５４の下に位置する真性半導体領域と、ソース電極１７５、１７６およびドレイン電極１７７、１７８の下に位置する不純物半導体領域とに区分される。
しかしながら、本発明の第１実施形態が上述したものに限定されるものではない。すなわち、多結晶アクティブ層１３３、１３４の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする工程は、第２導電膜パターン１７０を形成する前に実行することもできる。このときには、ソース電極１７５、１７６およびドレイン電極１７７、１７８が透明導電層１７０１および第２金属層１７０２で形成してもよい。
次に、図１２に示すように、第２導電層パターン１７０上に画素定義膜１８０を形成する。画素定義膜１８０は画素電極７１０の一部を露出する開口部１８５を含む。そして、画素電極７１０上には有機発光層７２０および共通電極７３０が順に積層される。
以上のような製造方法によって、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置１０１を製造することができる。すなわち、用いられるフォトエッチング工程数を最小化して有機発光表示装置１０１を製造することができる。
したがって、本発明の第１実施形態によれば、大型化した有機発光表示装置１０１も効果的に高い生産性を維持することができる。
また、有機発光表示装置１０１は、互いに異なる屈折率を有する第１層間絶縁膜１６０１と第２層間絶縁膜１６０２によってミラー効果を得ることができる。
以下、図１３および図１４を参照しながら、本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置１０２を説明する。
図１３および図１４に示すように、多結晶シリコン層パターン２３０がバッファ層１２０上に形成される。多結晶シリコン層パターン２３０は多結晶アクティブ層２３３、２３４および第１キャパシタ電極２３９を含む。また、多結晶シリコン層パターン２３０は、後述するデータライン１５１および共通電源ライン１５２の下に位置するダミー多結晶層２３１をさらに含んでもよい。
ゲート絶縁膜パターン２４０は、多結晶シリコン層パターン２３０の一部領域上に形成される。すなわち、本発明の第２実施形態において、ゲート絶縁膜パターン２４０は多結晶シリコン層パターン２３０と同じパターンで形成されず、後述する第１導電膜パターン２５０と同じパターンで形成される。
第１導電膜パターン２５０はゲート絶縁膜２４０上にゲート絶縁膜２４０と同じパターンで形成される。第１導電膜パターン２５０はゲート電極２５３、２５４および第２キャパシタ電極２５９を含む。また、第１導電膜パターン２５０はデータライン２５１および共通電源ライン２５２をさらに含む。しかしながら、本発明の第１実施形態がこれに限定されるものではない。すなわち、第１導電膜パターン２５０は、データライン２５１および共通電源２５２ラインの代わりにゲートライン２７１をさらに含んでもよい。
第１導電膜パターン２５０は、ドーピングされた非晶質シリコン層２５１１、２５３１、２５４１、２５９１と第１金属層２５１２、２５３２、２５４２、２５９２で形成される。ドーピングされた非晶質シリコン層２５１１、２５３１、２５４１、２５９１は、後述する第２導電膜パターン２７０を形成する過程において、第１金属層２５１２、２５３２、２５４２、２５９２が損傷したり断線する場合にこれを補完する役割を行う。
層間絶縁膜パターン２６０は第１導電膜パターン２５０上に形成される。層間絶縁膜パターン２６０は、ゲート電極２５３、２５４、第２キャパシタ電極２５９、データライン２５１、および共通電源ライン２５２の一部をそれぞれ露出する接触孔６０１、６０３、６０４、６０９を有する。また、層間絶縁膜パターン２６０は、ゲート絶縁膜パターン２４０と共に多結晶アクティブ層２３３、２３４および第１キャパシタ電極２３９の一部を露出する開口領域６４５、６４６、６４７、６４８を有する。
また、層間絶縁膜パターン２６０は第１層間絶縁膜２６０１と第２層間絶縁膜２６０２を含む。第１層間絶縁膜２６０１および第２層間絶縁膜２６０２は互いに異なる屈折率を有してもよい。このように、第１層間絶縁膜２６０１と第２層間絶縁膜２６０２が互いに異なる屈折率を有せば、有機発光表示装置１０２は第１層間絶縁膜２６０１と第２層間絶縁膜２６０２の間の界面で反射する光によってミラー効果を得ることができる。
第２導電膜パターン２７０は層間絶縁膜パターン２６０上に形成される。また、第２導電膜パターン２７０は、層間絶縁膜パターン２６０の開口領域６４６を介して露出された多結晶シリコン層パターン２３０の一部上にも形成される。
第２導電膜パターン２７０は、ソース電極２７５、２７６、ドレイン電極２７７、２７８、および画素電極７１０を含む。また、第２導電膜パターン２７０は、ゲートライン２７１および連結ライン２７２をさらに含む。しかしながら、本発明の第１実施形態がこれに限定されるものではない。すなわち、第２導電膜パターン２７０は、ゲートライン２７１の代わりにデータライン１５１および共通電源ライン１５２をさらに含んでもよい。
ソース電極２７５、２７６およびドレイン電極２７７、２７８は開口領域６４５、６４６、６４７、６４８を介して多結晶アクティブ層２３３、２３４と連結する。画素電極７１０は第２薄膜トランジスタ２０のドレイン電極２７８から延長する。一方、図１４において、第２薄膜トランジスタ２０のソース電極２７６は多結晶シリコン層パターン２３０のすぐ上に形成されるが、本発明の第２実施形態がこれに限定されるものではない。
連結ライン２７２は接触孔６０４、６０９を介して第２薄膜トランジスタ２０のゲート電極２５４と第２キャパシタ電極２５９、または第１薄膜トランジスタ１０のドレイン電極２７７を連結する。また、連結ライン２７２は接触孔６０１を介して第１薄膜トランジスタ１０のソース電極２７５とデータライン２５１を連結する。また、連結ライン２７２は、図に示されていないその他の構成を連結してもよい。
第２導電膜パターン２７０は、透明導電層２７０１と、透明導電層２７０１の一部領域上に形成された第２金属層２７０２とを含む。ソース電極２７５、２７６、ドレイン電極２７７、２７８、ゲートライン２７１、および連結ライン２７２は透明導電層２７０１および第２金属層２７０２で形成される。そして、画素電極７１０は透明導電層２７０１で形成される。したがって、有機発光表示装置１０２は背面方向、すなわち、基板本体１１１方向に光を放出して画像を表示することができる。しかしながら、本発明の第２実施形態が上述したものに限定されるものではなく、ソース電極２７５、２７６およびドレイン電極２７７、２７８も透明導電層２７０１で形成されてもよい。ただし、ソース電極２７５、２７６およびドレイン電極２７７、２７８が透明導電層２７０１と第２金属層２７０２で形成されたのか、あるいは透明導電層２７０１で形成されたのかにより、多結晶アクティブ層２３３、２３４の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする工程の順が変わることがある。例えば、ソース電極２７５、２７６およびドレイン電極２７７、２７８が透明導電層２７０１と第２金属層２７０２で形成されれば、第２導電膜パターン２７０を形成する前にｎ型またはｐ型不純物を多結晶アクティブ層２３０の一部領域にドーピングしなければならない。この反面、ソース電極２７５、２７６およびドレイン電極２７７、２７８が透明導電層２７０１で形成されれば、第２導電膜パターン２７０を形成した後にｎ型またはｐ型不純物を多結晶アクティブ層２３３、２３４の一部領域にドーピングしてもよい。
画素定義膜１８０は第２導電膜パターン２７０上に形成される。画素定義膜１８０は画素電極７１０の一部を露出する開口部１８５を含む。有機発光層７２０は画素電極７１０上に形成され、共通電極７３０は有機発光層７２０上に形成される。
このような構成により、本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置１０２は、製造過程で用いられるフォトエッチング工程数を最小化できるように簡素な構造を有することができる。
具体的に、ゲート絶縁膜パターン２４０、第１導電膜パターン２５０、および層間絶縁膜パターン２６０を同じフォトエッチング工程によって形成することができる。また、第２薄膜トランジスタ２０のドレイン電極２７８と有機発光素子７０の画素電極７１０を同じフォトエッチング工程によって形成することができる。
また、第２導電膜パターン２７０を形成する過程において第１金属層２５１２、２５３２、２５４２、２５９２が損傷したり断線する場合、ドーピングされた非晶質シリコン層２５１１、２５３１、２５４１、２５９１を介して断線および不良の発生を防ぐことができる。
また、有機発光表示装置１０２は、互いに異なる屈折率を有する第１層間絶縁膜２６０１と第２層間絶縁膜２６０２によってミラー効果を得ることができる。
以下、図１５〜図２１を参照しながら、本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置１０２の製造方法を説明する。
まず、図１５に示すように、バッファ層１２０上に多結晶シリコン層、ゲート絶縁膜、ドーピングされた非晶質シリコン層、および第１金属層を順に積層した後、これらを共にフォトエッチング工程によってパターニングして多結晶シリコン層パターン２３０、ゲート絶縁膜中間体２４１０、および第１導電膜中間体２５１０を形成する。多結晶シリコン層パターン２３０は多結晶アクティブ層２３３、２３４および第１キャパシタ電極２３９を含む。第１導電膜中間体２５１０はドーピングされた非晶質シリコン層２５０１および第１金属層２５０２を含む。
また、図に示されてはいないが、多結晶シリコン層パターン２３０、ゲート絶縁膜中間体２４１０、および第１導電膜中間体２５１０は、１つの感光膜パターンを用いたフォトエッチング工程によって形成される。
次に、図１６に示すように、第１導電膜中間体２５１０上に互いに異なる屈折率を有する第１層間絶縁膜２６０１および第２層間絶縁膜２６０２を順に形成する。
そして、第２層間絶縁膜２６０２上に第１感光膜パターン９１０を形成する。第１感光膜パターン９１０は二重露光またはハーフトーン（ｈａｌｆｔｏｎｅ）露光工程をによって形成される。第１感光膜パターン９１０は第１高厚さ部９１１と第１低厚さ部９１２を含む。
次に、図１７および図１８に示すように、ゲート絶縁膜中間体２４１０、第１導電膜中間体２５１０、第１層間絶縁膜２６０１、および第２層間絶縁膜２６０２を第１感光膜パターン９１０を用いたフォトエッチング工程によってパターニングしてゲート絶縁膜パターン２４０、第１導電膜パターン２５０、および層間絶縁膜パターン２６０を形成する。
ゲート絶縁膜パターンは第１導電膜パターンと同じパターンで形成される。第１導電膜パターン２５０は、ゲート電極２５３、２５４、第２キャパシタ電極２５９、データライン２５１、および共通電源ライン２５２（図１３に図示）を含む。層間絶縁膜パターン２６０は、ゲート電極２５３、２５４、第２キャパシタ電極２５９、データライン２５１、および共通電源ライン２５２（図２に図示）の一部をそれぞれ露出する接触孔６０１、６０３、６０４、６０９を有する。また、層間絶縁膜パターン２６０とゲート絶縁膜パターン１４０は共に、多結晶アクティブ層２３３、２３４および第１キャパシタ電極２３９の一部を露出する開口領域６４５、６４６、６４７、６４８を有する。
また、多結晶シリコン層パターン２３０はダミー多結晶層２３１をさらに含んでもよい。ダミー多結晶層２３１は第１導電膜パターン２５０のデータライン２５１および共通電源ライン２５２の下に配置される。ダミー多結晶層２３１は、有機発光表示装置１０２が本発明の第２実施形態によって製造される過程において付随的に形成される構成である。
次に、多結晶アクティブ層２３３、２３４の一部領域にｎ型またはｐ型分酒物をドーピングする。このとき、ゲート電極２５３、２５４は、ｎ型またはｐ型不純物が多結晶アクティブ層２３３、２３４にドーピングされることを遮断する。したがって、多結晶アクティブ層２３３、２３４は、ゲート電極１５３、１５４の下に位置する真性半導体領域と、ソース電極２７５、２７６およびドレイン電極２７７、２７８の下に位置するようになる不純物半導体領域とに区分される。
しかしながら、本発明の第２実施形態が上述したものに限定されるものではない。すなわち、多結晶アクティブ層２３３、２３４の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする工程は、第２導電膜パターン１７０を形成した後に実行してもよい。このときには、ソース電極２７５、２７６およびドレイン電極２７７、２７８がｎ型またはｐ型不純物を通過させることができるように第２金属層２７０２を除去し、透明導電層２７０１で形成されなければならない。
次に、図１９に示すように、層間絶縁膜パターン２６０上に透明導電層２７０１および第２金属層２７０２を順に積層する。透明導電層２７０１は、層間絶縁膜パターン２６０の接触孔６０１、６０３、６０４、６０９および開口領域６４５、６４６、６４７、６４８を介してそれぞれゲート電極２５３、２５４、第１キャパシタ電極２３９、第２キャパシタ電極２５９、データライン２５１、共通電源ライン２５２（図１３に図示）、および多結晶アクティブ層２３３、２３４と接続する。
そして、第２金属層２７０２上に第２感光膜パターン９２０を形成する。第２感光膜パターン９２０も第２高厚さ部９２１と第２低厚さ部９２２を含む。このとき、第２低厚さ部９２２は画素電極７１０が形成される位置と対応する。
次に、図２０に示すように、第２感光膜パターン９２０を介してエッチングして透明導電層２７０１と第２金属層２７０２で形成された第２導電膜パターン中間体２７００を形成する。この後、第２感光膜パターン９２０の第２低厚さ部９２２を除去し、第２高厚さ部９２１を介して第２導電膜パターン中間体２７００を再びエッチングして第２導電膜パターン２７０を形成する。第２導電膜パターン２７０は、図２１に示すように、透明導電層２７０１と第２金属層２７０２で形成されたソース電極２７５、２７６、ドレイン電極２７７、２７８、ゲートライン２７１、および連結ライン２７２と、透明導電層２７０１で形成された画素電極７１０を形成する。
次に、図１２に示すように、第２導電層パターン２７０上に画素定義膜１８０を形成する。画素定義膜１８０は画素電極７１０の一部を露出する開口部１８５を含む。そして、画素電極７１０上には有機発光層７２０および共通電極７３０が順に積層される。
以上のような製造方法によって、本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置１０２を製造することができる。すなわち、用いられるフォトエッチング工程数を最小化して有機発光表示装置１０２を製造することができる。
したがって、本発明の第２実施形態によれば、大型化した有機発光表示装置１０２も効果的に高い生産性を維持することができる。
また、第２導電膜パターン２７０を形成する過程において第１金属層２５１２、２５３２、２５４２、２５９２が損傷したり断線する場合、ドーピングされた非晶質シリコン層２５１１、２５３１、２５４１、２５９１を介して断線および不良の発生を防ぐことができる。
さらに、有機発光表示装置１０２は、互いに異なる屈折率を有する第１層間絶縁膜２６０１と第２層間絶縁膜２６０２を介してミラー効果を得ることができる。
本発明を上述して記載したように好ましい実施形態を参照しながら説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、添付する特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り多様な修正および変形が可能であることは、本発明が属する技術分野に従事する者には簡単に理解できるであろう。
１０、２０：薄膜トランジスタ
７０：有機発光素子
９０：キャパシタ
１０１、１０２：有機発光表示装置
１１１：基板本体
１２０：バッファ層
１３０、２３０：多結晶シリコン層パターン
１３１、２３１：ダミー多結晶層
１３３、１３４、２３３、２３４：多結晶アクティブ層
１３９、２３９：第１キャパシタ電極
１４０、２４０：ゲート絶縁膜パターン
１５０、２５０：第１導電膜パターン
１５１、２５１：データライン
１５２、２５２：共通電源ライン
１５３、１５４、２５３、２５４：ゲート電極
１５９、２５９：第２キャパシタ電極
１６０、２６０：層間絶縁膜パターン
１７０、２７０：第２導電膜パターン
１７１、２７１：ゲートライン
１７２、２７２：連結ライン
１７５、１７６、２７５、２７６：ソース電極
１７７、１７８、２７７、２７８：ドレイン電極
１８０：画素定義膜
６０１、６０３、６０４、６０９、６４５、６４６、６４７、６４８、６４９：接触孔
７１０：画素電極
７２０：有機発光層
７３０：共通電極

Claims (37)

  1. 基板本体と、
    前記基板本体上に形成された多結晶アクティブ層および第１キャパシタ電極を含む多結晶シリコン層パターンと、
    前記多結晶シリコン層パターン上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、
    前記ゲート絶縁膜パターン上に形成されたゲート電極および第２キャパシタ電極を含む第１導電膜パターンと、
    前記第１導電膜パターン上に形成された層間絶縁膜パターンと、
    前記層間絶縁膜パターン上に形成されたソース電極、ドレイン電極、および画素電極を含む第２導電膜パターンと、
    を含み、
    前記多結晶シリコン層パターン、前記ゲート絶縁膜パターンおよび前記第１導電膜パターンは、共にパターニングして形成され、
    前記画素電極の一部を露出する開口部を有して前記第２導電膜パターン上に形成された画素定義膜と、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された共通電極をさらに含み、
    前記第１導電膜パターンはデータラインおよび共通電源ラインをさらに含む有機発光表示装置。
  2. 前記ゲート絶縁膜パターンは前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する複数の接触孔を有し、前記多結晶シリコン層パターンと同じパターンで形成される請求項１に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記第１導電膜パターンは第１金属層を含み、
    前記第２導電膜パターンは透明導電層と前記透明導電層の一部領域上に形成された第２金属層を含む請求項２に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記層間絶縁膜パターンは、前記第１導電膜パターンの一部を露出する接触孔と、前記ゲート絶縁膜パターンと共に前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する接触孔を有する請求項２に記載の有機発光表示装置。
  5. 前記ゲート絶縁膜パターンは前記第１導電膜パターンと同じパターンで形成される請求項１に記載の有機発光表示装置。
  6. 前記第１導電膜パターンはドーピングされた非晶質シリコン層と前記ドーピングされた非晶質シリコン層上に形成された第１金属層を含み、
    前記第２導電膜パターンは透明導電層と前記透明導電層の一部領域上に形成された第２金属層を含む請求項５に記載の有機発光表示装置。
  7. 前記層間絶縁膜パターンは、前記第１導電膜パターンの一部を露出する接触孔と、前記ゲート絶縁膜パターンと共に前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する開口領域を有する請求項５に記載の有機発光表示装置。
  8. 前記ソース電極および前記ドレイン電極は前記透明導電層および前記第２金属層を含み、
    前記画素電極は前記透明導電層を含む請求項１に記載の有機発光表示装置。
  9. 前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記画素電極は前記透明導電層を含む請求項１に記載の有機発光表示装置。
  10. 前記第２導電膜パターンはゲートラインおよび連結ラインをさらに含む請求項１に記載の有機発光表示装置。
  11. 前記層間絶縁膜パターンは第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と異なる屈折率を有する第２層間絶縁膜を含む請求項１に記載の有機発光表示装置。
  12. 前記層間絶縁膜パターンは複数の無機膜および有機膜のうちの１つ以上の膜を含む請求項１１に記載の有機発光表示装置。
  13. 基板本体を設ける段階と、
    前記基板本体上に多結晶シリコン層、ゲート絶縁膜、および第１金属層を順に積層する段階と、
    前記多結晶シリコン層、前記ゲート絶縁膜、および前記第１金属層を共にパターニングして多結晶シリコン層パターン、ゲート絶縁膜パターン、および第１導電膜パターンを形成する段階と、
    前記第１導電膜パターン上に層間絶縁膜パターンを形成する段階と、
    前記層間絶縁膜パターン上に第２導電膜パターンを形成する段階と、
    を含み、
    前記多結晶シリコン層パターンは多結晶アクティブ層および第１キャパシタ電極を含み、前記ゲート絶縁膜パターンは前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する複数の接触孔を有して前記多結晶シリコン層パターンと同じパターンで形成され、前記第１導電膜パターンは前記ゲート絶縁膜パターン上に形成されたゲート電極および第２キャパシタ電極を含み、
    前記第１導電膜パターンはデータラインおよび共通電源ラインをさらに含む有機発光表示装置の製造方法。
  14. 前記多結晶シリコン層パターン、前記ゲート絶縁膜パターン、および前記第１導電膜パターンは、二重露光またはハーフトーン（ｈａｌｆｔｏｎｅ）露光工程を含むフォトエッチング工程によって共に形成される請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  15. 前記層間絶縁膜パターンは、前記第１導電膜パターンの一部を露出する接触孔と、前記ゲート絶縁膜パターンと共に前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する接触孔と、を有する請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  16. 前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記層間絶縁膜パターンおよび前記ゲート絶縁膜パターンを介して露出された前記多結晶アクティブ層の一部領域とそれぞれ接続する請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  17. 前記第２導電膜パターンを形成する段階は、
    前記層間絶縁膜上に透明導電層および第２金属層を順に積層する段階と、
    前記透明導電層および前記第２金属層を共にパターニングして前記透明導電層および前記第２金属層を含むソース電極およびドレイン電極と、前記透明導電層を含む画素電極を形成する段階と、
    を含む請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  18. 前記第２導電膜パターンを形成する前に、前記多結晶シリコン層の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする段階をさらに含む請求項１７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  19. 前記第２導電膜パターンを形成する段階は、
    前記層間絶縁膜上に透明導電層および第２金属層を順に積層する段階と、
    前記透明導電層および前記第２金属層を共にパターニングして前記透明導電層を含むソース電極、ドレイン電極、および画素電極を形成する段階と、を含む請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  20. 前記第２導電膜パターンを形成した後に、前記多結晶シリコン層の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする段階をさらに含む請求項１９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  21. 前記画素電極の一部を露出する開口部を有する画素定義膜を前記第２導電膜パターンの上に形成する段階と、
    前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、
    前記有機発光層上に共通電極を形成する段階と、をさらに含む請求項１３〜２０のうちのいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  22. 前記第２導電膜パターンはゲートラインおよび連結ラインをさらに含む請求項２１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  23. 前記層間絶縁膜パターンは第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と異なる屈折率を有する第２層間絶縁膜を含む請求項２１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  24. 前記層間絶縁膜パターンは、複数の無機膜および有機膜のうちの１つ以上の膜を含む請求項２３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  25. 基板本体を設ける段階と、
    前記基板本体上に多結晶シリコン層、ゲート絶縁膜、ドーピングされた非晶質シリコン層、および第１金属層を順に積層する段階と、
    前記多結晶シリコン層、前記ゲート絶縁膜、ドーピングされた非晶質シリコン層、および前記第１金属層を共にパターニングして多結晶アクティブ層と第１キャパシタ電極を含む多結晶シリコン層パターン、前記多結晶シリコン層パターン上に形成されたゲート絶縁膜中間体、および前記ゲート絶縁膜中間体上に形成された第１導電膜中間体を形成する段階と、
    前記第１導電膜中間体上に層間絶縁膜を形成する段階と、
    前記第１導電膜中間体および前記層間絶縁膜をパターニングして前記ゲート絶縁膜中間体の一部を露出する第１導電膜パターンおよび層間絶縁膜パターンを形成する段階と、
    前記第１導電膜パターンおよび前記層間絶縁膜パターンを介して露出された前記ゲート絶縁膜中間体をエッチングして前記多結晶アクティブ層の一部を露出するゲート絶縁膜パターンを形成する段階と、
    前記多結晶アクティブ層および前記層間絶縁膜パターン上に第２導電膜パターンを形成する段階と、
    を含む有機発光表示装置の製造方法。
  26. 前記第１導電膜パターンはゲート電極と第２キャパシタ電極を含み、前記ドーピングされた非晶質シリコン層および第１金属層で形成される請求項２５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  27. 前記第１導電膜パターンはデータラインおよび共通電源ラインをさらに含む請求項２６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  28. 前記層間絶縁膜パターンは、前記第１導電膜パターンの一部を露出する接触孔と、前記ゲート絶縁膜パターンと共に前記多結晶シリコン層パターンの一部を露出する開口領域とを有する請求項２５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  29. 前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記層間絶縁膜パターンおよび前記ゲート絶縁膜パターンを介して露出された前記多結晶アクティブ層の一部領域とそれぞれ接続する請求項２８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  30. 前記第２導電膜パターンを形成する段階は、
    前記層間絶縁膜上に透明導電層および第２金属層を順に積層する段階と、
    前記透明導電層および前記第２金属層を共にパターニングして前記透明導電層および前記第２金属層を含むソース電極およびドレイン電極と、前記透明導電層を含む画素電極を形成する段階と、を含む請求項２５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  31. 前記第２導電膜パターンを形成する前に、前記多結晶シリコン層の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする段階をさらに含む請求項３０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  32. 前記第２導電膜パターンを形成する段階は、
    前記層間絶縁膜上に透明導電層および第２金属層を順に積層する段階と、
    前記透明導電層および前記第２金属層を共にパターニングして前記透明導電層を含むソース電極、ドレイン電極、および画素電極を形成する段階と、を含む請求項２５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  33. 前記第２導電膜パターンを形成した後に、前記多結晶シリコン層の一部領域にｎ型またはｐ型不純物をドーピングする段階をさらに含む請求項３２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  34. 前記画素電極の一部を露出する開口部を有する画素定義膜を前記第２導電膜パターン上に形成する段階と、
    前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、
    前記有機発光層上に共通電極を形成する段階をさらに含む請求項２５〜３３のうちのいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  35. 前記第２導電膜パターンはゲートラインおよび連結ラインをさらに含む請求項３４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  36. 前記層間絶縁膜は第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と異なる屈折率を有する第２層間絶縁膜と、を含む請求項３４に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  37. 前記層間絶縁膜は、複数の無機膜および有機膜のうちの１つ以上の膜を含む請求項３６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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