TWI527206B - 有機發光二極體顯示器及其之製造方法 - Google Patents
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Description
本發明的實施例關於一種有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示器及其之製造方法。更明確地說，本發明的實施例關於一種電容器。
有機發光二極體(OLED)顯示器包含複數個像素，每一個像素皆有驅動電路以及有機發光元件。該驅動電路包含至少兩個薄膜電晶體。該驅動電路包含：切換薄膜電晶體；驅動薄膜電晶體；以及至少電容器。該有機發光元件包含：像素電極；有機發光層；以及共同電極。像素電極和共同電極中的其中一者為電洞注入電極，而另一者為電子注入電極。
該電容器包含第一儲存板和第二儲存板，在兩者之間有閘極絕緣層。該第一儲存板係由多晶矽製成。
上面在先前技術段落中所揭示的資訊僅係為瞭解本文所述之技術的背景。所以，其可能含有並不構成本國中熟習本技術的人士已知的先前技藝的資訊。
本發明一實施例的特點係提供一種有機發光二極體顯示器，用以藉由最小化非摻雜區的產生來防止第一儲存板的訊號截斷。
本發明一實施例的另一項特點係提供一種有機發光二極體顯示器的製造方法，用以藉由最小化非摻雜區的產生來防止第一儲存板的訊號截斷。
上面和其它特點及優點中至少其中一者可藉由提供一種有機發光二極體顯示器來達成，其包含：基板；被形成在該基板之上的有機發光元件；複數個薄膜電晶體，用於驅動該有機發光元件；以及電容器，其包含第一儲存板以及位於該第一儲存板之上的第二儲存板，在兩者之間有閘極絕緣層，該電容器會被連接至該薄膜電晶體。
該第一儲存板包含：第一摻雜區；複數個非摻雜區，它們會接觸該第一摻雜區；以及第二摻雜區，其會經由該等非摻雜區之間的間隙來接觸該第一摻雜區。
該第一儲存板會被形成直線圖樣，而且該等非摻雜區會以彼此分開的方式被定位在該第一儲存板的寬度方向之中。
該第一摻雜區和該第二摻雜區會被連接在該第一儲存板的長度方向之中。
該第二儲存板會被定位在該等非摻雜區和該第二摻雜區之中。
該有機發光二極體顯示器進一步包含層間絕緣層，其包含一位於該第二儲存板上的儲存板開口，用以露出該第二儲存板的一部分，而且該儲存板開口會被形成寬於該第二儲存板。
該薄膜電晶體包含切換薄膜電晶體和驅動薄膜電晶體，而且該驅動薄膜電晶體包含被電連接至該第一摻雜區的驅動閘極電極。
該層間絕緣層會在該第二儲存板之中形成接觸孔，而且該有機發光二極體顯示器還進一步包含共同電壓線，其會被形成在該層間絕緣層之中並且會經由該接觸孔被電連接至該第二儲存板。
上面和其它特點及優點中至少其中一者亦可藉由提供一種用於製造有機發光二極體顯示器的方法來達成，其包含：形成由多晶矽層組成的第一儲存板以及在基板上形成用於覆蓋該第一儲存板的閘極絕緣層；依序形成用於覆蓋該第一儲存板的第二儲存板以及位於該閘極絕緣層之中的電容器中間物；將雜質注入未被該第一儲存板之中該電容器中間物覆蓋的部分以形成第一摻雜區；形成層間絕緣層，其具有電容器開口，用以露出該電容器中間物，該層間絕緣層在朝向該電容器開口中該第一摻雜區的該電容器中間物之邊緣上具有複數個腐蝕防止層；以及移除電容器中間物，包含該腐蝕防止層和該腐蝕防止層的一下方區，並且經由該第二儲存板將雜質注入該第一儲存板之中，以便形成接觸該第一摻雜區的第二摻雜區。
該第一儲存板會被形成一直線圖樣，而且該第二儲存板和該電容器中間物會被定位在並非該第一儲存板之末端的區域之中。
該第一摻雜區會被定位在該第一儲存板的末端，而該第二摻雜區則會在該第一儲存板的長度方向之中延伸至該第一摻雜區。
該第二儲存板會被形成透明的導體層，而該電容器中間物則係由第一金屬層/第二金屬層/第一金屬層所組成的三層所構成。
該方法進一步包含形成該腐蝕防止層以及在該基板上形成且圖樣化資料金屬層，而且當該資料金屬層被圖樣化時，該腐蝕防止層和該電容器中間物會同時被消除。
該資料金屬層係由和該電容器中間物相同的材料所構成。
該電容器開口會被形成寬於該電容器中間物，而且當該電容器中間物被移除時，該電容器中間物的邊緣中未被該腐蝕防止層覆蓋的部分會殘留。
該第二摻雜區會經由該第一儲存板中該等電容器中間物之間的間隙來接觸該第一摻雜區。
現在將在下文中參考隨附的圖式更完整地說明本發明的範例實施例；該等實施例亦可以不同的形式來具現並且不應被視為受限於本文所提出的實施例。確切地說，提供該些實施例僅係為讓本揭示內容更臻透澈與完整，並且完整地傳達本新穎概念的範疇給熟習本技術的人士。
要瞭解的係， 當表示一元件(例如一層、膜、區域、或是基板)位於或延伸在另一元件「之上」時，其可能直接位於該另一元件之上，或是亦可能存在中間元件。
圖1至圖14所示的係根據一示範性實施例之用於製造有機發光二極體(OLED)顯示器的方法的處理圖。
圖1所示的係根據一示範性實施例之用於製造有機發光二極體(OLED)顯示器的第一階段的佈局圖，而圖2所示的係圖1的直線A-A’和B-B’的剖面圖。
參考圖1至2，一緩衝層111會被形成在一基板110之上。該基板110係由一透明的絕緣基板所製成，例如，玻璃、石英、或是塑膠。該緩衝層111可能係由單層SiNx或是累堆層SiNx或SiO2所構成，並且會經由PECVD方法被沉積在該基板110之上。
一半導體層會被形成在該緩衝層111之中。該半導體層係由一多晶矽層所構成。該多晶矽層係藉由形成非晶矽層並且對其進行結晶化而構成。許多已知的方法皆可運用於該結晶化方法。舉例來說，該非晶矽層能夠利用下面方式而被結晶：熱、雷射束、焦耳熱、電場、或是觸媒金屬。
該半導體層會經由光微影術利用第一圖樣遮罩被圖樣化。第一至第五切換半導體層11、21、31、41以及51，驅動半導體層61，以及第一儲存板71會同時被形成。閘極絕緣層112會被形成在該基板110之上，用以覆蓋該等第一至第五切換半導體層11、21、31、41以及51，驅動半導體層61，以及第一儲存板71。該閘極絕緣層112能夠利用SiNx和TEOS所組成的累堆層所構成。
該第一儲存板71會被連接至第三切換半導體層31。在每一個像素中，該第一儲存板71會以直線圖樣從該像素的左邊或右邊被形成在該基板110的其中一個方向(參考圖1的垂直方向)之中。該第一儲存板71可能會被形成在其中一個末端被彎折至少一次。圖1所示的係該第一儲存板71的末端被彎折兩次的情況中(參考箭頭所示的圓圈C)，俾使得該第一儲存板71包含第一垂直單元711和第二垂直單元712以及水平單元713。該第一儲存板71並不侷限為圖中所示的範例。
圖3所示的係根據一示範性實施例之用於製造有機發光二極體(OLED)顯示器的第二階段的佈局圖。圖4所示的係圖3的直線A-A’和B-B’的剖面圖。
參考圖3至4，像素電極層和閘極金屬層會依序被形成在該閘極絕緣層112之上。該像素電極層會被形成一透明的導體層，例如，ITO或IZO。該閘極金屬層可能係藉由累堆第一金屬層和第二金屬層所產生的多層來構成。該第一金屬層可能包含鉬以及鉬合金中其中一者。該第二金屬層可能包含下面其中一者：銅、銅合金、鋁、以及鋁合金。該閘極金屬層可能係由第一金屬層/第二金屬層/第一金屬層(舉例來說，鉬/鋁/鉬)所組成的三層所構成。
第二圖樣遮罩會被用來經由光微影術製程以圖樣化該閘極金屬層和該像素電極層。閘極線113(其包含第一至第三切換閘極電極12、22、以及32)、閘極控制線114(其包含第四和第五切換閘極電極42和52)、閘極驅動電壓線115(其包含第二儲存板72、驅動閘極電極62以及像素電極81)會同時被形成。
該第二儲存板72和該像素電極81會被形成為像素電極層。該第二儲存板72會重疊在該第一儲存板71之上。由閘極金屬層所製成的電容器中間物73會被定位在該第二儲存板72之上。由閘極金屬層所製成的像素電極中間物84會被形成在該像素電極81之上。一部分的電容器中間物73和一部分的像素電極中間物84會在下一個製程中被消除。
該第二儲存板72會重疊該第一儲存板71末端以外的部分。在圖1所示的情況中，該第二儲存板72會覆蓋該第一儲存板71之第一垂直單元711以外的部分。在圖1所示的情況中，第二儲存板72會覆蓋兩個相鄰像素的第一儲存板71。不過，該第二儲存板72並不侷限於此。
該等第一至第五切換半導體層11、21、31、41、以及51以及該驅動半導體層61會藉由摻雜雜質至該等第一至第五切換半導體層11、21、31、41以及51並且該驅動半導體層61被分割成通道區、源極區以及汲極區。該通道區係一本質半導體，並沒有任何雜質被摻雜於其中。該源極區以及該汲極區為有雜質摻雜的雜質半導體。該等第一至第五切換半導體層11、21、31、41以及51以及該驅動閘極電極62會在摻雜雜質時防止雜質被摻雜至該通道區之中。
在摻雜雜質時，也就是，該第一垂直單元711，該雜質會被摻雜到沒有被該第二儲存板72和該電容器中間物73覆蓋的第一儲存板71末端。該第一垂直單元711會變成由一雜質半導體741所構成的第一摻雜區(參見圖4)。該第一儲存板71會在第二圖樣遮罩製程中於末端處形成該第一摻雜區741。
圖5所示的係根據一示範性實施例之用於製造有機發光二極體(OLED)顯示器的第三階段的佈局圖，而圖6所示的係圖5的直線A-A’和B-B’的剖面圖。
參考圖5至6，層間絕緣層116會被形成在該基板110的上方，用以覆蓋在前面階段中所形成的部件。該層間絕緣層116係利用有機層或無機層所構成。像素開口117、複數個接觸孔118以及一儲存板開口119會利用第三圖樣遮罩經由光微影術製程來圖樣化該層間絕緣層116而構成。
該層間絕緣層116的接觸孔118會露出該第五切換半導體層51的汲極區和該第一儲存板71的第一摻雜區741。於此情況中，當該層間絕緣層116和該閘極絕緣層112被移除時便會形成該接觸孔118。該像素開口117會露出大部分的像素電極中間物84。該儲存板開口119會露出該電容器中間物73中重疊在該第一儲存板71之上的大部分區域。
圖7所示的係圖5中所示之有機發光二極體(OLED)顯示器的部分放大圖。圖8所示的係圖7的直線D-D’的剖面圖。圖9所示的係圖7的直線E-E’的剖面圖。
參考圖7至9，該儲存板開口119會被定位在該第一儲存板71的水平單元713和第二垂直單元712之上，以便露出被設置在下方的電容器中間物73。該儲存板開口119會被形成在該第一儲存板71的該水平單元713之上。該儲存板開口119在該水平單元713的寬度方向(參考圖7的垂直方向)中較寬於該電容器中間物73。在圖7中，該電容器中間物73在該水平單元713的寬度方向中所測得的寬度係表示為w1，而該儲存板開口119在相同方向中所測得的寬度則表示為w2。
該儲存板開口119會被形成在該第一儲存板71的第二垂直單元712的左側寬過該電容器中間物73。該儲存板開口119會被定位成和該電容器中間物73分離一預設的距離(參見圖7的w3)。當該層間絕緣層116被圖樣化以形成該儲存板開口119時，該儲存板開口119會被形成寬過該電容器中間物73。
複數個腐蝕防止層120會藉由控制該層間絕緣層116而被形成，以便殘留在該電容器中間物73朝該第一摻雜區741的邊緣處。
該等腐蝕防止層120會沿著該第一摻雜區741的寬度方向(參考圖7的水平方向)被設置在該電容器中間物73的邊緣，於該等腐蝕防止層120之間會有一間隙。該等腐蝕防止層120會被形成四邊形、圓形或是多邊形，而圖7所示的則係四邊形的腐蝕防止層120。圖7雖然顯示三個腐蝕防止層120；不過，腐蝕防止層120的數量係可改變的。
當該等腐蝕防止層120被定位在該電容器中間物73的邊緣上方時，該電容器中間物73之該邊緣的一部分會被該腐蝕防止層120覆蓋(參考圖8)，而另一邊緣則會裸露於該儲存板開口119(參考圖9)。於第二製造階段的此情況中，該像素電極層和該閘極電極層可能會對齊不正確，而露出該第二儲存板72的一部分。因此，複數個腐蝕防止層120可能會被形成在該第二儲存板72和該電容器中間物73上方。
該電容器中間物73中裸露於該儲存板開口119的邊緣部分會被該層間絕緣層116的蝕刻劑(舉例來說，氫氟酸)腐蝕。舉例來說，當該電容器中間物73的第二金屬層732為鋁時，該第二金屬層732會因為氫氟酸而被腐蝕，從而形成一凹陷部733。該第二金屬層732在被該腐蝕防止層120覆蓋的電容器中間物73邊緣處並不會被腐蝕。
圖10所示的係根據一示範性實施例之用於製造有機發光二極體(OLED)顯示器的第四階段的佈局圖。圖11所示的係圖10的直線A-A’和B-B’的剖面圖。
參考圖10至11，一資料金屬層會被形成在該基板110的上方，用以覆蓋在前面階段中所形成的部件。該資料金屬層可由累堆第一金屬層和第二金屬層所產生的多層構成。第一金屬層可能包含鉬以及鉬合金中其中一者。第二金屬層可能包含下面其中一者：銅、銅合金、鋁、以及鋁合金。該資料金屬層可能係由第一金屬層/第二金屬層/第一金屬層(舉例來說，鉬/鋁/鉬)所組成的三層所構成。
第四圖樣遮罩會被用來經由光微影術製程以圖樣化該資料金屬層。資料線121(其包含一第一切換源極電極13、第二切換源極電極23、第三切換源極電極33、第三切換汲極電極34、第四切換源極電極43、第四切換汲極電極44、第五切換汲極電極54)、共同電壓線122以及其它電線會被形成。
該像素電極中間物84和該資料金屬層係由相同的材料構成。所以，當該資料金屬層被蝕刻而露出該像素電極81時，該像素電極中間物84便會被移除。於此製程期間，該像素電極中間物84會被控制用以在該像素電極81之上形成接觸部分85，以便接觸該第五切換汲極電極54。因為該像素開口117能夠被形成為較寬，所以，寬高比會提高。
該電容器中間物73和該資料金屬層係由相同的材料所構成。所以，當該資料金屬層被蝕刻而露出該第二儲存板72時，該電容器中間物73便會被移除。雜質會經由該外露的第二儲存板72被摻雜至該第一儲存板71，用以在該第一儲存板71之上形成第二摻雜區742。
圖12所示的係圖10中所示之有機發光二極體(OLED)顯示器的部分放大圖。圖13所示的係圖12的直線F-F’的剖面圖。圖14所示的係圖12的直線G-G’的剖面圖。
參考圖12至14，該電容器中間物73會在前一個階段中於該電容器中間物73中的第一區域之中被移除。參考圖8，該第一區域會被該腐蝕防止層120覆蓋。所以，當該資料金屬層被蝕刻時，不會有任何電容器中間物73殘留在該第二儲存板72上(參考圖13)。因此，於該雜質被摻雜之後形成在該第一儲存板71之上的第二摻雜區742會接觸該第一摻雜區741。
複數個腐蝕防止層120會被分開定位。該等腐蝕防止層120的分開定位會防止形成單一腐蝕防止層120。所以，該資料金屬層的蝕刻劑很容易進入該等腐蝕防止層120之間，以便有效地防止該電容器中間物73保留在該第一區域之中。
用於圖樣化該資料金屬層的光阻會殘留在第二金屬層732的凹陷部733之中(參見圖9)。第二區域中該第二金屬層732的凹陷部733並(圖中並未顯示)在前一個階段中被電容器中間物73的腐蝕防止層120覆蓋。因此，用於圖樣化該資料金屬層的光阻可能會干擾其下方部之第一金屬層的蝕刻。在該資料金屬層被圖樣化之後，一部分的第一金屬層731仍會殘留。其它部分的第一金屬層731會在摻雜雜質時阻隔雜質的摻雜(參考圖14)。所以，非摻雜區743可能會在該第一金屬層731下方被產生於該第一摻雜區741該第二摻雜區742之間。
圖15所示的係藉由電子顯微鏡所攝得之圖9的一部分的照片。
參考圖15，在第二區域中，該資料金屬層並未被均勻地塗佈。該資料金屬層會因該第二金屬層的凹陷部而中斷連接。該資料金屬層會被收存在該凹陷部的入口處。該經塗佈的光阻會貫穿該凹陷部。被收存在該凹陷部之入口處的資料金屬層會防堵光阻顯影劑朝該凹陷部滲入。該光阻會殘留在該凹陷部處。
圖16所示的係圖12中所示之有機發光二極體(OLED)顯示器中的第一儲存板的佈局圖。
參考圖16，該第一儲存板71包含：第一摻雜區741；複數個非摻雜區743，它們會接觸該第一摻雜區741；以及第二摻雜區742，其會經由該等非摻雜區743之間的間隙被連接至該第一摻雜區741。該等複數個非摻雜區743會沿著該第一儲存板71的寬度方向被分開定位，而該第二摻雜區742則會沿著該第一儲存板71的長度方向被連接至該第一摻雜區741。
該第二摻雜區742會經由該等非摻雜區743之間的間隙被連接至該第一摻雜區741，並且會增強該第一儲存板71的訊號傳送以提高該電容器的效能。
因為該第一金屬層731仍殘留，在該第二儲存板72的邊緣(參考圖14)不會形成該腐蝕防止層120。所以，會在該第一儲存板71之中出現一跨越該第一儲存板71的條狀非摻雜區。於此情況中，訊號傳送會遭到截斷，因為該第一儲存板71的第一摻雜區741和第二摻雜區742係完全分裂。
圖17所示的係根據一示範性實施例之用於製造有機發光二極體(OLED)顯示器的第五階段的佈局圖。圖18所示的係圖17的直線A-A’和B-B’的剖面圖。
參考圖17至18，像素定義層123會被形成在該基板110上方，用以覆蓋在前面階段中所形成的部件。該像素定義層123會利用第五圖樣遮罩經由光微影術製程而被圖樣化，從而構成像素定義層開口124，用以露出一部分的像素電極81。有機發射層82會被形成在經由該像素定義層開口124而露出的像素電極81之上，而共同電極83則會被形成在該有機發射層82之上，以便完成有機發光元件80。該共同電極83會被形成在該像素定義層123之中，俾使得其會被形成在複數個像素上方。
該有機發射層82係由多層構成，其包含：電洞注入層(Hole Injection Layer，HIL)、電洞傳輸層(Hole Transport Layer，HTL)、發射層、電子傳輸層(Electron Transport Layer，ETL)、以及電子注入層(Electron Injection Layer，EIL)。當該像素電極81為電洞注入電極時，該電洞注入層(HIL)、該電洞傳輸層(HTL)、該發射層、該電子傳輸層(ETL)、以及該電子注入層(EIL)便會依序被沉積在該像素電極81之上。除了發射層之外，必要時，組成該有機發射層82的該等層皆能夠被省略。除了發射層之外，該等層皆能夠被形成在該像素定義層123之上。
用於保護該有機發光元件80的密封部件125會被設置在該共同電極83之上。該密封部件125會藉由黏著層(圖中並未顯示)被黏著至該基板110。該密封部件125可能係由各種材料製成，也就是，玻璃、石英、陶瓷、或是金屬。該薄膜囊封層可藉由在該共同電極83上沉積該無機層和該有機層而形成，而不使用該黏著層。
已完成的有機發光二極體(OLED)顯示器100包含第一至第五切換薄膜電晶體10、20、30、40以及50以及驅動薄膜電晶體60。不過，該等薄膜電晶體的數量和設置形式並不侷限於此。該等薄膜電晶體的數量和設置形式可能有許多變化。
該第一切換薄膜電晶體10包含：第一切換半導體層11、第一切換閘極電極12、第一切換源極電極13以及第一切換汲極電極14。該第一切換汲極電極14對應於該第一切換半導體層11的汲極電極。
該第二切換薄膜電晶體20包含：第二切換半導體層21、第二切換閘極電極22、第二切換源極電極23以及第二切換汲極電極24。該第二切換汲極電極24對應於該第二切換半導體層21的汲極電極。
該第三切換薄膜電晶體30包含：第三切換半導體層31、第三切換閘極電極32、第三切換源極電極33以及一第三切換汲極電極34。
該第四切換薄膜電晶體40包含：第四切換半導體層41、第四切換閘極電極42、第四切換源極電極43以及第四切換汲極電極44。該第四切換汲極電極44對應於該第四切換半導體層41的汲極電極。
該第五切換薄膜電晶體50包含：第五切換半導體層51、第五切換閘極電極52、第五切換源極電極53以及第五切換汲極電極54。
該驅動薄膜電晶體60包含：驅動半導體層61、驅動閘極電極62、驅動源極電極63以及驅動汲極電極64。該驅動半導體層61會連接該第四切換半導體層41和該第五切換半導體層51。該驅動源極電極63對應於該驅動半導體層61的源極區，而該驅動汲極電極64對應於該驅動半導體層61的汲極區。該驅動源極電極63會被連接至該第四切換汲極電極44，而且該驅動汲極電極64會被連接至該第五切換汲極電極54。
該第一儲存板71會被連接至該驅動閘極電極62，而該第二儲存板72會被連接至該共同電壓線122。
該第一切換薄膜電晶體10係作為用於選擇要發光的像素的切換器。該第一切換閘極電極12會被連接至該閘極線113，而該第一切換源極電極13會被連接至該資料線121。該第一切換汲極電極14會被連接至該驅動薄膜電晶體60和該第四切換薄膜電晶體40。
該驅動薄膜電晶體60會從該共同電壓線122和該第四切換薄膜電晶體40處接收一驅動電壓，用以讓該選定像素的有機發射層82發光，並且將相同的電壓施加至像素電極81。該第五切換薄膜電晶體50會被設置在該驅動汲極電極64和該像素電極81之間。因此，該有機發光元件80的惡化能夠獲得補償。
在習知的製程中，雜質會在其製造過程期間被注入該第一儲存板之中。但是，整個第一儲存板並不會被均勻地摻雜。明確地說，由於被形成在該第一儲存板之上的組件以及圖樣化方法的關係，該第一儲存板的一部分不會被摻雜；也就是，非摻雜區。該非摻雜區會讓該電容器的功能變差，因為其會截斷該第一儲存板的輸入訊號和輸出訊號。
總結與回顧，根據上面所述的實施例，該有機發光二極體(OLED)顯示器100會使用該等五個圖樣遮罩來簡化配置和對應的製造方法。另外，在使用該第三圖樣遮罩來圖樣化該層間絕緣層116的過程中，複數個腐蝕防止層120會被形成在該電容器中間物73之上，用以防止該第一儲存板71的摻雜區和該非摻雜區分離。因此，可以提高電容器70的效能。
雖然本文已經揭示示範性實施例並且運用特定術語；不過，它們僅係被使用並且應以上位和說明性意義來解釋，而沒有限制的目的。據此，熟習本技術的人士便會瞭解，可以進行形式和細節的各種改變，其並不會脫離下面申請專利範圍中所提出之本發明的精神和範疇。
10,20,30,40,50．．．第一至第五切換薄膜電晶體
11,21,31,41,51．．．第一至第五切換半導體層
12,22,32,42,52．．．第一至第五切換閘極電極
13,23,33,43,53．．．第一至第五切換源極電極
14,24,34,44,54．．．第一至第五切換汲極電極
60．．．驅動薄膜電晶體
61．．．驅動半導體層
62．．．驅動閘極電極
63．．．驅動源極電極
64．．．驅動汲極電極
70．．．電容器
71．．．第一儲存板
72．．．第二儲存板
73．．．電容器中間物
80．．．有機發光元件
81．．．像素電極
82．．．有機發射層
83．．．共同電極
84．．．像素電極中間物
85．．．接觸部分
110．．．基板
111．．．緩衝層
112．．．閘極絕緣層
113．．．閘極線
114．．．閘極控制線
115．．．電壓線
116．．．層間絕緣層
117．．．像素開口
118．．．接觸孔
119．．．儲存開口
120．．．腐蝕防止層
121．．．資料線
122．．．共同電壓線
123．．．像素定義層
124．．．像素定義層開口
125．．．密封部件
711．．．第一垂直單元
712．．．第二垂直單元
713．．．水平單元
731．．．第一金屬層
732．．．第二金屬層
733．．．凹陷部
741．．．第一摻雜區
742．．．第二摻雜區
743．．．非摻雜區
圖1所示的係根據一示範性實施例之用於製造有機發光二極體(OLED)顯示器的第一階段的佈局圖。
圖2所示的係圖1的直線A-A’和B-B’的剖面圖。
圖3所示的係根據一示範性實施例之用於製造有機發光二極體(OLED)顯示器的第二階段的佈局圖。
圖4所示的係圖3的直線A-A’和B-B’的剖面圖。
圖5所示的係根據一示範性實施例之用於製造有機發光二極體(OLED)顯示器的第三階段的佈局圖。
圖6所示的係圖5的直線A-A’和B-B’的剖面圖。
圖7所示的係圖5中所示之有機發光二極體(OLED)顯示器的部分放大圖。
圖8所示的係圖7的直線D-D’的剖面圖。
圖9所示的係圖7的直線E-E’的剖面圖。
圖10所示的係根據一示範性實施例之用於製造有機發光二極體(OLED)顯示器的第四階段的佈局圖。
圖11所示的係圖10的直線A-A’和B-B’的剖面圖。
圖12所示的係圖10中所示之有機發光二極體(OLED)顯示器的部分放大圖。
圖13所示的係圖12的直線F-F’的剖面圖。
圖14所示的係圖12的直線G-G’的剖面圖。
圖15所示的係藉由電子顯微鏡所攝得之圖9的一部分的照片。
圖16所示的係圖12中所示之有機發光二極體(OLED)顯示器中的第一儲存板的佈局圖。
圖17所示的係根據一示範性實施例之用於製造有機發光二極體(OLED)顯示器的第五階段的佈局圖。
圖18所示的係圖17的直線A-A’和B-B’的剖面圖。
71．．．第一儲存板
72．．．第二儲存板
73．．．電容器中間物
110．．．基板
112．．．閘極絕緣層
116．．．層間絕緣層
119．．．儲存開口
120．．．腐蝕防止層
732．．．第二金屬層
741．．．第一摻雜區
Claims (15)
- 一種有機發光二極體顯示器，其包括：基板；位於該基板之上的有機發光元件；複數個薄膜電晶體，用於驅動該有機發光元件；以及電容器，其包含第一儲存板以及位於該第一儲存板之上的第二儲存板，在兩者之間有閘極絕緣層，該電容器會被連接至該薄膜電晶體，其中，該第一儲存板包含：第一摻雜區；複數個非摻雜區，它們會接觸該第一摻雜區；以及第二摻雜區，其會經由該等非摻雜區之間的間隙來接觸該第一摻雜區。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光二極體顯示器，其中，該第一儲存板會被形成一直線圖樣，以及該等非摻雜區會以彼此分開的方式被定位在該第一儲存板的寬度方向之中。
- 如申請專利範圍第2項的有機發光二極體顯示器，其中，該第一摻雜區和該第二摻雜區會被連接在該第一儲存板的長度方向之中。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光二極體顯示器，其中：該第二儲存板會被定位在該等非摻雜區和該第二摻雜區之中。
- 如申請專利範圍第4項的有機發光二極體顯示器，其進一步包括：層間絕緣層，其包含一位於該第二儲存板上的儲存板開口，用以露出該第二儲存板的一部分，其中，該儲存板開口會被形成寬於該第二儲存板。
- 如申請專利範圍第1項的有機發光二極體顯示器，其中：該薄膜電晶體包含切換薄膜電晶體和驅動薄膜電晶體，以及該驅動薄膜電晶體包含被電連接至該第一摻雜區的驅動閘極電極。
- 如申請專利範圍第5項的有機發光二極體顯示器，其中：該層間絕緣層會在該第二儲存板之中形成接觸孔，以及該有機發光二極體顯示器還進一步包括共同電壓線，其會被形成在該層間絕緣層之中並且會經由該接觸孔被電連接至該第二儲存板。
- 一種製造有機發光二極體顯示器的方法，該方法包括：形成由多晶矽層組成的第一儲存板；在基板上形成用於覆蓋該第一儲存板的閘極絕緣層；依序形成用於覆蓋該第一儲存板的第二儲存板以及位於該閘極絕緣層之中的電容器中間物；將雜質注入未被該第一儲存板之中該電容器中間物覆蓋的部分以形成第一摻雜區；形成層間絕緣層，其具有電容器開口，用以露出該電容器中間物，該層間絕緣層在朝向該電容器開口中該第一摻雜區的該電容器中間物之邊緣上具有複數個腐蝕防止層；移除電容器中間物，包含該腐蝕防止層和該腐蝕防止層的下方區；以及經由該第二儲存板將雜質注入該第一儲存板之中，以便形成接觸該第一摻雜區的第二摻雜區。
- 如申請專利範圍第8項的方法，其中：該第一儲存板會被形成直線圖樣，以及該第二儲存板和該電容器中間物會被定位在一並非該第一儲存板之末端的區域之中。
- 如申請專利範圍第9項的方法，其中：該第一摻雜區會被定位在該第一儲存板的末端，以及該第二摻雜區會在該第一儲存板的長度方向之中延伸至該第一摻雜區。
- 如申請專利範圍第8項的方法，其中：該第二儲存板會被形成透明的導體層，以及該電容器中間物係由第一金屬層/第二金屬層/第一金屬層所組成的三層所構成。
- 如申請專利範圍第8項的方法，其進一步包括：形成該腐蝕防止層；以及在該基板上形成且圖樣化資料金屬層，其中，當該資料金屬層被圖樣化時，該腐蝕防止層和該電容器中間物會同時被消除。
- 如申請專利範圍第12項的方法，其中：該資料金屬層係由和該電容器中間物相同的材料所構成。
- 如申請專利範圍第12項的方法，其中：該電容器開口會被形成寬於該電容器中間物，以及當該電容器中間物被移除時，該電容器中間物的邊緣中未被該腐蝕防止層覆蓋的部分會殘留。
- 如申請專利範圍第14項的方法，其中：該第二摻雜區會經由該第一儲存板中該等電容器中間物之間的間隙來接觸該第一摻雜區。
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