TWI553850B - 有機電致發光顯示器及其製造方法 - Google Patents

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TWI553850B
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朴商一
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Description

有機電致發光顯示器及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年5月20日向韓國智慧財產局提出之申請案之優先權效益，該申請案號為10-2011-0047945，其全部內容將併入後文參考，猶如其於此充分闡述。
本發明之例示性實施例是有關於一種有機電致發光顯示器及製造該有機電致發光顯示器之方法。
在主動矩陣有機電致發光顯示器中，像素係形成於閘極線及資料線構成之矩陣之間。每一像素包含薄膜電晶體(TFTs)、電容、以及連接於薄膜電晶體及電容之有機發光裝置。有機發光顯示裝置係對應至自薄膜電晶體及電容所接收之適當的驅動訊號發出光線，因此顯示預期的影像。
然而，由於閘極線及資料線係排列於矩陣中，因此部分的閘極線及資料線會產生重疊，此重疊部分會產生寄生電容(parasitic capacitance)。寄生電容使得高解析度影像之實現更為困難。因此，有需要降低寄生電容。
本發明之例示性實施例提出一種有機電致發光顯示器及製造該有機電致發光顯示器之方法，此有機電致發光顯示器可降低閘極線與資料線間之寄生電容。
本發明之附加的特色將於以下描述中闡述，且一部分將藉由描述而明顯可見，或可藉由實行本發明而了解。
根據本發明之一態樣，提出一種有機電致發光顯示器，包含：設置於基板上之閘極線；於相交區中延伸跨越閘極線之資料線；電性連接於閘極線及資料線之第一薄膜電晶體(first TFTs)，其依序地包含閘極電極、包含氧化物半導體之主動層、源極電極、汲極電極、以及插設於閘極電極及主動層之間之閘極絕緣層；電性連接於第一薄膜電晶體且包含下電極及上電極之電容；插設於下電極及上電極間之絕緣層；電性連接於電容之第二薄膜電晶體；以及電性連接於第二薄膜電晶體之有機發光二極體(OLED)。而與主動層分隔之半導體島係設置於相交區中之閘極線上。且半導體島包含氧化物半導體且與主動層由同一材料所形成。於相交區中，與閘極絕緣層分隔之絕緣島係形成於半導體島及閘極線之間。且絕緣島與閘極絕緣層係由同一材料所形成。
根據本發明之一態樣，提出一種製造有機電致發光顯示器之方法，該方法包含：圖樣化第一層以形成薄膜電晶體之閘極電極、電容之下電極及閘極線於基板上；圖樣化第二層以於閘極電極上形成閘極絕緣層、且於相交區中形成絕緣島；圖樣化包含氧化物半導體之第三層以於閘極絕緣層上形成主動層、並於絕緣島上形成半導體導；於主動層、下電極、以及半導體島上形成第一絕緣層；圖樣化第四層以於第一絕緣層上形成第一薄膜電晶體之源極電極及汲極電極、電容之上電極、以及資料線。
將理解的是，上述一般的說明及以下詳細的描述皆係為示範與解釋性質，且旨在提供所主張之申請專利範圍的更進一步解釋。
100‧‧‧基板
G‧‧‧閘極線
D‧‧‧資料線
V‧‧‧電力線
P‧‧‧像素區
EA‧‧‧發光區
CA‧‧‧電路區
OLED‧‧‧有機發光二極體
X‧‧‧相交區
20‧‧‧半導體島
13‧‧‧絕緣島
TR1‧‧‧第一薄膜電晶體
TR2‧‧‧第二薄膜電晶體
Cst‧‧‧電容
110‧‧‧第一閘極電極
120‧‧‧第一主動層
131‧‧‧第一源極電極
132‧‧‧第一汲極電極
111‧‧‧第一傳導層
112‧‧‧第二傳導層
410‧‧‧像素電極
113‧‧‧第一閘極絕緣層
213‧‧‧第二閘極絕緣層
220‧‧‧第二主動層
330‧‧‧上電極
310‧‧‧下電極
105‧‧‧第一絕緣層
107‧‧‧像素定義層
11、211‧‧‧透明傳導層
12、212‧‧‧低電阻傳導層
311‧‧‧第一層
312‧‧‧第二層
210‧‧‧第二閘極電極
231‧‧‧第二源極電極
232‧‧‧第二汲極電極
430‧‧‧對向電極
420‧‧‧有機發光層
411‧‧‧第一電極層
412‧‧‧第二電極層
1‧‧‧第一開口
2‧‧‧第二開口
附圖係被涵蓋以提供本發明之更進一步了解，且係併入與構成本說明書之一部分來說明本發明之實施例，並與說明書共同解釋本發明之原理。
第1圖係為根據本發明例示性實施例之有機電致發光顯示器之平面示意圖。
第2圖係為第1圖之部分有機電致發光顯示器之放大平面圖。
第3圖係為截取第2圖I-I’沿線之剖面圖。
第4圖係為截取第2圖II-II’沿線之剖面圖。
第5圖係為截取第2圖III-III’沿線之剖面圖。
第6圖至第12圖係顯示根據本發明例示性實施例之製造第2圖之有機電致發光顯示器之方法之剖面圖。
在此將藉由參閱顯示本發明例示性實施例之附圖而充分描述本發明。然而，本發明將以不同之形式而實施，且不應限制於在此所描述之例示性實施例。相反的，此些例示性實施例係提供以使本揭露詳盡且充分涵蓋本發明之範疇予所屬領域具有通常知識者。在圖式中，層及區域之尺寸及相對尺寸可誇大以清楚解說。圖式中相同的參考符號表示相同的元件。
將理解的是，雖然術語“第一”、“第二”等可用於此以表示不同之元件，但此些元件並不受這些術語所限制。這些術語僅用以區分不同之元件。
而在此提及之專業用語係僅用以描述實施例之目的，且不意欲限於例示性實施例。除非上下文有特別描述，在此使用之“一(a)”、“一(an)”、“此(the)”等單數型式也包含複數型式。更應理解的是，在此使用之“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”及/或“包括(including)”等術語，係用以說明指定的功能、整數、步驟、操作、元件或組成成份，但並不排除存在一個或多的其他功能、整數、步驟、操作、元件、組成成份及/或其群組。
將理解的是，當說明一元件或層別被稱為在另一元件或層“上(on)”或“連接於(connected to)”另一元件或層，其可直接地位於其他元件或層上或直接地連接於另一元件或層，或可存在介於其間之元件或層。相反地，當一元件或層被稱為“直接地於另一元件或層上(directly on)”或“直接地連接於(directly connected to)”另一元件或層，則不存在中介元件或層。
第1圖為根據本發明例示性實施例之有機電致發光顯示器之平面示意圖。參閱第1圖，有機電致發光顯示器包含延伸於X軸方向之閘極線G及延伸於Y軸方向之資料線D，且Y軸方向實質上係垂直於X軸方向。在第1圖中，省略電力線V(如第2圖所示)。
像素區P係由閘極線G及資料線D所定義。閘極線G及資料線D相交而成之矩形區域即為像素區P。
每一像素區P包含發光區EA及電路區CA。發光區EA包含有機發光二極體OLED並產生光線。而電路區CA係電性連接於資料線D及閘極線G，且 每一電路區CA包含至少一電容及至少一薄膜電晶體(thin-film transistor,TFT)。電路區CA係為驅動有機發光二極體OLED之區域。
相交區X係為資料線D與閘極線G重疊之區域。每一像素區P包含至少一相交區X。相交區X包含與電路區CA分隔之半導體島20及絕緣島13(如第4圖所示)。
第2圖係為第1圖之有機電致發光顯示器中之像素區P之放大平面圖。第3圖係為截取第2圖I-I’沿線之剖面圖。第4圖係為截取第2圖II-II’沿線之剖面圖。第5圖係為截取第2圖III-III’沿線之剖面圖。
請參閱第2圖至第5圖，第一薄膜電晶體TR1、第二薄膜電晶體TR2、以及電容Cst係包含於電路區CA。然而，薄膜電晶體及電容之數量不在此限。
在第2圖、第3圖及第5圖中，係描述一種底部閘極型薄膜電晶體(bottom gate-type TFT)。然而本發明不在此限。
參閱第3圖，第一薄膜電晶體TR1作為一開關電晶體，並連接於閘極線G及資料線D。第一薄膜電晶體TR1係對應至施加於源極之閘極訊號而開啟，並透過汲極輸出資料訊號。
第一薄膜電晶體TR1包含依所述順序依序形成於基板上之第一閘極電極110、包含氧化物半導體之第一主動層120、第一源極電極131、以及第一汲極電極132。第一閘極電極110突出於閘極線G。第一閘極電極110包含第一傳導層111及第二傳導層112，第一傳導層111包含例如為ITO、IZO及/或ZnO等透明傳導材料。而第二傳導層112包含例如Mo、Al、Pt、Pd、Au及/或Cu等低電阻材料。
由於第一閘極電極110係形成為多層結構，像素電極410(如第5圖所示)及第一閘極電極110可於同一層中同時形成。藉由此方式，可減少製備有機電致發光顯示器之遮罩數量。因此，並可降低製造成本及製程步驟。
第一閘極絕緣層113形成於第一閘極電極110上。第一閘極絕緣層113係將第一閘極電極110與第一主動層120絕緣。而第一閘極絕緣層113可包含例如SiO2、SiNx等無機材料或有機材料。
第一閘極絕緣層113並非形成於基板100之整個表面上。相反地，第一閘極絕緣層113係形成於第一薄膜電晶體TR1中之第一閘極電極110與第一主動層120之間。此外，相對於第一閘極絕緣層113之第二閘極絕緣層213係形成於第二薄膜電晶體TR2中之第二閘極電極210與第二主動層220之間。相對於第一閘極絕緣層113之絕緣島13形成於相交區X中之閘極線G與半導體島20之間。
相對於第一閘極絕緣層113之絕緣層不會形成於電容Cst之上電極330及下電極310之間。因此，可減少電容Cst之上電極330及下電極310之間的距離，因而增加電容Cst之電容量。資料線D及閘極線G之間的距離因相交區X中之絕緣島13而增加，因而可降低相交區X中之寄生電容。
第一主動層120形成於第一閘極絕緣層113上。根據本發明之一態樣，第一主動層120包含氧化物半導體。舉例而言，第一主動層120可具有化學式a(In2O3)b(Ga2O3)c(ZnO)-(G-I-Z-O)之材料(其中，a、b及c為實數，且滿足a≧0、b≧0以及c>0)，或可為Hf-In-Zn-O層。
第一絕緣層105形成於第一主動層120上，用以將第一主動層120與第一源極電極131及第一汲極電極132絕緣。而第一絕緣層105可作用為一蝕刻終止層(etch stop layer,ESL)，以保護第一主動層120，且第一絕緣層105可包含例 如為SiO2、SiNx等無機材料或有機材料。此外，不同於第一閘極絕緣層113，第一絕緣層105係形成於基板100之整個表面上。
第一源極電極131及第一汲極電極132係形成於第一絕緣層105對應至第一主動層120之區域上。第一源極電極131係自資料線D延伸。此外，像素定義層107形成於第一源極電極131及第一汲極電極132。
參閱第4圖，相交區X包含閘極線G、絕緣島13、半導體島20、以及資料線D。閘極線G係自於與第一閘極電極110相同材料之層別所形成。第一閘極電極110係自閘極線G延伸。因此，在第4圖中，透明傳導層11係相對於第一閘極電極110之第一傳導層111，而低電阻傳導層12相對於第一閘極電極110之第二傳導層112。
絕緣島13形成於相交區X中之閘極線G上。絕緣島13與第一閘極絕緣層113係由同一材料同時形成。絕緣島13係獨自地形成，且只形成於相交區X中。絕緣島13係形成為島狀且與第一閘極絕緣層113分隔。絕緣島13可具有於X軸方向之寬度，其係大於或等於資料線D之寬度。絕緣島13可具有於Y軸方向之長度，其係大於或等於閘極線G之寬度。如果絕緣島13具有小於資料線D及閘極線G之尺寸，則可能會增加相交區X中之寄生電容。
而半導體島20係形成於絕緣島13上。半導體島20與第一主動層120同時地形成，且使用與第一主動層120同一材料。因此，半導體島20可包含氧化物半導體。半導體島20係於相交區X中形成為島狀且與第一主動層120分隔。半導體島20可具有相同於絕緣島13之面積。舉例來說，半導體島20於X軸方向之寬度可等於絕緣島13之寬度，而半導體島20於Y軸方向之長度可等於絕緣島13之長度。
第一絕緣層105係形成於半導體島20上。如前述所述，因第一絕緣層105係形成於基板100之整個表面上，故第一絕緣層105也形成於相交區X中。
資料線D係形成於第一絕緣層105上。資料線D係延伸以實質上垂直於閘極線G。資料線D、第一源極電極131、以及第一汲極電極132係由同層之材料所形成。
因絕緣島13與半導體島20係形成於相交區X中，因此可降低相交區X中之寄生電容。兩電極之電容量如係由下列方程式1所決定。在方程式中，C表示電容量、ε表示介電常數、A表示電極的面積、而d表示兩電極之距離。
亦即，由於資料線D與閘極線G重疊於相交區X，藉由資料線D與閘極線G所形成之電容量係藉由各個第一絕緣層105、半導體島20、及絕緣島13之介電常數ε、資料線D與閘極線G之距離d、以及資料線D與閘極線G重疊之區域面積A而決定。
而由於絕緣島13及半導體島20形成於資料線D與閘極線G之間，因而可能增加資料線D與閘極線G之距離d。因此，減少相交區X中之寄生電容。
參閱第5圖，電容Cst係電性連接於第一薄膜電晶體TR1並儲存所施加的資料訊息。電容Cst包含下電極310、上電極330、以及插設於下電極310與上電極330間之第一絕緣層105。
下電極310係形成於基板100上，且與第一閘極電極110由相同層之材料所形成。此外，下電極310包含第一層311與第二層312。第一層311包含與第一傳導層111相同之透明傳導材料。而第二層312包含與第二傳導層112相同之低電阻材料。
而上電極330係形成於與第一源極電極131及第一汲極電極132相同材料之層。上電極330係延伸自電力V。電力線V可形成於與資料線D相同材料之層。第一絕緣層105係插設於下電極310與上電極330之間。
由於第一絕緣層105係插設於下電極310與上電極330之間，且第一絕緣層105係由單一層所形成，故電容Cst之電容量可增加。參閱方程式1，由於電容Cst之電容量與兩電極之距離d成反比，因此當兩電極之距離d降低時，電容量即上升。而因為只有第一絕緣層105係插設於下電極310與上電極330之間，故可得一較大電容量。
根據本實施例，可降低相交區X中之寄生電容，並提高電容Cst之電容量。但是，若是為了降低相交區X中之寄生電容，而厚厚地形成第一絕緣層105，或形成第一閘極絕緣層113於基板100之整個表面上，電容Cst之電容量即會降低。然而，由於絕緣島13與半導體島20係獨自形成，故可避免上述之現象產生。
參閱第5圖，第二薄膜電晶體TR2係藉由電性連接至電容Cst而作用為驅動電晶體。而有機發光二極體OLED係連接於第二薄膜電晶體TR2之汲極，且當開啟時，第二薄膜電晶體TR2輸出驅動電流以驅動有機發光二極體OLED。
第二薄膜電晶體TR2包含第二閘極電極210、包含氧化物半導體之第二主動層220、第二源極電極231、以及第二汲極電極232。同時，第二閘極絕緣層213係插設於第二閘極電極210及第二主動層220之間。由於第二薄膜電晶體TR2之結構係相對於第一薄膜電晶體TR1，故在此不再贅述。
具體來說，第二閘極電極210、第二主動層220、第二源極電極231、以及第二汲極電極232分別地對應於於第一閘極電極110、第一主動層120、第一源極電極131、以及第一汲極電極132。而第二閘極絕緣層213係對應於第一 閘極絕緣層113。透明傳導層211與低電阻傳導層212分別地對應於第一傳導層111及第二傳導層112。
第二薄膜電晶體TR2之第二汲極電極232係電性連接於有機發光二極體OLED。而有機發光二極體OLED包含像素電極410、對向(相對)電極430、以及插設於像素電極410及對向電極430之間之有機發光層420。
像素電極410形成於與第一閘極電極110相同材料之層。相似於第一閘極電極110，像素電極410包含第一電極層411及第二電極層412。其中，第一電極層411係由透明傳導材料所形成，並直接地與有機發光層420接觸。第一電極層411包含例如ITO、IZO或ZnO等透明傳導材料，而當移除部分之第二電極層412，即露出第一電極層411以進行連接。第二電極層412包含低電阻傳導材料，並直接地與第二汲極電極232接觸。
像素電極410、第一閘極電極110、第二閘極電極120、以及電容Cst之下電極310係同時形成。因此，在此省略其製備過程。
對向電極430可包含具有低功函數之金屬材料，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及/或Li。像素電極410可作用為陽極電極，而對向電極430可作用為陰極電極。然而，本發明不限於此，像素電極410及對向電極430之極性可相互顛倒。
有機發光層420可藉由堆疊電洞注入/傳輸層、發光層、以及電子注入/傳輸層而形成，或選擇性地自上述層別堆疊而成。然而，有機發光層420至少須包含發光層。雖然未顯示，保護層更形成於對向電極430上，並可藉由玻璃以進行封裝過程。
而像素定義層107可形成以整個覆蓋第一薄膜電晶體TR1、第二薄膜電晶體TR2、電容Cst、以及像素電極410。其中，像素定義層107中形成一開 口以露出像素電極410。有機發光層420及對向電極430形成於第一電極層411之露出區域上。
第6圖至第12圖係根據本發明之例示性實施例顯示製造第2圖之有機電致發光顯示器之方法之剖面圖。在第6圖至第12圖中，為便於解說，製備像素區P中之第二薄膜電晶體TR2、電容Cst、有機發光二極體OLED、以及相交區X之組成元件之方法，已顯示於第4圖及第5圖。除此之外，第一薄膜電晶體TR1與第二薄膜電晶體TR2之製備方法相同，故在此不再贅述。
本發明之有機電致發光顯示器可使用五個遮罩製得而成。第6圖、第7圖、第9圖、第10圖及第11圖係為藉由使用第一、第二、第三、第四、以及第五遮罩製得之有機電致發光顯示器之剖面圖。
如前述所述，由於第二閘極電極210、下電極310、以及像素電極410係形成為雙層，有機電致發光顯示器可只使用五個遮罩製得而成。因而提升製程效率。
參閱第6圖，第二薄膜電晶體TR2之第二閘極電極210、電容Cst之下電極310、以及閘極線G係由相同材料同時形成於基板100上。更特別地，在形成透明傳導材料層於基板100之整個表面後，低電阻傳導材料層係形成於此透明傳導材料層上。而後，第二閘極電極210、下電極310、閘極線G、以及像素電極410係使用第一遮罩而圖樣化。
因此，第二閘極電極210、下電極310、閘極線G、以及像素電極410係同時形成並分別包含雙層。第6圖中雖然沒有顯示，基板100上亦形成一緩衝層。
參閱第7圖，第二閘極絕緣層213形成於第二閘極電極210上，而絕緣島13形成於相交區X中。第二閘極絕緣層213與絕緣島13係由相同材料同時形成。
更特別地，絕緣層係形成於第6圖所製得之結構的整個表面上。絕緣層係藉由使用第二遮罩而圖樣化以形成第二閘極絕緣層213於第二閘極電極210上、以及形成絕緣島13於相交區X中。
因此，第二閘極絕緣層213及絕緣島13係由相同材料同時形成。同時，第二閘極絕緣層213與絕緣島13彼此分離。
此外，參閱第7圖，包含有氧化物半導體之第二主動層220係形成於第二閘極絕緣層213上，而半導體島20形成於絕緣島13，且第二主動層220及半導體島20係由相同材料形成。更特別地，在形成包含氧化物半導體之層於基板100之整個表面後，該層係藉由使用第二遮罩圖樣化以形成第二主動層220於第二閘極絕緣層213上、以及形成半導體島20於絕緣島13上。
據此，第二主動層220及半導體島20可使用相同材料所形成。同時，第二主動層220及半導體島20係彼此分離，且可獨自形成。
為便於解說，在此分別描述絕緣層及包含氧化物半導體之層的形成與圖樣化製程。然而，在依序形成絕緣層與包含氧化物半導體之層後，第7圖所示之結構可藉由使用第二遮罩之單一圖樣化操作而形成。
根據本實施例，為了在相交區X中達到最小寄生電容，半導體島20及絕緣島13可形成以具有相同面積。舉例來說，半導體島20於X軸方向之寬度可等於絕緣島13之寬度，而半導體島20於Y軸方向之長度可等於絕緣島13之長度。
參閱第8圖，第一絕緣層105係形成於第7圖之結構的整個表面上。據此，第一絕緣層105完全地覆蓋第二主動層220、下電極310、以及半導體島20。
參閱第9圖，露出第二主動層220之接觸孔、以及露出像素電極410之開口及接觸孔係藉由使用第三遮罩而形成於第8圖之結構上。因此，像素電極410係透過藉由移除部分第一絕緣層105所形成之開口而露出。
參閱第10圖，第二源極電極231、第二汲極電極232、上電極330、以及資料線D係由相同材料同時形成。更特別地，在形成金屬層於第9圖之結構的整個表面上後，第二源極電極231、第二汲極電極232、上電極330、以及資料線D係藉由使用第四遮罩而圖樣化。此時，第二源極電極231經由接觸孔連接於第二主動層220，而第二汲極電極232經由接觸孔連接於第二主動層220、以及像素電極410之第二電極層412。
於第10圖之形成過程，藉由蝕刻像素電極410之部分第二電極層412，形成露出第一電極層411之第一開口1。因此，部分第一電極層411可經由第一絕緣層105之開口露出。
參閱第11圖，像素定義層107係形成於第10圖之結構的整個表面上。據此，像素定義層107覆蓋第二源極電極231、第二汲極電極232、上電極330、資料線D、以及像素電極410。而藉由移除部分覆蓋於像素電極410之像素定義層107，可形成第二開口2。
第二開口2可形成於第一開口1中。如此一來，可避免由於像素電極410之第二電極層412包圍第一開口1所產生的短路問題。
參閱第12圖，有機發光層420係形成以透過第二開口2而直接地與第一電極層411接觸。同時，對向電極430係形成於有機發光層420上。
在製備第一薄膜電晶體TR1與第二薄膜電晶體TR2時，絕緣島13與半導體島20可在不須使用額外之製程下形成於相交區X中。此外，亦不須使用額外之製程，僅藉由將第一絕緣層105插設於下電極310及上電極330之間即可提高電容Cst之電容量。
根據本發明之例示性實施例，藉由降低相交區X中之寄生電容及提高電容Cst之電容量，可實現具高解析度之影像。此外，由於本發明之有機電致發光顯示器可由較少數量之遮罩製程所製得，故提供具經濟效益之製程方法。
所屬領域具有通常知識者將理解的是，各種修改以及改變可在不脫離本發明之精神與範疇下而進行。因此，其意旨本發明涵蓋包含於後附請專利範圍極其等效物之範疇內之修改與改變。
G‧‧‧閘極線
D‧‧‧資料線
V‧‧‧電力線
P‧‧‧像素區
EA‧‧‧發光區
CA‧‧‧電路區
OLED‧‧‧有機發光二極體
X‧‧‧相交區
20‧‧‧半導體島
TR1‧‧‧第一薄膜電晶體
TR2‧‧‧第二薄膜電晶體
Cst‧‧‧電容
110‧‧‧第一閘極電極
120‧‧‧第一主動層
131‧‧‧第一源極電極
132‧‧‧第一汲極電極
410‧‧‧像素電極
220‧‧‧第二主動層
330‧‧‧上電極
310‧‧‧下電極
210‧‧‧第二閘極電極
231‧‧‧第二源極電極
232‧‧‧第二汲極電極
420‧‧‧有機發光層

Claims (20)

  1. 一種有機電致發光顯示器，包含：一基板；一閘極線，其係設置於該基板上並延伸於一第一方向；一資料線，其係設置於該基板上並延伸於實質上垂直於該第一方向之一第二方向，且該閘極線與該資料線重疊於一相交區；一第一薄膜電晶體(TFT)，其係電性連接於該閘極線及該資料線，該第一薄膜電晶體包含一閘極電極、一主動層、一源極電極、一汲極電極、以及一閘極絕緣層，該主動層包含一氧化物半導體，而該閘極絕緣層係插設於該閘極電極及該主動層之間；一電容，其係電性連接於該第一薄膜電晶體，該電容包含一下電極及一上電極，且各該下電極與該上電極包含與該源極電極及該汲極電極相同之材料；一絕緣層，其係插設於該下電極及該上電極之間；一第二薄膜電晶體，其係電性連接於該電容；一有機發光二極體(OLED)，其係電性連接於該第二薄膜電晶體；一半導體島(semiconductor island)，其係設置於該相交區並與該主動層分隔，且該半導體島包含該氧化物半導體；以及 一絕緣島，其係設置於該相交區中，並介於該半導體島及該閘極線之間，與該閘極絕緣層分隔，且該絕緣島包含與該閘極絕緣層相同之材料。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光顯示器，其中：該閘極電極自該閘極線延伸；以及該源極電極自該資料線延伸。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光顯示器，其中該閘極電極包含：一第一傳導層，其包含一透明傳導材料；以及一第二傳導層，其係設置於該第一傳導層上且包含一低電阻傳導材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光顯示器，其中該絕緣層設置於該主動層與該源極電極及該汲極電極之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光顯示器，其中該絕緣層亦位於該相交區中且設置於該半導體島及該資料線之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光顯示器，其中該絕緣島及該半導體島具有相同尺寸及形狀。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光顯示器，其中：該半導體島及該絕緣島延伸於該第一方向之寬度係相同，以及該半導體島及該絕緣島延伸於該第二方向之長度係相同。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光顯示器，其中該下電極及該閘極電極分別包含： 一第一層，其包含一透明傳導材料；以及一第二層，其係設置於該第一層上且包含一低電阻傳導材料。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光顯示器，其中該有機發光二極體包含：一像素電極，其係電性連接於該第二薄膜電晶體；一對向電極，其係面對該像素電極；以及一有機發光層，其係插設於該像素電極及該對向電極之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機電致發光顯示器，其中該像素電極包含：一第一電極層，其係直接地連接於該有機發光層且包含一透明傳導材料；以及一第二電極層，其係直接地連接於該第二薄膜電晶體包含一低電阻傳導材料。
  11. 一種製造有機電致發光顯示器之方法，該方法包含：圖樣化一第一層以形成一薄膜電晶體之一閘極電極、一電容之一下電極、以及一閘極線於一基板上；圖樣化一第二層以於該閘極電極上形成一閘極絕緣層、以及於該閘極線上形成一絕緣島，且該絕緣島與該閘極絕緣層彼此分離；圖樣化包含一氧化物半導體之一第三層以於該閘極絕緣層上形成一主動層、以及於該絕緣島上形成一半導體島，且該半導體島與該主動層彼此分離； 於該主動層、該下電極、以及該半導體島上形成一絕緣層；以及圖樣化一第四層以於該絕緣層上形成一源極電極、一汲極電極、一上電極、以及一資料線，該源極電極及該汲極電極接觸該主動層，該上電極面對該下電極，而該資料線延伸跨越該閘極線，且該半導體島係設置於其中。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該半導體島與該絕緣島具相同尺寸及形狀。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中：該半導體島及該絕緣島延伸於一第一方向之寬度相同；以及該半導體島及該絕緣島延伸於一第二方向之長度相同。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包含於該基板上形成一有機發光二極體(OLED)，其中，圖樣化該第一層更包含形成該有機發光二極體之一像素電極，以及形成該絕緣層更包含形成該絕緣層於該像素電極上。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中：該第一層包含設置於該基板上之一透明傳導層、及設置於該透明傳導層上之一低電阻傳導層；以及圖樣化該第一層包含圖樣化該透明傳導層及該低電阻傳導層以形成該閘極電極、該下電極、及該閘極線。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包含於該像素電極之該絕緣層及該低電阻傳導層中形成一第一開口，因而露出該像 素電極之該透明傳導層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包含於該源極電極、該汲極電極、該上電極、該資料線、以及該像素電極上形成一像素定義層。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，更包含於該像素定義層中形成一第二開口，因而露出部分該像素電極之該透明傳導層。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，更包含直接地於部分露出之該像素電極之該透明傳導層上形成一有機發光層。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，更包含於該有機發光層上形成一對向電極。
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