TWI650857B - 有機發光顯示設備以及製造有機發光顯示設備之方法 - Google Patents

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Abstract

有機發光顯示設備包括第一基板、第二基板、有機發光裝置、薄膜電晶體、佈線圖樣以及密封件。第一基板包括第一區域、第二區域及第三區域。第三區域圍繞第一區域。第二區域是在第一區域和第三區域之間，並且與第三區域部分地重疊。第二基板面對第一基板。有機發光裝置配置在第一區域內之第一基板上。薄膜電晶體配置在第二區域和第三區域重疊的區域內之第一基板上。佈線圖樣被配置在第二區域之第一基板上。密封件配置在第三區域內之第一基板與第二基板之間。

Description

有機發光顯示設備以及製造有機發光顯示設備之方法
例示性實施例相關於一種具有減少之非顯示區域的有機發光顯示設備、以及其製造方法
有機發光顯示(OLED)設備使用來自其中有機層產生的光來顯示資訊像是圖像和字符。在有機發光顯示設備中，光藉由來自陽極的電洞與來自陰極的電子的組合而產生，此發生在陽極及陰極之間的有機層中。相比於多種顯示裝置像是液晶顯示(LCD)裝置、電漿顯示(PDP)裝置、以及場發射顯示(FED)裝置，有機發光顯示設備具有幾個優點諸如寬視角、高反應時間、薄的厚度、以及低功耗，因此有機發光顯示設備被廣泛地應用在多種電氣及電子設備中。
有機發光顯示設備被區分為顯示區域以及非顯示區域。非顯示區域典型地包括用於接收周圍電路以控制有機發光結構的第一區 域、以及用於接收密封件以封裝該有機發光結構的第二區域。為減少非顯示區域的研究已進行。
例示性實施例提供具有增強的封裝結構以及減少之非顯示區域的有機發光顯示設備。
例示性實施例提供一種製造具有增強的封裝結構以及減少之非顯示區域的有機發光顯示設備的方法。
根據例示性實施例的一個態樣，提供包括第一基板、第二基板、有機發光裝置、薄膜電晶體、第一佈線圖樣及密封件的有機發光顯示設備。第一基板包括第一區域、第二區域及第三區域。第三區域圍繞第一區域。第二區域在第一區域與第三區域之間，且係部分地與第三區域重疊。第二基板面對第一基板。有機發光裝置配置在第一區域內之第一基板上。薄膜電晶體配置在第二區域和第三區域重疊的區域內之第一基板上。第一佈線圖樣配置在第二區域內之第一基板上。密封件是在第三區域內且配置在第一基板與第二基板之間。
在例示性實施例中，有機發光裝置可包括第一電極、有機發光結構及第二電極。
在例示性實施例中，第二電極可被配置在第二區域與第一區域內，且第二電極可被密封件暴露。
在例示性實施例中，有機發光顯示設備可進一步包括導電圖樣配置在第二區域內。導電圖樣可電性上連接第一佈線圖樣以及第二電極。導電圖樣可包括如第一電極的相同材料。
在例示性實施例中，導電圖樣可被密封件暴露。
在例示性實施例中，第二電極可包括鎂(Mg)和銀(Ag)的合金。
在例示性實施例中，第一電極可具有包含氧化銦錫(ITO)/Ag/氧化銦錫堆疊的多層結構。
在例示性實施例中，第一佈線圖樣可配置鄰近於第一區域。
在例示性實施例中，第一佈線圖樣可具有包括Ti/Al/Ti堆疊的多層結構。
在例示性實施例中，密封件可重疊薄膜電晶體，且第一佈線圖樣被密封件暴露。
在例示性實施例中，第一佈線圖樣可配置以傳送電源供應電壓。
在例示性實施例中，有機發光顯示設備可進一步包括第二佈線圖樣電性上連接至第一佈線圖樣。第二佈線圖樣可包括如薄膜電晶體的閘極電極之相同材料。
在例示性實施例中，有機發光顯示設備可進一步包括覆蓋第一佈線圖樣的絕緣間層。絕緣間層可被配置以保護第一佈線圖樣免於熱損壞。
根據例示性實施例的一個態樣，提供了包括第一基板、第二基板、第一薄膜電晶體、有機發光裝置、第二薄膜電晶體、絕緣層、佈線圖樣及密封件的有機發光顯示設備。第一基板包括第一區域、第二區域及第三區域。第三區域圍繞第一區域。第二區域是在第一區域與第三區域之間，且部分地覆蓋第三區域。第二基板是相對於第一基板。第一薄膜電晶體是配置在第一區域內之第一基板上。有機發光裝置被配置在第一區域內之第一基板上。有機發光裝置係電性上連接至第一薄膜電晶體。第二薄膜電晶體是配置在第二區域和第三區域重疊的區域內之第一基板上。絕緣層覆蓋第一薄膜電晶體。絕緣層包括有機絕緣材料。佈線圖樣配置在第二區域內之第一基板上。佈線圖樣重疊第二薄膜電晶體。密封件是配置在第三區域內之第一基板與第二基板之間。
在例示性實施例中，絕緣層可被配置在第一區域與第二區域內之第一基板上，且絕緣層可被密封件暴露。
在例示性實施例中，有機發光顯示設備可進一步包括絕緣層與第一基板之間的絕緣間層。該絕緣間層可覆蓋第二薄膜電晶體，並且佈線圖樣可被配置在絕緣間層上。
在例示性實施例中，有機發光裝置可包括第一電極、有機發光結構與第二電極。第二電極可被密封件暴露。
根據例示性實施例的一個態樣，提供了製造有機發光顯示設備的方法。在該方法中，第一基板被準備以包括第一區域、第二區域及第三區域。第三區域圍繞第一區域。第二區域在第一區域與第三區域之間，且部分地與第三區域重疊。第一薄膜電晶體形成在第一區域內之第一 基板上。第二薄膜電晶體形成在第二區域及第三區域重疊的區域內之第一基板上。有機發光裝置被形成在第一區域之第一基板上。第二基板被安置以面對第一基板。密封件被形成在第三區域內之第一基板與第二基板之間。照射雷射光束以熔化(melt)該密封件。
在例示性實施例中，形成有機發光裝置可包含形成電性上連接至第一薄膜電晶體的第一電極、形成有機發光結構在第一電極上以及形成第二電極在有機發光結構上。第二電極可被密封件暴露。
在例示性實施例中，於形成第一薄膜電晶體與第二薄膜電晶體之後，佈線圖樣可形成在第二區域內。
在例示性實施例中，導線圖樣可被形成在第二區域內。導電圖樣可電性上連接至佈線圖樣。形成導電圖樣與形成第一電極可被同時執行。
在例示性實施例中，導電圖樣可電性上連接至第二電極，且導電圖樣可被密封件暴露。
I‧‧‧第一區域
II‧‧‧第二區域
III‧‧‧第三區域
IV‧‧‧第四區域
100‧‧‧第一基板
200‧‧‧第二基板
T1、T2、T3‧‧‧薄膜電晶體
C1、C2‧‧‧電容器
250、252‧‧‧密封件
105‧‧‧緩衝層
110‧‧‧第一主動圖樣
120‧‧‧第二主動圖樣
130、131‧‧‧第三主動圖樣
112、122、132‧‧‧通道區域
114、124、134‧‧‧源極區域
116、126、136‧‧‧汲極區域
133‧‧‧第三通道區域
135‧‧‧第三源極區域
137‧‧‧第三汲極區域
140‧‧‧閘極絕緣層
141‧‧‧第一閘極電極
142‧‧‧第二閘極電極
143、144‧‧‧第三閘極電極
145、146‧‧‧第一導電圖樣
147‧‧‧反射圖樣
150‧‧‧第一絕緣間層
152‧‧‧第二導電圖樣
153‧‧‧第三佈線圖樣
154、155‧‧‧第三導電圖樣
156‧‧‧第二源極電極
158‧‧‧第二汲極電極
160‧‧‧第二絕緣間層
162、172‧‧‧源極電極
164、174‧‧‧汲極電極
166‧‧‧第四導電圖樣
167、168、169‧‧‧第一佈線圖樣
176‧‧‧第三絕緣間層
180、181‧‧‧絕緣層
182‧‧‧第一電極
183、184、186‧‧‧第五導電圖樣
188、189‧‧‧接觸孔
190‧‧‧像素定義層
195‧‧‧間隔
197‧‧‧第二電極
191、192、193‧‧‧有機發光結構
210‧‧‧感測單元
215‧‧‧第二佈線圖樣
220‧‧‧保護層
例示性實施例可從搭配附圖的下列描述中更加詳細地理解，其中：第1圖為依據一些例示性實施例圖解有機發光顯示設備的平面圖；第2圖為依據一些例示性實施例部分地圖解有機發光顯示設備的剖面圖； 第3圖為依據一些例示性實施例部分地圖解有機發光顯示設備的剖面圖；第4圖為依據一些例示性實施例部分地圖解有機發光顯示設備的剖面圖；第5圖為依據一些例示性實施例部分地圖解有機發光顯示設備的剖面圖；第6圖為依據一些例示性實施例部分地圖解有機發光顯示設備的剖面圖；第7圖至第15圖為依據一些例示性實施例圖解製造有機發光顯示設備之方法的剖面圖；第16圖至第21圖為依據一些例示性實施例圖解製造有機發光顯示設備之方法的剖面圖。
例示性實施例在下文中將參照附圖而更充分地描述。然而，本發明可體現為許多不同的形式並且不應當被詮釋受限於本文所闡述的例示性實施例。在圖式中，層和區域的尺寸及相對尺寸可為了清楚被誇大。
將被理解的是當元件或層被指稱為「在...上」、「連接至」或「耦合至」另一個元件或層時，其能直接在其上或連接或耦合至其他元件或層，或中介元件或層可存在。相反的，當元件被指稱為「直接在...上」、「直接連接至」或「直接耦合至」另一個元件或層時，則沒有中介元件或 層的存在。通篇相同或相似的參考符號一般指稱相同或相似的元件。如於此所使用，術語「及/或」包括一個或多個相關列出項目的任何與所有組合。
將被理解的是，雖然術語第一、第二、第三等，可於此被使用以描述多種元件、組件、區域、層、圖樣、及/或區段，這些元件、組件、區域、層、圖樣、及/或區段不應當被這些術語限制。這些術語只被使用從另一個元件、組件、區域、層、圖樣、或區段來區別一個元件、組件、區域、層、圖樣、或區段。因此，以下討論的第一元件、組件、區域、層、圖樣、或區段可被稱為第二元件、組件、區域、層、圖樣、或區段而無悖離例示性實施例的教示。
空間上相關的術語，像是「在...之下」、「以下」、「下部」、「以上」、「上部」與其類似物，於此可為了方便描述而使用，以描述如圖式中所繪示之一個元件或特徵對另一個元件或特徵的關係。將理解的是空間上相關的術語係旨在包含除了在圖式中描述的方位以外在使用或操作下裝置的不同方位。舉例來說，若在圖式的裝置被翻轉，被描述為在其他元件或特徵「以下」或「在...之下」的元件，將接著被定位在其他元件或特徵「以上」。因此，例示性術語「以下」可包含以上和以下的方位兩者。裝置可被另外定位(旋轉90度或在其他方位)且於此所使用的空間上相關描述係相應地解釋。
本文所使用的術語係用於僅描述特定例示性實施例的目的，並且並非旨在限制本發明。如於此所使用的，單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」係旨在也包含複數形式，除非內文另有明確說明。將進一步被理解的是術語「包含」及/或「包括」，當被使用在本說明書中時， 係指定所陳述的特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或組件的存在，但不排除或一個或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在或添加。
例示性實施例係參照為本發明的說明性例示性實施例(和中間結構)的示意圖的剖面示意圖而在文中描述。因此，作為，舉例來說，作為製造技術及/或公差的結果而與示意圖的形狀的變異是可以預期的。因此，例示性實施例不應該被解釋為限制於此所示的區域的特定形狀，而是包括，例如，從製造，所導致的在形狀上的偏差。在圖式中所示的區域係為本質上示意，且其形狀並非旨在繪示出裝置的區域的實際形狀，且並非旨在限制本發明的範疇。
除非另有定義，所有於此被使用的術語(包含技術的和科學的術語)具有如由所屬技術領域中具有通常知識者所通常理解之相同含義。將進一步理解的是，術語，諸如那些在常用字典中所定義的，應該被詮釋為與其相關領域的內容中的含意相符的意義，並且將不以理想化或過於正式的意義被詮釋，除非於此明確地定義。
第1圖為依據一些例示性實施例圖解有機發光顯示設備的平面圖，且第2圖為沿著第1圖的線V-V’所截取的剖面圖。
參考第1圖，依據一些例示性實施例之有機發光顯示設備可被區分為第一區域I、第二區域II、第三區域III及第四區域IV，其可依序地從有機發光顯示設備的中心配置到邊緣。
在例示性實施例中，第一區域I可為顯示區域，其中複數個像素可被配置。第一區域I可被配置在有機發光顯示設備的中心，且可具有 相對大的面積。像素的每個可包括有機發光裝置，該有機發光裝置包括第一電極、第二電極與有機發光結構。當有機發光顯示設備是主動型式(active type)時，像素的每一個可進一步包括具有薄膜電晶體電性上連接至有機發光裝置的像素電路。像素的詳細結構可參考第2圖描述如下。
第三區域III可為單元密封(cell-sealing)區域，其中密封件可被配置以封裝有機發光裝置和像素電路。第三區域III可完全地圍繞第一區域I。第三區域III可以一預定距離從第一區域I隔開。第三區域III可形成圍繞第一區域I的四邊的閉環。
第二區域II可為電路區域，其中週邊電路與佈線可被配置以提供電訊號及電源給有機發光裝置。第二區域II可被配置在第一區域I及第三區域III之間。在例示性實施例中，第二區域II可圍繞第一區域I的至少三邊。第二區域II可直接地接觸第一區域I的側邊；然而第二區域II可不重疊第一區域I。第二區域II可部分地重疊第三區域III。因此，包括第二區域II及第三區域III的非顯示區域可具有減少的面積。
第四區域IV可為週邊區域，其中複數個襯墊可被配置以接收來自外部或含有資料驅動部分的IC晶片之驅動電源和驅動訊號。在例示性實施例中，第四區域IV可被配置在第一至第三區域I、II及III的一側邊。舉例來說，第四區域IV可配置在第一區域I的底側。
參考第2圖，有機發光顯示設備可包括可彼此面對之第一基板100與第二基板200。有機發光顯示設備可進一步包括可配置在第一基板100與第二基板200之間的複數個薄膜電晶體(TFTs)T1、T2、T3、電容器C1及C2、佈線圖樣168及215、有機發光裝置及密封件250。
包括第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2及第一電容器C1的有機發光裝置與像素電路可配置在第一區域I中，包括第三薄膜電晶體T3、第二電容器C2及第一佈線圖樣168的週邊電路可配置於第二區域II內，且密封件250與第二佈線圖樣215可被配置在第三區域III內。
第一基板100可包括透明絕緣基板。舉例來說，第一基板100可包括玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板、或其類似物。另外，第一基板100可包括可撓性基板。
緩衝層105可配置在第一基板100上。緩衝層105可提供平坦的頂部表面，且可避免雜質擴散進入第一基板100。
第一主動圖樣110、第二主動圖樣120及第三主動圖樣130可配置在緩衝層105上。在例示性實施例中，第一至第三主動圖樣110、120及130可包括多晶矽(polysilicon)、摻雜多晶矽(doped polysilicon)、非晶矽(amorphous silicon)、摻雜非晶矽(doped amorphous silicon)、與其類似物。這些可被單獨使用或組合使用。在其他例示性實施例中，第一至第三主動圖樣110、120及130可包括氧化物半導體諸如，例如，氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AlZnO)、氧化鋁鋅錫(aluminum zinc tin oxide，AlZnSnO)、氧化鎵鋅錫(gallium zinc tin oxide，GaZnSnO)、氧化銦鎵(indium gallium oxide，InGaO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，InGaZnO)、氧化銦錫鋅(indium tin zinc oxide，InSnZnO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，InZnO)、氧化鉿銦錫(hafnium indium zinc oxide，HfInZnO)及氧化鋅錫(zinc tin oxide，ZnSnO)、或其類似物。
第一至第三主動圖樣110、120、130可分別包括通道區域112、122及132；源極區域114、124及134與汲極區域116、126及136。在例示性實施例中，第一和第二主動圖樣110與120可配置在第一區域I中，且第三主動圖樣130可配置在第二區域II與第三區域III重疊的區域內。
閘極絕緣層140可配置在緩衝層105上以覆蓋第一至第三主動圖樣110、120及130。在例示性實施例中，閘極絕緣層140可包括，例如，氧化矽(silicon oxide)、氮化矽(silicon nitride)或具有高介電容率的無機絕緣材料。
第一閘極電極141、第二閘極電極142及第三閘極電極143可配置在閘極絕緣層140上以分別覆蓋第一至第三主動圖樣110、120及130。進一步，第一導電圖樣145可配置在第二區域II與第三區域III重疊的區域內之閘極絕緣層140上，且反射圖樣147可配置在第三區域III內之閘極絕緣層140上。
第一至第三閘極電極141、142及143、第一導電圖樣145與反射圖樣147可包括多晶矽、金屬或合金像是，例如，鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)及/或這些金屬的合金。舉例來說，當第一至第三閘極電極141、142及143、第一導電圖樣145與反射圖樣147包含鉬(Mo)時，第一至第三閘極電極141、142及143還有第一導電圖樣145可具有相對小的電阻，且反射圖樣147可具有對雷射光束相對大的反射率。
第一絕緣間層150可配置在閘極絕緣層140上以覆蓋閘極電極141、142及143、第一導電圖樣145與反射圖樣147。
進一步，第二導電圖樣152及第三導電圖樣154可配置在第一絕緣間層150上。在例示性實施例中，第二導電圖樣152可配置以重疊第一閘極電極141，且第三導電圖樣154可配置以重疊第一導電圖樣145。因此，第二導電圖樣152、第一閘極電極141與在其間的第一絕緣間層150的一部分可構成第一電容器C1。第三導電圖樣154、第一導電圖樣145及在其間的第一絕緣間層150的一部份可構成第二電容器C2。
在例示性實施例中，第二導電圖樣152以及第三導電圖樣154可包括大致上如第一導電圖樣145的材料相同的材料。
第二絕緣間層160可配置在第一絕緣間層150上以覆蓋第二導電圖樣152及第三導電圖樣154。
仍參考第2圖，源極電極162及172與汲極電極164及174可被配置在第二絕緣間層160上以穿透絕緣間層150及160與閘極絕緣層140。源極電極162和172、與汲極電極164和174可分別接觸源極區域124及134，以及汲極區域126與136。
因此，包括第一通道區域112、第一源極區域114和第一汲極區域116的第一主動圖樣110、閘極絕緣層140、第一閘極電極141、源極電極以及汲極電極可構成第一薄膜電晶體T1。進一步，包括第二通道區域122、第二源極區域124和第二汲極區域126的第二主動圖樣120、閘極絕緣層140、第二閘極電極142、第一源極電極162以及第一汲極電極164可構成第二薄膜電晶體T2。包括第三通道區域132、第三源極區域134和第三汲極區域136的第三主動圖樣130、閘極絕緣層140、第三閘極電極143、第二源極電極172與第二汲極電極174可構成第三薄膜電晶體T3。
第三薄膜電晶體T3與第二電容器C2可構成用以提供電訊號與電源至有機發光裝置的週邊電路。在例示性實施例中，第三薄膜電晶體T3與第二電容器C2可被配置在第二區域II與第三區域III重疊的區域內。
進一步，第四導電圖樣166與第一佈線圖樣168可被配置在第二區域II內之第二絕緣間層160上。特別是，第一佈線圖樣168可配置在其中第三區域III不重疊的第二區域II內。在例示性實施例中，第一佈線圖樣168可作為電源供應佈線以傳送電源供應電壓(諸如，例如，ELVSS)，且第一佈線圖樣168可延伸在平行於第一基板100的頂部表面的第二方向。
在例示性實施例中，源極電極162和172、汲極電極164和174、第四導電圖樣166和第一佈線圖樣168可具有單層結構或多層結構。舉例來說，源極電極162和172、汲極電極164和174、第四導電圖樣166和第一佈線圖樣168可包含多層結構，其包含，例如，可被依序地堆疊的鈦(Ti)層、鋁(Al)層及鈦(Ti)層。該多層結構至少部分地由於該鋁層而可具有相對小的電阻，且該多層結構可至少部分地由於鈦層而具有增強的接觸特性。
繪示在第2圖內的薄膜電晶體T1、T2及T3可具有頂部閘極結構，其中閘極電極141、142及143配置在主動圖樣110、120及130上；然而本發明不限於此。舉例來說，薄膜電晶體可具有底部閘極結構，其中主動圖樣被配置在閘極電極上。
絕緣層180可配置在第二絕緣間層160上以覆蓋第一源極電極162、第一汲極電極164、第四導電圖樣166以及第一佈線圖樣168。在例示性實施例中，絕緣層180可從第一區域I延伸至第二區域II和第三區域 III。然而，絕緣層180可暴露或部分地暴露配置在第三區域III內的第二源極電極172和第二汲極電極174。舉例來說，絕緣層180可包括有機絕緣材料像是，例如，聚醯亞胺(polyimide)。
仍參考第2圖，第一電極182、第五導電圖樣184以及像素定義層190可配置在絕緣層180上。
第一電極182可配置在第一區域I內之絕緣層180上。第一電極182可藉由穿透該絕緣層180的接觸，而耦合至第一薄膜電晶體T1的汲極電極116。第一電極182可電性上連接至第一薄膜電晶體T1。
在例示性實施例中，第一電極182可作為可被圖樣化以相應各個像素的像素電極。進一步，第一像素182可為用於供應電洞進入有機發光結構191、192及193的陽極。
當有機發光顯示設備是頂部發光類型時，第一電極182可作為具有反射性的反射電極。因此，第一電極182可包括具有相對高反射率的金屬及/或合金。第一電極182的材料可取決於有機發光顯示設備的發光類型而變化。
第五導電圖樣184可配置在第二區域II內之絕緣層180上，且可不配置在第三區域III內。第五導電圖樣184可藉由穿透絕緣層180的接觸孔188，而電性上連接至第一佈線圖樣168。
第一電極182和第五導電圖樣184可具有單層結構或多層結構。在例示性實施例中，第一電極182和第五導電圖樣184可具有包含金屬層和透明導電氧化層的多層結構。舉例來說，第一電極182和第五導電圖 樣184可具有包含ITO/Ag/ITO堆疊的多層結構。因此，第一電極182與第五導電圖樣184可具有相對小的電阻。
像素定義層190可配置在第一至第三區域I、II及III內以覆蓋絕緣層180、第五導電圖樣184、第二源極電極172和第二汲極電極174。像素定義層190可在第一區域I內分隔各像素。像素定義層190可覆蓋在第二區域II內之第五導電圖樣184、以及在第三區域III內之第二源極電極172和第二汲極電極174，如此一來像素定義層190可隔離且保護第五導電圖樣184、第二源極電極172和第二汲極電極174。
有機發光結構191、192、193可配置在第一區域I內之第一電極182上。有機發光結構191、192和193可包括至少一個有機發光層。在一些例示性實施例中，有機發光結構191、192、193的每一個可分別包括藍光發光層、綠光發光層或紅光發光層的每一個。在其他例示性實施例中，有機發光結構191、192和193可包括可依序地堆疊以發射白光的藍光發光層、綠光發光層和紅光發光層。進一步，有機發光結構191、192和193可選擇地包括電洞傳送層、電洞注入層、電子注入層或電子傳送層。
間隔195可配置在第一區域I內之像素定義層190上。間隔195可決定並維持第一基板100和第二基板200之間的距離。
第二電極197可配置在第一區域I與第二區域II內的像素定義層190、有機發光結構191、192和193以及第五導電圖樣184上。第二電極197可不配置在第三區域III內。因此，第一電極182、有機發光結構191、192和193、以及第二電極197可構成在第一區域I內的有機發光裝置。進一步，第二電極197可電性上連接至第二區域II內的第五導電圖樣184。第二 電極197可透過第五導電圖樣184，而電性上連接至第一佈線圖樣168，如此一來第一佈線圖樣168可施用電源供應電壓(像是，例如，ELVSS)至第二電極197。
在例示性實施例中，第二電極197可包括金屬及/或合金像是，例如，銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、這些金屬的合金、和其類似物。舉例來說，第二電極197可包含銀(Ag)和鎂(Mg)的合金，以使得第二電極197可具有相對小的電阻以及相對大的透光度。
第二基板200可相對於第一基板100。第二基板200可包括大致上相同或相似於第一基板100的材料。在例示性實施例中，第二基板200可作為封裝基板以覆蓋在第一基板100上的有機發光裝置。
密封件250可配置在第三區域III內的第一基板100和第二基板200之間。密封件250可為閉環以封裝在第一區域I內的有機發光裝置。在例示性實施例中，密封件250可被雷射光束熔化且可被固化以使第一基板100和第二基板200之間的間隙完整。
密封件250可被配置在第三區域III的整個區域內，以使得密封件250可重疊配置在第二區域II和第三區域III重疊的區域內的第三薄膜電晶體T3以及第二電容器C2。第二區域II可部分地重疊第三區域III，以使得包括第二區域II和第三區域III的非顯示區域可具有減少的面積。
進一步，密封件250可不重疊配置在第二區域II內的第二電極197、第一佈線圖樣168和第五導電圖樣184。因此，用以加熱密封件250的雷射光束可不損害第二電極197、第一佈線圖樣168和第五導電圖樣184。
仍參考第2圖，複數個感測單元(sensing cell)210、複數個第二佈線圖樣215以及保護層220可配置在第二基板200上。
在例示性實施例中，複數個感測單元210可配置在第一區域I內，且複數個第二佈線圖樣215可配置在第三區域III內。舉例來說，第二佈線圖樣215可包括金屬諸如，例如，鉬(Mo)。
覆蓋複數個感測單元210與複數個第二佈線圖樣215的保護層220可包括，例如，氧化矽或氮化矽。
第3圖為依據一些例示性實施例部分地圖解有機發光顯示設備的剖面圖。第3圖的有機發光顯示設備可大致上與第1圖和第2圖的有機發光顯示設備相同或相似，除了第一佈線圖樣169和第三佈線圖樣153之外。
參考第3圖，有機發光顯示設備可包括可面對彼此的第一基板100和第二基板200。有機發光顯示設備可進一步包括可配置在第一基板100和第二基板200之間的複數個薄膜電晶體、電容器、佈線圖樣169、153和215、有機發光裝置以及密封件250。進一步，有機發光顯示設備可包括第一區域I、第二區域II和第三區域III。
有機發光裝置和包括第一和第二薄膜電晶體及第一電容器的像素電路可配置在第一區域I內，包含第三薄膜電晶體、第二電容器、第一佈線圖樣169和第三佈線圖樣153的週邊電路可配置在第二區域II內，且密封件250和第二佈線圖樣215可配置在第三區域III內。
第三佈線圖樣153可配置在第二區域II內之第一絕緣間層150上。特別是，第三佈線圖樣153可配置在第二區域II內，且可不配置在 第三區域III內。在例示性實施例中，第三佈線圖樣153可作為電源供應佈線用於傳送電源供應電壓(像是，例如，ELVSS)至有機發光裝置。
第一佈線圖樣169可配置在第二區域II內之第二絕緣間層160上。第一佈線圖樣169可藉由穿透第二絕緣間層160的接觸孔，而電性上連接至第三佈線圖樣153。第一佈線圖樣169也可作為電源供應佈線用於傳送電源供應電壓(像是，例如，ELVSS)至有機發光裝置。電源供應佈線可具有放大的截面積，以使得在電源供應佈線內的電壓降可被減小。
進一步，第五導電圖樣184可配置在第二區域II內之絕緣層180上，且可不配置在第三區域III內。第五導電圖樣184可電性上連接至第二電極197以及第一佈線圖樣169。因此，電源供應電壓(像是，例如，ELVSS)可被施加至第二電極197。
密封件250可配置在第三區域III內之第一基板100和第二基板200之間。封裝在第一區域I內之有機發光裝置的密封件250，可重疊含有配置在第二區域II和第三區域III重疊的區域內的第三薄膜電晶體以及第二電容器的週邊電路。因此，含有第二區域II以及第三區域III的非顯示區域可具有減少的面積。
根據例示性實施例，有機發光顯示設備可包括可配置在第二區域II內的第二電極197、第一佈線圖樣169、第三佈線圖樣153以及第五導電圖樣184。密封件250可不重疊第二電極197、第一佈線圖樣169、第三佈線圖樣153和第五導電圖樣184，以使得用以加熱密封件250的雷射光束可不損害第二電極197、第一佈線圖樣169、第三佈線圖樣153以及第五導電圖樣184。
第4圖為依據一些例示性實施例部分地圖解有機發光顯示設備的剖面圖。第4圖的有機發光顯示設備可大致上與第1圖和第2圖的有機發光顯示設備相同或相似，除了第一佈線圖樣及第三佈線圖樣153之外。
參考第4圖，有機發光顯示設備可包括可面對彼此的第一基板100和第二基板200。有機發光顯示設備可進一步包括複數個薄膜電晶體、電容器、佈線圖樣153和215、有機發光裝置以及可配置在第一基板100與第二基板200之間的密封件250。進一步，有機發光顯示設備可包括第一區域I、第二區域II以及第三區域III。
有機發光裝置和包括第一及第二薄膜電晶體和第一電容器的像素電路可配置在第一區域I，包括第三薄膜電晶體、第二電容器和第三佈線圖樣153的週邊電路可配置在第二區域II內，且密封件250和第二佈線圖樣215可配置在第三區域III內。
第三佈線圖樣153可配置在第二區域II內之第一絕緣間層150上。特別是，第三佈線圖樣153可配置在第二區域II內，且可不配置在第三區域III內。在例示性實施例中，第三佈線圖樣153可作為電源供應佈線用以傳送電源供應電壓(像是，例如，ELVSS)至有機發光裝置。第三佈線圖樣153可在第二方向延伸。進一步，第三佈線圖樣153可電性上連接至配置在第二絕緣間層160上的佈線圖樣(未顯示)。
進一步，第五導電圖樣186可配置在第二區域II內之絕緣層180上，且可不配置在第三區域III上。第五導電圖樣186可電性上連接第二電極197以及第三佈線圖樣153。亦即，第五導電圖樣186可藉由穿透絕緣 層180和第二絕緣間層160的接觸孔189，而電性上連接至第三佈線圖樣153。因此，電源供應電壓(像是，例如，ELVSS)可被施加至第二電極197。
根據例示性實施例，有機發光顯示設備可包括可配置在第二區域II內的第二電極197、第三佈線圖樣153以及第五導電圖樣186。密封件250可不重疊第二電極197、第三佈線圖樣153以及第五導電圖樣186，以使得用以加熱密封件250的雷射光束可不損害第二電極197、第三佈線圖樣153以及第五導電圖樣186。
第5圖為依據一些例示性實施例部分地圖解有機發光顯示設備的剖面圖。第5圖的有機發光顯示設備可大致上相同於或相似於如第1圖和第2圖的有機發光顯示設備，除了第三絕緣間層176以外。
參考第5圖，有機發光顯示設備可包括可彼此面對的第一基板100和第二基板200。有機發光顯示設備可進一步包括複數個薄膜電晶體、電容器、佈線圖樣168及215、有機發光裝置以及可配置在第一基板100與第二基板200之間的密封件250。進一步，有機發光顯示設備可包括第一區域I、第二區域II和第三區域III。
有機發光裝置和包括第一和第二薄膜電晶體以及第一電容器的像素電路可配置在第一區域I，包括第三薄膜電晶體、第二電容器以及第一佈線圖樣168的週邊電路可配置在第二區域II，且密封件250與第二佈線圖樣215可配置在第三區域III。
第一佈線圖樣168可配置在第二區域II內之第二絕緣間層160上。特別是，第一佈線圖樣168可作為電源供應佈線用以傳送電源供應電壓(像是，例如，ELVSS)至有機發光裝置。
第三絕緣間層176可配置在第二絕緣間層160上以覆蓋源極電極162和172、汲極電極164及174、第四導電圖樣166以及第一佈線圖樣168。在例示性實施例中，第三絕緣間層176可包括，例如，氧化矽或氮化矽。因此，第三絕緣間層176可作用以保護第一佈線圖樣168免於熱損害。
根據例示性實施例，有機發光顯示設備可包括可被配置在第二區域II內且可被密封件250暴露的第二電極197、第一佈線圖樣168以及第五導電圖樣184。因此，用以加熱密封件250的雷射光束可不損害第二電極197、第一佈線圖樣168以及第五導電圖樣184。進一步，覆蓋第一佈線圖樣168的第三絕緣間層176可作為熱阻隔件。
第6圖係依據一些例示性實施例部分地圖解有機發光顯示設備的剖面圖。
參考第6圖，有機發光顯示設備可包括可彼此面對的第一基板100和第二基板200。有機發光顯示設備可進一步包括複數個薄膜電晶體、電容器、佈線圖樣167及215、第一導電圖樣146、有機發光裝置以及可被配置在第一基板100與第二基板200之間的密封件252。進一步，有機發光顯示設備可包括第一區域I、第二區域II和第三區域III。
有機發光裝置和包括第一和第二薄膜電晶體及第一電容器的像素電路可被配置在第一區域I。有機發光裝置和像素電路可大致上與第1圖和第2圖相同。
另一方面，包括第三薄膜電晶體、第二電容器、第一佈線圖樣167以及第五導電圖樣183的週邊電路可配置在第二區域II內，且密封件252與第二佈線圖樣215可配置在第三區域III內。
第三薄膜電晶體可配置在第二區域II和第三區域III可重疊的區域內。第三薄膜電晶體可包括第三主動圖樣131、閘極絕緣層140、第三閘極電極144、第二源極電極156以及第二汲極電極158。
在例示性實施例中，第三主動圖樣131可配置在緩衝層105上，且可包括第三通道區域133、第三源極區域135以及第三汲極區域137。
第三閘極電極144可配置在閘極絕緣層140上以重疊第三通道區域133。第三閘極電極144可被第一絕緣間層150覆蓋。
在第一絕緣間層150上的第二源極電極156與第二汲極電極158可藉由穿透第一絕緣間層150與閘極絕緣層140的接觸分別電性上連接至第三源極區域135與第三汲極區域137。在例示性實施例中，第二源極電極156與第二汲極電極158可在用於形成第二導電圖樣152及第三導電圖樣155的過程期間內形成。
第二絕緣間層160可形成在第一絕緣間層150上以覆蓋第二源極電極156、第二汲極電極158、第二導電圖樣152以及第三導電圖樣155。
第一佈線圖樣167可配置在第二區域II與第三區域III內之第二絕緣間層160上。第一佈線圖樣167可在用於形成第一源極電極162與第一汲極電極164的過程期間形成。第一佈線圖樣167可形成以重疊第三薄膜電晶體。然而，第二源極電極156與第二汲極電極158可被形成在第二絕緣間層160之下，且第一佈線圖樣167可配置在第二絕緣間層160上，以使得第一佈線圖樣167可電性上從第三薄膜電晶體隔離。
仍參考第6圖，絕緣層181可配置在第一區域I與第二區域II內。然而，絕緣層181可不配置在第三區域III內。絕緣層181可包括有機絕緣材料像是，例如，聚醯亞胺。
第五導電圖樣183可配置在絕緣層181的頂部表面以及側壁(sidewall)上，如此一來第五導電圖樣183可電性上連接至第一佈線圖樣167。進一步，第五導電圖樣183可配置在第二區域II內，並非在第三區域III內。
根據例示性實施例，包括有機絕緣材料的絕緣層181可不配置在第三區域III內。因此，絕緣層181可不被用於加熱密封件252的雷射光束變形。進一步，第五導電圖樣183以及第二電極197可不配置在第三區域III內，第五導電圖樣183及第二電極197可不被雷射光束損害。重疊第三薄膜電晶體的第一佈線圖樣167可防止第三薄膜電晶體來自雷射光束的熱損害。
第7圖至第15圖為依據一些例示性實施例圖解製造有機發光顯示設備之方法的剖面圖。
參考第7圖，緩衝層105、主動圖樣110、120及130及閘極絕緣層140可形成在第一基板100之上。
第一基板100可包括第一區域I、第二區域II以及第三區域III，如第1圖所示。進一步，第三區域III可圍繞第一區域I。第二區域II可配置在第一區域I與第三區域III之間，且第二區域II可部分地與第三區域III重疊。
首先，緩衝層105以及半導體層可依序地形成在第一基板100之上，且接著該半導體層可被圖樣化以形成主動圖樣110、120與130。在例示性實施例中，第一主動圖樣110與第二主動圖樣120可形成在第一區域I，且第三主動圖樣130可配置在第二區域II與第三區域III重疊的區域內。
在例示性實施例中，半導體層可包括，例如，多晶矽、摻雜多晶矽、非晶矽、摻雜非晶矽，與其類似物。這些可單獨或組合使用。在其他的例示性實施例中，半導體層可包括氧化物半導體諸如，例如，氧化鋁鋅(AlZnO)、氧化鋁鋅錫(AlZnSnO)、氧化鎵鋅錫(GaZnSnO)、氧化銦鎵(InGaO)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO)、氧化銦錫鋅(InSnZnO)、氧化銦鋅(InZnO)、氧化鉿銦鋅(HfInZnO)及氧化鋅錫(ZnSnO)，或其類似物。
接著，閘極絕緣層140可被形成在緩衝層105之上以覆蓋主動圖樣110、120及130。在例示性實施例中，閘極絕緣層140可使用例如，氧化矽、氮化矽或具有高介電容率的無機絕緣材料藉由，例如，化學氣相沉積(CVD)過程而形成。
參考第8圖，閘極電極141、142及143，第一導電圖樣145與反射圖樣147可被形成在閘極絕緣層140之上，且接著第一絕緣間層150可被形成在閘極絕緣層140之上。
第一導電層可藉由濺鍍過程被形成在閘極絕緣層140之上，且接著第一導電層可被圖樣化以形成閘極電極141、142及143、第一導電圖樣145以及反射圖樣147。接著，第一絕緣間層150可藉由化學氣相沉積過程使用，例如，氧化矽或氮化矽而形成，以覆蓋閘極電極141、142及143、第一導電圖樣145及反射圖樣147。
在例示性實施例中，第一導電層可包括多晶矽、金屬或合金像是，例如，鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)及/或這些金屬的合金。舉例來說，當第一導電層包含鉬(Mo)時，第一至第三閘極電極141、142及143還有第一導電圖樣145可具有相對小的電阻，且反射圖樣147可具有對雷射光束相對大的反射率。
第一閘極電極141、第二閘極電極142以及第三閘極電極143可配置在閘極絕緣層140之上以分別重疊第一至第三主動圖樣110、120及130。第一導電圖樣145可配置相鄰於第三閘極電極143。第一導電圖樣145可配置在第二區域II與第三區域III重疊的區域內。進一步，反射圖樣147可配置在第三區域III內。
雜質摻雜過程可被執行以形成在主動圖樣110、120及130內的雜質區域。雜質摻雜過程可使用閘極電極141、142及143執行作為離子植入遮罩。因此，第一主動圖樣110可包括第一通道區域112、第一源極區域114與第一汲極區域116。第二主動圖樣120可包括第二通道區域122、第二源極區域124與第二汲極區域126，且第三主動圖樣130可包括第三通道區域132、第三源極區域134以及第三汲極區域136。
參考第9圖，第二導電圖樣152以及第三導電圖樣154可形成在第一絕緣間層150之上，且第二絕緣間層160可形成在第一絕緣間層150之上。
第二導電層可藉由濺鍍過程被形成在第一絕緣間層150上，且接著第二導電層可被圖樣化以形成第二導電圖樣152以及第三導電 圖樣154。舉例來說，第二導電層可使用大致上與第一導電層相同的材料而形成。接著，第二絕緣間層160可使用，例如，氧化矽或氮化矽藉由化學氣相沉積過程而被形成，以覆蓋第二導電圖樣152與第三導電圖樣154。
第二導電圖樣152可被形成以重疊第一閘極電極141，且第三導電圖樣154可被形成以重疊第一導電圖樣145。因此，第二導電圖樣152、第一閘極電極141和其間的第一絕緣間層150的一部分可構成第一電容器。第三導電圖樣154、第一導電圖樣145及在其間的第一絕緣間層150的一部份可構成第二電容器。第一閘極電極141可不只作為第一薄膜電晶體的閘極電極，也可作為第一電容器的一電極。
參考第10圖，源極電極162及172、汲極電極164與174、第四導電圖樣166與第一佈線圖樣168可被形成在第二絕緣間層160之上。
閘極絕緣層140及絕緣間層150和160可部分地被移除以形成暴露源極區域124和134以及汲極區域126和136的開口，且第三導電層可被形成在第二絕緣間層160之上以填補開口。接著，第三導電層可被圖樣化以形成源極電極162和172、汲極電極164與174、第四導電圖樣166以及第一佈線圖樣168。
在例示性實施例中，第三導電層可具有單層結構或多層結構。舉例來說，第三導電層可包括含有，例如，可被依序地堆疊的鈦(Ti)層、鋁(Al)層及鈦(Ti)層的多層結構。多層結構由於鋁層可具有相對小的電阻，且該多層結構由於鈦層可具有增強的接觸特性。
源極電極162和172以及汲極電極164和174可分別接觸源極區域124和134以及汲極區域126和136。進一步，源極電極(未顯示)和汲 極電極(未顯示)可被進一步形成以接觸第一源極區域114和第一汲極區域116。因此，包含第一通道區域112、第一源極區域114和第一汲極區域116的第一主動圖樣110、閘極絕緣層140、第一閘極電極141、源極電極(未顯示)和汲極電極(未顯示)可構成第一薄膜電晶體。進一步，包含第二通道區域122、第二源極區域124和第二汲極區域126的第二主動圖樣120、閘極絕緣層140、第二閘極電極142、第一源極電極162以及第一汲極電極164可構成第二薄膜電晶體。包含第三通道區域132、第三源極區域134和第三汲極區域136的第三主動圖樣130、閘極絕緣層140、第三閘極電極143、第二源極電極172以及第二汲極電極174可構成第三薄膜電晶體。
在例示性實施例中，第一薄膜電晶體T1可作用為驅動電晶體用於施加電壓或電流至有機發光裝置，且第二薄膜電晶體T2可作用為開關電晶體用於決定有機發光裝置的操作。在例示性實施例中，複數個第一薄膜電晶體和複數個第二薄膜電晶體可配置相對應於複數個像素。
第四導電圖樣166和第一佈線圖樣168可形成在第二區域II內之第二絕緣間層160之上。第一佈線圖樣168可配置在第三區域III可不重疊的第二區域II內。在例示性實施例中，第一佈線圖樣168可作用為電源供應佈線用於傳送電源供應電壓(像是，例如，ELVSS)，且第一佈線圖樣168可延伸於平行於第一基板100的頂部表面的第二方向。
接著，絕緣層180可被形成以覆蓋第一源極電極162、第一汲極電極164、第四導電圖樣166以及第一佈線圖樣168。在例示性實施例中，絕緣層180可具有在第一區域I內的平坦頂部表面，且可部分地覆蓋第 二區域II和第三區域III。絕緣層180可使用有機絕緣材料像是，例如，聚醯亞胺，而形成。
參考第11圖，第一電極182和第五導電圖樣184可形成在絕緣層180之上，且接著像素定義層190可形成在絕緣層180之上。
絕緣層180可部分地移除以形成暴露第一佈線圖樣168的接觸孔188，第四導電層可被形成在絕緣層180之上以填補接觸孔188，且接著第四導電層可被圖樣化以形成第一電極182以及第五導電圖樣184。
第四導電層可具有單層結構或多層結構。在例示性實施例中，第四導電層可具有包含金屬層和透明導電氧化層的多層結構。舉例來說，第四導電層可具有包含ITO/Ag/ITO堆疊的多層結構。因此，第一電極182和第五導電圖樣184可具有相對小的電阻。
複數個第一電極182可被形成在第一區域I內。第五導電圖樣184可配置在第二區域II內。第五導電圖樣184可不形成在第三區域III內，且可透過接觸孔188電性上連接至第一佈線圖樣168。因此，第五導電圖樣184相較於第三薄膜電晶體，可被形成鄰近於第一區域I。
像素定義層190可使用絕緣材料而形成。在例示性實施例中，複數個像素定義層190可被形成在第一區域I、第二區域II及第三區域III內。像素定義層190可隔開在第一區域I內的像素的每一個。像素定義層190可覆蓋第二區域II內之第五導電圖樣184、以及第三區域III內之第二源極電極172以及第二汲極電極174，如此一來像素定義層190可分隔並保護第五導電圖樣184、第二源極電極172以及第二汲極電極174。
參考第12圖，有機發光結構191、192及193可形成在第一電極182之上，間隔195可形成在像素定義層190之上，且接著第二電極197可形成以覆蓋間隔195。
有機發光結構191、192及193可形成以相應每一個像素。有機發光結構191、192及193可包括至少一個有機發光層，且可選擇性包括電洞傳送層、電洞注入層、電子注入層或電子傳送層。
第二電極197可形成以覆蓋間隔195，像素定義層190、有機發光結構191、192和193以及第五導電圖樣184。在例示性實施例，第二電極197可形成在第一區域I及第二區域II內，且可不被形成在第三區域III內。第二電極197可包括金屬及/或合金像是，例如，銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、這些金屬的合金、或其類似物。舉例來說，第二電極197可包括銀(Ag)和鎂(Mg)的合金，以使得第二電極197可具有相對小的電阻和相對大的透光率。
參考第13圖，觸控面板可形成在第二基板200之上。
第二基板200也可包括可相應於第一基板100的第一區域I、第二區域II及第三區域III。
觸控面板可包括複數個感測單元210、複數個第二佈線圖樣215以及保護層220。在例示性實施例中，複數個感測單元210可配置在第一區域I內，且複數個第二佈線圖樣215可配置在第三區域III內。第二佈線圖樣215可包括金屬像是，例如，鉬(Mo)。
參考第14圖，第一基板100和第二基板200可被安置以面對彼此，且密封件250可被配置於第三區域III內之第一基板100與第二基板200之間。
第一基板100的間隔195可直接地接觸第二基板200的後表面。第一基板100和第二基板200之間的距離可取決於間隔195的高度。
進一步，在安置密封件250之前，絕緣間層150和160可部分地移除以形成複數個開口。
參考第15圖，雷射光束可照射在第三區域III內，以使得有機發光顯示設備可被封裝。
密封件250可被雷射光束熔化，以使得密封件250可變形以完整第一基板100和第二基板200之間的間隙。
雷射光束可部分地被第二佈線圖樣215反射。因此，雷射光束的強度可被調整足夠以熔化密封件250。在另一方面，雷射光束可被反射圖樣147反射，以使得反射的雷射光束可有效地熔化密封件250的底部部分。
進一步，密封件250可不重疊配置在第二區域II內的第二電極197、第一佈線圖樣168和第五導電圖樣184。因此，使用以加熱密封件250的雷射光束可不損害第二電極197、第一佈線圖樣168以及第五導電圖樣184。
第16圖至第21圖為依據一些例示性實施例圖解製造有機發光顯示設備之方法的剖面圖。製造第16圖至第21圖的有機發光顯示設備的方法可大致上如相似於第7圖至第15圖的方法相同。
參考第16圖，參照第7圖至第8圖所描述的過程可被執行。緩衝層105、主動圖樣110、120和130以及閘極絕緣層140可形成在第一基板100上。閘極電極141、142和144、第一導電圖樣146與反射圖樣147可形成在閘極絕緣層140上，且接著第一絕緣間層150可形成在閘極絕緣層140上。進一步，雜質可被摻雜進入該主動圖樣110、120和130，從而形成通道區域112、122和133、源極區域114、124及135與汲極區域116、126和137。
參考第17圖，第二導電圖樣152、第三導電圖樣155、第二源極電極156以及第二汲極電極158可被形成在第一絕緣間層150之上，且接著第二絕緣間層160可被形成在第一絕緣間層150之上。
第一絕緣間層150以及閘極絕緣層140可部分地被移除以形成暴露第三源極區域135和第三汲極區域137的開口，且第一導電層可形成以填補開口。第一導電層可被圖樣化以形成第二導電圖樣152、第三導電圖樣155、第二源極電極156和第二汲極電極158。第一導電層可包括大致上相同或相似於第9圖的第二導電層的材料。
因此，第三主動圖樣131、第三閘極電極144、第二源極電極156和第二汲極電極158可構成第三電晶體。
第二絕緣間層160可使用，例如，氧化矽或氮化矽，藉由化學氣相沉積過程而形成。第二絕緣間層160可覆蓋第二導電圖樣152、第三導電圖樣155、第二源極電極156和第二汲極電極158。
參考第18圖，第一源極電極162、第一汲極電極164、第四導電圖樣166和第一佈線圖樣167可形成在第二絕緣間層160之上，且接著絕緣層181可被形成。
第二導電層可形成在第二絕緣間層160之上，且接著第二導電層可被圖樣化以形成第一源極電極162、第一汲極電極164、第四導電圖樣166及第一佈線圖樣167。第二導電層可包括大致上相同於或相似於第10圖的第三導電層的材料。
因此，第一源極電極162與第一汲極電極164、第二主動圖樣120和第二閘極電極142可構成第二薄膜電晶體。進一步，源極電極(未顯示)、汲極電極(未顯示)、第一閘極電極141和第一主動圖樣110可構成第一薄膜電晶體。
第四導電圖樣166可形成在第二區域II內。第四導電圖樣166相較於第三薄膜電晶體，可配置鄰近於第一區域I。
第一佈線圖樣167可配置在第二區域II和第三區域III內之第二絕緣間層160之上。第一佈線圖樣167可形成以覆蓋第三薄膜電晶體。然而，第二源極電極156和第二汲極電極158可形成在第二絕緣間層160之下，且第一佈線圖樣167可配置在第二絕緣間層160之上，以使得第一佈線圖樣167可電性上從第三薄膜電晶體隔離。
另一方面，絕緣層181可配置在第一區域I和第二區域II內。然而，絕緣層181可不配置在第三區域III內。絕緣層181可包括有機絕緣材料像是，例如，聚醯亞胺。
參考第19圖，第一電極182和第五導電圖樣183可形成在絕緣層181之上，且像素定義層190可形成在絕緣層181之上。
用於形成第一電極182、第五導電圖樣183和像素定義層190的過程可大致上相同或相似於參照第11圖所描述的那些過程。第五導電圖樣183可透過絕緣層181的側壁而電性上連接至第一佈線圖樣167。進一步，第五導電圖樣183可被形成在第二區域II內，而非在第三區域III內。
參考第20圖，有機發光結構191、192及193可形成在第一電極182之上，間隔195可形成在像素定義層190之上，且接著第二電極197可形成以覆蓋間隔195。
因此，第二電極197可透過第五導電圖樣183而電性上連接至第一佈線圖樣167。在例示性實施例中，第二電極197可形成在第一區域I及第二區域II內，且可不被形成在第三區域III內。亦即，第二電極197可直接地接觸在第二區域II內的第五導電圖樣183。
參考第21圖，觸控面板可形成在第二基板200之上，第一基板100和第二基板200可被安置以面對彼此，且密封件252可被配置於第三區域III內的第一基板100與第二基板200之間。接著，雷射光束可照射在第三區域III內，以使得有機發光顯示設備可被封裝。
複數個感測單元210、複數個第二佈線圖樣215以及保護層220可被形成在第二基板200之上。密封件252可被雷射光束熔化，以使得密封件252可變形以完整第一基板100和第二基板200之間的間隙。
根據例示性實施例，包含有機絕緣材料的絕緣層181可不被配置在第三區域III內。因此，絕緣層181可不至於因為用於加熱密封件252 之雷射光束而變形。進一步，第五導電圖樣183和第二電極197可不配置在第三區域III內，第五導電圖樣183和第二電極197可不被雷射光束損害。重疊第三薄膜電晶體的第一佈線圖樣167可防止第三薄膜電晶體自雷射光束的熱損害。
上述為例示性實施例的說明，且並非解釋為限制性的。雖然特定實施例已經被描述，但所屬技術領域具有通常知識者將輕易理解的是，在不實質悖離例示性實施例的新穎教示和優點下針對例示性實施例的許多修飾是可行的。因此，所有諸如此類的修飾係旨在被包括於如同在發明申請專利範圍所定義的例示性實施例的範疇中。在發明申請專利範圍中，手段功能用語撰寫方式係旨在涵蓋於此為執行所述功能所描述的結構，且不只涵蓋結構等價物而亦涵蓋等價的結構。因此，應當被理解的是上述是例示性實施例的說明，且不被解釋為對所揭露的特定實施例的限制，且對所揭露的例示性實施例的修飾，以及其他例示性實施例，係皆旨在被包含於附加之發明申請專利範圍的範疇中。本發明由下列發明申請專利範圍、以及被包含在其中的發明申請專利範圍的等價物所定義。

Claims (10)

  1. 一種有機發光顯示設備，其包含：一第一基板，包含一第一區域、一第二區域以及一第三區域，其中該第三區域圍繞該第一區域，且該第二區域在該第一區域與該第三區域之間並且部分地與該第三區域重疊；一第二基板，面對該第一基板；一有機發光裝置，在該第一區域內之該第一基板上；一薄膜電晶體，在該第二區域與該第三區域重疊的一區域內之該第一基板上；一第一佈線圖樣，在該第二區域內之該第一基板上；一密封件，在該第三區域內，配置在該第一基板和該第二基板之間，其中該密封件重疊該薄膜電晶體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該有機發光裝置包含一第一電極、一有機發光結構以及一第二電極。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該第二電極係配置在該第二區域和該第一區域內，且其中該第二電極被該密封件暴露。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其進一步包含一導電圖樣配置在該第二區域，其中該導電圖樣電性上連接該第一佈線圖樣和該第二電極，且該導電圖樣包含與該第一電極相同之材料。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示設備，其中該導電圖樣被該密封件暴露。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示設備，其中該第一電極具有包含氧化銦錫/銀/氧化銦錫堆疊的一多層結構。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該第一佈線圖樣被配置相鄰於該第一區域且具有包含鈦/鋁/鈦堆疊的一多層結構，且該密封件重疊該薄膜電晶體，其中該第一佈線圖樣被該密封件暴露。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其進一步包括設置於該第二基板上的該第三區域內的一第二佈線圖樣，其中該第二佈線圖樣重疊該密封件以及該薄膜電晶體。
  9. 一種有機發光顯示設備，其包含：一第一基板，包含一第一區域、一第二區域以及一第三區域，其中該第三區域圍繞該第一區域，且該第二區域在該第一區域與該第三區域之間並且部分地與該第三區域重疊；一第二基板，相對於該第一基板；一第一薄膜電晶體，在該第一區域內之該第一基板上；一有機發光裝置，在該第一區域內之該第一基板上，該有機發光裝置電性上連接至該第一薄膜電晶體；一第二薄膜電晶體，在該第二區域與該第三區域重疊的一區域內之該第一基板上；一絕緣層，覆蓋該第一薄膜電晶體，該絕緣層包括一有機絕緣材料；一佈線圖樣，在該第二區域內之該第一基板上，該佈線圖樣重疊該第二薄膜電晶體；以及 一密封件，在該第三區域內之該第一基板與該第二基板之間，其中該密封件重疊該第二薄膜電晶體。
  10. 一種製造有機發光顯示設備的方法，該方法包含：準備包含一第一區域，一第二區域以及一第三區域之一第一基板，其中該第三區域圍繞該第一區域，且該第二區域是在該第一區域與該第三區域之間，並且係部分地與該第三區域重疊；形成一第一薄膜電晶體在該第一區域內之該第一基板上；形成一第二薄膜電晶體在該第二區域和該第三區域重疊的一區域內之該第一基板上；形成一有機發光裝置在該第一區域內之該第一基板上；安置一第二基板以面對該第一基板；形成一密封件在該第三區域內之該第一基板與該第二基板之間，其中該密封件重疊該第二薄膜電晶體；以及照射一雷射光束以熔化該密封件。
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