KR940015576A - 액정표시장치 제조방법

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본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 게이트 라인과 데이타 라인의 교차 부분에서의 기생 커패시턴스를 줄이고 핀홀로 인한 선간의 단락을 방지하며, 데이타 라인의 스텝 커버리지를 좋게하기 위한 액정표시장치 제조방법에 관한 것이다.

종래의 액정표시장치는 게이트 라인과 데이타 라인이 서로 수직한 방향으로 절연막을 사이에 두고 교차되어 있다.

이로 인하여 기생 커패시턴스가 발생하고 데이타 라인의 스텝 커버리지가 불량하며, 핀 홀로 인한 선간 단락이 발생될 우려가 있어 고화질, 대화면DML 액정표시장치에 부적합하였다.

본 발명은 게이트 라인과 데이타 라인 교차 부분에 도핑된 반도체 섬을 형성하고 반도체 섬과 섬 사이에 게이트 라인을 연결하고 2중 구조의 절연막을 반도체섬위에 형성한 뒤 그위에 데이타 라인을 형성한 것이다.

따라서, 게이트 라인과 데이타 라인간의 거리가 떨어져 기생 커패시턴스가 감소하고 절연막이 2중 구조로 되어 있어 선간 단락의 염려가 없으며 데이타 라인의 스켑 커버리지가 개선되어 고화질, 대화면의 액정표시장치에 적합하다.

액정표시장치 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제4도는 본 발명의 액정표시장치 레이 아웃도, 제5도는 제4도의 C-C′선상 단면 구조도, 제6도는 제4도 “E”부분 확대 평면도.

절연용 투명기판(9)에 반도체층(1)을 증착하고 패터닝하여 박막 트랜지스터 영역과 게이트 라인과 데이타 라인이 교차될 부분에 반도체섬(10)을 형성하는 공정과, 게이트 절연막(8)을 증착하고 반도체섬(10) 양측에 콘택홀(11)을 형성하는 공정과, 반도체섬(10)과 반도체섬(10)사이에 박막 트랜지스터 영역에는 게이트 전극이 돌출되고 반도체섬(10)에 연결되도록 게이트 라인(2)을 형성하여 공정과, 박막 트랜지스터 영역과 교차점의 반도체섬(10)에 n⁺이온 주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하고 열처리 하는 공정과, 절연막(7)을 형성하고 소오스 드레인 콘택홀을 형성하는 공정과, 화소영역에 투명전극(6)을 형성하고, 게이트 라인(2)과 수직한 방향으로 데이타 라인(3)을 형성하는 공정과, 소오스 영역에 데이타 라인을 연결하고 드레인 영역에 투명전극(6)을 연결하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.