TWI480998B - 有機發光畫素的結構、製作方法以及驅動電路 - Google Patents

Description

有機發光畫素的結構、製作方法以及驅動電路

本發明是有關於一種畫素的結構、製作方法及電路，且特別是有關於一種有機發光畫素的結構、製作方法及電路。

隨著資訊科技的發達，各式各樣如電腦、行動電話、個人數位助理(PDA)及數位相機等資訊設備，均不斷地推陳出新。在這些資訊設備中，顯示器始終扮演著舉足輕重之地位，而平面顯示器(Flat Panel Display)由於具有薄型化、輕量化及省電之特性，乃逐漸地受到歡迎。在各種平面顯示器中，有機發光顯示器(Organic Light Emitting Display，簡稱OLED)因具有視角廣、色彩對比效果好、響應速度快及成本低等優點，可望成為下一代的平面顯示器之主流。

主動式驅動的有機發光顯示器中的有機發光材料是電流驅動的屬性，因而驅動電路中任何元件的變異都將直接影響有基發光顯示器的顯示效果。所以，有機發光顯示器中的電路元件設計往往是這項技術十分著重的要點之一。

本發明提供一種有機發光畫素結構，在畫素結構中構 成兩個連接在一起的電容以增加整體電容值。

本發明提供一種有機發光畫素結構的製作方法，無須額外的光罩即可在畫素中形成兩個連接在一起的電容。

本發明提供一種有機發光畫素電路，具有兩個電容以改善畫面串音(cross talk)現象。

本發明提出一種有機發光畫素結構，包括一掃描線、一資料線、一電源線、一定電壓線、一第一電晶體、一第二電晶體、一畫素電極、一有機發光單元、一第一電容電極以及一第二電容電極。資料線以及電源線皆與掃描線相交。定電壓線與資料線相交。第一電晶體電性連接至掃描線以及資料線。第二電晶體電性連接至電源線以及第一電晶體。畫素電極電性連接至該第二電晶體。有機發光單元配置於畫素電極上。第一電容電極電性連接電性連接至第二電晶體與第一電晶體。第一電容電極與畫素電極彼此重疊。第二電容電極電性連接至定電壓線。第二電容電極與第一電容電極彼此重疊，且第二電容電極夾於第一電容電極與畫素電極之間，使得第一電容電極與第二電容電極構成一第一電容而第二電容電極與畫素電極構成一第二電容，其中第一電容大於第二電容。

根據本發明之一實施例，上述第一電容電極的材質包括半導體材料。

根據本發明之一實施例，上述第一電容電極包括一摻雜部以及一未摻雜部，未摻雜部實質上被第二電容電極遮蔽而摻雜部實質上位於未摻雜部周邊並連接於第二電晶體 與第一電晶體。

根據本發明之一實施例，上述掃描線、定電壓線以及第二電容電極由相同膜層構成。

根據本發明之一實施例，上述第一電容電極的材質相同於第一電晶體的一通道區以及第二電晶體的一通道區。

根據本發明之一實施例，上述第一電晶體具有一第一電極、一第二電極與一第三電極，第一電極電性連接資料線，第二電極電性連接掃描線。

根據本發明之一實施例，上述第二電晶體具有一第一電極、一第二電極與一第三電極，第一電極電性連接電源線，第二電極電性連接第一電晶體的第三電極以及第一電容電極，並且第三電極電性連接畫素電極。

根據本發明之一實施例，上述第一電晶體以及第二電晶體為P型電晶體時，定電壓線所傳遞的一固定電壓為負偏壓。

根據本發明之一實施例，上述第一電晶體以及第二電晶體為N型電晶體時，定電壓線所傳遞的一固定電壓為正偏壓。

本發明另提出一種有機發光畫素結構的製作方法。首先，於一基板上形成一圖案化半導體層，其中圖案化半導體層包括一第一半導體圖案區塊、一第二半導體圖案區塊以及一第三半導體圖案區塊。接著，於基板上形成一第一絕緣層覆蓋圖案化半導體層。然後，於第一絕緣層上形成一第一圖案化導體層，其中第一圖案化導體層包括一第一 閘極、一第二閘極以及一第二電容電極，其中第一閘極、第二閘極以及第二電容電極分別位於第一半導體圖案區塊、第二半導體圖案區塊以及第三半導體圖案區塊上方。之後，以第一圖案化導體層為罩幕對圖案化半導體層未被遮蔽的部分進行一摻雜製程，使第一半導體圖案區塊具有一第一通道區、一第一源極區以及一第一汲極區，使第二半導體圖案區塊具有一第二通道區、一第二源極區以及一第二汲極區，且使第三半導體圖案區塊具有一摻雜區以及一未摻雜區，其中該第三半導體圖案區塊作為一第一電容電極。再者，形成一第二絕緣層於第一圖案化導體層上。隨之，在第一絕緣層以及第二絕緣層上分別形成多個第一接觸窗以及多個第二接觸窗，其中第一接觸窗連通於部分第二接觸窗而構成暴露出第一源極區、第一汲極區、第二源極區、第二汲極區以及摻雜區的多個接觸開口。此外，於第二絕緣層上形成一第二圖案化導體層，其中第二圖案化導體層包括一畫素電極以及分別連接於第一源極區、第一汲極區、第二源極區以及第二汲極區的一第一源極導體、一第一汲極導體、一第二源極導體以及一第二汲極導體，且畫素電極連接於第二汲極導體。形成一有機發光單元於畫素電極上。

根據本發明之一實施例，上述未連通於第一接觸窗的其中一個第二接觸窗暴露出第二閘極，且形成第二圖案化導體層的步驟更使第一汲極導體連接於第一電容電極的摻雜區以及第二閘極。

根據本發明之一實施例，上述有機發光畫素結構的製作方法更包括於第二圖案化導體層上形成一第三絕緣層，且第三絕緣層具有暴露出畫素電極的一開口使有機發光單元配置於開口中。

本發明又提出一種有機發光畫素驅動電路，包括一掃描線、一資料線、一電源線、一第一電晶體、一第二電晶體、一有機光二極體、一定電壓線、一第一電容以及一第二電容。第一電晶體包括一第一端、一第二端及一第三端，其中第一端電性連接資料線用以接收一資料訊號，第二端電性連接掃描線用以接收一開關訊號。第二電晶體包括一第一端、一第二端以及一第三端，其中第一端電性連接電源線用以接收一第一電壓，第二端耦接至第一電晶體的第三端。有機發光二極體包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第二電晶體的第三端，而第二端用以接收一第二電壓。定電壓線用以提供一固定電壓。第一電容包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第一電晶體的第三端，而第二端電性連接定電壓線用以接收固定電壓。第二電容包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第二電晶體的第三端與有機發光二極體的第一端之間，而第二端電性連接定電壓線用以接收固定電壓，且第一電容大於第二電容。

根據本發明之一實施例，上述第一電晶體以及第二電晶體為P型電晶體時，固定電壓為負偏壓。

根據本發明之一實施例，上述第一電晶體以及第二電 晶體為N型電晶體時，固定電壓為正偏壓。

基於上述，本發明在有機發光畫素中設置兩個電容電極，其中一個電容電極連接至固定電壓使兩電容電極與畫素電極共同構成兩個連皆在一起的電容。藉由兩個連接在一起的電容提供足夠的電容值使得有機發光畫素具有理想的發光品質。因此，本發明實施例的有機發光畫素的結構與電路有助於提供理想的顯示效果。另外，本發明實施例製作兩電容電極時不需使用額外的光罩而不會造成製作成本的增加。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

一般來說，要構成一個有機發光顯示面板，必須在基板上製作出多個有機發光畫素，且這些有機發光畫素呈現陣列排列。並且，為了實現多色彩化的顯示效果，在基板上呈現陣列排列的多個有機發光畫素可以依據所使用的有機發光材料的種類而區分為多種不同顏色的有機發光畫素，其中這些顏色可以是三原色、三原色的互補色、或其他組合。基於有機發光材料的種類不同，不同顏色的有機發光畫素可能需要不同的驅動能量。如此，為了讓不同顏色的畫素的顯示效果相互匹配，在各元件的外型上，不同顏色的有機發光畫素可以具有不同的圖案設計。因此，以下所舉實施例中，上視圖的部分將示例性地表示出三種畫 素中各元件的圖案設計，但本領域中具有通常知識者皆了解這三種畫素中任一者的圖案設計都符合本發明的精神，而且本發明不應以任何一種圖案設計為限制。

圖1A至圖5A繪示為本發明一實施例的有機發光畫素結構在各個製作步驟中的上視示意圖，圖1B至圖5B繪示為圖1A至圖5A中剖線I-I’的剖面示意圖，而圖1C至圖5C繪示為圖1A至圖5A中剖線II-II’的剖面示意圖。請先參照圖1A、圖1B與圖1C，提供一基板10，並在基板上10劃分出多個畫素區12、14及16，其中各畫素區12、14及16分別對應地設置有一個畫素。為清楚表示本發明的設計，在此將以畫素區12中的各構件來進行說明(如圖1B與圖1C所示)，而畫素區14與畫素區16中的各構件不另作詳述。

以畫素區12而言，本實施例的製作方法例如是於基板10上形成一圖案化半導體層100，其中圖案化半導體層100包括彼此分離的一第一半導體圖案區塊110、一第二半導體圖案區塊120以及一第三半導體圖案區塊130。在本實施例中，圖案化半導體層100的製作方式包括了於基板10上先形成一半導體材料層(未繪示)，再使用一道光罩進行微影蝕刻製程使得半導體材料層(未繪示)圖案化出位於畫素區12中的第一半導體圖案區塊110、第二半導體圖案區塊120以及第三半導體圖案區塊130。

應用於本實施例的半導體材料層可以是多晶矽半導體材料層。所以，半導體材料層的形成方法包括了於基板 10上先形成非晶矽材料層再進行退火製程使得非晶矽材料層轉變為多晶矽半導體材料層。不過，本實施例不以此為限，在其他可施行的方式中，半導體材料層的材質可以是非晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料或是其他半導體材料，並不限於此。

接著，請參照圖2A、圖2B與圖2C，於基板10上形成一第一絕緣層20並於第一絕緣層20上形成一第一圖案化導體層200。再者，形成一第二絕緣層30於第一圖案化導體層200上。此處第一絕緣層20與第二絕緣層30可以採用任何已知的膜層形成方式加以製作，諸如化學氣相沉積法、物理氣相沉積法等。另外，第一圖案化導體層200的製作方法可以是先形成一導體材料層(未繪示)於第一絕緣層20上再使用一道光罩進行微影蝕刻製程以將導體材料層(未繪示)圖案化成第一圖案化導體層200。

第一圖案化導體層200包括一掃描線210、一第一閘極220、一第二閘極230、一第二電容電極240、一定電壓線250以及一電源延伸線260。在此，第一閘極220、第二閘極230以及第二電容電極240分別位於第一半導體圖案區塊110、第二半導體圖案區塊120以及第三半導體圖案區塊130上方。另外，第一閘極220連接於掃描線210，而第二電容電極240連接於定電壓線250。並且，掃描線210、定電壓線250以及電源延伸線260主要沿著第一方向H延伸。

值得一提的是，由於圖案化半導體層100與第一圖案 化導體層200用來提供不同的導電特性以實現所需要的電路，圖案化半導體層100與第一圖案化導體層200之間會藉由第一絕緣層20分隔開來。另外，在本實施例中，第一閘極220、第二閘極230以及第二電容電極240分別部分地遮蔽住第一半導體圖案區塊110、第二半導體圖案區塊120以及第三半導體圖案區塊130。因此，第一半導體圖案區塊110、第二半導體圖案區塊120以及第三半導體圖案區塊130各自具有一部分的面積沒有被第一閘極220、第二閘極230以及第二電容電極240所遮蔽。

本實施例進一步以第一圖案化導體層200為罩幕對圖案化半導體層100未被遮蔽的部分進行一摻雜製程。在摻雜製程執行之後，第一半導體圖案區塊110定義出一第一通道區112、一第一源極區114以及一第一汲極區116，第二半導體圖案區塊120定義出一第二通道區122、一第二源極區124以及一第二汲極區126，而第三半導體圖案區塊130定義出一摻雜區132以及一未摻雜區134。

第一通道區112位於第一源極區114與第一汲極區116之間，而第二通道區122則為於第二源極區124以及第二汲極區126之間。另外，摻雜區132例如位於未摻雜區134的周邊以共同構成重疊於第二電容電極240的一第一電容電極136。為了方便描述，以下內容皆以第一電容電極136來描述具有摻雜區132以及未摻雜區134的第三半導體圖案區塊130。

隨之，請參照圖3A、圖3B與圖3C，在第一絕緣層 20以及第二絕緣層30上分別形成多個第一接觸窗22以及多個第二接觸窗32。在此步驟中，使用一道光罩，進行微影蝕刻製程以在第一絕緣層20以及第二絕緣層30上分別形成多個第一接觸窗22以及多個第二接觸窗32。值得一提的是，第一接觸窗22連通於部分第二接觸窗32因而構成暴露出第一源極區114、第一汲極區116、第二源極區124、第二汲極區126以及摻雜區132的多個接觸開口W。另外，有一部分的第二接觸窗32沒有連通於第一接觸窗22而暴露出第一圖案化導體層200的第二閘極230以及電源延伸線260。也就是說，本實施例使用一道光罩在第一絕緣層20與第二絕緣層30中形成的接觸窗可以具有兩種模式，其一為利用第一接觸窗22與第二接觸窗32連通而暴露出圖案化半導體層100，其二為第二接觸窗32獨立地暴露出第一圖案化導體層200。

此外，請參照圖4A、圖4B與圖4C，於第二絕緣層30上形成一第二圖案化導體層300。第二圖案化導體層300的製作方法可以是先形成一導體材料層(未繪示)於第二絕緣層30上再使用一道光罩進行微影蝕刻製程以將導體材料層(未繪示)圖案化成第二圖案化導體層300。第二圖案化導體層300包括一畫素電極310、資料線320、電源線330以及連接電極340。資料線320與電源線330皆沿著第二方向V延伸並且相交於掃描線210與定電壓線250，其中第二方向V例如相交或是垂直於圖2A所表示的第一方向H。

具體而言，資料線320重疊於第一半導體圖案區塊110所定義出來的第一源極區114，並且資料線320的一部分配置於暴露出第一源極區114的接觸開口W中以定義出第一源極導體322。連接電極340重疊於第一半導體圖案區塊110所定義出來的第一汲極區116，並且連接電極340的一部分配置於暴露出第一汲極區116的接觸開口W中以定義出第一汲極導體342。電源線330重疊於第二半導體圖案區塊120所定義出來的第二源極區124，並且電源線330的一部分配置於暴露出第二源極區124的接觸開口W中以定義出第二源極導體332。畫素電極310重疊於第二半導體圖案區塊120所定義出來的第二汲極區126，並且畫素電極310的一部分配置於暴露出第二汲極區126的接觸開口W中以定義出第二汲極導體312。此外，電源線330還可以藉由第二絕緣層30中的第二接觸窗口連接於電源延伸線260。如此，電源線330可以在兩種方向上傳遞訊號。

接著，請參照圖5A、圖5B以及圖5C，於第二圖案化導體層300上形成一第三絕緣層40，並且在第三絕緣層40上形成可容置有機發光單元400並暴露出畫素電極310的開口42。如此一來，有機發光畫素500的結構已大致完成。在本實施例中，形成開口42的方法是使用一道光罩進行一微影蝕刻製程以將第三絕緣層40圖案化。

整體而言，本實施例的畫素結構的製作方法僅需要使用約五道光罩分別進行半導體材料層的圖案化、第一導體 層的圖案化、第一絕緣層20與第二絕緣層30的圖案化、第二導體層的圖案化以及第三絕緣層40的圖案化。因此，相較於以往需要六至七道光罩來製作有機發光畫素的結構而言，本實施例所提供的方法因為光罩使用數量的減少而有助於降低製作成本。

在本實施例中，有機發光單元400的結構雖未明確繪示出來，但在結構上有機發光單元400可以包括有兩電極層以及夾於此兩電極層之間的有機發光材料層。此時，有機發光單元400可以是一有機發光二極體。不過，本實施例不以此為限。在其他實施例中，有機發光單元400可以包括有一層電極層以及夾於此電極層與畫素電極310之間的有機發光材料層。也就是說，畫素電極310可以是有機發光二極體的其中一個電極。

整體來說，有機發光畫素500的結構包括有掃描線210、資料線320、一電源線330、定電壓線250、第一電晶體T1、一第二電晶體T2、一畫素電極310、一有機發光單元400、第一電容電極136以及第二電容電極240。資料線320以及電源線330皆與掃描線210相交。定電壓線250與資料線320相交。第一電晶體T1電性連接至掃描線210以及資料線320。第二電晶體T2電性連接至電源線330以及第一電晶體T1。畫素電極310電性連接至第二電晶體T2。有機發光單元400配置於畫素電極310上。第二電容電極240電性連接至定電壓線250。

詳言之，第一閘極220、接觸於第一源極區114的第 一源極導體322(此後簡稱為源極)、接觸於第一汲極區116的第一汲極導體342(此後簡稱為汲極)以及位於第一源極區114與第一汲極區116之間的第一通道區112共同構成第一電晶體T1。第二閘極230、接觸於第二源極區124的第二源極導體332(此後簡稱為源極)、接觸於第二汲極區126的第二汲極導體312(此後簡稱為汲極)以及位於第二源極區124與第二汲極區126之間的第二通道區122共同構成第二電晶體T2。此外，連接電極340的一部分344重疊於第二閘極230並接觸於第二閘極230，並且連接電極340的另一部分346重疊於第一電容電極136並接觸於第一電容電極136的摻雜區132。

因此，第一電晶體T1的三個電極中，源極、閘極與汲極分別連接於資料線320、掃描線210以及第二電晶體T2。第二電晶體T2的三個電極中，源極、閘極與汲極分別連接於電源線330、第一電晶體T1以及畫素電極310。並且，第一電晶體T1、第二電晶體T2以及第一電容電極136在結構上(圖5A至圖5C)藉由連接電極340連接在一起。

圖6繪示本發明一實施例的有機發光畫素之驅動電路。請同時參照圖5A與圖6，有機發光畫素500的驅動電路中，第一電晶體T1包括一第一端、一第二端及一第三端，其中第一端(源極)電性連接資料線320用以接收一資料訊號Vd，第二端(閘極)電性連接掃描線210用以接收一開關訊號Vs。第二電晶體T2包括一第一端、一第二端以 及一第三端，其中第一端(源極)電性連接電源線330用以接收一第一電壓V1，第二端(閘極)耦接至第一電晶體T1的第三端(汲極)。有機發光單元400(例如為有機發光二極體)包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第二電晶體T3的第三端(汲極)，而第二端用以接收一第二電壓V2。定電壓線250用以提供一固定電壓V3。第一電容C1包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第一電晶體T1的第三端(汲極)，而第二端電性連接定電壓線250用以接收固定電壓V3。第二電容C2包括一第一端以及一第二端，其中第一端耦接至第二電晶體T2的第三端(汲極)與有機發光單元400(有機發光二極體)的第一端之間，而第二端電性連接定電壓線250用以接收固定電壓V3。

由結構設計(圖2A、5B以及5C)可知，第二電容電極240位於第一電容電極136與畫素電極310之間。此時，接收固定電壓V3的第二電容電極240可使第一電容電極136吸引電荷。因此，第一電容電極136與第二電容電極240共同構成了第一電容C1，而第二電容電極240與畫素電極310共同構成了第二電容C2。

值得一提的是，在本實施例中，定電壓線250所傳遞的電壓實質上可以依據第一電晶體T1與第二電晶體T2的類型而有所調整。在一實施例中，第一電晶體T1與第二電晶體T2為P型電晶體時，第一電容電極136因為P型摻質的摻雜而具有P型載子傳輸特性。所以，定電壓線250所傳遞的固定電壓可以為負偏壓。在其他實施例中，第一 電晶體T1與第二電晶體T2為N型電晶體(選用N型摻質摻雜半導體層)時，第一電容電極136因為N型摻質的摻雜而具有N型載子傳輸特性，因而定電壓線250所傳遞的固定電壓可選用正偏壓。

另外，在本實施例中，第一電容C1大於第二電容C2。如此，第一電容C1與第二電容C2的設置有助於提升有機發光畫素500的發光品質。值得一提的是，圖7A與圖7B分別表示為有機發光畫素500的第二電容電極240在浮置狀態下以及接收定電壓的狀態下所呈現的顯示效果。由圖6可以清楚理解，有機發光畫素500的第二電容電極240在浮置狀態下所呈現的顯示效果表示出較明顯的串音現象，而第二電容電極240接收一定電壓時，串音現象獲得顯著的改善。

另外，根據圖5B與圖5C可知，第一電容C1與第二電容C2在厚度方向上皆重疊於畫素電極310。所以，第一電容C1與第二電容C2並不佔據額外的配置面積，這可以避免因為增設的電容結構佔據配置面積而造成畫素電極310的顯示面積縮減。也就是說，有機發光畫素500的結構設計雖具有兩個電容仍具有足夠的顯示面積。

此外，製作有機發光畫素500結構時，掃描線210、定電壓線250以及第二電容電極240由相同膜層構成，所以這些構件可以藉由使用同一道光罩圖案化而成。第一電容電極136的材質相同於第一電晶體T1的通道區以及第二電晶體T2的一通道區，所以製作第一電晶體T1的通道 區以及第二電晶體T2的通道區時可以同時將第一電容電極136製作完成。如此一來，本實施例的定電壓線250、第一、第二電容電極136、240的製作相容於原有構件的製作方法，因而本實施例僅需要約五道光罩就可以製作出具有兩個連接在一起的電容之有機發光畫素500的結構。

綜上所述，本發明的實施例在有機發光畫素的結構中設置兩個電容電極，這兩個電容電極與畫素電極在厚度方向上彼此重疊而構成兩個連接在一起的電容。如此，有機發光畫素在不縮減發光面積的前提下可以具有足夠的電容以提供理想的發光亮度。兩個連接在一起的電容各自具有一端連接於定電壓線以接收固定電壓。如此一來，有機發光畫素的顯示效果可以獲得提升(例如串音現象可被改善)。另外，本發明實施例的有機發光畫素中，第一電容電極、第二電容電極與定電壓線的製作可以相容於其他既有結構的製作步驟中，因此本發明實施例的有機發光畫素可以使用約五光罩即製作完成，這有助於降低製作成本。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧基板

12、14、16‧‧‧畫素區

20‧‧‧第一絕緣層

22‧‧‧第一接觸窗

30‧‧‧第二絕緣層

32‧‧‧第二接觸窗

40‧‧‧第三絕緣層

42‧‧‧開口

100‧‧‧圖案化半導體層

110‧‧‧第一半導體圖案區塊

112‧‧‧第一通道區

114‧‧‧第一源極區

116‧‧‧第一汲極區

120‧‧‧第二半導體圖案區塊

122‧‧‧第二通道區

124‧‧‧第二源極區

126‧‧‧第二汲極區

130‧‧‧第三半導體圖案區塊

132‧‧‧摻雜區

134‧‧‧未摻雜區

136‧‧‧第一電容電極

200‧‧‧第一圖案化導體層

210‧‧‧掃描線

220‧‧‧第一閘極

230‧‧‧第二閘極

240‧‧‧第二電容電極

250‧‧‧定電壓線

260‧‧‧電源延伸線

300‧‧‧第二圖案化導體層

310‧‧‧畫素電極

312‧‧‧第二汲極導體

320‧‧‧資料線

322‧‧‧第一源極導體

330‧‧‧電源線

332‧‧‧第二源極導體

340‧‧‧連接電極

342‧‧‧第一汲極導體

344、346‧‧‧部分

400‧‧‧有機發光單元

C1‧‧‧第一電容

C2‧‧‧第二電容

H‧‧‧第一方向

I-I’、II-II’‧‧‧剖線

T1‧‧‧第一電晶體

T2‧‧‧第二電晶體

V‧‧‧第二方向

V1‧‧‧第一電壓

V2‧‧‧第二電壓

V3‧‧‧固定電壓

Vd‧‧‧資料訊號

Vs‧‧‧開關訊號

W‧‧‧接觸開口

圖1A至圖5A繪示為本發明一實施例的有機發光畫素結構在各個製作步驟中的上視示意圖。

圖1B至圖5B繪示為圖1A至圖5A中剖線I-I’的剖面示意圖。

圖1C至圖5C繪示為圖1A至圖5A中剖線II-II’的剖面示意圖。

圖6繪示本發明一實施例的有機發光畫素之驅動電路。

圖7A與圖7B分別表示為有機發光畫素500的第二電容電極240在浮置狀態下以及接收定電壓的狀態下所呈現的顯示效果。

210‧‧‧掃描線

250‧‧‧定電壓線

320‧‧‧資料線

330‧‧‧電源線

400‧‧‧有機發光二極體

500‧‧‧有機發光畫素

C1‧‧‧第一電容

C2‧‧‧第二電容

T1‧‧‧第一電晶體

T2‧‧‧第二電晶體

V1‧‧‧第一電壓

V2‧‧‧第二電壓

V3‧‧‧固定電壓

Vd‧‧‧資料訊號

Vs‧‧‧開關訊號

Claims (13)

1. 一種有機發光畫素結構，包括：一掃描線；一資料線，與該掃描線相交；一電源線，與該掃描線相交；一定電壓線，與該資料線相交；一第一電晶體，電性連接至該掃描線以及該資料線；一第二電晶體，電性連接至該電源線以及該第一電晶體；一畫素電極，電性連接至該第二電晶體；一有機發光單元，配置於該畫素電極上；一第一電容電極，電性連接至該第二電晶體與該第一電晶體，該第一電容電極與該畫素電極彼此重疊；以及一第二電容電極，電性連接至該定電壓線，該第二電容電極與該畫素電極彼此重疊，且該第二電容電極夾於該第一電容電極與該畫素電極之間，使得該第一電容電極與該第二電容電極構成一第一電容而該第二電容電極與該畫素電極構成一第二電容，其中該第一電容大於該第二電容。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光畫素結構，其中該第一電容電極的材質包括半導體材料。
3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光畫素結構，其中該第一電容電極包括一摻雜部以及一未摻雜部，該未摻雜部實質上被該第二電容電極遮蔽而該摻雜部實質上位於該未摻雜部周邊並連接於該第二電晶體與該第一電 晶體。
4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光畫素結構，其中該掃描線、該定電壓線以及該第二電容電極由相同膜層構成。
5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光畫素結構，其中該第一電容電極的材質相同於該第一電晶體的一通道區以及該第二電晶體的一通道區。
6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光畫素結構，其中該第一電晶體具有一第一電極、一第二電極與一第三電極，該第一電極電性連接該資料線，該第二電極電性連接該掃描線。
7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光畫素結構，其中該第二電晶體具有一第一電極、一第二電極與一第三電極，該第一電極電性連接該電源線，該第二電極電性連接該第一電晶體的該第三電極以及該第一電容電極，該第三電極電性連接該畫素電極。
8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光畫素結構，其中該第一電晶體以及該第二電晶體為P型電晶體時，該定電壓線所傳遞的一固定電壓為負偏壓。
9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光畫素結構，其中該第一電晶體以及該第二電晶體為N型電晶體時，該定電壓線所傳遞的一固定電壓為正偏壓。
10. 一種有機發光畫素結構的製作方法，包括：於一基板上形成一圖案化半導體層，該圖案化半導體 層包括一第一半導體圖案區塊、一第二半導體圖案區塊以及一第三半導體圖案區塊；於該基板上形成一第一絕緣層覆蓋該圖案化半導體層；於該第一絕緣層上形成一第一圖案化導體層，該第一圖案化導體層包括一第一閘極、一第二閘極以及一第二電容電極，其中該第一閘極、該第二閘極以及該第二電容電極分別位於該第一半導體圖案區塊、該第二半導體圖案區塊以及該第三半導體圖案區塊上方；以該第一圖案化導體層為罩幕對該圖案化半導體層未被遮蔽的部分進行一摻雜製程，使該第一半導體圖案區塊具有一第一通道區、一第一源極區以及一第一汲極區，該第二半導體圖案區塊具有一第二通道區、一第二源極區以及一第二汲極區，且該第三半導體圖案區塊具有一摻雜區以及一未摻雜區，其中該第三半導體圖案區塊作為一第一電容電極；形成一第二絕緣層於該第一圖案化導體層上；在該第一絕緣層以及該第二絕緣層上分別形成多個第一接觸窗以及多個第二接觸窗，其中該些第一接觸窗連通於部分該些第二接觸窗而構成暴露出該第一源極區、該第一汲極區、該第二源極區、該第二汲極區以及該摻雜區的多個接觸開口；於該第二絕緣層上形成一第二圖案化導體層，該第二圖案化導體層包括一畫素電極以及分別連接於該第一源極 區、該第一汲極區、該第二源極區以及該第二汲極區的一第一源極導體、一第一汲極導體、一第二源極導體以及一第二汲極導體，且該畫素電極連接於該第二汲極導體，其中未連通於該些第一接觸窗的其中一個第二接觸窗暴露出該第二閘極，且該第一汲極導體連接於該第一電容電極的該摻雜區以及該第二閘極；以及形成一有機發光單元於該畫素電極上。
11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光畫素結構的製作方法，更包括於該第二圖案化導體層上形成一第三絕緣層，且該第三絕緣層具有暴露出該畫素電極的一開口使該有機發光單元配置於該開口中。
12. 一種有機發光畫素驅動電路，包括：一掃描線、一資料線與一電源線；一第一電晶體，包括一第一端、一第二端及一第三端，該第一端電性連接該資料線用以接收一資料訊號，該第二端電性連接該掃描線用以接收一開關訊號；一第二電晶體，包括一第一端、一第二端以及一第三端，該第一端電性連接該電源線用以接收一第一電壓，該第二端耦接至該第一電晶體的該第三端；一有機發光二極體，包括一第一端以及一第二端，該第一端耦接至該第二電晶體的該第三端，而該第二端用以接收一第二電壓；一定電壓線，用以提供一固定電壓；一第一電容，包括一第一端以及一第二端，該第一端 耦接至該第一電晶體的該第三端，而該第二端電性連接該定電壓線用以接收該固定電壓；以及一第二電容，包括一第一端以及一第二端，該第一端耦接至該第二電晶體的該第三端與該有機發光二極體的該第一端之間，而該第二端電性連接該定電壓線用以接收該固定電壓，且該第一電容大於該第二電容，其中該第一電晶體以及該第二電晶體為P型電晶體時，該固定電壓為負偏壓。
13. 一種有機發光畫素驅動電路，包括：一掃描線、一資料線與一電源線；一第一電晶體，包括一第一端、一第二端及一第三端，該第一端電性連接該資料線用以接收一資料訊號，該第二端電性連接該掃描線用以接收一開關訊號；一第二電晶體，包括一第一端、一第二端以及一第三端，該第一端電性連接該電源線用以接收一第一電壓，該第二端耦接至該第一電晶體的該第三端；一有機發光二極體，包括一第一端以及一第二端，該第一端耦接至該第二電晶體的該第三端，而該第二端用以接收一第二電壓；一定電壓線，用以提供一固定電壓；一第一電容，包括一第一端以及一第二端，該第一端耦接至該第一電晶體的該第三端，而該第二端電性連接該定電壓線用以接收該固定電壓；以及一第二電容，包括一第一端以及一第二端，該第一端 耦接至該第二電晶體的該第三端與該有機發光二極體的該第一端之間，而該第二端電性連接該定電壓線用以接收該固定電壓，且該第一電容大於該第二電容，其中該第一電晶體以及該第二電晶體為N型電晶體時，該固定電壓為正偏壓。