CN219228313U - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开的实施例提供了一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，用于提高图像画质显示的质量。该显示面板包括：显示区、至少一个开孔区以及位于开孔区和显示区之间的孔边区，且孔边区围绕开孔区。孔边区包括：沿第一方向依次设置的走线区和封装区，第一方向为显示区指向开孔区的方向。显示面板还包括：依次层叠设置的衬底、第一半导体层和至少一层氮化硅层。其中，在封装区，显示面板上设置有多个第一排气孔，多个第一排气孔中的每个第一排气孔贯穿至少一层氮化硅层中的每层氮化硅层。多个第一排气孔中的每个第一排气孔自与显示面板的衬底相对的一侧贯穿至第一半导体层。上述显示面板用于显示图像。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，显示装置已经逐渐遍及在人们的生活中。其中，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称：OLED)由于具有自发光、低功耗、宽视角、响应速度快、高对比度以及柔性显示等优点，因而被广泛的应用于手机、电视、笔记本电脑等智能产品中。

实用新型内容

本公开的实施例的目的在于提供一种显示面板及显示装置，用于改善图像显示时低灰阶亮度不均的问题，提高图像显示的画质。

为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：

一方面，提供一种显示面板，该显示面板包括：显示区、至少一个开孔区以及位于开孔区和所述显示区之间的孔边区，且所述孔边区围绕所述开孔区。所述孔边区包括：沿第一方向依次设置的走线区和封装区，所述第一方向为所述显示区指向所述开孔区的方向。所述显示面板还包括：依次层叠设置的衬底、第一半导体层和至少一层氮化硅层。其中，在所述封装区，所述显示面板上设置有多个第一排气孔，所述多个第一排气孔中的每个第一排气孔贯穿所述至少一层氮化硅层中的每层氮化硅层。所述多个第一排气孔中的每个第一排气孔自与所述显示面板的衬底相对的一侧贯穿至所述第一半导体层。

上述显示面板中，通过第一排气孔的设置，且第一排气孔贯穿无机膜层中的所有氮化硅层，可以将氮化硅层中存在的大量的氢气导出显示面板，避免孔边区出现亮斑，解决显示面板的孔边区亮度不均的问题。

在一些实施例中，所述多个第一排气孔围绕所述开孔区间隔排布设置。

在一些实施例中，沿所述第一方向，所述第一排气孔的排布密度逐渐减小。

在一些实施例中，所述第一排气孔的截面形状为方形、三角形、五边形、六边形和圆形中的任一种，其中，所述截面所在平面与所述衬底所在平面平行。

在一些实施例中，所述显示面板还包括：设置于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第一栅绝缘层、第二栅绝缘层、第一无机绝缘层、第二无机绝缘层、第三栅绝缘层、层间介质层和钝化层。其中，所述至少一层氮化硅层包括：所述第二栅绝缘层、所述第一无机绝缘层和所述钝化层。所述第一排气孔贯穿所述钝化层、所述层间介质层、所述第三栅绝缘层、所述第二无机绝缘层、所述第一无机绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层。

在一些实施例中，在所述走线区，所述显示面板还包括：设置于所述第二无机绝缘层和所述第三栅绝缘层之间第二半导体层。在所述走线区，所述显示面板设置有多个第二排气孔，所述多个第二排气孔中的每个第二排气孔自与所述显示面板的所述衬底相对的一侧，贯穿至所述第二半导体层。

在一些实施例中，在所述走线区，所述显示面板设置有多个第三排气孔，所述多个第三排气孔中的每个第三排气孔贯穿所述至少一层氮化硅层中的每层氮化硅层，且所述多个第三排气孔中的每个第三排气孔自与所述显示面板的衬底相对的一侧贯穿至所述第一半导体层。

在一些实施例中，所述显示面板包括：第一排气孔、第二排气孔和第三排气孔，所述第一排气孔、所述第二排气孔和所述第三排气孔的尺寸范围为0.5μm～3μm。

在一些实施例中，所述显示面板包括：多个像素驱动电路和多个发光器件，所述多个像素驱动电路中的一个像素驱动电路用于驱动所述多个发光器件中的一个发光器件发光；所述像素驱动电路包括第二发光控制晶体管。所述第一半导体层包括所述第二发光控制晶体管的第一极区和第二极区。

所述显示面板还包括：设置于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第一栅导电层；所述第一栅导电层包括：发光控制信号线和所述第二发光控制晶体管的栅极图案，所述第二发光控制晶体管的栅极图案与所述发光控制信号线电连接。

所述显示面板还包括：设置于所述第一栅导电层远离所述衬底一侧的第一源漏金属层。所述第一源漏金属层包括第一图案，所述第一图案与所述第二发光控制晶体管的第二极区电连接。所述显示面板还包括：设置于所述第一源漏金属层远离所述衬底一侧的阳极层，所述阳极层包括所述发光器件的阳极图案。所述第一图案与所述阳极图案电连接。其中，所述第一图案和所述发光控制信号线在所述衬底上正投影的交叠面积，与所述第一图案在所述衬底上正投影的面积的比值大于10％。

在一些实施例中，所述第一图案和所述发光控制信号线在所述衬底上的正投影的交叠面积，与所述第一图案在所述衬底上正投影的面积的比值为25％。

在一些实施例中，所述显示面板包括：多个发光器件，所述多个发光器件包括：多个红色发光器件、多个绿色发光器件和多个蓝色发光器件。所述显示面板还包括：设置于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第二源漏金属层，所述第二源漏金属层包括：多条数据信号线和多条电源信号线。所述多条数据信号线和所述多条电源信号线均沿第二方向延伸。其中，沿第三方向，所述多条数据信号线中的每两条数据信号线与所述多条电源信号线中的每两条电源信号线交替设置，所述第二方向和所述第三方向相交。

在所述第三方向上，相邻设置的电源信号线、数据信号线、数据信号线和电源信号线为一个信号线组。所述显示面板还包括：设置于所述第二源漏金属层远离所述衬底一侧的阳极层，所述阳极层包括：所述多个蓝色发光器件中每个蓝色发光器件的第三阳极图案。一个所述第三阳极图案与一个所述信号线组在所述衬底上的正投影相交叠。

在一些实施例中，所述阳极层还包括：所述多个红色发光器件中每个红色发光器件的第一阳极图案和所述多个绿色发光器件中每个绿色发光器件的第二阳极图案。其中，所述第一阳极图案、所述第二阳极图案和所述第三阳极图案的在所述衬底上的正投影的面积比值为30:21:70。所述第一阳极图案、所述第二阳极图案和所述第三阳极图案与所述第二源漏金属层在所述衬底上的正投影的交叠面积的比值为14:11:27。

在一些实施例中，相邻的两个所述信号线组之间的，相邻的所述两条电源信号线之间连接有多个第二图案，一个所述第二阳极图案与所述多个第二图案中的一个第二图案在所述衬底上的正投影相交叠。

在一些实施例中，一个所述第一阳极图案与一个所述信号线组在所述衬底上的正投影相交叠。

在一些实施例中，所述显示面板包括多个像素驱动电路，所述多个像素驱动电路中的每个像素驱动电路包括：多个晶体管和电容器，所述多个晶体管包括：第一复位晶体管、补偿晶体管、驱动晶体管、数据写入晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管和第二复位晶体管。

其中，所述第一复位晶体管和所述补偿晶体管包括氧化物薄膜晶体管；所述驱动晶体管、所述数据写入晶体管、所述第一发光控制晶体管、所述第二发光控制晶体管和所述第二复位晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管。

另一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括：如上述任一实施例所述的显示面板。

上述显示装置具有与上述一些实施例中提供的显示面板相同的结构和有益技术效果，在此不再赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为根据一些实施例所提供的显示面板的结构图；

图2为根据图1所提供的显示面板的B处放大图；

图3为根据图2所提供的显示面板沿剖切线CC得到的截面结构图；

图4为根据本公开一些实施例所提供的显示面板的结构图；

图5为根据图4所提供的显示面板沿剖切线DD得到的截面结构图；

图6为根据图4所提供的显示面板的E处的放大图；

图7为根据本公开一些实施例所提供的像素驱动电路的结构图；

图8为根据本公开一些实施例所提供的像素驱动电路的第四节点充电过程图；

图9为根据本公开一些实施例所提供的显示面板的截面结构图；

图10A为根据本公开一些实施例所提供的第一半导体层、第一栅导电层、第二栅导电层、第二半导体层、第三栅导电层和第一源漏金属层叠加后的结构图；

图10B为根据一些实施例所提供的第一半导体层、第一栅导电层、第二栅导电层、第二半导体层、第三栅导电层和第一源漏金属层叠加后的结构图；

图11为根据本公开一些实施例所提供的第一半导体层和第一栅导电层叠加后的结构图；

图12为根据本公开一些实施例所提供的第一半导体层、第一栅导电层和第二栅导电层叠加后的结构图；

图13为根据本公开一些实施例所提供的第一半导体层、第一栅导电层、第二栅导电层、第二半导体层和第三栅导电层叠加后的结构图；

图14为根据本公开一些实施例所提供的第二源漏金属层、转接电极层和阳极层叠加后的结构图；

图15为根据本公开一些实施例所提供的第二源漏金属层和阳极层叠加后的结构图；

图16为根据一些实施例所提供的第二源漏金属层、转接电极层和阳极层叠加后的结构图；

图17为根据一些实施例所提供的第二源漏金属层和阳极层叠加后的结构图；

图18为根据本公开一些实施例所提供的显示装置的结构图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。术语“耦接”例如表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。

“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

如本文所使用的那样，“平行”、“垂直”、“相等”包括所阐述的情况以及与所阐述的情况相近似的情况，该相近似的情况的范围处于可接受偏差范围内，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。例如，“平行”包括绝对平行和近似平行，其中近似平行的可接受偏差范围例如可以是5°以内偏差；“垂直”包括绝对垂直和近似垂直，其中近似垂直的可接受偏差范围例如也可以是5°以内偏差。“相等”包括绝对相等和近似相等，其中近似相等的可接受偏差范围内例如可以是相等的两者之间的差值小于或等于其中任一者的5％。

应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层的厚度和区域的面积。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

如图1所示，显示装置1000'包括显示面板100'，显示面板100'的显示区域(ActiveArea，AA)阵列设置有多个像素P，多个像素P发光，用于实现图像显示。其中，在显示过程中，低灰阶亮度显示不均是画质问题中亟需攻克的重点。

例如，2nit(尼特)32Gray(灰阶)的显示亮度，该显示亮度下的电流小于50pA(皮安)，显示亮度相对较暗，在该显示亮度下更容易出现图像显示不均的问题。

需要说明的是，灰阶是指地物电磁波辐射强度表现在黑白影像上的色调深浅的等级，是划分地物波谱特征的尺度。尼特是亮度的单位，亮度是指发光体(反光体)表面发光(反光)强弱的物理量。

相关技术中，为了解决低灰阶亮度不均的问题，对显示面板100'显示区域AA的像素P设计进行改进。

通常情况下，如图1所示，显示装置1000'还包括其他电子元件，例如摄像头等，一般在显示面板100'的显示区域AA设置开孔区H，将电子元件设于开孔区H的孔内。

为了保证开孔区H的设置不影响显示面板100'的显示，如图1和图2所示，在开孔区H和显示区域AA之间会设置孔边区F，使得像素P与开孔区H之间存在一定的距离，此处成为预设距离，该预设距离的存在避免开孔区H的设置对图像显示画质造成影响。

然而，为了解决低灰阶亮度显示不均的问题，在对显示面板100'显示区域AA的像素P设计进行改进时，存在导致像素P靠近开孔区H的开孔的情况，使得像素P与开孔区H之间的距离小于预设距离，从而影响图像显示的画质。关于对显示面板100'显示区域AA的像素P设计进行改进的示例可以参见后续内容，此处不再赘述。

像素P靠近开孔区H的开孔会影响图像显示的画质的原因之一如下。

在显示面板100'的膜层结构中，如图3所示，孔边区F层叠设置有较多的无机膜层，其中包括氮化硅(SiN_x)无机膜层，在无机膜层成膜的过程中需要使用高温工艺。由于氮化硅(SiN_x)无机膜层中存在大量的氢(H)，氢(H)在氮化硅(SiN_x)无机膜层以硅氢键(Si-H)的形式存在，硅氢键(Si-H)在高温下会断裂形成氢气(H₂)，使得在氮化硅(SiN_x)无机膜层中存在氢气(H₂)。如果像素P靠近开孔区H，在孔边区F存在的大量氢气(H₂)会导致孔边区F出现亮斑，导致显示面板100'亮度不均的问题。

基于此，如图4所示，本公开的一些实施例提供一种显示面板100，显示面板100包括：显示区AA、至少一个开孔区H以及位于开孔区H和显示区AA之间的孔边区F，且孔边区F围绕开孔区H。

在一些示例中，再次参见图4，显示面板100包括一个开孔区H，开孔区H的形状例如为圆形，开孔区H和显示区AA之间的区域为孔边区F，孔边区F围绕开孔区H是指，孔边区F围绕着开孔区H一圈设置，显示区AA包围孔边区F和开孔区H。开孔区H可以为多个，每个开孔区H的外侧均围绕设置有孔边区F，对于开孔区H的个数根据需要设置，此处并不设限。

示例性的，开孔区H的孔内用于安装其他电子元件，例如摄像头等。

如图5所示，孔边区F包括：沿第一方向X依次设置的走线区F1和封装区F2，第一方向X为显示区AA指向开孔区H的方向。显示面板100还包括：衬底101、以及依次层叠设置于衬底101上的第一半导体层202和至少一层氮化硅层。其中，在封装区F2，显示面板100上设置有多个第一排气孔K1，多个第一排气孔K1中的每个第一排气孔K1贯穿至少一层氮化硅层中的每层氮化硅层。且多个第一排气孔K1中的每个第一排气孔K1自与显示面板100的衬底101相对的一侧贯穿至第一半导体层202。

示例性的，衬底101可以是柔性衬底。柔性衬底可包括膜衬底和塑料衬底，其中，膜衬底包括聚合有机材料。衬底101可以是刚性衬底，刚性衬底可以是玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底和结晶玻璃衬底中的任一种。

示例性的，显示面板100包括多层无机膜层，多层无机膜层中包括至少一层氮化硅层，氮化硅层是指包括氮化硅材料的无机膜层。

示例性的，如图5所示，多层无机膜层包括设置于第一半导体层202远离衬底101一侧的第一栅绝缘层201、第二栅绝缘层203、第一无机绝缘层205、第二无机绝缘层207、第三栅绝缘层209、层间介质层211和钝化层213。其中，至少一层氮化硅层包括：第二栅绝缘层203、第一无机绝缘层205和钝化层213中的至少一者。

那么，第一排气孔K1贯穿钝化层213、层间介质层211、第三栅绝缘层209、第二无机绝缘层207、第一无机绝缘层205、第二栅绝缘层203和第一栅绝缘层201。

需要说明的是，如图5所示，在钝化层213远离衬底101的一侧还可以设置第一平坦化层214(如图9所示)、第二平坦化层215(如图9所示)、无机封装层和有机封装层等，此处并不设限。第一排气孔K1也贯穿钝化层213远离衬底101的一侧的其他膜层，保证进入第一排气孔K1中的氢气可以顺利排出。

通过第一排气孔K1的设置，且第一排气孔K1贯穿无机膜层中的所有氮化硅层，可以将氮化硅层中存在大量的氢气导出显示面板100，当由于像素P的设计调整靠近开孔区H时避免孔边区F出现亮斑，解决显示面板100孔边区F亮度不均的问题。

在一些实施例中，如图6所示，多个第一排气孔K1围绕开孔区H间隔排布设置。

示例性的，如图6所示，多个第一排气孔K1围绕开孔区H呈环形排布，例如，该环形可以为方形。或者该环形还可以为圆形，此处并不设限。

通过围绕开孔区H呈环形设置的多个第一排气孔K1，可以将氮化硅层中的氢气有效的排出，保证氢气的排出效果，避免氢气的存在对显示面板100画质问题的影响。

在一些实施例中，如图6所示，沿第一方向X，第一排气孔K1的排布密度逐渐减小。

示例性的，如图6所示，在靠近开孔区H，第一排气孔K1的排布密度较小，例如，在垂直于第一方向X的方向上，相邻的两个第一排气孔K1的间距U1较大。在相对远离开孔区H，第一排气孔K1的排布密度较大，例如，在垂直于第一方向X的方向上，相邻的两个第一排气孔K1的间距U2较小，即U1>U2。

通过沿第一方向X第一排气孔K1的排布密度逐渐减小的设计，有利于将靠近显示区AA的无机膜层中的氢气(H₂)完全排出。越靠近开孔区H，无机膜层中的氢气(H₂)对图像显示影响相对较小。因此，在靠近开孔区H的区域可以设置密度相对较小的第一排气孔K，达到较好的排气效果。

在一些实施例中，如图6所示，第一排气孔K1的截面形状为方形、三角形、五边形、六边形和圆形中的任一种。其中，截面所在平面与衬底101所在平面平行。

也就是说，第一排气孔K1在垂直其轴线方向的形状可以为正方形、长方形、三角形、五边形、六边形或圆形等，此处并不设限，可以根据需要进行设置。

在一些实施例中，如图5所示，在走线区F1，显示面板100还包括：设置于第二无机绝缘层207和第三栅绝缘层209之间的第二半导体层208。在走线区F1，显示面板100设置有多个第二排气孔K2，多个第二排气孔K2中的每个第二排气孔K2自与显示面板100的衬底101相对的一侧，贯穿至第二半导体层208。

示例性的，多个第二排气孔K2呈环形排布围绕开孔区H设置，第二排气孔K2设置可以将走线区F1无机膜层中的氢气(H₂)排出，避免氢气(H₂)对显示面板100显示画质的影响。

在一些实施例中，如图5所示，在走线区F1，显示面板100设置有多个第三排气孔K3，多个第三排气孔K3中的每个第三排气孔K3贯穿至少一层氮化硅层中的每层氮化硅层。且多个第三排气孔K3中的每个第三排气孔K3自与显示面板100的衬底101相对的一侧，贯穿至第一半导体层202。

示例性的，多个第三排气孔K3呈环形排布围绕开孔区H设置，第三排气孔K3的设置可以将走线区F1无机膜层中的氢气(H₂)排出，避免氢气(H₂)对显示面板100显示画质的影响。

在一些实施例中，如图6所示，显示面板100包括：第一排气孔K1、第二排气孔K2(如图5所示)和第三排气孔K3(如图5所示)，第一排气孔K1、第二排气孔K2和第三排气孔K3的尺寸U3范围为0.5μm～3μm。

示例性的，第一排气孔K1、第二排气孔K2和第三排气孔K3均为方形孔，第一排气孔K1、第二排气孔K2和第三排气孔K3的边长的尺寸U3为0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、2.5μm或3μm等，此处并不设限。或，第一排气孔K1、第二排气孔K2和第三排气孔K3均为圆形，第一排气孔K1、第二排气孔K2和第三排气孔K3的直径的尺寸U3为0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、2.5μm或3μm等，此处并不设限。

示例性的，第一排气孔K1、第二排气孔K2和第三排气孔K3通过干刻工艺形成。

为了进一步解决显示面板100低灰阶亮度不均的问题，本公开一些实施例的技术方案对像素P的设计进行了调整。

为了更清楚的理解显示面板100低灰阶亮度不均的问题产生的原因以及本公开一些实施例所提供的解决方案，本公开的一些实施例首先介绍一种显示面板100的像素驱动电路10的结构，该像素驱动电路10的结构如图7所示。需要说明的是，该像素驱动电路10的结构只是对本公开一些实施例所提供的一种像素驱动电路10的结构的示例，并不是对像素驱动电路10的结构的限制。

在一些示例中，如图7所示，像素驱动电路10包括：第一复位晶体管T1、补偿晶体管T2、驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6和第二复位晶体管T7。

示例性的，第一复位晶体管T1和补偿晶体管T2可以采用氧化物薄膜晶体管，即LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)晶体管，高电平导通。驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6和第二复位晶体管T7均为低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-silicon Thin FilmTransistor)的P型晶体管，低电平导通。

示例性的，如图7所示，第一复位晶体管T1包括：栅极g1、第一极s1和第二极d1，第一复位晶体管T1的栅极g1与复位信号端电连接，第一复位晶体管T1的第一极s1与第一初始信号端电连接，第一复位晶体管T1的第二极d1与第一节点N1电连接。复位信号端用于接收复位信号线Reset传输的复位信号。第一初始信号端用于接收第一初始信号线Vinit1传输的第一初始信号。第一复位晶体管T1被配置为：响应于在复位信号线Reset处接收的复位信号，将第一初始信号线Vinit1处接收的第一初始信号传输至第一节点N1，对驱动晶体管T3的栅极g3进行复位。

需要说明的是，本公开晶体管的第一极为晶体管的源极和漏极中一者，第二极为晶体管的源极和漏极中另一者。由于晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的，也就是说，本公开的实施例中的晶体管的第一极和第二极在结构上可以是没有区别的。示例性的，在晶体管为P型晶体管的情况下，晶体管的第一极为源极，第二极为漏极；示例性的，在晶体管为N型晶体管的情况下，晶体管的第一极为漏极，第二极为源极。

需要说明的是，在本公开的实施例提供的电路中，节点并非表示实际存在的部件，而是表示电路图中相关电连接的汇合点，也就是说，这些节点是由电路图中相关电连接的汇合点等效而成的节点。

示例性的，如图7所示，补偿晶体管T2包括：栅极g2、第一极s2和第二极d2，补偿晶体管T2的栅极g2与第一扫描信号端电连接，补偿晶体管T2的第一极s2与第一节点N1电连接，补偿晶体管T2的第二极d2与第三节点N3电连接。第一扫描信号端用于接收第一扫描信号线Gate1传输的第一扫描信号。补偿晶体管T2被配置为：响应于第一扫描信号线Gate1处接收的第一扫描信号，对驱动晶体管T3进行阈值补偿。

示例性的，如图7所示，驱动晶体管T3包括：栅极g3、第一极s3和第二极d3，驱动晶体管T3的栅极g3与第一节点N1电连接，驱动晶体管T3的第一极s3与第二节点N2电连接，驱动晶体管T3的第二极d3与第三节点N3电连接。驱动晶体管T3被配置为产生驱动电流信号。

示例性的，如图7所示，数据写入晶体管T4包括：栅极g4、第一极s4和第二极d4，数据写入晶体管T4的栅极g4与第二扫描信号端电连接，数据写入晶体管T4的第一极s4与数据信号端电连接，数据写入晶体管T4的第二极d4与第二节点N2电连接。数据信号端用于接收数据信号线Vdata传输的数据信号。数据写入晶体管T4被配置为：响应于在第二扫描信号线Gate2处接收的第二扫描信号，将在数据信号线Vdata处接收的数据信号传输至驱动晶体管T3。

示例性的，如图7所示，第一发光控制晶体管T5包括：栅极g5、第一极g5和第二极d5，第一发光控制晶体管T5的栅极g5与发光控制信号端电连接，第一发光控制晶体管T5的第一极g5与电源信号端电连接，第一发光控制晶体管T5的第二极d5与第二节点N2电连接。发光控制信号端用于接收发光控制信号线EM传输的发光控制信号。电源信号端用于接收电源信号线Vdd传输的电源信号。第一发光控制晶体管T5被配置为：响应于在发光控制信号线EM处接收的发光控制信号，将在电源信号线Vdd处接收的电源信号传输至驱动晶体管T3。

示例性的，如图7所示，第二发光控制晶体管T6包括：栅极g6、第一极s6和第二极d6，第二发光控制晶体管T6的栅极g6与发光控制信号端电连接，第二发光控制晶体管T6的第一极s6与第三节点N3电连接，第二发光控制晶体管T6的第二极d6与第四节点N4电连接。第二发光控制晶体管T6被配置为：响应于在发光控制信号线EM处接收的发光控制信号，将驱动电流信号传输至发光器件L，用于驱动发光器件L发光。

示例性的，如图7所示，第二复位晶体管T7包括：栅极g7、第一极s7和第二极d7，第二复位晶体管T7的栅极g7与第二扫描信号端电连接，第二复位晶体管T7的第一极s7与第二初始信号端电连接，第二复位晶体管T7的第二极d7与第四节点N4电连接。第二复位晶体管T7被配置为：响应于在第二扫描信号线Gate2处接收的第二扫描信号，将第二初始信号线Vinit2处接收的第二初始信号传输至发光器件L，以对发光器件L进行复位。

示例性的，发光器件L的阳极与第四节点N4电连接，发光器件L的阴极与参考电压线Vss电连接。

示例性的，如图7所示，像素驱动电路10还包括：电容器Cst，电容器Cst包括：第一极板Cst1和第二极板Cst2，电容器Cst的第一极板Cst1与第一节点N1电连接，电容器Cst的第二极板Cst2与电源信号端电连接。

上述实施例介绍了7T1C电路的结构，本公开实施例中的像素驱动电路10还可以包括3T1C、8T1C或者9T1C的电路等，此处并不设限。其中T代表晶体管，位于T前面的数字表示为晶体管的个数，C代表电容器，位于C前面的数字表示为电容器的个数，示例性的，7T1C表示7个晶体管和1个电容器。

以下以上述7T1C电路的结构为例，介绍显示面板100低灰阶亮度不均的问题解决的方案。

发明人发现，如图7和图8所示，低灰阶亮度不均与发光器件L的启辉速度有关。发光器件L的启辉速度越快，低灰阶亮度不均的问题就越小。因此，可以通过提升发光器件L的启辉速度，以改善图像显示时低灰阶亮度不均的问题。

并且，发光器件L的启辉速度可以通过以下三个方面进行提升：(1)、提高发光器件L的效率；(2)、提高发光器件L阳极(第四节点N4)的充电速度；(3)、提升第四节点N4的跳变量。

示例性的，如图8所示，发光器件L的启辉是指发光器件L开始发光，即当第四节点N4的电压达到一定数值时，流经发光器件L的电流满足发光器件L发光的要求，使得发光器件L发光。

具体的，第四节点N4的跳变量和发光器件L的启辉的关系如图8所示，发光器件L的发光过程，实际上是第四节点N4的充电过程，且第四节点N4的充电过程包括：第四节点N4的充电和第四节点N4的跳变。

示例性的，如图8所示，R1表示在第二初始信号线Vinit2传输的信号电压为-2.7V条件下，第四节点N4的电压曲线R1。R2表示流经发光器件L的电流随电压曲线R1变化的电流曲线R2。R3表示发光控制信号线EM的时序线。其中，R10是对电压曲线R1的局部放大图，EM开和EM关分别表示在发光控制信号线EM传输的发光控制信号控制下，第二发光控制晶体管T6的导通和截止。

从R1和R10可以看出，在第四节点N4的充电过程中，EM开至关时，会引起第四节点N4的电压因为耦合作用跳变至较高的电压。EM关至开时，会引起第四节点N4的电压因为耦合作用跳变至较低的电压。在EM开至关和EM关至开反复的过程中，最终可以提高第四节点N4的电压，从而使得发光器件L发光。并且，第四节点N4跳变后的电压对发光器件L的启辉电压具有决定作用，从而影响发光器件L的正常发光。因此，可以看出，第四节点N4的跳变量越大，越有助于提高发光器件L的启辉电压。

需要说明的是，第四节点N4的电压跳变至较高的电压是指跳变后的电压值比跳变前的电压值高。第四节点N4的电压跳变至较低的电压是指跳变后的电压值比跳变前的电压值低。

基于此，在本公开提供的一些实施例中，如图9所示，显示面板100包括：多个像素驱动电路10和多个发光器件L，多个像素驱动电路10中的一个像素驱动电路10用于驱动多个发光器件L中的一个发光器件L发光。如图10A和图11所示，像素驱动电路10包括第二发光控制晶体管T6，第一半导体层202包括第二发光控制晶体管T6的第一极区S6和第二极区D6。

可以理解的是，在第一半导体层202，第二发光控制晶体管T6的第一极区S6与像素驱动电路10中第一极s6相对应，第二发光控制晶体管T6的第二极区D6与像素驱动电路10中第二极d6相对应。也可以理解为，第二发光控制晶体管T6的第一极区S6与第二发光控制晶体管T6的第一极s6功能相同，第二发光控制晶体管T6的第二极区D6与第二发光控制晶体管T6的第二极d6功能相同。其他晶体管的理解同理，此处不再赘述。

如图10A所示，显示面板100还包括：设置于第一半导体层202远离衬底101(如图9所示，以下同理)一侧的第一栅导电层204，第一栅导电层204包括：发光控制信号线EM和第二发光控制晶体管T6的栅极图案G6，第二发光控制晶体管T6的栅极图案G6与发光控制信号线EM电连接。

如图10A所示，显示面板100还包括：设置于第一栅导电层204远离衬底101一侧的第一源漏金属层212，第一源漏金属层212包括第一图案M1，第一图案M1与第二发光控制晶体管T6的第二极区D6电连接。

需要说明的是，如图9所示，在功能膜层之间设置有绝缘层，绝缘层包括上述的无机膜层。功能膜层包括：第一半导体层202和第一栅导电层204，以及下述的第二栅导电层206、第二半导体层208、第三栅导电层210、第一源漏金属层212、第二源漏金属层216和阳极层301。示例性的，第一图案M1和第二发光控制晶体管T6的第二极区D6通过贯穿两者之间的绝缘层的过孔连接。

示例性的，绝缘层的材料可以包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、氮氧化硅(SiN_xO_y)或其他合适的材料。

如图9所示，显示面板100还包括：设置于第一源漏金属层212远离衬底101一侧的阳极层301，阳极层301包括发光器件L的阳极图案M31，第一图案M1与阳极图案M31电连接。

示例性的，第一图案M1与阳极图案M31通过贯穿两者之间的绝缘层的过孔连接。

其中，如图10A所示，第一图案M1和发光控制信号线EM在衬底101上正投影的交叠面积SS1，与第一图案M1在衬底101上正投影的面积SS2的比值大于10％。

需要说明的是，由于第一图案M1与第二发光控制晶体管T6的第二极区D6电连接，且第一图案M1与阳极图案M31电连接，第一图案M1与像素驱动电路10中的第四节点N4的功能相同，即第一图案M1可以理解为像素驱动电路10中的第四节点N4。

发明人发现，第四节点N4的跳变量的大小是由第四节点N4处的寄生电容的大小决定。其中，寄生的含义是本来没有在此处设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容可以认为是寄生在布线之间，所以叫寄生电容，又称杂散电容。第四节点N4处的寄生电容越大，则第四节点N4的跳变量越大。第四节点N4处的寄生电容与第一图案M1和发光控制信号线EM在衬底101上正投影的交叠面积SS1有关，第一图案M1和发光控制信号线EM在衬底101上正投影的交叠面积SS1越大，则第四节点N4处的寄生电容越大。

因此，本公开的实施例为了提升第四节点N4的跳变量，将第一图案M1和发光控制信号线EM在衬底101上正投影的交叠面积SS1，与第一图案M1在衬底101上正投影的面积SS2的比值大于10％，通过增大第一图案M1和发光控制信号线EM在衬底101上正投影的交叠面积SS1，达到提升第四节点N4的跳变量的目的，从而提高发光器件L的启辉速度，以改善图像显示时低灰阶亮度不均的问题。

示例性的，在相关技术中，如图10B所示，第一图案M1和发光控制信号线EM在衬底101上正投影的交叠面积SS1，与第一图案M1在衬底101上正投影的面积SS2的比值小于10％。第四节点N4处的寄生电容较小，则第四节点N4的跳变量越小，容易出现图像显示时低灰阶亮度不均的问题。

在一些实施例中，如图10A所示，第一图案M1和发光控制信号线EM在衬底101上的正投影的交叠面积SS1，与第一图案M1在衬底101上正投影的面积SS2的比值为25％。

通过设置第一图案M1和发光控制信号线EM在衬底101上的正投影的交叠面积SS1，与第一图案M1在衬底101上正投影的面积SS2的比值为25％，可以有效的增大第一图案M1和发光控制信号线EM在衬底101上正投影的交叠面积SS1，达到提升第四节点N4的跳变量的目的，从而提高发光器件L的启辉速度，有效的改善了图像显示时低灰阶亮度不均的问题。

为了更清楚的理解本公开的实施例所提供的解决图像显示时低灰阶亮度不均的问题的技术方案，以下示例一种显示面板100膜层结构的设计。需要说明的是，该显示面板100膜层结构的设计只是一种示例，并不是对本公开实施例所提供的技术方案的限制。

在一些示例中，如图9所示，显示面板100包括：设置于第一半导体层202远离衬底101一侧且依次层叠设置的：第一栅绝缘层201、第一栅导电层204、第二栅绝缘层203、第二栅导电层206、第一无机绝缘层205、第二无机绝缘层207、第二半导体层208、第三栅绝缘层209、第三栅导电层210、层间介质层211、第一源漏金属层212、钝化层213、第一平坦化层214、第二源漏金属层216和第二平坦化层215。

示例性的，如图11所示，第一半导体层202包括：驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6和第二复位晶体管T7的有源层图案。

示例性的，晶体管均包括第一极区和第二极区，晶体管的有源层图案包括晶体管的第一极区和第二极区。例如，第二发光控制晶体管T6的第一极区S6和驱动晶体管T3的第二极区电连接。同理，在布图设计中，晶体管的第一极区与像素驱动电路10中的晶体管的第一极对应，晶体管的第二极区与像素驱动电路10中的晶体管的第二极对应，此处不再赘述。

示例性的，如图11所示，第一栅导电层204包括：驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6和第二复位晶体管T7的栅极图案。

示例性的，如图11所示，第一栅导电层204还包括：电容器Cst的第一极板Cst1、第二扫描信号线Gate2和发光控制信号线EM。数据写入晶体管T4的栅极图案和第二复位晶体管T7的栅极图案与第二扫描信号线Gate2电连接，第一发光控制晶体管T5的栅极图案和第二发光控制晶体管T6的栅极图案与发光控制信号线EM电连接。

示例性的，如图12所示，第二栅导电层206包括：电容器Cst的第二极板Cst2、第一初始信号线Vinit1、第一子复位信号线Reset1和第一子扫描信号线G1。

示例性的，如图13所示，第二半导体层208包括：第一复位晶体管T1和补偿晶体管T2的有源层图案。

示例性的，如图13所示，第三栅导电层210包括：第一复位晶体管T1和补偿晶体管T2的栅极图案。

示例性的，如图13所示，第三栅导电层210还包括：第二子复位信号线Reset2和第二子扫描信号线G2。并且，第三栅导电层210的第二子复位信号线Reset2和第二栅导电层206的第一子复位信号线Reset1通过过孔电连接形成复位信号线Reset。第三栅导电层210的第二子扫描信号线G2和第二栅导电层206的第一子扫描信号线G1通过过孔电连接形成第一扫描信号线Gate1。

第一复位晶体管T1的栅极图案与复位信号线Reset电连接，补偿晶体管T2的栅极图案与第一扫描信号线Gate1电连接。

示例性的，如图10A所示，第一源漏金属层212还包括：第二初始信号线Vinit2。

在一些实施例中，如图10A所示，第二半导体层208的材料包括：铟镓锌氧化物。

由上述内容可知，可以通过提高发光器件L阳极(第四节点N4)的充电速度，以提升发光器件L的启辉速度。以下介绍提高发光器件L阳极(第四节点N4)的充电速度的实施例。

如图14和图16所示，显示面板100包括：多个发光器件L，多个发光器件L包括：多个红色发光器件L_R、多个绿色发光器件L_G和多个蓝色发光器件L_B。如图9所示，显示面板100还包括：设置于第一半导体层202远离衬底101一侧的第二源漏金属层216，以及设置于第二源漏金属层216远离衬底101一侧的阳极层301。如图14和图16所示，阳极层301包括：多个蓝色发光器件L_B中每个蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313。

示例性的，阳极层301还包括：多个红色发光器件L_R中每个红色发光器件L_R的第一阳极图案M311和多个绿色发光器件L_G中每个绿色发光器件L_G的第二阳极图案M312。

示例性的，红色发光器件L_R被配置为出射红色光，绿色发光器件L_G被配置为出射绿色光，蓝色发光器件L_B被配置为出射蓝色光，多个红色发光器件L_R、多个绿色发光器件L_G和多个蓝色发光器件L_B的设置，可以实现显示面板100的全彩化显示。例如，上文中的一个像素P可以包括：一个红色发光器件L_R、两个绿色发光器件L_G和一个蓝色发光器件L_B。

示例性的，如图14和图16所示，第二源漏金属层216和阳极层301之间可以设置转接电极层218，转接电极层218包括多个转接电极，转接电极用于实现阳极层301中的阳极图案M31与像素驱动电路10的电连接。其中，阳极图案M31包括：第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313。

需要说明的是，为了更清楚的表示阳极层301和第二源漏金属层216之间的布图设计关系，图14～图16未显示第二源漏金属层216和衬底101之间的膜层设置，关于第二源漏金属层216和衬底101之间的膜层设置可以参见上述内容，此处不再赘述。

在相关技术中，如图16和图17所示，在第二源漏金属层216通常会设计面积相对较大的第二图案M2，第二图案M2在衬底101上的正投影覆盖像素驱动电路10中的部分功能膜层，例如，第二图案M2在衬底101上的正投影可以覆盖第一复位晶体管T1和补偿晶体管T2的有源层图案在衬底101上的正投影，第二图案M2的设置与显示面板100的光学及功耗有关，有利于提高显示面板100的性能，关于第二图案M2的位置和连接关系，可以参见后续内容，此处不再赘述。

示例性的，如图16和图17所示，在相关技术中，由于蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313在衬底101的正投影面积，明显大于第一阳极图案M311在衬底101的正投影面积且大于第二阳极图案M312在衬底101的正投影面积，每个蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313在衬底101上的正投影与第二图案M2在衬底101上的正投影相交叠，这样设置会使得蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313与第二源漏金属层216之间的寄生电容较大。

然而，发明人发现，减小蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313与第二源漏金属层216之间的寄生电容，可以提高图像显示时显示面板100的整体充电速度，有利于提高显示面板100的光学性能。

基于此，在一些实施例中，如图14所示，第二源漏金属层216包括：多条数据信号线Vdata和多条电源信号线Vdd。多条数据信号线Vdata和多条电源信号线Vdd均沿第二方向I延伸。

需要说明的是，多条数据信号线Vdata和多条电源信号线Vdd沿第二方向I延伸指的是数据信号线Vdata和电源信号线Vdd整体上具有沿第二方向I延伸的趋势。

其中，沿第三方向J，多条数据信号线Vdata中的每两条数据信号线Vdata与多条电源信号线Vdd中的每两条电源信号线Vdd交替设置。第二方向I和第三方向J相交。

示例性的，第二方向I和第三方向J相垂直。

在第三方向J上，相邻设置的电源信号线Vdd、数据信号线Vdata、数据信号线Vdata和电源信号线Vdd为一个信号线组VV。一个第三阳极图案M313与一个信号线组VV在衬底101上的正投影相交叠。

如图14所示，由于每两条数据信号线Vdata与每两条电源信号线Vdd交替设置，因此，将两条数据信号线Vdata以及该两条数据信号线Vdata沿第三方向J两侧的电源信号线Vdd划分为一个信号线组VV。

在相关技术中，由于蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313在衬底101的正投影面积，明显大于第一阳极图案M311在衬底101的正投影面积且大于第二阳极图案M312在衬底101的正投影面积，每个蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313在衬底101上的正投影与第二图案M2在衬底101上的正投影相交叠，这样设置会使得蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313与第二源漏金属层216之间的寄生电容较大。蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313与第二源漏金属层216之间的寄生电容较大，不利于提高显示面板100的充电速度。

在阳极层301的布图设计中，将一个第三阳极图案M313与一个信号线组VV在衬底101上的正投影相交叠的设置，可以降低蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313与第二源漏金属层216之间的寄生电容，从而实现提高蓝色发光器件L_B的充电速度的目的，进而提高图像显示时显示面板100的整体充电速度，有利于提高显示面板100的光学性能。

因此，上述实施例提供的技术方案避免了蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313在衬底101上的正投影与第二图案M2在衬底101上的正投影相交叠的设置，减小了蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313与第二源漏金属层216之间的寄生电容。

在一些实施例中，如图14所示，第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313的在衬底101上的正投影的面积比值为30:21:70。第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313与第二源漏金属层216在衬底101上的正投影的交叠面积的比值为14:11:27。

示例性的，通过第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313的在衬底101上的正投影的面积比值为30:21:70，以及第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313与第二源漏金属层216在衬底101上的正投影的交叠面积的比值为14:11:27的设计，实现第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313的合理化布局，达到解决低灰阶亮度显示不均的问题，改善图像显示的画质。

通过第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313与第二源漏金属层216在衬底101上的正投影的交叠面积的比值为14:11:27的设计，如图14所示，可以有效的降低了蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313与第二源漏金属层216之间的寄生电容，提高了蓝色发光器件L_B充电速度，改善了显示面板100的图像显示性能，可以有效的解决图像显示时低灰阶亮度显示不均的问题。

为了提高蓝色发光器件L_B充电速度，需要对阳极层301的整体布图设计进行调整，以实现减少蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313与第二源漏金属层216之间的寄生电容。调整阳极层301的布图设计的实施例见下述内容。

在一些实施例中，如图14所示，相邻的两个信号线组VV之间的，相邻的两条电源信号线Vdd之间连接有多个第二图案M2，一个第二阳极图案M312与多个第二图案M2中的一个第二图案M2在衬底101上的正投影相交叠。

可以理解的是，此处相邻的两条电源信号线Vdd是指，两条电源信号线Vdd之间不设置数据信号线Vdata的两条电源信号线Vdd。也就是说，相邻的两条中的其中一条电源信号线Vdd位于一个信号线组VV中，另一条电源信号线Vdd位于相邻信号线组VV中。

示例性的，如图14所示，将相邻的两条电源信号线Vdd相连接形成面积较大的第二图案M2，使得第二图案M2与电源信号线Vdd之间传输相同的电压信号，该第二图案M2的设计与显示面板100的光学及功耗有关，有利于提高显示面板100的性能。

一个绿色发光器件L_G的第二阳极图案M312与一个第二图案M2在衬底101上的正投影相交叠，即在膜层堆叠的过程中，将第二阳极图案M312设置于第二图案M2上。

在一些实施例中，如图14所示，一个第一阳极图案M311与一个信号线组VV在衬底101上的正投影相交叠。

即通过设置第一阳极图案M311和第三阳极图案M313层叠于信号线组VV上，第二阳极图案M312设置于第二图案M2上，实现第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313的合理化设计，达到第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313与第二源漏金属层216在衬底101上的正投影的交叠面积的比值为14:11:27的设计。

示例性的，如图14所示，第一阳极图案M311和第三阳极图案M313在第三方向J上交替设置。

示例性的，如图14所示，通过第一阳极图案M311和第三阳极图案M313在第三方向J上交替设置，第二阳极图案M312设置于第二图案M2上，使得第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313有规律的阵列排布。

示例性的，可以在形成阳极层301的过程中，调整阳极层301与第二源漏金属层216的相对位置，实现第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313与第二源漏金属层216在衬底101上的正投影的交叠面积的比值为14:11:27的设计。

例如，在相关技术中，如图16所示，第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313阵列设置，其中，一个第一阳极图案M311在衬底101上的正投影与一个第二图案M2在衬底101上的正投影相交叠，且一个第三阳极图案M313在衬底101上的正投影与一个第二图案M2在衬底101上的正投影相交叠。由于蓝色发光器件LB的第三阳极图案M313在衬底101的正投影面积，明显大于第一阳极图案M311在衬底101的正投影面积且大于第二阳极图案M312在衬底101的正投影面积，此时，蓝色发光器件L_B的第三阳极图案M313与第二源漏金属层216之间的寄生电容较大。

将图14和图16相比可以看出，第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313阵列设置的整体排布没有改变，通过调整阳极层301与第二源漏金属层216的相对位置关系，即可实现第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313与第二源漏金属层216在衬底101上的正投影的交叠面积大小的调整。

示例性的，通过阵列设置的第一阳极图案M311、第二阳极图案M312和第三阳极图案M313的整体移动设计，如图14所示，可以实现调整后的绿色发光器件L_G的第二阳极图案M312在衬底101上的正投影与第二图案M2在衬底上的正投影相交叠的设计，此时，改变了阳极层301与第二源漏金属层216的相对位置。

如图14所示，在调整阳极层301的布图设计的过程中，会导致发光器件L相对靠近孔边区F，引起开孔区H周围出现亮斑，导致图像显示亮度不均的问题。此时，需要在孔边区F的封装区F2设置多个第一排气孔K1，以解决开孔区H周围出现亮斑的问题，关于在孔边区F设置排气孔的介绍具体参见上述内容，此处不再赘述。

另一方面，如图18所示，本公开的一些实施还提供一种显示装置1000，显示装置1000包括如上任一实施例所述的显示面板100。

在一些示例中，显示装置1000还包括框架、电路板、显示驱动IC(IntegratedCircuit，集成电路)以及其他电子配件等，显示面板100设置于框架内。

本公开的实施例所提供的显示装置1000可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：显示区、至少一个开孔区以及位于开孔区和所述显示区之间的孔边区，且所述孔边区围绕所述开孔区；

所述孔边区包括：沿第一方向依次设置的走线区和封装区，所述第一方向为所述显示区指向所述开孔区的方向；

所述显示面板还包括：衬底，以及依次层叠设置于所述衬底上的第一半导体层和至少一层氮化硅层；

其中，在所述封装区，所述显示面板上设置有多个第一排气孔，所述多个第一排气孔中的每个第一排气孔贯穿所述至少一层氮化硅层中的每层氮化硅层，且所述多个第一排气孔中的每个第一排气孔自与所述显示面板的衬底相对的一侧贯穿至所述第一半导体层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多个第一排气孔围绕所述开孔区间隔排布设置。

3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一排气孔的排布密度逐渐减小。

4.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述第一排气孔的截面形状为方形、三角形、五边形、六边形和圆形中的任一种；其中，所述截面所在平面与所述衬底所在平面平行。

5.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，还包括：设置于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第一栅绝缘层、第二栅绝缘层、第一无机绝缘层、第二无机绝缘层、第三栅绝缘层、层间介质层和钝化层；

其中，所述至少一层氮化硅层包括：所述第二栅绝缘层、所述第一无机绝缘层和所述钝化层；所述第一排气孔贯穿所述钝化层、所述层间介质层、所述第三栅绝缘层、所述第二无机绝缘层、所述第一无机绝缘层、所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，在所述走线区，所述显示面板还包括：设置于所述第二无机绝缘层和所述第三栅绝缘层之间第二半导体层；

在所述走线区，所述显示面板设置有多个第二排气孔，所述多个第二排气孔中的每个第二排气孔自与所述显示面板的所述衬底相对的一侧，贯穿至所述第二半导体层。

7.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，在所述走线区，所述显示面板设置有多个第三排气孔，所述多个第三排气孔中的每个第三排气孔贯穿所述至少一层氮化硅层中的每层氮化硅层，且所述多个第三排气孔中的每个第三排气孔自与所述显示面板的衬底相对的一侧贯穿至所述第一半导体层。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：第一排气孔、第二排气孔和第三排气孔，所述第一排气孔、所述第二排气孔和所述第三排气孔的尺寸范围为0.5μm～3μm。

9.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，

包括：多个像素驱动电路和多个发光器件，所述多个像素驱动电路中的一个像素驱动电路用于驱动所述多个发光器件中的一个发光器件发光；所述像素驱动电路包括第二发光控制晶体管；所述第一半导体层包括所述第二发光控制晶体管的第一极区和第二极区；

还包括：设置于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第一栅导电层；所述第一栅导电层包括：发光控制信号线和所述第二发光控制晶体管的栅极图案，所述第二发光控制晶体管的栅极图案与所述发光控制信号线电连接；

还包括：设置于所述第一栅导电层远离所述衬底一侧的第一源漏金属层；所述第一源漏金属层包括第一图案，所述第一图案与所述第二发光控制晶体管的第二极区电连接；

还包括：设置于所述第一源漏金属层远离所述衬底一侧的阳极层，所述阳极层包括所述发光器件的阳极图案；所述第一图案与所述阳极图案电连接；

其中，所述第一图案和所述发光控制信号线在所述衬底上正投影的交叠面积，与所述第一图案在所述衬底上正投影的面积的比值大于10％。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一图案和所述发光控制信号线在所述衬底上的正投影的交叠面积，与所述第一图案在所述衬底上正投影的面积的比值为25％。

11.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，包括：多个发光器件，所述多个发光器件包括：多个红色发光器件、多个绿色发光器件和多个蓝色发光器件；

还包括：设置于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第二源漏金属层，所述第二源漏金属层包括：多条数据信号线和多条电源信号线；所述多条数据信号线和所述多条电源信号线均沿第二方向延伸；

其中，沿第三方向，所述多条数据信号线中的每两条数据信号线与所述多条电源信号线中的每两条电源信号线交替设置；所述第二方向和所述第三方向相交；

在所述第三方向上，相邻设置的电源信号线、数据信号线、数据信号线和电源信号线为一个信号线组；

所述显示面板还包括：设置于所述第二源漏金属层远离所述衬底一侧的阳极层；所述阳极层包括：所述多个蓝色发光器件中每个蓝色发光器件的第三阳极图案；一个所述第三阳极图案与一个所述信号线组在所述衬底上的正投影相交叠。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述阳极层还包括：所述多个红色发光器件中每个红色发光器件的第一阳极图案和所述多个绿色发光器件中每个绿色发光器件的第二阳极图案；

其中，所述第一阳极图案、所述第二阳极图案和所述第三阳极图案的在所述衬底上的正投影的面积比值为30:21:70；所述第一阳极图案、所述第二阳极图案和所述第三阳极图案与所述第二源漏金属层在所述衬底上的正投影的交叠面积的比值为14:11:27。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，相邻的两个所述信号线组之间的，相邻的所述两条电源信号线之间连接有多个第二图案；一个所述第二阳极图案与所述多个第二图案中的一个第二图案在所述衬底上的正投影相交叠。

14.根据权利要求12或13所述的显示面板，其特征在于，一个所述第一阳极图案与一个所述信号线组在所述衬底上的正投影相交叠。

15.根据权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，包括多个像素驱动电路，所述多个像素驱动电路中的每个像素驱动电路包括：第一复位晶体管、补偿晶体管、驱动晶体管、数据写入晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管和第二复位晶体管；

其中，所述第一复位晶体管和所述补偿晶体管包括氧化物薄膜晶体管；所述驱动晶体管、所述数据写入晶体管、所述第一发光控制晶体管、所述第二发光控制晶体管和所述第二复位晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管。

16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～15任一项所述的显示面板。

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