TWI639229B - 顯示裝置 - Google Patents

顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI639229B
TWI639229B TW103131161A TW103131161A TWI639229B TW I639229 B TWI639229 B TW I639229B TW 103131161 A TW103131161 A TW 103131161A TW 103131161 A TW103131161 A TW 103131161A TW I639229 B TWI639229 B TW I639229B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
light
addition
display device
insulating layer
Prior art date
Application number
TW103131161A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201515215A (zh
Inventor
三宅博之
Original Assignee
半導體能源研究所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 半導體能源研究所股份有限公司 filed Critical 半導體能源研究所股份有限公司
Publication of TW201515215A publication Critical patent/TW201515215A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI639229B publication Critical patent/TWI639229B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本發明提供一種顯示品質高的顯示裝置。在具有多個法線方向不同的顯示區域的顯示裝置中，根據每個顯示區域改變多個構成像素的子像素的排列方向。

Description

顯示裝置
本發明的一個方式係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。本發明的一個方式尤其係關於一種發光裝置、顯示裝置、電子裝置、照明設備或者其製造方法、使用方法、操作方法等。本發明的一個方式尤其係關於一種利用電致發光(Electroluminescence，以下也稱為EL)現象的發光裝置、顯示裝置、電子裝置、照明設備或者其製造方法、使用方法、操作方法等。
注意，在本說明書中，半導體裝置是指藉由利用半導體特性能夠發揮作用的所有裝置。電晶體及半導體電路可以說是半導體裝置。記憶體裝置、攝像裝置、顯示裝置、發光裝置、電光裝置及電子裝置等有時包括半導體裝置。
近年來，發光裝置或顯示裝置被期待應用於 各種用途，並被要求多樣化。
例如，用於移動設備等的發光裝置或顯示裝置被要求為薄型、輕量、能應用於彎曲面、或者不易損壞等。
另外，利用EL現象的發光元件(也記為“EL元件”)具有容易實現薄型輕量化；能夠高速地回應輸入信號；以及能夠使用直流低電壓電源而驅動的特徵等，並且已研究將其應用於發光裝置或顯示裝置。
例如，專利文獻1公開了在薄膜基板上具備用作切換元件的電晶體以及有機EL元件的具有撓性的主動矩陣型顯示裝置。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2003-174153號公報
圖19A所示的顯示裝置900包括使顯示區域131與觀察者正相對的區域160以及使顯示區域131不與觀察者正相對的區域170。圖19B及圖19C是圖19A中的以點劃線表示的部分Q1-Q2的剖面圖。圖19B示出區域170彎折的狀態，圖19C示出區域170彎曲的狀態。在圖19B及圖19C中，將部分Q1-Q2中的區域160中心附近的法線方向表示為法線168，將區域170中心附近的法線方向表示為法線178。在圖19B和圖19C中的任何圖式中，區域160中心附近的法線方向與區域170中心附近的法線方向都不同。
另外，顯示裝置900包括基板111以及基板 121，並在基板111與基板121之間包括發光元件以及著色層(未圖示)。圖19D是區域160中的顯示區域131的一部分的部分161的放大圖。此外，圖19E是區域170中的顯示區域131的一部分的部分171的放大圖。
顯示區域131包括配置為矩陣狀的多個像素。一個像素至少具有三個子像素。三個子像素排列為條紋狀，並分別發射紅色光、綠色光、藍色光。在圖19D中，將區域160中的像素表示為像素165，將發射紅色光的子像素表示為子像素165R，將發射綠色光的子像素表示為子像素165G，將發射藍色光的子像素表示為子像素165B。在圖19E中，將區域170中的像素表示為像素175，將發射紅色光的子像素表示為子像素175R，將發射綠色光的子像素表示為子像素175G，將發射藍色光的子像素表示為子像素175B。
接著，說明觀察者910看到顯示在區域160的影像時的狀態。圖20A是說明觀察者910與從像素165發射的光235的關係的圖。另外，圖20A是像素165的剖面示意圖。
子像素165R包括發光元件125以及著色層266R。子像素165G包括發光元件125以及著色層266G。子像素165B包括發光元件125以及著色層266B。從發光元件125發射的光235在透過著色層時被著色。
例如，在子像素165G中，從子像素165G所包括的發光元件125發射的白色光235由著色層266G轉 換為綠色光235而到達觀察者910。另外，有時從發光元件125發射的白色光235的一部分入射到其他子像素的著色層而變換為非意圖的顏色。然而，在區域160中，觀察者910與顯示區域131正相對，因此觀察者910幾乎觀察不到變換為非意圖的顏色的光235。
接著，說明觀察者910看到顯示在區域170的影像時的狀態。圖20B是說明觀察者910與從像素175發射的光235的關係的圖。另外，圖20B是像素175的剖面示意圖。
子像素175R包括發光元件125以及著色層266R。子像素175G包括發光元件125以及著色層266G。子像素175B包括發光元件125以及著色層266B。從發光元件125發射的光235在透過著色層時被著色。
在區域170中，觀察者910不與顯示區域131正相對。因此，觀察者910會觀察到從發光元件125發射的光235中的入射到其他子像素的著色層而變換為非意圖的顏色的一部分的光235。
如此，在包括使顯示區域與觀察者正相對的區域以及使顯示區域不與觀察者正相對的區域的顯示裝置中，顯示區域內的顯示品質的偏差容易變大，並且顯示品質容易降低。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種可 見度高的顯示裝置或電子裝置。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種顯示品質高的顯示裝置或電子裝置。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置或電子裝置。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種不易損壞的顯示裝置或電子裝置。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種功耗低的顯示裝置或電子裝置。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置或電子裝置。
注意，對上述目的的描述並不妨礙其他目的存在。另外，本發明的一個方式並不需要實現所有上述目的。此外，除上述目的外的目的從說明書、圖式、申請專利範圍等的描述中是顯而易見的，並且可以從所述描述中抽出。
本發明的一個方式是一種顯示裝置，包括：包含第一區域及第二區域的顯示區域，其中，顯示區域包括多個像素，像素包括多個子像素，並且，第一區域中的子像素的排列方向與第二區域中的子像素的排列方向不同。
本發明的一個方式是一種顯示裝置，包括：包含第一區域及第二區域的顯示區域，第一區域的中心附近的法線方向與第二區域的中心附近的法線方向不同，顯 示區域包括多個像素，像素包括多個子像素，並且，第一區域中的子像素的排列方向與第二區域中的子像素的排列方向不同。
根據本發明的一個方式，能夠提供一種可見度高的顯示裝置或電子裝置。
根據本發明的一個方式，能夠提供一種顯示品質高的顯示裝置或電子裝置。
根據本發明的一個方式，能夠提供一種可靠性高的顯示裝置或電子裝置。
根據本發明的一個方式，能夠提供一種不易損壞的顯示裝置或電子裝置。
根據本發明的一個方式，能夠提供一種功耗低的顯示裝置或電子裝置。
根據本發明的一個方式，能夠提供一種新穎的顯示裝置或電子裝置。注意，對上述效果的描述並不妨礙其他效果存在。另外，本發明的一個方式並不需要具有所有上述效果。此外，除上述效果外的效果從說明書、圖式、申請專利範圍等的描述中是顯而易見的，並且可以從所述描述中抽出。
100‧‧‧顯示裝置
101‧‧‧元件形成用基板
111‧‧‧基板
112‧‧‧黏合層
113‧‧‧剝離層
114‧‧‧分隔壁
115‧‧‧電極
117‧‧‧EL層
118‧‧‧電極
120‧‧‧黏合層
121‧‧‧基板
122‧‧‧開口
123‧‧‧各向異性導電連接層
124‧‧‧外部電極
125‧‧‧發光元件
128‧‧‧開口
129‧‧‧開口
131‧‧‧顯示區域
132‧‧‧驅動電路
133‧‧‧驅動電路
134‧‧‧像素電路
135‧‧‧佈線
136‧‧‧佈線
137‧‧‧佈線
138‧‧‧佈線
139‧‧‧佈線
141‧‧‧元件形成用基板
142‧‧‧黏合層
143‧‧‧剝離層
145‧‧‧絕緣層
150‧‧‧顯示裝置
151‧‧‧佈線
152‧‧‧佈線
153‧‧‧開口
154‧‧‧開口
155‧‧‧開口
156‧‧‧佈線
160‧‧‧區域
161‧‧‧部分
165‧‧‧像素
166‧‧‧排列方向
168‧‧‧法線
170‧‧‧區域
171‧‧‧部分
175‧‧‧像素
176‧‧‧排列方向
178‧‧‧法線
181‧‧‧部分
205‧‧‧絕緣層
206‧‧‧閘極電極
207‧‧‧閘極絕緣層
208‧‧‧半導體層
210‧‧‧絕緣層
211‧‧‧絕緣層
216‧‧‧端子電極
219‧‧‧佈線
226‧‧‧電極
232‧‧‧電晶體
233‧‧‧電容元件
235‧‧‧光
252‧‧‧電晶體
263‧‧‧電極
264‧‧‧遮光層
266‧‧‧著色層
268‧‧‧保護層
272‧‧‧電晶體
318‧‧‧電極
320‧‧‧EL層
322‧‧‧電極
330‧‧‧發光元件
331‧‧‧發光元件
431‧‧‧電晶體
432‧‧‧液晶元件
434‧‧‧電晶體
435‧‧‧節點
436‧‧‧節點
437‧‧‧節點
900‧‧‧顯示裝置
910‧‧‧觀察者
991‧‧‧導電層
992‧‧‧絕緣層
993‧‧‧導電層
994‧‧‧基板
7100‧‧‧可攜式顯示裝置
7101‧‧‧外殼
7102‧‧‧顯示部
7103‧‧‧操作按鈕
7104‧‧‧收發信裝置
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
9600‧‧‧電視機
9601‧‧‧外殼
9602‧‧‧顯示部
9603‧‧‧揚聲器
9604‧‧‧支架
117B‧‧‧EL層
117G‧‧‧EL層
117R‧‧‧EL層
125B‧‧‧發光元件
125G‧‧‧發光元件
125R‧‧‧發光元件
132a‧‧‧驅動電路
132b‧‧‧驅動電路
134B‧‧‧像素電路
134G‧‧‧像素電路
134R‧‧‧像素電路
165B‧‧‧子像素
165G‧‧‧子像素
165R‧‧‧子像素
165W‧‧‧子像素
175B‧‧‧子像素
175G‧‧‧子像素
175R‧‧‧子像素
209a‧‧‧源極電極
209b‧‧‧汲極電極
235B‧‧‧光
235G‧‧‧光
235R‧‧‧光
266B‧‧‧著色層
266G‧‧‧著色層
266R‧‧‧著色層
320a‧‧‧電荷產生層
在圖式中：圖1A至圖1F是說明顯示裝置的一個方式的圖； 圖2A和圖2B是說明顯示裝置的一個方式的圖；圖3是說明顯示裝置的一個方式的圖；圖4A至圖4C是說明顯示裝置的一個方式的塊圖及電路圖；圖5A至圖5C是說明像素的結構實例的圖；圖6是說明像素的結構實例的剖面圖；圖7是說明像素的結構實例的剖面圖；圖8是說明像素的結構實例的剖面圖；圖9A至圖9D是說明顯示裝置的製造方法的例子的剖面圖；圖10A至圖10D是說明顯示裝置的製造方法的例子的剖面圖；圖11A和圖11B是說明顯示裝置的製造方法的例子的剖面圖；圖12A和圖12B是說明顯示裝置的製造方法的例子的剖面圖；圖13A和圖13B是說明顯示裝置的製造方法的例子的剖面圖；圖14A和圖14B是說明顯示裝置的製造方法的例子的剖面圖；圖15A至圖15D是說明顯示裝置的製造方法的例子的剖面圖；圖16是說明顯示裝置的一個方式的圖；圖17A和圖17B是說明發光元件的結構實例的圖； 圖18A和圖18B是說明像素的平面形狀以及排列的一個例子的圖；圖19A至圖19E是說明課題的圖；圖20A和圖20B是說明課題的圖；圖21A和圖21B是說明顯示裝置的一個方式的圖；圖22A和圖22B是說明顯示裝置的一個方式的圖；圖23A至圖23C是說明電子裝置的一個例子的圖；圖24A至圖24C是說明顯示裝置的一個方式的圖；圖25A至圖25C是說明顯示裝置的一個方式的圖。
參照圖式對實施方式進行詳細的說明。注意，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限於下面所示的實施方式所記載的內容中。注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。
另外，在本說明書所說明的每個圖式中，為便於清楚地說明，有時誇大表示或省略各構成要素的大小、層的厚度或區域。因此，本發明並不一定限定於上述尺寸。尤其在俯視圖或透視圖中，為了易於理解圖式，有 時省略構成要素的一部分。
另外，為了便於理解，有時在圖式等中示出的各構成要素的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。例如，在實際的製程中，有時由於蝕刻等處理而光阻遮罩等的尺寸非意圖地被縮小，但為了便於理解有時省略。
注意，本說明書等中的“第一”、“第二”等序數詞是為了避免構成要素的混淆而使用的，其並不表示製程順序或者疊層順序等的順序或次序。另外，關於本說明書等中的不附加序數詞的用詞，為了避免構成要素的混淆在申請專利範圍中有時對該用詞附加序數詞。
注意，在本說明書等中，“電極”或“佈線”不在功能上限定其構成要素。例如，有時將“電極”用作“佈線”的一部分，反之亦然。再者，“電極”或“佈線”還包括多個“電極”或“佈線”被形成為一體的情況等。
另外，在本說明書等中，“上”或“下”不侷限於構成要素的位置關係為“正上”或“正下”且直接接觸的情況。例如，“絕緣層A上的電極B”不一定必須在絕緣層A上直接接觸地形成有電極B，也可以包括在絕緣層A與電極B之間包括其他構成要素的情況。
另外，由於“源極”及“汲極”的功能，例如在採用不同極性的電晶體時或在電路工作中電流的方向變化時等，根據工作條件等而相互調換，因此很難限定哪個是 “源極”哪個是“汲極”。因此，在本說明書中，可以將“源極”和“汲極”互相調換地使用。
注意，在本說明書等中，“電連接”包括隔著“具有某種電作用的元件”連接的情況。這裡，“具有某種電作用的元件”只要可以進行連接目標間的電信號的授受，就對其沒有特別的限制。因此，即便記載為“電連接”，在實際電路中有時沒有物理連接的部分而只是佈線延伸。
此外，在本說明書中，“平行”是指在-10°以上且10°以下的角度的範圍中配置兩條直線的狀態。因此，也包括該角度為-5°以上且5°以下的狀態。另外，“垂直”或“正交”是指在80°以上且100°以下的角度的範圍中配置兩條直線的狀態。因此，也包括該角度為85°以上且95°以下的狀態。
另外，在本說明書中，當在進行光微影製程之後進行蝕刻製程時，在沒有特別說明的情況下，在蝕刻製程結束之後去除在光微影製程中形成的光阻遮罩。
實施方式1
圖1A所示的顯示裝置100包括使顯示區域131與觀察者正相對的區域160以及使顯示區域131不與觀察者正相對的區域170。另外，包括驅動電路132a、驅動電路132b以及驅動電路133。圖1B及圖1C是圖1A中的以點劃線表示的部分A1-A2的剖面圖。圖1B示出區域170彎 折的狀態，圖1C示出區域170彎曲的狀態。在圖1B及圖1C中，將部分A1-A2中的區域160中心附近的法線方向表示為法線168，將區域170中心附近的法線方向表示為法線178。在圖1B和圖1C中的任何圖式中，區域160中心附近的法線方向與區域170中心附近的法線方向都不同。
另外，顯示裝置100包括基板111以及基板121，並在基板111與基板121之間包括發光元件以及著色層(未圖示)。圖1D是區域160中的顯示區域131的一部分的部分161的放大圖。此外，圖1E是區域170中的顯示區域131的一部分的部分171的放大圖。圖1F是區域160與區域170的邊界位置的部分181的放大圖。
顯示區域131包括配置為矩陣狀的多個像素。一個像素至少具有三個子像素。這些子像素排列為條紋狀，並分別發射紅色光、綠色光、藍色光。
圖1A至圖1F示出子像素的平面形狀為長方形的情況。在本說明書等中，將這些子像素的長邊相鄰的橫方向排列稱為“H排列”，將這些子像素的長邊相鄰的縱方向排列稱為“V排列”。即，H排列的排列方向與V排列的排列方向不同。注意，雖然在本實施方式中示出H排列的排列方向166與V排列的排列方向176正交的情況，但不侷限於此。
在圖1D中，將區域160中的像素表示為像素165，將發射紅色光的子像素表示為子像素165R，將發射 綠色光的子像素表示為子像素165G，將發射藍色光的子像素表示為子像素165B。在像素165中，三個子像素的排列為H排列。
在圖1E中，將區域170中的像素表示為像素175，將發射紅色光的子像素表示為子像素175R，將發射綠色光的子像素表示為子像素175G，將發射藍色光的子像素表示為子像素175B。在像素175中，三個子像素的排列為V排列。
子像素所發射的光的顏色除了紅色、綠色、藍色之外還可以為黃色、青色、洋紅色等。另外，也可以組合這些光。例如，也可以在一個像素中設置四個子像素，並且每個子像素發射紅色、綠色、藍色及黃色的光。藉由增加子像素的數量，尤其能夠提高半色調的再現性。因此，能夠提高顯示裝置的顯示品質。另外，如圖24A至圖24C所示，也可以在一個像素中設置四個子像素，並且每個子像素發射紅色、綠色、藍色及白色的光。藉由設置發射白色光的子像素，能夠提高顯示區域的亮度。另外，根據顯示裝置的用途，也可以由兩個子像素構成一個像素。
在圖24A中，將區域160中的像素表示為像素165，將發射紅色光的子像素表示為子像素165R，將發射綠色光的子像素表示為子像素165G，將發射藍色光的子像素表示為子像素165B，將發射白色光的子像素表示為子像素165W。在像素165中，四個子像素的排列成為 H排列。
在圖24B中，將區域170中的像素表示為像素175，將發射紅色光的子像素表示為子像素175R，將發射綠色光的子像素表示為子像素175G，將發射藍色光的子像素表示為子像素175B，將發射白色光的子像素表示為子像素175W。在像素175中，四個子像素的排列成為V排列。
另外，每個子像素的佔有面積或形狀等既可以相同又可以不同。此外，作為排列方法，也可以採用條紋排列之外的方法。例如，還可以應用三角洲狀排列、拜耳排列(Bayer arrangernent)、PenTile排列等。作為一個例子，圖25A至圖25C示出應用PenTile排列時的例子。
接著，參照圖2A和圖2B說明藉由使像素175所具有的子像素的排列成為V排列能夠得到的效果。
圖2A是說明區域160中的觀察者910與從像素165發射的光235的關係的圖。另外，圖2A是從與排列方向166正交的方向觀看像素165時的剖面示意圖。
在區域160中，由於觀察者910與顯示區域131正相對，所以像素165也與觀察者910正相對。因此，從子像素所具有的發光元件發射的光由該子像素所具有的著色層變換而到達觀察者910。例如，在子像素165G中，從子像素165G所具有的發光元件125發射的白色光235由著色層266G轉換為綠色光235而到達觀察者910。 另外，有時從發光元件125發射的白色光235的一部分散射，入射到其他子像素的著色層，而被變換為非意圖的顏色。然而，在區域160中，由於觀察者910與顯示區域131正相對，因此觀察者910幾乎觀察不到因散射而被變換為非意圖的顏色的光235。
圖2B是說明區域170中的觀察者910與從像素175發射的光235的關係的圖。另外，圖2B是從排列方向176觀看像素175時的剖面示意圖。
在區域170中，觀察者910不與顯示區域131正相對。因此，觀察者910觀察到從發光元件125發射的光235中的入射到其他子像素的著色層而被變換的一部分的光235。然而，在本實施方式所例示的顯示裝置100中，由於使像素175所具有的子像素的排列成為V排列，因此到達觀察者910的入射到其他子像素的著色層而被變換的光235也會變換為與本來意圖的顏色實質上相同的顏色。
藉由使像素175所具有的子像素的排列成為V排列，能夠減少顯示裝置100的顯示品質偏差。因此，能夠實現可見度高的顯示裝置。另外，能夠實現顯示品質高的顯示裝置。
注意，雖然在本實施方式中說明顯示裝置100所具有的顯示區域131的右側或左側彎折或彎曲的情況，但是本發明的一個方式不侷限於此。例如，即便在顯示區域131的上側或下側彎折或彎曲的情況或顯示區域131的 角部彎折或彎曲的情況下，也藉由適當地設定子像素的排列，能夠實現顯示品質高的顯示裝置。
另外，雖然示出發光元件125發射白色光235的情況的例子，但是本發明的實施方式的一個方式不侷限於此。發光元件125也可以發射紅色(R)、藍色(B)和綠色(G)中的任一種顏色。此時，各子像素中的發光元件125較佳為分別發射不同的顏色。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式2
在本實施方式中，參照圖3說明顯示裝置100的結構實例。圖3是圖1A中的以點劃線表示的部分X1-X2的剖面示意圖。
〈顯示裝置的結構〉
本說明書所例示的顯示裝置100包括包含第一電極115、EL層117、第二電極118的發光元件125以及端子電極216。在顯示區域131中形成有多個發光元件125。另外，用來控制發光元件125的發光量的電晶體232連接於各發光元件125。
端子電極216藉由設置於開口122中的各向異性導電連接層123與外部電極124電連接。此外，端子電極216電連接於驅動電路132a、驅動電路132b以及驅 動電路133。
驅動電路132a、驅動電路132b以及驅動電路133由多個電晶體252構成。驅動電路132a、驅動電路132b以及驅動電路133具有決定將從外部電極124供應的信號供應給顯示區域131中的哪個發光元件125的功能。
在本說明書所例示的顯示裝置100中，隔著黏合層120將基板111與基板121貼合在一起。絕緣層205隔著黏合層112形成於基板111上。絕緣層205較佳為使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧氮化鋁或氮氧化鋁等的單層或疊層形成。可以藉由濺射法、CVD法、熱氧化法、塗佈法、印刷法等形成絕緣層205。
另外，在基板121上隔著黏合層142形成有絕緣層145，並隔著絕緣層145形成有遮光層264。另外，在基板121上隔著絕緣層145形成有著色層266以及保護層268。
另外，絕緣層205用作基底層，並能夠防止或抑制水分或雜質元素從基板111或黏合層112等擴散到電晶體或發光元件中。此外，絕緣層145用作基底層，並能夠防止或抑制水分或雜質元素從基板121或黏合層142等擴散到電晶體或發光元件中。絕緣層145可以使用與絕緣層205相同的材料及方法形成。
作為基板111及基板121，可以使用有機樹脂 材料或其厚度允許其具有撓性的玻璃材料等。在顯示裝置100為所謂的底部發射結構(底面發射結構)的顯示裝置或者雙面發射型顯示裝置的情況下，作為基板111使用對於來自EL層117的發光具有透光性的材料。另外。在顯示裝置100為頂面發射型顯示裝置或者雙面發射型顯示裝置的情況下，作為基板121使用對於來自EL層117的發光具有透光性的材料。
作為可用於基板121及基板111的具有撓性及對可見光的透光性的材料，有聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂等。另外，在無需使光透過的情況下，也可以使用非透光性的基板。例如，作為基板121或基板111，也可以使用不鏽鋼基板、不鏽鋼箔基板等。
此外，基板121及基板111的熱膨脹係數較佳為30ppm/K以下，更佳為10ppm/K以下。另外，也可以在基板121及基板111表面預先形成具有低透水性的保護膜，諸如氮化矽或氧氮化矽等含有氮和矽的膜、氮化鋁等含有氮和鋁的膜等。另外，作為基板121及基板111，也可以使用在纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體(所謂的預浸料)。
藉由使用這種基板，能夠提供一種不易碎裂的顯示裝置。另外，能夠提供一種輕量的顯示裝置。此 外，能夠提供一種容易彎曲的顯示裝置。
另外，在絕緣層205上形成有電晶體232、電晶體252、端子電極216、佈線219。注意，在本實施方式中，作為電晶體232及電晶體252例示出底閘極型電晶體之一的通道蝕刻型電晶體，但也可以使用通道保護型電晶體或頂閘極型電晶體等。此外，也可以使用由兩個閘極電極夾著形成有通道的半導體層的結構的雙閘極(dual gate)型電晶體。
電晶體232與電晶體252也可以具有相同結構。但是，電晶體的尺寸(例如，通道長度及通道寬度)等可以在各電晶體中適當地調整。
電晶體232及電晶體252包括閘極電極206、閘極絕緣層207、半導體層208、源極電極209a以及汲極電極209b。
端子電極216、佈線219、閘極電極206、源極電極209a及汲極電極209b可以使用與端子電極216相同的材料及方法形成。此外，閘極絕緣層207可以使用與絕緣層205相同的材料及方法形成。
半導體層208可以使用非晶半導體、微晶半導體、多晶半導體等形成。例如，可以使用非晶矽或微晶鍺等。此外，也可以使用碳化矽、鎵砷、氧化物半導體、氮化物半導體等化合物半導體、有機半導體等。
此外，氧化物半導體的能隙大，為2.8eV以上，對於可見光的穿透率較大。此外，在以適當的條件對 氧化物半導體進行加工而得到的電晶體中，在使用時的溫度條件下(例如，25℃)，可以將關態電流(off-state current)設定為100zA(1×10-19A)以下、10zA(1×10-20A)以下或1zA(1×10-21A)以下。由此，可以提供一種功耗低的顯示裝置。
此外，當作為半導體層208使用氧化物半導體時，較佳為作為與半導體層208接觸的絕緣層使用含氧的絕緣層。
此外，在電晶體232及電晶體252上形成有絕緣層210，在絕緣層210上形成有絕緣層211。絕緣層210用作保護絕緣層，並能夠防止或抑制雜質元素從絕緣層210的上層擴散到電晶體232及電晶體252中。絕緣層210可以使用與絕緣層205相同的材料及方法形成。
此外，為了減少發光元件125的被形成面的表面凹凸也可以對絕緣層211進行平坦化處理。對平坦化處理沒有特別的限制，可以使用拋光處理(例如，化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing：CMP))或乾蝕刻處理。
此外，藉由使用具有平坦化功能的絕緣材料形成絕緣層211，可以省略拋光處理。作為具有平坦化功能的絕緣材料，例如可以使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂等有機材料。此外，除了上述有機材料之外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。另外，也可以層疊多個由上述材料形成的絕緣層來形成絕緣層211。
此外，在絕緣層211上形成有發光元件125及用來各發光元件125隔開的分隔壁114。
顯示裝置100是從發光元件125發射的光235透過著色層266從基板121一側發射的所謂頂部發射結構(上面發射結構)的顯示裝置。
此外，發光元件125在設置於絕緣層211及絕緣層210中的開口中與電晶體232電連接。
注意，由於基板121以其與基板111相對的方式形成，所以有時將基板121稱為“反基板”。
另外，如圖21A所示，也可以在基板121上設置觸摸感測器。藉由如此在基板121上設置觸摸感測器，能夠降低彎折時的位置偏差。觸摸感測器使用導電層991以及導電層993等構成。另外，在這些導電層之間設置有絕緣層992。
另外，導電層991及/或導電層993較佳為使用銦錫氧化物或銦鋅氧化物等透明導電膜。注意，為了降低電阻，也可以將包含低電阻材料的層用於導電層991及/或導電層993的一部分或全部。例如，可以使用由鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢構成的金屬或以這些金屬為主要成分的合金的單層結構或疊層結構。作為導電層991及/或導電層993，也可以使用金屬奈米線。此時，作為金屬較佳為使用銀等。由此，能夠降低電阻值，因此能夠提高感測器的靈敏度。
絕緣層992較佳為使用氧化矽、氮化矽、氧 氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧氮化鋁或氮氧化鋁等的單層或疊層形成。可以藉由濺射法、CVD法、熱氧化法、塗佈法、印刷法等來形成絕緣層992。
另外，觸摸感測器除了基板121之外還可以使用其他基板構成。圖21B示出使用基板994構成觸摸感測器時的例子。此外，觸摸感測器設置於基板994上，但是本發明的實施方式的一個方式不侷限於此。觸摸感測器也可以設置於基板994下(基板121與基板994之間)。此時，基板994可以使用強化玻璃形成，以便保護顯示裝置免受損傷等。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖4A至圖4C說明顯示裝置100的更具體的結構實例。圖4A是用來說明顯示裝置100的結構的塊圖。顯示裝置100包括顯示區域131、驅動電路132a、驅動電路132b以及驅動電路133。將驅動電路132a、驅動電路132b例如用作掃描線驅動電路。另外，將驅動電路133例如用作信號線驅動電路。另外，也可以省略驅動電路132a和驅動電路132b中的任一個。
另外，顯示裝置100包括其每一個大致平行地設置且其電位由驅動電路132a及/或驅動電路132b控制的m個佈線135、和其每一個大致平行地設置且其電位 由驅動電路133控制的n個佈線136。並且，顯示區域131包括配置為矩陣狀的多個像素電路134。此外，由一個像素電路134驅動一個子像素。另外，有時將驅動電路132a、驅動電路132b以及驅動電路133總稱為驅動電路部。
各佈線135與在顯示區域131中排列為m行n列的像素電路134當中任一行的n個像素電路134電連接。另外，各佈線136與在排列為m行n列的像素電路134當中任一列的m個像素電路134電連接。m、n都是1以上的整數。
圖4B及圖4C示出可用於圖4A所示的顯示裝置的像素電路134的電路結構實例。
[發光顯示裝置用像素電路的一個例子]
另外，圖4B所示的像素電路134包括電晶體431、電容元件233、電晶體232、電晶體434以及發光元件125。
電晶體431的源極電極和汲極電極中的一個電連接於被供應資料信號的佈線(以下，稱為信號線DL_n)。並且，電晶體431的閘極電極電連接於被供應閘極信號的佈線(以下，稱為掃描線GL_m)。
電晶體431具有藉由成為開啟或關閉狀態來控制是否將資料信號寫入節點435的功能。
電容元件233的一對電極的一個電極連接於 節點435，另一個電極電連接於節點437。另外，電晶體431的源極電極和汲極電極中的另一個電連接於節點435。
電容元件233用作儲存寫入到節點435的資料的儲存電容器。
電晶體232的源極電極和汲極電極中的一個電連接於電位供應線VL_a，另一個電連接於節點437。並且，電晶體232的閘極電極電連接於節點435。
電晶體434的源極電極和汲極電極中的一個電連接於電位供應線VO，另一個電連接於節點437。並且，電晶體434的閘極電極電連接於掃描線GL_m。
發光元件125的陽極和陰極中的一個電連接於電位供應線VL_b，另一個電連接於節點437。
作為發光元件125，例如可以使用有機電致發光元件(也稱為有機EL元件)等。但是，發光元件125不侷限於此，也可以使用由無機材料構成的無機EL元件。
此外，高電源電位VDD施加到電位供應線VL_a和電位供應線VL_b中的一個，低電源電位VSS施加到另一個。
在包括圖4B所示的像素電路134的顯示裝置中，由驅動電路132a或驅動電路132b依次選擇各行的像素電路134，從而使電晶體431及電晶體434成為開啟狀態來將資料信號寫入節點435。
在電晶體431及電晶體434處於關閉狀態時，資料寫入到其節點435的像素電路134成為保持狀態。再者，根據寫入到節點435的資料的電位，流過在電晶體232的源極電極與汲極電極之間的電流量被控制，並且，發光元件125以對應於流過的電流量的亮度發光。藉由按行依次進行上述步驟，可以顯示影像。
[液晶顯示裝置用像素電路的一個例子]
圖4C所示的像素電路134包括液晶元件432、電晶體431以及電容元件233。
液晶元件432的一對電極之一的電位根據像素電路134的規格適當地設定。液晶元件432的配向狀態取決於寫入到節點436的資料。另外，可以給多個像素電路134的每一個所具有的液晶元件432的一對電極之一供應共用電位。此外，給一個行內的像素電路134所具有的液晶元件432的一對電極之一供應的電位可以不同於給另一行內的像素電路134所具有的液晶元件432的一對電極之一供應的電位。
例如，作為具備液晶元件432的顯示裝置的驅動方法，可以舉出下列模式：TN模式；STN模式；VA模式；ASM(Axially Symmetric Aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式；OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償雙折射)模式；FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電液晶)模式；AFLC (AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶)模式；MVA模式；PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式；IPS模式；FFS模式；以及TBA(Transverse Bend Alignment：橫向彎曲配向)模式等。另外，作為顯示裝置的驅動方法，除了上述驅動方法之外，還有ECB(Electrically Controlled Birefringence：電控雙折射)模式、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散液晶)模式、PNLC(Polymer Network Liquid Crystal：聚合物網路液晶)模式、賓主模式等。注意，並不侷限於此，作為液晶元件及其驅動方式可以使用各種液晶元件及其驅動方式。
液晶元件432可以使用包含呈現藍相(Blue Phase)的液晶和手性材料的液晶組成物來形成。呈現藍相的液晶具有1msec或更短的回應時間，並具有光學各向同性，因此無需配向處理。另外，由於其具有光學各向同性，因此視角依賴性小。
另外，作為顯示元件，也可以使用除發光元件125及液晶元件432之外的顯示元件。例如，作為顯示元件，還可以使用電泳元件、電子墨水、電濕潤(electrowetting)元件、MEMS(微電子機械系統)、數位微鏡設備(DMD)、DMS(數碼微快門)、IMOD(干涉測量調節)元件等。
在第m行第n列的像素電路134中，電晶體431的源極電極和汲極電極中的一個電連接於信號線 DL_n，另一個電連接於節點436。電晶體431的閘極電極電連接於掃描線GL_m。電晶體431具有藉由成為開啟狀態或關閉狀態控制是否將資料信號寫入節點436的功能。
電容元件233的一對電極中的一個電連接於被供應指定電位的佈線(以下，稱為電容線CL)，另一個電連接於節點436。另外，液晶元件432的一對電極的另一個電極電連接於節點436。此外，電容線CL的電位值根據像素電路134的規格適當地設定。電容元件233用作儲存寫入到節點436的資料的儲存電容器。
例如，在包括圖4C所示的像素電路134的顯示裝置中，由驅動電路132a依次選擇各行的像素電路134，從而使電晶體431成為開啟狀態來將資料信號寫入節點436。
藉由使電晶體431處於關閉狀態，資料寫入到其節點436的像素電路134成為保持狀態。藉由按行依次進行上述步驟，可以顯示影像。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式4
在本實施方式中，參照圖5A至圖8說明可應用於顯示裝置100所具有的像素165以及像素175的像素電路134的更具體的結構實例。
[像素165的結構實例]
首先，說明像素165的結構實例。圖5A及圖5B是放大像素165的平面圖。為了易於理解圖式，在圖5A中省略發光元件125或著色層266等。另外，出於同樣的理由，在圖5B中省略像素電路134等。圖6是圖5A及圖5B中的以點劃線表示的部分X3-X4的剖面圖。
如上所述，一個像素電路134能夠驅動一個子像素。因此，至少使用三個像素電路134來驅動像素165。在圖5A中，將驅動像素165的三個像素電路134分別表示為像素電路134R、像素電路134G、像素電路134B。在像素165中，像素電路134的長邊方向與發光元件125及著色層266的長邊方向大致一致。像素165所具有的著色層266R與像素電路134R重疊，著色層266G與像素電路134G重疊，著色層266B與像素電路134B重疊。另外，著色層266R由像素電路134R驅動，著色層266G由像素電路134G驅動，著色層266B由像素電路134B驅動。
圖5A及圖6所示的佈線135相當於掃描線GL_m。另外，佈線135的一部分相當於閘極電極206，並用作電晶體431及電晶體434的閘極電極。另外，佈線138的一部分用作電容元件233的一個電極，其他部分用作電晶體232的閘極電極。此外，佈線137相當於電位供應線VL_a。佈線135、佈線138以及佈線137可以使用與閘極電極206相同的材料及方法形成。
另外，在佈線135、佈線138以及佈線137上形成有閘極絕緣層207。佈線138上的閘極絕緣層207用作電容元件233的介質層。此外，在閘極絕緣層207及半導體層208上設置有佈線136、佈線139、佈線151、佈線152以及佈線156(參照圖5A及圖6)。佈線136相當於信號線DL_n。另外，佈線136的一部分用作電晶體431的源極電極和汲極電極中的一個。佈線139藉由形成在閘極絕緣層207中的開口153電連接於佈線138。此外，佈線139用作電晶體431的源極電極和汲極電極中的另一個。佈線156相當於電位供應線VO。另外，佈線156的一部分用作電晶體434的源極電極和汲極電極中的一個。此外，佈線151的一部分用作電晶體434的源極電極和汲極電極中的另一個。
佈線151用作電容元件233的另一個電極。佈線152藉由形成在閘極絕緣層207中的開口154電連接於佈線137。另外，佈線152用作電晶體232的源極電極和汲極電極中的一個。此外，佈線151用作電晶體232的源極電極和汲極電極中的另一個。佈線136、佈線139、佈線151、佈線152以及佈線156可以使用與源極電極209a及汲極電極209b相同的材料及方法形成。
在佈線136、佈線139、佈線151、佈線152以及佈線156上形成有絕緣層210，在絕緣層210上形成有絕緣層211。另外，形成在絕緣層211上的電極118藉由形成在絕緣層210及絕緣層211中的開口155電連接於 佈線151。即，發光元件125與佈線151電連接。
從發光元件125發射的光由著色層266R變換而成為光235R。注意，關於其他結構，由於在其他實施方式中進行說明，所以這裡省略其說明。
[像素175的結構實例]
接下來，說明像素175的結構實例。圖5C是放大像素175的平面圖。為了易於理解圖式，在圖5C中省略發光元件125或著色層266等。
藉由將像素165的發光元件125及著色層266回轉90度而成為V排列來實現像素175。此時，像素電路134的排列可以保持為H排列。圖7示出圖5C中的以點劃線表示的部分X5-X6的剖面圖。
在本發明的一個方式的顯示裝置100中，在像素165與像素175之間無需改變像素電路134的結構。因此，在區域160與區域170之間無需改變其驅動方法。若在顯示區域131中使用多個驅動電路或驅動方法，則會容易引起製造良率的下降或製造成本的增加，這成為顯示裝置的生產率下降的原因之一。根據本發明的一個方式，能夠實現生產率高且顯示品質高的顯示裝置。
[像素結構的變形實例]
另外，也可以不設置著色層266、遮光層264、保護層268等。此時，藉由對每個子像素使用發射紅色光的發 光元件125R、發射綠色光的發光元件125G、發射藍色光的發光元件125B等代替發射白色光的發光元件125，能夠進行彩色顯示。圖8示出不使用著色層266等的結構的一個例子。
發光元件125R、發光元件125G及發光元件125B分別包括EL層117R、EL層117G及EL層117B。EL層117R、EL層117G及EL層117B可以分別發射不同顏色的光，如紅色光235R、綠色光235G及藍色光235B等。如此，藉由不使用著色層266等，能夠提高色純度並減少光損失量。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式5
在本實施方式中，參照圖9A至圖15D說明顯示裝置100的製造方法的一個例子。另外，圖9A至圖14B相當於圖1A中的以點劃線表示的部分X1-X2的剖面。
[形成剝離層]
首先，在元件形成用基板101上形成剝離層113(參照圖9A)。此外，作為元件形成用基板101可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、陶瓷基板、金屬基板等。此外，也可以使用能夠承受本實施方式的處理溫度的耐熱性的塑膠基板。
另外，作為玻璃基板，例如使用如鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃等玻璃材料。注意，藉由使玻璃基板含有較多氧化鋇(BaO)，可以得到實用性更高的耐熱玻璃。此外，還可以使用晶化玻璃等。
剝離層113可以使用選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素、含有上述元素的合金材料、含有上述元素的化合物材料形成。此外，可以使用上述材料的單層或疊層形成。此外，剝離層113的結晶結構也可以是非晶、微晶、多晶中的任何一種。另外，剝離層113也可以使用氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅、二氧化鈦、氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物或InGaZnO(IGZO)等金屬氧化物形成。
剝離層113可以藉由濺射法、CVD法、塗佈法、印刷法等形成。另外，塗佈法包括旋塗法、液滴噴射法、分配器方法。
在以單層形成剝離層113的情況下，較佳為使用鎢、鉬或含有鎢和鉬的合金材料。或者，在以單層形成剝離層113的情況下，較佳為使用鎢的氧化物或氧氮化物、鉬的氧化物或氧氮化物、或者包含鎢和鉬的合金的氧化物或氧氮化物。
另外，當作為剝離層113例如形成包含鎢的層和包含鎢的氧化物的層的疊層結構時，可以使用如下方法：首先形成包含鎢的層，然後接觸於包含鎢的層地形成氧化物絕緣層，由此，包含鎢的氧化物的層形成在包含鎢 的層與氧化物絕緣層之間的介面。此外，也可以對包含鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、使用諸如臭氧水等高氧化性的溶液的處理等來形成包含鎢的氧化物的層。
在本實施方式中，剝離層113藉由濺射法並使用鎢來形成。
[形成絕緣層]
接著，在剝離層113上形成絕緣層205作為基底層(參照圖9A)。絕緣層205較佳為使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧氮化鋁或氮氧化鋁等的單層或疊層形成。例如，絕緣層205可以採用層疊有氧化矽和氮化矽的兩層結構，也可以採用組合有上述材料的五層結構。絕緣層205可以藉由濺射法、CVD法、熱氧化法、塗佈法、印刷法等形成。
可以將絕緣層205的厚度設定為30nm以上且500nm以下，較佳為50nm以上且400nm以下。
絕緣層205能夠防止或抑制雜質元素從元件形成用基板101或剝離層113等擴散。另外，在將元件形成用基板101替換為基板111之後也能夠防止或抑制雜質元素從基板111或黏合層112等擴散到發光元件125。在本實施方式中，作為絕緣層205，藉由電漿CVD法形成200nm厚的氧氮化矽和50nm厚的氮氧化矽的疊層膜。
[形成閘極電極]
接著，在絕緣層205上形成閘極電極206(參照圖9A)。閘極電極206可以使用選自鋁、鉻、銅、鉭、鈦、鉬、鎢中的金屬元素、以上述金屬元素為成分的合金或組合上述金屬元素的合金等形成。另外，也可以使用選自錳和鋯中的任一種或多種的金屬元素。此外，閘極電極206可以具有單層結構或者兩層以上的疊層結構。例如，有含矽的鋁膜的單層結構、在鈦膜上層疊鋁膜的兩層結構、在氮化鈦膜上層疊鈦膜的兩層結構、在氮化鈦膜上層疊鎢膜的兩層結構、在氮化鉭膜或氮化鎢膜上層疊鎢膜的兩層結構、在鈦膜上層疊銅膜的兩層結構、依次層疊鈦膜、鋁膜及鈦膜的三層結構等。此外，也可以使用含有鋁以及選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹和鈧中的一種或多種元素的合金膜或氮化膜。
另外，閘極電極206也可以使用銦錫氧化物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加氧化矽的銦錫氧化物等具有透光性的導電性材料。另外，也可以採用上述具有透光性的導電性材料和上述金屬元素的疊層結構。
藉由利用電漿CVD法、LPCVD法或MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金屬化學氣相沉積)法等CVD法、ALD法、濺射法、蒸鍍法等在絕緣層205上層疊用作閘極電極206的導電膜，並且在 該導電膜上藉由利用光微影製程形成光阻遮罩。當藉由MOCVD法形成用作閘極電極206的導電膜時，能夠減少對被形成面造成的損傷。接著，藉由使用光阻遮罩對用作閘極電極206的導電膜的一部分進行蝕刻來形成閘極電極206。此時，可以同時形成其他佈線及電極。
作為導電膜的蝕刻方法，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一者或兩者。另外，在藉由乾蝕刻法進行蝕刻的情況下，在去除光阻遮罩之前進行灰化處理時，可以容易使用剝離液去除光阻遮罩。
另外，作為閘極電極206的形成方法，也可以利用電鍍法、印刷法、噴墨法等代替上述形成方法。
閘極電極206的厚度較佳為5nm以上且500nm以下，更佳為10nm以上且300nm以下，進一步較佳為10nm以上且200nm以下。
此外，藉由使用具有遮光性的導電性材料形成閘極電極206，能夠防止來自外部的光從閘極電極206一側到達半導體層208。其結果，能夠抑制光照射所引起的電晶體電特性的變動。
[形成閘極絕緣層]
接著，形成閘極絕緣層207(參照圖9A)。閘極絕緣層207例如可以使用氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氧化鋁與氧化矽的混合物、氧化鉿、氧化鎵、Ga-Zn類金屬氧化物等的單層或疊層形成。
此外，藉由作為閘極絕緣層207使用矽酸鉿(HfSiOx)、添加有氮的矽酸鉿(HfSixOyNz)、添加有氮的鋁酸鉿(HfAlxOyNz)、氧化鉿、氧化釔等high-k材料，能夠降低電晶體的閘極漏電流。例如，也可以使用氧氮化矽和氧化鉿的疊層。
閘極絕緣層207的厚度較佳為5nm以上且400nm以下，更佳為10nm以上且300nm以下，進一步較佳為50nm以上且250nm以下。
閘極絕緣層207可以藉由濺射法、CVD法、蒸鍍法等形成。
當作為閘極絕緣層207形成氧化矽膜、氧氮化矽膜或氮氧化矽膜時，作為源氣體較佳為使用包含矽的沉積氣體及氧化性氣體。作為包含矽的沉積氣體的典型例子，可以舉出矽烷、乙矽烷、丙矽烷、氟化矽烷等。作為氧化氣體，可以舉出氧、臭氧、一氧化二氮、二氧化氮等。
閘極絕緣層207也可以具有從閘極電極206一側依次層疊氮化物絕緣層和氧化物絕緣層的疊層結構。藉由在閘極電極206一側設置氮化物絕緣層，能夠防止氫、氮、鹼金屬或鹼土金屬等從閘極電極206一側移動到半導體層208中。注意，氮、鹼金屬或鹼土金屬等一般用作半導體的雜質元素。另外，氫用作氧化物半導體的雜質元素。因此，本說明書等中的“雜質”包括氫、氮、鹼金屬或鹼土金屬等。
此外，當作為半導體層208使用氧化物半導體時，藉由在半導體層208一側設置氧化物絕緣層，能夠降低閘極絕緣層207與半導體層208的介面的缺陷態密度。其結果，能夠得到電特性劣化少的電晶體。另外，當作為半導體層208使用氧化物半導體時，藉由使用包含超過化學計量組成的氧的氧化物絕緣層形成氧化物絕緣層，能夠進一步降低閘極絕緣層207與半導體層208的介面的缺陷態密度，所以是較佳的。
此外，當閘極絕緣層207為如上所述那樣的氮化物絕緣層和氧化物絕緣層的疊層時，氮化物絕緣層較佳為比氧化物絕緣層厚。
由於氮化物絕緣層的相對介電常數比大於氧化物絕緣層，因此即便閘極絕緣層207的厚度厚，也可以有效地將產生在閘極電極206的電場傳送到半導體層208。另外，藉由增大閘極絕緣層207整體的厚度，能夠提高閘極絕緣層207的絕緣耐壓。因此，能夠提高半導體裝置的可靠性。
另外，閘極絕緣層207可以採用從閘極電極206一側依次層疊缺陷少的第一氮化物絕緣層、氫阻擋性高的第二氮化物絕緣層及氧化物絕緣層的疊層結構。藉由將缺陷少的第一氮化物絕緣層用於閘極絕緣層207中，能夠提高閘極絕緣層207的絕緣耐壓。另外，藉由在閘極絕緣層207中設置氫阻擋性高的第二氮化物絕緣層，能夠防止包含於閘極電極206及第一氮化物絕緣層中的氫移動到 半導體層208。
下面示出第一氮化物絕緣層及第二氮化物絕緣層的製造方法的一個例子。首先，藉由將矽烷、氮和氨的混合氣體用作源氣體的電漿CVD法形成缺陷少的氮化矽膜作為第一氮化物絕緣層。接著，藉由將源氣體換為矽烷和氮的混合氣體，形成氫濃度低且能夠阻擋氫的氮化矽膜作為第二氮化物絕緣層。藉由使用這種形成方法，能夠形成層疊有缺陷少且具有氫阻擋性的氮化物絕緣層的閘極絕緣層207。
另外，閘極絕緣層207可以採用從閘極電極206一側依次層疊雜質阻擋性高的第三氮化物絕緣層、缺陷少的第一氮化物絕緣層、氫阻擋性高的第二氮化物絕緣層及氧化物絕緣層的疊層結構。藉由在閘極絕緣層207中設置雜質阻擋性高的第三氮化物絕緣層，能夠防止氫、氮、鹼金屬或鹼土金屬等從閘極電極206移動到半導體層208。
下面示出第一氮化物絕緣層至第三氮化物絕緣層的製造方法的一個例子。首先，藉由將矽烷、氮和氨的混合氣體用作源氣體的電漿CVD法形成雜質阻擋性高的氮化矽膜作為第三氮化物絕緣層。接著，藉由增加氨流量，形成缺陷少的氮化矽膜作為第一氮化物絕緣層。接著，藉由將源氣體換為矽烷和氮的混合氣體，形成氫濃度低且能夠阻擋氫的氮化矽膜作為第二氮化物絕緣層。藉由使用這種形成方法，能夠形成層疊有缺陷少且具有雜質阻 擋性的氮化物絕緣層的閘極絕緣層207。
此外，當作為閘極絕緣層207形成氧化鎵膜時，可以藉由MOCVD法形成。
另外，藉由隔著氧化物絕緣層層疊形成有電晶體的通道的半導體層208和含有氧化鉿的絕緣層並將電子注入含有氧化鉿的絕緣層，能夠改變電晶體的臨界電壓。
[形成半導體層]
半導體層208可以使用非晶半導體、微晶半導體、多晶半導體等形成。例如，可以使用非晶矽或微晶鍺等。此外，也可以使用碳化矽、鎵砷、氧化物半導體或氮化物半導體等化合物半導體、有機半導體等。除了電漿CVD法、LPCVD法或MOCVD法等CVD法之外，可以藉由利用ALD法、濺射法、塗佈法、印刷法等形成半導體層208。當藉由MOCVD法形成半導體層208時，能夠減少對被形成面造成的損傷。
將半導體層208的厚度設定為3nm以上且200nm以下，較佳為3nm以上且100nm以下，更佳為3nm以上且50nm以下。在本實施方式中，作為半導體層208，藉由濺射法形成30nm厚的氧化物半導體膜。
接著，在氧化物半導體膜上形成光阻遮罩，並且藉由使用該光阻遮罩選擇性地對導電膜的一部分進行蝕刻來形成半導體層208。光阻遮罩可以適當地使用光微 影法、印刷法、噴墨法等形成。當藉由噴墨法形成光阻遮罩時不使用光罩，因此能夠減少製造成本。
作為氧化物半導體膜的蝕刻方法，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一者或兩者。在氧化物半導體膜的蝕刻結束之後，去除光阻遮罩(參照圖9B)。
[形成源極電極、汲極電極等]
接著，形成源極電極209a、汲極電極209b、佈線219以及端子電極216(參照圖9C)。首先，在閘極絕緣層207及半導體層208上形成導電膜。導電膜可以藉由利用電漿CVD法、LPCVD法或MOCVD法等CVD法、ALD法、濺射法、蒸鍍法、塗佈法、印刷法等形成。當藉由MOCVD法形成導電膜時，能夠減少對被形成面造成的損傷。
作為導電膜，可以使用由鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢構成的單質金屬、或者以上述金屬為主要成分的合金的單層或疊層形成。例如，有包含矽的鋁膜的單層結構、在鈦膜上層疊鋁膜的兩層結構、在鎢膜上層疊鋁膜的兩層結構、在銅-鎂-鋁合金膜上層疊銅膜的兩層結構、在鈦膜上層疊銅膜的兩層結構、在鎢膜上層疊銅膜的兩層結構、依次層疊鈦膜或氮化鈦膜、鋁膜或銅膜和鈦膜或氮化鈦膜的三層結構、依次層疊鉬膜或氮化鉬膜、鋁膜或銅膜和鉬膜或氮化鉬膜的三層結構、依次層疊鎢膜、銅膜和鎢膜的三層結構等。
另外，也可以使用銦錫氧化物、鋅氧化物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加氧化矽的銦錫氧化物等包含氧的導電材料、包含氮化鈦、氮化鉭等包含氮的導電材料。另外，也可以採用組合包含上述金屬元素的材料和包含氧的導電材料的疊層結構。此外，也可以採用組合包含上述金屬元素的材料和包含氮的導電材料的疊層結構。另外，也可以採用組合包含上述金屬元素的材料、包含氧的導電材料和包含氮的導電材料的疊層結構。
此外，導電膜的厚度較佳為5nm以上且500nm以下，更佳為10nm以上且300nm以下，進一步較佳為10nm以上且200nm以下。在本實施方式中，作為導電膜形成300nm厚的鎢膜。
接著，使用光阻遮罩選擇性地對導電膜的一部分進行蝕刻，來形成源極電極209a、汲極電極209b、佈線219以及端子電極216(包括使用相同的層形成的其他電極或佈線)。光阻遮罩可以適當地使用光微影法、印刷法、噴墨法等形成。當藉由噴墨法形成光阻遮罩時不使用光罩，因此能夠減少製造成本。
作為導電膜的蝕刻方法，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一者或兩者。另外，藉由蝕刻製程，有時會去除所露出的半導體層208的一部分。
在導電膜的蝕刻結束之後，去除光阻遮罩 (參照圖9C)。
[形成絕緣層]
接著，在源極電極209a、汲極電極209b、佈線219以及端子電極216上形成絕緣層210(參照圖9D)。絕緣層210可以使用與絕緣層205相同的材料及方法形成。
此外，當將氧化物半導體用於半導體層208時，較佳為至少將含氧的絕緣層用於絕緣層210的與半導體層208接觸的區域。例如，當絕緣層210為多個層的疊層時，至少與半導體層208接觸的層較佳為使用氧化矽形成。
[形成開口]
接著，使用光阻遮罩選擇性地對絕緣層210的一部分進行蝕刻，來形成開口128(參照圖9D)。此時，還同時形成未圖示的開口。光阻遮罩可以適當地使用光微影法、印刷法、噴墨法等形成。當藉由噴墨法形成光阻遮罩時不使用光罩，因此能夠減少製造成本。
作為絕緣層210的蝕刻方法，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一者或兩者。
藉由形成開口128，使汲極電極209b及端子電極216的一部分露出。在形成開口128之後，去除光阻遮罩。
[形成平坦化膜]
接著，在絕緣層210上形成絕緣層211(參照圖10A)。絕緣層211可以使用與絕緣層205相同的材料及方法形成。
此外，為了減少發光元件125的被形成面的表面凹凸，也可以對絕緣層211進行平坦化處理。對平坦化處理沒有特別的限制，可以使用拋光處理(例如，化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing：CMP))或乾蝕刻處理。
此外，藉由使用具有平坦化功能的絕緣材料形成絕緣層211，可以省略拋光處理。作為具有平坦化功能的絕緣材料，例如可以使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂等有機材料。此外，除了上述有機材料之外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。另外，也可以層疊多個由上述材料形成的絕緣層形成絕緣層211。
另外，去除與開口128重疊的區域的絕緣層211的一部分形成開口129。此時，還同時形成未圖示的開口。此外，去除在後面外部電極124連接的區域的絕緣層211。注意，藉由使用光微影製程在絕緣層211上形成光阻遮罩，並對絕緣層211的沒有被光阻遮罩覆蓋的區域進行蝕刻，由此可以形成開口129等。藉由形成開口129，使汲極電極209b的表面露出。
另外，藉由將具有光敏性的材料用於絕緣層211，可以形成開口129而無需使用光阻遮罩。在本實施 方式中，使用光敏性聚醯亞胺樹脂形成絕緣層211及開口129。
[形成陽極]
接著，在絕緣層211上形成電極115(參照圖10B)。電極115較佳為使用高效率地反射在後面形成的EL層117所發射的光的導電材料形成。此外，電極115不侷限於單層，也可以採用多個層的疊層結構。例如，當將電極115用作陽極時，與EL層117接觸的層也可以為其功函數大於EL層117且具有透光性的層諸如銦錫氧化物等，並且可以接觸於該層地設置反射率較高的層(鋁層、包含鋁的合金層或銀層等)。
另外，雖然本實施方式例示出頂部發射結構的顯示裝置，但也可以採用底部發射結構(下面發射結構)或者雙發射結構(雙面發射結構)的顯示裝置。
當顯示裝置100採用底部發射結構(下面發射結構)或者雙發射結構(雙面發射結構)時，將透光導電材料用於電極115，即可。
藉由在絕緣層211上形成用作電極115的導電膜，在該導電膜上形成光阻遮罩，並對該導電膜的沒有被光阻遮罩覆蓋的區域進行蝕刻，由此可以形成電極115。作為該導電膜的蝕刻方法，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一者或兩者。光阻遮罩可以適當地使用光微影法、印刷法、噴墨法等形成。當藉由噴墨法形成光阻遮罩 時不使用光罩，因此能夠減少製造成本。在形成電極115之後，去除光阻遮罩。
[形成分隔壁]
接著，形成分隔壁114(參照圖10C)。分隔壁114是為了防止相鄰像素中的發光元件125之間非意圖地電短路並防止從發光元件125非意圖地發光而設置的。此外，在形成在後面所述的EL層117時使用金屬遮罩的情況下，分隔壁114還具有不使金屬遮罩與電極115接觸的功能。分隔壁114可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、醯亞胺樹脂等有機樹脂材料、氧化矽等無機材料形成。分隔壁114的側壁較佳為形成為錐形形狀或具有連續曲率的傾斜面。藉由作為分隔壁114的側壁採用上述形狀，可以實現在後面形成的EL層117或電極118的良好的覆蓋性。
[形成EL層]
關於EL層117的結構，將在實施方式7中進行說明。
[形成陰極]
在本實施方式中由於將電極118用作陰極，所以較佳為使用能夠將電子注入在後面所述的EL層117且功函數小的材料形成電極118。此外，作為電極118，除了由功函數小的金屬形成的單層之外，還可以使用在由功函數小 的鹼金屬或鹼土金屬形成的幾nm厚的緩衝層上層疊有鋁等金屬材料、銦錫氧化物等導電氧化物材料或者半導體材料的疊層。此外，緩衝層也可以使用鹼土金屬的氧化物、鹵化物、鎂-銀等合金。
此外，在透過電極118提取EL層117所發射的光的情況下，電極118較佳為對可見光具有透光性。發光元件125包括電極115、EL層117及電極118(參照圖10D)。
[形成對置元件形成用基板]
隔著黏合層120在元件形成用基板101上形成設置有遮光層264、著色層266、保護層268、絕緣層145及剝離層143的元件形成用基板141(參照圖11A)。另外，由於元件形成用基板141以與元件形成用基板101相對的方式形成，因此有時將元件形成用基板141稱為“對置元件形成用基板”。關於元件形成用基板141(對置元件形成用基板)的結構，將在後面說明。
接觸於電極118地形成黏合層120。元件形成用基板141由黏合層120固定。作為黏合層120可以使用光固化黏合劑、反應固化黏合劑、熱固性黏合劑或厭氧黏合劑。例如，可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、亞胺樹脂等。在頂部發射結構的情況下，當在黏合層120中混合光的波長以下的尺寸的乾燥劑(沸石等)或具有高折射率的填料(氧化鈦、鋯等)時，EL層117所發射的光的提取效率得 到提高，所以是較佳的。
[將元件形成用基板從絕緣層剝離]
接著，將隔著剝離層113與絕緣層205接觸的元件形成用基板101從絕緣層205剝離(參照圖11B)。作為剝離方法，施加機械力(用手或夾具進行剝離的處理、使滾筒轉動進行分離的處理、超音波處理等)，即可。例如，使用鋒利的刀具或者照射雷射等在剝離層113中形成切口，且向該切口中注入水。或者，將水噴灑在該切口。藉由由於毛細現象而水滲到剝離層113與絕緣層205之間，可以容易將元件形成用基板101從絕緣層205剝離。
[貼合基板]
接著，隔著黏合層112將基板111貼合到絕緣層205(參照圖12A、圖12B)。黏合層112可以使用與黏合層120相同的材料。
[將對置元件形成用基板從絕緣層剝離]
接著，將隔著剝離層143與絕緣層145接觸的元件形成用基板141從絕緣層145剝離(參照圖13A)。元件形成用基板141的剝離可以使用與上述的元件形成用基板101的剝離相同的方法進行。
[貼合基板]
接著，隔著黏合層142將基板121貼合到絕緣層145(參照圖13B)。黏合層142可以使用與黏合層120相同的材料。
[形成開口]
接著，去除與端子電極216及開口128重疊的區域中的基板121、黏合層142、絕緣層145、著色層266、保護層268以及黏合層120形成開口122(參照圖14A)。藉由形成開口122，使端子電極216的表面的一部分露出。
[形成外部電極]
接著，在開口122中形成各向異性導電連接層123，在各向異性導電連接層123上形成用來對顯示裝置100輸入電力或信號的外部電極124(參照圖14B)。端子電極216藉由各向異性導電連接層123與外部電極124電連接。另外，作為外部電極124，例如可以使用FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)。
作為各向異性導電連接層123可以使用多種各向異性導電薄膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)或各向異性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
各向異性導電連接層123是使對熱固性樹脂或者熱固性及光固化性的樹脂混合導電粒子的膏狀或片狀的材料固化而形成的。藉由光照射或熱壓接合，各向異性導電連接層123呈現各向異性。作為用於各向異性導電連 接層123的導電粒子，例如可以使用由薄膜狀的金屬諸如Au、Ni、Co等覆蓋球狀的有機樹脂的粒子。
[形成在對置元件形成用基板上的結構物]
接著，參照圖15A至圖15D說明形成在元件形成用基板141上的遮光層264等結構物。
首先，準備元件形成用基板141。作為元件形成用基板141，可以使用與元件形成用基板101相同的材料。接著，在元件形成用基板141上形成剝離層143以及絕緣層145(參照圖15A)。剝離層143可以與剝離層113相同的材料及方法形成。另外，絕緣層145可以與絕緣層205相同的材料及方法形成。
接著，在絕緣層145上形成遮光層264(參照圖15B)。然後，形成著色層266(參照圖15C)。
遮光層264及著色層266藉由使用各種材料並利用印刷法、噴墨法、光微影法在所需的位置形成。
接著，在遮光層264及著色層266上形成保護層268(參照圖15D)。
作為保護層268，例如可以使用丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等有機絕緣層。藉由形成保護層268，能夠抑制例如包含在著色層266中的雜質等擴散到發光元件125一側。注意，不一定需要設置保護層268。
另外，作為保護層268也可以形成具有透光性的導電膜。藉由作為保護層268設置具有透光性的導電 膜，能夠使從發光元件125發射的光235透過保護層268，並能夠防止離子化的雜質經過保護層268。
具有透光性的導電膜例如可以使用氧化銦、銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等形成。另外，除了石墨烯等之外，還可以使用形成為薄到其允許具有透光性的金屬膜。
藉由上述製程，可以在元件形成用基板141上形成遮光層264等結構物。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式6
可以藉由改變頂部發射結構的顯示裝置100的結構，形成底部發射結構的顯示裝置150。
圖16示出底部發射結構的顯示裝置150的剖面結構實例。另外，圖16是與在作為顯示裝置100的透視圖的圖1A中以點劃線表示的部分X1-X2相等的部分的剖面圖。底部發射結構的顯示裝置150與顯示裝置100的不同之處是遮光層264、著色層266以及保護層268的形成位置不同。明確而言，在顯示裝置150中，在基板111上形成遮光層264、著色層266以及保護層268。
另外，在顯示裝置150中，在基板121上直接形成絕緣層145，並隔著黏合層120將基板121貼合到基板111。即，無需將絕緣層145從元件形成用基板141 轉置，所以不需要設置元件形成用基板141、剝離層143、黏合層142。因此，能夠提高顯示裝置的生產率或良率等。另外，顯示裝置150的其他構成要素可以與顯示裝置100同樣地形成。
此外，在底部發射結構的顯示裝置150中，電極115使用透光導電材料形成，並且電極118使用高效率地反射EL層117所發射的光的導電材料形成。
另外，用於底部發射結構的顯示裝置150的佈線138及佈線151(在圖16中未圖示)較佳為使用具有透光性的材料形成。
在顯示裝置150中，EL層117所發射的光235透過著色層266從基板111一側發射。
另外，顯示裝置150是作為構成驅動電路133的電晶體使用電晶體272的例子。電晶體272可以與電晶體252同樣地形成，但與電晶體252不同之處是電晶體272在絕緣層210上的與半導體層208重疊的區域包括電極263。電極263可以使用與閘極電極206相同的材料及方法形成。
可以將電極263用作閘極電極。另外，有時將閘極電極206和閘極電極263中的一個簡單地稱為“閘極電極”，將另一個稱為“背閘極電極”。另外，有時將閘極電極206和閘極電極226中的一個稱為“第一閘極電極”，將另一個稱為“第二閘極電極”。
一般而言，背閘極電極使用導電膜形成並以 半導體層的通道形成區位於閘極電極與該背閘極電極之間的方式設置。因此，背閘極電極可以與閘極電極具有同樣的功能。背閘極電極的電位可以與閘極電極相等，也可以為GND電位或任意電位。藉由改變背閘極電極的電位，可以改變電晶體的臨界電壓。
另外，由於閘極電極及背閘極電極使用導電膜形成，因此還具有防止在電晶體的外部產生的電場影響到形成有通道的半導體層的功能(尤其是遮蔽靜電的靜電遮蔽功能)。
另外，當光從背閘極電極一側入射時，藉由作為背閘極電極使用具有遮光性的導電膜形成，能夠防止光從背閘極電極一側入射到半導體層。由此，能夠防止半導體層的光劣化，並防止電晶體的臨界電壓偏移等電特性劣化。
藉由隔著半導體層208設置閘極電極206以及電極263並將閘極電極206及電極263的電位設定為相等，半導體層208中的載子流過的區域在膜厚度方向上擴大，所以載子的移動量增加。其結果，電晶體的通態電流(on-state current)增大，並且場效移動率也增高。
另外，閘極電極206以及電極263都具有遮蔽來自外部的電場的功能，因此存在於閘極電極206的下層中且存在於電極263的上層中的電荷不會影響到半導體層208。其結果，應力測試(例如，對閘極施加負電壓的-GBT(Gate Bias-Temperature：閘極偏壓溫度)應力測試 或者對閘極施加正電壓的+GBT應力測試)之前後的臨界電壓的變動小。另外，能夠抑制不同的汲極電壓下的通態電流的上升電壓變動。
另外，BT應力測試是一種加速測試，並可以在短時間內評價對長期間的使用所引起的電晶體的特性變化(即，隨時間變化)。尤其在BT應力測試前後的電晶體的臨界電壓的變動量是檢查電晶體可靠性時的重要指標。在BT應力測試前後，臨界電壓的變動量越少，電晶體的可靠性越高。
藉由設置閘極電極206以及電極263並將閘極電極206以及電極263的電位設定為相等，臨界電壓的變動量得到減少。因此，多個電晶體中的電特性的偏差也同時得到降低。
另外，也可以在形成於顯示區域131中的電晶體232中設置背閘極電極。
另外，與圖21A及圖21B等同樣，還可以設置觸摸感測器。圖22A及圖22B示出該情況的例子。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式7
在本實施方式中，對可用於發光元件125的發光元件的結構實例進行說明。注意，本實施方式所示的EL層320相當於其他實施方式所示的EL層117。
〈發光元件的結構〉
圖17A所示的發光元件330具有在一對電極(電極318、電極322)之間夾有EL層320的結構。此外，在下面本實施方式的說明中，作為例子，將電極318用作陽極，將電極322用作陰極。
此外，EL層320至少包括發光層形成即可，也可以採用除發光層外還包括功能層的疊層結構。作為發光層以外的功能層，可以使用包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質、雙極性(電子及電洞的傳輸性高的物質)的物質等的層。明確而言，可以適當地組合電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等功能層而使用。
圖17A所示的發光元件330在由於產生於電極318和電極322之間的電位差而使電流流過並在EL層320中電洞和電子再結合時進行發光。換言之，在EL層320中形成有發光區域。
在本發明的一個方式中，來自發光元件330的發光從電極318一側或電極322一側被提取到外部。因此，電極318和電極322中的任一個由透光物質構成。
另外，如圖17B所示的發光元件331那樣，可以在電極318和電極322之間層疊多個EL層320。當EL層320具有n(n是2以上的自然數)層的疊層結構時，較佳為在第m(m是滿足1m<n的自然數)個EL 層320和第(m+1)個EL層320之間分別設置電荷產生層320a。
電荷產生層320a可以使用如下材料形成：有機化合物和金屬氧化物的複合材料；金屬氧化物；有機化合物和鹼金屬、鹼土金屬或這些的化合物的複合材料。除此之外，還可以適當地組合上述材料形成電荷產生層320a。作為有機化合物和金屬氧化物的複合材料，例如是包含有機化合物和氧化釩、氧化鉬或氧化鎢等金屬氧化物的複合材料。作為有機化合物，可以使用各種化合物：芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴等低分子化合物；或者這些低分子化合物的低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等。此外，作為有機化合物，較佳為使用具有電洞傳輸性且其電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的有機化合物。但是，只要是其電洞傳輸性高於其電子傳輸性的物質，就可以使用上述以外的物質。另外，由於用於電荷產生層320a的這些材料具有優異的載子注入性、載子傳輸性，所以可以實現發光元件330的低電流驅動及低電壓驅動。
另外，電荷產生層320a也可以使用有機化合物和金屬氧化物的複合材料與其他材料的組合來形成。例如，也可以組合包含有機化合物和金屬氧化物的複合材料的層與包含選自電子供給物質中的一種化合物和電子傳輸性高的化合物的層而形成。另外，也可以組合包含有機化合物和金屬氧化物的複合材料的層與透明導電膜而形成。
具有上述結構的發光元件331不容易產生能 量的移動或淬滅等的問題，並且因為具有上述結構的發光元件的材料的選擇範圍變大，所以可以更容易地形成兼有高發光效率和長使用壽命的發光元件。另外，也容易從一個發光層得到磷光發光而從另一個發光層得到螢光發光。
另外，當對電極318和電極322之間施加電壓時，電荷產生層320a具有對接觸於電荷產生層320a地形成的一個EL層320注入電子的功能，並具有對另一個EL層320注入電洞的功能。
在圖17B所示的發光元件331中，藉由改變用於EL層320的發光物質的種類，可以得到各種發光顏色。另外，藉由作為發光物質使用多個不同發光顏色的物質，也可以得到寬光譜的發光或白色發光。
當使用圖17B所示的發光元件331得到白色發光時，多個EL層的組合採用包括紅色、藍色及綠色的光而發射白色光的結構即可，例如可以舉出包括作為發光物質包含藍色螢光材料的發光層以及作為發光物質包含綠色及紅色的磷光材料的發光層的結構。也可以採用包括呈現紅色發光的發光層、呈現綠色發光的發光層以及呈現藍色發光的發光層的結構。或者，藉由採用包括發射處於補色關係的光的發光層的結構，也可以獲得白色發光。在層疊有兩個發光層的疊層型元件中，當使從一個發光層獲得的發光顏色和從另一個發光層獲得的發光顏色處於補色關係時，作為補色關係可以舉出藍色和黃色或者藍綠色和紅色等。
另外，在上述疊層型元件的結構中，藉由在層疊的發光層之間配置電荷產生層，能夠在保持低電流密度的狀態下實現高亮度區域中的長使用壽命的元件。另外，由於可以降低電極材料的電阻所導致的電壓下降，因此能夠實現大面積的均勻發光。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式8
在本實施方式中，參照圖18A和圖18B說明可應用於顯示裝置100所具有的像素130的像素的平面形狀或排列的一個例子。
圖18A示出在橫方向上交替配置子像素為H排列的像素130和子像素為V排列的像素130，並在縱方向上也交替配置子像素為V排列的像素130和子像素為H排列的像素130的例子。藉由交替配置H排列的像素130和V排列的像素130，能夠減少顯示裝置100的顯示品質的偏差。
圖18B示出使像素130所具有的子像素的平面形狀成為彎折形狀的例子。藉由使子像素成為彎折形狀，能夠得到與圖18A所示的排列相同的效果，並減少顯示裝置100的顯示品質的偏差。另外，圖18B中的彎折角θ較佳為80°以上且100°以下，更佳為85°以上且95°以下。
在顯示區域131整體或大部分彎曲時等，圖18A及圖18B所示的像素的平面形狀及排列是特別有效的。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式9
在本實施方式中，參照圖式說明應用本發明的一個方式的顯示裝置的電子裝置的一個例子。
作為應用具有撓性形狀的顯示裝置的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示螢幕、數位相機、數位攝影機等照相機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置、彈珠機等大型遊戲機等。
圖23A示出腕帶型顯示裝置的一個例子。可攜式顯示裝置7100包括外殼7101、彎曲的顯示部7102、操作按鈕7103以及收發裝置7104。
在可攜式顯示裝置7100中，可以由收發裝置7104接收影像信號，且可以將所接收的影像顯示在顯示部7102。此外，也可以將聲音信號發送到其他接收設備。
此外，可以由操作按鈕7103進行電源的ON、OFF工作或所顯示的影像的切換或者音量調整等。
在此，顯示部7102組裝有本發明的一個方式的顯示裝置。因此，能夠提供一種顯示品質及可靠性高的可攜式顯示裝置。
圖23B示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400包括組裝在外殼7401中的具有彎曲區域的顯示部7402、操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，藉由將顯示裝置用於顯示部7402製造行動電話機7400。
圖23B所示的行動電話機7400藉由用手指等觸摸顯示部7402，可以輸入資料。此外，藉由用手指等觸摸顯示部7402可以進行打電話或輸入文字等所有操作。
此外，藉由操作按鈕7403的操作，可以切換電源的ON、OFF或顯示在顯示部7402的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
在此，在顯示部7402中組裝有本發明的一個方式的顯示裝置。因此，可以提供一種顯示品質及可靠性高的行動電話機。
圖23C示出電視機的一例。在電視機9600中，外殼9601組裝有顯示部9602。利用具有彎曲區域的顯示部9602可以顯示影像。另外，外殼9601的側面安裝有揚聲器9603。此外，在此示出利用支架9604支撐外殼9601的結構。藉由應用上述實施方式所示的顯示裝置，可以提供一種可靠性高的電視機。
在此，顯示部9602組裝有本發明的一個方式的顯示裝置。因此，可以提供一種顯示品質及可靠性高的電視機。
可以藉由利用外殼9601所具備的操作開關或另行提供的遙控器進行電視機的操作。或者，也可以在遙控器中設置用來顯示從該遙控器輸出的資訊的顯示部。
另外，電視機設置有接收機、數據機等。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機連接到有線或無線方式的通信網路，從而也可以進行單向(從發送者到接收者)或雙向(發送者和接收者之間或接收者之間等)的資料通信。
本實施方式所示的結構及方法等可以與其他實施方式所示的結構及方法等適當地組合而實施。

Claims (10)

  1. 一種包括第一顯示區域以及第二顯示區域的顯示裝置，該第一顯示區域以及該第二顯示區域都包括像素，其中，該第一顯示區域的表面相對該第二顯示區域的表面傾斜，該像素包括多個子像素，並且，該第一顯示區域中的該子像素的排列方向不同於該第二顯示區域中的該子像素的排列方向。
  2. 一種包括第一顯示區域以及第二顯示區域的顯示裝置，該第一顯示區域以及該第二顯示區域都包括像素，其中，該像素包括第一子像素以及第二子像素，在該第一顯示區域中，該第一子像素以及該第二子像素在第一方向上排列，在該第二顯示區域中，該第一子像素以及該第二子像素在第二方向上排列，並且，該第一方向不同於該第二方向。
  3. 根據申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該第一方向垂直於該第二方向。
  4. 根據申請專利範圍第2項之顯示裝置，其中該第一子像素包括第一著色層，並且該第二子像素包括第二著色層。
  5. 根據申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其中該第二顯示區域包括驅動電路。
  6. 根據申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中該第二顯示區域為彎折。
  7. 根據申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中該第二顯示區域為彎曲。
  8. 根據申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其中該像素包括發光元件，並且該發光元件發射白色光。
  9. 根據申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其中該像素包括包含氧化物半導體的電晶體。
  10. 根據申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中該氧化物半導體包括銦、鎵以及鋅。
TW103131161A 2013-09-18 2014-09-10 顯示裝置 TWI639229B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013192638 2013-09-18
JP2013-192638 2013-09-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201515215A TW201515215A (zh) 2015-04-16
TWI639229B true TWI639229B (zh) 2018-10-21

Family

ID=52667144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103131161A TWI639229B (zh) 2013-09-18 2014-09-10 顯示裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9269915B2 (zh)
JP (7) JP6461526B2 (zh)
KR (4) KR102419551B1 (zh)
TW (1) TWI639229B (zh)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9229481B2 (en) 2013-12-20 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102300025B1 (ko) * 2014-10-08 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2016151429A1 (en) 2015-03-23 2016-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and information processing device
US10204535B2 (en) * 2015-04-06 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR102512714B1 (ko) * 2015-09-15 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이의 제어 방법 및 컴퓨터 프로그램
KR102510565B1 (ko) * 2015-12-31 2023-03-15 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
JP6620601B2 (ja) * 2016-03-03 2019-12-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
US10586495B2 (en) 2016-07-22 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2018022063A (ja) * 2016-08-04 2018-02-08 凸版印刷株式会社 カラーフィルタおよび反射型表示装置
WO2018179914A1 (ja) * 2017-03-28 2018-10-04 ソニー株式会社 表示装置、および電子機器
JP6889007B2 (ja) * 2017-04-11 2021-06-18 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2019062236A1 (zh) 2017-09-30 2019-04-04 昆山国显光电有限公司 显示屏、显示屏驱动方法及其显示装置
CN108257514A (zh) * 2017-09-30 2018-07-06 昆山国显光电有限公司 显示屏、显示屏驱动方法及其显示装置
KR20200063591A (ko) * 2018-11-28 2020-06-05 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이장치
CN110969944B (zh) * 2019-12-06 2020-12-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 异形显示屏及显示装置
CN113112950A (zh) * 2021-04-27 2021-07-13 合肥维信诺科技有限公司 图像显示方法、信号生成装置、显示装置及存储介质
US20240038776A1 (en) * 2021-04-30 2024-02-01 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Display substrate and display device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200628895A (en) 2004-12-20 2006-08-16 Samsung Electronics Co Ltd Display device

Family Cites Families (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
DE69635107D1 (de) 1995-08-03 2005-09-29 Koninkl Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4244120B2 (ja) * 2001-06-20 2009-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
EP1443130B1 (en) 2001-11-05 2011-09-28 Japan Science and Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
US7049190B2 (en) 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP3897173B2 (ja) * 2003-05-23 2007-03-22 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP3958306B2 (ja) * 2003-09-02 2007-08-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
EP2246894B2 (en) 2004-03-12 2018-10-10 Japan Science and Technology Agency Method for fabricating a thin film transistor having an amorphous oxide as a channel layer
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US8350466B2 (en) * 2004-09-17 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
KR100998527B1 (ko) 2004-11-10 2010-12-07 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
RU2358354C2 (ru) 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Светоизлучающее устройство
JP5118812B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US7608531B2 (en) 2005-01-28 2009-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI562380B (en) 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
JP4431520B2 (ja) * 2005-04-11 2010-03-17 ソフトバンクモバイル株式会社 電子機器
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
JP4740662B2 (ja) 2005-06-30 2011-08-03 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP1998375A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101358954B1 (ko) 2005-11-15 2014-02-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
WO2008010327A1 (fr) * 2006-07-18 2008-01-24 Sharp Kabushiki Kaisha panneau à cristaux liquides
JP4320682B2 (ja) * 2006-07-20 2009-08-26 セイコーエプソン株式会社 表示装置、表示装置の駆動方法及び電子機器
KR20080011872A (ko) * 2006-08-01 2008-02-11 삼성전자주식회사 액정 표시 패널
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2008089884A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Toshiba Corp 表示素子
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
JP5201841B2 (ja) * 2007-01-25 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
CN101663762B (zh) 2007-04-25 2011-09-21 佳能株式会社 氧氮化物半导体
JP2008287068A (ja) 2007-05-18 2008-11-27 Sony Corp 表示装置
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP2009104112A (ja) * 2007-10-01 2009-05-14 Mitsubishi Electric Corp 表示装置
WO2009069358A1 (ja) 2007-11-29 2009-06-04 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
US9013367B2 (en) * 2008-01-04 2015-04-21 Nanolumens Acquisition Inc. Flexible display
JP5216716B2 (ja) * 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
US20100265187A1 (en) 2009-04-20 2010-10-21 Shih Chang Chang Signal routing in an oled structure that includes a touch actuated sensor configuration
KR101589974B1 (ko) * 2009-05-06 2016-02-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP5532481B2 (ja) * 2009-05-13 2014-06-25 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 カラー画像表示方式、カラーフィルタ基板、カラー画素アレイ基板、画像表示装置及び電子機器
JP5509703B2 (ja) 2009-07-15 2014-06-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP2011023558A (ja) * 2009-07-16 2011-02-03 Sharp Corp 有機ｅｌ表示装置
KR101041146B1 (ko) 2009-09-02 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR101082294B1 (ko) * 2009-09-04 2011-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치
US20120206396A1 (en) * 2009-10-27 2012-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device with attached touch panel
KR101611906B1 (ko) 2009-10-27 2016-04-14 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널을 갖는 입체 영상 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2011192567A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ装置
KR101274649B1 (ko) * 2010-05-27 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 일체형 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2012093498A (ja) 2010-10-26 2012-05-17 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置
KR101178914B1 (ko) * 2010-10-29 2012-09-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치
JP2011097095A (ja) 2011-01-18 2011-05-12 Hitachi High-Technologies Corp 圧着装置及びフラットパネルディスプレイの製造装置
WO2012115016A1 (en) * 2011-02-25 2012-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using light-emitting device
JP6076617B2 (ja) * 2011-05-13 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101320384B1 (ko) * 2011-06-30 2013-10-23 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널을 포함하는 표시 장치
JP5881057B2 (ja) * 2011-11-30 2016-03-09 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法
JP2013164498A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Sony Corp 表示装置
JP5386623B2 (ja) * 2012-09-19 2014-01-15 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 面表示装置及び電子機器
KR20150007872A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 삼성디스플레이 주식회사 곡면 형상을 갖는 표시 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200628895A (en) 2004-12-20 2006-08-16 Samsung Electronics Co Ltd Display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP7462817B2 (ja) 2024-04-05
JP7121844B2 (ja) 2022-08-18
KR102592428B1 (ko) 2023-10-25
JP6944574B2 (ja) 2021-10-06
KR20220162664A (ko) 2022-12-08
KR20220101064A (ko) 2022-07-19
KR102419551B1 (ko) 2022-07-12
US9269915B2 (en) 2016-02-23
KR20230070429A (ko) 2023-05-23
TW201515215A (zh) 2015-04-16
JP7289003B2 (ja) 2023-06-08
US20150076473A1 (en) 2015-03-19
JP2020201492A (ja) 2020-12-17
JP2019109516A (ja) 2019-07-04
KR102470900B1 (ko) 2022-11-28
KR20150032482A (ko) 2015-03-26
KR102533584B1 (ko) 2023-05-18
JP2022003398A (ja) 2022-01-11
JP2023116539A (ja) 2023-08-22
JP2015084090A (ja) 2015-04-30
JP2020106863A (ja) 2020-07-09
JP6461526B2 (ja) 2019-01-30
JP6676140B2 (ja) 2020-04-08
JP2022163135A (ja) 2022-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7289003B2 (ja) 表示装置
JP7018157B2 (ja) 発光装置の作製方法
JP7171804B2 (ja) 発光装置
US20160268315A1 (en) Display Device and Electronic Device
JP2024071550A (ja) 発光装置及び発光装置の作製方法