WO2018179914A1 - 表示装置、および電子機器 - Google Patents

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WO2018179914A1
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light
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上田　大輔
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ソニー株式会社
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Definitions

  • the present disclosure relates to a display device and an electronic device.
  • organic EL elements organic electroluminescence elements
  • the organic EL element is a self-luminous element that emits light by direct current driving at a low voltage, and is configured, for example, by laminating an organic layer including a light emitting layer between an anode and a cathode.
  • a plurality of organic EL elements including a stacked structure of a first electrode layer, a light emitting layer, and a second electrode layer are provided on a first substrate, and the first substrate is provided.
  • a display device is disclosed in which the plurality of organic EL elements are sealed by a second substrate disposed opposite to the substrate.
  • the present disclosure proposes a new and improved display device and electronic device that can improve the light extraction efficiency from the light emitting element.
  • a plurality of light emitting elements constituting a pixel, a light guide scattering layer that is provided on the plurality of light emitting elements and scatters light emitted from the plurality of light emitting elements, and at least for each of the pixels And a reflective partition that separates the light guide scattering layer and reflects light emitted from the plurality of light emitting elements.
  • a plurality of light emitting elements that constitute a pixel, a light guide scattering layer that is provided on the plurality of light emitting elements and scatters light emitted from the plurality of light emitting elements, and at least the above
  • a display unit including a reflective partition that separates the light guide scattering layer for each pixel and reflects light emitted from the plurality of light emitting elements; and a display control unit that controls the display unit, Equipment is provided.
  • the present disclosure it is possible to improve the light extraction efficiency from the light emitting element by scattering the light emitted from the light emitting element by the light guide scattering layer. Further, according to the present disclosure, it is possible to prevent color mixture between adjacent pixels or light emitting elements by providing a reflective partition that separates the light guide scattering layer.
  • FIG. 44D is an exterior diagram showing another example of an electronic device to which the display device according to the embodiment can be applied.
  • FIG. 44D is an exterior diagram showing another example of an electronic device to which the display device according to the embodiment can be applied.
  • FIG. 44D is an exterior diagram showing another example of an electronic device to which the display device according to the embodiment can be applied.
  • FIG. 44D is an exterior diagram showing another example of an electronic device to which the display device according to the embodiment can be applied.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view schematically illustrating a stacked structure of a display device according to a first configuration
  • FIG. 1B is a plan view schematically illustrating a planar configuration of the display device according to the same configuration.
  • the display device 1 includes a support substrate 11 and a plurality of light-emitting elements 13R, 13G, and 13B (collectively light-emitting elements 13) provided on the support substrate 11.
  • a light guide scattering layer 15 provided on the plurality of light emitting elements 13R, 13G, and 13B, and a reflective partition wall 17 that separates the light guide scattering layer 15 for each of the light emitting elements 13R, 13G, and 13B.
  • the display device 1 illustrated in FIGS. 1A and 1B is a top emission display device that extracts light emitted from the light emitting element 13 through the light guide scattering layer 15.
  • the support substrate 11 is a support that supports a plurality of light emitting elements 13R, 13G, and 13B arranged on one surface. Although not shown, a control circuit that controls driving of the light emitting element 13, a power supply circuit that supplies power to the light emitting element 13, and a multilayer wiring layer including various wirings may be provided on the support substrate 11. Good.
  • the light emitting element 13 is, for example, a self-luminous organic electroluminescence element (including a first electrode, an organic light emitting layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the organic light emitting layer). Organic EL element). The light emitting element 13 emits light by sandwiching the organic light emitting layer between the first electrode and the second electrode and applying an electric field to the organic light emitting layer.
  • the light emitting element 13 may emit light in a wavelength band corresponding to each color constituting the pixel of the display device 1.
  • the light emitting element 13 may include an organic light emitting layer that emits light in a wavelength band corresponding to each color.
  • the light emitting element 13 may include an organic light emitting layer that emits white light and a color filter that converts the white light emitted from the organic light emitting layer into light in a wavelength band corresponding to each color.
  • each color which comprises the pixel of the display apparatus 1 is a combination of the well-known color which comprises a pixel, it is possible to use arbitrary combinations, for example, three colors of red, green, and blue, Alternatively, four colors such as red, green, blue, and white can be used.
  • the light guide scattering layer 15 is transparent and scatters the light emitted from the light emitting element 13. Specifically, the light guide scattering layer 15 is formed of a transparent material having fine particles, crystal grains, crystal grain boundaries, a non-uniform structure, or a micro structure inside to scatter light.
  • the light guide scattering layer 15 is reflected or totally reflected at the interface of each layer of the display device 1, and scatters the light emitted from the light emitting element 13 from the light remaining in each layer of the display device 1. 1 can be efficiently taken out to the outside.
  • the transparent material forming the light guide scattering layer 15 is preferably a material having a high light transmittance in order to improve the light extraction efficiency from the light emitting element 13, for example, a transparent material having a light transmittance of 90% or more. It may be a material.
  • the reflective partition 17 separates the light guide scattering layer 15 in a direction perpendicular to the surface of the support substrate 11 on which the light emitting element 13 is provided.
  • the reflective partition 17 reflects the light emitted from the light emitting element 13.
  • the reflection partition wall 17 can reflect the light emitted from the light emitting element 13 and the light scattered inside the light guide scattering layer 15. Thus, the light reaching the outside of the display device 1 can be increased.
  • the reflective partition 17 is provided so as to separate the light emitting elements 13 from each other, it is possible to prevent light emitted from each of the light emitting elements 13 from being mixed with the light of the adjacent light emitting elements 13. .
  • the light emitted from each of the light emitting elements 13 is scattered by the light guide scattering layer 15, but the scattered light easily spreads isotropically and is mixed with the light of the adjacent light emitting elements 13. It's easy to do. Therefore, in the display device 1, it is preferable to prevent the scattered light from being mixed with the adjacent light emitting element 13 by providing the reflective partition 17.
  • the reflective partition 17 may be provided at least between the adjacent light emitting elements 13. That is, in order to prevent color mixing of adjacent light emitting elements 13, it is only necessary that the reflective partition 17 be provided between the light emitting elements 13 that are close enough to cause color mixing. However, in order to further improve the light extraction efficiency from the light emitting element 13, the reflective partition 17 is preferably provided so as to surround the periphery of the light emitting element 13.
  • the reflection partition wall 17 may be formed of, for example, a semiconductor material having a metallic luster or a metal material to reflect light emitted from the light emitting element 13. Moreover, the reflective partition 17 may reflect the light emitted from the light emitting element 13 by forming a dichroic mirror made of a dielectric multilayer film on the surface. Further, the reflection partition wall 17 may reflect the light emitted from the light emitting element 13 by forming a diffraction grating having a minute uneven structure on the surface. Further, the reflective partition wall 17 is formed of a dielectric material having a refractive index lower than that of the transparent material constituting the light guide scattering layer 15, so that light incident on the reflective partition wall 17 from the light guide scattering layer 15 can be obtained. A part may be totally reflected.
  • the display device 1 As described above, according to the display device 1 according to the first configuration, the light emitted from each of the light emitting elements 13 is mixed with each other while improving the light extraction efficiency from each of the light emitting elements 13. This can be prevented. In addition, since the display device 1 can improve the light extraction efficiency from each of the light emitting elements 13, it is possible to drive each of the light emitting elements 13 at a low current density. Therefore, since the display device 1 can drive each of the light emitting elements 13 with a low load, the display device 1 can be driven with lower power consumption and longer life.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view schematically showing a stacked structure of the display device according to the second configuration
  • FIG. 2B is a plan view schematically showing a planar configuration of the display device according to the same configuration.
  • the display device 1A according to the second configuration includes a support substrate 11 and a plurality of light emitting elements 13R, 13G, and 13B provided on the support substrate 11 (collectively, the light emitting element 13).
  • the light guide scattering layer 15 provided on the plurality of light emitting elements 13R, 13G, and 13B, and the reflection that separates the light guide scattering layer 15 for each pixel constituted by the light emitting elements 13R, 13G, and 13B.
  • a partition wall 17 17.
  • the display device 1A according to the second configuration is different from the display device 1 according to the first configuration in that the light guide scattering layer 15 is separated for each pixel by the reflective partition wall 17.
  • the materials and functions of the respective components other than the position where the reflective partition wall 17 is provided are substantially the same as those of the display device 1 according to the first configuration. Therefore, the description here is omitted.
  • the display device 1A is provided with the reflective partition wall 17 for each pixel, so that it is possible to prevent color mixture between pixels. Further, in the display device 1A, since the number of the reflective barrier ribs 17 provided is reduced compared to the display device 1 according to the first configuration, the structure and manufacturing process of the display device 1A can be simplified. Further, in the display device 1A, the reflective partition 17 can be easily formed even when the pixel pitch of the display device 1A is narrow.
  • the display device 1A since each pixel is controlled as a display unit, the color mixture between the light emitting elements 13 included in the same pixel has little influence on the displayed image. On the other hand, when color mixing occurs between adjacent pixels, color blur occurs around the pixels and the resolution is lowered, so the influence on the displayed image is greater. Therefore, the display device 1A ignores the color mixture between the light emitting elements 13 included in the same pixel, and prevents the color mixture between the pixels having a larger influence, thereby simplifying the structure of the display device 1A and improving the light extraction efficiency. Can be improved.
  • the reflective partition wall 17 it is only necessary that the reflective partition wall 17 be provided between pixels that are close enough to cause color mixing. However, in order to further improve the light extraction efficiency from the light emitting element 13, it is more preferable that the reflective partition wall 17 is provided so as to surround the periphery of the pixel.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view schematically showing a stacked structure of the display device according to the first specific example
  • FIG. 3B is a plan view schematically showing a planar configuration of the display device according to the specific example.
  • the display device 2 includes a support substrate 100, a plurality of light emitting elements 110 provided on the support substrate 100, and a plurality of light emitting elements 110.
  • a protective layer 120 provided on the color filter layer 130, color filters 130R, 130G, 130B, and 130W (collectively referred to as the color filter layer 130) provided on the protective layer 120;
  • the light guide scattering layer 150 including the material 151 and the scatterer 153, the reflective partition 140 separating the light guide scattering layer 150, and the counter substrate 160 provided on the light guide scattering layer 150 are provided.
  • the display device 2 illustrated in FIGS. 3A and 3B is a top-emission display device that extracts light emitted from the light-emitting element 110 through the counter substrate 160.
  • the support substrate 100 is a support that supports a plurality of light emitting elements 110 arranged on one surface.
  • the support substrate 100 may include a control circuit that controls driving of each of the light emitting elements 110, a power supply circuit that supplies power to each of the light emitting elements 110, and a multilayer wiring layer including various wirings. Good.
  • the support substrate 100 can be formed of a known material, for example, a semiconductor substrate such as single crystal, polycrystalline or amorphous silicon (Si), quartz glass, high strain point glass, soda glass (Na 2 O). , CaO and SiO 2 mixture), borosilicate glass (Na 2 O, B 2 O 3 and SiO 2 mixture), forsterite (Mg 2 SiO 4 ) or lead glass (Na 2 O, PbO and SiO 2 mixture).
  • an organic resin substrate such as polymethyl methacrylate (PMMA), polyvinyl alcohol (PVA), polyvinyl phenol (PVP), polyethersulfone (PES), polyimide, polycarbonate or polyethylene terephthalate (PET). It may be formed.
  • a multilayer wiring layer including a plurality of insulating layers may be provided on the support substrate 100.
  • the support substrate 100 may be either a transparent substrate or an opaque substrate, and fine processing such as single crystal, polycrystalline, or amorphous silicon (Si) substrate is easy. It may be a semiconductor substrate. Further, when a first electrode of the light emitting element 110 described later is not formed as a light reflecting electrode, in order to reflect the light emitted from the light emitting element 110 to the support substrate 100 side on the support substrate 100 side of the light emitting element 110, A reflective electrode or a reflective layer is preferably provided.
  • the light emitting element 110 includes, for example, a self-luminous organic electroluminescence element (including a first electrode, an organic light emitting layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the organic light emitting layer). Organic EL element). The light emitting element 110 emits light by applying an electric field to the organic light emitting layer sandwiched between the first electrode and the second electrode.
  • a self-luminous organic electroluminescence element including a first electrode, an organic light emitting layer provided on the first electrode, and a second electrode provided on the organic light emitting layer.
  • Organic EL element Organic EL element
  • the light emitting element 110 may be an organic EL element that emits white light. .
  • each of the light emitting elements 110 can be formed continuously in common without being separated from each other by forming the first electrode or the second electrode apart from each other, The manufacturing process can be simplified.
  • the first electrode is provided for each light emitting element 110 and functions as an anode of the light emitting element 110. Since the display device 2 is a top emission type display device, the first electrode is preferably formed of a material having a high light reflectance as a light reflecting electrode that reflects light emitted from the organic light emitting layer. .
  • the first electrode may be platinum (Pt), gold (Au), silver (Ag), chromium (Cr), tungsten (W), nickel (Ni), copper (Cu), iron (Fe), cobalt (Co ), Or a simple substance or alloy of a metal having a high work function such as tantalum (Ta).
  • the first electrode is a laminated electrode in which a transparent conductive material such as indium zinc oxide (IZO) or indium tin oxide (ITO) is laminated on a dielectric multilayer film or a thin film having high light reflectivity such as aluminum. It may be formed.
  • IZO indium zinc oxide
  • ITO indium tin oxide
  • the organic light emitting layer is formed, for example, in a multilayer structure in which a plurality of functional layers are stacked on the first electrode.
  • the organic light emitting layer may be formed in a multilayer structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are stacked in this order from the first electrode side.
  • the organic light emitting layer may be formed in a so-called tandem structure in which a plurality of light emitting layers are connected via a charge generation layer or an intermediate electrode.
  • the hole injection layer is a layer that contains a hole injection material and improves the efficiency of hole injection from the first electrode.
  • the hole injection material known materials can be used. For example, triphenylamine-containing polyetherketone (TPAPEK), 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate (PPBI), N , N′-diphenyl-N, N′-bis- [4- (phenyl-m-tolyl-amino) -phenyl] -biphenyl-4,4′-diamine (DNTPD), copper phthalocyanine, 4,4 ′, 4 "-Tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (m-MTDATA), N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPB), 4,4 ', 4" -Tris (diphenylamin
  • the hole transport layer is a layer that includes a hole transport material and enhances the transport efficiency of holes from the first electrode.
  • a hole transport material known materials can be used, for example, benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triphenylene, azatriphenylene, tetracyanoquinodimethane, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane. , Phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, fluorenone, hydrazone, stilbene, or derivatives thereof can be used.
  • ⁇ -naphthylphenylphenylenediamine ⁇ -NPD
  • porphyrin metal tetraphenylporphyrin
  • metal naphthalocyanine hexacyanoazatriphenylene (HAT)
  • 7,7,8,8- Tetracyanoquinodimethane TNQ
  • 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane F4-TCNQ
  • tetracyano 4,4,4-tris (3-methyl Phenylphenylamino) triphenylamine, N, N, N ′, N′-tetrakis (p-tolyl) p-phenylenediamine, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminobiphenyl, N-phenylcarbazole, 4-di-p-tolylaminostilbene, or the
  • the light emitting layer includes a hole transport material that is a host material, an electron transport material, or at least one charge transport material of both charge transport materials, and a fluorescent or phosphorescent organic light emitting material that is a dopant material.
  • a known charge transport material can be used as the host material.
  • a styryl derivative, anthracene derivative, naphthacene derivative, carbazole derivative, aromatic amine derivative, phenanthroline derivative, triazole derivative, quinolinolato metal complex, phenanthroline derivative, etc. can be used.
  • fluorescent material a well-known fluorescent material and phosphorescent material can be used as a dopant material (organic luminescent material).
  • Known fluorescent materials include, for example, dye materials such as styrylbenzene dyes, oxazole dyes, perylene dyes, coumarin dyes and acridine dyes, polyaromatics such as anthracene derivatives, naphthacene derivatives, pentacene derivatives and chrysene derivatives.
  • Hydrocarbon materials for example, ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), silver (Ag), rhenium (Re), osmium (Os), iridium (Ir), platinum (Pt) ), And an organometallic complex containing at least one metal selected from the group consisting of gold (Au).
  • complexes such 3 such Ir (ppy) having a noble metal element of Ir such as the central metal, Ir (bt) complexes such as 2 ⁇ acac 3, complexes such as PtOEt 3 Can be used.
  • the electron transport layer is a layer that contains an electron transport material and increases the efficiency of electron injection from the second electrode.
  • the electron transporting material known materials can be used. For example, tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ) and a compound having a nitrogen-containing aromatic ring can be used. More specifically, as the electron transport material, the above-described tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq 3 ), 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP), or bathophenanthroline (Bphen) ) Can be used.
  • the electron transport layer may be composed of a plurality of layers. When the electron transport layer is formed of a plurality of layers, the electron transport layer may further include a layer doped with an alkali metal element or an alkaline earth metal element.
  • the electron injection layer is a layer that increases the efficiency of electron injection from the second electrode.
  • the electron injection layer may be formed of a known material, for example, lithium fluoride (LiF), sodium chloride (NaCl), cesium fluoride (CsF), lithium oxide (Li 2 O), or barium oxide (BaO). ) Or the like.
  • the second electrode is formed over the plurality of light emitting elements 110 on the organic light emitting layer, and functions as a cathode of the light emitting element 110. Since the display device 2 is a top emission type, the second electrode is preferably formed of a material having high light transmittance as a transparent electrode that transmits light emitted from the organic light emitting layer.
  • the second electrode is made of aluminum (Al), silver (Ag), magnesium (Mg), calcium (Ca), sodium (Na), strontium (Sr), an alloy of alkali metal and silver, alkaline earth metal and It may be formed of a metal or alloy having a low work function such as an alloy of silver, an alloy of magnesium and calcium, or an alloy of aluminum and lithium.
  • the second electrode may be formed of a transparent conductive material such as indium zinc oxide (IZO) or indium tin oxide (ITO).
  • the layer made of the above-described material having a low work function, and indium zinc oxide It may be formed as a laminated electrode with a layer made of a transparent conductive material such as IZO) or indium tin oxide (ITO).
  • the protective layer 120 is provided on each of the light emitting elements 110 and protects each of the light emitting elements 110 from the external environment. Specifically, the protective layer 120 prevents moisture and oxygen from entering the organic light emitting layer included in the light emitting element 110.
  • the protective layer 120 is preferably formed of a material having a high light transmittance and a high gas barrier property.
  • the protective layer 120 is formed of silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), or aluminum oxide (AlO x ). It is preferable to be formed. Further, the protective layer 120 may be formed as a laminated film of the above-described materials in order to improve protective performance such as gas barrier properties or adjust the refractive index.
  • the color filters 130R, 130G, 130B, and 130W are provided on the protective layer 120 in correspondence with the respective colors constituting the pixels of the display device 2 (the range indicated by the region P in FIG. 3A). That is, the display device 2 is a so-called on-chip color filter (OCCF) type display device in which the color filter layer 130 is formed on the support substrate 100 on which the light emitting element 110 is formed.
  • OCCF on-chip color filter
  • the color filters 130R, 130G, 130B, and 130W are respectively arranged in areas in which the pixel area is symmetrically equally divided, and the light emitted from each of the light emitting elements 110 is converted into light in a wavelength band corresponding to each color. Convert.
  • the color filters 130R, 130G, 130B, and 130W may be a red filter, a green filter, a blue filter, and a white filter, respectively. Note that in the case where the light emitting element 110 is a light emitting element that emits white light, the white filter may not be provided.
  • the color filters 130R, 130G, 130B, and 130W may be formed of a resin containing a pigment or a dye, for example.
  • the display device 2 may further include a black matrix that defines each pixel in addition to the color filters 130R, 130G, 130B, and 130W.
  • the black matrix is formed of a material having high light shielding properties such as chromium (Cr) or graphite, and improves the contrast of the display device 2 by shielding unnecessary light or the like generated by reflection of wiring or the like between pixels. be able to.
  • the light guide scattering layer 150 is formed of a transparent material 151 in which scatterers 153 are dispersed, and is provided on the color filter layer 130.
  • the light guide scattering layer 150 is a layer that guides the counter substrate 160 while scattering the light that has passed through the color filter layer 130.
  • the light guide scattering layer 150 may be configured by dispersing a scatterer 153 that scatters light inside a transparent material 151 that is an organic resin having high light transmittance.
  • the transparent material 151 is an organic resin having a high light transmittance, and specifically, an organic resin having a light transmittance of 90% or more may be used.
  • the transparent material 151 may be an epoxy resin, an acrylic resin, a methacrylic resin, a silicone resin, a vinyl resin, a urethane resin, or a cellulose resin.
  • the transparent material 151 is a photo-curing or thermosetting resin
  • the light guide scattering layer is dispersed by a spin coating method using a precursor liquid by dispersing the scatterer 153 in the liquid transparent material 151 before curing. 150 can be formed easily.
  • the scatterer 153 is a micro solid with little light absorption. Specifically, the scatterer 153 may be transparent fine particles having a refractive index higher than that of the transparent material 151.
  • the scatterer 153 may be, for example, a resin piece made of an organic resin, glass beads, an inorganic oxide filler, or the like, and may preferably be a filler formed of a high refractive index inorganic oxide.
  • the high refractive index inorganic oxide include, for example, zirconium oxide (ZrO 2 ), barium titanate (BaTiO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO x ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), Examples thereof include aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
  • the scatterer 153 can be formed by appropriately selecting a material having a refractive index higher than that of the transparent material 151 from the materials described above.
  • the scatterer 153 is preferably a filler formed of an inorganic oxide having a high refractive index. Since the above-described high refractive index inorganic oxide filler has a higher refractive index than a general organic resin or glass, these inorganic oxide fillers are used for the scatterer 153 to pass through the light guide scattering layer 150. Light can be scattered more efficiently.
  • the above-described high refractive index inorganic oxide filler has higher strength than a general organic resin or glass, by using these inorganic oxide fillers for the scatterer 153, the mechanical properties of the light guide scattering layer 150 are increased. Strength can be further improved.
  • the average particle diameter of the scatterer 153 may be, for example, 0.2 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, and preferably 0.4 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the average particle diameter of the scatterer 153 is less than the above range, the light emitted from the light emitting element 110 is not easily scattered and the light extraction efficiency is not improved.
  • the average particle diameter of the scatterer 153 exceeds the above range, the light emitted from the light emitting element 110 is excessively scattered, the light transmittance of the light guide scattering layer 150 is lowered, and the light extraction efficiency is lowered. Therefore, it is not preferable.
  • the average particle diameter of the scatterer 153 is, for example, the number average value of the equivalent circle diameter when the scatterer 153 is regarded as a true sphere, and the image obtained by observing the scatterer 153 with SEM (Scanning Electron Microscope) or the like. Can be calculated by measuring the area circle equivalent diameter.
  • the shape of the scatterer 153 may be various shapes such as a spherical shape, an elliptical spherical shape, a flat plate shape, or a polygonal cubic shape, and is not particularly limited.
  • the content of the scatterer 153 with respect to the transparent material 151 may be 2% by mass to 50% by mass, preferably 5% by mass to 30% by mass in terms of solid content. Good.
  • the content of the scatterer 153 is less than the above range, the light emitted from the light emitting element 110 is not easily scattered, and the light extraction efficiency is not improved.
  • the content of the scatterer 153 exceeds the above range, the light emitted from the light emitting element 110 is excessively scattered, the light transmittance of the light guide scattering layer 150 is lowered, and the light extraction efficiency is lowered. It is not preferable.
  • the scatterer 153 may be used in combination of a plurality of types of fine solids different in at least one of material, shape, and average particle diameter.
  • the reflective partition 140 is provided on the color filter layer 130 and separates the light guide scattering layer 150 in a direction perpendicular to the substrate surface of the support substrate 100. Specifically, the reflective partition 140 separates the light guide scattering layer 150 for each region where the color filters 130R, 130G, 130B, and 130W corresponding to the respective colors are provided. Further, the reflective partition 140 may be formed so as to surround a region where the color filters 130R, 130G, 130B, and 130W corresponding to the respective colors are provided.
  • the reflective partition 140 may be formed of, for example, a semiconductor material such as silicon (Si) or a metal material such as aluminum (Al) or titanium (Ti). In such a case, the reflective partition 140 can reliably reflect the light emitted from the light emitting element 110.
  • the reflective partition 140 may be formed of a dielectric material having a refractive index lower than that of the transparent material 151. In such a case, the reflective partition 140 can totally reflect light incident on the reflective partition 140 from the transparent material 151.
  • the reflective barrier 140 reflects the light emitted from the light emitting element 110 by forming a reflective structure such as a dichroic mirror made of a dielectric multilayer film or a diffraction grating made of a micro uneven structure on the surface. Also good.
  • the counter substrate 160 is provided on the light guide scattering layer 150. Specifically, the counter substrate 160 is formed by being bonded to the support substrate 100 on which the light guide scattering layer 150 is laminated through a sealing resin such as an epoxy resin. According to this, the counter substrate 160 can protect the light emitting element 110, the color filter layer 130, and the light guide scattering layer 150 from the external environment, and can increase the mechanical strength of the display device 2.
  • the counter substrate 160 is formed of a material having high light transmittance and high mechanical strength.
  • the counter substrate 160 includes quartz glass, high strain point glass, soda glass (a mixture of Na 2 O, CaO and SiO 2 ), borosilicate glass (a mixture of Na 2 O, B 2 O 3 and SiO 2 ), Glass substrates such as stellite (Mg 2 SiO 4 ) or lead glass (a mixture of Na 2 O, PbO and SiO 2 ), or polymethyl methacrylate (PMMA), polyvinyl alcohol (PVA), polyvinyl phenol (PVP), polyethersulfone (PES), polyimide, polycarbonate, or an organic resin substrate such as polyethylene terephthalate (PET) may be used.
  • the counter substrate 160 may be formed of the same material as the support substrate 100, or may be formed of a different material.
  • the light emitted from the light emitting element 110 and passed through any of the color filters 130R, 130G, 130B, and 130W is scattered by the light guide scattering layer 150 while facing the light.
  • the substrate 160 can be guided. According to this, in the display device 2, light that remains inside the display device 2 by being reflected or totally reflected at the interface of each layer can be efficiently extracted to the outside of the display device 2. Further, in the display device 2, it is possible to prevent light scattered by the light guide scattering layer 150 from being mixed with the adjacent light emitting element 110 and the like.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a laminated structure of a display device according to the second specific example.
  • the display device 3 according to the second specific example is different from the display device 2 according to the first specific example in the color filter layer 130 (that is, the color filters 130R, 130G, 130B, 130W ( (Not shown)) is provided on the light guide scattering layer 150. Since the other configuration of the display device 3 is substantially the same as that of the display device 2 according to the first specific example, description thereof is omitted here.
  • the color filter layer 130 is formed on the counter substrate 160, and then the support substrate 100 and the support substrate 100 are arranged so that the color filter layer 130 and the light guide scattering layer 150 face each other. It can be formed by attaching the counter substrate 160 to each other. That is, the display device 3 according to the second specific example is a so-called counter color filter (counter CF) type display device.
  • the amount of light entering the light guide scattering layer 150 from the light emitting element 110 can be increased by reducing the distance between the light emitting element 110 and the light guide scattering layer 150. Therefore, the light extraction efficiency from the light emitting element 110 can be further improved. Further, in the display device 3 according to the second specific example, by reducing the distance between the light emitting element 110 and the light guide scattering layer 150, the color mixing of light between adjacent light emitting elements 110 is further suppressed. be able to.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a laminated structure of a display device according to a third specific example.
  • the display device 4 according to the third specific example is different from the display device 2 according to the first specific example in that the color filter layer 130 (that is, the color filters 130R, 130G, 130B, 130W (The light emitting elements 110R, 110G, 110B, and 110W (not shown) that emit light in the wavelength band corresponding to each color constituting the pixel are different.
  • the color filter layer 130 that is, the color filters 130R, 130G, 130B, 130W
  • the light emitting elements 110R, 110G, 110B, and 110W (not shown) that emit light in the wavelength band corresponding to each color constituting the pixel are different.
  • the display device 4 includes a red light emitting element 110R that emits red light, a green light emitting element 110G that emits green light, a blue light emitting element 110B that emits blue light, and a white light emitting element that emits white light. 110W (not shown) may be provided. Since the other configuration of the display device 4 is substantially the same as that of the display device 2 according to the first specific example, description thereof is omitted here.
  • the red light emitting element 110R includes, for example, 4,4-bis (2,2-diphenylbinine) biphenyl (DPVBi) and 2,6-bis [(4′-methoxydiphenylamino) styryl] -1,5.
  • DPVBi 4,4-bis (2,2-diphenylbinine) biphenyl
  • BSN dicyanonaphthalene
  • the green light emitting element 110G can be formed by using, for example, a layer in which 5% by mass of coumarin 6 is mixed with DPVBi for the light emitting layer.
  • the blue light emitting element 110B has a light emitting layer in which DPVBi is mixed with 2.5% by mass of 4,4′-bis [2- ⁇ 4- (N, N-diphenylamino) phenyl ⁇ vinyl] biphenyl (DPAVBi). It can be formed by using. Further, the red light emitting element 110R, the green light emitting element 110G, the blue light emitting element 110B, and the white light emitting element 110W can be formed by using a known fluorescent material or phosphorescent material in addition to the above-described materials. .
  • the light guiding scattering layer is formed from the light emitting elements 110R, 110G, 110B, and 110W. Since the amount of light that enters 150 can be increased, the light extraction efficiency from the light emitting elements 110R, 110G, 110B, and 110W can be further improved. Further, in the display device 4 according to the third specific example, by reducing the distance between the light emitting elements 110R, 110G, 110B, and 110W and the light guide scattering layer 150, the adjacent light emitting elements 110R, 110G, 110B, and 110W are reduced.
  • the color filter layer 130 can be omitted, and the laminated structure of the display device 4 can be simplified, so that the manufacturing process of the display device 4 can be simplified. .
  • FIG. 6A is a cross-sectional view schematically illustrating a stacked structure of a display device according to a fourth specific example
  • FIG. 6B is a plan view schematically illustrating a planar configuration of the display device according to the specific example.
  • the display device 2A according to the fourth specific example is different from the display device 2 according to the first specific example in that the reflective partition 140 separates the light guide scattering layer 150 for each pixel. It is different in that it is provided.
  • a pixel is configured by each color corresponding to the color filters 130R, 130G, 130B, and 130W, and an area where the color filters 130R, 130G, 130B, and 130W are provided functions as one pixel.
  • the reflective partition 140 is formed so as to surround a region where the color filters 130R, 130G, 130B, and 130W are provided (in FIG. 6A, a range indicated by the region P). Since the other configuration of the display device 2A is substantially the same as that of the display device 2 according to the first specific example, description thereof is omitted here.
  • the reflective partition 140 that separates the light guide scattering layer 150 is provided so as to surround the region that constitutes the pixel, so that it is possible to prevent color mixing between the pixels. Further, in the display device 2A, the number of the reflective barrier ribs 140 provided can be reduced compared to the display device 2 according to the first specific example, so that the structure and manufacturing process of the display device 2A can be simplified. it can. Further, even when the pixel pitch of the display device 2A is narrow, the reflective partition 140 can be easily formed.
  • the display device 2A may be a counter CF type display device in which the color filter layer 130 is provided below the counter substrate 160, like the display device 3 according to the second specific example.
  • the display device 2A does not include the color filter layer 130, and each of the light emitting elements 110 emits light in a wavelength band corresponding to each color constituting the pixel. It may be a display device.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a laminated structure of a display device according to a modification.
  • 8 and 9 are explanatory views showing a vapor deposition method when vapor-depositing an organic light emitting layer in the modification.
  • the display device 5 according to this modification is reflected with an inversely tapered shape in which the cross-sectional width in the stacking direction becomes thicker toward the counter substrate 160 side than the display device according to another specific example.
  • the difference is that the partition wall 141 is formed.
  • the reflective partition wall 141 can be formed in an inversely tapered shape having a large width on the counter substrate 160 side and a small width on the support substrate 100 side by processing using isotropic etching.
  • the light emitted from the light emitting element 110 (that is, the light emitting elements 110R, 110G, and 110B) has a small incident angle when entering the reflective partition 141. Therefore, the light emitted from the light emitting element 110 is reflected in a direction toward the inside of the light guide scattering layer 150. According to this, in the display device 5, the light emitted from the light emitting element 110 is more scattered by the light guide scattering layer 150, so that the light extraction efficiency from the light emitting element 110 can be further improved.
  • the taper angle of the reflective partition wall 141 may be any angle as long as the reflective partition wall 141 has a reverse taper shape with a large width on the counter substrate 160 side.
  • the absolute value of the taper angle of the reflective partition wall 141 exceeds 45 °, the opening degree of the display device 5 decreases, which is not preferable.
  • the absolute value of the taper angle of the reflective partition wall 141 is less than 5 °, it is difficult to obtain the effect of improving the light extraction efficiency from the light emitting element 110, which is not preferable.
  • the display device 5 includes the light emitting elements 110R, 110G, 110B that do not include the color filter layer 130 and emit light in the wavelength band corresponding to each color constituting the pixel.
  • the light emitting elements 110R, 110G, 110B, and 110W can be formed more efficiently.
  • FIGS. 8 and 9 are explanatory views showing a vapor deposition method when vapor-depositing the organic light emitting layer in the same modification.
  • the organic light emitting layer of the light emitting device 110 can be deposited after the reflective barrier rib 141 is formed.
  • the organic light emitting layer of the light emitting element 110 may be deposited by, for example, oblique deposition performed from the diagonal direction of each pixel.
  • the organic light emitting layer of the light emitting element 110 is oblique from the center direction of the pixel along a diagonal line connecting the position where the organic light emitting layer is provided and the center of the pixel including the light emitting element 110. It may be formed by vapor deposition.
  • the organic light emitting layer of the light emitting element 110R may be formed by oblique vapor deposition from the direction of arrow 210R
  • the organic light emitting layer of the light emitting element 110G may be formed by oblique vapor deposition from the direction of arrow 210G
  • the organic light emitting layer of the light emitting element 110B may be formed by oblique deposition from the direction of the arrow 210B.
  • the vapor deposition material 210 projected from the vapor deposition source 200 is blocked by the structure on the vapor deposition surface, so that it is not vapor deposited in the area behind the structure. Therefore, in the display device 5 according to this modification, the deposition material 210 is blocked by the reflective partition 141 formed in advance, and therefore the deposition material 210 is preferentially deposited in a region away from the reflection partition 141 along the deposition direction. It will be. According to this, it is possible to form each organic light emitting layer of the light emitting element 110 only in the corresponding region without using a mask or the like.
  • the reflective partition 141 has an inversely tapered shape in which the width on the side away from the support substrate 100 is widened, a region where the deposition material 210 is blocked is increased by being shaded by the reflective partition 141 during oblique deposition. . Therefore, according to the display device 5 according to the present modification, it is possible to form and separate each organic light emitting layer of the light emitting element 110 more accurately without using a mask or the like.
  • the light output from the light emitting element 110 can be improved by scattering the light emitted from the light emitting element 110 by the light guide scattering layer 150. Is possible.
  • the light from the light emitting element 110 is generated without causing color mixing between adjacent pixels or the light emitting element 110 by the reflective partition 140 that separates the light guide scattering layer 150 from each other.
  • the extraction efficiency can be improved. In such a display device with improved light extraction efficiency, each of the light emitting elements 13 can be driven at a low current density, and therefore, lower power consumption and longer life can be driven.
  • FIGS. 10 to 13 are external views showing examples of electronic devices to which the display device according to this embodiment can be applied.
  • the display device according to the present embodiment can be applied to a display unit included in an electronic device such as a smartphone.
  • the smartphone 400 includes a display unit 401 that displays various types of information, and an operation unit 403 that includes buttons and the like that receive operation inputs from the user.
  • the display unit 401 may be configured by the display device according to the present embodiment.
  • the display device can be applied to a display unit of an electronic device such as a digital camera.
  • the digital camera 410 includes a main body (camera body) 411, an interchangeable lens unit 413, a grip 415 held by a user at the time of shooting, A monitor unit 417 for displaying information and an EVF (Electronic View Finder) 419 for displaying a through image observed by the user at the time of shooting are provided.
  • 11 shows an appearance of the digital camera 410 viewed from the front (that is, the subject side)
  • FIG. 12 shows an appearance of the digital camera 410 viewed from the rear (that is, the photographer side).
  • the monitor unit 417 and the EVF 419 may be configured by the display device according to the present embodiment.
  • the display device according to the present embodiment can be applied to a display unit of an electronic device such as an HMD (Head Mounted Display).
  • the HMD 420 includes a glasses-type display unit 421 that displays various types of information, and an ear hooking unit 423 that is hooked on the user's ear when worn.
  • the display unit 421 may be configured by the display device according to the present embodiment.
  • the display device according to the present embodiment can be applied to display units of electronic devices in various fields that perform display based on image signals input from the outside or image signals generated inside.
  • Examples of such an electronic device include a television device, an electronic book, a PDA (Personal Digital Assistant), a notebook personal computer, a video camera, or a game device.
  • a display device and an electronic apparatus using an organic EL element have been described as an embodiment of the present disclosure, but the present disclosure is not limited to such an example.
  • the display device targeted by the present disclosure may be any display device as long as it can realize color display, such as a liquid crystal display, a plasma display, and electronic paper.
  • the light extraction efficiency from the light emitting element can be improved as in the above-described embodiment. It is possible to improve the effect.
  • the light emitting element is a portion that emits light toward the outside in each pixel of the display device.
  • the light emitting element corresponds to an organic light emitting layer (that is, an organic EL element) sandwiched between the first electrode and the second electrode.
  • the light emitting element corresponds to one pixel of a liquid crystal panel provided with a backlight.
  • the light emitting element corresponds to one discharge cell in the plasma display panel.
  • a plurality of light emitting elements constituting a pixel A plurality of light emitting elements constituting a pixel; A light guide scattering layer that is provided on the plurality of light emitting elements and scatters light emitted from the plurality of light emitting elements; A reflective partition that separates the light guide scattering layer for each of the pixels and reflects light emitted from the plurality of light emitting elements;
  • a display device comprising: (2) The display device according to (1), wherein the reflective partition is provided for each light emitting element corresponding to each color constituting the pixel, and separates the light guide scattering layer for each light emitting element.
  • the light guide scattering layer is formed by dispersing a scatterer having a refractive index higher than a refractive index of the transparent material in a transparent material. apparatus.
  • the scatterer is formed of any one of ZrO 2 , BaTiO 2 , TiO 2 , ZnO, Y 2 O 3 , or Al 2 O 3 .
  • an average particle diameter of the scatterer is 0.4 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the reflective partition is formed of a metal material or a semiconductor material.
  • the display device according to any one of (1) to (5), wherein the reflective partition is formed of a dielectric having a refractive index lower than that of the transparent material.
  • a cross-sectional shape of the reflective partition in the stacking direction is an inversely tapered shape.
  • the plurality of light emitting elements emit light in a wavelength band corresponding to white,
  • the display device according to any one of (1) to (8), wherein a color filter corresponding to each color constituting the pixel is further provided above or below the light guide scattering layer.
  • each of the plurality of light emitting elements emits light in a wavelength band corresponding to each color constituting the pixel.
  • (11) A plurality of light emitting elements constituting a pixel, a light guide scattering layer provided on the plurality of light emitting elements for scattering light emitted from the plurality of light emitting elements, and the light guide scattering layer at least for each of the pixels And a reflective partition that reflects the light emitted from the plurality of light emitting elements, and a display unit, A display control unit for controlling the display unit; An electronic device.

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Abstract

【課題】発光素子からの光取出し効率が向上した表示装置、および電子機器を提供する。 【解決手段】画素を構成する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の上に設けられ、前記複数の発光素子から出射された光を散乱させる導光散乱層と、少なくとも前記画素ごとに前記導光散乱層を離隔し、前記複数の発光素子から出射された光を反射する反射隔壁と、を備える、表示装置。

Description

表示装置、および電子機器
　本開示は、表示装置、および電子機器に関する。
　近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる、有機ＥＬ素子）を発光素子として用いる表示装置が普及しつつある。有機ＥＬ素子は、低電圧の直流駆動によって発光する自発光型素子であり、例えば、陽極および陰極の間に、発光層等を含む有機層を積層することで構成される。
　例えば、下記の特許文献１には、第１の基板の上に、第１の電極層、発光層、および第２の電極層の積層構造を含む複数の有機ＥＬ素子を設け、第１の基板と対向配置された第２の基板によって、該複数の有機ＥＬ素子を封止する表示装置が開示されている。
特開２０１４－４４７９３号公報
　しかし、有機ＥＬ素子では、有機層の内部で発した光は、様々な方向に等方的に進行する。そのため、例えば、特許文献１に開示されるような表示装置では、表示面において有機ＥＬ素子から発せられた光の一部しか取り出せないため、十分な輝度が得られなかった。また、表示装置の輝度を増加させるために、有機ＥＬ素子に印加される電流密度を増加させた場合、有機ＥＬ素子への負荷が増加し、消費電力が増加すると共に、有機ＥＬ素子の寿命も低下してしまっていた。
　そこで、本開示では、発光素子からの光取出し効率を向上させることが可能な、新規かつ改良された表示装置、および電子機器を提案する。
　本開示によれば、画素を構成する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の上に設けられ、前記複数の発光素子から出射された光を散乱させる導光散乱層と、少なくとも前記画素ごとに前記導光散乱層を離隔し、前記複数の発光素子から出射された光を反射する反射隔壁と、を備える、表示装置が提供される。
　また、本開示によれば、画素を構成する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の上に設けられ、前記複数の発光素子から出射された光を散乱させる導光散乱層と、少なくとも前記画素ごとに前記導光散乱層を離隔し、前記複数の発光素子から出射された光を反射する反射隔壁と、を備える表示部と、前記表示部を制御する表示制御部と、を備える、電子機器が提供される。
　本開示によれば、発光素子から出射された光を導光散乱層によって散乱させることで、発光素子からの光取出し効率を向上させることが可能である。また、本開示によれば、導光散乱層を離隔する反射隔壁を設けることによって、隣接する画素同士または発光素子同士の間での混色を防止することが可能である。
　以上説明したように本開示によれば、発光素子からの光取出し効率が向上した表示装置、および電子機器を提供することが可能である。
　なお、上記の効果は必ずしも限定的なものではなく、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書に示されたいずれかの効果、または本明細書から把握され得る他の効果が奏されてもよい。
第１の構成に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図である。 同構成に係る表示装置の平面構成を模式的に示す平面図である。 第２の構成に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図である。 同構成に係る表示装置の平面構成を模式的に示す平面図である。 第１の具体例に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図である。 同具体例に係る表示装置の平面構成を模式的に示す平面図である。 第２の具体例に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図である。 第３の具体例に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図である。 第４の具体例に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図である。 同具体例に係る表示装置の平面構成を模式的に示す平面図である。 変形例に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図である。 同変形例において有機発光層を蒸着する際の蒸着方法を示す説明図である。 同変形例において有機発光層を蒸着する際の蒸着方法を示す説明図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の一例を示す外観図である。 同実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の他の例を示す外観図である。 同実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の他の例を示す外観図である。 同実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の他の例を示す外観図である。
　以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　なお、説明は以下の順序で行うものとする。
　１．表示装置の概略構成
　　１．１．第１の構成
　　１．２．第２の構成
　２．表示装置の詳細構成
　　２．１．第１の具体例
　　２．２．第２の具体例
　　２．３．第３の具体例
　　２．４．第４の具体例
　　２．５．変形例
　３．表示装置の適用例
　＜１．表示装置の概略構成＞
　まず、図１Ａ～図２Ｂを参照して、本開示の一実施形態に係る表示装置の概略構成について説明する。なお、本明細書では、表示装置における各層の積層方向を上下方向と表現し、発光素子を基準として支持基板が配置される方向を下方向と表現し、対向基板が配置される方向を上方向と表現する。
　（１．１．第１の構成）
　図１Ａは、第１の構成に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図であり、図１Ｂは、同構成に係る表示装置の平面構成を模式的に示す平面図である。
　図１Ａおよび図１Ｂに示すように、第１の構成に係る表示装置１は、支持基板１１と、支持基板１１の上に設けられた複数の発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ（まとめて発光素子１３とも称する）と、複数の発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの上に設けられた導光散乱層１５と、発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂごとに導光散乱層１５を離隔する反射隔壁１７と、を備える。図１Ａおよび図１Ｂで示す表示装置１は、導光散乱層１５を介して、発光素子１３から出射された光を取り出す上面発光型の表示装置である。
　支持基板１１は、一面上に配列された複数の発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂを支持する支持体である。また、図示しないが、支持基板１１の上には、発光素子１３の駆動を制御する制御回路、発光素子１３に電力を供給する電源回路、および各種配線を含む多層配線層が設けられていてもよい。
　発光素子１３は、例えば、第１電極と、第１電極の上に設けられた有機発光層と、有機発光層の上に設けられた第２電極とを備える自発光型の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）である。発光素子１３は、第１電極および第２電極にて有機発光層を挟持し、有機発光層に電界を印加することで発光する。
　具体的には、発光素子１３に電界が印加された場合、第１電極から有機発光層に正孔が注入され、第２電極から有機発光層に電子が注入される。注入された正孔および電子は、有機発光層中で再結合することで励起子を形成する。形成された励起子のエネルギーによって有機発光層に含まれる有機発光材料が励起されることで、蛍光またはりん光が発生する。
　ここで、発光素子１３は、表示装置１の画素を構成する各色に対応する波長帯域の光を出射してもよい。具体的には、発光素子１３は、各色に対応する波長帯域の光を出射する有機発光層を備えていてもよい。または、発光素子１３は、白色光を出射する有機発光層と、有機発光層から出射された白色光を各色に対応する波長帯域の光に変換するカラーフィルタ等とを備えていてもよい。なお、表示装置１の画素を構成する各色は、画素を構成する公知の色の組み合わせであれば、任意の組み合わせを使用することが可能であり、例えば、赤、緑、および青の三色、または赤、緑、青、および白の四色等を使用することができる。
　導光散乱層１５は、透明であり、かつ発光素子１３から出射された光を散乱させる。具体的には、導光散乱層１５は、光を散乱させる微粒子、結晶粒、結晶粒界、不均一構造または微小構造を内部に有する透明材料で形成される。
　導光散乱層１５は、表示装置１の各層の界面で反射または全反射し、表示装置１の各層の内部に留まってしまう光を、発光素子１３から出射された光を散乱させることで表示装置１の外部へ効率的に取り出すことができる。導光散乱層１５を形成する透明材料は、発光素子１３からの光取出し効率を向上させるためには、光透過率が高い材料であることが好ましく、例えば、光透過率が９０％以上の透明材料であってもよい。
　反射隔壁１７は、支持基板１１の発光素子１３が設けられた面に垂直な方向に導光散乱層１５を離隔する。また、反射隔壁１７は、発光素子１３から出射される光を反射する。これによれば、反射隔壁１７は、発光素子１３から出射された光、および導光散乱層１５の内部で散乱された光を反射することができるため、発光素子１３から導光散乱層１５を介して表示装置１の外部に到達する光を増加させることができる。
　また、反射隔壁１７は、発光素子１３の各々を互いに離隔するように設けられるため、発光素子１３の各々から出射された光が隣接する発光素子１３の光と混色することを防止することができる。表示装置１では、発光素子１３の各々から出射された光は、導光散乱層１５によって散乱されるが、散乱された光は、等方的に広がりやすく、隣接する発光素子１３の光と混色しやすい。そのため、表示装置１では、反射隔壁１７を設けることによって、散乱された光が隣接する発光素子１３との間で混色することを防止することが好ましい。
　なお、図１Ｂに示すように、反射隔壁１７は、隣接する発光素子１３の間に少なくとも設けられていればよい。すなわち、隣接する発光素子１３同士の色の混色を防止するためには、反射隔壁１７は、少なくとも混色が生じる程度に近接した発光素子１３の間に設けられていればよい。ただし、発光素子１３からの光取出し効率をより向上させるためには、反射隔壁１７は、発光素子１３の周囲を取り囲むように設けられていることが好ましい。
　反射隔壁１７は、例えば、金属光沢を有する半導体材料または金属材料で形成されることで、発光素子１３から出射される光を反射してもよい。また、反射隔壁１７は、誘電体多層膜からなるダイクロイックミラーが表面に形成されることによって、発光素子１３から出射される光を反射してもよい。また、反射隔壁１７は、微小凹凸構造からなる回折格子が表面に形成されることによって、発光素子１３から出射される光を反射してもよい。さらに、反射隔壁１７は、導光散乱層１５を構成する透明材料の屈折率よりも屈折率が低い誘電体材料で形成されることによって、導光散乱層１５から反射隔壁１７に入射する光の一部を全反射してもよい。
　以上にて説明したように、第１の構成に係る表示装置１によれば、発光素子１３の各々からの光取出し効率を向上させつつ、発光素子１３の各々から出射される光が互いに混色することを防止することができる。また、表示装置１は、発光素子１３の各々からの光取出し効率を向上させることができるため、低電流密度にて発光素子１３の各々を駆動させることが可能になる。したがって、表示装置１は、低負荷にて発光素子１３の各々を駆動させることができるため、より低消費電力、かつ高寿命の駆動が可能である。
　（１．２．第２の構成）
　続いて、図２Ａおよび図２Ｂを参照して、第２の構成に係る表示装置について説明する。図２Ａは、第２の構成に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図であり、図２Ｂは、同構成に係る表示装置の平面構成を模式的に示す平面図である。
　図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第２の構成に係る表示装置１Ａは、支持基板１１と、支持基板１１の上に設けられた複数の発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ（まとめて発光素子１３とも称する）と、複数の発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの上に設けられた導光散乱層１５と、発光素子１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂによって構成された画素ごとに導光散乱層１５を離隔する反射隔壁１７と、を備える。
　すなわち、第２の構成に係る表示装置１Ａは、反射隔壁１７によって画素ごとに導光散乱層１５が離隔されている点が第１の構成に係る表示装置１と異なる。なお、第２の構成に係る表示装置１Ａにおいて、反射隔壁１７が設けられている位置以外の各構成の材料、および機能については、第１の構成に係る表示装置１と実質的に同様であるため、ここでの説明は省略する。
　図２Ａおよび図２Ｂに示すように、表示装置１Ａは、画素ごとに反射隔壁１７が設けられているため、画素間で混色が生じることを防止することができる。また、表示装置１Ａでは、第１の構成に係る表示装置１に対して、設けられる反射隔壁１７の数が低減しているため、表示装置１Ａの構造および製造工程を簡略化することができる。また、表示装置１Ａでは、表示装置１Ａの画素ピッチが狭い場合であっても反射隔壁１７を容易に形成することができる。
　表示装置１Ａでは、画素の各々が表示単位として制御されるため、同じ画素に含まれる発光素子１３の間の混色は、表示される画像に対する影響が小さい。一方で、隣接する画素間で混色が生じた場合、画素周囲で色のにじみが生じ、解像度が低下してしまうため、表示される画像に対する影響がより大きい。したがって、表示装置１Ａでは、同じ画素に含まれる発光素子１３の間の混色は無視し、より影響が大きい画素間の混色を防止することで、表示装置１Ａの構造を単純化しつつ、光取出し効率を向上させることができる。
　なお、図２Ｂに示すように、反射隔壁１７は、少なくとも混色が生じる程度に近接した画素の間に設けられていればよい。ただし、発光素子１３からの光取出し効率をより向上させるためには、反射隔壁１７は、画素の周囲を取り囲むように設けられていることがより好ましい。
　＜２．表示装置の詳細構成＞
　続いて、図３Ａ～図６Ｂを参照して、本開示の一実施形態に係る表示装置の詳細構成について、第１～第４の具体例にわけてそれぞれ説明する。
　（２．１．第１の具体例）
　まず、図３Ａおよび図３Ｂを参照して、第１の具体例に係る表示装置について説明する。図３Ａは、第１の具体例に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図であり、図３Ｂは、同具体例に係る表示装置の平面構成を模式的に示す平面図である。
　図３Ａおよび図３Ｂに示すように、第１の具体例に係る表示装置２は、支持基板１００と、支持基板１００の上に設けられた複数の発光素子１１０と、複数の発光素子１１０の上に設けられた保護層１２０と、保護層１２０の上に設けられたカラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗ（まとめてカラーフィルタ層１３０とも称する）と、カラーフィルタ層１３０の上に設けられ、透明材料１５１および散乱体１５３を含む導光散乱層１５０と、導光散乱層１５０を離隔する反射隔壁１４０と、導光散乱層１５０の上に設けられた対向基板１６０と、を備える。図３Ａおよび図３Ｂで示す表示装置２は、対向基板１６０を介して発光素子１１０から出射された光を取り出す上面発光型の表示装置である。
　支持基板１００は、一面上に配列された複数の発光素子１１０を支持する支持体である。また、図示しないが、支持基板１００は、発光素子１１０の各々の駆動を制御する制御回路、発光素子１１０の各々に電力を供給する電源回路、および各種配線を含む多層配線層を備えていてもよい。
　支持基板１００は、公知の材料で形成することが可能であり、例えば、単結晶、多結晶もしくはアモルファスのシリコン（Ｓｉ）などの半導体基板、石英ガラス、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ２Ｏ、ＣａＯおよびＳｉＯ２の混合物）、ホウケイ酸ガラス（Ｎａ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３およびＳｉＯ２の混合物）、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）もしくは鉛ガラス（Ｎａ２Ｏ、ＰｂＯおよびＳｉＯ２の混合物）などのガラス基板、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネートもしくはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等などの有機樹脂基板などで形成されてもよい。また、支持基板１００の上には、複数の絶縁層から構成される多層配線層が設けられていてもよい。
　表示装置２は、上面発光型の表示装置であるため、支持基板１００は、透明基板または不透明基板のいずれでもよく、単結晶、多結晶もしくはアモルファスのシリコン（Ｓｉ）基板などの微細加工が容易な半導体基板であってもよい。また、後述する発光素子１１０の第１電極が光反射電極として形成されない場合、発光素子１１０の支持基板１００側には、発光素子１１０から支持基板１００側に出射される光を反射させるために、反射電極または反射層が設けられることが好ましい。
　発光素子１１０は、例えば、第１電極と、第１電極の上に設けられた有機発光層と、有機発光層の上に設けられた第２電極とを備える自発光型の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）である。発光素子１１０は、第１電極および第２電極にて挟持した有機発光層に電界を印加することで発光する。
　なお、表示装置２では、画素を構成する各色に対応するカラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂを含むカラーフィルタ層１３０が設けられるため、発光素子１１０は、白色光を出射する有機ＥＬ素子であればよい。このような場合、発光素子１１０の各々は、第１電極または第２電極を互いに離隔して形成することによって、有機発光層を互いに離隔せずに連続して共通に形成することができるため、製造工程を簡略化することができる。
　第１電極は、発光素子１１０ごとに設けられ、発光素子１１０のアノードとして機能する。表示装置２は、上面発光型の表示装置であるため、第１電極は、光反射率が高い材料にて、有機発光層から出射される光を反射する光反射電極として形成されることが好ましい。
　例えば、第１電極は、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、もしくはタンタル（Ｔａ）などの仕事関数が高い金属の単体または合金などで形成されてもよい。また、第１電極は、誘電体多層膜またはアルミニウムなどの光反射性の高い薄膜の上に、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）または酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電性材料を積層した積層電極として形成されてもよい。
　有機発光層は、例えば、第１電極の上に、複数の機能層を積層した多層構造にて形成される。具体的には、有機発光層は、第１電極側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層を積層した多層構造で形成されてもよい。また、有機発光層は、複数の発光層を電荷発生層または中間電極を介して接続した、いわゆるタンデム型構造で形成されてもよい。
　正孔注入層は、正孔注入材料を含み、第１電極からの正孔の注入効率を高める層である。正孔注入材料は、公知のものを用いることができ、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（ＴＰＡＰＥＫ）、４－イソプロピル－４’－メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－［４－（フェニル－ｍ－トリル－アミノ）－フェニル］－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニン、４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）、４，４’，４”－トリス（ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－２－ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２－ＴＮＡＴＡ）等を挙げることができる。
　正孔輸送層は、正孔輸送材料を含み、第１電極からの正孔の輸送効率を高める層である。正孔輸送材料は、公知のものを用いることができ、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、もしくはスチルベン、またはこれらの誘導体などを用いることができる。
　より具体的には、正孔輸送材料として、α－ナフチルフェニルフェニレンジアミン（α－ＮＰＤ）、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、ヘキサシアノアザトリフェニレン（ＨＡＴ）、７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、テトラシアノ４，４，４－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（ｐ－トリル）ｐ－フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル、Ｎ－フェニルカルバゾール、または４－ジ－ｐ－トリルアミノスチルベン等を用いることができる。
　発光層は、ホスト材料である正孔輸送材料、電子輸送材料、または両電荷輸送材料の少なくとも１つ以上の電荷輸送材料と、ドーパント材料である蛍光性またはりん光性の有機発光材料とを含み、電気エネルギーを光エネルギーに変換する層である。
　ホスト材料としては、公知の電荷輸送材料を用いることができ、例えば、スチリル誘導体、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体、カルバゾール誘導体、芳香族アミン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、キノリノラト系金属錯体、およびフェナントロリン誘導体等を用いることができる。
　また、ドーパント材料（有機発光材料）として、公知の蛍光材料およびりん光材料を用いることができる。公知の蛍光材料としては、例えば、スチリルベンゼン系色素、オキサゾール系色素、ペリレン系色素、クマリン系色素およびアクリジン系色素などの色素材料、アントラセン誘導体、ナフタセン誘導体、ペンタセン誘導体およびクリセン誘導体等の多芳香族炭化水素系材料、ピロメテン骨格材料、キナクリドン系誘導体、シアノメチレンピラン系誘導体、ベンゾチアゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、または金属キレート化オキシノイド化合物等を用いることができる。また、公知のりん光材料としては、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、および金（Ａｕ）からなる群より選択された少なくとも一つの金属を含む有機金属錯体を用いることができる。具体的には、りん光材料として、Ｉｒ等の貴金属元素を中心金属として有するＩｒ（ｐｐｙ）３等の錯体類、Ｉｒ（ｂｔ）２・ａｃａｃ３等の錯体類、ＰｔＯＥｔ３等の錯体類を用いることができる。
　電子輸送層は、電子輸送材料を含み、第２電極からの電子の注入効率を高める層である。
　電子輸送材料としては、公知のものを用いることができ、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、および含窒素芳香環を有する化合物等を用いることができる。より具体的には、電子輸送材料として、上述したトリス（８－キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、２，９－ジメチルー４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）、またはバソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を用いることができる。なお、電子輸送層は、複数層にて構成されてもよい。電子輸送層が複数層で形成される場合、電子輸送層は、さらにアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素がドープされた層を含んでもよい。
　電子注入層は、第２電極からの電子の注入効率を高める層である。電子注入層は、公知のもので構成されてもよく、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、または酸化バリウム（ＢａＯ）等にて構成されてもよい。
　第２電極は、有機発光層の上に、複数の発光素子１１０に亘って形成され、発光素子１１０のカソードとして機能する。表示装置２は、上面発光型であるため、第２電極は、光透過率が高い材料にて、有機発光層から出射される光を透過させる透明電極として形成されることが好ましい。
　例えば、第２電極は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属と銀との合金、アルカリ土類金属と銀との合金、マグネシウムとカルシウムとの合金、またはアルミニウムとリチウムとの合金などの仕事関数が低い金属または合金などで形成されてもよい。また、第２電極は、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）または酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電性材料にて形成されてもよく、上述した仕事関数が低い材料からなる層と、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）または酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電性材料からなる層との積層電極として形成されてもよい。
　保護層１２０は、発光素子１１０の各々の上に設けられ、発光素子１１０の各々を外部環境から保護する。具体的には、保護層１２０は、発光素子１１０に含まれる有機発光層への水分および酸素の侵入を防止する。保護層１２０は、光透過性が高く、かつガスバリア性が高い材料にて形成されることが好ましく、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、または酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）にて形成されることが好ましい。また、保護層１２０は、ガスバリア性などの保護性能の向上、または屈折率の調整のために、上述した材料などの積層膜として形成されてもよい。
　カラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗは、保護層１２０の上に、表示装置２の画素（図３Ａでは、領域Ｐで示す範囲）を構成する各色に対応して設けられる。すなわち、表示装置２は、発光素子１１０が形成される支持基板１００の上にカラーフィルタ層１３０が形成される、いわゆるオンチップカラーフィルタ（ＯＣＣＦ）方式の表示装置である。
　具体的には、カラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗは、画素領域を対称に等分割した領域にそれぞれ配置され、発光素子１１０の各々から出射された光を各色に対応する波長帯域の光に変換する。例えば、カラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗは、それぞれ赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタ、および白色フィルタであってもよい。なお、発光素子１１０が白色光を出射する発光素子である場合、白色フィルタは設けられなくともよい。カラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗは、例えば、顔料または染料を含む樹脂によって形成されてもよい。
　また、表示装置２は、カラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗに加えて、各画素を規定するブラックマトリクスをさらに備えていてもよい。ブラックマトリクスは、クロム（Ｃｒ）またはグラファイト等の光遮蔽性が高い材料で形成され、配線等の反射で生じた不要な光等を画素間で遮蔽することで、表示装置２のコントラストを向上させることができる。
　導光散乱層１５０は、散乱体１５３を分散させた透明材料１５１にて形成され、カラーフィルタ層１３０の上に設けられる。導光散乱層１５０は、カラーフィルタ層１３０を通過した光を散乱させつつ、対向基板１６０まで導く層である。例えば、導光散乱層１５０は、光透過性の高い有機樹脂である透明材料１５１の内部に、光を散乱させる散乱体１５３を分散させることで構成されてもよい。
　透明材料１５１は、光透過性の高い有機樹脂であり、具体的には、光透過率が９０％以上の有機樹脂であってもよい。例えば、透明材料１５１は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ビニル系樹脂、ウレタン系樹脂、またはセルロース系樹脂などあってもよい。なお、透明材料１５１が光硬化性または熱硬化性樹脂である場合、硬化前の液状の透明材料１５１に散乱体１５３を分散させることで、前駆体液を用いたスピンコート法によって、導光散乱層１５０を容易に形成することができる。
　散乱体１５３は、光の吸収が少ない微小固体である。具体的には、散乱体１５３は、透明材料１５１の屈折率よりも高い屈折率を有する透明な微粒子であってもよい。散乱体１５３は、例えば、有機樹脂からなる樹脂片、ガラスビーズ、または無機酸化物フィラーなどであってもよく、好ましくは、高屈折率の無機酸化物で形成されたフィラーであってもよい。高屈折率の無機酸化物としては、例えば、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯｘ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、および酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などを例示することができる。
　散乱体１５３は、上述した材料の中から、透明材料１５１の屈折率よりも屈折率が高い材料を適宜選択して形成することができる。ただし、散乱体１５３は、高屈折率の無機酸化物で形成されたフィラーであることが好ましい。上述した高屈折率の無機酸化物フィラーは、一般的な有機樹脂またはガラスよりも屈折率が高いため、これらの無機酸化物フィラーを散乱体１５３に用いることで、導光散乱層１５０を通過する光をより効率的に散乱させることができる。また、上述した高屈折率の無機酸化物フィラーは、一般的な有機樹脂またはガラスよりも強度が高いため、これらの無機酸化物フィラーを散乱体１５３に用いることで、導光散乱層１５０の機械的強度をより向上させることができる。
　散乱体１５３の平均粒子径は、例えば、０．２μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、好ましくは、０．４μｍ以上２μｍ以下であってもよい。散乱体１５３の平均粒子径が上記範囲未満である場合、発光素子１１０から出射された光が散乱されにくくなり、光取出し効率が向上しないため好ましくない。また、散乱体１５３の平均粒子径が上記範囲を超える場合、発光素子１１０から出射された光の散乱が過剰になり、導光散乱層１５０の光透過性が低下し、光取出し効率が低下するため好ましくない。
　なお、散乱体１５３の平均粒子径は、例えば、散乱体１５３を真球とみなした場合の面積円相当径の数平均値であり、散乱体１５３をＳＥＭ（Ｓｃａａｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）等で観察した画像を解析し、面積円相当径を測長することで算出することができる。また、散乱体１５３の形状は、例えば、球形、楕円球形、平板形、または多角立方体形などの各種形状であってもよく、特に限定されない。
　ここで、透明材料１５１に対する散乱体１５３の含有量は、固形分質量比で、２質量％以上５０質量％以上であってもよく、好ましくは、５質量％以上３０質量％以下であってもよい。散乱体１５３の含有量が上記範囲未満である場合、発光素子１１０から出射された光が散乱されにくくなり、光取出し効率が向上しないため好ましくない。また、散乱体１５３の含有量が上記範囲を超える場合、発光素子１１０から出射された光の散乱が過剰になり、導光散乱層１５０の光透過性が低下し、光取出し効率が低下するため好ましくない。
　なお、散乱体１５３は、材料、形状、または平均粒子径の少なくともいずれかが異なる複数種の微小固体を組み合わせて使用されてもよい。
　反射隔壁１４０は、カラーフィルタ層１３０の上に設けられ、支持基板１００の基板面に垂直な方向に導光散乱層１５０を離隔する。具体的には、反射隔壁１４０は、各色に対応するカラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗが設けられた領域ごとに導光散乱層１５０を離隔する。また、反射隔壁１４０は、各色に対応するカラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗが設けられた領域の周囲を囲むように形成されてもよい。
　反射隔壁１４０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）などの半導体材料、またはアルミニウム（Ａｌ）もしくはチタン（Ｔｉ）などの金属材料で形成されてもよい。このような場合、反射隔壁１４０は、発光素子１１０から出射された光を確実に反射することができる。
　また、反射隔壁１４０は、透明材料１５１の屈折率よりも屈折率が低い誘電体材料で形成されてもよい。このような場合、反射隔壁１４０は、透明材料１５１から反射隔壁１４０に入射する光を全反射することができる。
　さらに、反射隔壁１４０は、誘電体多層膜からなるダイクロイックミラー、または微小凹凸構造からなる回折格子などの反射構造体が表面に形成されることで、発光素子１１０から出射された光を反射してもよい。
　対向基板１６０は、導光散乱層１５０の上に設けられる。具体的には、対向基板１６０は、エポキシ樹脂などの封止樹脂を介して、導光散乱層１５０までが積層された支持基板１００と貼り合わせられることで、形成される。これによれば、対向基板１６０は、発光素子１１０、カラーフィルタ層１３０、および導光散乱層１５０を外部環境から保護すると共に、表示装置２の機械的強度を高めることができる。
　対向基板１６０は、光透過性が高く、かつ機械的強度が高い材料で形成される。例えば、対向基板１６０は、石英ガラス、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ２Ｏ、ＣａＯおよびＳｉＯ２の混合物）、ホウケイ酸ガラス（Ｎａ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３およびＳｉＯ２の混合物）、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）もしくは鉛ガラス（Ｎａ２Ｏ、ＰｂＯおよびＳｉＯ２の混合物）などのガラス基板、またはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネートもしくはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等などの有機樹脂基板などで形成されてもよい。なお、対向基板１６０は、支持基板１００と同一の材料で形成されてもよく、異なる材料で形成されてもよい。
　このような第１の具体例に係る表示装置２では、発光素子１１０から出射され、カラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗのいずれかを通過した光を導光散乱層１５０で散乱させつつ、対向基板１６０まで導くことができる。これによれば、表示装置２では、各層の界面で反射または全反射することで、表示装置２の内部に留まってしまう光を表示装置２の外部へ効率的に取り出すことができる。また、表示装置２では、導光散乱層１５０によって散乱された光が、隣接する発光素子１１０等に混色してしまうことを防止することができる。
　（２．２．第２の具体例）
　続いて、図４を参照して、第２の具体例に係る表示装置について説明する。図４は、第２の具体例に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図である。
　図４に示すように、第２の具体例に係る表示装置３は、第１の具体例に係る表示装置２に対して、カラーフィルタ層１３０（すなわち、カラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗ（図示せず））を導光散乱層１５０の上に備える点が異なる。なお、表示装置３の他の構成については、第１の具体例に係る表示装置２と実質的に同様であるため、ここでの説明は省略する。
　このような第２の具体例に係る表示装置３は、対向基板１６０の上にカラーフィルタ層１３０を形成した後、カラーフィルタ層１３０および導光散乱層１５０が対向するように、支持基板１００と対向基板１６０とを貼り合わせることで形成することができる。すなわち、第２の具体例に係る表示装置３は、いわゆる対向カラーフィルタ（対向ＣＦ）方式の表示装置である。
　第２の具体例に係る表示装置３では、発光素子１１０と、導光散乱層１５０との距離を縮めることで、発光素子１１０から導光散乱層１５０に侵入する光の量を増加させることができるため、発光素子１１０からの光取出し効率をより向上させることができる。また、第２の具体例に係る表示装置３では、発光素子１１０と、導光散乱層１５０との距離を縮めることで、隣接する発光素子１１０の間で光の混色が生じることをさらに抑制することができる。
　（２．３．第３の具体例）
　続いて、図５を参照して、第３の具体例に係る表示装置について説明する。図５は、第３の具体例に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図である。
　図５に示すように、第３の具体例に係る表示装置４は、第１の具体例に係る表示装置２に対して、カラーフィルタ層１３０（すなわち、カラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗ（図示せず））を備えず、画素を構成する各色に対応する波長帯域の光を射出する発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｗ（図示せず）をそれぞれ備える点が異なる。
　具体的には、表示装置４には、赤色光を出射する赤色発光素子１１０Ｒ、緑色光を出射する緑色発光素子１１０Ｇ、青色光を出射する青色発光素子１１０Ｂ、および白色光を出射する白色発光素子１１０Ｗ（図示せず）が設けられていてもよい。なお、表示装置４の他の構成については、第１の具体例に係る表示装置２と実質的に同様であるため、ここでの説明は省略する。
　ここで、赤色発光素子１１０Ｒは、例えば、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０質量％混合した層を発光層に用いることで形成することができる。また、緑色発光素子１１０Ｇは、例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５質量％混合した層を発光層に用いることで形成することができる。さらに、青色発光素子１１０Ｂは、ＤＰＶＢｉに４，４’－ビス［２－｛４－(Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ)フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５質量％混合した層を発光層に用いることで形成することができる。また、赤色発光素子１１０Ｒ、緑色発光素子１１０Ｇ、青色発光素子１１０Ｂ、および白色発光素子１１０Ｗは、上述した材料以外にも公知の蛍光材料またはりん光材料を用いることで、形成することが可能である。
　第３の具体例に係る表示装置４では、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｗと、導光散乱層１５０との距離を縮めることで、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｗから導光散乱層１５０に侵入する光の量を増加させることができるため、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｗからの光取出し効率をより向上させることができる。また、第３の具体例に係る表示装置４では、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｗと、導光散乱層１５０との距離を縮めることで、隣接する発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｗの間で光の混色が生じることをさらに抑制することができる。さらに、第３の具体例に係る表示装置４では、カラーフィルタ層１３０を省略し、表示装置４の積層構造を単純化することができるため、表示装置４の製造工程を簡略化することができる。
　（２．４．第４の具体例）
　続いて、図６Ａおよび図６Ｂを参照して、第４の具体例に係る表示装置について説明する。図６Ａは、第４の具体例に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図であり、図６Ｂは、同具体例に係る表示装置の平面構成を模式的に示す平面図である。
　図６Ａおよび図６Ｂに示すように、第４の具体例に係る表示装置２Ａは、第１の具体例に係る表示装置２に対して、反射隔壁１４０が画素ごとに導光散乱層１５０を離隔するように設けられる点が異なる。
　具体的には、表示装置２Ａでは、画素は、カラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗに対応する各色によって構成され、カラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗがそれぞれ設けられた領域が一画素として機能する。そのため、表示装置２Ａでは、反射隔壁１４０は、カラーフィルタ１３０Ｒ、１３０Ｇ、１３０Ｂ、１３０Ｗが設けられた領域（図６Ａでは、領域Ｐで示す範囲）を囲むように形成される。なお、表示装置２Ａの他の構成については、第１の具体例に係る表示装置２と実質的に同様であるため、ここでの説明は省略する。
　表示装置２Ａでは、画素ごとに、画素を構成する領域を囲むように、導光散乱層１５０を離隔する反射隔壁１４０が設けられるため、画素間で混色が生じることを防止することができる。また、表示装置２Ａでは、第１の具体例に係る表示装置２に対して、設けられる反射隔壁１４０の数を低減することができるため、表示装置２Ａの構造および製造工程を簡略化することができる。また、表示装置２Ａの画素ピッチが狭い場合であっても、反射隔壁１４０を容易に形成することができる。
　なお、第４の具体例に係る表示装置２Ａでは、保護層１２０の上にカラーフィルタ層１３０が設けられるＯＣＣＦ方式の表示装置の例を示したが、本具体例は、上記例示に限定されない。例えば、表示装置２Ａは、第２の具体例に係る表示装置３のように、対向基板１６０の下にカラーフィルタ層１３０を設けた対向ＣＦ方式の表示装置であってもよい。また、表示装置２Ａは、第３の具体例に係る表示装置４のように、カラーフィルタ層１３０を備えず、発光素子１１０の各々が画素を構成する各色に対応する波長帯域の光を出射する表示装置であってもよい。
　（２．５．変形例）
　次に、図７～図９を参照して、変形例に係る表示装置について説明する。図７は、変形例に係る表示装置の積層構造を模式的に示す断面図である。図８および図９は、同変形例において有機発光層を蒸着する際の蒸着方法を示す説明図である。
　図７に示すように、本変形例に係る表示装置５は、他の具体例に係る表示装置に対して、対向基板１６０側に向かうにつれて積層方向の断面幅が太くなる逆テーパー形状にて反射隔壁１４１が形成される点が異なる。具体的には、反射隔壁１４１は、等方的なエッチングを用いて加工されることによって、対向基板１６０側の幅が太く、支持基板１００側の幅が細い逆テーパー形状にて形成され得る。
　このような構成によれば、発光素子１１０（すなわち、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ）から出射した光は、反射隔壁１４１に入射する際の入射角が小さくなる。したがって、発光素子１１０から出射した光は、より導光散乱層１５０の内部に向かう方向に反射されるようになる。これによれば、表示装置５では、発光素子１１０から出射した光は、より導光散乱層１５０によって散乱されるようになるため、発光素子１１０からの光取出し効率をより向上させることができる。
　なお、反射隔壁１４１のテーパー角は、反射隔壁１４１が対向基板１６０側の幅が太い逆テーパー形状であれば、いかなる角度であってもよい。ただし、例えば、反射隔壁１４１のテーパー角の絶対値が４５°を超える場合、表示装置５の開口度が低下してしまうため好ましくない。また、反射隔壁１４１のテーパー角の絶対値が５°未満の場合、発光素子１１０からの光取出し効率を向上させる効果が得られにくくなるため好ましくない。
　また、図７に示すように、本変形例に係る表示装置５が、カラーフィルタ層１３０を備えず、画素を構成する各色に対応する波長帯域の光を射出する発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｗ（図示せず）をそれぞれ備える場合、発光素子１１０Ｒ、１１０Ｇ、１１０Ｂ、１１０Ｗをより効率的に形成することが可能である。
　このような効果について、図８および図９を参照して説明する。図８および図９は、同変形例において、有機発光層を蒸着する際の蒸着方法を示す説明図である。
　図８に示すように、発光素子１１０の有機発光層は、反射隔壁１４１を形成した後に蒸着され得る。このような場合、発光素子１１０の有機発光層は、例えば、それぞれ画素の対角線方向から行われる斜方蒸着によって蒸着されてもよい。具体的には、発光素子１１０の有機発光層は、該有機発光層が設けられた位置と、該発光素子１１０を含む画素の中心とを結ぶ対角線に沿って、画素の中心方向からの斜方蒸着によって形成されてもよい。
　例えば、発光素子１１０Ｒの有機発光層は、矢印２１０Ｒの方向からの斜方蒸着によって形成されてもよく、発光素子１１０Ｇの有機発光層は、矢印２１０Ｇの方向からの斜方蒸着によって形成されてもよく、発光素子１１０Ｂの有機発光層は、矢印２１０Ｂの方向からの斜方蒸着によって形成されてもよい。
　このような斜方蒸着では、図９に示すように、蒸着源２００から投射される蒸着物質２１０は、蒸着面の構造物によって遮られるため、構造物の陰となる領域には蒸着されない。したがって、本変形例に係る表示装置５では、あらかじめ形成された反射隔壁１４１によって蒸着物質２１０が遮られるため、蒸着方向に沿って反射隔壁１４１から離れた領域に優先的に蒸着物質２１０が蒸着することになる。これによれば、マスク等を用いずとも、発光素子１１０の各々の有機発光層をそれぞれ対応する領域にのみ形成することが可能となる。
　特に、反射隔壁１４１が支持基板１００から離れた側の幅が広がった逆テーパー形状である場合、斜方蒸着の際に反射隔壁１４１の陰となることで蒸着物質２１０が遮られる領域が大きくなる。したがって、本変形例に係る表示装置５によれば、マスク等を用いずとも、より正確に、発光素子１１０の各々の有機発光層を形成し分けることが可能である。
　以上にて説明したように、本実施形態に係る表示装置では、発光素子１１０から出射された光を導光散乱層１５０によって散乱させることで、発光素子１１０からの光取出し効率を向上させることが可能である。また、本実施形態に係る表示装置では、導光散乱層１５０をそれぞれ離隔する反射隔壁１４０によって、隣接する画素または発光素子１１０との間での混色を生じさせずに、発光素子１１０からの光取出し効率を向上させることが可能である。このような光取出し効率が向上した表示装置では、低電流密度にて発光素子１３の各々を駆動させることができるため、より低消費電力、かつ高寿命の駆動が可能である。
　＜３．表示装置の適用例＞
　続いて、図１０～図１３を参照して、本実施形態に係る表示装置の適用例について説明する。図１０～図１３は、本実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の一例を示す外観図である。
　例えば、本実施形態に係る表示装置は、スマートフォンなどの電子機器が備える表示部に適用することができる。具体的には、図１０に示すように、スマートフォン４００は、各種情報を表示する表示部４０１と、ユーザによる操作入力を受け付けるボタン等から構成される操作部４０３と、を備える。ここで、表示部４０１は、本実施形態に係る表示装置にて構成されてもよい。
　また、例えば、本実施形態に係る表示装置は、デジタルカメラなどの電子機器の表示部に適用することができる。具体的には、図１１および図１２に示すように、デジタルカメラ４１０は、本体部（カメラボディ）４１１と、交換式のレンズユニット４１３と、撮影時にユーザによって把持されるグリップ部４１５と、各種情報を表示するモニタ部４１７と、撮影時にユーザによって観察されるスルー画を表示するＥＶＦ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｖｉｅｗ　Ｆｉｎｄｅｒ）４１９と、を備える。なお、図１１は、デジタルカメラ４１０を前方（すなわち、被写体側）から眺めた外観を示し、図１２は、デジタルカメラ４１０を後方（すなわち、撮影者側）から眺めた外観を示す。ここで、モニタ部４１７およびＥＶＦ４１９は、本実施形態に係る表示装置にて構成されてもよい。
　また、例えば、本実施形態に係る表示装置は、ＨＭＤ（Ｈｅａｄ　Ｍｏｕｎｔｅｄ　Ｄｉｓｐｌａｙ）などの電子機器の表示部に適用することができる。具体的には、図１３に示すように、ＨＭＤ４２０は、各種情報を表示する眼鏡型の表示部４２１と、装着時にユーザの耳に掛止される耳掛け部４２３と、を備える。ここで、表示部４２１は、本実施形態に係る表示装置にて構成されてもよい。
　なお、本実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器は、上記例示に限定されない。本実施形態に係る表示装置は、外部から入力された画像信号、または内部で生成された画像信号に基づいて表示を行うあらゆる分野の電子機器の表示部に適用することが可能である。このような電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、電子ブック、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ノート型パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、またはゲーム機器等を例示することができる。
　以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
　また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
　以上では、本開示の一実施形態として、有機ＥＬ素子を用いた表示装置、および電子機器について説明したが、本開示はかかる例に限定されない。本開示の対象となる表示装置は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、および電子ペーパー等、カラー表示を実現し得る表示装置であれば、いかなる表示装置であってよい。これらの他の表示装置においても、発光素子の上に導光散乱層を設け、導光散乱層を少なくとも画素ごとに離隔することで、上述した実施形態と同様に発光素子からの光取出し効率を向上させる効果を得ることが可能である。
　ここで、発光素子とは、表示装置の各画素において、外部に向かって発光する部位のことである。例えば、上記実施形態で説明した表示装置であれば、発光素子は、第１電極および第２電極で挟持された有機発光層（すなわち、有機ＥＬ素子）に対応する。また、液晶ディスプレイであれば、発光素子は、バックライトを備えた液晶パネルのうちの１つの画素に対応する。さらに、プラズマディスプレイであれば、発光素子は、プラズマディスプレイパネルのうち１つの放電セルに対応する。
　なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）
　画素を構成する複数の発光素子と、
　前記複数の発光素子の上に設けられ、前記複数の発光素子から出射された光を散乱させる導光散乱層と、
　少なくとも前記画素ごとに前記導光散乱層を離隔し、前記複数の発光素子から出射された光を反射する反射隔壁と、
を備える、表示装置。
（２）
　前記反射隔壁は、前記画素を構成する各色に対応する発光素子ごとに設けられ、前記導光散乱層を前記発光素子ごとに離隔する、前記（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記導光散乱層は、透明材料の中に、前記透明材料の屈折率よりも高い屈折率を有する散乱体が分散されることで形成される、前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記散乱体は、ＺｒＯ２、ＢａＴｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、またはＡｌ２Ｏ３のいずれかにて形成される、前記（３）に記載の表示装置。
（５）
　前記散乱体の平均粒径は、０．４μｍ以上２μｍ以下である、前記（３）または（４）に記載の表示装置。
（６）
　前記反射隔壁は、金属材料または半導体材料で形成される、前記（１）～（５）のいずれか一項に記載の表示装置。
（７）
　前記反射隔壁は、前記透明材料の屈折率よりも低い屈折率を有する誘電体にて形成される、前記（１）～（５）のいずれか一項に記載の表示装置。
（８）
　前記反射隔壁の積層方向の断面形状は、逆テーパー形状である、前記（１）～（７）のいずれか一項に記載の表示装置。
（９）
　前記複数の発光素子は、白色に対応する波長帯域の光を出射し、
　前記導光散乱層の上または下には、前記画素を構成する各色に対応するカラーフィルタがさらに設けられる、前記（１）～（８）のいずれか一項に記載の表示装置。
（１０）
　前記複数の発光素子の各々は、前記画素を構成する各色に対応する波長帯域の光を出射する、前記（１）～（８）のいずれか一項に記載の表示装置。
（１１）
　画素を構成する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の上に設けられ、前記複数の発光素子から出射された光を散乱させる導光散乱層と、少なくとも前記画素ごとに前記導光散乱層を離隔し、前記複数の発光素子から出射された光を反射する反射隔壁と、を備える表示部と、
　前記表示部を制御する表示制御部と、
を備える、電子機器。
　１、１Ａ、２、２Ａ、３、４、５　　表示装置
　１１　　　支持基板
　１３　　　発光素子
　１５　　　導光散乱層
　１７　　　反射隔壁
　１００　　支持基板
　１１０　　発光素子
　１２０　　保護層
　１３０　　カラーフィルタ層
　１４０　　反射隔壁
　１５０　　導光散乱層
　１５１　　透明材料
　１５３　　散乱体
　１６０　　対向基板

Claims (11)

  1. 　画素を構成する複数の発光素子と、
    　前記複数の発光素子の上に設けられ、前記複数の発光素子から出射された光を散乱させる導光散乱層と、
    　少なくとも前記画素ごとに前記導光散乱層を離隔し、前記複数の発光素子から出射された光を反射する反射隔壁と、
    を備える、表示装置。
  2. 　前記反射隔壁は、前記画素を構成する各色に対応する発光素子ごとに設けられ、前記導光散乱層を前記発光素子ごとに離隔する、請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記導光散乱層は、透明材料の中に、前記透明材料の屈折率よりも高い屈折率を有する散乱体が分散されることで形成される、請求項１に記載の表示装置。
  4. 　前記散乱体は、ＺｒＯ２、ＢａＴｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、Ｙ２Ｏ３、またはＡｌ２Ｏ３のいずれかにて形成される、請求項３に記載の表示装置。
  5. 　前記散乱体の平均粒径は、０．４μｍ以上２μｍ以下である、請求項３に記載の表示装置。
  6. 　前記反射隔壁は、金属材料または半導体材料で形成される、請求項１に記載の表示装置。
  7. 　前記反射隔壁は、前記透明材料の屈折率よりも低い屈折率を有する誘電体にて形成される、請求項３に記載の表示装置。
  8. 　前記反射隔壁の積層方向の断面形状は、逆テーパー形状である、請求項１に記載の表示装置。
  9. 　前記複数の発光素子は、白色に対応する波長帯域の光を出射し、
    　前記導光散乱層の上または下には、前記画素を構成する各色に対応するカラーフィルタがさらに設けられる、請求項１に記載の表示装置。
  10. 　前記複数の発光素子の各々は、前記画素を構成する各色に対応する波長帯域の光を出射する、請求項１に記載の表示装置。
  11. 　画素を構成する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の上に設けられ、前記複数の発光素子から出射された光を散乱させる導光散乱層と、少なくとも前記画素ごとに前記導光散乱層を離隔し、前記複数の発光素子から出射された光を反射する反射隔壁と、を備える表示部と、
    　前記表示部を制御する表示制御部と、
    を備える、電子機器。
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