RU2358354C2 - Светоизлучающее устройство - Google Patents
Светоизлучающее устройство Download PDFInfo
- Publication number
- RU2358354C2 RU2358354C2 RU2007121701/28A RU2007121701A RU2358354C2 RU 2358354 C2 RU2358354 C2 RU 2358354C2 RU 2007121701/28 A RU2007121701/28 A RU 2007121701/28A RU 2007121701 A RU2007121701 A RU 2007121701A RU 2358354 C2 RU2358354 C2 RU 2358354C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light emitting
- film
- layer
- effect transistor
- field effect
- Prior art date
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 110
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 46
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 43
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 claims description 27
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 266
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 242
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 92
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 92
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 description 85
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 60
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 48
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 47
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 45
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 43
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 41
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 32
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 28
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 25
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 23
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 15
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 15
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 15
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 13
- -1 silicon alkoxide Chemical class 0.000 description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 6
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 6
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006266 Vinyl film Polymers 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQMUOFGWJSNFPX-UHFFFAOYSA-N [O].[Sn].[Sn] Chemical compound [O].[Sn].[Sn] CQMUOFGWJSNFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAWXQCSLVDAOOL-UHFFFAOYSA-N [Sn].[Sn]=O.[Sn] Chemical compound [Sn].[Sn]=O.[Sn] GAWXQCSLVDAOOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 RTRAMYYYHJZWQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- RQOCAUMQQIFRFK-UHFFFAOYSA-N n-(1-naphthalen-1-ylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)-4-[4-[(1-naphthalen-1-ylcyclohexa-2,4-dien-1-yl)amino]phenyl]aniline Chemical group C1C=CC=CC1(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)NC1=CC=C(C=2C=CC(NC3(C=CC=CC3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=2)C=C1 RQOCAUMQQIFRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02592—Microstructure amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geometry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Shift Register Type Memory (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит светоизлучающий элемент с первым и вторым электродами и светоизлучающим слоем, находящимся между первым и вторым электродами, полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, активный слой которого сформирован из аморфного оксида, имеющего концентрацию электронных носителей меньше чем 1018/см3. Также предложены еще два варианта светоизлучающих устройств, электрофотографическое устройство, устройство отображения с активной матрицей и изделие для отображения. Светоизлучающие устройства согласно изобретению имеют такие электрофизические характеристики, которые обеспечивают высокую контрастность в устройствах, в которых согласно изобретению могут быть использованы эти светоизлучающие устройства. 6 н. и 20 з.п. ф-лы, 15 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству, использующему оксид и, в частности, использующему органический EL элемент и неорганический EL элемент. Светоизлучающее устройство согласно настоящему изобретению также относится к типу устройства с верхним излучением или типу устройства с нижним излучением.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
В последние годы плоскопанельный дисплей (ППД) получил широкое распространение в результате технологического прогресса в области жидких кристаллов и электролюминесценции (EL). ППД приводится в действие посредством схемы активной матрицы, состоящей из тонкопленочного полевого транзистора (ТПТ), использующего в качестве активного слоя тонкую аморфную кремниевую пленку или тонкую пленку из поликристаллического кремния, расположенную на стеклянной подложке.
С другой стороны, была сделана попытка вместо стеклянной подложки использовать легкую и гибкую полимерную подложку, чтобы еще больше уменьшить толщину ППД, сделать его более тонким и стойким к разрушению. Однако поскольку для производства транзистора с использованием вышеописанной тонкой кремниевой пленки требуется термический процесс со сравнительно высокой температурой, трудно сформировать тонкую кремниевую пленку непосредственно на полимерной подложке с низкой термостойкостью. В связи с этим активно разрабатывался (выложенная заявка на патент Японии №2003-298062) ТПТ, использующий тонкую полупроводниковую оксидную пленку, содержащую в основном, например, ZnO, который может быть сформирован в виде пленки при низкой температуре.
Однако технический уровень разработки ТПТ, использующего традиционную тонкую полупроводниковую оксидную пленку, не был доведен до технологического уровня, достаточного для применения на практике, из-за отсутствия адекватных приемлемых характеристик, какими обладает кремниевый ТПТ.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Целью настоящего изобретения является предоставление нового светоизлучающего устройства, электронографа и устройства отображения с транзистором, использующим оксид в качестве активного слоя.
Согласно аспекту настоящего изобретения предоставляется светоизлучающее устройство, имеющее светоизлучающий элемент, содержащий первый и второй электроды, и светоизлучающий слой, находящийся между первым и вторым электродами, и полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, причем
активный слой полевого транзистора сформирован из аморфного оксида с концентрацией электронных носителей меньше чем 1018/см3.
Аморфный оксид предпочтительно включает в себя, по меньшей мере, один из In, Zn или Sn.
В качестве альтернативы аморфный оксид предпочтительно представляет собой любой оксид, выбранный из группы, состоящей из: оксида, содержащего In, Zn или Sn; оксида, содержащего In или Zn; и оксида, содержащего In.
В качестве альтернативы аморфный оксид предпочтительно включает в себя In, Zn и Ga.
Светоизлучающий элемент и полевой транзистор предпочтительно расположены на оптически прозрачной подложке, и свет, испускаемый из светоизлучающего слоя, проходит через подложку. Полевой транзистор предпочтительно расположен между подложкой и светоизлучающим слоем.
В качестве альтернативы светоизлучающий элемент и полевой транзистор предпочтительно расположены на оптически прозрачной подложке, и свет, испускаемый из светоизлучающего слоя, проходит через подложку и аморфный оксид. Полевой транзистор предпочтительно расположен между подложкой и светоизлучающим слоем.
В светоизлучающем устройстве, по меньшей мере, один из электрода стока полевого транзистора и второго электрода предпочтительно сформирован из оптически прозрачного электропроводящего оксида.
Светоизлучающий элемент предпочтительно представляет собой электролюминесцентный элемент.
В светоизлучающем устройстве множество светоизлучающих элементов предпочтительно расположены в один ряд. Светоизлучающий элемент предпочтительно расположен смежно с полевым транзистором.
Согласно другому аспекту настоящего изобретения предоставляется электрофотографическое устройство, имеющее
фотодатчик,
электризатор для электризации фотодатчика,
источник экспонирования светом для экспонирования фотодатчика с целью формирования латентного изображения на фотодатчике, и
проявляющее устройство для проявки латентного изображения, в котором
источник экспонирования светом имеет светоизлучающее устройство.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения предоставляется светоизлучающее устройство, имеющее светоизлучающий элемент, содержащий первый и второй электроды и светоизлучающий слой, находящийся между первым и вторым электродами, и полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, в котором
подвижность электронов активного слоя полевого транзистора увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения светоизлучающее устройство, имеющее светоизлучающий элемент, который содержит первый и второй электроды, и светоизлучающий слой, находящийся между первым и вторым электродами, и полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, в котором
активный слой полевого транзистора включает в себя такой прозрачный полупроводник из аморфного оксида, который способен реализовать нормально выключенное состояние. Прозрачный полупроводник из аморфного оксида предпочтительно имеет концентрацию электронных носителей меньше чем 1018/см3, которая является достаточно низкой для реализации нормально выключенного состояния.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения предоставляется устройство отображения с активной матрицей, содержащее светоизлучающий элемент, содержащий первый и второй электроды и светоизлучающий слой, находящийся между первым и вторым электродами, и полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, и схему элементов изображения, выполненную в виде двумерной матрицы, в которой
активный слой полевого транзистора включает в себя такой прозрачный полупроводник из аморфного оксида, который способен реализовать нормально выключенное состояние. Прозрачный полупроводник из аморфного оксида предпочтительно имеет концентрацию электронных носителей меньше чем 1018/см3, которая является достаточно низкой для реализации нормально выключенного состояния.
Согласно еще одному аспекту настоящего изобретения предоставляется изделие отображения, содержащее:
светоизлучающий элемент, содержащий первый и второй электроды, и светоизлучающий слой, находящийся между первым и вторым электродами, и полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, в котором
активный слой полевого транзистора включает в себя полупроводник из аморфного оксида.
В качестве аморфного оксида предпочтительно выбирают любой один оксид из группы, состоящей из: оксида, состоящего из In, Zn и Sn; оксида, состоящего из In и Zn; и оксида, состоящего из In.
В качестве альтернативы транзистор предпочтительно представляет собой транзистор нормально выключенного типа.
Настоящее изобретение может использоваться при разработке нового светоизлучающего устройства, электронографа и устройства отображения с активной матрицей.
В результате исследований полупроводника на основе оксида ZnO авторы настоящего изобретения обнаружили, что стабильная аморфная фаза не может быть сформирована в обычном процессе. Более того, считается, что большее количество ZnO, образуемое обычным способом, находится в поликристаллической фазе и рассеивает носители на границе раздела между поликристаллическими гранулами и, следовательно, не может увеличить подвижность электронов. Кроме того, ZnO имеет тенденцию образовывать кислородные дефекты и, следовательно, образует большое количество электронных носителей, при этом возникают трудности с уменьшением его электропроводности. Было обнаружено, что ТПТ, использующий ZnO полупроводник, пропускает сильный ток между терминалом истока и терминалом стока, даже если не прикладывается напряжение затвора транзистора, и не может реализовать нормально выключенное состояние. Также считается, что для ТПТ, использующего ZnO полупроводник, трудно увеличить отношение включено/выключено.
Более того, авторы настоящего изобретения исследовали пленку из аморфного оксида ZnxMyInzO(x+3y/2+3z/2) (где М представляет собой, по меньшей мере, один из Al или Ga), описанную в выложенной заявке на патент Японии №2000-044236. Материал имеет концентрацию электронных носителей, равную 1·1018/см3 или больше, и, следовательно, подходит для использования в качестве прозрачного электрода. Однако было обнаружено, что материал не подходит для ТПТ нормально выключенного типа, поскольку, если ТПТ имеет канальный слой, выполненный из оксида с концентрацией электронных носителей/ равной 1·1018/см3 или больше, то ТПТ не может обеспечить достаточное отношение включено/выключено.
Другими словами, обычная пленка из аморфного оксида не дает концентрацию электронных носителей меньше чем 1·1018/см3.
Авторы настоящего изобретения активно исследовали свойства InGaO3(ZnO)m и условия формирования пленки для этого материала и в результате обнаружили, что концентрация электронных носителей может быть уменьшена ниже 1·1018/см3, управляя параметрами кислородной среды во время формирования пленки.
Следовательно, авторы настоящего изобретения обнаружили, что ТПТ, имеющий в качестве активного слоя полевого транзистора аморфный оксид, содержащий электронные носители с концентрацией меньше чем 1·1018/см3, может давать желаемые характеристики и может быть использован в плоскопанельном дисплее, таком как светоизлучающее устройство.
В качестве электронографа с линейно расположенным источником света и фотодатчиком, использующим светоизлучающее устройство согласно настоящему изобретению, предоставлено копировально-множительное устройство, устройство постраничной печати и картридж со встроенным барабаном.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг.1 представляет собой диаграмму, показывающую связь между концентрацией электронных носителей в аморфной пленке на основе In-Ga-Zn-O, сформированной способом импульсного лазерного осаждения, и парциальным давлением кислорода во время формирования пленки;
Фиг.2 представляет собой диаграмму, показывающую связь между электропроводностью аморфной пленки на основе In-Ga-Zn-O, сформированной способом напыления в атмосфере аргона, и парциальным давлением кислорода во время формирования пленки;
Фиг.3 представляет собой диаграмму, показывающую связь между количеством электронных носителей и подвижностью электронов в аморфной пленке на основе In-Ga-Zn-O, сформированной способом импульсного лазерного осаждения;
Фиг.4А, 4В и 4С представляют собой диаграммы, показывающие изменение электропроводности, концентрации носителей и подвижности электронов в зависимости от значения х в пленке InGaO3(Zn1-xMgxO), сформированной способом импульсного лазерного осаждения в атмосфере при парциальном давлении кислорода, равном 0,8 Па;
Фиг.5 представляет собой блок-схему, показывающую структуру МДП-транзистора с верхним затвором, получаемого в варианте осуществления 1;
Фиг.6 представляет собой диаграмму, показывающую вольтамперную характеристику МДП-транзистора с верхним затвором, получаемого в варианте осуществления 1;
Фиг.7 представляет собой блок-схему, показывающую поперечное сечение светоизлучающего устройства согласно настоящему изобретению;
Фиг.8 представляет собой принципиальную схему, на которой светоизлучающее устройство согласно настоящему изобретению используется в устройстве отображения;
Фиг.9 представляет собой блок-схему, показывающую поперечное сечение светоизлучающего устройства согласно настоящему изобретению;
Фиг.10 представляет собой блок-схему, показывающую электрическое соединение линейного источника света согласно настоящему изобретению;
Фиг.11 представляет собой сечение, показывающее пример конфигурации линейного источника света согласно настоящему изобретению;
Фиг.12 представляет собой сечение (структура расположенная справа на Фиг.11), показывающее пример конфигурации линейного источника света согласно настоящему изобретению;
Фиг.13 представляет собой блок-схему, показывающую пример конструкции копировально-множительного устройства, устройства постраничной печати, картриджа со встроенным барабаном и линейного источника света;
Фиг.14 представляет собой блок-схему, показывающую устройство для импульсного лазерного осаждения; и
Фиг.15 представляет собой блок-схему, показывающую устройство для формирования пленки напылением.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Ниже со ссылкой на Фиг.7, на которой представлен первый вариант осуществления, показана основная конфигурация согласно настоящему изобретению.
На чертеже ссылочная позиция 70 обозначает электрод стока, ссылочная позиция 71 - подложку, ссылочная позиция 72 - активный слой, ссылочная позиция 73 - изолирующую пленку затвора, ссылочная позиция 74 - электрод затвора, ссылочная позиция 75 -электрод истока, ссылочная позиция 77 - второй электрод, ссылочная позиция 78 - светоизлучающий слой, ссылочная позиция 79 - первый электрод. В первом варианте осуществления второй электрод (называемый в настоящем описании "нижний электрод") расположен к подложке ближе, чем светоизлучающий слой, при этом светоизлучающий слой представляет собой органический EL слой, а первый электрод (называемый в настоящем описании "противоэлектродом") расположен от подложки дальше, чем светоизлучающий слой. Зазор между вышеописанными компонентами заполнен промежуточным изолирующим слоем 76.
В первую очередь будет подробно описан каждый компонент.
1. ПОДЛОЖКА
Обычно в светоизлучающем устройстве в качестве материала подложки используется стекло. Однако, поскольку ТПТ, используемый в настоящем изобретении, может быть сформирован при низкой температуре, в настоящем изобретении может быть использована пластмассовая подложка, которую было сложно использовать в активной матрице. Таким образом, может быть предоставлено светоизлучающее устройство, которое является легким, устойчивым к повреждениям и до некоторой степени гибким. Как правило, может использоваться полупроводниковая подложка, такая как Si - подложка и керамическая подложка. Также может использоваться подложка с изолирующим слоем, расположенная на металлической пластине, при условии, что подложка плоская.
2. ТРАНЗИСТОР
Активный слой транзистора может представлять собой любой материал при условии, что он имеет желаемые характеристики, в частности концентрацию электронных носителей меньше чем 1·1018/см3, и подвижность электронов больше чем 1 см2/(В·сек). Материал включает в себя, например, полупроводник на основе In-Ga-Zn-O аморфного оксида. Аморфный оксид представляет собой прозрачную пленку. В данном случае слово прозрачный относится не только к случаю по существу оптической прозрачности для видимого света, но также включает в себя случай оптической прозрачности, по меньшей мере, только для части спектра в области видимого света. Что касается оптической прозрачности, полупроводник на основе In-Ga-Zn-O аморфного оксида имеет коэффициент пропускания предпочтительно 50% или больше, более предпочтительно 80% или больше. Описанная выше композиция может содержать замещающий или добавленный магний. Если светоизлучающее устройство использует ТПТ с активным слоем на основе In-Ga-Zn-O, он обладает полезными техническими характеристиками, поскольку ТПТ обеспечивает достаточную движущую силу как напряжения, так и тока в органическом EL элементе.
Аморфный оксид более подробно описан ниже.
Как описано выше, для формирования активного слоя являются подходящими способ напыления и способ импульсного лазерного осаждения, но предпочтительными являются такие способы напыления, которые имеют преимущество в продуктивности. Также является эффективным размещение буферного слоя подходящим способом между активным слоем и подложкой.
В качестве изолирующего слоя (пленки) затвора является предпочтительным любой из: Al2O3, Y2О3 и HfO2 или смешанное кристаллическое соединение, содержащее, по меньшей мере, два или более из них, но может быть и другое соединение.
Используемый электрод истока и электрод стока включают в себя электропроводящий оксид, представленный ITO (оксидом индия-олова) и металлом, таким как Au. Однако электрод предпочтительно может быть соединен с активным слоем омически или почти омически. Электрод стока также может быть соединен непосредственно со светоизлучающим слоем без шунтирования второго электрода.
3. СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ СЛОЙ
Светоизлучающий слой может быть любым при условии, что он может быть возбужден при помощи ТПТ, но, в частности, является предпочтительным органический EL слой. Органический EL слой 78, используемый в настоящем изобретении, редко используется в виде одного слоя, но часто используется в конфигурации, состоящей из множества слоев, как показано далее. Далее "слой переноса электронов" означает светоизлучающий слой, имеющий функцию транспорта электронов.
Слой переноса дырок/светоизлучающий слой + слой переноса электронов.
Слой переноса дырок/светоизлучающий слой/слой переноса электронов.
Слой инжекции дырок/слой переноса дырок/светоизлучающий слой/слой переноса электронов.
Слой инжекции дырок/слой переноса дырок/светоизлучающий слой/слой переноса электронов/слой инжекции электронов.
Иногда между множеством слоев помещают электронный барьерный слой и слой, улучшающий адгезию.
В общем случае существует два принципа излучения света светоизлучающим слоем, флуоресценция и фосфоресценция, но с точки зрения световой отдачи фосфоресценция эффективнее. Комплекс иридия является полезным в качестве фосфоресцирующего материала. Как низкомолекулярный полимер, так и высокомолекулярный полимер могут использоваться в качестве полимера, используемого в основном металле для светоизлучающего слоя. Если используется низкомолекулярный полимер, светоизлучающий слой, как правило, может быть сформирован способом осаждения из паровой фазы, а если используется высокомолекулярный полимер, светоизлучающий слой может быть сформирован способом струйной печати или при помощи печати. Например, материалы с низким молекулярным весом (MB) включают в себя аминный комплекс, антрацен, комплекс редкоземельных элементов и комплекс благородных металлов; а материалы с высоким молекулярным весом включают конъюгированный полимер и пигментсодержащий полимер.
Слой инжекции электронов включает в себя щелочной металл, щелочно-земельный металл, их соединение, и органический слой легирован щелочным металлом. Кроме того, слой переноса электронов включает в себя комплекс алюминия, оксадиазол, триазол и фенантролин.
Слой инжекции дырок включает в себя ариламины, фталоцианины, и органический слой легирован кислотой Льюиса; и слой переноса дырок включает в себя ариламин.
На Фиг.7 показан пример конфигурации органического EL элемента, но такая же конфигурация может быть использована для неорганического EL элемента.
4. ПЕРВЫЙ ЭЛЕКТРОД
Первый электрод будет описан для случая, когда он является противоэлектродом. Предпочтительный материал для противоэлектрода отличается в зависимости от того, где он используется, в устройстве с верхним излучением или в устройстве с нижним излучением, и используется в качестве катода или анода.
Если противоэлектрод используется в устройстве с верхним излучением, требуется прозрачность; а если он используется в качестве анода, используемый материал включает в себя ITO, электропроводящий олово-олово-олово оксид, электропроводящие оксиды на основе ZnO, In-Zn-O и In-Ga-Zn-O, имеющие концентрацию электронных носителей 1·1018/см3 или больше, которые являются прозрачными электропроводящими оксидами. При использовании в качестве катода противоэлектрод может быть сформирован путем формирования сплава, легированного щелочным металлом или щелочно-земельным металлом, в виде пленки толщиной несколько десятков нанометров или тоньше и путем образования прозрачного электропроводящего оксида в верхней части.
Если он используется в устройстве с нижним излучением, прозрачность не нужна, поэтому, если он используется в качестве анода, для него могут применяться сплав Au и сплав Pt, а если он используется в качестве катода, могут применяться Mg с добавлением Ag, Al с добавлением Li, силицид, борид и нитрид.
5. ВТОРОЙ ЭЛЕКТРОД
Второй электрод соединен с электродом стока. Второй электрод может иметь композицию такую же или отличную от композиции электрода стока.
Второй электрод может быть нижним электродом. Нижний электрод может быть сформирован в виде слоя вдоль подложки или светоизлучающего слоя.
Если светоизлучающий слой является слоем инжекции заряда, примером чего является органический EL элемент, то согласно данной конфигурации предпочтителен нижний электрод.
Если светоизлучающий слой, соединенный с нижним электродом, является катодом, нижний электрод предпочтительно представляет собой металл, имеющий небольшую работу выхода. Нижний электрод включает в себя, например, Mg с добавлением Ag, Al с добавлением Li, силицид, борид и нитрид. В этом случае, более предпочтительным является соединение с электродом стока ТПТ посредством провода, чем соединение с ним напрямую.
Если светоизлучающий слой, соединенный с нижним электродом, является анодом, нижний электрод предпочтительно представляет собой металл, имеющий большую работу выхода. Нижний электрод включает в себя, например, ITO, электропроводящий олово-олово оксид, электропроводящий ZnO, In-Zn-O, сплав Pt и сплав Au. Кроме того, может быть использован оксид на основе In-Ga-Zn-O с концентрацией электронных носителей 1·1018/см3 или выше. В этом случае, более предпочтительна более высокая концентрация, поскольку нижний электрод представляет собой оксид, который отличается от случая, используемого для ТПТ. Например, предпочтительна концентрация носителей 1·1019/см3 или выше. Если нижний электрод изготовлен из ITO или оксида на основе In-Ga-Zn-O (с высокой концентрацией носителей), он может обеспечить высокую долю открытой области, даже если используется в устройстве с нижним излучением, поскольку является прозрачным. Если нижний электрод соединен напрямую с электродом стока, в частности ITO, особенно предпочтительными для него являются вышеописанный оксид на основе In-Ga-Zn-O (с высокой концентрацией носителей) и сплав Au.
Если нижний электрод соединен напрямую с электродом стока, то нижний электрод предпочтительно представляет собой электрод инжекции дырок. В частности, предпочтительным материалом для нижнего электрода являются ITO, ZnO легированный Al или Ga, и оксид на основе In-Ga-Zn-O с концентрацией носителей 1·1018/см3 или выше. В частности, если в качестве электрода и активного слоя используется оксид на основе In-Ga-Zn-O, концентрация носителей активного слоя In-Ga-Zn-O может быть увеличена способом введения в него кислородных дефектов или т.п., и светоизлучающее устройство имеет простую эффективную конфигурацию. В этом случае на активном слое формируются сразу слой переноса дырок и слой инжекции дырок. Эта конфигурация находится в пределах настоящего изобретения. В особенности, это относится к конфигурации, в которой нижний электрод и электрод стока объединены с одной частью активного слоя.
6. ПРОМЕЖУТОЧНЫЙ ИЗОЛИРУЮЩИЙ СЛОЙ
В частности, если второй электрод представляет собой нижний электрод, предполагается, что в промежуточном изолирующем слое 76, который является верхним слоем нижнего электрода 77, может использоваться такой же материал, как и в изолирующем слое затвора. Как правило, для получения плоского слоя может быть сформирован изолирующий слой с применением другого материала. Например, полиимидная пленка может представлять собой пленку, полученную методом центрифугирования, а оксид кремния может быть образован способом CVD в газоразрядной плазме, способом PECVD и способом LPCVD или покрытием и отжигом алкоксида кремния. Промежуточный изолирующий слой необходим для наличия соответствующего контактного окна для связи с электродом истока или электродом стока, сформированного в нем.
7. ПРОВОД ЭЛЕКТРОДА И ДР.
Для провода электрода такого, как провод сканирующего электрода и провод сигнального электрода, которые представляют собой провода электрода затвора, можно использовать в качестве материала металл, такой как Al, Cr и W и силицид, такой как WSi.
Ниже более подробно описаны связи между каждыми компонентами.
Сначала описан первый вариант осуществления со ссылкой на Фиг.7, на которой нижний электрод частично соединен с электродом стока посредством проводного соединения.
ПЕРВЫЙ ВАРИАНТ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Электрод 75 истока и электрод 70 стока связаны непосредственно с активным слоем 72, и ток, проходящий через активный слой 72, управляется электродом 74 затвора через изолирующий слой 73 затвора.
Органический EL слой 78 светоизлучающего слоя соединен с электродом 70 стока через нижний электрод 77 и провод в контактном окне. Промежуточный изолирующий слой 76 находится между нижним электродом 77 и секцией ТПТ для их электрической изоляции. Промежуточный изолирующий слой 76 необязательно должен быть однослойным, но обычно он состоит из изолирующих слоев, расположенных на изолирующем слое затвора и на верхней части электрода затвора, и обычного промежуточного изолирующего слоя, предусмотренного с целью выравнивания.
Противоэлектрод 79 находится в верхней части органического EL слоя 78, и обеспечивает приложение напряжения к органическому EL слою 78 для инициации излучения им света во включенном состоянии ТПТ.
В этом случае электрод 70 стока электрически соединен со вторым электродом или сам является вторым электродом.
На Фиг.7 показан пример высокой доли открытой области, на котором органический EL слой 78 находится непосредственно наверху ТПТ, но органический EL слой 78 может быть сформирован в других частях, отличных от части ТПТ, при условии, что это не вызовет проблем при использовании. Однако если органический EL слой 78 используется в конфигурации, показанной на Фиг.7, нижняя часть органического EL слоя 78 предпочтительно является плоской, насколько это возможно.
Хотя по Фиг.7 электрод 70 стока соединен с нижним электродом 77, электрод 75 истока соединен с нижним электродом 77 в зависимости от способа использования. То есть настоящее изобретение отличается тем, что любой один из электрода истока и электрода стока транзистора, содержащего аморфный оксид, соединен с электродом, наслоенным на светоизлучающий слой. В случае, при котором нижний электрод 77 под светоизлучающим слоем 78 представляет собой анод, также является предпочтительной структура, в которой электрод истока ТПТ связан с анодом.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА
В этой части обсуждается процесс производства светоизлучающего устройства согласно настоящему изобретению со ссылкой на пример конфигурации, в которой электрод стока соединен с нижним электродом посредством проводного соединения, а органический EL слой используется в качестве светоизлучающего элемента.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ ТРАНЗИСТОРА
Транзистор изготавливают посредством этапов, на которых:
осаждают тонкую пленку полупроводника на основе In-Ga-Zn-O аморфного оксида на стеклянную подложку толщиной 120 мм способом импульсного лазерного осаждения при таких условиях, чтобы получить концентрацию электронных носителей 1·1018/см3, которые описаны ниже, используя при этом в качестве мишени поликристаллический спеченный компакт, имеющий композицию InGaO3(Zn)4;
далее наслаивают пленку InGaO3(Zn)4 с высокой электропроводностью толщиной 30 нм способом импульсного лазерного осаждения в камере, имеющей парциальное давление кислорода, управляемое с точностью лучше чем 1 Па, и формируют на ней Au-пленку толщиной 50 нм в качестве электрода истока и электрода стока путем осаждения с использованием электронно-лучевого испарения; и
далее формируют Y2O3-пленку в качестве изолирующего слоя затвора, и Au-пленку в качестве электрода затвора, которые имеют толщину соответственно 90 нм и 50 нм, путем осаждения с использованием электронно-лучевого испарения. В последовательности вышеописанных процессов каждый слой формируется с желаемым размером способом фотолитографии и способом обратной литографии. Более того, изолирующий слой формируется на них аналогичным способом. Затем в них также формируется контактное окно для электрода стока.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ СЛОЯ НИЖНЕГО ЭЛЕКТРОДА
Затем формируют нижний электрод путем формирования ITO пленки толщиной 300 нм способом напыления и затем соединяют с электродом стока и нижним электродом при помощи провода, сформированного в контактном окне.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ ОРГАНИЧЕСКОГО EL СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО СЛОЯ
На следующем этапе органический EL светоизлучающий слой изготавливают, формируя нижеследующие пленки способом жаростойкого осаждения из паровой фазы: пленку из 4,4'-бис[N,N-диамино]-4''-фенил-трифениламина толщиной 60 нм в качестве слоя инжекции дырок; пленку из 4,4'-бис[N-(1-нафтил)N-фениламино]-бифенила толщиной 20 нм в качестве слоя переноса дырок; пленку из 4,4'-бис(2,2-дифенил)винила толщиной 40 нм в качестве светоизлучающего слоя; и пленку из трис(8-хинолинол)алюминия толщиной 20 нм в качестве слоя переноса электронов.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПРОТИВОЭЛЕКТРОДА
В заключении противоэлектрод изготавливают посредством формирования пленки из сплава Al и Ag толщиной 50 нм способом двойного осаждения из паровой фазы и пленки из Al толщиной 50 нм.
После возбуждения вышеописанного элемента путем приведения его в контакт с зондом испускается синий свет из задней части подложки, другими словами, получается элемент с нижним излучением.
В настоящем варианте осуществления является важным то, что для полупроводника на основе In-Ga-Zn-O аморфного оксида получается желаемая концентрация электронных носителей посредством управления количеством кислородных дефектов.
В вышеприведенном описании количество кислорода (количество кислородных дефектов) в прозрачной оксидной пленке управляется посредством формирования пленки в атмосфере, включающей в себя заданную концентрацию кислорода, но также предпочтительным является управление (уменьшение или увеличение) количеством кислородных дефектов посредством последующей обработки оксидной пленки, сформированной на предыдущем этапе в атмосфере, включающей в себя кислород.
Для эффективного управления количеством кислородных дефектов температуру атмосферы, включая кислород, поддерживают в пределах от 0°С до 300°С, предпочтительно в пределах от 25°С до 250°С и более предпочтительно в пределах от 100°С до 200°С.
Естественно, пленка может быть сформирована в атмосфере, включающей в себя кислород, и затем подвергнута последующей обработке в атмосфере, включающей в себя кислород. Кроме того, пленка может быть сформирована в атмосфере, в которой парциальное давление кислорода не управляется, а последующая обработка может происходить в атмосфере, включающей в себя кислород, если способ обеспечивает заданную концентрацию электронных носителей (менее 1·1018/см3).
При этом нижний предел концентрации электронных носителей в настоящем изобретении зависит от того, для какого типа элемента, схемы и устройства используется получаемая оксидная пленка, например 1·1018/см3 или выше.
Далее со ссылкой на Фиг.9 описан второй вариант осуществления, в котором нижний электрод соединен с электродом стока напрямую без провода, проходящего между ними.
ВТОРОЙ ВАРИАНТ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
На Фиг.9 ссылочная позиция 91 обозначает подложку, ссылочная позиция 92 - активный слой, изготовленный из полупроводникового материала, специфичного для настоящего изобретения, ссылочная позиция 93 - изолирующий слой затвора, ссылочная позиция 94 - электрод затвора, ссылочная позиция 95 - электрод истока, ссылочная позиция 96 - изолирующий слой, ссылочная позиция 97 - нижний электрод. Нижний электрод 97 наслоен на электрод стока или идентичен электроду стока, другими словами, сам по себе является электродом стока. Ссылочная позиция 98 обозначает органический EL слой, а ссылочная позиция 99 - противоэлектрод.
Настоящий вариант осуществления в основном имеет тот же самый тип конфигурации, что и первый вариант осуществления, в котором часть нижнего электрода контактирует с электродом стока через проводное соединение, но отличается по конфигурации тем, что электрод стока и светоизлучающий слой наслоены на одну и ту же область покрытия, если смотреть на подложку 91 сверху, а между ними находится нижний электрод.
Электрод стока может представлять собой нижний электрод. В этом случае электрод стока должен быть способным эффективно инжектировать электроны или дырки в органический EL слой.
Является предпочтительным доведение плотности электронных носителей в части активного слоя, соответствующей нижней части электрода стока, до 1·1018/см3 или выше путем увеличения кислородных дефектов. При этом он может функционировать одновременно в качестве электрона стока и нижнего электрода. В этом случае предпочтительным является, чтобы активный слой был изготовлен из In-Ga-Zn-O пленки, функционировал в качестве слоя инжекции дырок и был соединен с анодной частью светоизлучающего слоя.
На Фиг.9 показан пример светоизлучающего слоя, расположенного в верхней части слоя ТПТ, но допустима конфигурация, в которой противоэлектрод первого электрода и нижний электрод второго электрода имеют обратное расположение, и первый электрод наслоен непосредственно на электрод стока, если это не вызывает никаких функциональных проблем. В этом случае второй электрод, который прежде являлся нижним электродом, находится в верхней части, но имеет те же функции при условии, если он соединен с электродом стока. В частности, если используется неорганический EL слой, может быть использован такой обратный порядок благодаря устойчивости при обработке более высокой, чем та, которую имеет органический EL слой.
В предпочтительной конфигурации светоизлучающего устройства согласно настоящему изобретению первый и второй электроды представляют собой противоэлектрод и нижний электрод; полевой транзистор представляет собой ТПТ; активный слой ТПТ включает в себя In, Ga и Z; по меньшей мере, часть активного слоя представляет собой аморфный оксид; и одна часть светоизлучающего слоя электрически соединена с электродом стока ТПТ.
В светоизлучающем устройстве согласно настоящему изобретению одна часть светоизлучающего слоя соединена напрямую с электродом стока или часть светоизлучающего слоя может быть соединена с электродом стока посредством проводного соединения. Предпочтительным является, чтобы одна часть соединенного таким образом светоизлучающего слоя представляла собой сторону анода или сторону катода светоизлучающего слоя.
Предпочтительным является, чтобы, по меньшей мере, один из электрода стока и вышеописанного нижнего электрода представляла собой прозрачный электропроводящий оксид.
Ниже со ссылкой на Фиг.8 будет описан третий вариант осуществления, который представляет собой пример конфигурации, применимой в устройстве отображения.
Хотя на Фиг.9 в качестве нижнего электрода используется электрод 97 стока, в зависимости от структуры светоизлучающего слоя в качестве нижнего электрода может быть использован электрод 95 истока. То есть настоящее изобретение отличается соединением и т.п.любого одного из электрода истока и электрода стока транзистора, содержащего аморфный оксид, с электродом, наслоенным на светоизлучающий слой.
ТРЕТИЙ ВАРИАНТ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
На Фиг.8 ссылочная позиция 81 обозначает транзистор для возбуждения органического EL слоя 84, из которого электрический ток проходит в светоизлучающий элемент, который имеет органический EL слой 84, и пару электродов, между которыми расположен органический EL слой 84. Ссылочная позиция 82 обозначает транзистор 2 для выбора элемента изображения, который выдает сигнал изображения в затвор транзистора 81 для определения тока, который должен быть пропущен в светоизлучающий элемент.
Кроме того, установлен конденсатор 83 для сохранения выбранного состояния, который сохраняет электрический заряд между проводом 87 общего электрода и частью электрода истока транзистора 2 и удерживает сигнал затвора транзистора 1. Элемент изображения выбирают и определяют при помощи провода 85 сканирующего электрода и провода 86 сигнального электрода.
Данная конфигурация более подробно описана ниже.
В тот момент, когда сигнал выбора ряда прикладывается к электроду затвора из схемы возбуждения (не показана) через сканирующий электрод 85 в виде импульсного сигнала, сигнал изображения прикладывается к транзистору 82 из другой схемы возбуждения (не показана) через сигнальный электрод 86 для выбора элемента изображения.
В этот момент транзистор 82 переключается в состояние ВКЛЮЧЕНО, и электрический заряд сохраняется в конденсаторе 83, расположенном между проводом 86 сигнального электрода и электродом истока транзистора 82. Таким образом, напряжение затвора транзистора 81 удерживается на желаемом уровне, соответствующем сигналу изображения, и транзистор 81 пропускает ток, соответствующий сигналу изображения, между электродом истока и электродом стока. Данное состояние сохраняется до тех пор, пока транзисторы не примут следующий сигнал. В то время как транзистор 81 пропускает ток, ток также постоянно подается в органический EL слой 84, и при этом поддерживается излучение света.
На Фиг.8 показан пример конфигурации, использующий два транзистора и один конденсатор, для одного элемента изображения, но конфигурация может включать в себя больше транзисторов для улучшения рабочих характеристик.
Существенным является то, что светоизлучающее устройство может быть реализовано при помощи ТПТ нормально выключенного типа путем использования ТПТ, имеющего активный слой аморфного оксида, например, оксида на основе In-Ga-Zn-O, который является прозрачным и может быть сформирован при низкой температуре согласно настоящему изобретению, и следовательно, подавляет необходимое излучение света. Используя вышеописанный ТПТ, можно также разработать электронограф и устройство отображения с высокой контрастностью.
ЧЕТВЕРТЫЙ ВАРИАНТ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Четвертый вариант осуществления согласно настоящему изобретению представляет собой светоизлучающее устройство с нижним излучением, как показано на Фиг.11 и 12.
В частности, светоизлучающее устройство имеет вышеописанный светоизлучающий слой и вышеописанный полевой транзистор, расположенный на оптически прозрачной подложке, и излучает свет из вышеописанного светоизлучающего слоя через вышеописанную подложку. На фиг.11 активный слой (канальный слой 2101), сформирован из аморфного оксида, также расположенного непосредственно под светоизлучающим элементом 2160, но такое расположение не является обязательным. Естественно, в конфигурации по Фиг.11 свет, излучаемый из светоизлучающего слоя 2108, проходит через активный слой, сформированный из вышеописанного аморфного оксида, и подложку 2100.
При этом источник света может быть получен путем линейного размещения светоизлучающих устройств согласно настоящему изобретению, и может быть получено устройство путем объединения его с фотокопировальным барабаном 2350 фотодатчика, как показано на Фиг.13. В частности, электронограф может быть скомпонован из фотодатчика 2350, электризатора (не показан) для электризации фотодатчика, источника 2300 экспозиции светом для освещения фотодатчика светом 2301 для формирования латентного изображения на фотодатчике и блока проявления (не показан) для проявления вышеописанного латентного изображения.
Ниже описан аморфный оксид, упомянутый выше в первом и втором вариантах осуществления.
АМОРФНЫЙ ОКСИД
Ниже более подробно описан активный слой, использованный выше в 1-3 вариантах осуществления.
Концентрация электронных носителей в аморфном оксиде в настоящем изобретении равна значению, измеренному при комнатной температуре. Комнатная температура представляет собой температуру в пределах от 0°С до примерно 40°С, например 25°С. Концентрация электронных носителей в аморфном оксиде в настоящем изобретении необязательно должна быть меньше чем 1018/см3 в пределах всей области от 0°С до 40°С. Например, приемлема концентрация электронных носителей меньше чем 1018/см3 при температуре 25°С. При более низких концентрациях электронных носителей, не более чем 1017/см3 или не более чем 1016/см3, может быть получен с высоким выходом ТПТ нормально выключенного типа.
В настоящей спецификации определение "менее чем 1018/см3" означает "предпочтительно меньше чем 1·1018/см3 и более предпочтительно менее чем 1,0·1018/см3". Концентрация электронных носителей может быть измерена посредством измерения эффекта Холла.
Аморфный оксид настоящего изобретения представляет собой оксид, который обнаруживает гало-паттерн и у которого отсутствуют характерные дифракционные линии в рентгеновской дифракционной спектрометрии.
В аморфном оксиде настоящего изобретения нижний предел концентрации электронных носителей составляет, например, 1·1012/см3, но не ограничен этим пределом, поскольку он может быть использован в качестве канального слоя ТПТ.
Соответственно в настоящем изобретении концентрацию электронных носителей регулируют путем подбора материала, состава композиции, условий изготовления и т.п. аморфного оксида, например, как в описанных ниже примерах, так чтобы она находилась в пределах, например, от 1·1012/см3 до 1·1018/см3, предпочтительно от 1·1013/см3 до 1·1017/см3, более предпочтительно от 1·1015/см3 до 1·1016/см3.
Аморфный оксид, отличный от InZnGa оксидов, может быть выбран подходящим образом из In оксидов, InxZn1-x оксидов (0,2≤х≤1), InxSn1-x оксидов (0,8≤х≤1), Inx(Zn,Sn)1-x оксидов (0,15≤х≤1). Inx(Zn,Sn)1-x оксид также может представлять собой Inx(ZnySn1-y)1-x (0≤у≤1).
Если In оксид не содержит ни Zn, ни Sn, то In может быть частично замещен Ga: InxGa1-x оксид (0≤x≤1).
Аморфный оксид с концентрацией электронных носителей 1·1018/см3, который получен авторами настоящего изобретения, более подробно описан ниже.
Одна группа вышеупомянутых оксидов обычно имеет состав In-Ga-Zn-O, представленный в виде InGaO3(ZnO)m (m: натуральное число меньше 6) в кристаллическом состоянии, и содержит электронные носители с концентрацией менее чем 1018/см3.
Другая группа вышеупомянутых оксидов обычно имеет состав In-Ga-Zn-Mg-O, представленный в виде InGaO3(Zn1-xMgxO)m (m: натуральное число меньше 6, и 0≤x≤1) в кристаллическом состоянии, и содержит электронные носители с концентрацией менее чем 1018/см3.
Пленка, состоящая из такого оксида, предпочтительно разработана для получения подвижности электронов, больше чем 1 см2/В·сек.
Используя вышеописанную пленку в качестве канального слоя, может быть получен ТПТ нормально выключенного типа с током затвора менее чем 0,1 микроампер и отношением включен/выключен выше чем 1×103, который при этом является прозрачным для видимого света и гибким.
В вышеуказанной пленке подвижность электронов возрастает с увеличением проводимости электронов. Подложка для формирования прозрачной пленки включает в себя стеклянные пластины, пластмассовые пластины и пластмассовые пленки.
При использовании вышеописанной пленки из аморфного оксида в качестве канального слоя, по меньшей мере, один из слоев, состоящий из Al2О3, Y2О3 и HfO2 или их кристаллической смеси, может быть использован в качестве изолятора затвора.
В предпочтительном варианте осуществления пленку формируют в атмосфере, содержащей газообразный кислород, без добавления в аморфный оксид примесей для увеличения электрического сопротивления.
Авторы настоящего изобретения обнаружили, что тонкие аморфные пленки полуизолирующих оксидов имеют характеристики, заключающиеся в том, что подвижность электронов в них увеличивается с увеличением количества электронов проводимости, и кроме того, обнаружили, что ТПТ, полученный путем использования такой пленки, имеет улучшенные характеристики транзистора, такие как отношение включено/выключено, ток насыщения в состоянии отсечки и скорость переключения. Таким образом, ТПТ нормально выключенного типа может быть получен путем использования аморфного оксида.
Путем использования тонкой пленки из аморфного оксида в качестве канального слоя пленочного транзистора можно получить подвижность электронов выше 1 см2/B·с, предпочтительно выше 5 см2/B·с. Ток между терминалом стока и терминалом истока в выключенном состоянии (без приложенного напряжения затвора) может управляться таким образом, чтобы он составлял менее 10 микроампер, предпочтительно менее 0,1 микроампера при концентрации носителей ниже чем 1·1018/см3, предпочтительно ниже чем 1·1016/см3. Кроме того, путем использования такой тонкой пленки ток насыщения после отсечки может быть увеличен до 10 микроампер или более, и отношение включено/выключено может быть выше чем 1·103 при подвижности электронов выше чем 1 см2/B·сек., предпочтительно выше чем 5 см2/B·сек.
В состоянии отсечки ТПТ к терминалу затвора прикладывается высокое напряжение, и в канале электроны имеют высокую плотность. Следовательно, согласно настоящему изобретению ток насыщения может быть увеличен в соответствии с увеличением подвижности электронов. Таким образом, могут быть улучшены характеристики транзистора, такие как увеличение отношения включено/выключено, увеличение тока насыщения и увеличение скорости переключения. Напротив, при использовании обычного соединения увеличение количества электронов снижает подвижность электронов из-за столкновений между электронами.
Структура вышеописанного ТПТ может представлять собой структуру расположения в шахматном порядке (верхний затвор), при котором изолятор затвора и терминал затвора последовательно сформированы на полупроводниковом канальном слое, или структуру расположения в обратном шахматном порядке (нижний затвор), при котором изолятор затвора и полупроводниковый канальный слой последовательно сформированы на терминале затвора.
ПЕРВЫЙ ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНКИ: PLD ПРОЦЕСС
Тонкая пленка из аморфного оксида, состоящая из InGaO3(ZnO)m (m: натуральное число меньше 6) в кристаллическом состоянии, является стабильной при высокой температуре вплоть до 800°С или выше, если m меньше 6, тогда как при увеличении m, то есть с увеличением отношения ZnO к InGaO3 ближе к композиции ZnO, оксид имеет тенденцию кристаллизоваться. Следовательно, для использования в качестве канального слоя аморфного ТПТ является предпочтительным, чтобы значение m оксида было меньше 6.
Формирование пленки предпочтительно происходит в процессе формирования пленки в газовой фазе путем использования мишени из поликристаллического спеченного компакта, имеющего состав InGaO3(ZnO)m. Подходящими являются процессы формирования пленки в газовой фазе, напыление и импульсное лазерное осаждение. Для массового производства особенно подходящим является напыление.
Однако при формировании аморфной пленки в обычных условиях могут возникать кислородные дефекты так, что нельзя получить концентрацию электронных носителей меньше чем 1·1018/см3 и электропроводность меньше чем 10 См/см. С такой пленкой не может быть создан транзистор нормально выключенного типа.
Авторы настоящего изобретения создали In-Ga-Zn-О пленку при помощи импульсного лазерного осаждения, используя устройство, показанное на Фиг.14.
Формирование пленки осуществлялось путем использования такого PLD устройства для формирования пленки, как показано на Фиг.14.
На Фиг.14 ссылочные позиции обозначают следующее: 701 - РН (роторный насос); 702 - ТМН (турбомолекулярный насос); 703 - подготовительную камеру; 704 - электронную пушку для RHEED; 705 - средство крепления подложки для вращения и вертикального перемещения подложки; 706 - окно ввода лазерного пучка; 707 - подложку; 708 - мишень; 709 - источник радикалов; 710 - отверстие для подачи газа; 711 - средство крепления мишени для вращения и вертикального перемещения мишени; 712 - линию обхода; 713 основную линию; 714 - ТМН (турбомолекулярный насос); 715 - РН (роторный насос); 716 - титановый газопоглотительный насос; 717 шторку; 718 - ИМ (ионный манометр); 719 - ИП (манометр Пирани); 720 - ДДБ (датчик давления Баратрон); и 721 - камеру роста.
Полупроводниковую тонкую пленку из In-Ga-Zn-O аморфного оксида наслаивают на SiO2 стеклянную подложку (Corning Co.: 1737) импульсным лазерным осаждением, используя KrF эксимерный лазер. В качестве предварительной обработки перед осаждением подложку промывали для обезжиривания с использованием ультразвука ацетоном, этанолом и сверхчистой водой, по пять минут каждым, и сушили при 100°С.
Поликристаллическая мишень представляла собой InGaO3(ZnO)4 спеченный компакт (размером: 20 мм в диаметре, 5 мм в толщину), который был получен мокрым смешиванием In2O3, Ga2О3 и ZnO (4-нормальный раствор каждого реагента) в качестве материала источника (растворитель: этанол), обжигом смеси (1000°С, 2 часа), сухим измельчением и спеканием (1550°С, 2 часа). Мишень имела электропроводность 90 См/см.
Формирование пленки осуществлялось путем поддержания конечного давления в камере роста до 2·10-6 Па, и парциального давления кислорода во время роста до 6,5 Па. Парциальное давление кислорода в камере 721 роста составляло 6,5 Па, а температура подложки была равна 25°С. Расстояние между мишенью 708 и подложкой 707, удерживающей пленку, составляло 30 мм, мощность, вводимая через окно 706 ввода, находилось в пределах 1,5-3 мДж/см2/импульс. Длительность импульса составляла 20 нс, частота повторения была равна 10 Гц, и точка облучения представляла собой квадрат 1×1 мм. В вышеописанных условиях формировали пленку со скоростью 7 нм/мин.
Полученную тонкую пленку исследовали способом малоугловой рентгенографии (SAXS) (метод тонких пленок, угол падения: 0,5°): четкого дифракционного пика не наблюдалось. Полученная таким образом тонкая пленка типа In-Ga-Zn-O считалась аморфной. Из коэффициента отражения рентгеновских лучей и анализа его паттерна была найдена среднеквадратичная неровность поверхности (Rrms), равная примерно 0,5 нм, и толщина пленки, равная примерно 120 нм. Из рентгенофлуоресцентного анализа (XRF) было найдено, что содержание металлов в пленке соответствует отношению In:Ga:Zn = 0,98:1,02:4. Электропроводность была ниже чем примерно 1·10-2 См/см. Была оценена концентрация электронных носителей, которая была меньше чем 1·10-16/см3. Подвижность электронов составляла примерно 5 см2/B·сек. При помощи анализа абсорбции света была оценена ширина запрещенной зоны в оптическом диапазоне в полученной тонкой аморфной пленке, которая составляла примерно 3 эВ.
Описанные выше результаты показывают, что полученная тонкая пленка типа In-Ga-Zn-O является прозрачной плоской тонкой пленкой, имеющей аморфную фазу композиции, близкую к кристаллическому InGaO3(ZnO)4, которая имеет меньше кислородных дефектов и более низкую электропроводность.
Формирование вышеописанной пленки объясняется в частности со ссылкой на Фиг.1. На Фиг.1 показана зависимость концентрации электронных носителей в сформированной прозрачной тонкой пленке из аморфного оксида от парциального давления кислорода для пленки состава InGaO3(ZnO)m (m: целое число, меньшее 6) в предполагаемом кристаллическом состоянии в тех же самых условиях формирования пленки, как описано в примере выше.
Путем формирования пленки в атмосфере, имеющей парциальное давление кислорода выше чем 4,5 Па в тех же самых условиях, как описано выше, концентрация электронных носителей может быть снижена до менее 1·1018/см3, как показано на Фиг.1. При таком формировании пленки подложка может находиться при температуре, близкой к комнатной температуре, без специального нагревания. Для использования гибкой пластмассовой пленки в качестве подложки температуру подложки предпочтительно поддерживают ниже 100°С.
Более высокое парциальное давление кислорода может привести к уменьшению концентрации электронных носителей. Например, как показано на Фиг.1, тонкая InGaO3(ZnO)4 пленка, сформированная при температуре подложки 25°С и парциальном давлении кислорода, равном 5 Па, имела более низкую концентрацию электронных носителей, составляющую 1·1016/см3.
В полученной тонкой пленке подвижность электронов была выше 1 см2/В·сек, как показано на Фиг.2. Однако пленка, наслоенная при помощи импульсного лазерного осаждения при парциальном давлении кислорода выше 6,5 Па, как в этом примере, имела неровную поверхность, неподходящую для канального слоя ТПТ.
Соответственно в вышеприведенном примере транзистор нормально выключенного типа может быть создан путем использования тонкого прозрачного оксида, представленного формулой InGaCO3(ZnO)m (m: целое число, меньшее 6) в кристаллическом состоянии, сформированного при парциальном давлении кислорода выше 4,5 Па, предпочтительно выше 5 Па, но ниже 6,5 Па способом импульсного лазерного осаждения.
Полученная тонкая пленка имела подвижность электронов выше 1 см2/В·сек, и отношение включено/выключено могло превышать 1·103.
Как описано выше, при формировании InGaZn оксидной пленки способом PLD в условиях, приведенных в этом примере, парциальное давление кислорода поддерживали в пределах от 4,5 до 6,5 Па.
Для достижения концентрации электронных носителей 1·1018/см3 следует контролировать парциальное давление кислорода, структуру устройства формирования пленки, вид и состав материала для формирования пленки.
Затем МДП-транзистор с верхним затвором, как показано на Фиг.5, изготавливали путем формирования аморфного оксида при помощи вышеописанного устройства при парциальном давлении кислорода, равном 6,5 Па. В частности, на стеклянной подложке 1 формировали полуизолирующую аморфную InGaO3(ZnO)4 пленку толщиной 120 нм для использования в качестве канального слоя 2 вышеописанным способом формирования тонкой аморфной Ga-Ga-Zn-O пленки. Кроме того, на ней были наслоены InGaO3(ZnO)4 пленка, имеющая более высокую электропроводность, и золотая пленка соответственно толщиной 30 нм импульсным лазерным осаждением при парциальном давлении кислорода в камере ниже 1 Па. Затем терминал 5 стока и терминал 6 истока были сформированы способом фотолитографии и способом обратной литографии. Наконец Y2О3 пленку формировали для изолятора 3 затвора путем осаждения с использованием электронно-лучевого испарения (толщина: 90 нм, относительная диэлектрическая постоянная: примерно 15, плотность тока утечки: 1·10-3 А/см3 при напряжении 0,5 МВ/см). На ней была сформирована золотая пленка, а терминал 4 затвора был сформирован способом фотолитографии и способом обратной литографии.
ОЦЕНКА РАБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТА МДП-ТРАНЗИСТОРА
На фиг.6 показана вольт-амперная характеристика элемента МДП-транзистора, измеренная при комнатной температуре. Учитывая, что ток стока IDS увеличивается с увеличением напряжения стока VDS, очевидно, что канал представляет собой полупроводник n-типа. Это согласуется с тем фактом, что аморфный полупроводник типа In-Ga-Zn-O относится к n-типу. IDS достигает насыщения (отсекается) при VDS=6 В, что является обычным для полупроводникового транзистора. Из оценки характеристик затвора было обнаружено, что пороговое значение напряжения затвора VGS при напряжении VDS=4 В составляет примерно -0,5 В. При VG=10 В возникал ток IDS=1,0·10-5 А. Это соответствует влиянию смещения на затворе на носители в полупроводниковой тонкой аморфной In-Ga-Zn-O пленке.
Отношение включено/выключено транзистора превышало 1·103. Из выходных характеристик вычисляли дрейфовую подвижность, которая составила примерно 7 см2/B·сек. Согласно аналогичным измерениям излучение видимого света не меняет характеристики полученного элемента.
Согласно настоящему изобретению может быть изготовлен тонкопленочный транзистор, который имеет канальный слой, содержащий электронные носители с более низкой концентрацией для достижения более высокого удельного сопротивления и достижения более высокой подвижности электронов.
Вышеописанный аморфный оксид имеет хорошие характеристики, заключающиеся в том, что подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей и имеет вырожденное состояние. В этом примере тонкая пленка была сформирована на стеклянной подложке. Однако пластмассовая пластина или пленка также могут применяться в качестве подложки, поскольку образование пленки может проходить при комнатной температуре. Более того, аморфный оксид, полученный в этом примере, поглощает видимый свет только в небольшом количестве, позволяя создать прозрачный гибкий ТПТ.
(ВТОРОЙ ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНКИ: ПРОЦЕСС НАПЫЛЕНИЯ (SP ПРОЦЕСС))
Ниже описано формирование тонкой пленки высокочастотным SP процессом в атмосфере газообразного аргона.
SP процесс проводят с использованием устройства, показанного на Фиг.15. На Фиг.15 ссылочные позиции обозначают следующее: 807 - подложку для формирования пленки; 808 - мишень; 805 - средство крепления подложки, оборудованное охлаждающим механизмом; 814 - турбомолекулярный насос; 815 - роторный насос; 817 - шторка; 818 - ионный манометр; 819 - манометр Пирани; 821 - камеру роста; и 830 - клапан затвора.
Подложка для формирования пленки представляла собой SiO2 стеклянную подложку (Corning Co.: 1737), которую промывали для обезжиривания с использованием ультразвука ацетоном, этанолом и сверхчистой водой, по пять минут каждым, и сушили при 100°С.
Мишень представляла собой поликристаллический спеченный компакт, имеющий состав InGaO3(ZnO)4 (размером: 20 мм в диаметре, 5 мм в толщину), который был получен мокрым смешиванием In2O3, Ga2О3 и ZnO (4-нормальный раствор каждого реагента) в качестве материала источника (растворитель: этанол), обжигом смеси (1000°С, 2 часа), сухим измельчением и спеканием (1550°С, 2 часа). Мишень 808 имела электропроводность 90 См/см и являлась полуизолирующей.
Конечное значение вакуума в камере роста 821 составляло 1·10-4 Торр. Во время роста общее давление кислорода и аргона поддерживали в пределах от 4 до 0,1·10-1 Па. Отношение парциального давления аргона и кислорода изменялось в пределах парциального давления кислорода от 1·10-3 до 2·10-1 Па.
Температура подложки была комнатной. Расстояние между мишенью 808 и подложкой 807 для формирования пленки составляло 30 мм.
Подаваемая электрическая мощность составляла 180 Вт РЧ, и скорость формирования пленки составляла 10 нм/мин.
Полученную тонкую пленку исследовали способом малоугловой рентгенографии (SAXS) (метод тонких пленок, угол падения: 0,5°); четкого дифракционного пика не наблюдалось. Полученная таким образом тонкая пленка типа In-Ga-Zn-O считалась аморфной. Из коэффициента отражения рентгеновских лучей и анализа его паттерна была найдена среднеквадратичная неровность поверхности (Rrms), равная примерно 0,5 нм, и толщина пленки, равная примерно 120 нм. Из рентгенофлуоресцентного анализа (XRF) было найдено, что содержание металлов в пленке соответствует отношению In:Ga:Zn = 0,98:1,02:4.
Пленка была сформирована при различных парциальных давлениях кислорода среды, и измеряли электропроводность полученной аморфной оксидной пленки. Результат представлен на Фиг.3.
Как показано на Фиг.3, электропроводность может быть снижена до величины меньше чем 10 См/см путем проведением процесса формирования пленки в атмосфере с парциальным давлением кислорода превышающим 3·10-2 Па. Количество электронных носителей может быть уменьшено путем повышения парциального давления кислорода.
Как показано на Фиг.3, например, тонкая InGaO3(ZnO)4 пленка, сформированная при температуре подложки, равной 25°С, и парциальном давлении кислорода 1·10-1 Па, имела более низкую электропроводность, равную примерно 1·10-10 См/см. Более того, тонкая InGaCO3(ZnO)4 пленка, сформированная при парциальном давлении кислорода 1×10-1 Па, имела слишком высокое сопротивление, имея при этом не поддающуюся измерению электропроводность. У этой пленки, несмотря на то, что подвижность электронов не поддавалась измерению, подвижность электронов была оценена, как равная примерно 1 см2/B·с путем экстраполяции из значений пленок, имеющих более высокую концентрацию электронных носителей.
Таким образом, транзистор нормально выключенного типа, имеющий отношение включено/выключено выше чем 1·103, может быть получен путем использования прозрачной тонкой пленки из аморфного оксида, содержащей In-Ga-Zn-O, представленной в кристаллическом состоянии как InGaO3(ZnO)m (m: натуральное число меньше 6), полученной способом вакуумного напыления в атмосфере аргона, содержащей кислород с парциальным давлением выше 3·10-2 Па, предпочтительно выше 5·10-1 Па.
При использовании устройства и материала, применяемого в этом Примере, формирование пленки напылением проводят при парциальном давлении кислорода в пределах от 3·10-2 Па до 5·10-1 Па. В этой связи в тонкой пленке, полученной импульсным лазерным осаждением или напылением, подвижность электронов увеличивается с увеличением количества проводящих электронов, как показано на Фиг.2.
Как описано выше, управляя парциальным давлением кислорода, можно уменьшить количество кислородных дефектов, и таким образом может быть снижена концентрация электронных носителей. В тонкой аморфной пленке подвижность электронов может быть высокой, поскольку в аморфном состоянии отсутствуют границы разделов между зернами в отличие от поликристаллического состояния.
В этой связи замена стеклянной подложки 200 мкм полиэтиленовой терефталатной (PET) пленкой не изменяет свойства сформированной на ней пленки из аморфного оксида InGaO3(ZnO)4.
Аморфная пленка InGaO3(Zn1-xMgxO)m (m: натуральное число меньше 6) с высоким удельным сопротивлением может быть получена путем использования в качестве мишени поликристаллического InGaO3(Zn1-xMgxO)m даже при парциальном давлении кислорода ниже 1 Па. Например, при помощи мишени, у которой 80% атомов Zn замещено Mg, можно получить концентрацию электронных носителей ниже 1·1016/см3 (удельное сопротивление: примерно 1·10-2 См/см) при помощи импульсного лазерного осаждения в атмосфере, содержащей кислород с парциальным давлением 0,8 Па. В такой пленке подвижность электронов ниже, чем подвижность электронов в пленке, не содержащей Mg, но уменьшение является незначительным: подвижность электронов составляет примерно 5 см2/B·сек при комнатной температуре, что выше подвижности электронов в аморфном кремнии примерно на один порядок. При формировании пленок в тех же условиях увеличение содержания Mg уменьшает как электропроводность, так и подвижность электронов. Следовательно, содержание Mg составляет примерно 20%-85% (0,2<х<0,85).
В тонкопленочном транзисторе, использующем вышеописанную аморфную оксидную пленку, изолятор затвора содержит предпочтительно сложное кристаллическое соединение, состоящее из 2 или более Al2О3, Y2O3, HfO2 и их смесей.
Наличие дефекта на границе раздела между тонкой пленкой изолирующего слоя затвора и тонкой пленкой канального слоя снижает подвижность электронов и является причиной гестерезиса рабочих характеристик транзистора. Более того, ток утечки сильно зависит от вида изолятора затвора. Следовательно, изолятор затвора необходимо выбирать таким образом, чтобы он был подходящим для канального слоя. Ток утечки можно уменьшить, используя Al2O3 пленку, гестерезис можно снизить, используя Y2O3 пленку, а электронную подвижность можно увеличить, используя HfO2 пленку, имеющую высокую диэлектрическую постоянную. ТПТ может быть сформирован посредством использования сложного кристаллического соединения из вышеописанных оксидов, что может привести к меньшему току утечки, меньшему гистерезису и более высокой подвижности электронов. Поскольку процесс формирования изолятора затвора и процесс формирования канального слоя могут проводиться при комнатной температуре, ТПТ могут быть расположены в шахматном порядке или расположены в обратном шахматном порядке.
Таким образом, сформированный ТПТ представляет собой трехтерминальный элемент, имеющий терминал затвора, терминал истока и терминал стока. Такой ТПТ образован посредством формирования тонкой полупроводниковой пленки на изолирующей подложке из керамики, стекла или пластмассы в качестве канального слоя для переноса электронов или дырок и служит в качестве активного элемента, имеющего функцию управления током, текущим через канальный слой, путем приложения напряжения к терминалу затвора и переключения тока между терминалом истока и терминалом стока.
В настоящем изобретении также важно, чтобы планируемая концентрация электронных носителей достигалась посредством управления количеством кислородных дефектов.
В вышеприведенном описании количество кислорода в пленке из аморфного оксида управляется посредством концентрации кислорода в атмосфере формирования пленки. В противном случае количество кислородных дефектов может управляться (увеличиваться или уменьшаться) последующей обработкой оксидной пленки в атмосфере, содержащей кислород, как в предпочтительном варианте осуществления.
Для эффективного управления количеством кислородных дефектов температура атмосферы, содержащей кислород, поддерживается в пределах от 0°С до 300°С, предпочтительно от 25°С до 250°С, более предпочтительно от 100°С до 200°С.
Естественно, пленка может быть сформирована в атмосфере, содержащей кислород, и дальнейшей последующей обработкой в атмосфере, содержащей кислород. В противном случае, пленку формируют без управления парциальным давлением кислорода, а последующая обработка проходит в атмосфере, содержащей кислород, при условии, что может быть достигнута планируемая концентрация электронных носителей (менее 1·1018/см3).
Нижним пределом концентрации электронных носителей в настоящем изобретении является, например, 1·1014/см3, который зависит от типа элемента или устройства, используемого для изготовления пленки.
БОЛЕЕ ШИРОКИЙ НАБОР МАТЕРИАЛОВ
После изучения материалов для системы было обнаружено, что аморфный оксидный состав, по меньшей мере, из одного оксида из элементов Zn, In и Sn может применяться для пленки из аморфного оксида с низкой концентрацией носителей и высокой подвижностью электронов. Обнаружено, что такая пленка из аморфного оксида имеет специфическое свойство, заключающееся в том, что увеличение в ней количества электронов проводимости увеличивает подвижность электронов. Используя эту пленку, может быть изготовлен ТПТ нормально выключенного типа, который имеет хорошие свойства, такие как отношение включено/выключено, ток насыщения в состоянии отсечки и скорость переключения.
В настоящем изобретении может использоваться оксид, имеющий любую одну из рабочих характеристик (а)-(h), представленных ниже:
(a) аморфный оксид, имеющий концентрацию электронных носителей менее чем 1·1018/см3;
(b) аморфный оксид, в котором подвижность электронов увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей;
(Под комнатной температурой имеется в виду температура в пределах от примерно 0°С до примерно 40°С. Термин "аморфное соединение" обозначает соединение, которое имеет только гало-паттерн без характерного дифракционного паттерна в дифракционном спектре рентгеновских лучей. Подвижность электронов означает подвижность, измеренную при помощи эффекта Холла.)
(c) Аморфный оксид, упомянутый выше в пунктах (а) и (b), в котором подвижность электронов при комнатной температуре выше чем 0,1 см2/В·сек;
(d) аморфный оксид, упомянутый выше в пунктах (b)-(с), имеющий вырожденный характер проводимости;
(Термин "вырожденный характер проводимости" означает состояние, при котором энергия термической активации в температурной зависимости удельного сопротивления не превышает 30 мэВ.)
(e) аморфный оксид, упомянутый выше в любом из пунктов (а)-(d), который в качестве составляющего элемента содержит, по меньшей мере, один из элементов Zn, In и Sn;
(f) пленка из аморфного оксида, выполненная из аморфного оксида, описанного выше в пункте (е), и дополнительно, по меньшей мере, одного элемента из:
элементов группы 2 М2 с атомным номером меньше чем у Zn (Mg и Са),
элементов группы 3 М3 с атомным номером меньше чем у In (В, Al, Ga и Y),
элементов группы 4 М4 с атомным номером меньше чем у Sn (Si, Ge и Zr),
элементов группы 5 М5 (V, Nb и Та) и
Lu и W для уменьшения концентрации электронных носителей;
(g) пленка из аморфного оксида, описанная выше в любом из пунктов (а)-(f), состоящая из одного соединения, имеющего состав In1-хМ3хО3(Zn1-yM2yO)m (0≤х≤1; 0≤y≤1; m: 0 или натуральное число меньше 6) в кристаллическом состоянии, или смесь соединений с различным m, например, из М3, представляющим собой Ga, и, например, из М2, представляющим собой Mg; и
(h) пленка из аморфного оксида, описанная выше в любом из пунктов (а)-(g), сформированная на пластмассовой подложке или пластмассовой пленке.
Настоящее изобретение также предоставляет полевой транзистор, использующий в качестве канального слоя вышеописанный аморфный оксид или пленку из аморфного оксида.
Полевой транзистор изготавливают с использованием в качестве канального слоя пленки из аморфного оксида, которая имеет концентрацию электронных носителей менее чем 1·1015/см3, но более чем 1·1015/см3, и который имеет терминал истока, терминал стока и терминал затвора с расположенным между ними изолятором затвора. Если между терминалами истока и стока прикладывают напряжение примерно 5 В без приложения напряжения затвора, электрический ток между терминалами истока и стока составляет примерно 1·10-7 ампер.
Подвижность электронов в кристаллическом оксиде увеличивается с увеличением перекрытий s-орбиталей у ионов металла. В кристалле оксида из Zn, In или Sn с большими атомными номерами электронная подвижность находится в пределах от 0,1 до 200 см2/B·сек.
В оксиде ионы кислорода и металла связаны ионными связями, не имеющими ориентации и имеющими случайную структуру. Следовательно, в оксиде в аморфном состоянии подвижность электронов может быть сравнима с подвижностью электронов в кристаллическом состоянии.
С другой стороны, замена Zn, In или Sn элементами с меньшими атомными номерами уменьшает подвижность электронов. Таким образом, подвижность электронов в аморфном оксиде настоящего изобретения находится в пределах от 0,01 до 20 см2/В·сек.
В транзисторе, имеющем канальный слой, состоящий из вышеописанного оксида, изолятор затвора предпочтительно формируют из Al2O3, Y2O3, HfO2 или смешанного кристаллического соединения, содержащего два или более из этих оксидов.
Наличие дефекта на границе раздела между тонкой пленкой, изолирующей затвор, и тонкой пленкой канального слоя уменьшает подвижность электронов и вызывает гестерезис рабочих характеристик транзистора. Более того, ток утечки сильно зависит от вида изолятора затвора. Следовательно, изолятор затвора следует выбирать таким образом, чтобы он подходил для канального слоя. Ток утечки можно уменьшить, используя пленку из Al2O3, гестерезис можно уменьшить, используя пленку из Y2О3, и подвижность электронов можно увеличить, используя пленку из HfO2, имеющую высокую диэлектрическую постоянную. При использовании сложного кристаллического соединения вышеуказанных оксидов может быть изготовлен ТПТ, который имеет меньший ток утечки, меньший гестерезис и имеет большую подвижность электронов. Поскольку процесс формирования изолятора затвора и процесс формирования канального слоя могут проходить при комнатной температуре, может быть сформирован ТПТ, имеющий шахматную структуру или обратную шахматную структуру.
Пленка из оксида In2O3 может быть сформирована осаждением из газовой фазы, а добавление паров воды с парциальным давлением, равным примерно 0,1 Па, в атмосферу формирования пленки делает формируемую пленку аморфной.
ZnO и SnO2 соответственно не могут быть легко сформированы в виде аморфной пленки. Для формирования пленки из ZnO в аморфном виде добавляют In2O3 в количестве, равном примерно 20 атом%. Для формирования пленки из SnO2 в аморфном виде добавляют In2O3 в количестве, равном 90 атом%. При формировании аморфной пленки типа Sn-In-O в атмосферу формирования пленки вводят газообразный азот с парциальным давлением, равным примерно 0,1 Па.
В вышеописанную пленку может быть добавлен элемент, способный формировать сложный оксид, выбранный из элементов М2 группы 2 с атомным номером меньшим, чем у Zn (Mg и Са), элементов М3 группы 3 с атомным номером меньшим, чем у In (В, Al, Ga и Y), элементов М4 группы 4 с атомным номером меньшим, чем у Sn (Si, Ge и Zr), элементов М5 группы 5 (V, Nb и Та), Lu и W. Добавление вышеуказанных элементов стабилизирует аморфную пленку при комнатной температуре и расширяет набор композиций для формирования аморфной пленки.
В частности, добавление В, Si или Ge приводит к формированию ковалентной связи, которая эффективна для стабилизации аморфной фазы. Добавление сложного оксида, состоящего из ионов, имеющих сильно различающиеся радиусы ионов, является эффективным для стабилизации аморфной фазы. Например, в системе In-Zn-O для формирования пленки, стабильной при комнатной температуре, должен содержаться In в количестве больше чем 20 атом%. Однако добавление Mg в количестве, равном In, дает возможность формировать стабильную аморфную пленку в композиции с содержанием In меньше чем 15 атом%.
При формировании пленки осаждением из газовой фазы пленка из аморфного оксида с концентрацией электронных носителей, находящихся в пределах от 1·1015/см3 до 1·1018/см3, может быть получена путем управления атмосферой формирования пленки.
Пленка из аморфного оксида может быть подходящим образом сформирована при помощи процесса осаждения, например, процессом импульсного лазерного осаждения (процесс PLD), процессом напыления (процессом SP) и процессом осаждения с использованием электронно-лучевого испарения. Для процессов осаждения из газовой фазы процесс PLD является подходящим с точки зрения легкости управления составом материала, в то время как процесс SP является подходящим с точки зрения массового производства. Однако процесс формирования тонкой пленки этим не ограничен.
ФОРМИРОВАНИЕ ПЛЕНКИ ИЗ АМОРФНОГО ОКСИДА ТИПА In-Zn-Ga-O ПРИ ПОМОЩИ ПРОЦЕССА PLD
Аморфный оксид типа In-Zn-Ga-O осаждали на стеклянную подложку (Corning Co.: 1737) процессом PLD, используя KrF эксимерный лазер с поликристаллическим спеченным компактом в качестве мишени, имеющим состав InGaO3(ZnO) или InGaO3(ZnO)4.
Использовали устройство, показанное на Фиг.14, которое упомянуто выше, и условия формирования пленки были такими же, как было описано выше для данного устройства.
Температура подложки составляла 25°С.
Две полученные тонкие пленки исследовали способом малоугловой рентгенографии (SAXS) (метод тонких пленок, угол падения: 0,5°): четкого дифракционного пика не наблюдалось, что показало, что полученные тонкие пленки типа In-Ga-Zn-O, изготовленные с использованием двух разных мишеней, были аморфными.
Из коэффициента отражения рентгеновских лучей и анализа его паттерна была найдена среднеквадратичная неровность поверхности (Rrms), равная примерно 0,5 нм, и толщина пленки, равная примерно 120 нм. Из рентгенофлуоресцентного анализа (XRF) было найдено, что пленка, полученная с мишенью из поликристаллического спеченного компакта InGaO3(ZnO), имела содержание металлов с отношением In:Ga:Zn = 1,1:1,1:0,9, в то время как пленка, полученная с мишенью из поликристаллического спеченного компакта InGaO3(ZnO)4, имела содержание металлов с отношением In:Ga:Zn = 0,98:1,02:4.
Пленки из аморфного оксида формировали при разных парциальных давлениях атмосферы для формирования пленки с мишенью, имеющей состав InGaO3(ZnO)4. У сформированных пленок из аморфного оксида измеряли концентрацию электронных носителей. Результаты представлены на Фиг.1. При формировании пленки в атмосфере, имеющей парциальное давление кислорода выше чем 4,2 Па, концентрация электронных носителей могла быть снижена до величины, не превышающей 1·1018/см3, как показано на Фиг.1. При таком формировании пленки подложка может находиться практически при комнатной температуре без необходимости нагревания. При парциальном давлении кислорода ниже чем 6,5 Па поверхности полученных пленок из аморфного оксида были плоскими.
При парциальном давлении кислорода, равном 5 Па, в аморфной пленке, сформированной с мишенью InGaO3(ZnO)4, концентрация электронных носителей составляла 1·1016/см3, электропроводность была равна 1·10-2 См/см, а подвижность электронов в ней была оценена равной примерно 5 см2/В·с. Из анализа спектра поглощения света была оценена ширина запрещенной зоны в оптическом диапазоне в полученной тонкой аморфной оксидной пленке, которая составляла примерно 3 эВ.
Более высокое парциальное давление дополнительно уменьшает концентрацию электронных носителей. Как показано на Фиг.1, в пленке из аморфного оксида типа In-Zn-Ga-O, сформированной при температуре подложки 25°С и при парциальном давлении кислорода, равном 6 Па, концентрация электронных носителей была ниже 8·1015/см3 (электропроводность: примерно 8·10-3 См/см). Подвижность электронов в пленке была оценена, как равная 1 см2/B·с или более. Однако при использовании процесса PLD при парциальном давлении кислорода, равном 6,5 Па или выше, нанесенная пленка имела неровную поверхность и не была подходящей для использования в качестве канального слоя ТПТ.
Пленки из аморфного оксида типа In-Zn-Ga-O формировали при разных парциальных давлениях кислорода в атмосфере формирования пленки с мишенью, состоящей из поликристаллического спеченного компакта, имеющего состав InGaO3(ZnO)4 . В полученных пленках исследовали связь между концентрацией электронных носителей и подвижностью электронов. Результаты показаны на Фиг.2. При увеличении концентрации электронных носителей от 1·1016/см3 до 1·1020/см3, подвижность электронов увеличивалась от примерно 3 см2/В·с до примерно 11 см2/В·с. Такая же тенденция наблюдалась у аморфных оксидных пленок, полученных с использованием поликристаллической спеченной InGaO3(ZnO) мишени.
Пленка из аморфного оксида типа In-Zn-Ga-O, которую формировали на 200 мкм полиэтиленовой терефталатной (PET) пленке вместо стеклянной подложки, имела аналогичные характеристики.
ФОРМИРОВАНИЕ ПЛЕНКИ ИЗ АМОРФНОГО ОКСИДА ТИПА In-Zn-Ga-Mg-O
ПРИ ПОМОЩИ ПРОЦЕССА PLD
Пленку из InGaO3(Zn1-xMgxO)4 (0<х≤1) формировали на стеклянной подложке при помощи процесса PLD, используя мишень InGaO3(Zn1-xMgxO)4 (0<x≤1). Используемое устройство показано на Фиг.14.
В качестве подложки использовали стеклянную подложку (Corning Со.: 1737). В качестве предварительной обработки перед осаждением подложку промывали для обезжиривания с использованием ультразвука ацетоном, этанолом и сверхчистой водой, по пять минут каждым, и сушили при 100°С. Мишень представляла собой спеченный компакт InGaO3(Zn1-xMgxO)4 (x=1-0) (размер: 20 мм в диаметре, 5 мм в толщину). Мишень получали мокрым смешиванием исходных материалов In2O3, Ga2О3 и ZnO (4-нормальный раствор каждого реагента) (растворитель: этанол), обжигом смеси (1000°С, 2 часа), сухим измельчением и спеканием (1550°С, 2 часа). Конечное давление в камере роста составляло 2·10-6 Па. Парциальное давление кислорода во время роста поддерживали равным 0,8 Па. Температура подложки была равна комнатной температуре (25°С). Расстояние между мишенью и подложкой для формирования пленки составляло 30 мм. KrF эксимерный лазер излучал с мощностью 1,5 мДж/см2/импульс с длительностью импульса 20 нс, частотой повторения 10 Гц, и точка облучения представляла собой квадрат 1×1 мм. Скорость формирования пленки составляла 7 нм/мин. Парциальное давление кислорода в атмосфере формирования пленки составляло 0,8 Па. Температура подложки была равна 25°С.
Полученную тонкую пленку исследовали способом малоугловой рентгенографии (SAXS) (метод тонких пленок, угол падения: 0,5°): четкого дифракционного пика не наблюдалось. Таким образом, полученная тонкая пленка типа In-Ga-Zn-Mg-O была аморфной. Полученная пленка имела плоскую поверхность.
Используя мишени с различными значениями х (с разным содержанием Mg) пленку из аморфного оксида типа In-Ga-Zn-Mg-O формировали при парциальном давлении кислорода, равном 0,8 Па в атмосфере для формирования пленки с целью изучения зависимости проводимости, концентрации электронных носителей и подвижности электронов от величины х.
Результаты приведены на фиг.4А, 4В и 4С. Если величина х больше 0,4, пленки из аморфного оксида, сформированные при помощи процесса PLD при парциальном давлении кислорода в атмосфере, равном 0,8 Па, концентрация электронных носителей уменьшалась до величины, меньшей чем 1·1018/см3. В аморфной пленке со значением х большим 0,4 подвижность электронов превышала величину 1 см2/В·с.
Как показано на фиг.4А, 4В и 4С, концентрация электронных носителей ниже чем 1·1016/см3 может быть получена в пленке, изготовленной способом импульсного лазерного осаждения с использованием мишени, у которой 80 атом% Zn заменено Mg, и при парциальном давлении кислорода, равном 0,8 Па (удельное сопротивление: примерно 1·10-2 См/см). В такой пленке подвижность электронов ниже по сравнению с пленкой, не содержащей Mg, но не намного. Подвижность электронов в пленках составляет примерно 5 см2/В·с, что превышает подвижность электронов в аморфном кремнии примерно на один порядок. В тех же самых условиях формирования пленки как электропроводность, так и подвижность электронов в пленке уменьшаются с увеличением содержания Mg. Следовательно, предпочтительным является, чтобы содержание Mg в пленке составляло больше 20 амтом % и меньше 85 атом % (0,2<х<0,85), более предпочтительно 0,5<х<0,85.
Аморфная пленка из InGaO3(Zn1-xMgxO)4 (0<х<1), сформированная на 200 мкм полиэтиленовой терфталатной (PET) пленке вместо стеклянной подложки, имеет аналогичные характеристики.
ФОРМИРОВАНИЕ ПЛЕНКИ ИЗ АМОРФНОГО ОКСИДА In2О3 ПРИ ПОМОЩИ ПРОЦЕССА PLD
In2O3 пленку формировали на 200 мкм пленке PET, используя мишень, состоящую из In2О3 поликристаллического спеченного компакта при помощи процесса PLD, используя KrF эксимерный лазер.
Использованное устройство показано на Фиг.14. Подложка для формирования пленки представляла собой SiO2 стеклянную подложку (Corning Со.: 1737).
В качестве предварительной обработки перед осаждением подложку промывали для обезжиривания с использованием ультразвука ацетоном, этанолом и сверхчистой водой, по пять минут каждым, и сушили при 100°С.
Мишень представляла собой In2О3 спеченный компакт (размер: 20 мм в диаметре и 5 мм в толщину), которую получали обжигом исходного реагента In2O3 (4 нормальный раствор реагента) (1000°С, 2 часа), сухим измельчением и спеканием (1550°С, 2 часа).
Конечное давление в камере роста составляло 2·10-6 Па, парциальное давление кислорода во время роста было равно 5 Па, и температура подложки равна 25°С.
Парциальное давление паров воды составляло 0,1 Па, и радикалы кислорода генерировались прибором для генерации радикалов кислорода при приложенной мощности 200 Вт.
Расстояние между мишенью и подложкой для формирования пленки составляло 40 мм, мощность KrF эксимерного лазера составляла 0,5 мДж/см2/импульс с длительностью импульса 20 нс, частотой повторения 10 Гц, и точка облучения представляла собой квадрат размером 1×1 мм.
Скорость формирования пленки составляла 3 нм/мин.
Полученную тонкую пленку исследовали способом малоугловой рентгенографии (SAXS) (метод тонких пленок, угол падения: 0,5°); четкого дифракционного пика не наблюдалось, что показало, что полученная пленка типа In-O была аморфной. Толщина пленки составила 80 нм.
В полученной пленке из аморфного оксида типа In-O концентрация электронных носителей составляла 5·1017/см3, и подвижность электронов была равна примерно 7 см2/В·с.
Формирование пленки из аморфного оксида типа In-Sn-O при помощи процесса PLD
Оксидную пленку типа In-Sn-O формировали на 200 мкм пленке PET, используя мишень, состоящую из поликристаллического спеченного компакта (In0,9Sn0,1)O3,1 при помощи процесса PLD, используя KrF эксимерный лазер. Использованное устройство показано на Фиг.14.
Подложка для формирования пленки представляла собой SiO2 стеклянную подложку (Corning Co.: 1737).
В качестве предварительной обработки перед осаждением подложку промывали для обезжиривания с использованием ультразвука ацетоном, этанолом и сверхчистой водой, по пять минут каждым, и сушили при 100°С.
Мишень представляла собой In2О3-SnO2 спеченный компакт (размер: 20 мм в диаметре и 5 мм в толщину), которую получали мокрым смешиванием исходных материалов In2O3-SnO2 (4-нормальный раствор реагента) (растворитель: этанол), обжигом смеси (1000°С, 2 часа), сухим измельчением и спеканием (1550°С, 2 часа).
Подложка находилась при комнатной температуре. Парциальное давление кислорода было равно 5 Па. Парциальное давление азота составляло 0,1 Па. Радикалы кислорода генерировались прибором для генерации радикалов кислорода при приложенной мощности 200 Вт.
Расстояние между мишенью и подложкой для формирования пленки составляло 30 мм, мощность KrF эксимерного лазера составляла 0,5 мДж/см2/импульс с длительностью импульса 20 нс, частотой повторения 10 Гц, и точка облучения представляла собой квадрат с размером 1×1 мм.
Скорость формирования пленки составляла 6 нм/мин.
Полученную тонкую пленку исследовали способом малоугловой рентгенографии (SAXS) (метод тонких пленок, угол падения: 0,5°); четкого дифракционного пика не наблюдалось, что показало, что полученная пленка типа In-Sn-O была аморфной.
В полученной пленке из аморфного оксида типа In-Sn-O концентрация электронных носителей составляла 8·1017/см3, и подвижность электронов была равна примерно 5 см2/B·с. Толщина пленки составляла 100 нм.
ФОРМИРОВАНИЕ ПЛЕНКИ ИЗ АМОРФНОГО ОКСИДА ТИПА In-Ga-O ПРИ ПОМОЩИ ПРОЦЕССА PLD
Подложка для формирования пленки представляла собой SiO2 стеклянную подложку (Corning Со.: 1737).
В качестве предварительной обработки перед осаждением подложку промывали для обезжиривания с использованием ультразвука ацетоном, этанолом и сверхчистой водой, по пять минут каждым, и сушили при 100°С.
Мишень представляла собой спеченный компакт (In2O3)1-х-(Ga2О3)х (х=0-1) (размер: 20 мм в диаметре и 5 мм в толщину). Например, при х=0,1, мишень представляет собой поликристаллический спеченный компакт (In0,9Ga0,1)2O3.
Мишень получали мокрым смешиванием исходных материалов In2O3-Ga2O3 (4-нормальный раствор реагентов) (растворитель: этанол), обжигом смеси (1000°С, 2 часа), сухим измельчением и спеканием (1550°С, 2 часа).
Конечное давление в камере роста составляло 2·10-6 Па. Парциальное давление кислорода во время роста было равно 1 Па.
Подложка находилась при комнатной температуре. Расстояние между мишенью и подложкой для формирования пленки составляло 30 мм. Мощность KrF эксимерного лазера составляла 1,5 мДж/см2/импульс с длительностью импульса 20 нс, частотой повторения 10 Гц. Точка облучения представляла собой квадрат с размером 1×1 мм. Скорость формирования пленки составляла 6 нм/мин.
Температура подложки была равна 25°С. Парциальное давление кислорода составляло 1 Па. Полученную тонкую пленку исследовали способом малоугловой рентгенографии (SAXS) (метод тонких пленок, угол падения: 0,5°): четкого дифракционного пика не наблюдалось, что показало, что полученная пленка типа In-Ga-O была аморфной.
В полученной пленке из аморфного оксида типа In-Ga-O концентрация электронных носителей составляла 8·1016/см3, и подвижность электронов была равна примерно 1 см2/B·с.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ ЭЛЕМЕНТА ТПТ С ПЛЕНКОЙ ИЗ АМОРФНОГО ОКСИДА ТИПА In-Ga-Zn-O (СТЕКЛЯННАЯ ПОДЛОЖКА)
Изготовили ТПТ с верхним затвором, показанный на Фиг.5.
Сначала пленку из аморфного оксида типа In-Ga-Zn-O изготовили на стеклянной подложке 1 при помощи вышеуказанного устройства PLS, используя мишень, состоящую из поликристаллического спеченного компакта, имеющего состав InGaO3(ZnO)4 при парциальном давлении кислорода, равном 5 Па. Сформированная In-Ga-Zn-O пленка имела толщину 120 нм и была использована в качестве канального слоя 2.
Далее, способом PLD при парциальном давлении кислорода в камере ниже 1 Па были наслоены еще одна пленка из аморфного оксида типа In-Ga-Zn-O с большей подвижностью электронов и золотой слой, каждая из которых имела толщину 30 нм. Затем из них были сформированы терминал 5 стока и терминал 6 истока способом фотолитографии и обратной литографии.
Наконец, способом осаждения с использованием электронно-лучевого испарения была сформирована Y2O3 пленка в качестве изолятора затвора (толщина: 90 нм, относительная диэлектрическая постоянная: примерно 15, плотность тока утечки: 1·10-3 А/см2 при приложении напряжения 0,5 МВ/см). Далее была сформирована золотая пленка, из которой затем способом фотолитографии и способом обратной литографии был сформирован терминал 4 затвора. Длина канала составила 50 мкм, а ширина - 200 мкм.
ОЦЕНКА РАБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТА ТПТ
На Фиг.6 показана вольт-амперная характеристика элемента ТПТ при комнатной температуре. Ток стока IDS увеличивается с увеличением напряжения стока VDS, что показывает, что канал имеет проводимость n-типа.
Это согласуется с тем фактом, что аморфный полупроводник типа In-Ga-Zn-O является полупроводником n-типа. IDS насыщается (отсекается) при VDS=6 В, что характерно для полупроводникового транзистора. Из оценки рабочих характеристик затвора найдено, что пороговая величина напряжения затвора VGS при приложении напряжения VDS=4 В составляет примерно -0,5 В. Ток IDS=1,0·10-5 А возникает при VG=10 В. Это соответствует влиянию смещения на затворе на носители в полупроводниковой тонкой аморфной In-Ga-Zn-O пленке, используемой в качестве изолятора.
Отношение включено/выключено транзистора выше чем 1·103. Из выходных рабочих характеристик вычислили дрейфовую подвижность, которая в области насыщения составляла примерно 7 см2/B·с. Облучение видимым светом не меняло рабочих характеристик полученного элемента согласно тем же измерениям.
Аморфный оксид с концентрацией электронных носителей ниже чем 1·1018/см3 может использоваться в качестве канального слоя ТПТ. Более предпочтительна концентрация электронных носителей ниже чем 1·1017/см3, еще более предпочтительна - ниже чем 1·1016/см3.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ ЭЛЕМЕНТА ТПТ С ПЛЕНКОЙ ИЗ АМОРФНОГО ОКСИДА ТИПА In-Zn-Ga-O (АМОРФНАЯ ПОДЛОЖКА)
Изготовили элемент ТПТ с верхним затвором, показанный на Фиг.5.
Сначала пленку из аморфного оксида типа In-Ga-Zn-O изготовили на полиэтиленовой терфталатной (PET) подложке 1 при помощи вышеуказанного устройства PLS, используя мишень, состоящую из поликристаллического спеченного компакта, имеющего состав InGaO3(ZnO) при парциальном давлении кислорода в атмосфере, равном 5 Па. Сформированная пленка имела толщину 120 нм и была использована в качестве канального слоя 2.
Далее, способом PLD при парциальном давлении кислорода в камере ниже 1 Па были наслоены еще одна пленка из аморфного оксида типа In-Ga-Zn-O с большей подвижностью электронов и золотой слой, каждый из которых имел толщину 30 нм. Затем из них были сформированы терминал 5 стока и терминал 6 истока способом фотолитографии и обратной литографии.
Наконец, способом осаждения с использованием электронно-лучевого испарения был сформирован изолятор 3 затвора. Далее на нем была сформирована золотая пленка, из которой затем способом фотолитографии и способом обратной литографии был сформирован терминал 4 затвора. Длина канала составила 50 мкм, а ширина - 200 мкм. Три ТПТ вышеописанной структуры изготовили, используя соответственно один из трех видов изоляторов затвора: Y2О3 (толщиной 140 нм), Al2О3 (толщиной 130 мкм) и HfO2 (толщиной 140 мкм).
ОЦЕНКА РАБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТА ТПТ
Элементы ТПТ, сформированные на пленке PET, при комнатной температуре имели вольт-амперные характеристики, аналогичные тем, которые показаны на Фиг.6. Ток стока IDS увеличивается с увеличением напряжения стока VDS, что показывает, что канал имеет проводимость n-типа. Это согласуется с тем фактом, что полупроводник типа In-Ga-Zn-O является полупроводником n-типа. IDS насыщается (отсекается) при VDS=6 В, что характерно для полупроводникового транзистора. Ток IDS=1,0·10-8 А возникает при VG=0 В, а ток IDS=2,0·10-5 А возникает при VG=10 В. Это соответствует влиянию смещения на затворе на носители в изоляторе в полупроводниковой тонкой аморфной In-Ga-Zn-O пленке.
Отношение включено/выключено транзистора выше чем 1·103. Из выходных рабочих характеристик вычислили дрейфовую подвижность, которая в области насыщения составляла примерно 7 см2/B·с.
Элементы, сформированные на пленке PET, были согнуты до радиуса кривизны 30 мм, и в таком состоянии были измерены рабочие характеристики транзистора. Однако в рабочих характеристиках изменения не наблюдались. Облучение видимым светом не меняло рабочих характеристик транзистора.
ТПТ, использующий в качестве изолятора затвора Al2O3 пленку, также имел рабочие характеристики транзистора, аналогичные тем, как показано на Фиг.6. Ток IDS=1,0·10-8 А возникает при VG=0 В, а ток IDS=5,0·10-6 А возникает при VG=10 В. Отношение включено/выключено транзистора выше чем 1·102. Из выходных характеристик была вычислена дрейфовая подвижность, которая в области насыщения составляла 2 см2/B·с.
ТПТ, использующий в качестве изолятора затвора HfO2 пленку, также имел рабочие характеристики транзистора, аналогичные тем, как показано на Фиг.6. Ток IDS=1,0·10-8 А возникает при VG=0 В, а ток IDS=1,0·10-6 А возникает при VG=10 В. Отношение включено/выключено транзистора выше чем 1·102. Из выходных характеристик была вычислена дрейфовая подвижность, которая в области насыщения составляла 10 см2/В·с.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ ЭЛЕМЕНТА ТПТ С ПЛЕНКОЙ ИЗ АМОРФНОГО ОКСИДА In2О3 ТИПА ПРИ ПОМОЩИ СПОСОБА PLD
Изготовили ТПТ с верхним затвором, показанный на Фиг.5.
Сначала на полиэтиленовой терфталатной (PET) подложке 1 способом PLD изготовили пленку из аморфного оксида типа In2O3 в качестве канального слоя 2 толщиной 80 нм.
Далее, способом PLD при парциальном давлении кислорода в камере ниже 1 Па и приложенном напряжении, равном 0 В, к устройству генерации радикалов кислорода на нее были наслоены еще одна пленка из аморфного оксида типа In2O3 с большей подвижностью электронов и золотой слой, каждый из которых имел толщину 30 нм. Затем из них были сформированы терминал 5 стока и терминал 6 истока способом фотолитографии и обратной литографии.
Наконец, способом осаждения с использованием электронно-лучевого испарения была сформирована Y2О3 пленка в качестве изолятора 3 затвора. Далее на ней была сформирована золотая пленка, из которой затем способом фотолитографии и способом обратной литографии был сформирован терминал 4 затвора.
ОЦЕНКА РАБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТА ТПТ
Изучали вольт-амперные характеристики элементов, сформированных на пленке PET при комнатной температуре. Ток стока IDS увеличивался с увеличением напряжения стока VDS, что показало, что канал имеет проводимость n-типа. Это согласуется с тем фактом, что аморфная оксидная пленка типа In-O является полупроводником n-типа. IDS насыщается (отсекается) при VDS=6 В, что характерно для полупроводникового транзистора. Ток IDS=2,0·10-8 А возникает при VG=0 В, а ток IDS=2,0·10-6 А возникает при VG=10 В. Это соответствует влиянию смещения на затворе на носители в полупроводниковой тонкой аморфной In-O пленке.
Отношение включено/выключено транзистора выше чем 1·102. Из выходных рабочих характеристик вычислили дрейфовую подвижность, которая в области насыщения составляла примерно 1·10 см2/B·с. ТПТ элемент, сформированный на стеклянной подложке, имел аналогичные характеристики.
Элементы, сформированные на пленке PET, были согнуты до радиуса кривизны 30 мм, и в таком состоянии были измерены рабочие характеристики транзистора. В рабочих характеристиках изменения не наблюдались.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ ТПТ С ПЛЕНКОЙ ИЗ АМОРФНОГО ОКСИДА ТИПА In-Sn-O ПРИ ПОМОЩИ ПРОЦЕССА PLD
Изготовили ТПТ с верхним затвором, показанный на Фиг.5.
Сначала на полиэтиленовой терфталатной (PET) пленке 1 способом PLD сформировали пленку из аморфного оксида типа In-Sn-O толщиной 100 нм в качестве канального слоя 2.
Далее на нее способом PLD при парциальном давлении кислорода в камере ниже 1 Па и приложенном напряжении 0 В к устройству генерации радикалов кислорода были наслоены еще одна пленка из аморфного оксида In-Sn-O с большей подвижностью электронов и золотой слой, каждый из которых имел толщину 30 нм. Затем из них были сформированы терминал 5 стока и терминал 6 истока способом фотолитографии и обратной литографии.
Наконец, способом осаждения с использованием электронно-лучевого испарения была сформирована Y2O3 пленка в качестве изолятора 3 затвора. Далее на ней была сформирована золотая пленка, из которой затем способом фотолитографии и способом обратной литографии был сформирован терминал 4 затвора.
ОЦЕНКА РАБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТА ТПТ
Исследовали вольт-амперные характеристики элементов ТПТ, сформированных на PET пленке при комнатной температуре. Ток стока IDS увеличивался с увеличением напряжения стока VDS, что показывает, что канал имеет проводимость n-типа. Это согласуется с тем фактом, что пленка из аморфного оксида типа In-Sn-O является полупроводником n-типа. IDS насыщается (отсекается) при VDS=6 В, что характерно для транзистора. Ток IDS=5·10-8 А возникает при VG=0 В, а ток IDS=5,0·10-5 А возникает при VG=10 В. Это соответствует влиянию смещения на затворе на носители в изоляторе, пленке из аморфного оксида типа In-Sn-O.
Отношение включено/выключено транзистора составляло примерно 1·103. Из выходных рабочих характеристик вычислили дрейфовую подвижность, которая в области насыщения составляла примерно 5 см2/В·с. ТПТ элемент, сформированный на стеклянной подложке, имел аналогичные характеристики.
Элементы, сформированные на пленке PET, были согнуты до радиуса кривизны 30 мм, и в таком состоянии были измерены рабочие характеристики транзистора. В рабочих характеристиках изменения не наблюдались.
ИЗГОТОВЛЕНИЕ ЭЛЕМЕНТА ТПТ С ПЛЕНКОЙ ИЗ АМОРФНОГО ОКСИДА ТИПА In-Ga-O ПРИ ПОМОЩИ ПРОЦЕССА PLD
Изготовили ТПТ с верхним затвором, показанный на Фиг.5.
Сначала на полиэтиленовой терфталатной (PET) пленке 1 способом PLD, показанным в примере 6, формировали пленку 2 из аморфного оксида типа In-Ga-O толщиной 120 нм в качестве канального слоя.
Далее на нее способом PLD при парциальном давлении кислорода в камере ниже 1 Па и приложенном напряжении 0 В к устройству генерации радикалов кислорода были наслоены еще одна пленка из аморфного оксида типа In-Ga-O с большей подвижностью электронов и золотой слой, каждая из которых имела толщину 30 нм. Затем из них были сформированы терминал 5 стока и терминал 6 истока способом фотолитографии и обратной литографии.
Наконец, способом осаждения с использованием электронно-лучевого испарения была сформирована Y2O3 пленка в качестве изолятора 3 затвора. Далее на ней была сформирована золотая пленка, из которой затем способом фотолитографии и способом обратной литографии был сформирован терминал 4 затвора.
ОЦЕНКА РАБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТА ТПТ
Исследовали вольт-амперные характеристики элементов ТПТ, сформированных на PET пленке при комнатной температуре. Ток стока IDS увеличивался с увеличением напряжения стока VDS, что показало, что канал имеет проводимость n-типа. Это согласуется с тем фактом, что пленка из аморфного оксида типа In-Ga-O является полупроводником n-типа. IDS насыщается (отсекается) при VDS=6 В, что характерно для транзистора. Ток IDS=1·10-8 А возникал при VG=0 В, а ток IDS=1,0·10-6 А возникал при VG=10 В. Это соответствует влиянию смещения на затворе на носители в изоляторе, пленке из аморфного оксида типа In-Ga-O.
Отношение включено/выключено транзистора составляло примерно 1·102. Из выходных рабочих характеристик вычислили дрейфовую подвижность, которая в области насыщения составляла примерно 0,8 с2/B·с. ТПТ элемент, сформированный на стеклянной подложке, имел аналогичные характеристики.
Элементы, сформированные на пленке PET, были изогнуты с радиусом кривизны 30 мм, и в таком состоянии были измерены рабочие характеристики транзистора. В рабочих характеристиках изменения не наблюдались.
Аморфный оксид с концентрацией электронных носителей ниже чем 1·1018/см3 может использоваться в качестве канального слоя ТПТ. Более предпочтительна концентрация электронных носителей ниже чем 1·1017/см3, еще более предпочтительна - ниже чем 1·1016/см3.
Ниже описаны варианты осуществления светоизлучающего устройства согласно настоящему изобретению.
ПРИМЕР 1
Ниже более подробно описан пример светоизлучающего устройства со ссылкой на вариант осуществления.
На подложке сформировали аморфную тонкую In-Ga-Zn-O пленку таким образом, чтобы получилась композиция In:Ga:Zn = 0,98:1,02:4, при помощи уже описанного способа PLD.
МДП с верхним затвором, показанный на Фиг.5, изготовили при помощи этапов, на которых:
сначала на стеклянной подложке (1) сформировали полуизолирующую аморфную InGaO3(ZnO)4 пленку толщиной 120 нм, которую использовали в качестве канального слоя (2), способом получения вышеописанной тонкой аморфной In-Ga-Zn-O пленки; на нее нанесли InGaO3(ZnO)4 пленку с высокой электропроводностью и золотую пленку соответственно толщиной 30 нм способом импульсного лазерного осаждения в камере с парциальным давлением кислорода, не превышающим 1 Па, и сформировали терминал (5) стока и терминал (6) истока способами фотолитографии и обратной литографии; и наконец, сформировали Y2O3 пленку, которую использовали в качестве изолирующего слоя (3) затвора способом с использованием электронно-лучевого вакуумного осаждения (толщина: 90 нм, относительная диэлектрическая постоянная: примерно 15 и плотность тока утечки: 1·10-3 А/см2 при приложенном напряжении 0,5 МВ/см), сформировали на ней золотую пленку и сформировали терминал (4) затвора способами фотолитографии и обратной литографии.
ОЦЕНКА РАБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТА МДП ТРАНЗИСТОРА
На Фиг.6 представлены вольт-амперные характеристики элемента МДП, измеренные при комнатной температуре. При увеличении напряжения стока VDS ток стока IDS также увеличивается, что говорит о том, что канал имеет проводимость n-типа. Результат не противоречит тому факту, что аморфный полупроводник на основе In-Ga-Zn-O имеет проводимость n-типа. Элемент МДП функционировал как обычный полупроводниковый транзистор, у которого происходило насыщение IDS (отсечка) при VDS, равном примерно 6 В. В результате проведенной оценки рабочих характеристик затвора пороговое значение напряжения затвора VDS составляло примерно -0,5 В при приложении напряжения VDS, равном 4 В. Кроме того, ток IDS составлял 1,0·10-5 ампер при приложенном напряжении VG, равном 10 В. Данный результат означает, что аморфная полупроводниковая тонкая пленка на основе In-Ga-Zn-O изолирующего материала индуцировала в нем носители под действием смещения затвора.
Отношение включено/выключено транзистора превышало 1·103. Кроме того, в результате вычисления дрейфовой подвижности на основе выходных характеристик в области насыщения дрейфовая подвижность составила примерно 7 см2/В·с. Аналогичное измерение проводили на изготовленном элементе при облучении его видимым светом, элемент не показал никаких изменений характеристик транзистора. Отсюда ясно, что изготовленный элемент может быть использован в качестве окна также в случае использования излучения нижнего типа без необходимости ограждения области транзистора от попадания света.
Элемент МДП был сформирован примерно таким же способом, как описанный выше способ. Но после изготовления элемента МДП на нем формировали изолирующую пленку толщиной 300 нм способом импульсного лазерного осаждения. В это же время формировали контактное окно для приведения в контакт терминала стока или истока с нижним электродом.
Затем формировали пленку из Al толщиной 300 нм при помощи способа вакуумного осаждения с резистивным нагревом и на ней формировали пленку из сплава Al и Ag толщиной 50 нм для нижнего электрода. Нижний электрод соединяли с электродом стока или истока через контактное окно.
Затем получали органический EL светоизлучающий слой путем формирования следующих пленок при помощи способа вакуумного осаждения с резистивным нагревом: пленку из трис-(8-хинолинол)алюминия толщиной 20 нм в качестве слоя переноса электронов; на ней пленку из 4,4'-бис(2,2-дифенил)винила толщиной 40 нм в качестве светоизлучающего слоя; пленку из 4,4'-бис[1-(нафтил)-N-фениламино]бифенила толщиной 20 нм в качестве слоя переноса дырок; и пленку 4,4'-бис[N,N-диамино]-4''-фенил-трифениламина толщиной 60 нм в качестве слоя инжекции дырок.
Наконец формировали пленку ITO толщиной 200 нм для противоэлектрода.
Если вышеописанный элемент возбуждали путем приведения в контакт с зондом, с верхней поверхности подложки излучается синий свет, другими словами, получается излучение элемента верхнего типа.
Пример 2: излучение нижнего типа
Ниже со ссылкой на Фиг.9 будет описан пример процесса изготовления светоизлучающего устройства с излучением нижнего типа, в котором непосредственно связаны электрод стока и нижний электрод.
Элемент МДП формировали примерно таким же способом, как описано выше в примере 1. Но электрод стока не формировали, и активный слой 92 был оставлен таким, чтобы его площадь была такой же, как у светоизлучающего слоя. Затем на ней сформировали InGaO3(ZnO)4 пленку с высокой электропроводностью толщиной 200 нм, в качестве электрода 97, служащего в качестве электрода стока (истока) и нижнего электрода способом импульсного лазерного осаждения в камере, имеющей парциальное давление кислорода, не превышающее 1 Па.
Затем формировали органический EL светоизлучающий слой путем формирования органического слоя в обратном порядке варианта осуществления 1 способом резистивного испарения, при этом все объединенные слои обозначены как органический EL светоизлучающий слой.
Наконец, формировали пленку из Al, легированную Li, толщиной 50 нм и формировали пленку из Al толщиной 200 нм в качестве противоэлектрода 99 способом, устойчивым к нагреванию.
Если вышеописанный элемент возбуждали путем приведения в контакт с зондом, с нижней стороны подложки излучается синий свет, другими словами, получаем излучение элемента верхнего типа.
(Пример 3: линейно расположенный источник света)
Линейно расположенный источник света согласно настоящему изобретению описан со ссылкой на Фиг.10.
Множество светоизлучающих элементов 10 и тонкопленочных транзисторов (ТПТ) 102 размещали на подложке в линию и электрически соединяли, как показано на Фиг.10. Линейно расположенный источник света получали путем соединения управляющей схемы 103 для управления излучением света светоизлучающими элементами и ТПТ. Выход ТПТ (электрод истока или электрод стока) соединяли с источником питания Vd через светоизлучающий элемент, а другой выход соединяли с общим электрическим потенциалом СОМ. Кроме того, управляющую схему соединяли с электродом затвора ТПТ.
Если ТПТ включен выходным сигналом из управляющей микросхемы, светоизлучающий элемент излучает свет. В частности, линейно расположенный источник света может испускать желаемый линейный светоизлучающий паттерн, если сигнал из управляющей микросхемы управляется соответствующим образом.
В данном случае, светоизлучающий элемент может использовать произвольный светоизлучающий элемент, такой как органический электролюминесцентный элемент (органический EL), неорганический электролюминесцентный элемент (неорганический EL) и LED. Кроме того, конфигурация схемы этим не ограничивается, но множество ТПТ могут быть размещены относительно одного светоизлучающего элемента.
Таким образом, конфигурация приведения в действие светоизлучающего элемента при помощи ТПТ с аморфным оксидом может быть изготовлена достаточно легко и предоставить линейно расположенный источник света.
На Фиг.11 показан разрез примера, имеющего конфигурацию линейно расположенного источника света согласно настоящему изобретению.
Как показано на Фиг.11, линейно расположенный источник света изготавливают путем расположения части ТПТ и секции светоизлучающего элемента на подложке, а также каждого элемента в соответствующей части. На Фиг.11 показан случай использования органического EL элемента в качестве светоизлучающего элемента и вышеописанного ТПТ с аморфным оксидом в части ТПТ.
На чертеже ссылочная позиция 2100 обозначает подложку, ссылочная позиция 2101 обозначает канальный слой, ссылочная позиция 2102 обозначает электрод истока, ссылочная позиция 2103 обозначает изолирующий слой затвора, ссылочная позиция 2104 обозначает электрод затвора, ссылочная позиция 2105 обозначает электрод стока, ссылочная позиция 2106 обозначает верхний электрод (первый электрод), ссылочная позиция 2107 обозначает слой переноса электронов, ссылочная позиция 2108 обозначает светоизлучающий слой, ссылочная позиция 2109 обозначает слой переноса дырок, ссылочная позиция 2110 обозначает прозрачный электродный слой, ссылочная позиция 2111 обозначает изолирующий слой, ссылочная позиция 2150 обозначает секцию ТПТ и ссылочная позиция 2160 обозначает секцию светоизлучающего элемента.
На Фиг.11 показан пример соединения электрода 2105 стока с прозрачным электродным слоем 2110 секции светоизлучающего элемента. Однако также имеется случай соединения электрода 2102 истока с прозрачным электродным слоем 2110, что зависит от строения светоизлучающего слоя.
Что касается способа изготовления, линейно расположенный источник света изготавливают при помощи этапов формирования ТПТ с аморфным оксидом в заданном положении на подложке при помощи вышеописанного способа, затем - органический EL элемент и далее соединяют каждый из них с элементом, расположенным в другой позиции.
В это время, если формируется оксидная пленка затвора ТПТ с аморфным оксидом, формируют такой же изолирующий слой в части, в которой будет расположен органический EL элемент. Органический EL элемент изготавливают нанесением маски на подложку и затем формированием прозрачного электродного слоя, затем слоя переноса дырок, светоизлучающего слоя, слоя переноса электронов и верхнего электродного слоя. Во время вышеописанных этапов прозрачный электродный слой соединяют со слоем электрода стока. Наконец, формируют проводку, используя алюминиевую пленку или т.п.
В данном случае в качестве прозрачного электродного слоя может быть использована произвольная прозрачная электропроводящая пленка, такая как In2O3:Sn. Материал, который используется в общем случае, представляет собой органический EL элемент, может использоваться для слоя переноса дырок, светоизлучающего слоя, слоя переноса электронов и верхнего электродного слоя. Например, в качестве слоя переноса дырок может использоваться α-NPD, в качестве светоизлучающего слоя - СВР, легированный 6% Ir(ppy)3, в качестве слоя переноса электронов - Alg3 и в качестве верхнего электродного слоя - AgMg.
В вышеприведенном описании
Alq3 означает комплекс алюминий-хинолинол;
α-NPD; и
Ir(ppy)3 означает комплекс иридий -фенилпиридин.
В вышеприведенной конфигурации свет, излучаемый из светоизлучающего элемента, проходит через прозрачный электрод и излучается со стороны подложки, как показано на чертеже стрелкой 2170.
Таким образом, полученный линейно расположенный источник света является маленьким, легким и дешевым.
В качестве другой конфигурации линейно расположенного источника света может быть конфигурация расположения органического EL элемента в верхней части ТПТ, расположенного на подложке, как показано на Фиг.12. Вышеописанный линейно расположенный источник света может пропускать свет, излучаемый из светоизлучающего элемента, через секцию ТПТ и излучать со стороны подложки, при выполнении ТПТ с аморфным оксидом прозрачным устройством при помощи изготовления электрода с прозрачным электродом, таким как In2O3:Sn.
На Фиг.12 ссылочная позиция 2200 обозначает подложку, ссылочная позиция 2201 обозначает канальный слой, ссылочная позиция 2202 обозначает электрод истока, ссылочная позиция 2203 обозначает защитную пленку затвора, ссылочная позиция 2204 обозначает электрод затвора, ссылочная позиция 2205 обозначает электрод стока, ссылочная позиция 2206 обозначает верхний электрод (первый электрод), ссылочная позиция 2207 обозначает слой переноса электрона, ссылочная позиция 2208 обозначает светоизлучающий слой, ссылочная позиция 2209 обозначает слой переноса дырок, ссылочная позиция 2210 обозначает прозрачный электродный слой, ссылочная позиция 2211 обозначает изолирующий слой, ссылочная позиция 2250 обозначает секцию ТПТ и ссылочная позиция 2260 обозначает секцию светоизлучающего элемента.
На Фиг.12 показан пример соединения электрода 2205 стока со слоем 2210 переноса электродов секции светоизлучающего слоя. Однако также существует случай соединения электрода 2202 истока с прозрачным электродным слоем 2210 в зависимости от строения светоизлучающего слоя.
Таким образом сформированное строение делает свет, излучаемый так, как показано стрелкой 2270, дает возможность подложке быть эффективно используемой, и может делать так, чтобы органические EL элементы были расположены на линейно расположенном источнике света с высокой плотностью и/или приобрели большую светоизлучающую площадь (доля открытой площади). Таким образом полученный линейно расположенный источник света является небольшим, легким и дешевым.
(Пример 4: применение в копировально-множительном устройстве и устройстве постраничной печати)
Ниже описан линейно расположенный источник света, примененный в копировально-множительном устройстве или устройстве постраничной печати.
Наиболее обычные копировально-множительные устройства или устройства постраничной печати имеют систему печати данных на промежуточном носителе, сканирования лазерного пучка над барабаном с фотопроводящим слоем, используя линзы и многоугольное зеркало для печати на нем данных, и записи данных на барабане с фотопроводящим слоем.
С другой стороны, вышеописанные устройства могут быть небольшими и недорогими, если использование линейно расположенного источника света согласно настоящему изобретению, поскольку прямое освещение барабана с фотопроводящим слоем светом, испускаемым из светоизлучающего элемента без прохождения света через систему линз, как показано на Фиг.13. В результате вышеописанные устройства не нуждаются в большого размера оптической системе, и, следовательно, могут быть уменьшены и удешевлена стоимость производства. При необходимости, вышеописанные устройства могут быть размещены на простой оптической системе, такой как линзы SELFOC между светоизлучающим элементом и барабаном.
На Фиг.13 ссылочная позиция 2300 обозначает линейно расположенный источник света, а ссылочная позиция 2350 обозначает барабан с фотопроводящим слоем.
При изготовлении вышеописанного копировально-множительного устройства или устройства постраничной печати предпочтительным является унифицировать вышеописанный линейно расположенный источник света с картриджем барабана с фотопроводящим слоем.
Линейно расположенный источник света является дешевым и, следовательно, доступным, и в результате, могут сделать копировально-множительное устройство или устройство постраничной печати, не требующими технического обслуживания благодаря изготовлению единичной структуры, объединенной с барабаном с фотопроводящим слоем, при этом используя вышеописанные характеристики. Вышеописанный источник света может быть расположен снаружи фотопроводника (барабана с фотопроводящим слоем), как показано в настоящем изобретении, или может быть расположен внутри.
Если электронограф использует линейно расположенный источник света согласно настоящему изобретению, электронограф формирует изображение, используя возбудитель для возбуждения фотодатчика (барабана с фотопроводящим слоем), экспонирующий источник света для освещения фотодатчика для формирования латентного изображения на фотодатчике и проявляющее устройство для проявления вышеописанного латентного изображения; и используют линейно расположенный источник света согласно настоящему изобретению для экспонирования источника света.
(Промышленная применимость)
Светоизлучающее устройство согласно настоящему изобретению формирует тонкую пленку полупроводника на гибком материале, включая пластмассовую пленку, и может быть использовано в широкой области применений, включая гибкое устройство изображения, плату ИС и идентификационную карточку.
Светоизлучающее устройство также может использоваться в линейно расположенном источнике света, копировально-множительном устройстве, устройстве постраничной печати и интегрированном барабане с фотопроводящим слоем.
Эта заявка испрашивает приоритет по японской заявке на патент №2004-326684, поданной 10 ноября 2004 г., которая включена в настоящее описание во всей своей полноте в качестве ссылки.
Claims (26)
1. Светоизлучающее устройство, имеющее светоизлучающий элемент, содержащий первый и второй электроды и светоизлучающий слой, находящийся между первым и вторым электродами, и полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, причем
активный слой полевого транзистора сформирован из аморфного оксида, имеющего концентрацию электронных носителей меньше, чем 1018/см3.
активный слой полевого транзистора сформирован из аморфного оксида, имеющего концентрацию электронных носителей меньше, чем 1018/см3.
2. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором аморфный оксид включает в себя, по меньшей мере, один из In, Zn или Sn.
3. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором аморфный оксид выбирают из группы, состоящей из оксида, содержащего In, Zn и Sn; оксида, содержащего In и Zn; оксида, содержащего In и Sn; и оксида, содержащего In.
4. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором аморфный оксид включает в себя In, Zn и Ga.
5. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий элемент и полевой транзистор расположены на оптически прозрачной подложке, и свет, испускаемый из светоизлучающего слоя, проходит через подложку.
6. Светоизлучающее устройство по п.5, в котором полевой транзистор расположен между подложкой и светоизлучающим слоем.
7. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий элемент и полевой транзистор расположены на оптически прозрачной подложке, и свет, испускаемый из светоизлучающего слоя, проходит через подложку и аморфный оксид.
8. Светоизлучающее устройство по п.7, в котором полевой транзистор расположен между подложкой и светоизлучающим слоем.
9. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором, по меньшей мере, один из электрода стока полевого транзистора и второго электрода сформирован из оптически прозрачного электропроводящего оксида.
10. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий элемент представляет собой электролюминисцентный элемент.
11. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором множество светоизлучающих элементов расположено, по меньшей мере, в одном ряду.
12. Светоизлучающее устройство по п.11, в котором светоизлучающий элемент расположен таким образом, чтобы быть смежным с полевым транзистором.
13. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором ток между терминалом стока и терминалом истока полевого транзистора без приложенного напряжения затвора не превышает 10 мкА.
14. Электрофотографическое устройство, имеющее
фотодатчик,
электризатор для электризации фотодатчика,
источник экспонирования светом для экспонирования фотодатчика для формирования латентного изображения на фотодатчике, и
проявляющее устройство для проявки латентного изображения, в котором источник экспонирования светом имеет светоизлучающее устройство по п.11.
фотодатчик,
электризатор для электризации фотодатчика,
источник экспонирования светом для экспонирования фотодатчика для формирования латентного изображения на фотодатчике, и
проявляющее устройство для проявки латентного изображения, в котором источник экспонирования светом имеет светоизлучающее устройство по п.11.
15. Светоизлучающее устройство, имеющее светоизлучающий элемент, содержащий первый и второй электроды и светоизлучающий слой, находящийся между первым и вторым электродами, и полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, причем подвижность электронов содержащего аморфный оксид активного слоя полевого транзистора увеличивается с увеличением концентрации электронных носителей.
16. Светоизлучающее устройство по п.15, в котором ток между терминалом стока и терминалом истока полевого транзистора без приложенного напряжения затвора не превышает 10 мкА.
17. Светоизлучающее устройство, имеющее светоизлучающий элемент, содержащий первый и второй электроды и светоизлучающий слой, находящийся между первым и вторым электродами, и полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, в котором активный слой полевого транзистора включает в себя такой прозрачный полупроводник из аморфного оксида, который способен реализовать нормально выключенное состояние.
18. Светоизлучающее устройство по п.17, в котором прозрачный полупроводник из аморфного оксида имеет концентрацию электронных носителей меньше чем 1018/см3, которая является достаточно низкой для реализации нормального выключенного состояния.
19. Светоизлучающее устройство по п.17, в котором ток между терминалом стока и терминалом истока полевого транзистора без приложенного напряжения затвора не превышает 10 мкА.
20. Устройство отображения с активной матрицей, содержащее светоизлучающий элемент, содержащий первый и второй электроды и светоизлучающий слой, находящийся между первым и вторым электродами, и полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, и схему элементов изображения, выполненную в виде двумерной матрицы, в которой активный слой полевого транзистора включает в себя такой прозрачный полупроводник из аморфного оксида, который способен реализовать нормальное выключение состояние.
21. Устройство отображения с активной матрицей по п.20, в котором прозрачный полупроводник из аморфного оксида имеет концентрацию электронных носителей меньше чем 1018/см3, которая является достаточно низкой для реализации нормального выключенного состояния.
22. Устройство отображения с активной матрицей по п.20, в котором ток между терминалом стока и терминалом истока полевого транзистора без приложенного напряжения затвора не превышает 10 мкА.
23. Изделие для отображения, содержащее
светоизлучающий элемент, содержащий первый и второй электроды и светоизлучающий слой, находящийся между первым и вторым электродами, и полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, в котором активный слой полевого транзистора включает в себя полупроводник из аморфного оксида.
светоизлучающий элемент, содержащий первый и второй электроды и светоизлучающий слой, находящийся между первым и вторым электродами, и полевой транзистор для возбуждения светоизлучающего элемента, в котором активный слой полевого транзистора включает в себя полупроводник из аморфного оксида.
24. Изделие для отображения по п.23, в котором аморфный оксид выбирают из группы, состоящей из оксида, содержащего In, Zn и Sn; оксида, содержащего In и Zn; оксида, содержащего In и Sn; и оксида, содержащего In.
25. Изделие для отображения по п.23, в котором транзистор представляет собой транзистор нормально выключенного типа.
26. Изделие для отображения по п.23, в котором ток между терминалом стока и терминалом истока полевого транзистора без приложенного напряжения затвора не превышает 10 мкА.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004-326684 | 2004-11-10 | ||
JP2004326684 | 2004-11-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2007121701A RU2007121701A (ru) | 2008-12-20 |
RU2358354C2 true RU2358354C2 (ru) | 2009-06-10 |
Family
ID=35841859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007121701/28A RU2358354C2 (ru) | 2004-11-10 | 2005-11-09 | Светоизлучающее устройство |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7872259B2 (ru) |
EP (1) | EP1810335B1 (ru) |
JP (1) | JP5118811B2 (ru) |
KR (2) | KR20070085879A (ru) |
CN (1) | CN101057333B (ru) |
AU (1) | AU2005302963B2 (ru) |
CA (1) | CA2585063C (ru) |
RU (1) | RU2358354C2 (ru) |
WO (1) | WO2006051994A2 (ru) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2546959C2 (ru) * | 2009-06-19 | 2015-04-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Способ и устройство для возбуждения oled-устройства |
RU2616561C2 (ru) * | 2012-10-18 | 2017-04-17 | Джи-СМАТТ КО., ЛТД. | Прозрачное электронное дисплейное табло, способное производить равномерный оптический выход |
US11162651B2 (en) | 2019-12-31 | 2021-11-02 | Jiangsu Sur Lighting Co., Ltd | Lamp module group |
US11274816B2 (en) | 2015-12-15 | 2022-03-15 | Wangs Alliance Corporation | LED lighting methods and apparatus |
US11421837B2 (en) | 2020-04-23 | 2022-08-23 | Jiangsu Sur Lighting Co., Ltd. | Spotlight structure |
US11598517B2 (en) | 2019-12-31 | 2023-03-07 | Lumien Enterprise, Inc. | Electronic module group |
US11686459B2 (en) | 2015-12-15 | 2023-06-27 | Wangs Alliance Corporation | LED lighting methods and apparatus |
US11802682B1 (en) | 2022-08-29 | 2023-10-31 | Wangs Alliance Corporation | Modular articulating lighting |
US11812525B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-11-07 | Wangs Alliance Corporation | Methods and apparatus for controlling the current supplied to light emitting diodes |
Families Citing this family (1879)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BRPI0517560B8 (pt) | 2004-11-10 | 2018-12-11 | Canon Kk | transistor de efeito de campo |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
EP1812969B1 (en) * | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI472037B (zh) * | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7928938B2 (en) * | 2005-04-19 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including memory circuit, display device and electronic apparatus |
US7710739B2 (en) * | 2005-04-28 | 2010-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
US8629819B2 (en) | 2005-07-14 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
EP1758072A3 (en) * | 2005-08-24 | 2007-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
JP4732080B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2011-07-27 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
KR100729043B1 (ko) * | 2005-09-14 | 2007-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투명 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
EP1764770A3 (en) * | 2005-09-16 | 2012-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method of display device |
JP5006598B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
WO2007034935A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Cyclic redundancy check circuit and semiconductor device having the cyclic redundancy check circuit |
EP1770788A3 (en) * | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5064747B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1935027B1 (en) | 2005-10-14 | 2017-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101112655B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
JP5016831B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2012-09-05 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた発光素子及びこれを用いた画像表示装置 |
EP2924498A1 (en) | 2006-04-06 | 2015-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance |
TWI358964B (en) * | 2006-04-12 | 2012-02-21 | Au Optronics Corp | Electroluminescence display element and method for |
JP2007286150A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 電気光学装置、並びに、電流制御用tft基板及びその製造方法 |
KR100785038B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2007-12-12 | 삼성전자주식회사 | 비정질 ZnO계 TFT |
US7443202B2 (en) * | 2006-06-02 | 2008-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic apparatus having the same |
JP5127183B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2008059824A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | アクティブマトリックス型有機elパネルおよびその製造方法 |
US7651896B2 (en) | 2006-08-30 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5128792B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-01-23 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタの製法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5116277B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置、液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
TWI442368B (zh) | 2006-10-26 | 2014-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 電子裝置,顯示裝置,和半導體裝置,以及其驅動方法 |
US7646015B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device |
JP5147215B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-02-20 | 株式会社日立製作所 | 表示素子の画素駆動回路およびこれを利用した表示装置 |
JP5105842B2 (ja) | 2006-12-05 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 |
KR101363555B1 (ko) * | 2006-12-14 | 2014-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR100787464B1 (ko) * | 2007-01-08 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 및 그 제조방법 |
JP4934599B2 (ja) * | 2007-01-29 | 2012-05-16 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
KR101509663B1 (ko) | 2007-02-16 | 2015-04-06 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체층 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자제조방법 |
JP5023737B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2012-09-12 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネセンスデバイス |
JP5330697B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2013-10-30 | 株式会社リコー | 機能素子のパッケージ及びその製造方法 |
JP5244331B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2013-07-24 | 出光興産株式会社 | 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット |
JP2008276211A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-11-13 | Fujifilm Corp | 有機電界発光表示装置およびパターニング方法 |
JP2009031742A (ja) * | 2007-04-10 | 2009-02-12 | Fujifilm Corp | 有機電界発光表示装置 |
US7652280B2 (en) | 2007-04-11 | 2010-01-26 | General Electric Company | Light-emitting device and article |
KR101334181B1 (ko) * | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
JP5408842B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
WO2008136505A1 (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法 |
JP5542296B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP5542297B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP4989309B2 (ja) | 2007-05-18 | 2012-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP5241143B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2013-07-17 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7897482B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7935964B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same |
JP2010530634A (ja) * | 2007-06-19 | 2010-09-09 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 酸化物半導体及びそれを含む薄膜トランジスタ |
US8354674B2 (en) * | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
WO2009014155A1 (en) | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and electronic device having the same |
US7742673B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-06-22 | General Electric Company | Thermal mangement article having thermal wave guide |
US8058802B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-11-15 | General Electric Company | Thermal management article and method |
US7898176B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-03-01 | General Electric Company | Fluidic thermal management article and method |
US7982216B2 (en) | 2007-11-15 | 2011-07-19 | Fujifilm Corporation | Thin film field effect transistor with amorphous oxide active layer and display using the same |
US8319214B2 (en) | 2007-11-15 | 2012-11-27 | Fujifilm Corporation | Thin film field effect transistor with amorphous oxide active layer and display using the same |
JP5291928B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2013-09-18 | 株式会社日立製作所 | 酸化物半導体装置およびその製造方法 |
NO332409B1 (no) * | 2008-01-24 | 2012-09-17 | Well Technology As | Anordning og fremgangsmate for a isolere en seksjon av et bronnhull |
JP5181164B2 (ja) * | 2008-03-17 | 2013-04-10 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光表示装置 |
JP2009224595A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fujifilm Corp | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
KR101496148B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
US9041202B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
KR101468591B1 (ko) * | 2008-05-29 | 2014-12-04 | 삼성전자주식회사 | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 |
KR101224769B1 (ko) | 2008-06-10 | 2013-01-21 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링용 산화물 소결체 타겟 및 그 제조 방법 |
US8314765B2 (en) | 2008-06-17 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, display device, and electronic device |
KR102040563B1 (ko) | 2008-07-10 | 2019-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
JP5616038B2 (ja) | 2008-07-31 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI476921B (zh) | 2008-07-31 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI500159B (zh) | 2008-07-31 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
JP2010056541A (ja) | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
TWI450399B (zh) | 2008-07-31 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI642113B (zh) | 2008-08-08 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP5480554B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5608347B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP5525778B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI508282B (zh) | 2008-08-08 | 2015-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
WO2010018875A1 (ja) * | 2008-08-15 | 2010-02-18 | 株式会社アルバック | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP5644071B2 (ja) * | 2008-08-20 | 2014-12-24 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム |
US9082857B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
TWI606592B (zh) | 2008-09-01 | 2017-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP5627071B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2010062233A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
US9306078B2 (en) * | 2008-09-08 | 2016-04-05 | Cbrite Inc. | Stable amorphous metal oxide semiconductor |
WO2010029859A1 (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2010029865A1 (en) | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101657957B1 (ko) | 2008-09-12 | 2016-09-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR101767864B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2017-08-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 생산 방법 |
EP2327070B1 (en) * | 2008-09-19 | 2018-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device |
KR101889287B1 (ko) | 2008-09-19 | 2018-08-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
CN102881696A (zh) | 2008-09-19 | 2013-01-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
KR101622981B1 (ko) * | 2008-09-19 | 2016-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 제조방법 |
CN103545342B (zh) * | 2008-09-19 | 2018-01-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR101611643B1 (ko) * | 2008-10-01 | 2016-04-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
EP2172977A1 (en) | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101961632B1 (ko) | 2008-10-03 | 2019-03-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
EP2172804B1 (en) | 2008-10-03 | 2016-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Display device |
KR20110069831A (ko) * | 2008-10-03 | 2011-06-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 변조회로 및 그것을 갖는 반도체장치 |
CN101714546B (zh) | 2008-10-03 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
KR101652693B1 (ko) | 2008-10-03 | 2016-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP5430113B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2014-02-26 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
CN101719493B (zh) | 2008-10-08 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
JP5484853B2 (ja) | 2008-10-10 | 2014-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2010044478A1 (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting display device |
JP5361651B2 (ja) | 2008-10-22 | 2013-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101667909B1 (ko) | 2008-10-24 | 2016-10-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
JP5442234B2 (ja) | 2008-10-24 | 2014-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
KR101259727B1 (ko) | 2008-10-24 | 2013-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2010047288A1 (en) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductordevice |
JP5616012B2 (ja) | 2008-10-24 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8106400B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
EP2180518B1 (en) | 2008-10-24 | 2018-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8741702B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101634411B1 (ko) * | 2008-10-31 | 2016-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 표시 장치 및 전자 장치 |
KR101603303B1 (ko) | 2008-10-31 | 2016-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법 |
KR101631454B1 (ko) | 2008-10-31 | 2016-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리회로 |
TWI478356B (zh) | 2008-10-31 | 2015-03-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI487104B (zh) | 2008-11-07 | 2015-06-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
CN101740631B (zh) * | 2008-11-07 | 2014-07-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及该半导体装置的制造方法 |
TWI574423B (zh) | 2008-11-07 | 2017-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
KR101659703B1 (ko) | 2008-11-07 | 2016-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI467663B (zh) | 2008-11-07 | 2015-01-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和該半導體裝置的製造方法 |
EP2184783B1 (en) | 2008-11-07 | 2012-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI656645B (zh) | 2008-11-13 | 2019-04-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101432764B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2014-08-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
US8232947B2 (en) | 2008-11-14 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP2010153802A (ja) | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
KR102359831B1 (ko) | 2008-11-21 | 2022-02-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
TWI616707B (zh) | 2008-11-28 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
TWI585955B (zh) * | 2008-11-28 | 2017-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 光感測器及顯示裝置 |
TWI506795B (zh) | 2008-11-28 | 2015-11-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
KR101643204B1 (ko) * | 2008-12-01 | 2016-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2010156960A (ja) | 2008-12-03 | 2010-07-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP5491833B2 (ja) | 2008-12-05 | 2014-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101642384B1 (ko) | 2008-12-19 | 2016-07-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터의 제작 방법 |
JP5615540B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP2202802B1 (en) | 2008-12-24 | 2012-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit and semiconductor device |
US8441007B2 (en) | 2008-12-25 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US8114720B2 (en) | 2008-12-25 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8383470B2 (en) * | 2008-12-25 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof |
KR101719350B1 (ko) * | 2008-12-25 | 2017-03-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP5590877B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI540647B (zh) * | 2008-12-26 | 2016-07-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101648927B1 (ko) * | 2009-01-16 | 2016-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8492756B2 (en) * | 2009-01-23 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8436350B2 (en) * | 2009-01-30 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device using an oxide semiconductor with a plurality of metal clusters |
US8367486B2 (en) | 2009-02-05 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and method for manufacturing the transistor |
US8174021B2 (en) | 2009-02-06 | 2012-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device |
US8749930B2 (en) * | 2009-02-09 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Protection circuit, semiconductor device, photoelectric conversion device, and electronic device |
CN101840936B (zh) | 2009-02-13 | 2014-10-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 包括晶体管的半导体装置及其制造方法 |
US8278657B2 (en) | 2009-02-13 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device |
US8247812B2 (en) | 2009-02-13 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device |
US8247276B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device |
US8841661B2 (en) * | 2009-02-25 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Staggered oxide semiconductor TFT semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8704216B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US20100224878A1 (en) | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8461582B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US20100224880A1 (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5504008B2 (ja) | 2009-03-06 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101743164B1 (ko) * | 2009-03-12 | 2017-06-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI485781B (zh) * | 2009-03-13 | 2015-05-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法 |
US8450144B2 (en) * | 2009-03-26 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI617029B (zh) | 2009-03-27 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR101752640B1 (ko) | 2009-03-27 | 2017-06-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
KR101681884B1 (ko) | 2009-03-27 | 2016-12-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치, 표시장치 및 전자기기 |
TWI485851B (zh) * | 2009-03-30 | 2015-05-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI489628B (zh) * | 2009-04-02 | 2015-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
US8338226B2 (en) * | 2009-04-02 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8441047B2 (en) | 2009-04-10 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI476917B (zh) | 2009-04-16 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
KR101690216B1 (ko) * | 2009-05-01 | 2016-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
JP5751762B2 (ja) | 2009-05-21 | 2015-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5760298B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2015-08-05 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器 |
JP5564331B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
EP2256795B1 (en) | 2009-05-29 | 2014-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for oxide semiconductor device |
EP2256814B1 (en) | 2009-05-29 | 2019-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP4415062B1 (ja) * | 2009-06-22 | 2010-02-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
KR102011616B1 (ko) | 2009-06-30 | 2019-08-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
KR20200031709A (ko) * | 2009-06-30 | 2020-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
KR20120031026A (ko) | 2009-06-30 | 2012-03-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
WO2011002046A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US20110000175A1 (en) * | 2009-07-01 | 2011-01-06 | Husqvarna Consumer Outdoor Products N.A. Inc. | Variable speed controller |
JP5663214B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101610606B1 (ko) | 2009-07-03 | 2016-04-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101476817B1 (ko) | 2009-07-03 | 2014-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법 |
WO2011004755A1 (en) | 2009-07-10 | 2011-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101642620B1 (ko) | 2009-07-10 | 2016-07-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20210131462A (ko) * | 2009-07-10 | 2021-11-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치의 제작 방법 |
WO2011007677A1 (en) | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101739154B1 (ko) * | 2009-07-17 | 2017-05-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2011007682A1 (en) | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
WO2011010541A1 (en) | 2009-07-18 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011010545A1 (en) | 2009-07-18 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102473733B (zh) | 2009-07-18 | 2015-09-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及制造半导体装置的方法 |
KR101414926B1 (ko) * | 2009-07-18 | 2014-07-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 |
WO2011010542A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101785992B1 (ko) | 2009-07-24 | 2017-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011013523A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011013502A1 (en) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN105097946B (zh) | 2009-07-31 | 2018-05-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
CN103489871B (zh) | 2009-07-31 | 2016-03-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
KR102251729B1 (ko) | 2009-07-31 | 2021-05-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
JP5642447B2 (ja) | 2009-08-07 | 2014-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
EP2284891B1 (en) | 2009-08-07 | 2019-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI626731B (zh) | 2009-08-07 | 2018-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
TWI528527B (zh) | 2009-08-07 | 2016-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 |
JP5663231B2 (ja) | 2009-08-07 | 2015-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
TWI559501B (zh) | 2009-08-07 | 2016-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
TWI596741B (zh) | 2009-08-07 | 2017-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
US8115883B2 (en) | 2009-08-27 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
WO2011027649A1 (en) * | 2009-09-02 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including a transistor, and manufacturing method of semiconductor device |
WO2011027664A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
WO2011027702A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
KR101746198B1 (ko) | 2009-09-04 | 2017-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 전자기기 |
JP5700626B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2015-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置 |
KR101707433B1 (ko) | 2009-09-04 | 2017-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법 |
WO2011027656A1 (en) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
WO2011027701A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
WO2011027676A1 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101672072B1 (ko) | 2009-09-04 | 2016-11-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
CN103151387A (zh) | 2009-09-04 | 2013-06-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US9715845B2 (en) | 2009-09-16 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
KR101785745B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2017-10-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2011033914A1 (en) | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of display device and display device |
KR101882887B1 (ko) | 2009-09-16 | 2018-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2011034012A1 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, light emitting device, semiconductor device, and electronic device |
EP3540772A1 (en) | 2009-09-16 | 2019-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device |
KR20210048590A (ko) * | 2009-09-16 | 2021-05-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101700470B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2017-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기 |
KR101809759B1 (ko) | 2009-09-24 | 2018-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
CN102549758B (zh) | 2009-09-24 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
CN105513644B (zh) | 2009-09-24 | 2019-10-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 驱动器电路、包括驱动器电路的显示设备以及包括显示设备的电子电器 |
KR101707260B1 (ko) * | 2009-09-24 | 2017-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011037213A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101740943B1 (ko) * | 2009-09-24 | 2017-06-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR102321565B1 (ko) | 2009-09-24 | 2021-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
TWI512997B (zh) | 2009-09-24 | 2015-12-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電源電路,和半導體裝置的製造方法 |
WO2011037008A1 (en) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
WO2011040349A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Redox capacitor and manufacturing method thereof |
WO2011040213A1 (en) * | 2009-10-01 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011043182A1 (en) | 2009-10-05 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for removing electricity and method for manufacturing semiconductor device |
KR20120084751A (ko) | 2009-10-05 | 2012-07-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR102246127B1 (ko) | 2009-10-08 | 2021-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101877149B1 (ko) | 2009-10-08 | 2018-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체층, 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101721285B1 (ko) | 2009-10-09 | 2017-03-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 시프트 레지스터 및 표시 장치 |
WO2011043194A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN107180608B (zh) * | 2009-10-09 | 2020-10-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 移位寄存器和显示装置以及其驱动方法 |
KR101949670B1 (ko) | 2009-10-09 | 2019-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011043162A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
WO2011043164A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
CN102598278B (zh) * | 2009-10-09 | 2015-04-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
KR101820972B1 (ko) | 2009-10-09 | 2018-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2011043217A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
KR101835748B1 (ko) | 2009-10-09 | 2018-03-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기 |
WO2011043206A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101779349B1 (ko) * | 2009-10-14 | 2017-09-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101943293B1 (ko) | 2009-10-16 | 2019-01-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치 및 전자 장치 |
KR101772639B1 (ko) | 2009-10-16 | 2017-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101962603B1 (ko) | 2009-10-16 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
CN102576738B (zh) | 2009-10-16 | 2015-06-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 逻辑电路和半导体器件 |
KR102462145B1 (ko) * | 2009-10-16 | 2022-11-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치 |
KR101801959B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기 |
KR101293261B1 (ko) | 2009-10-21 | 2013-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 표시 장치를 갖는 전자 기기 |
EP2491586B1 (en) | 2009-10-21 | 2019-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device |
WO2011048923A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | E-book reader |
JP5730529B2 (ja) | 2009-10-21 | 2015-06-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101402294B1 (ko) | 2009-10-21 | 2014-06-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작방법 |
WO2011048959A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102162746B1 (ko) | 2009-10-21 | 2020-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
KR101969279B1 (ko) | 2009-10-29 | 2019-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
SG10201910510UA (en) | 2009-10-29 | 2020-01-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
EP2494599B1 (en) * | 2009-10-30 | 2020-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101740684B1 (ko) | 2009-10-30 | 2017-05-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 파워 다이오드, 정류기 및 그것을 가지는 반도체 장치 |
WO2011052411A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor |
WO2011052382A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101712340B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2017-03-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 구동 회로, 구동 회로를 포함하는 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 기기 |
KR20120099657A (ko) * | 2009-10-30 | 2012-09-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 |
KR101751712B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2017-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전압 조정 회로 |
KR101835155B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2018-03-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기 |
WO2011052437A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device |
EP2494601A4 (en) * | 2009-10-30 | 2016-09-07 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
CN102687400B (zh) | 2009-10-30 | 2016-08-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 逻辑电路和半导体装置 |
KR101837102B1 (ko) | 2009-10-30 | 2018-03-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011052413A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device, and electronic device |
EP2494597A4 (en) * | 2009-10-30 | 2015-03-18 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
CN104465318B (zh) | 2009-11-06 | 2018-04-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 制造半导体器件的方法 |
JP5539846B2 (ja) | 2009-11-06 | 2014-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 評価方法、半導体装置の作製方法 |
KR101930230B1 (ko) | 2009-11-06 | 2018-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하기 위한 방법 |
KR101753927B1 (ko) | 2009-11-06 | 2017-07-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011055769A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor element and semiconductor device, and deposition apparatus |
KR101763126B1 (ko) | 2009-11-06 | 2017-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
CN102598269B (zh) | 2009-11-06 | 2015-04-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
KR101818265B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2018-01-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102128972B1 (ko) | 2009-11-06 | 2020-07-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
CN102612749B (zh) | 2009-11-06 | 2015-04-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
KR101605984B1 (ko) | 2009-11-06 | 2016-03-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011055638A1 (en) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101113370B1 (ko) | 2009-11-11 | 2012-02-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터 및 이를 구비한 유기전계 발광 표시장치 |
WO2011058852A1 (en) | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101751560B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2017-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20230107711A (ko) | 2009-11-13 | 2023-07-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기 |
WO2011058934A1 (en) | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
WO2011058882A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor |
WO2011058913A1 (en) | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101975741B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 타깃 재료의 포장 방법 및 타깃의 장착 방법 |
KR101895561B1 (ko) | 2009-11-13 | 2018-09-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101738996B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2017-05-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 불휘발성 메모리 소자를 포함하는 장치 |
WO2011058867A1 (en) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target and method for manufacturing the same, and transistor |
WO2011062029A1 (en) | 2009-11-18 | 2011-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
KR20190124813A (ko) | 2009-11-20 | 2019-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN102668077B (zh) | 2009-11-20 | 2015-05-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 非易失性锁存电路和逻辑电路,以及使用其的半导体器件 |
KR101995704B1 (ko) | 2009-11-20 | 2019-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011062041A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor |
KR20120107079A (ko) | 2009-11-20 | 2012-09-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터 |
WO2011062057A1 (en) | 2009-11-20 | 2011-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5762723B2 (ja) | 2009-11-20 | 2015-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 変調回路及びそれを備えた半導体装置 |
CN102598266B (zh) * | 2009-11-20 | 2015-04-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
CN102668063B (zh) * | 2009-11-20 | 2015-02-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR101829176B1 (ko) | 2009-11-20 | 2018-02-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011065183A1 (en) * | 2009-11-24 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including memory cell |
WO2011065209A1 (en) * | 2009-11-27 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device |
KR20120099450A (ko) * | 2009-11-27 | 2012-09-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101911382B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2018-10-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101802406B1 (ko) | 2009-11-27 | 2017-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
KR101803553B1 (ko) | 2009-11-28 | 2017-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101825345B1 (ko) | 2009-11-28 | 2018-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 적층 산화물 재료, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101895080B1 (ko) | 2009-11-28 | 2018-10-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
WO2011065210A1 (en) * | 2009-11-28 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stacked oxide material, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device |
EP2507787A4 (en) | 2009-11-30 | 2013-07-17 | Semiconductor Energy Lab | Liquid crystal display device, control method therefor and electronic device therefor |
KR102250803B1 (ko) | 2009-12-04 | 2021-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011068033A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20120107107A (ko) | 2009-12-04 | 2012-09-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011068028A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
KR101833198B1 (ko) | 2009-12-04 | 2018-03-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기 |
WO2011068037A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5584103B2 (ja) * | 2009-12-04 | 2014-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN102648525B (zh) * | 2009-12-04 | 2016-05-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
WO2011068106A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
JP2011139052A (ja) | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体記憶装置 |
WO2011068016A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011068025A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dc converter circuit and power supply circuit |
WO2011068021A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2011070892A1 (en) | 2009-12-08 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101470303B1 (ko) * | 2009-12-08 | 2014-12-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101742777B1 (ko) | 2009-12-10 | 2017-06-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 및 표시 장치 |
KR101777643B1 (ko) | 2009-12-11 | 2017-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 논리 회로, 및 cpu |
WO2011070901A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011070929A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
KR101770976B1 (ko) | 2009-12-11 | 2017-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5727204B2 (ja) | 2009-12-11 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2011070887A1 (en) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor |
WO2011074590A1 (en) | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity |
EP2513893A4 (en) | 2009-12-18 | 2016-09-07 | Semiconductor Energy Lab | Liquid crystal display device and electronic device |
WO2011074407A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101913111B1 (ko) | 2009-12-18 | 2018-10-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101743620B1 (ko) | 2009-12-18 | 2017-06-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법 |
CN104700890B (zh) * | 2009-12-18 | 2017-10-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件 |
US9057758B2 (en) * | 2009-12-18 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for measuring current, method for inspecting semiconductor device, semiconductor device, and test element group |
EP2513894B1 (en) | 2009-12-18 | 2018-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving liquid crystal display device |
WO2011074379A1 (en) | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and driving method thereof |
WO2011074409A1 (en) | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
CN102652396B (zh) | 2009-12-23 | 2015-12-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
WO2011077926A1 (en) | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
WO2011077916A1 (en) | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2011077978A1 (en) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
CN104716139B (zh) | 2009-12-25 | 2018-03-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
WO2011077946A1 (en) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011077925A1 (en) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving liquid crystal display device |
US8441009B2 (en) * | 2009-12-25 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN102656801B (zh) | 2009-12-25 | 2016-04-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储器装置、半导体器件和电子装置 |
KR20170142998A (ko) * | 2009-12-25 | 2017-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제작 방법 |
IN2012DN05057A (ru) | 2009-12-28 | 2015-10-09 | Semiconductor Energy Lab | |
KR101842413B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2018-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101436120B1 (ko) | 2009-12-28 | 2014-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101872678B1 (ko) | 2009-12-28 | 2018-07-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 기기 |
WO2011081041A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
WO2011080999A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011086846A1 (en) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011086812A1 (en) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011086848A1 (en) | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
CN102696064B (zh) * | 2010-01-15 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置和电子装置 |
US8780629B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
WO2011086871A1 (en) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101798367B1 (ko) | 2010-01-15 | 2017-11-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102479269B1 (ko) | 2010-01-20 | 2022-12-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 휴대 전화기 |
CN102713999B (zh) | 2010-01-20 | 2016-01-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 电子设备和电子系统 |
EP2526619B1 (en) | 2010-01-20 | 2016-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Signal processing circuit and method for driving the same |
KR101750126B1 (ko) | 2010-01-20 | 2017-06-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치 |
WO2011089843A1 (en) | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device |
CN105761688B (zh) * | 2010-01-20 | 2019-01-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备的驱动方法 |
WO2011090087A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display method of display device |
US8415731B2 (en) * | 2010-01-20 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor storage device with integrated capacitor and having transistor overlapping sections |
IN2012DN05920A (ru) | 2010-01-20 | 2015-09-18 | Semiconductor Energy Lab | |
KR102395345B1 (ko) | 2010-01-20 | 2022-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 |
US9984617B2 (en) | 2010-01-20 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including light emitting element |
KR101829309B1 (ko) | 2010-01-22 | 2018-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011089846A1 (en) * | 2010-01-22 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011089852A1 (en) | 2010-01-22 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and driving method thereof |
TWI525377B (zh) | 2010-01-24 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
KR101805378B1 (ko) * | 2010-01-24 | 2017-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
WO2011089853A1 (en) | 2010-01-24 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2011093150A1 (en) | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN102714001B (zh) | 2010-01-29 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置与包含半导体装置的电子装置 |
KR101299256B1 (ko) * | 2010-01-29 | 2013-08-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
CN102725842B (zh) | 2010-02-05 | 2014-12-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
WO2011096277A1 (en) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
WO2011096264A1 (en) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
US9391209B2 (en) | 2010-02-05 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011096153A1 (en) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2011096286A1 (en) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor and semiconductor device |
KR102172343B1 (ko) | 2010-02-05 | 2020-10-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN106847816A (zh) * | 2010-02-05 | 2017-06-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
US8436403B2 (en) | 2010-02-05 | 2013-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance |
CN102687275B (zh) * | 2010-02-05 | 2016-01-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
KR102172360B1 (ko) | 2010-02-05 | 2020-10-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
WO2011099342A1 (en) | 2010-02-10 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor |
US8947337B2 (en) | 2010-02-11 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101811204B1 (ko) | 2010-02-12 | 2017-12-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
CN102763156B (zh) * | 2010-02-12 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置和电子装置 |
US8617920B2 (en) | 2010-02-12 | 2013-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011099360A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
KR101817054B1 (ko) * | 2010-02-12 | 2018-01-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 이를 포함한 표시 장치 |
WO2011099343A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
WO2011099359A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method |
WO2011099335A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101924318B1 (ko) | 2010-02-12 | 2018-12-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
KR101840617B1 (ko) | 2010-02-18 | 2018-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 장치 |
WO2011102248A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
KR101820776B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2018-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN102763202B (zh) * | 2010-02-19 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
CN102754163B (zh) * | 2010-02-19 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
US8928644B2 (en) * | 2010-02-19 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving display device |
WO2011102183A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102015762B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2019-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 메모리 장치, 그 구동 방법, 및 반도체 장치 제작 방법 |
KR101780748B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2017-09-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복조회로 및 복조회로를 이용한 rfid 태그 |
WO2011102228A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of semiconductor device |
JP5740169B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2015-06-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
WO2011102203A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and display device using the same |
KR102318235B1 (ko) * | 2010-02-23 | 2021-10-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR20130025871A (ko) | 2010-02-26 | 2013-03-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치를 제작하기 위한 방법 |
KR101803552B1 (ko) * | 2010-02-26 | 2017-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비하는 전자 서적 |
KR102011259B1 (ko) | 2010-02-26 | 2019-08-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011105310A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101733765B1 (ko) * | 2010-02-26 | 2017-05-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 표시장치의 구동 방법 |
KR101950364B1 (ko) | 2010-02-26 | 2019-02-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 |
WO2011105198A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20130009978A (ko) * | 2010-02-26 | 2013-01-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 소자의 제조 방법 및 성막 장치 |
US9000438B2 (en) * | 2010-02-26 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011108345A1 (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
DE112011100756B4 (de) | 2010-03-02 | 2016-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Impulssignal-Ausgangsschaltung und Schieberegister |
CN105245218B (zh) | 2010-03-02 | 2019-01-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 脉冲信号输出电路和移位寄存器 |
WO2011108367A1 (en) | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Boosting circuit and rfid tag including boosting circuit |
WO2011108475A1 (en) * | 2010-03-04 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and semiconductor device |
KR102268217B1 (ko) * | 2010-03-05 | 2021-06-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
WO2011108346A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of oxide semiconductor film and manufacturing method of transistor |
WO2011108374A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
WO2011108382A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2011111522A1 (en) * | 2010-03-08 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101898297B1 (ko) | 2010-03-08 | 2018-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
CN102782822B (zh) * | 2010-03-08 | 2016-06-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
KR101874784B1 (ko) | 2010-03-08 | 2018-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101791253B1 (ko) | 2010-03-08 | 2017-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자기기 및 전자 시스템 |
TW201732525A (zh) * | 2010-03-08 | 2017-09-16 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 電子裝置及電子系統 |
KR102220018B1 (ko) * | 2010-03-08 | 2021-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법 |
KR101823853B1 (ko) * | 2010-03-12 | 2018-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
WO2011111529A1 (en) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
DE112011100886T5 (de) * | 2010-03-12 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ansteuerverfahren für Anzeigeeinrichtung |
US8900362B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of gallium oxide single crystal |
KR101761558B1 (ko) * | 2010-03-12 | 2017-07-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 입력 회로를 구동하는 방법 및 입출력 장치를 구동하는 방법 |
WO2011111506A1 (en) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving circuit and method for driving display device |
WO2011114866A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
US20110227082A1 (en) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011114919A1 (en) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011114905A1 (en) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
WO2011114867A1 (en) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method of semiconductor device |
WO2011114868A1 (en) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011118351A1 (en) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN105304502B (zh) | 2010-03-26 | 2018-07-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
JP5731244B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2015-06-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
DE112011101069B4 (de) * | 2010-03-26 | 2018-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung |
WO2011118741A1 (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101862539B1 (ko) * | 2010-03-26 | 2018-05-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011122514A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power supply device and driving method thereof |
WO2011122299A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of liquid crystal display device |
KR101814367B1 (ko) | 2010-03-31 | 2018-01-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 |
WO2011122280A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
WO2011122271A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field-sequential display device |
WO2011122364A1 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101977152B1 (ko) | 2010-04-02 | 2019-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9190522B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor |
US8884282B2 (en) | 2010-04-02 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9147768B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide semiconductor and a metal oxide film |
US9196739B2 (en) | 2010-04-02 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor film and metal oxide film |
WO2011125453A1 (en) | 2010-04-07 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor |
WO2011125432A1 (en) | 2010-04-07 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US8653514B2 (en) | 2010-04-09 | 2014-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2011125456A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101748901B1 (ko) | 2010-04-09 | 2017-06-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 |
WO2011125806A1 (en) | 2010-04-09 | 2011-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8207025B2 (en) | 2010-04-09 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
KR101803730B1 (ko) | 2010-04-09 | 2017-12-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101321833B1 (ko) | 2010-04-09 | 2013-10-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체 메모리 장치 |
US8854583B2 (en) | 2010-04-12 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and liquid crystal display device |
JP5744366B2 (ja) | 2010-04-12 | 2015-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
KR20130061678A (ko) | 2010-04-16 | 2013-06-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전원 회로 |
US8552712B2 (en) | 2010-04-16 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Current measurement method, inspection method of semiconductor device, semiconductor device, and test element group |
KR101881729B1 (ko) | 2010-04-16 | 2018-07-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 성막 방법 및 반도체 장치를 제작하기 위한 방법 |
WO2011129233A1 (en) | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8692243B2 (en) | 2010-04-20 | 2014-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102859705B (zh) | 2010-04-23 | 2015-12-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
CN103367167B (zh) | 2010-04-23 | 2020-04-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
CN103500709B (zh) | 2010-04-23 | 2015-09-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
WO2011132555A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
WO2011132591A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9537043B2 (en) | 2010-04-23 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
CN106057907B (zh) | 2010-04-23 | 2019-10-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
WO2011132625A1 (en) | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
WO2011135999A1 (en) | 2010-04-27 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
KR101879570B1 (ko) | 2010-04-28 | 2018-07-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 그 제작 방법 |
US9349325B2 (en) | 2010-04-28 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
US8890555B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for measuring transistor |
US9697788B2 (en) | 2010-04-28 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
WO2011135987A1 (en) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2011136018A1 (en) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic appliance |
US9478185B2 (en) | 2010-05-12 | 2016-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device and display method thereof |
US9064473B2 (en) | 2010-05-12 | 2015-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device and display method thereof |
JP5797449B2 (ja) | 2010-05-13 | 2015-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の評価方法 |
US8664658B2 (en) | 2010-05-14 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101806271B1 (ko) | 2010-05-14 | 2017-12-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011142371A1 (en) | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI511236B (zh) | 2010-05-14 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
JP5557595B2 (ja) * | 2010-05-14 | 2014-07-23 | 富士フイルム株式会社 | 電子デバイスの製造方法、薄膜トランジスタ、電気光学装置及びセンサー |
US9490368B2 (en) | 2010-05-20 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US8624239B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011145738A1 (en) | 2010-05-20 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
US9496405B2 (en) | 2010-05-20 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer |
JP5923248B2 (ja) | 2010-05-20 | 2016-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8906756B2 (en) | 2010-05-21 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2011145537A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
WO2011145633A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8629438B2 (en) | 2010-05-21 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5766012B2 (ja) | 2010-05-21 | 2015-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
WO2011145707A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
JP5852793B2 (ja) | 2010-05-21 | 2016-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
WO2011145706A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
CN105957802A (zh) | 2010-05-21 | 2016-09-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
WO2011145467A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011145484A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN102906882B (zh) | 2010-05-21 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
JP5714973B2 (ja) | 2010-05-21 | 2015-05-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2011145634A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011145468A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
JP5749975B2 (ja) | 2010-05-28 | 2015-07-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光検出装置、及び、タッチパネル |
US8895375B2 (en) | 2010-06-01 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor and method for manufacturing the same |
US8779433B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101894897B1 (ko) | 2010-06-04 | 2018-09-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011152286A1 (en) | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011152254A1 (en) | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011155295A1 (en) | 2010-06-10 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device |
CN102939659B (zh) | 2010-06-11 | 2016-08-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及半导体器件的制造方法 |
US8610180B2 (en) | 2010-06-11 | 2013-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Gas sensor and method for manufacturing the gas sensor |
WO2011155302A1 (en) | 2010-06-11 | 2011-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5797471B2 (ja) | 2010-06-16 | 2015-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
JP5823740B2 (ja) | 2010-06-16 | 2015-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
US9209314B2 (en) | 2010-06-16 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor |
WO2011158703A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011158704A1 (en) | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8637802B2 (en) | 2010-06-18 | 2014-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor |
US8552425B2 (en) | 2010-06-18 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2011162147A1 (en) | 2010-06-23 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101746197B1 (ko) | 2010-06-25 | 2017-06-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 검사 방법 |
WO2011162104A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
KR20120000499A (ko) | 2010-06-25 | 2012-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
US9437454B2 (en) | 2010-06-29 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof |
WO2012002104A1 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2012002040A1 (en) | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of liquid crystal display device |
US9473714B2 (en) | 2010-07-01 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solid-state imaging device and semiconductor display device |
US8441010B2 (en) | 2010-07-01 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5792524B2 (ja) | 2010-07-02 | 2015-10-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
US9336739B2 (en) | 2010-07-02 | 2016-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
WO2012002186A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20130030295A (ko) | 2010-07-02 | 2013-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8642380B2 (en) | 2010-07-02 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
TWI541782B (zh) | 2010-07-02 | 2016-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
CN107452630B (zh) | 2010-07-02 | 2020-11-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
US8605059B2 (en) | 2010-07-02 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output device and driving method thereof |
WO2012002197A1 (en) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
WO2012008390A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8785241B2 (en) | 2010-07-16 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101859361B1 (ko) | 2010-07-16 | 2018-05-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2012008304A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8519387B2 (en) | 2010-07-26 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing |
KR101885691B1 (ko) | 2010-07-27 | 2018-08-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR101853516B1 (ko) | 2010-07-27 | 2018-04-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI565001B (zh) | 2010-07-28 | 2017-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法 |
JP5846789B2 (ja) | 2010-07-29 | 2016-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5718072B2 (ja) | 2010-07-30 | 2015-05-13 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ |
WO2012014786A1 (en) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semicondcutor device and manufacturing method thereof |
US8928466B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8537600B2 (en) | 2010-08-04 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Low off-state leakage current semiconductor memory device |
KR101842181B1 (ko) | 2010-08-04 | 2018-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5739257B2 (ja) | 2010-08-05 | 2015-06-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI555128B (zh) | 2010-08-06 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法 |
JP5671418B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
US8803164B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solid-state image sensing device and semiconductor display device |
KR101925159B1 (ko) | 2010-08-06 | 2018-12-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5743790B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101809105B1 (ko) | 2010-08-06 | 2017-12-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 집적 회로 |
US8467232B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8582348B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
US8792284B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor memory device |
JP5832181B2 (ja) | 2010-08-06 | 2015-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
TWI688047B (zh) | 2010-08-06 | 2020-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US8467231B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US8422272B2 (en) | 2010-08-06 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
TWI587405B (zh) | 2010-08-16 | 2017-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法 |
US9129703B2 (en) | 2010-08-16 | 2015-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving semiconductor memory device |
JP5848912B2 (ja) | 2010-08-16 | 2016-01-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の制御回路、液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
US9343480B2 (en) | 2010-08-16 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI508294B (zh) | 2010-08-19 | 2015-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
US8759820B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8685787B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8508276B2 (en) | 2010-08-25 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including latch circuit |
US8883555B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target |
JP2013009285A (ja) | 2010-08-26 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 信号処理回路及びその駆動方法 |
JP5727892B2 (ja) | 2010-08-26 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9058047B2 (en) | 2010-08-26 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5763474B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光センサ |
KR102334169B1 (ko) | 2010-08-27 | 2021-12-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치, 반도체 장치 |
JP5806043B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8450123B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxygen diffusion evaluation method of oxide film stacked body |
JP5674594B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の駆動方法 |
JP5864163B2 (ja) | 2010-08-27 | 2016-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の設計方法 |
US8603841B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device |
JP5702689B2 (ja) | 2010-08-31 | 2015-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法、及び半導体装置 |
US8634228B2 (en) | 2010-09-02 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of semiconductor device |
US8575610B2 (en) | 2010-09-02 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
KR20180105252A (ko) | 2010-09-03 | 2018-09-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전계 효과 트랜지스터 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20130099074A (ko) | 2010-09-03 | 2013-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링 타겟 및 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2012029638A1 (en) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8728860B2 (en) | 2010-09-03 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8520426B2 (en) | 2010-09-08 | 2013-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving semiconductor device |
JP2012256819A (ja) | 2010-09-08 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8487844B2 (en) | 2010-09-08 | 2013-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device including the same |
US8766253B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8797487B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, liquid crystal display device, and manufacturing method thereof |
KR20120026970A (ko) | 2010-09-10 | 2012-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 발광 장치 |
US9142568B2 (en) | 2010-09-10 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting display device |
KR101824125B1 (ko) | 2010-09-10 | 2018-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US9546416B2 (en) | 2010-09-13 | 2017-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming crystalline oxide semiconductor film |
JP2012256821A (ja) | 2010-09-13 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置 |
JP5827520B2 (ja) | 2010-09-13 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体記憶装置 |
US8558960B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
US8871565B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101872926B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8647919B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting display device and method for manufacturing the same |
US8592879B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5815337B2 (ja) | 2010-09-13 | 2015-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101952235B1 (ko) | 2010-09-13 | 2019-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US9496743B2 (en) | 2010-09-13 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power receiving device and wireless power feed system |
KR101932576B1 (ko) | 2010-09-13 | 2018-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8664097B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
TWI543166B (zh) | 2010-09-13 | 2016-07-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US8546161B2 (en) | 2010-09-13 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film transistor and liquid crystal display device |
US8835917B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, power diode, and rectifier |
TWI670711B (zh) | 2010-09-14 | 2019-09-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體裝置和半導體裝置 |
JP2012256012A (ja) | 2010-09-15 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
WO2012035975A1 (en) | 2010-09-15 | 2012-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
US9230994B2 (en) | 2010-09-15 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
KR20140054465A (ko) | 2010-09-15 | 2014-05-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
KR101856722B1 (ko) | 2010-09-22 | 2018-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 파워 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터 |
US8767443B2 (en) | 2010-09-22 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method for inspecting the same |
US8792260B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Rectifier circuit and semiconductor device using the same |
TWI574259B (zh) | 2010-09-29 | 2017-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體記憶體裝置和其驅動方法 |
TWI664631B (zh) | 2010-10-05 | 2019-07-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體記憶體裝置及其驅動方法 |
TWI556317B (zh) | 2010-10-07 | 2016-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 薄膜元件、半導體裝置以及它們的製造方法 |
US8716646B2 (en) | 2010-10-08 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for operating the same |
US8679986B2 (en) | 2010-10-14 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
US8803143B2 (en) | 2010-10-20 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor including buffer layers with high resistivity |
TWI565079B (zh) | 2010-10-20 | 2017-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
TWI543158B (zh) | 2010-10-25 | 2016-07-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置及其驅動方法 |
JP5771505B2 (ja) | 2010-10-29 | 2015-09-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 受信回路 |
KR101924231B1 (ko) | 2010-10-29 | 2018-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
WO2012057296A1 (en) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage device |
KR101924656B1 (ko) | 2010-11-02 | 2018-12-03 | 우베 고산 가부시키가이샤 | (아미드아미노알칸) 금속 화합물, 및 당해 금속 화합물을 사용한 금속 함유 박막의 제조 방법 |
US8916866B2 (en) | 2010-11-03 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2012060253A1 (en) | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101843559B1 (ko) * | 2010-11-05 | 2018-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 기능을 구비한 표시 장치 및 그 구동 방법 |
US8569754B2 (en) | 2010-11-05 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6010291B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の駆動方法 |
US8957468B2 (en) | 2010-11-05 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Variable capacitor and liquid crystal display device |
TWI555205B (zh) | 2010-11-05 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US9087744B2 (en) | 2010-11-05 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving transistor |
CN103201831B (zh) | 2010-11-05 | 2015-08-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
US8902637B2 (en) | 2010-11-08 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device comprising inverting amplifier circuit and driving method thereof |
US10876822B2 (en) * | 2017-11-09 | 2020-12-29 | True Velocity Ip Holdings, Llc | Multi-piece polymer ammunition cartridge |
TWI593115B (zh) | 2010-11-11 | 2017-07-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP5770068B2 (ja) | 2010-11-12 | 2015-08-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8854865B2 (en) | 2010-11-24 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US8936965B2 (en) | 2010-11-26 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8629496B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8816425B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI525818B (zh) | 2010-11-30 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 |
US9103724B2 (en) | 2010-11-30 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device |
US8823092B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8809852B2 (en) | 2010-11-30 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US8461630B2 (en) | 2010-12-01 | 2013-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN103339715B (zh) | 2010-12-03 | 2016-01-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 氧化物半导体膜以及半导体装置 |
JP5908263B2 (ja) | 2010-12-03 | 2016-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Dc−dcコンバータ |
TWI632551B (zh) | 2010-12-03 | 2018-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 積體電路,其驅動方法,及半導體裝置 |
US8957462B2 (en) | 2010-12-09 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an N-type transistor with an N-type semiconductor containing nitrogen as a gate |
TWI534905B (zh) | 2010-12-10 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及顯示裝置之製造方法 |
JP2012256020A (ja) | 2010-12-15 | 2012-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその駆動方法 |
JP2012142562A (ja) | 2010-12-17 | 2012-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体記憶装置 |
US9202822B2 (en) | 2010-12-17 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8894825B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target, method for manufacturing the same, manufacturing semiconductor device |
US8730416B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US9024317B2 (en) | 2010-12-24 | 2015-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device |
JP5975635B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5993141B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-09-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
US9443984B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8941112B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8883556B2 (en) | 2010-12-28 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2012151453A (ja) | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の駆動方法 |
JP5973165B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9048142B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5864054B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5852874B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2012090799A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6030298B2 (ja) | 2010-12-28 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 緩衝記憶装置及び信号処理回路 |
JP5731369B2 (ja) | 2010-12-28 | 2015-06-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI525614B (zh) | 2011-01-05 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路 |
JP5982125B2 (ja) | 2011-01-12 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5977523B2 (ja) | 2011-01-12 | 2016-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタの作製方法 |
TWI535032B (zh) | 2011-01-12 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
TWI570809B (zh) | 2011-01-12 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US8536571B2 (en) | 2011-01-12 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8575678B2 (en) | 2011-01-13 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device with floating gate |
US8421071B2 (en) | 2011-01-13 | 2013-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
JP5859839B2 (ja) | 2011-01-14 | 2016-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶素子の駆動方法、及び、記憶素子 |
JP5527225B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2014-06-18 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
KR102026718B1 (ko) | 2011-01-14 | 2019-09-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억장치, 반도체 장치, 검출 방법 |
TWI572009B (zh) | 2011-01-14 | 2017-02-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體記憶裝置 |
US8916867B2 (en) | 2011-01-20 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor element and semiconductor device |
TWI570920B (zh) | 2011-01-26 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI787452B (zh) | 2011-01-26 | 2022-12-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI614747B (zh) | 2011-01-26 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體裝置及半導體裝置 |
JP5798933B2 (ja) | 2011-01-26 | 2015-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
TWI602303B (zh) | 2011-01-26 | 2017-10-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
WO2012102182A1 (en) | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2012102183A1 (en) | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI525619B (zh) | 2011-01-27 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路 |
KR20130140824A (ko) | 2011-01-27 | 2013-12-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101899375B1 (ko) | 2011-01-28 | 2018-09-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8634230B2 (en) | 2011-01-28 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
WO2012102314A1 (en) | 2011-01-28 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
US9494829B2 (en) | 2011-01-28 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same |
TWI520273B (zh) | 2011-02-02 | 2016-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
US8513773B2 (en) | 2011-02-02 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Capacitor and semiconductor device including dielectric and N-type semiconductor |
US8780614B2 (en) | 2011-02-02 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US9799773B2 (en) | 2011-02-02 | 2017-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and semiconductor device |
US9431400B2 (en) | 2011-02-08 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method for manufacturing the same |
US8787083B2 (en) | 2011-02-10 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory circuit |
TWI569041B (zh) | 2011-02-14 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
KR101899880B1 (ko) | 2011-02-17 | 2018-09-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그래머블 lsi |
US8975680B2 (en) | 2011-02-17 | 2015-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device |
US8643007B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8709920B2 (en) | 2011-02-24 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9443455B2 (en) | 2011-02-25 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having a plurality of pixels |
US9691772B2 (en) | 2011-03-03 | 2017-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device including memory cell which includes transistor and capacitor |
US8785933B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8841664B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9646829B2 (en) | 2011-03-04 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US9023684B2 (en) | 2011-03-04 | 2015-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5898527B2 (ja) | 2011-03-04 | 2016-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8659015B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8659957B2 (en) | 2011-03-07 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
US8625085B2 (en) | 2011-03-08 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Defect evaluation method for semiconductor |
US9099437B2 (en) | 2011-03-08 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5827145B2 (ja) | 2011-03-08 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
US8772849B2 (en) | 2011-03-10 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US8541781B2 (en) | 2011-03-10 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2012121265A1 (en) | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and method for manufacturing the same |
TWI521612B (zh) | 2011-03-11 | 2016-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
TWI602249B (zh) | 2011-03-11 | 2017-10-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US8760903B2 (en) | 2011-03-11 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage circuit |
JP2012209543A (ja) | 2011-03-11 | 2012-10-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP5933300B2 (ja) | 2011-03-16 | 2016-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101995682B1 (ko) | 2011-03-18 | 2019-07-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP5933897B2 (ja) | 2011-03-18 | 2016-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8859330B2 (en) | 2011-03-23 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5839474B2 (ja) | 2011-03-24 | 2016-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
JP5725337B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2015-05-27 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
US9012904B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8686416B2 (en) | 2011-03-25 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
TWI538215B (zh) | 2011-03-25 | 2016-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路 |
TWI545652B (zh) | 2011-03-25 | 2016-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US8956944B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9219159B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
US8987728B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
JP6053098B2 (ja) | 2011-03-28 | 2016-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8927329B2 (en) | 2011-03-30 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties |
JP5879165B2 (ja) | 2011-03-30 | 2016-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI567735B (zh) | 2011-03-31 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路,記憶體單元,及訊號處理電路 |
US9082860B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8686486B2 (en) | 2011-03-31 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
JP5982147B2 (ja) | 2011-04-01 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US8541266B2 (en) | 2011-04-01 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9960278B2 (en) | 2011-04-06 | 2018-05-01 | Yuhei Sato | Manufacturing method of semiconductor device |
US8743590B2 (en) | 2011-04-08 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device using the same |
US9093538B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9012905B2 (en) | 2011-04-08 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor comprising oxide semiconductor and method for manufacturing the same |
TWI567736B (zh) | 2011-04-08 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體元件及信號處理電路 |
US8854867B2 (en) | 2011-04-13 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and driving method of the memory device |
US9478668B2 (en) | 2011-04-13 | 2016-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
JP5883699B2 (ja) | 2011-04-13 | 2016-03-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルlsi |
US8878174B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, memory circuit, integrated circuit, and driving method of the integrated circuit |
US8779488B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
JP6045176B2 (ja) | 2011-04-15 | 2016-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5890234B2 (ja) | 2011-04-15 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその駆動方法 |
JP6001900B2 (ja) | 2011-04-21 | 2016-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路 |
US10079053B2 (en) | 2011-04-22 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and memory device |
US8878288B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5946683B2 (ja) | 2011-04-22 | 2016-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9006803B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
US8809854B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9331206B2 (en) | 2011-04-22 | 2016-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide material and semiconductor device |
US8941958B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8932913B2 (en) | 2011-04-22 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US8916868B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
CN102760697B (zh) | 2011-04-27 | 2016-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
KR101919056B1 (ko) | 2011-04-28 | 2018-11-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 회로 |
US8681533B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory circuit, signal processing circuit, and electronic device |
US9935622B2 (en) | 2011-04-28 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Comparator and semiconductor device including comparator |
US8729545B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US8848464B2 (en) | 2011-04-29 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
US8785923B2 (en) | 2011-04-29 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8476927B2 (en) | 2011-04-29 | 2013-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
US9111795B2 (en) | 2011-04-29 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film |
KR101963457B1 (ko) | 2011-04-29 | 2019-03-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 및 그 구동 방법 |
US8446171B2 (en) | 2011-04-29 | 2013-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing unit |
US9614094B2 (en) | 2011-04-29 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same |
TWI525615B (zh) | 2011-04-29 | 2016-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
TWI792087B (zh) | 2011-05-05 | 2023-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9117701B2 (en) | 2011-05-06 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2012153473A1 (en) | 2011-05-06 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8809928B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, and method for manufacturing the semiconductor device |
US8709922B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101874144B1 (ko) | 2011-05-06 | 2018-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
TWI568181B (zh) | 2011-05-06 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 邏輯電路及半導體裝置 |
US9443844B2 (en) | 2011-05-10 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Gain cell semiconductor memory device and driving method thereof |
US8946066B2 (en) | 2011-05-11 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
TWI541978B (zh) | 2011-05-11 | 2016-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置之驅動方法 |
US8847233B2 (en) | 2011-05-12 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film |
TWI557711B (zh) | 2011-05-12 | 2016-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置的驅動方法 |
JP5886128B2 (ja) | 2011-05-13 | 2016-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101921772B1 (ko) | 2011-05-13 | 2018-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6013773B2 (ja) | 2011-05-13 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5959296B2 (ja) | 2011-05-13 | 2016-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR101952570B1 (ko) | 2011-05-13 | 2019-02-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US9048788B2 (en) | 2011-05-13 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion |
JP6109489B2 (ja) | 2011-05-13 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置 |
TWI536502B (zh) | 2011-05-13 | 2016-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路及電子裝置 |
US9093539B2 (en) | 2011-05-13 | 2015-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
WO2012157472A1 (en) | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101957315B1 (ko) | 2011-05-13 | 2019-03-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6110075B2 (ja) | 2011-05-13 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
WO2012157532A1 (en) | 2011-05-16 | 2012-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
TWI570891B (zh) | 2011-05-17 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI571058B (zh) | 2011-05-18 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置與驅動半導體裝置之方法 |
TWI552150B (zh) | 2011-05-18 | 2016-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
KR102081792B1 (ko) | 2011-05-19 | 2020-02-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 연산회로 및 연산회로의 구동방법 |
US8581625B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
US8837203B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9117920B2 (en) | 2011-05-19 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device using oxide semiconductor |
US8779799B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit |
KR102093909B1 (ko) | 2011-05-19 | 2020-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 회로 및 회로의 구동 방법 |
US8709889B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
KR101991735B1 (ko) | 2011-05-19 | 2019-06-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 집적 회로 |
TWI616873B (zh) | 2011-05-20 | 2018-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 儲存裝置及信號處理電路 |
JP5820336B2 (ja) | 2011-05-20 | 2015-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5947099B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6013682B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
JP5886496B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6013680B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5951351B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 加算器及び全加算器 |
TWI501226B (zh) | 2011-05-20 | 2015-09-21 | Semiconductor Energy Lab | 記憶體裝置及驅動記憶體裝置的方法 |
WO2012161059A1 (en) | 2011-05-20 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
TWI559683B (zh) | 2011-05-20 | 2016-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體積體電路 |
US8508256B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
TWI573136B (zh) | 2011-05-20 | 2017-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 儲存裝置及信號處理電路 |
TWI557739B (zh) | 2011-05-20 | 2016-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體積體電路 |
TWI570730B (zh) | 2011-05-20 | 2017-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP5892852B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-03-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
WO2012160963A1 (en) | 2011-05-20 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5936908B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-06-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パリティビット出力回路およびパリティチェック回路 |
JP5820335B2 (ja) | 2011-05-20 | 2015-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6030334B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
TWI614995B (zh) | 2011-05-20 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 鎖相迴路及使用此鎖相迴路之半導體裝置 |
JP6091083B2 (ja) | 2011-05-20 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
US20120298998A1 (en) | 2011-05-25 | 2012-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
US9171840B2 (en) | 2011-05-26 | 2015-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101912971B1 (ko) | 2011-05-26 | 2018-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 분주 회로 및 분주 회로를 이용한 반도체 장치 |
TWI534956B (zh) | 2011-05-27 | 2016-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 調整電路及驅動調整電路之方法 |
US9467047B2 (en) | 2011-05-31 | 2016-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device |
US8669781B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5912844B2 (ja) | 2011-05-31 | 2016-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
KR20140003315A (ko) | 2011-06-08 | 2014-01-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링 타겟, 스퍼터링 타겟의 제조 방법 및 박막의 형성 방법 |
JP5890251B2 (ja) | 2011-06-08 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 通信方法 |
JP2013016243A (ja) | 2011-06-09 | 2013-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置 |
JP6104522B2 (ja) | 2011-06-10 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8958263B2 (en) | 2011-06-10 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6009226B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6005401B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8891285B2 (en) | 2011-06-10 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
US8804405B2 (en) | 2011-06-16 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device |
TWI557910B (zh) | 2011-06-16 | 2016-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9299852B2 (en) | 2011-06-16 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20130007426A (ko) | 2011-06-17 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8901554B2 (en) | 2011-06-17 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including channel formation region including oxide semiconductor |
US9166055B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20190039345A (ko) | 2011-06-17 | 2019-04-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그의 제조 방법 |
US9099885B2 (en) | 2011-06-17 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless power feeding system |
JP2013012477A (ja) | 2011-06-28 | 2013-01-17 | Cbrite Inc | ハイブリッドのフルカラー・アクティブ・マトリクス有機発光ディスプレイ |
US8673426B2 (en) | 2011-06-29 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit |
US8878589B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US9130044B2 (en) | 2011-07-01 | 2015-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9490241B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a first inverter and a second inverter |
US9214474B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
TWI565067B (zh) | 2011-07-08 | 2017-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US8952377B2 (en) | 2011-07-08 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8748886B2 (en) | 2011-07-08 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9385238B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor using oxide semiconductor |
KR102014876B1 (ko) | 2011-07-08 | 2019-08-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US9496138B2 (en) | 2011-07-08 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
US9200952B2 (en) | 2011-07-15 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a photodetector and an analog arithmetic circuit |
JP2013042117A (ja) | 2011-07-15 | 2013-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8836626B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
US8847220B2 (en) | 2011-07-15 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8946812B2 (en) | 2011-07-21 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8716073B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
US9012993B2 (en) | 2011-07-22 | 2015-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
DE112012003074T5 (de) | 2011-07-22 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lichtemissionsvorrichtung |
US8643008B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6013685B2 (ja) | 2011-07-22 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8718224B2 (en) | 2011-08-05 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
US8994019B2 (en) | 2011-08-05 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6006572B2 (ja) | 2011-08-18 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6128775B2 (ja) | 2011-08-19 | 2017-05-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI575494B (zh) | 2011-08-19 | 2017-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的驅動方法 |
JP6116149B2 (ja) | 2011-08-24 | 2017-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI637483B (zh) | 2011-08-29 | 2018-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9660092B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer |
US9252279B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6016532B2 (ja) | 2011-09-07 | 2016-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6050054B2 (ja) | 2011-09-09 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8802493B2 (en) | 2011-09-13 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of oxide semiconductor device |
JP5825744B2 (ja) | 2011-09-15 | 2015-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
WO2013039126A1 (en) | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8952379B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9082663B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP5832399B2 (ja) | 2011-09-16 | 2015-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
CN103022012B (zh) | 2011-09-21 | 2017-03-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体存储装置 |
KR101891650B1 (ko) | 2011-09-22 | 2018-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판 |
WO2013042562A1 (en) | 2011-09-22 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101976228B1 (ko) | 2011-09-22 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광 검출 장치 및 광 검출 장치의 구동 방법 |
US8841675B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Minute transistor |
US9431545B2 (en) | 2011-09-23 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102108572B1 (ko) | 2011-09-26 | 2020-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2013084333A (ja) | 2011-09-28 | 2013-05-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | シフトレジスタ回路 |
TWI605590B (zh) | 2011-09-29 | 2017-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR102304125B1 (ko) | 2011-09-29 | 2021-09-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2013047631A1 (en) | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101506303B1 (ko) | 2011-09-29 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US8982607B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and signal processing circuit |
JP5806905B2 (ja) | 2011-09-30 | 2015-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US20130087784A1 (en) | 2011-10-05 | 2013-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6022880B2 (ja) | 2011-10-07 | 2016-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US10014068B2 (en) | 2011-10-07 | 2018-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013093561A (ja) | 2011-10-07 | 2013-05-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化物半導体膜及び半導体装置 |
US9018629B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP6026839B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9287405B2 (en) | 2011-10-13 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor |
JP5912394B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN102368502B (zh) * | 2011-10-13 | 2014-01-01 | 上海电力学院 | 一种Al掺杂的氧化锌薄膜及其制备方法 |
US8637864B2 (en) | 2011-10-13 | 2014-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US9117916B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor film |
KR20130040706A (ko) | 2011-10-14 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR20140074384A (ko) | 2011-10-14 | 2014-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20130043063A (ko) | 2011-10-19 | 2013-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI567985B (zh) | 2011-10-21 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP6045285B2 (ja) | 2011-10-24 | 2016-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6226518B2 (ja) | 2011-10-24 | 2017-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101976212B1 (ko) | 2011-10-24 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP6082562B2 (ja) | 2011-10-27 | 2017-02-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20130046357A (ko) | 2011-10-27 | 2013-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2013097469A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Sharp Corp | タッチパネル駆動装置、表示装置、タッチパネルの駆動方法、プログラムおよび記録媒体 |
WO2013061895A1 (en) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR20130049620A (ko) | 2011-11-04 | 2013-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US8604472B2 (en) | 2011-11-09 | 2013-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5933895B2 (ja) | 2011-11-10 | 2016-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
KR101984739B1 (ko) | 2011-11-11 | 2019-05-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 신호선 구동 회로 및 액정 표시 장치 |
JP6122275B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US8796682B2 (en) | 2011-11-11 | 2014-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
JP6076038B2 (ja) | 2011-11-11 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US9082861B2 (en) | 2011-11-11 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer |
US8878177B2 (en) | 2011-11-11 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR20130055521A (ko) | 2011-11-18 | 2013-05-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 소자, 및 반도체 소자의 제작 방법, 및 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치 |
US8969130B2 (en) | 2011-11-18 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, formation method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof |
JP6099368B2 (ja) | 2011-11-25 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
JP6125211B2 (ja) | 2011-11-25 | 2017-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8829528B2 (en) | 2011-11-25 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including groove portion extending beyond pixel electrode |
US8951899B2 (en) | 2011-11-25 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory | Method for manufacturing semiconductor device |
US8962386B2 (en) | 2011-11-25 | 2015-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9057126B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device |
US8956929B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
TWI639150B (zh) | 2011-11-30 | 2018-10-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體顯示裝置 |
KR102072244B1 (ko) | 2011-11-30 | 2020-01-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US20130137232A1 (en) | 2011-11-30 | 2013-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
US9076871B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN103137701B (zh) | 2011-11-30 | 2018-01-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 晶体管及半导体装置 |
US8981367B2 (en) | 2011-12-01 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI621185B (zh) | 2011-12-01 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
EP2786404A4 (en) | 2011-12-02 | 2015-07-15 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
JP2013137853A (ja) | 2011-12-02 | 2013-07-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置および記憶装置の駆動方法 |
JP6050662B2 (ja) | 2011-12-02 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US9257422B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing circuit and method for driving signal processing circuit |
US9076505B2 (en) | 2011-12-09 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
US10002968B2 (en) | 2011-12-14 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
KR102084274B1 (ko) | 2011-12-15 | 2020-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP6105266B2 (ja) | 2011-12-15 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
JP2013149953A (ja) | 2011-12-20 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US8785258B2 (en) | 2011-12-20 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8748240B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8907392B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device including stacked sub memory cells |
JP2013130802A (ja) | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、画像表示装置、記憶装置、及び電子機器 |
TWI580047B (zh) | 2011-12-23 | 2017-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
WO2013094547A1 (en) | 2011-12-23 | 2013-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI580189B (zh) | 2011-12-23 | 2017-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 位準位移電路及半導體積體電路 |
US8704221B2 (en) | 2011-12-23 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6033071B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6012450B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
TWI569446B (zh) | 2011-12-23 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置 |
JP6053490B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2013099537A1 (en) | 2011-12-26 | 2013-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Motion recognition device |
KR102100425B1 (ko) | 2011-12-27 | 2020-04-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI584383B (zh) | 2011-12-27 | 2017-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR102103913B1 (ko) | 2012-01-10 | 2020-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2013168926A (ja) | 2012-01-18 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 回路、センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置 |
US8969867B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9040981B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9099560B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102296696B1 (ko) | 2012-01-23 | 2021-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9653614B2 (en) | 2012-01-23 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102412138B1 (ko) | 2012-01-25 | 2022-06-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US9419146B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6091905B2 (ja) | 2012-01-26 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9006733B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
US8956912B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
TW201901972A (zh) | 2012-01-26 | 2019-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
TWI561951B (en) | 2012-01-30 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Power supply circuit |
TWI604609B (zh) | 2012-02-02 | 2017-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9362417B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102101167B1 (ko) | 2012-02-03 | 2020-04-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9196741B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8916424B2 (en) | 2012-02-07 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9859114B2 (en) | 2012-02-08 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer |
US20130207111A1 (en) | 2012-02-09 | 2013-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
US9112037B2 (en) | 2012-02-09 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6125850B2 (ja) | 2012-02-09 | 2017-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP5981157B2 (ja) | 2012-02-09 | 2016-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8817516B2 (en) | 2012-02-17 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory circuit and semiconductor device |
JP2014063557A (ja) | 2012-02-24 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置及び半導体装置 |
US20130221345A1 (en) | 2012-02-28 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9312257B2 (en) | 2012-02-29 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6151530B2 (ja) | 2012-02-29 | 2017-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサ、カメラ、及び監視システム |
JP6220526B2 (ja) | 2012-02-29 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8988152B2 (en) | 2012-02-29 | 2015-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8975917B2 (en) | 2012-03-01 | 2015-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
JP2013183001A (ja) | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP6046514B2 (ja) | 2012-03-01 | 2016-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9287370B2 (en) | 2012-03-02 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device comprising a transistor including an oxide semiconductor and semiconductor device including the same |
US9735280B2 (en) | 2012-03-02 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film |
US9176571B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratories Co., Ltd. | Microprocessor and method for driving microprocessor |
US8754693B2 (en) | 2012-03-05 | 2014-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Latch circuit and semiconductor device |
JP6100559B2 (ja) | 2012-03-05 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体記憶装置 |
US8995218B2 (en) | 2012-03-07 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8981370B2 (en) | 2012-03-08 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN104160295B (zh) | 2012-03-09 | 2017-09-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的驱动方法 |
KR20210078571A (ko) | 2012-03-13 | 2021-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 구동 방법 |
US9117409B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting display device with transistor and capacitor discharging gate of driving electrode and oxide semiconductor layer |
US9058892B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and shift register |
KR102108248B1 (ko) | 2012-03-14 | 2020-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막, 트랜지스터, 및 반도체 장치 |
JP6168795B2 (ja) | 2012-03-14 | 2017-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9541386B2 (en) | 2012-03-21 | 2017-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Distance measurement device and distance measurement system |
US10043794B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP6169376B2 (ja) | 2012-03-28 | 2017-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電池管理ユニット、保護回路、蓄電装置 |
US9349849B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device |
US9324449B2 (en) | 2012-03-28 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device |
WO2013146154A1 (en) | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power supply control device |
JP6139187B2 (ja) | 2012-03-29 | 2017-05-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2013229013A (ja) | 2012-03-29 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | アレイコントローラ及びストレージシステム |
US9786793B2 (en) | 2012-03-29 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements |
US8941113B2 (en) | 2012-03-30 | 2015-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element |
US10861978B2 (en) | 2012-04-02 | 2020-12-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US9553201B2 (en) | 2012-04-02 | 2017-01-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor array panel, and manufacturing method of thin film transistor |
KR20130111874A (ko) | 2012-04-02 | 2013-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치, 그리고 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
US8987047B2 (en) * | 2012-04-02 | 2015-03-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor array panel including the same, and method of manufacturing the same |
US8999773B2 (en) | 2012-04-05 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Processing method of stacked-layer film and manufacturing method of semiconductor device |
US8901556B2 (en) | 2012-04-06 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device |
US9711110B2 (en) | 2012-04-06 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device comprising grayscale conversion portion and display portion |
JP2013232885A (ja) * | 2012-04-06 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体リレー |
US9793444B2 (en) | 2012-04-06 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP5975907B2 (ja) | 2012-04-11 | 2016-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9208849B2 (en) | 2012-04-12 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device |
US9276121B2 (en) | 2012-04-12 | 2016-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20230004930A (ko) | 2012-04-13 | 2023-01-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6128906B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-05-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6059566B2 (ja) | 2012-04-13 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9030232B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Isolator circuit and semiconductor device |
JP6143423B2 (ja) | 2012-04-16 | 2017-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
JP6001308B2 (ja) | 2012-04-17 | 2016-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6076612B2 (ja) | 2012-04-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9219164B2 (en) | 2012-04-20 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxide semiconductor channel |
US9029863B2 (en) | 2012-04-20 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9230683B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US9236408B2 (en) | 2012-04-25 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor device including photodiode |
US9006024B2 (en) | 2012-04-25 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9285848B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-03-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power reception control device, power reception device, power transmission and reception system, and electronic device |
JP6199583B2 (ja) | 2012-04-27 | 2017-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9331689B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power supply circuit and semiconductor device including the same |
US8860022B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
JP6100071B2 (ja) | 2012-04-30 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9048323B2 (en) | 2012-04-30 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6228381B2 (ja) | 2012-04-30 | 2017-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6035195B2 (ja) | 2012-05-01 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9703704B2 (en) | 2012-05-01 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9007090B2 (en) | 2012-05-01 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving semiconductor device |
JP6243136B2 (ja) | 2012-05-02 | 2017-12-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | スイッチングコンバータ |
JP2013250965A (ja) | 2012-05-02 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその駆動方法 |
US9104395B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Processor and driving method thereof |
KR102025722B1 (ko) | 2012-05-02 | 2019-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 온도 센서 회로, 및 온도 센서 회로를 사용한 반도체 장치 |
JP6227890B2 (ja) | 2012-05-02 | 2017-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 信号処理回路および制御回路 |
CN104247268B (zh) | 2012-05-02 | 2016-10-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 可编程逻辑器件 |
US8866510B2 (en) | 2012-05-02 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20130125717A (ko) | 2012-05-09 | 2013-11-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
KR102082793B1 (ko) * | 2012-05-10 | 2020-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
KR102380379B1 (ko) | 2012-05-10 | 2022-04-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2013168687A1 (en) | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102069158B1 (ko) | 2012-05-10 | 2020-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 배선의 형성 방법, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
DE102013207324A1 (de) | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und elektronisches Gerät |
KR102087443B1 (ko) | 2012-05-11 | 2020-03-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
US8994891B2 (en) | 2012-05-16 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and touch panel |
US8929128B2 (en) | 2012-05-17 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage device and writing method of the same |
KR20130129674A (ko) | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 |
US9817032B2 (en) | 2012-05-23 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measurement device |
JP6250955B2 (ja) | 2012-05-25 | 2017-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
KR102164990B1 (ko) | 2012-05-25 | 2020-10-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 소자의 구동 방법 |
JP2014003594A (ja) | 2012-05-25 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその駆動方法 |
CN104321967B (zh) | 2012-05-25 | 2018-01-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 可编程逻辑装置及半导体装置 |
JP6050721B2 (ja) | 2012-05-25 | 2016-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9147706B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having sensor circuit having amplifier circuit |
JP6377317B2 (ja) | 2012-05-30 | 2018-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
JP6158588B2 (ja) | 2012-05-31 | 2017-07-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
WO2013179922A1 (en) | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102071545B1 (ko) | 2012-05-31 | 2020-01-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9048265B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising oxide semiconductor layer |
US8995607B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
JP6208469B2 (ja) | 2012-05-31 | 2017-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20150023547A (ko) | 2012-06-01 | 2015-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 디바이스 및 경보 장치 |
US9916793B2 (en) | 2012-06-01 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving the same |
US9135182B2 (en) | 2012-06-01 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central processing unit and driving method thereof |
JP6108960B2 (ja) | 2012-06-01 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、処理装置 |
US8872174B2 (en) | 2012-06-01 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
KR102113160B1 (ko) | 2012-06-15 | 2020-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8901557B2 (en) | 2012-06-15 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9059219B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102161077B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102082794B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-02-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 구동 방법, 및 표시 장치 |
CN110581070B (zh) | 2012-06-29 | 2022-12-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
US8873308B2 (en) | 2012-06-29 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing circuit |
KR102099445B1 (ko) | 2012-06-29 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US9742378B2 (en) | 2012-06-29 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse output circuit and semiconductor device |
US9054678B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US9190525B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including oxide semiconductor layer |
US9083327B2 (en) | 2012-07-06 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
KR102099262B1 (ko) | 2012-07-11 | 2020-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법 |
JP2014032399A (ja) | 2012-07-13 | 2014-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP6006558B2 (ja) | 2012-07-17 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6185311B2 (ja) | 2012-07-20 | 2017-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電源制御回路、及び信号処理回路 |
KR102081468B1 (ko) | 2012-07-20 | 2020-02-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치 |
KR102343715B1 (ko) | 2012-07-20 | 2021-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102644240B1 (ko) | 2012-07-20 | 2024-03-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR20140013931A (ko) | 2012-07-26 | 2014-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 |
JP2014042004A (ja) | 2012-07-26 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP6224931B2 (ja) | 2012-07-27 | 2017-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6134598B2 (ja) | 2012-08-02 | 2017-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014045175A (ja) | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR102243843B1 (ko) | 2012-08-03 | 2021-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체 적층막 및 반도체 장치 |
DE112013007566B3 (de) | 2012-08-03 | 2018-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
US10557192B2 (en) | 2012-08-07 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for using sputtering target and method for forming oxide film |
US9885108B2 (en) | 2012-08-07 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming sputtering target |
US9929276B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2014199899A (ja) | 2012-08-10 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8937307B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014057296A (ja) | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の駆動方法 |
CN108305895B (zh) | 2012-08-10 | 2021-08-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
JP6220597B2 (ja) | 2012-08-10 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102171650B1 (ko) | 2012-08-10 | 2020-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2014057298A (ja) | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の駆動方法 |
US9245958B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI581404B (zh) | 2012-08-10 | 2017-05-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法 |
WO2014024808A1 (en) | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8872120B2 (en) | 2012-08-23 | 2014-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and method for driving the same |
KR102069683B1 (ko) | 2012-08-24 | 2020-01-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 방사선 검출 패널, 방사선 촬상 장치, 및 화상 진단 장치 |
KR102161078B1 (ko) | 2012-08-28 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
US9625764B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
DE102013216824A1 (de) | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
KR20140029202A (ko) | 2012-08-28 | 2014-03-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
TWI575663B (zh) | 2012-08-31 | 2017-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US8947158B2 (en) | 2012-09-03 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
SG11201504939RA (en) | 2012-09-03 | 2015-07-30 | Semiconductor Energy Lab | Microcontroller |
DE102013217278B4 (de) | 2012-09-12 | 2017-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photodetektorschaltung, Bildgebungsvorrichtung und Verfahren zum Ansteuern einer Photodetektorschaltung |
CN111477634B (zh) | 2012-09-13 | 2023-11-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
US8981372B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
US9018624B2 (en) | 2012-09-13 | 2015-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic appliance |
TWI799011B (zh) | 2012-09-14 | 2023-04-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US8927985B2 (en) | 2012-09-20 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2014046222A1 (en) | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
TWI746200B (zh) | 2012-09-24 | 2021-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102226090B1 (ko) | 2012-10-12 | 2021-03-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치 |
JP6290576B2 (ja) | 2012-10-12 | 2018-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
TWI681233B (zh) | 2012-10-12 | 2020-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置、觸控面板及液晶顯示裝置的製造方法 |
JP6351947B2 (ja) | 2012-10-12 | 2018-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP5951442B2 (ja) | 2012-10-17 | 2016-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6059501B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-01-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2014082388A (ja) | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR101942489B1 (ko) | 2012-10-17 | 2019-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
TWI591966B (zh) | 2012-10-17 | 2017-07-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法 |
JP6021586B2 (ja) | 2012-10-17 | 2016-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2014061762A1 (en) | 2012-10-17 | 2014-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6283191B2 (ja) | 2012-10-17 | 2018-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
DE112013005029T5 (de) | 2012-10-17 | 2015-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Mikrocontroller und Herstellungsverfahren dafür |
US9166021B2 (en) | 2012-10-17 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102102589B1 (ko) | 2012-10-17 | 2020-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그램 가능한 논리 장치 |
KR102227591B1 (ko) | 2012-10-17 | 2021-03-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102220279B1 (ko) | 2012-10-19 | 2021-02-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP6204145B2 (ja) | 2012-10-23 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102279459B1 (ko) | 2012-10-24 | 2021-07-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
KR102130184B1 (ko) | 2012-10-24 | 2020-07-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2014065343A1 (en) | 2012-10-24 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6300489B2 (ja) | 2012-10-24 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI637517B (zh) | 2012-10-24 | 2018-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
WO2014065389A1 (en) | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central control system |
JP6219562B2 (ja) | 2012-10-30 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
WO2014073374A1 (en) | 2012-11-06 | 2014-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
KR102072340B1 (ko) | 2012-11-08 | 2020-01-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 금속 산화물 막 및 금속 산화물 막의 형성 방법 |
TWI608616B (zh) | 2012-11-15 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI605593B (zh) | 2012-11-15 | 2017-11-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6220641B2 (ja) | 2012-11-15 | 2017-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI600157B (zh) | 2012-11-16 | 2017-09-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6317059B2 (ja) | 2012-11-16 | 2018-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び表示装置 |
TWI620323B (zh) | 2012-11-16 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6285150B2 (ja) | 2012-11-16 | 2018-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI757837B (zh) | 2012-11-28 | 2022-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
US9412764B2 (en) | 2012-11-28 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
US9263531B2 (en) | 2012-11-28 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device |
TWI627483B (zh) | 2012-11-28 | 2018-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電視接收機 |
WO2014084153A1 (en) | 2012-11-28 | 2014-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR102526635B1 (ko) | 2012-11-30 | 2023-04-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI624949B (zh) | 2012-11-30 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP2014130336A (ja) | 2012-11-30 | 2014-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US9153649B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device |
US9594281B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US9246011B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102207028B1 (ko) | 2012-12-03 | 2021-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9349593B2 (en) | 2012-12-03 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2014135478A (ja) | 2012-12-03 | 2014-07-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP6254834B2 (ja) | 2012-12-06 | 2017-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9577446B2 (en) | 2012-12-13 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device |
TWI611419B (zh) | 2012-12-24 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 可程式邏輯裝置及半導體裝置 |
US9905585B2 (en) | 2012-12-25 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising capacitor |
KR20220145922A (ko) | 2012-12-25 | 2022-10-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
DE112013006219T5 (de) | 2012-12-25 | 2015-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
KR102241249B1 (ko) | 2012-12-25 | 2021-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기 |
US9437273B2 (en) | 2012-12-26 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014143410A (ja) | 2012-12-28 | 2014-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP6329762B2 (ja) | 2012-12-28 | 2018-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9316695B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102370239B1 (ko) | 2012-12-28 | 2022-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN110137181A (zh) | 2012-12-28 | 2019-08-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
TWI607510B (zh) | 2012-12-28 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
US9391096B2 (en) | 2013-01-18 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI614813B (zh) | 2013-01-21 | 2018-02-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US9190172B2 (en) | 2013-01-24 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI619010B (zh) | 2013-01-24 | 2018-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP5807076B2 (ja) | 2013-01-24 | 2015-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6223198B2 (ja) | 2013-01-24 | 2017-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9466725B2 (en) | 2013-01-24 | 2016-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9105658B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for processing oxide semiconductor layer |
US9076825B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
US8981374B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI618252B (zh) | 2013-02-12 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102112367B1 (ko) | 2013-02-12 | 2020-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9190527B2 (en) | 2013-02-13 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
KR102125593B1 (ko) | 2013-02-13 | 2020-06-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치 |
US9231111B2 (en) | 2013-02-13 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8952723B2 (en) | 2013-02-13 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device and semiconductor device |
US9318484B2 (en) | 2013-02-20 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI611566B (zh) | 2013-02-25 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置和電子裝置 |
US9293544B2 (en) | 2013-02-26 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having buried channel structure |
TWI651839B (zh) | 2013-02-27 | 2019-02-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、驅動電路及顯示裝置 |
TWI612321B (zh) | 2013-02-27 | 2018-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 成像裝置 |
US9373711B2 (en) | 2013-02-27 | 2016-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014195241A (ja) | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014195243A (ja) | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR102238682B1 (ko) | 2013-02-28 | 2021-04-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
JP6141777B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6250883B2 (ja) | 2013-03-01 | 2017-12-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014195060A (ja) | 2013-03-01 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置 |
KR102153110B1 (ko) | 2013-03-06 | 2020-09-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체막 및 반도체 장치 |
US9269315B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of semiconductor device |
US8947121B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Programmable logic device |
TWI644433B (zh) | 2013-03-13 | 2018-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102290247B1 (ko) | 2013-03-14 | 2021-08-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
JP2014199709A (ja) | 2013-03-14 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、半導体装置 |
JP6283237B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20150128820A (ko) | 2013-03-14 | 2015-11-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 구동 방법 및 반도체 장치 |
JP6298662B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2014199708A (ja) | 2013-03-14 | 2014-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
US9294075B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9245650B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9786350B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
US9577107B2 (en) | 2013-03-19 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film |
US9153650B2 (en) | 2013-03-19 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor |
JP6093726B2 (ja) | 2013-03-22 | 2017-03-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9007092B2 (en) | 2013-03-22 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6355374B2 (ja) | 2013-03-22 | 2018-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10347769B2 (en) | 2013-03-25 | 2019-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes |
JP6272713B2 (ja) | 2013-03-25 | 2018-01-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置 |
WO2014157019A1 (en) | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6376788B2 (ja) | 2013-03-26 | 2018-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP6316630B2 (ja) | 2013-03-26 | 2018-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6395409B2 (ja) | 2013-03-27 | 2018-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2014209209A (ja) | 2013-03-28 | 2014-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9368636B2 (en) | 2013-04-01 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device comprising a plurality of oxide semiconductor layers |
JP6300589B2 (ja) | 2013-04-04 | 2018-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9112460B2 (en) | 2013-04-05 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device |
JP6198434B2 (ja) | 2013-04-11 | 2017-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
JP6224338B2 (ja) | 2013-04-11 | 2017-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法 |
TWI620324B (zh) | 2013-04-12 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6280794B2 (ja) | 2013-04-12 | 2018-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその駆動方法 |
US10304859B2 (en) | 2013-04-12 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film |
US9915848B2 (en) | 2013-04-19 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP6456598B2 (ja) | 2013-04-19 | 2019-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP6333028B2 (ja) | 2013-04-19 | 2018-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び半導体装置 |
US9893192B2 (en) | 2013-04-24 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI647559B (zh) | 2013-04-24 | 2019-01-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
JP6396671B2 (ja) | 2013-04-26 | 2018-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6401483B2 (ja) | 2013-04-26 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI644434B (zh) | 2013-04-29 | 2018-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI631711B (zh) | 2013-05-01 | 2018-08-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102222344B1 (ko) | 2013-05-02 | 2021-03-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9231002B2 (en) | 2013-05-03 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US9882058B2 (en) | 2013-05-03 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN105190902B (zh) | 2013-05-09 | 2019-01-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
US9704894B2 (en) | 2013-05-10 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including pixel electrode including oxide |
US9246476B2 (en) | 2013-05-10 | 2016-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit |
TWI621337B (zh) | 2013-05-14 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 信號處理裝置 |
TWI802017B (zh) | 2013-05-16 | 2023-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI679772B (zh) | 2013-05-16 | 2019-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9312392B2 (en) | 2013-05-16 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI618058B (zh) | 2013-05-16 | 2018-03-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI638519B (zh) | 2013-05-17 | 2018-10-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 可程式邏輯裝置及半導體裝置 |
US9209795B2 (en) | 2013-05-17 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device and measuring method |
US10032872B2 (en) | 2013-05-17 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor device |
JP6298353B2 (ja) | 2013-05-17 | 2018-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9754971B2 (en) | 2013-05-18 | 2017-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102264971B1 (ko) | 2013-05-20 | 2021-06-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9293599B2 (en) | 2013-05-20 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI664731B (zh) | 2013-05-20 | 2019-07-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9343579B2 (en) | 2013-05-20 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9647125B2 (en) | 2013-05-20 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR102376226B1 (ko) | 2013-05-20 | 2022-03-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
DE102014208859B4 (de) | 2013-05-20 | 2021-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
US10416504B2 (en) | 2013-05-21 | 2019-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
KR20160009626A (ko) | 2013-05-21 | 2016-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 그 형성 방법 |
TWI624936B (zh) | 2013-06-05 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
JP6400336B2 (ja) | 2013-06-05 | 2018-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI687748B (zh) | 2013-06-05 | 2020-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
JP2015195327A (ja) | 2013-06-05 | 2015-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9806198B2 (en) | 2013-06-05 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6475424B2 (ja) | 2013-06-05 | 2019-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9773915B2 (en) | 2013-06-11 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR102282108B1 (ko) | 2013-06-13 | 2021-07-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6368155B2 (ja) | 2013-06-18 | 2018-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス |
TWI652822B (zh) | 2013-06-19 | 2019-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物半導體膜及其形成方法 |
US9035301B2 (en) | 2013-06-19 | 2015-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
TWI633650B (zh) | 2013-06-21 | 2018-08-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9515094B2 (en) | 2013-06-26 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage device and semiconductor device |
KR102522133B1 (ko) | 2013-06-27 | 2023-04-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6352070B2 (ja) | 2013-07-05 | 2018-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9666697B2 (en) | 2013-07-08 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer |
US9312349B2 (en) | 2013-07-08 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US20150008428A1 (en) | 2013-07-08 | 2015-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
TWI622053B (zh) | 2013-07-10 | 2018-04-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9293480B2 (en) | 2013-07-10 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
US9818763B2 (en) | 2013-07-12 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing display device |
US9006736B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6322503B2 (ja) | 2013-07-16 | 2018-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6516978B2 (ja) | 2013-07-17 | 2019-05-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI621130B (zh) | 2013-07-18 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及用於製造半導體裝置之方法 |
US9379138B2 (en) | 2013-07-19 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device with drive voltage dependent on external light intensity |
TWI608523B (zh) | 2013-07-19 | 2017-12-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | Oxide semiconductor film, method of manufacturing oxide semiconductor film, and semiconductor device |
US9395070B2 (en) | 2013-07-19 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Support of flexible component and light-emitting device |
TWI632688B (zh) | 2013-07-25 | 2018-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 |
US10529740B2 (en) | 2013-07-25 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including semiconductor layer and conductive layer |
TWI636309B (zh) | 2013-07-25 | 2018-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置及電子裝置 |
TWI641208B (zh) | 2013-07-26 | 2018-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 直流對直流轉換器 |
US9343288B2 (en) | 2013-07-31 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6460592B2 (ja) | 2013-07-31 | 2019-01-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Dcdcコンバータ、及び半導体装置 |
JP6410496B2 (ja) | 2013-07-31 | 2018-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | マルチゲート構造のトランジスタ |
JP6264090B2 (ja) | 2013-07-31 | 2018-01-24 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
US9496330B2 (en) | 2013-08-02 | 2016-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor film and semiconductor device |
TWI635750B (zh) | 2013-08-02 | 2018-09-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 攝像裝置以及其工作方法 |
JP2015053477A (ja) | 2013-08-05 | 2015-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
JP6345023B2 (ja) | 2013-08-07 | 2018-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
US9299855B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having dual gate insulating layers |
US9601591B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP6329843B2 (ja) | 2013-08-19 | 2018-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9374048B2 (en) | 2013-08-20 | 2016-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing device, and driving method and program thereof |
TWI643435B (zh) | 2013-08-21 | 2018-12-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 電荷泵電路以及具備電荷泵電路的半導體裝置 |
KR102232133B1 (ko) | 2013-08-22 | 2021-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102244553B1 (ko) | 2013-08-23 | 2021-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 용량 소자 및 반도체 장치 |
US9443987B2 (en) | 2013-08-23 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI749810B (zh) | 2013-08-28 | 2021-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
US9552767B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP6426402B2 (ja) | 2013-08-30 | 2018-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9590109B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9360564B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
WO2015030150A1 (en) | 2013-08-30 | 2015-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage circuit and semiconductor device |
US9449853B2 (en) | 2013-09-04 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising electron trap layer |
JP6406926B2 (ja) | 2013-09-04 | 2018-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10008513B2 (en) | 2013-09-05 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9607991B2 (en) | 2013-09-05 | 2017-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6345544B2 (ja) | 2013-09-05 | 2018-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6401977B2 (ja) | 2013-09-06 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102294507B1 (ko) | 2013-09-06 | 2021-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9590110B2 (en) | 2013-09-10 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ultraviolet light sensor circuit |
TWI640014B (zh) | 2013-09-11 | 2018-11-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體裝置、半導體裝置及電子裝置 |
US9893194B2 (en) | 2013-09-12 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9269822B2 (en) | 2013-09-12 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102448479B1 (ko) | 2013-09-13 | 2022-09-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
US9805952B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9716003B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US9461126B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit |
TWI646690B (zh) | 2013-09-13 | 2019-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9887297B2 (en) | 2013-09-17 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer |
US9269915B2 (en) | 2013-09-18 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9859439B2 (en) | 2013-09-18 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI677989B (zh) | 2013-09-19 | 2019-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
JP6570817B2 (ja) | 2013-09-23 | 2019-09-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9397153B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9425217B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2015084418A (ja) | 2013-09-23 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6383616B2 (ja) | 2013-09-25 | 2018-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9799774B2 (en) | 2013-09-26 | 2017-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Switch circuit, semiconductor device, and system |
JP6392603B2 (ja) | 2013-09-27 | 2018-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6581765B2 (ja) | 2013-10-02 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置 |
JP6386323B2 (ja) | 2013-10-04 | 2018-09-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI741298B (zh) | 2013-10-10 | 2021-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102183763B1 (ko) | 2013-10-11 | 2020-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
KR102275031B1 (ko) | 2013-10-16 | 2021-07-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 연산 처리 장치의 구동 방법 |
TWI642170B (zh) | 2013-10-18 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
TWI621127B (zh) | 2013-10-18 | 2018-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 運算處理裝置及其驅動方法 |
WO2015060318A1 (en) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2015179247A (ja) | 2013-10-22 | 2015-10-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2015109424A (ja) | 2013-10-22 | 2015-06-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、該半導体装置の作製方法、及び該半導体装置に用いるエッチング溶液 |
US9455349B2 (en) | 2013-10-22 | 2016-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion |
WO2015060203A1 (en) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2015060133A1 (en) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
DE102014220672A1 (de) | 2013-10-22 | 2015-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
US9583516B2 (en) | 2013-10-25 | 2017-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP6457239B2 (ja) | 2013-10-31 | 2019-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9590111B2 (en) | 2013-11-06 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
JP6478562B2 (ja) | 2013-11-07 | 2019-03-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6440457B2 (ja) | 2013-11-07 | 2018-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9385054B2 (en) | 2013-11-08 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data processing device and manufacturing method thereof |
JP2015118724A (ja) | 2013-11-13 | 2015-06-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の駆動方法 |
JP6393590B2 (ja) | 2013-11-22 | 2018-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6426437B2 (ja) | 2013-11-22 | 2018-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6486660B2 (ja) | 2013-11-27 | 2019-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9882014B2 (en) | 2013-11-29 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2016001712A (ja) | 2013-11-29 | 2016-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US20150155313A1 (en) | 2013-11-29 | 2015-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102516162B1 (ko) | 2013-12-02 | 2023-03-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제조방법 |
US9601634B2 (en) | 2013-12-02 | 2017-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN105874524B (zh) | 2013-12-02 | 2019-05-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
US9991392B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2016027597A (ja) | 2013-12-06 | 2016-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9349751B2 (en) | 2013-12-12 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9627413B2 (en) | 2013-12-12 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
TWI642186B (zh) | 2013-12-18 | 2018-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP2014060451A (ja) * | 2013-12-18 | 2014-04-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
TWI721409B (zh) | 2013-12-19 | 2021-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6444714B2 (ja) | 2013-12-20 | 2018-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9379192B2 (en) | 2013-12-20 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102283814B1 (ko) | 2013-12-25 | 2021-07-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TWI637484B (zh) | 2013-12-26 | 2018-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9960280B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6402017B2 (ja) | 2013-12-26 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102472875B1 (ko) | 2013-12-26 | 2022-12-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2015097596A1 (en) | 2013-12-26 | 2015-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9577110B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device |
JP6506961B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US9349418B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
US9397149B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9472678B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6446258B2 (ja) | 2013-12-27 | 2018-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
CN111129039B (zh) | 2013-12-27 | 2024-04-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置 |
KR20230065379A (ko) | 2013-12-27 | 2023-05-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6506545B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6444723B2 (ja) | 2014-01-09 | 2018-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
US9300292B2 (en) | 2014-01-10 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit including transistor |
KR102166898B1 (ko) * | 2014-01-10 | 2020-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US9401432B2 (en) | 2014-01-16 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US9379713B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data processing device and driving method thereof |
KR102306200B1 (ko) | 2014-01-24 | 2021-09-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2015114476A1 (en) | 2014-01-28 | 2015-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9929044B2 (en) | 2014-01-30 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
TWI665778B (zh) | 2014-02-05 | 2019-07-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
US9443876B2 (en) | 2014-02-05 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module |
US9929279B2 (en) | 2014-02-05 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP6523695B2 (ja) | 2014-02-05 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6473626B2 (ja) | 2014-02-06 | 2019-02-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015165226A (ja) | 2014-02-07 | 2015-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置 |
WO2015118436A1 (en) | 2014-02-07 | 2015-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, device, and electronic device |
JP6534530B2 (ja) | 2014-02-07 | 2019-06-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9869716B2 (en) | 2014-02-07 | 2018-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device comprising programmable logic element |
TWI685116B (zh) | 2014-02-07 | 2020-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US10055232B2 (en) | 2014-02-07 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising memory circuit |
DE112015000739T5 (de) | 2014-02-11 | 2016-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät |
KR102317297B1 (ko) | 2014-02-19 | 2021-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물, 반도체 장치, 모듈, 및 전자 장치 |
US9817040B2 (en) | 2014-02-21 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measuring method of low off-state current of transistor |
JP2015172991A (ja) | 2014-02-21 | 2015-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
TWI675004B (zh) | 2014-02-21 | 2019-10-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置 |
WO2015128774A1 (en) | 2014-02-28 | 2015-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
JP6542542B2 (ja) | 2014-02-28 | 2019-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9564535B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module |
US9294096B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10074576B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
KR20150104518A (ko) | 2014-03-05 | 2015-09-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 레벨 시프터 회로 |
JP6474280B2 (ja) | 2014-03-05 | 2019-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10096489B2 (en) | 2014-03-06 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9397637B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device |
JP6625328B2 (ja) | 2014-03-06 | 2019-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
US9537478B2 (en) | 2014-03-06 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR102267237B1 (ko) | 2014-03-07 | 2021-06-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
JP6585354B2 (ja) | 2014-03-07 | 2019-10-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2015132694A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel |
WO2015132697A1 (en) | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6607681B2 (ja) | 2014-03-07 | 2019-11-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6442321B2 (ja) | 2014-03-07 | 2018-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその駆動方法、並びに電子機器 |
JP6545976B2 (ja) | 2014-03-07 | 2019-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9419622B2 (en) | 2014-03-07 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9711536B2 (en) | 2014-03-07 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
WO2015136413A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6560508B2 (ja) | 2014-03-13 | 2019-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6677449B2 (ja) | 2014-03-13 | 2020-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
JP6525421B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9324747B2 (en) | 2014-03-13 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
US9640669B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module |
KR20230062676A (ko) | 2014-03-13 | 2023-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
JP6541376B2 (ja) | 2014-03-13 | 2019-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイスの動作方法 |
US9299848B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, RF tag, and electronic device |
KR102252213B1 (ko) | 2014-03-14 | 2021-05-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 회로 시스템 |
US9887212B2 (en) | 2014-03-14 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP6559444B2 (ja) | 2014-03-14 | 2019-08-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015188071A (ja) | 2014-03-14 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6509596B2 (ja) | 2014-03-18 | 2019-05-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20160132982A (ko) | 2014-03-18 | 2016-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
US9842842B2 (en) | 2014-03-19 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same |
US9887291B2 (en) | 2014-03-19 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module |
JP6495698B2 (ja) | 2014-03-20 | 2019-04-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、及び電子機器 |
TWI657488B (zh) | 2014-03-20 | 2019-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、具有該半導體裝置的顯示裝置、具有該顯示裝置的顯示模組以及具有該半導體裝置、該顯示裝置和該顯示模組的電子裝置 |
KR102400212B1 (ko) | 2014-03-28 | 2022-05-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 반도체 장치 |
JP6487738B2 (ja) | 2014-03-31 | 2019-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品 |
TWI695375B (zh) | 2014-04-10 | 2020-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體裝置及半導體裝置 |
JP6541398B2 (ja) | 2014-04-11 | 2019-07-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI646782B (zh) | 2014-04-11 | 2019-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 保持電路、保持電路的驅動方法以及包括保持電路的半導體裝置 |
JP6635670B2 (ja) | 2014-04-11 | 2020-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9674470B2 (en) | 2014-04-11 | 2017-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device |
JP6305183B2 (ja) * | 2014-04-16 | 2018-04-04 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子、表示装置、画像表示装置、照明装置、画像形成装置及び露光器 |
KR102318728B1 (ko) | 2014-04-18 | 2021-10-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 이를 가지는 표시 장치 |
KR102511325B1 (ko) | 2014-04-18 | 2023-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 동작 방법 |
WO2015159179A1 (en) | 2014-04-18 | 2015-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP6613044B2 (ja) | 2014-04-22 | 2019-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
KR102380829B1 (ko) | 2014-04-23 | 2022-03-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 |
KR102330412B1 (ko) | 2014-04-25 | 2021-11-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기 |
JP6468686B2 (ja) | 2014-04-25 | 2019-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
US9780226B2 (en) | 2014-04-25 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI643457B (zh) | 2014-04-25 | 2018-12-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US10043913B2 (en) | 2014-04-30 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device |
US10656799B2 (en) | 2014-05-02 | 2020-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and operation method thereof |
TWI679624B (zh) | 2014-05-02 | 2019-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6537341B2 (ja) | 2014-05-07 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6653997B2 (ja) | 2014-05-09 | 2020-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示補正回路及び表示装置 |
KR102333604B1 (ko) | 2014-05-15 | 2021-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 이 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
JP6612056B2 (ja) | 2014-05-16 | 2019-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、及び監視装置 |
JP2015233130A (ja) | 2014-05-16 | 2015-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板および半導体装置の作製方法 |
JP6580863B2 (ja) | 2014-05-22 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、健康管理システム |
JP6616102B2 (ja) | 2014-05-23 | 2019-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び電子機器 |
TWI672804B (zh) | 2014-05-23 | 2019-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
WO2015181679A1 (en) * | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10020403B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9874775B2 (en) | 2014-05-28 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
JP6653129B2 (ja) | 2014-05-29 | 2020-02-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置 |
KR102418666B1 (ko) | 2014-05-29 | 2022-07-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 소자, 전자 기기, 촬상 소자의 구동 방법, 및 전자 기기의 구동 방법 |
JP6525722B2 (ja) | 2014-05-29 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、電子部品、及び電子機器 |
KR20150138026A (ko) | 2014-05-29 | 2015-12-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102354008B1 (ko) | 2014-05-29 | 2022-01-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법 및 전자 기기 |
JP6538426B2 (ja) | 2014-05-30 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
TWI646658B (zh) | 2014-05-30 | 2019-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI663726B (zh) | 2014-05-30 | 2019-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
KR102582740B1 (ko) | 2014-05-30 | 2023-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 이의 제조 방법, 및 전자 장치 |
KR20170013240A (ko) | 2014-05-30 | 2017-02-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 이를 제조하기 위한 방법 |
JP6537892B2 (ja) | 2014-05-30 | 2019-07-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
US9831238B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion |
WO2015189731A1 (en) | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device |
JP2016015475A (ja) | 2014-06-13 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
KR102344782B1 (ko) | 2014-06-13 | 2021-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 입력 장치 및 입출력 장치 |
TWI663733B (zh) | 2014-06-18 | 2019-06-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 電晶體及半導體裝置 |
KR20150146409A (ko) | 2014-06-20 | 2015-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기 |
TWI666776B (zh) | 2014-06-20 | 2019-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置 |
US9722090B2 (en) | 2014-06-23 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate |
JP6545541B2 (ja) | 2014-06-25 | 2019-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、監視装置、及び電子機器 |
US10002971B2 (en) | 2014-07-03 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
US9647129B2 (en) | 2014-07-04 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9461179B2 (en) | 2014-07-11 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure |
CN106537604B (zh) | 2014-07-15 | 2020-09-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法以及包括该半导体装置的显示装置 |
KR102422059B1 (ko) | 2014-07-18 | 2022-07-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기 |
JP6581825B2 (ja) | 2014-07-18 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システム |
US9312280B2 (en) | 2014-07-25 | 2016-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2016012893A1 (en) | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oscillator circuit and semiconductor device including the same |
JP6527416B2 (ja) | 2014-07-29 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6555956B2 (ja) | 2014-07-31 | 2019-08-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、監視装置、及び電子機器 |
CN106537486B (zh) | 2014-07-31 | 2020-09-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子装置 |
US9705004B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6553444B2 (ja) | 2014-08-08 | 2019-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6739150B2 (ja) | 2014-08-08 | 2020-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、発振回路、位相同期回路及び電子機器 |
JP6652342B2 (ja) | 2014-08-08 | 2020-02-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10147747B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device |
US10032888B2 (en) | 2014-08-22 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic appliance having semiconductor device |
US10559667B2 (en) | 2014-08-25 | 2020-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device |
KR102388997B1 (ko) | 2014-08-29 | 2022-04-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치 및 전자 기기 |
WO2016034983A1 (en) | 2014-09-02 | 2016-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
KR102329498B1 (ko) | 2014-09-04 | 2021-11-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
TW201614626A (en) | 2014-09-05 | 2016-04-16 | Semiconductor Energy Lab | Display device and electronic device |
US9766517B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and display module |
US9722091B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP6676316B2 (ja) | 2014-09-12 | 2020-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR20160034200A (ko) | 2014-09-19 | 2016-03-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2016066788A (ja) | 2014-09-19 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体膜の評価方法および半導体装置の作製方法 |
US9401364B2 (en) | 2014-09-19 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
KR102513878B1 (ko) | 2014-09-19 | 2023-03-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US10071904B2 (en) | 2014-09-25 | 2018-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
JP6633330B2 (ja) | 2014-09-26 | 2020-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10170055B2 (en) | 2014-09-26 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
JP2016111677A (ja) | 2014-09-26 | 2016-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、無線センサ、及び電子機器 |
WO2016046685A1 (en) | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
US9450581B2 (en) | 2014-09-30 | 2016-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device |
WO2016055894A1 (en) | 2014-10-06 | 2016-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US9698170B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
KR20170069207A (ko) | 2014-10-10 | 2017-06-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 회로 기판, 및 전자 기기 |
KR102433326B1 (ko) | 2014-10-10 | 2022-08-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리 회로, 처리 유닛, 전자 부품, 및 전자 기기 |
US9991393B2 (en) | 2014-10-16 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, module, and electronic device |
JP6645793B2 (ja) | 2014-10-17 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2016063159A1 (en) | 2014-10-20 | 2016-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof, module, and electronic device |
US10068927B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
JP6615565B2 (ja) | 2014-10-24 | 2019-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9704704B2 (en) | 2014-10-28 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
KR102439023B1 (ko) | 2014-10-28 | 2022-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기 |
TWI652362B (zh) | 2014-10-28 | 2019-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 氧化物及其製造方法 |
US9793905B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10680017B2 (en) | 2014-11-07 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device |
US9584707B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
US9548327B2 (en) | 2014-11-10 | 2017-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device having a selenium containing photoelectric conversion layer |
US9438234B2 (en) | 2014-11-21 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device including logic circuit |
JP6563313B2 (ja) | 2014-11-21 | 2019-08-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
TWI699897B (zh) | 2014-11-21 | 2020-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI711165B (zh) | 2014-11-21 | 2020-11-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及電子裝置 |
DE112015005339T5 (de) | 2014-11-28 | 2017-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, Modul und elektronisches Gerät |
JP6647841B2 (ja) | 2014-12-01 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物の作製方法 |
JP6667267B2 (ja) | 2014-12-08 | 2020-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6647846B2 (ja) | 2014-12-08 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9773832B2 (en) | 2014-12-10 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP6689062B2 (ja) | 2014-12-10 | 2020-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN107004722A (zh) | 2014-12-10 | 2017-08-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
JP6833315B2 (ja) | 2014-12-10 | 2021-02-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
WO2016092416A1 (en) | 2014-12-11 | 2016-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, and electronic device |
JP2016116220A (ja) | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
JP6676354B2 (ja) | 2014-12-16 | 2020-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI687657B (zh) | 2014-12-18 | 2020-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、感測裝置和電子裝置 |
JP2016115907A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-23 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、アレイ基板並びに液晶表示装置 |
TWI686874B (zh) | 2014-12-26 | 2020-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、顯示裝置、顯示模組、電子裝置、氧化物及氧化物的製造方法 |
KR20170101233A (ko) | 2014-12-26 | 2017-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링용 타깃의 제작 방법 |
US10396210B2 (en) | 2014-12-26 | 2019-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with stacked metal oxide and oxide semiconductor layers and display device including the semiconductor device |
CN107111985B (zh) | 2014-12-29 | 2020-09-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
US10522693B2 (en) | 2015-01-16 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and electronic device |
US9443564B2 (en) | 2015-01-26 | 2016-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
US9954112B2 (en) | 2015-01-26 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9812587B2 (en) | 2015-01-26 | 2017-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI710124B (zh) | 2015-01-30 | 2020-11-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 成像裝置及電子裝置 |
US9647132B2 (en) | 2015-01-30 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and memory device |
KR20170109231A (ko) | 2015-02-02 | 2017-09-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 및 그 제작 방법 |
KR20170109237A (ko) | 2015-02-04 | 2017-09-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 또는 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
US9660100B2 (en) | 2015-02-06 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI683365B (zh) | 2015-02-06 | 2020-01-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 裝置及其製造方法以及電子裝置 |
JP6717604B2 (ja) | 2015-02-09 | 2020-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、中央処理装置及び電子機器 |
JP6674269B2 (ja) | 2015-02-09 | 2020-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
WO2016128859A1 (en) | 2015-02-11 | 2016-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9818880B2 (en) | 2015-02-12 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
KR20230141954A (ko) | 2015-02-12 | 2023-10-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
JP2016154225A (ja) | 2015-02-12 | 2016-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
US10249644B2 (en) | 2015-02-13 | 2019-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US10403646B2 (en) | 2015-02-20 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9489988B2 (en) | 2015-02-20 | 2016-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
US9991394B2 (en) | 2015-02-20 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
JP6711642B2 (ja) | 2015-02-25 | 2020-06-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6739185B2 (ja) | 2015-02-26 | 2020-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ストレージシステム、およびストレージ制御回路 |
US9653613B2 (en) | 2015-02-27 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9685560B2 (en) | 2015-03-02 | 2017-06-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device |
TWI718125B (zh) | 2015-03-03 | 2021-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
KR102653836B1 (ko) | 2015-03-03 | 2024-04-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 그 제작 방법, 또는 그를 포함하는 표시 장치 |
KR102526654B1 (ko) | 2015-03-03 | 2023-04-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막, 상기 산화물 반도체막을 포함하는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
US9905700B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device or memory device and driving method thereof |
US9964799B2 (en) | 2015-03-17 | 2018-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
CN107430461B (zh) | 2015-03-17 | 2022-01-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 触摸屏 |
US9882061B2 (en) | 2015-03-17 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10008609B2 (en) | 2015-03-17 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same |
JP2016177280A (ja) | 2015-03-18 | 2016-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器、並びに表示装置の駆動方法 |
JP6662665B2 (ja) | 2015-03-19 | 2020-03-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器 |
KR102582523B1 (ko) | 2015-03-19 | 2023-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
US10147823B2 (en) | 2015-03-19 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9842938B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including semiconductor device |
US9634048B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
KR20160114511A (ko) | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US10096715B2 (en) | 2015-03-26 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device |
US10429704B2 (en) | 2015-03-26 | 2019-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module |
US9806200B2 (en) | 2015-03-27 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6736321B2 (ja) | 2015-03-27 | 2020-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
TWI695513B (zh) | 2015-03-27 | 2020-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及電子裝置 |
TWI777164B (zh) | 2015-03-30 | 2022-09-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US9716852B2 (en) | 2015-04-03 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Broadcast system |
US10389961B2 (en) | 2015-04-09 | 2019-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
US10372274B2 (en) | 2015-04-13 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and touch panel |
WO2016166628A1 (en) | 2015-04-13 | 2016-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US10460984B2 (en) | 2015-04-15 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating electrode and semiconductor device |
US10056497B2 (en) | 2015-04-15 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9916791B2 (en) | 2015-04-16 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, electronic device, and method for driving display device |
US10192995B2 (en) | 2015-04-28 | 2019-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10002970B2 (en) | 2015-04-30 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method of the same, or display device including the same |
US10671204B2 (en) | 2015-05-04 | 2020-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel and data processor |
KR102549926B1 (ko) | 2015-05-04 | 2023-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 반도체 장치의 제작 방법, 및 전자기기 |
JP6681780B2 (ja) | 2015-05-07 | 2020-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システムおよび電子機器 |
DE102016207737A1 (de) | 2015-05-11 | 2016-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, Reifen und beweglicher Gegenstand |
TWI693719B (zh) | 2015-05-11 | 2020-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP6935171B2 (ja) | 2015-05-14 | 2021-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11728356B2 (en) | 2015-05-14 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element and imaging device |
US9627034B2 (en) | 2015-05-15 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
KR20240014632A (ko) | 2015-05-22 | 2024-02-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
US9837547B2 (en) * | 2015-05-22 | 2017-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device |
JP6773453B2 (ja) | 2015-05-26 | 2020-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び電子機器 |
JP2016225614A (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10139663B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Input/output device and electronic device |
KR102553553B1 (ko) | 2015-06-12 | 2023-07-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기 |
KR102556718B1 (ko) | 2015-06-19 | 2023-07-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 전자 기기 |
US9860465B2 (en) | 2015-06-23 | 2018-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
US9935633B2 (en) | 2015-06-30 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device |
US10290573B2 (en) | 2015-07-02 | 2019-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US9917209B2 (en) | 2015-07-03 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including step of forming trench over semiconductor |
KR102548001B1 (ko) | 2015-07-08 | 2023-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2017022377A (ja) | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10501003B2 (en) | 2015-07-17 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, lighting device, and vehicle |
US10985278B2 (en) | 2015-07-21 | 2021-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US10978489B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device |
US11024725B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including metal oxide film |
US11189736B2 (en) | 2015-07-24 | 2021-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10424671B2 (en) | 2015-07-29 | 2019-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, circuit board, and electronic device |
US9825177B2 (en) | 2015-07-30 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask |
EP3125296B1 (en) | 2015-07-30 | 2020-06-10 | Ricoh Company, Ltd. | Field-effect transistor, display element, image display device, and system |
KR102513517B1 (ko) | 2015-07-30 | 2023-03-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
US10585506B2 (en) | 2015-07-30 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with high visibility regardless of illuminance of external light |
CN106409919A (zh) | 2015-07-30 | 2017-02-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
US9911861B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device |
US9876946B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-01-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
JP6791661B2 (ja) | 2015-08-07 | 2020-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル |
US9893202B2 (en) | 2015-08-19 | 2018-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US9666606B2 (en) | 2015-08-21 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP2017041877A (ja) | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子部品、および電子機器 |
US9773919B2 (en) | 2015-08-26 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2017037564A1 (en) | 2015-08-28 | 2017-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device |
JP2017050537A (ja) | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9911756B2 (en) | 2015-08-31 | 2018-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage |
JP6807683B2 (ja) | 2015-09-11 | 2021-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力パネル |
SG10201607278TA (en) | 2015-09-18 | 2017-04-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and electronic device |
JP2017063420A (ja) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN108140657A (zh) | 2015-09-30 | 2018-06-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及电子设备 |
WO2017064587A1 (en) | 2015-10-12 | 2017-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, input/output device, data processor, and method for manufacturing display panel |
WO2017064590A1 (en) | 2015-10-12 | 2017-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9852926B2 (en) | 2015-10-20 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device |
JP2017102904A (ja) | 2015-10-23 | 2017-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および電子機器 |
CN107077639A (zh) | 2015-10-23 | 2017-08-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及电子设备 |
US10007161B2 (en) | 2015-10-26 | 2018-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
SG10201608814YA (en) | 2015-10-29 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
US9773787B2 (en) | 2015-11-03 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device |
US9741400B2 (en) | 2015-11-05 | 2017-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device |
JP6796461B2 (ja) | 2015-11-18 | 2020-12-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、コンピュータ及び電子機器 |
US10170635B2 (en) | 2015-12-09 | 2019-01-01 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device, display device, display apparatus, and system |
JP6887243B2 (ja) | 2015-12-11 | 2021-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、半導体装置、電子機器及び半導ウエハ |
JP2018032839A (ja) | 2015-12-11 | 2018-03-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器 |
US10941924B2 (en) | 2015-12-15 | 2021-03-09 | Wangs Alliance Corporation | LED lighting methods and apparatus |
US10050152B2 (en) | 2015-12-16 | 2018-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
WO2017103731A1 (en) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
US10177142B2 (en) | 2015-12-25 | 2019-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device |
CN108475699B (zh) | 2015-12-28 | 2021-11-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、包括该半导体装置的显示装置 |
JP6851814B2 (ja) | 2015-12-29 | 2021-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
KR20180099725A (ko) | 2015-12-29 | 2018-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 금속 산화물막 및 반도체 장치 |
JP2017135698A (ja) | 2015-12-29 | 2017-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、コンピュータ及び電子機器 |
JP6827328B2 (ja) | 2016-01-15 | 2021-02-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
WO2017125796A1 (ja) | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 金属酸化物膜、半導体装置、及び表示装置 |
US9905657B2 (en) | 2016-01-20 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US9887010B2 (en) | 2016-01-21 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, memory device, and driving method thereof |
US10411013B2 (en) | 2016-01-22 | 2019-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and memory device |
US10700212B2 (en) | 2016-01-28 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor wafer, module, electronic device, and manufacturing method thereof |
US10115741B2 (en) | 2016-02-05 | 2018-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US10250247B2 (en) | 2016-02-10 | 2019-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
JP6970511B2 (ja) | 2016-02-12 | 2021-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
WO2017137869A1 (en) | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
US9954003B2 (en) | 2016-02-17 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
WO2017149413A1 (en) | 2016-03-04 | 2017-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10263114B2 (en) | 2016-03-04 | 2019-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same |
KR20180124874A (ko) | 2016-03-04 | 2018-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 그 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
JP6904730B2 (ja) | 2016-03-08 | 2021-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
US9882064B2 (en) | 2016-03-10 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and electronic device |
WO2017159702A1 (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
US10096720B2 (en) | 2016-03-25 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
WO2017168283A1 (ja) | 2016-04-01 | 2017-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 複合酸化物半導体、当該複合酸化物半導体を用いた半導体装置、当該半導体装置を有する表示装置 |
WO2017178923A1 (en) | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
US10236875B2 (en) | 2016-04-15 | 2019-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for operating the semiconductor device |
US20170350752A1 (en) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | Ventsislav Metodiev Lavchiev | Light emitting structures and systems on the basis of group iv material(s) for the ultraviolet and visible spectral ranges |
WO2017199130A1 (en) | 2016-05-19 | 2017-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite oxide semiconductor and transistor |
CN109196656B (zh) | 2016-06-03 | 2022-04-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 金属氧化物及场效应晶体管 |
KR102330605B1 (ko) | 2016-06-22 | 2021-11-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US10411003B2 (en) | 2016-10-14 | 2019-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN108109592B (zh) | 2016-11-25 | 2022-01-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其工作方法 |
US10756118B2 (en) | 2016-11-30 | 2020-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, display module, and electronic device |
WO2019025893A1 (ja) | 2017-07-31 | 2019-02-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
JP6782211B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-11 | 株式会社東芝 | 透明電極、それを用いた素子、および素子の製造方法 |
CN110048010A (zh) * | 2018-01-15 | 2019-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光场效应晶体管以及显示面板 |
WO2019175704A1 (ja) | 2018-03-16 | 2019-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気モジュール、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、電気モジュールの作製方法 |
JP7143601B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2022-09-29 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム |
JPWO2020012276A1 (ja) | 2018-07-09 | 2021-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11948945B2 (en) | 2019-05-31 | 2024-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and wireless communication device with the semiconductor device |
CN110534549A (zh) * | 2019-08-08 | 2019-12-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 |
CN111863927B (zh) * | 2020-08-21 | 2023-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板和柔性显示装置 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3066944B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2000-07-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム |
JP3573363B2 (ja) | 1994-07-14 | 2004-10-06 | キヤノン株式会社 | 薄膜半導体太陽電池の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP3276930B2 (ja) * | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
US6909114B1 (en) * | 1998-11-17 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having LDD regions |
JP2000238332A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-05 | Canon Inc | 露光装置及び記録装置 |
JP2002289859A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2003037268A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Minolta Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
EP1324156A1 (en) | 2001-12-25 | 2003-07-02 | Seiko Epson Corporation | Image forming apparatus with an organic electrolumluminescent array exposure head |
JP2002319682A (ja) * | 2002-01-04 | 2002-10-31 | Japan Science & Technology Corp | トランジスタ及び半導体装置 |
JP4242097B2 (ja) * | 2002-01-08 | 2009-03-18 | シャープ株式会社 | 画像形成装置 |
JP4246949B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2009-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機薄膜発光トランジスタ |
JP2003298062A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
US7189992B2 (en) * | 2002-05-21 | 2007-03-13 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures having a transparent channel |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
CN100369267C (zh) * | 2002-05-22 | 2008-02-13 | 夏普株式会社 | 半导体装置及采用其的显示装置 |
US7067843B2 (en) * | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
US7250930B2 (en) * | 2003-02-07 | 2007-07-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transparent active-matrix display |
US20050017244A1 (en) * | 2003-07-25 | 2005-01-27 | Randy Hoffman | Semiconductor device |
US7242039B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-07-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US8314420B2 (en) | 2004-03-12 | 2012-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device with multiple component oxide channel |
US7250627B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-07-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7642573B2 (en) | 2004-03-12 | 2010-01-05 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
EP1812969B1 (en) * | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
BRPI0517560B8 (pt) | 2004-11-10 | 2018-12-11 | Canon Kk | transistor de efeito de campo |
JP2007264214A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及びコーティング剤組成物 |
-
2005
- 2005-11-09 WO PCT/JP2005/020981 patent/WO2006051994A2/en active Application Filing
- 2005-11-09 CN CN2005800383031A patent/CN101057333B/zh active Active
- 2005-11-09 KR KR1020077012875A patent/KR20070085879A/ko active Application Filing
- 2005-11-09 EP EP05806767.9A patent/EP1810335B1/en active Active
- 2005-11-09 KR KR1020097016244A patent/KR100953596B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-09 RU RU2007121701/28A patent/RU2358354C2/ru active
- 2005-11-09 US US11/269,768 patent/US7872259B2/en active Active
- 2005-11-09 AU AU2005302963A patent/AU2005302963B2/en active Active
- 2005-11-09 CA CA2585063A patent/CA2585063C/en active Active
- 2005-11-09 JP JP2005325367A patent/JP5118811B2/ja active Active
-
2010
- 2010-09-15 US US12/882,628 patent/US8212252B2/en active Active
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2546959C2 (ru) * | 2009-06-19 | 2015-04-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Способ и устройство для возбуждения oled-устройства |
RU2616561C2 (ru) * | 2012-10-18 | 2017-04-17 | Джи-СМАТТ КО., ЛТД. | Прозрачное электронное дисплейное табло, способное производить равномерный оптический выход |
US11719422B2 (en) | 2015-12-15 | 2023-08-08 | Wangs Alliance Corporation | LED lighting methods and apparatus |
US11940135B2 (en) | 2015-12-15 | 2024-03-26 | Wangs Alliance Corporation | LED lighting methods and apparatus |
US11274816B2 (en) | 2015-12-15 | 2022-03-15 | Wangs Alliance Corporation | LED lighting methods and apparatus |
US11280483B2 (en) | 2015-12-15 | 2022-03-22 | Wangs Alliance Corporation | Led lighting methods and apparatus |
US11408597B2 (en) | 2015-12-15 | 2022-08-09 | Wangs Alliance Corporation | LED lighting methods and apparatus |
US11892150B2 (en) | 2015-12-15 | 2024-02-06 | Wangs Alliance Corporation | LED lighting methods and apparatus |
US11460177B2 (en) | 2015-12-15 | 2022-10-04 | Wangs Alliance Corporation | LED lighting methods and apparatus |
US11686459B2 (en) | 2015-12-15 | 2023-06-27 | Wangs Alliance Corporation | LED lighting methods and apparatus |
US11812525B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-11-07 | Wangs Alliance Corporation | Methods and apparatus for controlling the current supplied to light emitting diodes |
US11466821B2 (en) | 2019-12-31 | 2022-10-11 | Jiangsu Sur Lighting Co., Ltd. | Lamp module group |
US11598517B2 (en) | 2019-12-31 | 2023-03-07 | Lumien Enterprise, Inc. | Electronic module group |
US11162651B2 (en) | 2019-12-31 | 2021-11-02 | Jiangsu Sur Lighting Co., Ltd | Lamp module group |
US11959601B2 (en) | 2019-12-31 | 2024-04-16 | Lumien Enterprise, Inc. | Lamp module group |
US11421837B2 (en) | 2020-04-23 | 2022-08-23 | Jiangsu Sur Lighting Co., Ltd. | Spotlight structure |
US11802682B1 (en) | 2022-08-29 | 2023-10-31 | Wangs Alliance Corporation | Modular articulating lighting |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2005302963A1 (en) | 2006-05-18 |
US20060113549A1 (en) | 2006-06-01 |
EP1810335A2 (en) | 2007-07-25 |
KR20070085879A (ko) | 2007-08-27 |
WO2006051994A3 (en) | 2006-07-06 |
CN101057333A (zh) | 2007-10-17 |
KR20090106591A (ko) | 2009-10-09 |
US20110017996A1 (en) | 2011-01-27 |
US7872259B2 (en) | 2011-01-18 |
JP2006186319A (ja) | 2006-07-13 |
WO2006051994A2 (en) | 2006-05-18 |
CA2585063A1 (en) | 2006-05-18 |
RU2007121701A (ru) | 2008-12-20 |
US8212252B2 (en) | 2012-07-03 |
KR100953596B1 (ko) | 2010-04-21 |
CN101057333B (zh) | 2011-11-16 |
AU2005302963B2 (en) | 2009-07-02 |
JP5118811B2 (ja) | 2013-01-16 |
BRPI0517562A (pt) | 2008-10-14 |
CA2585063C (en) | 2013-01-15 |
EP1810335B1 (en) | 2020-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2358354C2 (ru) | Светоизлучающее устройство | |
JP5016831B2 (ja) | 酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた発光素子及びこれを用いた画像表示装置 | |
JP4732080B2 (ja) | 発光素子 | |
RU2400865C2 (ru) | Полевой транзистор, использующий оксидную пленку для передачи информации, и способ его изготовления | |
RU2358355C2 (ru) | Полевой транзистор | |
JP5105842B2 (ja) | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 | |
RU2399989C2 (ru) | Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием | |
JP5508555B2 (ja) | ディスプレイ | |
JP5401570B2 (ja) | 画像表示装置 | |
JP5258467B2 (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 | |
JP2008276211A (ja) | 有機電界発光表示装置およびパターニング方法 | |
JP2008276212A (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
JP2006165528A (ja) | 画像表示装置 | |
RU2702802C1 (ru) | Полевой транзистор, отображающий элемент, устройство отображения изображения и система | |
JPH07153576A (ja) | 有機電界発光パネル | |
JP5553868B2 (ja) | 酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法 | |
JPH07122362A (ja) | 有機電界発光パネル | |
BRPI0517562B1 (pt) | Dispositivo emissor de luz, dispositivo eletrofotográfico, dispositivo de exibição de matriz ativa, e, artigo de exibição |