TWI569041B - 顯示裝置 - Google Patents

顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI569041B
TWI569041B TW101103244A TW101103244A TWI569041B TW I569041 B TWI569041 B TW I569041B TW 101103244 A TW101103244 A TW 101103244A TW 101103244 A TW101103244 A TW 101103244A TW I569041 B TWI569041 B TW I569041B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
shutter
panel
display device
pixel
Prior art date
Application number
TW101103244A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201248199A (en
Inventor
平形吉晴
小山潤
山崎舜平
Original Assignee
半導體能源研究所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 半導體能源研究所股份有限公司 filed Critical 半導體能源研究所股份有限公司
Publication of TW201248199A publication Critical patent/TW201248199A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI569041B publication Critical patent/TWI569041B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00—Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/30—Image reproducers
    • H04N13/302—Image reproducers for viewing without the aid of special glasses, i.e. using autostereoscopic displays
    • H04N13/31—Image reproducers for viewing without the aid of special glasses, i.e. using autostereoscopic displays using parallax barriers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B30/00—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images
    • G02B30/20—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images by providing first and second parallax images to an observer's left and right eyes
    • G02B30/26—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images by providing first and second parallax images to an observer's left and right eyes of the autostereoscopic type
    • G02B30/30—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images by providing first and second parallax images to an observer's left and right eyes of the autostereoscopic type involving parallax barriers
    • G02B30/31—Optical systems or apparatus for producing three-dimensional [3D] effects, e.g. stereoscopic images by providing first and second parallax images to an observer's left and right eyes of the autostereoscopic type involving parallax barriers involving active parallax barriers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/001—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes using specific devices not provided for in groups G09G3/02 - G09G3/36, e.g. using an intermediate record carrier such as a film slide; Projection systems; Display of non-alphanumerical information, solely or in combination with alphanumerical information, e.g. digital display on projected diapositive as background
    • G09G3/003—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes using specific devices not provided for in groups G09G3/02 - G09G3/36, e.g. using an intermediate record carrier such as a film slide; Projection systems; Display of non-alphanumerical information, solely or in combination with alphanumerical information, e.g. digital display on projected diapositive as background to produce spatial visual effects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00—Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/30—Image reproducers
    • H04N13/324—Colour aspects
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00—Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/30—Image reproducers
    • H04N13/356—Image reproducers having separate monoscopic and stereoscopic modes
    • H04N13/359—Switching between monoscopic and stereoscopic modes
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00—Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/30—Image reproducers
    • H04N13/361—Reproducing mixed stereoscopic images; Reproducing mixed monoscopic and stereoscopic images, e.g. a stereoscopic image overlay window on a monoscopic image background
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1347—Arrangement of liquid crystal layers or cells in which the final condition of one light beam is achieved by the addition of the effects of two or more layers or cells
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N2213/00—Details of stereoscopic systems
    • H04N2213/001—Constructional or mechanical details

Description

顯示裝置
本發明有關顯示裝置。特別地，本發明有關能顯示三維(3D)影像的顯示裝置。
3D顯示裝置的市場正在擴大。當使用者藉由雙眼而觀看3D物體時所發生之由雙眼所看到的視網膜像中之差異(雙目視差)被產生於顯示裝置中，以致可顯示出3D影像。使用該雙目視差而透過各式各樣顯示方法的3D顯示裝置已被發展出且予以商業化。在該等顯示裝置中，諸如個人數位助理或攜帶式遊戲機之小的顯示裝置主要採用直視式顯示方法，而使用諸如視差阻障、雙面凸狀透鏡、或微透鏡陣列之光學系統。
例如，專利文獻1揭示用以藉由視差阻障而顯示3D影像的技術，使得右眼看到用於右眼的影像以及左眼看到用於左眼的影像。
[參考文件]
專利文獻1：日本公開專利申請案第8-036145號
本發明之一實施例的目的在於提供能顯示3D影像及二維(2D)影像二者之顯示裝置。
本發明之一實施例係顯示裝置，其包含顯示面板，包 括複數個像素區，配置於矩陣中；以及遮光面板，包括複數個光閘區，配置於矩陣中。該光閘區包括開關及液晶元件，該液晶元件的透光係根據透過該開關所輸入之信號而予以選擇。該遮光面板係設置於其中光自該顯示面板所發射出的方向中。
顯示面板藉由控制液晶的配向而顯示影像。包含該顯示面板的顯示裝置亦係本發明之一實施例。
顯示裝置包含顯示面板，包括複數個像素區，配置於矩陣中；以及遮光面板，包括複數個光閘區，配置於矩陣中。該像素區包括發光元件及濾色片，該發光元件係藉由有機電發光而發射出白色光，以及該濾色片係用以透射包含於該發光元件所發射出之白色光中的特定波長範圍中的光，且用以改變該白色光成為具有彩色的光。該光閘區包括開關及液晶元件，該液晶元件的透光係根據透過該開關所輸入之信號而予以選擇。該遮光面板係設置於其中光自該顯示面板所發射出的方向中。此顯示裝置亦係本發明之一實施例。
顯示裝置包含顯示面板，包括複數個像素區，配置於矩陣中，以及遮光面板，包括複數個光閘區，配置於矩陣中。該像素區包括發光元件，藉由有機電發光而發射出具有彩色的光。該光閘區包括開關及液晶元件，該液晶元件的透光係根據透過該開關所輸入之信號而予以選擇。該遮光面板係設置於其中光自該顯示面板所發射出的方向中。此顯示裝置亦係本發明之一實施例。
在依據本發明一實施例之顯示裝置中，雙目視差可藉由遮光面板所產生。進一步地，遮光面板可在複數個濾光片區的每一者中選擇是否要透射來自顯示面板所發射出的光。因此，在該顯示裝置中，可提供其中產生雙目視差的一些區域。因而，依據本發明一實施例之顯示裝置可顯示3D影像及2D影像二者。
將參照圖式來詳細敍述本發明之實施例及實例於下文。注意的是，本發明並未受限於以下之說明。熟習於本項技藝之該等人士將立即理解的是，本發明的模式及細節可以以各式各樣方式來加以修正，而不會背離本發明之精神及範疇。因此，本發明不應被解讀成為受限於下文之實施例和實例的說明。
首先，將參照第1A及1B圖以及第2A及2B圖來敍述依據本發明之一實施例的顯示裝置。
<顯示裝置的結構實例>
第1A圖係描繪依據本發明一實施例之顯示裝置的示意圖。在第1A圖中之顯示裝置包含顯示面板10及遮光面板20，顯示面板10包含配置於矩陣中之複數個像素區100，以及遮光面板20包含配置於矩陣中之複數個光閘區200。注意的是，遮光面板20係設置於其中光自顯示面板10所發射出的方向中。該遮光面板20可以以該複數個光 閘區200的每一者來阻隔使用者所觀視之影像的顯示。注意的是，在此，遮光面板20並不阻隔除了該複數個光閘區200之外的區域中之由使用者所觀視之影像的顯示。進一步地，在第1A圖中，於該遮光面板20中之點線指示其中設置在顯示面板10中之像素區100中的影像被集中於上之區域。
注意的是，做為第1A圖中之顯示面板10，可使用藉由控制液晶的配向而顯示影像之面板(此面板亦稱為液晶顯示裝置)，藉由有機電發光(亦稱為有機EL)而顯示影像之面板(此面板亦稱為EL顯示裝置)，或其類似物。進一步地，做為第1A圖中之遮光面板20，可使用用以選擇光是否要藉由控制液晶的配向而予以阻隔之面板，用以選擇光是否要透過做為光閘之微電機機械系統(MEMS)的使用而予以阻隔之面板，或其類似物。
第1B圖係示意圖，而描繪沿著斷線A-B所取得之第1A圖中之顯示裝置的結構。光閘區200係設置使得當使用者自特定的距離而觀看顯示裝置時，則左眼31及右眼32的其中一者直接觀視特定像素區100中之影像(無需光閘區200)，且該左眼31及該右眼32的另一者透過光閘區200而觀視特定像素區100中之影像。特別地，當使用者自特定的距離而觀看顯示裝置時，則左眼31直接觀視到像素區100a中之影像且右眼32透過光閘區200a而觀視到像素區100a中之影像。因此，使用者的眼睛可在當像素區100a中之影像的顯示並未被阻隔於光閘區200a之 中時觀視到像素區100a中之影像，或僅使用者的左眼31可在當像素區100a中之影像的顯示被阻隔於光閘區200a之中時觀視到像素區100a中之影像。
簡言之，該複數個光閘區各自具有選擇左眼是否觀視到特定像素區中之影像的功能，以及選擇右眼是否觀視到鄰接於該特定像素區的像素區中之影像的功能。注意的是，該複數個光閘區係在光閘區與該二像素區(其中影像是否由左眼所觀視係藉由光閘所選擇的像素區，及其中影像是否由右眼所觀視係藉由光閘所選擇的像素區)之間的位置關係中不同。特別地，像素區100a及像素區100b係其中影像是否由左眼31或右眼32所觀視係藉由光閘區200a所選擇的像素區，以及像素區100c及像素區100d係其中影像是否由左眼31或右眼32所觀視係藉由光閘區200b所選擇的像素區。從第1B圖呈明顯的是，光閘區200a與像素區100a及100b之間的位置關係係和光閘區200b與像素區100c及100d之間的位置關係不同。例如，在第1B圖中，起始自符號a的箭頭指示像素區100a與像素區100b的中央，以及起始自符號b的箭頭指示像素區100c與像素區100d的中央。顯然地，從起始自符號a的箭頭會到達光閘區200a以及起始自符號b的箭頭並不會到達光閘區200b的事實來看，該等位置關係係不同的。
注意的是，為了要顯示將於稍後被敘述的3D影像，雖然包含於特定區中的光閘區與對應的二像素區之間的位 置關係係共同的，但複數個光閘區應在光閘區與對應的二像素區之間的位置關係中不同，或包含於特定區中的光閘區與對應的二像素區之間的位置關係應與包含於除了該特定區外之區域中的光閘區與對應的二像素區之間的位置關係不同，則係必要的。例如，在螢幕中央的光閘區與對應的二像素區之間的位置關係應與包含在螢幕末端處的光閘區與對應的二像素區之間的位置關係不同，係必要的。在此，該等位置關係係根據規格(例如，使用者之眼睛距離的假設)而改變。注意的是，為了要顯示3D影像，必要地，光閘區的節距(由第1B圖中的d1所指示)應小於鄰接之二像素區的節距(由第1B圖中的d2所指示)。簡言之，自設置在遮光面板中之所有光閘區的一末端至另一末端的距離應比自設置在顯示面板中之所有像素區的一末端至另一末端的距離更短。
注意的是，在上一段落中之“雖然包含於特定區中的光閘區與對應的二像素區之間的位置關係係共同的，但包含於特定區中的光閘區與對應的二像素區之間的位置關係應與包含於除了該特定區外之區域中的光閘區與對應的二像素區之間的位置關係不同”的表達之意義係如下。例如，雖然在顯示裝置中的“數百對之光閘區與對應的二像素區之間的位置關係”係共同的，但該數百對之共同的位置關係係與“除了該數百對之外的一對之光閘區與對應的二像素區之間的位置關係”不同。
第2A圖係描繪第1A圖中之顯示裝置的特定操作狀 態之示意圖。於第2A圖中的操作狀態中，在包含於顯示面板10中的複數個像素區100之中，於其中使用者透過遮光面板20中的區域20a而觀視影像的像素區100中，係顯示用於左眼的3D影像(L)或用於右眼的3D影像(R)，且在除了該區域之外的像素區100中，係顯示2D影像。然後，影像的顯示係阻隔於遮光面板20之區域20a中的複數個光閘區200中，且影像的顯示並未阻隔於除了該區域20a之外的區域中。特別地，在該等光閘區200的每一者中，影像的顯示係阻隔使得在橫向方向中(在其中使用者的左眼與右眼之間的視差存在的方向中)之彼此互相鄰接的二像素區100中，使用者的右眼32不會觀視到其中被設置在左側且顯示用於左眼之3D影像(L)的像素區100中之影像，且使用者的左眼31不會觀視到其中被設置在右側且顯示用於右眼之3D影像(R)的像素區100中之影像。因此，可將3D影像顯示於特定區(區域20a)之中。因而，依據本發明一實施例之顯示裝置可顯示3D影像於區域20a中及2D影像於除了區域20a之外的區域中(請參閱第2B圖)。
<顯示裝置的修正實例>
依據本發明之一實施例的顯示裝置並未受限於第1A圖中之顯示裝置。例如，在第3A至3C圖中之任一顯示裝置可使用做為依據本發明之一實施例的顯示裝置。
在第3A圖中之顯示裝置係與第1A圖中之顯示裝置 不同，其中在遮光面板20中之光閘區係以條狀圖案而配置。進一步地，在第3A圖中之顯示裝置的操作狀態係與第2A圖中之顯示裝置的操作狀態不同，其中當第3A圖中之顯示裝置顯示3D影像時，則用於左眼的3D影像(L)或用於右眼的3D影像(R)係在以矩陣所配置之複數個像素區中每一行地顯示於顯示面板10之上。
在第3B圖中之顯示裝置係與第1A圖中之顯示裝置不同，其中在顯示面板10中之複數個像素區係以三角圖案而配置。
在第3C圖中之顯示裝置係與第1A圖中之顯示裝置不同，其中數目係與顯示面板10的像素區100中之光閘區的數目相同或實質相同的光閘區係設置於遮光面板20中。在第3C圖中的顯示裝置中，顯示面板10僅可在存在於特定區中的像素區100之中顯示影像。因此，當與第1A圖中之顯示裝置相較時，可降低3D影像之顯示期間的串音。
<顯示面板10的第一特定實例>
將參照第4A至4C圖來敘述顯示面板10的特定實例。注意的是，第4A圖係像素區100的橫剖面視圖，該像素區100包含發光元件及濾色片，該發光元件係藉由有機電發光而發射出白色光，以及該濾色片可透射包含於自該發光元件所發射出之白色光中的特定波長範圍中的光且改變該白色光成為具有彩色的光。第4B及4C圖係第4A 圖中之像素區100的平面視圖。
在第4A圖中的顯示面板係以第4A圖中之箭頭所示的方向發射出光(顯示影像)。也就是說，該顯示面板具有所謂頂部發射結構，其中光係透過第二基板251，而非透過設置有發光層218之第一基板201來予以發射出。注意的是，發光層218係藉由有機電發光而發射出白色光。
第4B圖係自透射反射電極層219側所觀察之第一基板201的平面視圖，以及第4C圖係自遮光膜252側所觀察之第二基板251的平面視圖。注意的是，第4A圖係沿著第4B及4C圖中之斷線A1-A2所取得的橫剖面視圖。在第4B及4C圖中的平面視圖中，某些組件(例如，發光層218)係為了要避免複雜之視圖，而未予以描繪。
如第4A圖中所描繪地，藍色像素240a、綠色像素240b、及紅色像素240c係設置於第一基板201與第二基板251之間。進一步地，用以控制發光元件之驅動的電晶體230及電性連接至電晶體230的反射電極層214係設置於第一基板201上。
注意的是，在此，藍色像素240a包含具有發射強度於藍色區中的發光元件，綠色像素240b包含具有發射強度於綠色區中的發光元件，以及紅色像素240c包含具有發射強度於紅色區中的發光元件。該等發光元件作用成為要增強所欲之發射光譜的微光腔。
在藍色像素240a中，做為具有發射強度於藍色區中的發光元件，發光層218係直接形成於反射電極層214 上，且透射反射電極層219係形成於發光層218上。
在綠色像素240b中，做為具有發射強度於綠色區中的發光元件，第一透明電極層220a係形成於反射電極層214上，發光層218係形成於第一透明電極層220a上，以及透射反射電極層219係形成於發光層218上。
在紅色像素240c中，做為具有發射強度於紅色區中的發光元件，第二透明電極層220b係形成於反射電極層214上，發光層218係形成於第二透明電極層220b上，以及透射反射電極層219係形成於發光層218上。
以此方式，在反射電極層214與透射反射電極層219之間的結構中，該等像素(藍色像素240a，綠色像素240b，及紅色像素240c)的發光元件係不同的。
第二基板251係設置有遮光膜252、濾色片254、及塗層256，該遮光膜252作用成為黑色矩陣。濾色片254係彩色層，其透射來自該等發光元件所發射出之彩色(藍色、綠色、及紅色)的光且發射來自發光層218的光至第二基板251側。
在此方式中，可謂的是，當改變反射電極層214與透射反射電極層219之間的光學路徑長度時，則在光學距離中，該等像素(藍色像素240a，綠色像素240b，及紅色像素240c)的發光元件係不同的。此光學距離可係光學路徑長度，而用於每一個像素之發光元件所需的光譜可透過其而藉由共振效應所放大。僅在設置於藍色像素240a中之具有發射強度於藍色區中的發光元件中，發光層218係直 接形成於反射電極層214上，且透射反射電極層219係形成於發光層218上。換言之，並不形成透明電極層(第一透明電極層220a及第二透明電極層220b)。
透過此結構，透明電極層無需被形成於藍色像素240a中；因此，可降低步驟的數目以及成本。
注意的是，在第一基板201與第二基板251之間的空間260上並無特殊的限制，只要該空間260可透射光即可。較佳地，該空間260應以透光材料充填，而該透光材料的折射率高於空氣的折射率。在其中該折射率係低的情況中，以傾斜方向而自發光層218所發射出的光會進一步受到該空間260所折射，且在某些情況中，光會從鄰接的像素發射出。因此，例如，該空間260可充填以具有高的折射率且能彼此互相接合第一基板201及第二基板251之透光黏著劑。選擇性地，可使用諸如氮或氬之惰性氣體或其類似物。
接著，將敘述第4A至4C圖中之顯示面板的細節以及用以製造該顯示面板的方法。
首先，將敘述用以形成第一基板201的方法於下文，該第一基板201係設置有用以控制發光元件的驅動之電晶體230、發光層218、及其類似物。
形成導電層於具有絕緣表面的第一基板201之上，且然後，執行第一微影術處理，以致使阻體遮罩形成。將該導電層的不必要部分蝕刻掉，使得閘極電極層202形成。蝕刻係較佳地執行，以致使閘極電極層202的末端部分係 如第4A圖中所描繪地成錐狀，因為可增進與其上所堆疊之膜的作用範圍。
雖然在其中可使用做為第一基板201的基板上並無特殊的限制，但該基板必須具有至少足以耐受將於稍後被執行的熱處理之高的熱阻。例如，可使用玻璃基板做為第一基板201。
在其中將於稍後被執行的熱處理之溫度係高的情況中，其中應變點係730℃或更高的玻璃基板係較佳地使用做為該玻璃基板。對於該玻璃基板，例如，可使用諸如鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、或鋇硼矽酸鹽玻璃之玻璃材料。注意的是，通常，藉由包含氧化鋇(BaO)比氧化硼(B2O3)更多，則可獲得更實用之熱阻的玻璃基板。因此，較佳地使用包含BaO比B2O3更多的玻璃基板。
注意的是，可使用諸如陶質物基板、石英基板、或藍寶石基板之使用絕緣體所形成之基板，以取代玻璃基板。選擇性地，可使用晶體化玻璃或其類似物。該顯示面板具有其中光係透過第二基板251而被提取之頂部發射結構；因此，可使用諸如金屬基板之不透光基板做為第一基板201。
可將用作基底膜的絕緣膜設置於第一基板201與閘極電極層202之間。該基底膜具有防止雜質元素自第一基板201擴散之功能，且可使用選自氮化矽膜、氧化矽膜、氧化氮化矽膜、及氮氧化矽膜之一或更多個膜而形成為具有單層的結構或成層的結構。
閘極電極層202可使用諸如鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、或鈧之金屬材料，或包含任何該等材料做為主要成分之合金材料，而形成為具有單層的結構或成層的結構。
接著，形成閘極絕緣層204於閘極電極層202之上。該閘極絕緣層204可藉由電漿增強CVD、濺鍍、或其類似方法，而形成為具有包含氧化矽層、氮化矽層、氮氧化矽層、氧化氮化矽層、或氧化鋁層之單層的結構或成層的結構。例如，氮氧化矽膜可使用SiH4及N2O做為沈積氣體，而藉由電漿增強CVD所形成。
接著，形成半導體層，且島狀之半導體層206係透過第二光微影術處理而予以形成。
半導體層206可使用矽半導體或氧化物半導體而形成。單晶矽，多晶矽，微晶矽，非晶矽，或其類似物可使用做為矽半導體。諸如In-Sn-Ga-Zn-O為主氧化物半導體之四成分金屬氧化物；諸如In-Ga-Zn-O為主氧化物半導體，In-Sn-Zn-O為主氧化物半導體，In-Al-Zn-O為主氧化物半導體，Sn-Ga-Zn-O為主氧化物半導體，Al-Ga-Zn-O為主氧化物半導體，或Sn-Al-Zn-O為主氧化物半導體之三成分金屬氧化物；諸如In-Zn-O為主氧化物半導體，Sn-Zn-O為主氧化物半導體，Al-Zn-O為主氧化物半導體，Zn-Mg-O為主氧化物半導體，Sn-Mg-O為主氧化物半導體，In-Mg-O為主氧化物半導體，或In-Ga-O為主氧化物半導體之二成分金屬氧化物；諸如In-O為主氧化物半 導體，Sn-O為主氧化物半導體，或Zn-O為主氧化物半導體之單一成分金屬氧化物；或其類似物可使用做為氧化物半導體。注意的是，在此說明書中，例如，In-Sn-Ga-Zn-O為主氧化物半導體係包含銦(In)、錫(Sn)、鎵(Ga)、及鋅(Zn)之金屬氧化物，且在其化學計量的比例上並無特殊的限制。該氧化物半導體可包含矽。較佳地，使用In-Ga-Zn-O為主金屬氧化物之氧化物半導體做為半導體層206，使得該半導體層具有低的截止狀態電流，因為可降低截止狀態中之漏電流。
接著，形成導電膜於閘極絕緣層204及半導體層206之上，且源極及汲極電極層208係透過第三光微影術處理而形成。
做為使用於源極及汲極電極層208之導電膜，例如，可使用包含選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、或W之元素的金屬膜，包含上述元素做為主要成分之金屬氮化物膜(例如，氮化鈦膜、氮化鉬膜、或氮化鎢膜)，或其類似物。選擇性地，可將諸如Ti、Mo、或W之高熔點金屬的膜或其金屬氮化物膜(諸如，氮化鈦膜、氮化鉬膜、或氮化鎢膜)形成於Al、Cu、或其類似物之金屬膜的上面或/及下面。選擇性地，使用於源極及汲極電極層208之導電膜可使用導電性金屬氧化物而形成。氧化銦(In2O3)，氧化錫(SnO2)，氧化鋅(ZnO)，ITO，氧化銦和氧化鋅的合金(In2O3-ZnO)，或包含氧化矽之任何該等金屬氧化物材料可使用做為該導電性金屬氧化物。
接著，形成絕緣層210於半導體層206以及源極及汲極電極層208之上。諸如氧化矽膜或氮氧化矽膜之無機絕緣膜可使用做為該絕緣層210。
然後，形成絕緣層212於絕緣層210之上。
做為絕緣層212，較佳地選擇具有平坦化功能的絕緣膜，以便降低由於電晶體所造成之表面不平坦。例如，可使用諸如聚醯乙胺、丙烯酸、或苯并環丁烯之有機材料。除了該等有機材料之外，可使用低電介質常數之材料(低k之材料)或其類似物。注意的是，絕緣層212可藉由複數個使用該等材料所形成之絕緣膜的堆疊而予以形成。
接著，透過第四光微影術處理而形成到達源極及汲極電極層208的開口於絕緣層212及絕緣層210之中。做為該開口的形成方法，可適當地選擇乾蝕刻、濕蝕刻、或其類似蝕刻。
接著，形成導電膜於絕緣層212以及源極及汲極電極層208之上，且透過第五光微影術處理而形成反射電極層214。
對於反射電極層214，較佳地使用可有效率地反射來自發光層218所發射出之光的材料，因為可增進光提取效率。注意的是，該反射電極層214可具有成層的結構。例如，可在其中和發光層218接觸之側形成薄的金屬氧化物、鈦、或其類似物之導電膜，或可使用具有高反射比的金屬膜(鋁，包含鋁的合金、銀、或其類似物之膜)於與其中和發光層218接觸之側相反的側。此結構係較佳的，因 為可抑制發光層218與具有高反射比的金屬膜(鋁，包含鋁的合金，銀，或其類似物之膜)間之絕緣膜的形成。
接著，形成透明導電膜於反射電極層214上，且第一透明電極層220a係透過第六光微影術處理而形成。
然後，形成透明導電膜於反射電極層214及第一透明電極層220a上，且第二透明電極層220b係透過第七光微影術處理而形成。注意的是，僅只在藍色像素240a中，不形成第一透明電極層及第二透明電極層。
氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、ITO、氧化銦和氧化鋅的合金(In2O3-ZnO)，或包含氧化矽之任何該等金屬氧化物材料可使用做為其中可使用於第一透明電極層220a及第二透明電極層220b之材料。
注意的是，用以形成第一透明電極層220a及第二透明電極層220b之方法並未受限於此。例如，可使用其中形成具有用於第二透明電極層220b所需之厚度的透明導電膜，僅使將成為第一透明電極層220a的一部分接收乾蝕刻、濕蝕刻、或其類似蝕刻，以及將該透明導電膜去除至第一透明電極層220a所需之厚度的方法。進一步地，第二透明電極層220b可具有具備用於第一透明電極層220a所使用之透明導電膜的成層結構。
透過其中僅在藍色像素240a中不形成透明電極層的結構，可減少遮罩的數目，且可藉由減少不必要的步驟而降低成本。
然後，形成隔板216於反射電極層214、第一透明電 極層220a、及第二透明電極層220b之上。
隔板216係使用有機絕緣材料或無機絕緣材料而形成。尤其，較佳的是，隔板216應使用光敏樹脂材料而形成，以具有開口於藍色像素240a中的反射電極層214上、開口於綠色像素240b中的第一透明電極層220a上、及開口於紅色像素240c中的第二透明電極層220b上，使得該等開口的側壁具有具備連續曲率之傾斜表面。
然後，形成發光層218於反射電極層214、第一透明電極層220a、第二透明電極層220b、及隔板216之上。該發光層218可具有單層結構或成層結構，且較佳地，由發光層218所發射出的光係具有峯值於紅色、綠色、及藍色波長區的每一者之中的光。
接著，形成透射反射電極層219於發光層218之上。
注意的是，反射電極層214及透射反射電極層219的其中一者作用成為發光層218的陽極，且反射電極層214及透射反射電極層219的另一者作用成為發光層218的陰極。較佳地，使用具有高功函數之物質於作用成為陽極的電極層，以及使用具有低功函數之物質於作用成為陰極的電極層。
透過上述步驟，可形成設置有用以控制發光元件之驅動的電晶體230及發光層218之第一基板201。
接著，將敘述用以形成設置有遮光膜252、濾光片254、及塗層256之第二基板251的方法於下文。
首先，導電膜係形成於第二基板251上，且遮光膜 252係透過第八光微影術處理而形成。該遮光膜252可防止該等像素之間的混色。注意的是，該遮光膜252無需一定被設置。
鈦、鉻、或其類似物之具有低反射比的金屬膜，浸漬以黑色顏料或黑色染料之有機樹脂膜，或其類似物可使用做為遮光膜252。
然後，形成濾色片254於第二基板251及遮光膜252之上。
濾色片254係用以透射特定波長範圍中之光的著色層。例如，可使用用以透射紅色波長範圍中之光的紅色(R)濾色片，用以透射綠色波長範圍中之光的綠色(G)濾色片，用以透射藍色波長範圍中之光的藍色(B)濾色片，或其類似物。每一個濾色片係藉由印刷法、噴墨法、使用光微影術技術之蝕刻、或其類似方法，而在所欲位置中以已知的材料來予以形成。
在此，係敘述使用R、G、及B之三色的方法；然而，本發明並未受限於此。可使用其中使用R、G、B、及Y(黃色)之四色的結構，或其中使用五或更多個色的結構。
接著，形成塗層256於遮光膜252及濾色片254之上。該塗層256可使用丙烯酸、聚醯乙胺、或其類似物而形成。該塗層256可防止包含於濾色片254中的雜質成分或其類似物擴散至發光層218側之內。進一步地，該塗層256可具有有機樹脂膜及無機膜之成層結構。氮化矽、氧 化矽、或其類似物可使用於無機絕緣膜。注意的是，可不提供該塗層256。
透過上述步驟，可形成設置有遮光膜252、濾色片254、及塗層256之第二基板251。
進一步地，使第一基板201與第二基板251彼此互相對齊且附著，而成為顯示面板。在用以使第一基板201與第二基板251彼此互相附著的方法上並無特殊的限制，且第一基板201及第二基板251可以以例如，折射率高之透光黏著劑而予以彼此互相附著。
如上述地，在顯示面板中，光學距離係在發光元件與包含具有發射強度於藍色區中之發光元件的藍色像素、包含具有發射強度於綠色區中之發光元件的綠色像素、及包含具有發射強度於紅色區中之發光元件的紅色像素之間改變。當所欲之光譜係藉由每一個發光元件中的微光腔所增強時，則可獲得具有高的色純度之顯示面板。進一步地，因為僅包含發射藍色波長之光的發光元件之藍色像素不包含透明電極層，所以可降低步驟的數目及成本。
注意的是，在此，係敘述其中發射出白色光的發光元件與濾色片(CF)係結合使用之具有頂部發射(TE)結構(下文中將縮寫為白色+CF+TE結構)的顯示面板；然而，可使用其中發光元件係藉由分離著色法所形成之具有頂部發射(TE)結構(下文中將稱為分離著色+TE結構)的顯示面板做為該顯示面板。該分離著色法係用以藉由氣相沈積或其類似方式而分離著色像素中之R，G，及B材料的方法。
在此，將敘述具有白色+CF+TE結構之顯示面板與具有分離著色+TE結構之顯示面板間的比較於下文。
首先，在白色+CF+TE結構中，著色係使用濾色片而執行；因此，濾色片係必要的。對照地，在分離著色+TE結構中，著色係藉由氣相沈積或其類似方式以分離著色像素而形成；因此，不需要濾色片。因而，在分離著色+TE結構中，高的光亮度或低功率的驅動之光發射係可能的。
注意的是，雖然白色+CF+TE結構需要濾色片，但分離著色+TE結構需要金屬遮罩或其類似物以供分離著色之用。分離著色可藉由噴墨法或其類似方法所執行，而無需金屬遮罩；然而，因為許多技術的問題，所以不容易使用該方法。在其中使用金屬遮罩的情況中，氣相沈積材料亦係沈積在金屬遮罩上；因此，材料使用效率低且成本高。進一步地，該金屬遮罩係與發光元件接觸，以致使產能因為接觸所造成之對發光元件的損壞或刮痕、粒子、或其類似物的產生，而減低。因而，就製造成本或生產率而言，白色+CF+TE結構係較佳的。
此外，可自白色+CF+TE結構排除偏光板。對照地，分離著色+TE結構需要偏光板。在色純度中之藉由使用微光腔的增進可在白色+CF+TE結構及分離著色+TE結構二者之中達成。
在分離著色+TE結構中，必須分離著色該等像素且要提供用於分離著色所必要的區域於像素之間；因此，無法增加一像素的尺寸。因而，孔徑比會顯著地減少。對照 地，在白色+CF+TE結構中，並不需要提供用於分離著色所必要的區域於像素之間；因此，可增加一像素的尺寸。因而，可增進孔徑比。
在其中將顯示面板製成變大的情況中，用以製造出該顯示面板而無問題的技術係重要的。因為需要金屬遮罩以供分離著色之用且其中可與大的顯示面板相容之金屬遮罩及生產裝備的技術並未被建立，所以使用分離著色+TE結構係不容易的。即使建立其中可與大的顯示面板相容之金屬遮罩及生產裝備的技術，材料使用效率的問題，亦即，其中氣相沈積材料亦係沈積在金屬遮罩之上的事實，亦未被解決。對照地，白色+CF+TE結構係較佳的，因為並不需要金屬遮罩，且可使用習知之生產裝備而執行製造。
用以製造顯示面板的設備會大大地影響顯示面板的生產率。例如，在其中發光元件具有複數個膜之成層結構的情況中，較佳地，用以製造顯示面板的設備係同軸設備或多重室設備，且複數個氣相沈積源係一次或連續地形成於基板上。在分離著色+TE結構中，必須置換金屬遮罩以分離地著色像素且製造顯示面板，使得該等像素形成於所欲的位置。因為置換金屬遮罩，所以難以使用同軸製造設備或多重室製造設備。對照地，在白色+CF+TE結構中，因為無需金屬遮罩，所以易於使用同軸製造設備或多重室製造設備。
<顯示面板10的第二特定實例>
將參照第5A及5B圖來敘述顯示面板10的特定實例，其係與第4A至4C圖中之顯示面板10的特定實例不同。注意的是，第5A及5B圖係像素區100的橫剖面視圖，該像素區100包含發光元件及濾色片，該發光元件係藉由有機電發光而發射出白色光，以及該濾色片可透射包含於自該發光元件所發射出之白色光中的特定波長範圍中的光且改變該白色光成為具有彩色的光。
雖然第4A至4C圖中之顯示面板10具有其中光係自其中與設置有電晶體及發光元件之基板相反的表面而提取之頂部發射結構，但將敘述具有底部發射結構的顯示面板於下文。
將參照第5A圖來敘述具有底部發射結構的顯示面板10。
在第5A圖中，包含：第一基板300；第二基板350；電晶體330及發光元件320，其係保持於第一基板300與第二基板350之間；以及濾色片354，係設置於第一基板300的顯示表面(其中光自發光元件320所發射出之表面)側。
雖然在其中可使用做為第一基板300的基板上並無特殊的限制，但該基板必須具有至少足以耐受將於稍後被執行的熱處理之高的熱阻。例如，可使用玻璃基板做為第一基板300。
在其中將於稍後被執行的熱處理之溫度係高的情況中，其中應變點係730℃或更高的玻璃基板係較佳地使用 做為該玻璃基板。對於該玻璃基板，例如，可使用諸如鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、或鋇硼矽酸鹽玻璃之玻璃材料。注意的是，通常，藉由包含氧化鋇(BaO)比氧化硼(B2O3)更多，則可獲得更實用之熱阻的玻璃基板。因此，較佳地使用包含BaO比B2O3更多的玻璃基板。
電晶體330可以以與第4A圖中的電晶體230之方式相似的方式而形成。
發光元件320係形成於絕緣層310及隔板312上，該絕緣層310及隔板312係形成於電晶體330之上。發光層316及第二電極318係順序堆疊於第一電極314之上，該第一電極314係電性連接至電晶體330。
對於絕緣層310，較佳地使用可弄平由於電晶體330所造成之不平坦的材料。較佳地使用可透射來自發光元件320之光的材料。例如，可使用具有高透光性質之丙烯酸樹脂於絕緣層310。聚醯乙胺、丙烯酸、聚醯胺、環氧、或其類似物之有機樹脂膜，無機絕緣膜，或有機聚矽氧烷可使用於該隔板312。
可透射可見光之導電膜被使用做為第一電極314。例如，氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、ITO、氧化銦和氧化鋅的合金(In2O3-ZnO)、或包含氧化矽之任何該等金屬氧化物材料可使用做為可透射可見光之該導電膜。選擇性地，可使用具有小到足以透射光之厚度(較佳地，約1至30奈米)的金屬薄膜。
發光層316可以以與第4A圖中的發光層218之方式 相似的方式而形成。
對於第二電極318，較佳地使用可有效率地反射來自發光層316所發射出之光的材料，因為可增進光提取效率。注意的是，第二電極318可具有成層的結構。例如，用於第二電極318，可在其中和包含發光物質的發光層316接觸之側形成薄的金屬氧化物、鈦、或其類似物之導電膜，或可使用具有高反射比的金屬膜(鋁，包含鋁的合金、銀、或其類似物之膜)於與其中和發光層316接觸之側相反的側。此結構係較佳的，因為可抑制發光層316與具有高反射比的金屬膜間之絕緣膜的形成。
可使用任何材料於第二基板350，只要其可包囊該發光元件320及電晶體330即可。進一步地，因為第5A圖中之發光裝置具有底部發射結構，所以可使用不透光基板。例如，可適當地使用玻璃基板、金屬基板、或其類似物以供第二基板350之用。
空間322可使用與空間260之材料及方法相似的材料及方法而形成。進一步地，可將其中可去除所進入至發光元件320之水分或其類似物的乾燥劑包囊於空間322之中。
在其中發射出光之第一基板300的表面上，係設置作用成為黑色矩陣的遮光膜352、濾色片354、及塗層356。濾色片354係著色層，且可改變來自每一個發光元件所發射出的白色光成為具有彩色(例如，藍色、綠色、或紅色)的光。
在依據本發明一實施例之顯示面板10中，濾色片354及塗層356可保持於第一基板300與第二基板350之間(請參閱第5B圖)。
<遮光面板20的第一特定實例>
將參照第6A及6B圖來敘述遮光面板20的特定實例。注意的是，第6A圖係光閘區的平面視圖，該光閘區包含電晶體及液晶元件，其中信號係透過該電晶體而輸入至液晶元件；以及第6B圖係第6A圖中之光閘區的橫剖面視圖，其係沿著斷線A1-A2及斷線B1-B2所取得。在第6A圖中的光閘區之中，將被施加至液晶元件的電壓係根據將透過電晶體而被輸入的信號而定。因此，藉由根據該信號而控制包含於液晶元件中之液晶的配向，可選擇光閘區是否透射光。注意的是，在依據本發明一實施例的顯示裝置中，電晶體可以以作用成為開關之元件來予以置換。換言之，在光閘區之中，可設置任何元件，只要其作用成為開關即可。例如，該電晶體可以以MEMS開關、繼電器開關、或其類似物而予以置換。
在第6A及6B圖中的光閘區之中，導電層501作用成為電晶體107的閘極電極。進一步地，導電層502作用成為電晶體107之源極及汲極的其中一者。導電層503作用成為電容器108的一電極。導電層504作用成為電晶體107之源極及汲極的另一者或電容器108的另一電極。
閘極絕緣層506係形成於導電層501及導電層503 上。電晶體107的半導體層507係形成於閘極絕緣層506上，而與導電層501重疊。
在第6A及6B圖中的光閘區之中，閘極絕緣層506及半導體層520係設置於其中導電層503及導電層502彼此互相重疊的部分中。特別地，閘極絕緣層506係設置於導電層503上，半導體層520係設置於閘極絕緣層506上，以及導電層502係設置於半導體層520上。當半導體層520係設置於導電層502與導電層503之間時，則可降低導電層502與導電層503之間的寄生電容。
在第6A圖中的光閘區之中，閘極絕緣層506及半導體層523係設置於其中導電層501及導電層502彼此互相重疊的部分中。特別地，閘極絕緣層506係設置於導電層501上，半導體層523係設置於閘極絕緣層506上，以及導電層502係設置於半導體層523上。當半導體層523係設置於導電層501與導電層502之間時，則可降低導電層501與導電層502之間的寄生電容。
注意的是，導電層501及導電層503可藉由處理形成於具有絕緣表面之基板500上的一導電膜成為所欲形狀而予以形成。半導體層507，半導體層520，及半導體層523可藉由處理形成於閘極絕緣層506上的一半導體膜而予以形成。導電膜502及導電膜504可藉由處理形成於閘極絕緣層506，半導體層507，半導體層520，及半導體層523上的一導電膜成為所欲形狀而予以形成。
此外，在第6A及6B圖中的光閘區之中，絕緣層512 係形成以覆蓋半導體層507、半導體層520、半導體層523、導電層502、及導體層504。進一步地，導電層521係形成於絕緣層512上，而透過形成於絕緣層512中的接觸孔以與導電層504接觸。絕緣層513係形成於導電層521及絕緣層512上。電極505係形成於絕緣層513上。導電層521及電極505係透過形成於絕緣層513中之接觸孔，而彼此互相接觸。
注意的是，雖然導電層504及電極505係在第6A及6B圖中的光閘區中透過導電層521，而彼此互相接觸，但在本發明之一實施例中，導電層504及電極505可無需導電層521的設置，而彼此互相接觸。
其中導電層503及導電層504彼此互相重疊，而閘極絕緣層506介於其間的部分，作用成為電容器108。
在第6B圖中，間隔物510係在其中導電層521與電極505彼此互相重疊的部分中被形成於電極505之上。
第6A圖係設置有間隔物510之像素的頂視圖。在第6B圖中，基板514係設置以面向設置有間隔物510之基板500。
電極515係設置用於基板514，且包含液晶的液晶層516係設置於電極505與電極515之間。液晶元件106係形成於其中電極505，電極515，及液晶層516彼此互相重疊的部分中。
偏光板(未描繪)係設置於基板500及基板514的外部。
電極505及電極515可各自地使用例如，諸如包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅、或添加鎵的氧化鋅(GZO)之透光導電材料而形成。
配向膜可適當地設置於電極505與液晶層516之間，或電極515與液晶層516之間。該配向膜可使用諸如聚醯乙胺或聚(乙烯醇)之有機樹脂而形成。諸如摩擦之用於以一定方向來配向液晶分子的配向處理係執行於配向膜的表面上。包捲以尼龍或其類似物之布的滾筒係滾動且同時與配向膜接觸，以致使該配向膜的表面可以以一定方向而被摩擦。注意的是，亦可透過諸如氧化矽之無機材料的使用而藉由氣相沈澱，以形成具有配向特徵之配向膜，而無需配向處理。
用於液晶層516之形成的液晶之注入可藉由配料法(滴注法)或浸漬法(泵運法)，而予以執行。
注意的是，基板514係設置以能阻隔光的遮光膜517，以致可防止由於光閘區之間的液晶配向之無序所造成的錯向被觀察到，或可防止色散的光進入至複數個鄰接之光閘區。該遮光膜517可使用包含諸如碳黑或低價氧化鈦之黑色顏料的有機樹脂而形成。選擇性地，遮光膜517可使用包含鉻之膜而形成。
<遮光面板20的第二特定實例>
將參照第7A及7B圖來敘述與第6A及6B圖中之遮 光面板20的特定實例不同之遮光面板20的特定實例。特別地，將敘述設置有包含諸如IPS液晶元件或藍相液晶元件之其中形成成對電極於一基板上之液晶元件的光閘區之遮光面板的實例。
第7A圖係像素之頂視圖的實例。第7B圖係沿著第7A圖中之斷線C1-C2所取得的橫剖面視圖。
在第7A及7B圖中的像素中，導電層601作用成為電晶體107的閘極電極。進一步地，導電層602作用成為電晶體107之源極及汲極的其中一者。導電層603作用成為電容器108的一電極。導電層604作用成為電晶體107之源極及汲極的另一者或電容器108的另一電極。
閘極絕緣層606係形成於導電層601及導電層603上。電晶體107的半導體層607係形成於閘極絕緣層606上，而與導電層601重疊。進一步地，絕緣層612及絕緣層613係順序形成，而覆蓋半導體層607、導電層602、及導電層604。電極605及電極608係形成於絕緣層613上。導電層604及電極605係透過形成於絕緣層612及絕緣層613中之接觸孔，而彼此互相連接。
導電層601及導電層603可藉由處理形成於具有絕緣表面的基板600上之一導電膜成為所欲形狀，而予以形成。閘極絕緣層606係形成於導電層601及導電層603上。導電層602及導電層604可藉由處理形成於半導體層607及閘極絕緣層606上之一導電膜成為所欲形狀，而予以形成。
其中導電層603及導電層604彼此互相重疊，而閘極絕緣層606介於其間的部分，作用成為電容器108。
此外，在第7A及7B圖中的光閘區中，絕緣層609係形成於導電層603與閘極絕緣層606之間。進一步地，間隔物610係在其中電極605與絕緣層609彼此互相重疊的部分中被形成於電極605之上。
第7A圖係設置有間隔物610之光閘區的頂視圖。在第7B圖中，基板614係設置以面向設置有間隔物610之基板600。
包含液晶的液晶層616係設置於基板614與該等電極605及608之間。液晶元件106係形成於包含電極605，電極608，及液晶層616的區域中。
偏光板(未描繪)係設置於基板600及基板614的外部。
電極605及電極608可各自地使用例如，諸如包含氧化矽的氧化銦錫(ITSO)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅、或添加鎵的氧化鋅(GZO)之透光導電材料而形成。
用於液晶層616之形成的液晶之注入可藉由配料法(滴注法)或浸漬法(泵運法)，而予以執行。
注意的是，基板614可設置以能阻隔光的遮光膜，以致可防止由於光閘區之間的液晶配向之無序所造成的錯向被觀察到，或可防止色散的光進入至複數個鄰接之光閘區。該遮光膜可使用包含諸如碳黑或低價氧化鈦之黑色顏 料的有機樹脂而形成。選擇性地，遮光膜可使用包含鉻之膜而形成。
<遮光面板20的第三特定實例>
將參照第18圖來敘述與第6A及6B圖以及第7A及7B圖中之遮光面板20的特定實例不同之遮光面板20的特定實例。特別地，將敘述設置有並不包含第6A及6B圖以及第7A及7B圖中的光閘區中所包含之開關的光閘區之遮光面板的實例。在第18圖中的光閘區中，被處理成為條狀圖案的電極702(電極702a，電極702b，及電極702c)以及被處理成為條狀圖案的電極712(電極712a，電極712b，及電極712c)係以格子圖案而堆疊。當該等電極彼此互相重疊於格子圖案中而液晶介於其間時，則可以以點陣圖案而形成液晶元件。因此，可以以更高的精確度而控制遮光區或透光區。
[實例1]
依據本發明一實施例的顯示裝置可使用於顯示裝置，膝上型個人電腦，或設置有記錄媒體之影像再生裝置(典型地，可再生諸如數位多功能碟片(DVD)之記錄媒體的內容且具有用以顯示所再生之影像的顯示器之裝置)。進一步地，做為可包含依據本發明一實施例之顯示裝置的電子裝置，可給定行動電話、攜帶式遊戲機、個人數位助理、電子書閱讀器、諸如攝影機及數位相機之相機、眼鏡型顯 示器(頭戴式顯示器)、導航系統、聲頻再生裝置(例如，汽車音響系統及數位聲頻播放器)、拷貝機、傳真機、印表機、多功能印表機、自動櫃員機(ATM)、販賣機、及其類似物。在此實例中，將參照第8A至8C圖來敘述該等電子裝置的特定實例。
第8A圖描繪攜帶式遊戲機，其包含外殼5001、外殼5002、顯示部5003、顯示部5004、微音器5005、揚聲器5006、操作鍵5007、尖筆5008、及其類似物。依據本發明之一實施例的顯示裝置可使用做為顯示部5003或顯示部5004。當使用依據本發明之一實施例的顯示裝置做為顯示部5003或顯示部5004時，則可提供能顯示部分3D影像的攜帶式遊戲機。注意的是，雖然在第8A圖中之攜帶式遊戲機具有二顯示部5003及5004，但包含於攜帶式遊戲機中之顯示部的數目並未受限於此。
第8B圖描繪膝上型個人電腦，其包含外殼5201、顯示部5202、鍵盤5203、指引裝置5204、及其類似物。依據本發明之一實施例的顯示裝置可使用做為顯示部5202。當使用依據本發明之一實施例的顯示裝置做為顯示部5202時，則可提供能顯示部分3D影像的膝上型個人電腦。
第8C圖描繪個人數位助理，其包含外殼5401、顯示部5402、操作鍵5403、及其類似物。依據本發明之一實施例的顯示裝置可使用做為顯示部5402。當使用依據本發明之一實施例的顯示裝置做為顯示部5402時，則可提供能顯示部分3D影像的個人數位助理。
[實例2]
當驅動係控制於顯示面板10中所包含之複數個像素區100的每一者之中，及於遮光面板20中所包含之複數個光閘區200的每一者之中時，則依據本發明之一實施例的顯示裝置可顯示3D影像及2D影像二者。在此，用於顯示面板10所需之驅動頻率與用於遮光面板20所需之驅動頻率係彼此互相不同。換言之，顯示面板10需予以恆定地驅動以便顯示移動影像，以及遮光面板20需依據3D顯示及2D顯示的切換而予以規則地或不規則地驅動。在該情況中，其中遮光面板20需被驅動之期間的週期係比其中遮光面板20被保持於某狀態中之期間的週期更短。在此實例中，將參照第9A至9D圖來敘述要僅在所欲週期中驅動遮光面板20及要在除了該週期外之週期中保持遮光面板20於某狀態中的操作，以及適用於該操作的結構。注意的是，藉由該操作，可降低顯示裝置的功率消耗。
第9A圖描繪此實例中之顯示裝置的結構實例。在第9A圖中的顯示裝置包含：顯示面板10，其包含複數個像素區100，以矩陣而配置；遮光面板20，其包含複數個光閘區200，以矩陣而配置；以及控制器30，用以控制顯示面板10及遮光面板20的操作。注意的是，可使用包含第4A至4C圖以及第5A及5B圖中之像素區的顯示面板或其類似物做為顯示面板10，且可使用包含第6A及6B圖以及第7A及7B圖中之光閘區的遮光面板或其類似物做為遮光面板20。進一步地，控制器30具有控制顯示面板 10中之3D或2D移動影像顯示的功能，以及僅在所欲週期中驅動遮光面板20且在除了該週期外之週期中保持該遮光面板20之狀態的功能。
第9B圖係第6A及6B圖以及第7A及7B圖中的遮光面板20中所包含之光閘區200的等效電路圖。特別地，在第9B圖中的光閘區200包含：電晶體107；液晶元件106，其中信號係透過電晶體107而輸入；以及電容器108，用以保持該信號的電位。在光閘區200中，光是否要透射係藉由依據該信號的電位來控制液晶元件之液晶的配向，而予以選擇。因此，為了要執行上述操作，必須長時間保持該信號的電位。為了要符合此需求，電晶體107的通道區係較佳地使用氧化物半導體而形成。此係因為可降低電荷透過電晶體107之漏洩，以致可抑制信號之電位中的變動之故。
氧化物半導體具有比矽更寬廣的能隙及更低的本徵載子密度。因此，透過氧化物半導體之使用以供電晶體107的半導體層之用，可形成具有比包含諸如矽或鍺的普通半導體之電晶體更低的截止狀態電流。
注意的是，藉由降低諸如水分或氫之用作電子施體(施體)的雜質所獲得之高度純化氧化物半導體(純化的氧化物半導體)係本徵(i型)半導體或實質本徵半導體。因此，包含氧化物半導體的電晶體具有極低的截止狀態電流。特別地，藉由二次離子質譜儀(SIMS)所測量出之高度純化氧化物半導體中的氫濃度係5×1019/cm3或更低，較佳 地係5×1018/cm3或更低，更佳地係5×1017/cm3或更低，仍更佳地係1×1016/cm3或更低。此外，可藉由霍爾(Hall)效應測量所測量出之氧化物半導體的載子密度係低於1×1014/cm3，較佳地係低於1×1012/cm3，更佳地係低於1×1011/cm3。進一步地，氧化物半導體的能隙係2eV或更大，較佳地係2.5eV或更大，更佳地係3eV或更大。透過藉由充分減低諸如水分或氫之雜質的濃度而高度純化之氧化物半導體膜的使用，可降低電晶體的截止狀態電流值。各式各樣的實驗可證明包含高度純化氧化物半導體膜做為主動層的電晶體之低的截止狀態電流。例如，即使透過具有1×106微米之通道寬度及10微米之通道長度的元件，在1至10微米伏特之源極端子與汲極端子間的電壓(汲極電壓)範圍中，截止狀態電流可低於或等於半導體參數分析儀的測量極限，亦即，低於或等於1×10-13A。在該情況中，可觀察到的是，對應於藉由以電晶體的通道寬度來除該截止狀態電流所獲得之截止狀態電流密度係低於或等於100zA/μm。
在此，將敘述氧化物半導體膜中之氫濃度的分析。在半導體膜及導電膜中之氫的濃度係藉由二次離子質譜儀(SIMS)所測量。已知的是，原則上，要藉由SIMS分析而在取樣表面之附近或在使用不同材料所形成的堆疊膜間之介面附近獲得精確的資料並不容易。因此，在其中膜中之氫濃度的分佈係藉由SIMS而分析於厚度方向中的情況中，其中值並未改變太大且係實質相同值之膜的區域中之 平均值係使用做為氫濃度。此外，在其中膜的厚度小之情況中，由於彼此相互鄰接之膜的氫濃度之影響，所以在某些情況中無法發現其中可獲得實質相同的值之區域。在該情況中，係使用膜的區域中之氫濃度的最大值或最小值做為膜之氫濃度。進一步地，在其中具有最大值之山形峯值或具有最小值之谷形峯值並不存在於膜的區域中之情況中，係使用轉折點的值做為氫濃度。
注意的是，可使用諸如In-Sn-Ga-Zn-O為主氧化物半導體之四成分金屬氧化物；諸如In-Ga-Zn-O為主氧化物半導體，In-Sn-Zn-O為主氧化物半導體，In-Al-Zn-O為主氧化物半導體，Sn-Ga-Zn-O為主氧化物半導體，Al-Ga-Zn-O為主氧化物半導體，或Sn-Al-Zn-O為主氧化物半導體之三成分金屬氧化物；諸如In-Zn-O為主氧化物半導體，Sn-Zn-O為主氧化物半導體，Al-Zn-O為主氧化物半導體，Zn-Mg-O為主氧化物半導體，Sn-Mg-O為主氧化物半導體，In-Mg-O為主氧化物半導體，或In-Ga-O為主氧化物半導體之二成分金屬氧化物；In-O為主氧化物半導體；Sn-O為主氧化物半導體；Zn-O為主氧化物半導體；或其類似物做為為氧化物半導體。在此說明書中，例如，In-Sn-Ga-Zn-O為主氧化物半導體係包含銦(In)、錫(Sn)、鎵(Ga)、及鋅(Zn)之金屬氧化物，且在其化學計量的比例上並無特殊的限制。該氧化物半導體可包含矽。
該氧化物半導體可藉由InMO3(ZnO)m(m>0，m無需一定要係自然數)之化學式所表示。在此，M代表選自Ga、 Al、Mn、或Co之一或更多個金屬元素。
在其中使用In-Zn-O為主材料以供氧化物半導體之用的情況中，所使用的靶極具有在原子比中之In：Zn=50：1至1：2(在分子比中之In2O3：ZnO=25：1至1：4)，較佳地，在原子比中之In：Zn=20：1至1：1(在分子比中之In2O3：ZnO=10：1至1：2)，更佳地，在原子比中之In：Zn=1.5：1至15：1(在分子比中之In2O3：ZnO=3：4至15：2)的組成比。例如，當用於In-Zn-O為主氧化物半導體之沈積所使用的靶極具有在原子比中之In：Zn：O=X：Y：Z的組成比時，則其中Z>1.5X+Y。
注意的是，該氧化物半導體可係非晶性或晶體性。例如，可使用CAAC-OS(c軸配向之晶體氧化物半導體)膜做為氧化物半導體膜。
該CAAC-OS膜並非完全單晶亦非完全非晶。該CAAC-OS膜係具有晶體-非晶混合相態結構之氧化物半導體膜，其中晶體部分係包含於非晶相態之中。注意的是，在大多數情況中，該晶體部分係與其中一邊係小於100奈米之立方體一致。自藉由透射式電子顯微鏡(TEM)所獲得之觀察影像來看，在CAAC-氧化物半導體膜中的非晶部分與晶體部分之間的邊界並不明確。進一步地，透過該TEM，並未發現該CAAC-氧化物半導體膜中的晶粒邊界。因此，在該CAAC-OS膜中，可抑制由於晶粒邊界所導致之電子遷移率的降低。
在包含於CAAC-OS膜中之該等晶體部分的每一者 中，c軸係以平行於其中形成該CAAC-OS膜之表面的法線向量或該CAAC-OS膜之表面的法線向量之方向而配向；其中自垂直於a-b面之方向所觀察到的三角形或六邊形之原子排列被形成；以及當自垂直於c軸之方向觀察時，金屬原子係以成層之方式而配置或金屬原子及氧原子係以成層之方式而配置。注意的是，在晶體部分之間，一晶體部分之a軸及b軸的方向可與另一晶體部分的該等方向不同。在此說明書中，“垂直”之單純的用語包含85至95度的範圍。此外，“平行”之單純的用語包含-5至5度的範圍。
在CAAC-OS膜之中，晶體部分的分佈無需一定要係均勻的。例如，在該CAAC-OS膜的形成過程中，於其中氧化物半導體膜係形成於一表面上，且晶體成長發生自氧化物半導體膜的表面側之情況中，在某些情況中，於該CAAC-OS膜的表面附近之晶體部分的比例係高於其中形成CAAC-OS膜的表面附近之晶體部分的比例。進一步地，當添加雜質至該CAAC-OS膜時，則在其中添加雜質的區域中之晶體部分會在某些情況中變成非晶。
因為包含於CAAC-OS膜中之該等晶體部分的c軸係以平行於其中形成該CAAC-OS膜之表面的法線向量或該CAAC-OS膜之表面的法線向量之方向而配向，所以c軸的方向可根據該CAAC-OS膜的形狀(其中形成該CAAC-OS膜之表面的橫剖面形狀或該CAAC-OS膜之表面的橫剖面形狀)而彼此互相不同。注意的是，當形成CAAC-OS膜 時，則晶體部分的c軸方向係平行於其中形成該CAAC-OS膜之表面的法線方向(向量)或該CAAC-OS膜之表面的法線方向(向量)之方向。該晶體部分係藉由沈積，或藉由在沈積之後執行諸如熱處理之用於晶體化的處理，而予以形成。
透過在電晶體中之CAAC-OS膜的使用，可降低由於可見光或紫外光之照射所導致之電晶體電性特徵中的改變。因此，電晶體具有高的可靠度。
第9C及9D圖係流程圖，其各自描繪第9A圖中之控制器30的操作實例。特別地，第9C圖係描繪用以控制顯示面板10之控制器30的操作實例之流程圖，以及第9D圖係描繪用以控制遮光面板20之控制器30的操作實例之流程圖。
在控制器30開始操作之後，顯示控制信號係輸出至顯示面板10。在此，顯示控制信號係輸入至以矩陣而配置之複數個像素區100的每一者之影像信號、用以控制操作之信號(例如，時脈信號)、或其類似信號。該顯示控制信號係恆定地供應至顯示面板10，只要該控制器30使顯示面板10中之顯示持續即可。
進一步地，在其中控制器30操作且3D顯示係執行於顯示裝置中之顯示的一部分或全部之情況中，控制器30輸出遮光控制信號至遮光面板20。在此，遮光控制信號係輸入至以矩陣而配置之複數個光閘區200的每一者之控制信號(用以決定是否要阻隔光之信號)、用以控制操作之信 號(例如，時脈信號)、或其類似信號。在控制信號被供應至複數個光閘區200之後，停止遮光控制信號的供應。注意的是，在改變其中執行3D顯示的區域之情況中，控制器30再輸出遮光控制信號至遮光面板20。在此方式中，當執行3D顯示或改變其中執行3D顯示的區域時，則遮光控制信號係規則地或不規則地供應至遮光面板20。
注意的是，在第9D圖中的流程圖之中，於其中遮光控制信號係長時間不供應至遮光面板20的情況中，可再次供應(再新)用以執行3D顯示於一區域中之遮光控制信號至遮光面板20。換言之，在其中3D顯示係長時間地執行於顯示裝置之特定區中的情況中，可將用以執行3D顯示之遮光控制信號適當地(規則地或不規則地)供應至該特定區中的遮光面板20。
藉由此實例中之操作，無需一定要恆定地驅動遮光面板20；因此，可降低顯示裝置的功率消耗。
[實例3]
注意的是，為了要如上述地顯示3D影像，雖然包含於特定區中的光閘區與對應的二像素區之間的位置關係係共同的，但複數個光閘區應在光閘區與對應的二像素區之間的位置關係中不同，或包含於特定區中的光閘區與對應的二像素區之間的位置關係應與包含於除了該特定區外之區域中的光閘區與對應的二像素區之間的位置關係不同，則係必要的。在此實例中，將給定特定的實例而敘述該等 位置關係係如何在顯示裝置之中不同。
第10圖描繪此實例中之顯示裝置的結構。在第10圖中之顯示裝置包含3.9吋顯示面板10及遮光面板20，該3.9吋顯示面板10的像素解析度係WVGA(800×480)，以及該遮光面板20係設置於其中該顯示面板10發射出光的方向中。注意的是，在其中包含於顯示面板10中之複數個像素區係設置於其上的平面與其中包含於遮光面板20中之複數個光閘區係設置於其上的平面之間的間隔係0.6毫米。進一步地，每一個像素區包含紅色像素(R)、緣色像素(G)、及藍色像素(B)。在側向方向(其中左眼與右眼之間的視差存在之方向)中之每一個像素區的寬度係0.1毫米。再者，顯示裝置係設計使得當使用者係離顯示裝置390毫米時，其雙眼之間的間隔係65毫米的使用者可觀視到3D影像。注意的是，在第10圖中，A指示設置於左眼31之正前方的二像素區之位置，B指示設置於左眼31與右眼32之間的二像素區之位置，以及C指示設置於右眼32之正前方的二像素區之位置。在此，定位於像素末端之行中的像素區係設置於左眼31或右眼32之正前方，在以下說明中，顯示裝置顯示跨越螢幕之正面的3D影像。
第11A圖描繪定位於左眼31之正前方的二像素區A100_1及A100_2與定位於該等像素區A100_1及A100_2之正前方的光閘區A200_1及A200_2之間的位置關係。在此，像素區A100_1係由右眼32所觀視，但並不由左 眼31所觀視，因為會受到光閘區A200_1所阻隔。此外，像素區A100_2係由左眼31所觀視，但並不由右眼32所觀視，因為會受到光閘區A200_2所阻隔。第11B圖描繪藉由上述情形下之右眼32的方向與顯示面板10的垂直線所形成的角度。在該情形下，角度約係11度。注意的是，在第11B圖中，1R指示其中顯示用於右眼之3D影像的第一行中之像素區的其中一者，1L指示其中顯示用於左眼之3D影像的第一行中之像素區的其中一者，2R至4R指示其中顯示用於右眼之3D影像的第二至第四行中之像素區，以及2L至4L指示其中顯示用於左眼之3D影像的第二至第四行中之像素區。
第12A圖描繪定位於左眼31與右眼32之間的二像素區B100_1及B100_2與定位於該等像素區B100_1及B100_2之正前方的光閘區B200_1及B200_2之間的位置關係。在此，像素區B100_1係由右眼32所觀視，但並不由左眼31所觀視，因為會受到光閘區B200_1所阻隔。此外，像素區B100_2係由左眼31所觀視，但不由右眼32所觀視，因為會受到光閘區B200_2所阻隔。第12B圖描繪藉由上述情形下之右眼32的方向與顯示面板10的垂直線所形成的角度。在該情形下，角度約係5度。注意的是，在第12B圖中，199R至202R及198L至201L係分別與第11A圖中之1R至4R及1L至4L相似。
第13A圖描繪定位於右眼32之正前方的二像素區C100_1及C100_2與定位於該等像素區C100_1及C100_2 之正前方的光閘區C200_1及C200_2之間的位置關係。在此，像素區C100_1係由右眼32所觀視，但並不由左眼31所觀視，因為會受到光閘區C200_1所阻隔。此外，像素區C100_2係由左眼31所觀視，但並不由右眼32所觀視，因為會受到光閘區C200_2所阻隔。第13B圖描繪藉由上述情形下之左眼31的方向與顯示面板10的垂直線所形成的角度。在該情形下，角度約係11度。注意的是，在第13B圖中，397R至400R及397L至400L係分別與第11A圖中之1R至4R及1L至4L相似。
[實例4]
在該顯示裝置中，係假定使用者之眼睛的方向被定位於螢幕的中心；然而，使用者之眼睛的方向無需一定要被定位於螢幕的中心。進一步地，即使當3D影像係顯示於螢幕的二區域之中時，使用者無需一定要同時定焦點於該等影像之上。在此實例中，將特別敘述用以依據使用者之眼睛的方向而選擇其中3D影像被顯示之區域的顯示裝置。
第14圖描繪此實例中之顯示裝置。在第14圖中之顯示裝置包含：螢幕1000，其中在該螢幕1000上，3D影像係顯示於區域1001及區域1002中，且2D影像係顯示於除了區域1001及區域1002之外的區域中；觀視者感測器2000，能偵測定位在螢幕1000各處之使用者眼睛的方向。進一步地，顯示裝置可依據使用者之眼睛的方向而控 制包含於遮光面板中之複數個光閘區的操作。
特別地，當觀視者感測器2000決定使用者觀看區域1001中之3D影像時，則顯示裝置控制操作，使得光被阻隔於包含在遮光面板中的複數個光閘區中之對應於該區域1001的複數個光閘區之中。進一步地，當觀視者感測器2000決定使用者無法觀看區域1002中之3D影像時，則不顯示3D影像於區域1002中。換言之，顯示裝置控制操作，使得光係透射於包含在遮光面板中的複數個光閘區中之對應於該區域1002的複數個光閘區之中(請參閱第15圖)。注意的是，在第15圖中，R指示其中顯示用於右眼之3D影像的像素區，L指示其中顯示用於左眼之3D影像的像素區，以及灰色部分指示其中阻隔光之光閘區(相同的敘述亦可用於第16圖及第17圖)。
同樣地，當觀視者感測器2000決定使用者觀看區域1002中之3D影像時，則顯示裝置控制操作，使得光被阻隔於包含在遮光面板中的複數個光閘區中之對應於該區域1002的複數個光閘區之中。進一步地，當觀視者感測器2000決定使用者無法觀看區域1001中之3D影像時，則不顯示3D影像於區域1001中。換言之，顯示裝置控制操作，使得光係透射於包含在遮光面板中的複數個光閘區中之對應於該區域1001的複數個光閘區之中(請參閱第16圖)。
進一步地，當觀視者感測器2000決定使用者可觀看區域1001及區域1002二者之中的3D影像時，則顯示裝 置控制操作，使得光被阻隔於包含在遮光面板中的複數個光閘區中之對應於區域1001及區域1002的複數個光閘區之中(請參閱第17圖)。
當包含於遮光面板中之複數個光閘區的操作係考慮使用者之眼睛的方向，而以此方式來予以控制時，則可形成用於3D顯示之最佳阻障。
此申請案係根據2011年2月14日在日本專利局所申請之日本專申請案序號2011-029203，2011年2月16日在日本專利局所申請之日本專利申請案序號2011-030566，及2011年6月15日在日本專利局所申請之日本專利申請案序號2011-133336，該等申請案的全部內容係結合於本文以供參考。
10‧‧‧顯示面板
20‧‧‧遮光面板
20a,1001,1002‧‧‧區域
30‧‧‧控制器
31‧‧‧左眼
32‧‧‧右眼
100,A100_1,A100_2,B100_1,B100_2,C100-1,C100_2,100a~100d‧‧‧像素區
106‧‧‧液晶元件
107,230,330‧‧‧電晶體
108‧‧‧電容器
200,200a,A200_1,A200_2,B200_1,B200_2,C200-1,C200_2,200b‧‧‧光閘區
201,251,500,600,614,300,350,514‧‧‧基板
202‧‧‧閘極電極層
204,506,606‧‧‧閘極絕緣層
206,507,607,520,523‧‧‧半導體層
208‧‧‧源極及汲極電極層
210,212,513,609,612,613,310,512‧‧‧絕緣層
214‧‧‧反射電極層
216,312‧‧‧隔板
218,316‧‧‧發光層
219‧‧‧透射反射電極層
220a,220b‧‧‧透明電極層
240a‧‧‧藍色像素
240b‧‧‧綠色像素
240c‧‧‧紅色像素
252,352,517‧‧‧遮光膜
254,354‧‧‧濾色光
256,356‧‧‧塗層
260,322‧‧‧空間
314,318,608,702a~702c,712a~712c,515,505,702,712，605‧‧‧電極
320‧‧‧發光元件
501~504,521,601~604‧‧‧導電層
510,610‧‧‧間隔物
516,616‧‧‧液晶層
1000‧‧‧螢幕
2000‧‧‧觀視者感測器
5001,5002,5201,5401‧‧‧外殼
5003,5004,5202,5402‧‧‧顯示部
5005‧‧‧微音器
5006‧‧‧揚聲器
5007,5403‧‧‧操作鍵
5008‧‧‧尖筆
5203‧‧‧鍵盤
5204‧‧‧指引裝置
d1,d2‧‧‧節距
在附圖中：第1A及1B圖係示意圖，描繪顯示裝置的結構實例；第2A及2B圖係示意圖，描繪顯示裝置的操作狀態；第3A至3C圖係示意圖，描繪顯示裝置的修正實例；第4A至4C圖係橫剖面視圖及平面視圖，描繪包含於顯示面板中之像素區的特定實例； 第5A及5B圖係橫剖面視圖，描繪包含於顯示面板中之像素區的特定實例；第6A及6B圖係平面視圖及橫剖面視圖，描繪包含於遮光面板中之光閘區的特定實例；第7A及7B圖係平面視圖及橫剖面視圖，描繪包含於遮光面板中之光閘區的特定實例；第8A至8C圖描繪電子裝置的特定實例；第9A圖描繪顯示裝置的結構實例，第9B圖係第6A及6B圖和第7A及7B圖中之光閘區的等效電路圖，且第9C及9D圖係描繪控制器之操作實例的流程圖；第10圖描繪實例3中之顯示裝置的結構；第11A及11B圖描繪實例3中之光閘區與像素區之間的位置關係；第12A及12B圖描繪實例3中之光閘區與像素區之間的位置關係；第13A及13B圖描繪實例3中之光閘區與像素區之間的位置關係；第14圖描繪實例4中之顯示裝置；第15圖描繪實例4中之顯示裝置；第16圖描繪實例4中之顯示裝置；第17圖描繪實例4中之顯示裝置；以及第18圖描繪遮光面板之特定實例。
10‧‧‧顯示面板
20‧‧‧遮光面板
31‧‧‧左眼
32‧‧‧右眼
100‧‧‧像素區
200‧‧‧光閘區

Claims (8)

  1. 一種顯示裝置，包含：顯示面板，包括複數個像素區，配置於矩陣中；以及遮光面板，包括複數個光閘區，配置於矩陣中，其中該光閘區包括開關及液晶元件，該液晶元件的透光係根據透過該開關所輸入之信號而予以選擇，其中該遮光面板係設置於其中光自該顯示面板所發射出的方向中，且其中二鄰接的該光閘區之間距係小於二鄰接的該像素區之間距。
  2. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該顯示面板藉由控制液晶的配向而顯示影像。
  3. 一種顯示裝置，包含：顯示面板，包括複數個像素區，配置於矩陣中；以及遮光面板，包括複數個光閘區，配置於矩陣中，其中該像素區包括發光元件及濾色片，該發光元件係藉由有機電發光而發射出白色光，以及該濾色片係用以透射包含於自該發光元件所發射出之白色光中的特定波長範圍中的光，且用以改變該白色光成為具有彩色的光，其中該光閘區包括開關及液晶元件，該液晶元件的透光係根據透過該開關所輸入之信號而予以選擇，其中該遮光面板係設置於其中光自該顯示面板所發射出的方向中，且其中二鄰接的該光閘區之間距係小於二鄰接的該像素 區之間距。
  4. 一種顯示裝置，包含：顯示面板，包括複數個像素區，配置於矩陣中；以及遮光面板，包括複數個光閘區，配置於矩陣中，其中該像素區包括發光元件，藉由有機電發光而發射出具有彩色的光，其中該光閘區包括開關及液晶元件，該液晶元件的透光係根據透過該開關所輸入之信號而予以選擇，其中該遮光面板係設置於其中光自該顯示面板所發射出的方向中，且其中二鄰接的該光閘區之間距係小於二鄰接的該像素區之間距。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之顯示裝置，其中該顯示面板係頂部發射型顯示面板或底部發射型顯示面板。
  6. 如申請專利範圍第1、3及4項中任一項之顯示裝置，其中在該光閘區與其中影像是否藉由左眼或右眼所觀視係藉由該光閘區所選擇的兩個該像素區之間的位置關係中，該等光閘區或該複數個光閘區係不同的。
  7. 如申請專利範圍第1、3及4項中任一項之顯示裝置，其中自設置在該遮光面板中之所有該等光閘區的一末端至另一末端之距離係比自設置在該顯示面板中之所有該等像素區的一末端至另一末端之距離更短。
  8. 如申請專利範圍第1、3及4項中任一項之顯示裝置，進一步包含觀視者感測器，用以偵測使用者之眼睛的 方向，其中包括於該遮光面板中之該複數個光閘區的操作係根據藉由該觀視者感測器所偵測的使用者之眼睛的方向而予以控制。
TW101103244A 2011-02-14 2012-02-01 顯示裝置 TWI569041B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011029203 2011-02-14
JP2011030566 2011-02-16
JP2011133336 2011-06-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201248199A TW201248199A (en) 2012-12-01
TWI569041B true TWI569041B (zh) 2017-02-01

Family

ID=46636584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101103244A TWI569041B (zh) 2011-02-14 2012-02-01 顯示裝置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9167234B2 (zh)
JP (3) JP6047289B2 (zh)
TW (1) TWI569041B (zh)
WO (1) WO2012111578A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9167234B2 (en) 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9035860B2 (en) 2011-02-16 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels
US8994763B2 (en) 2011-03-25 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
US8988411B2 (en) 2011-07-08 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6178050B2 (ja) 2011-07-15 2017-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2013051660A (ja) * 2011-08-04 2013-03-14 Sony Corp 送信装置、送信方法および受信装置
US9225972B2 (en) 2012-08-10 2015-12-29 Pixtronix, Inc. Three dimensional (3D) image generation using electromechanical display elements
CN104058363B (zh) * 2013-03-22 2016-01-20 上海丽恒光微电子科技有限公司 基于mems透射光阀的显示装置及其形成方法
CN104023223B (zh) * 2014-05-29 2016-03-02 京东方科技集团股份有限公司 显示控制方法、装置及系统
CN105093550A (zh) * 2015-09-02 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种3d显示装置及其驱动方法
CN105425405B (zh) * 2015-12-09 2019-02-12 京东方科技集团股份有限公司 一种3d显示面板组件、3d显示装置及其驱动方法
WO2017122595A1 (ja) * 2016-01-13 2017-07-20 シャープ株式会社 表示装置、液晶パネルの駆動方法
CN105467604B (zh) * 2016-02-16 2018-01-12 京东方科技集团股份有限公司 一种3d显示装置及其驱动方法
CN205645818U (zh) * 2016-05-18 2016-10-12 武汉华星光电技术有限公司 一种oled显示面板
TWI576639B (zh) * 2016-05-19 2017-04-01 友達光電股份有限公司 具有光線調整模組的顯示裝置及其控制方法
CN106774324B (zh) * 2016-12-22 2020-06-09 以恒激光科技（北京）有限公司 一种双摄像头三维识别巡逻机器人
US10690986B2 (en) 2017-09-13 2020-06-23 Apple Inc. Electronic devices having electrically adjustable optical shutters
KR102366760B1 (ko) * 2017-09-14 2022-02-22 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102436564B1 (ko) * 2017-12-29 2022-08-26 엘지디스플레이 주식회사 배리어 패널을 포함하는 입체 영상 표시 장치
CN108469682A (zh) * 2018-03-30 2018-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种三维显示装置及其三维显示方法
TWI761048B (zh) * 2021-01-25 2022-04-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004294914A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 立体映像表示装置
JP2010073881A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP2010128306A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタおよび有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2010251156A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Panasonic Corp カラー有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
CN101938666A (zh) * 2009-06-30 2011-01-05 索尼公司 立体图像显示设备、对象邻近检测设备和电子装置

Family Cites Families (175)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JP2857429B2 (ja) * 1989-10-02 1999-02-17 日本放送協会 ３次元画像表示装置および方法
JP3487594B2 (ja) * 1990-03-23 2004-01-19 松下電器産業株式会社 液晶表示素子
JPH05122733A (ja) * 1991-10-28 1993-05-18 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> ３次元画像表示装置
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2919759B2 (ja) 1994-05-18 1999-07-19 三洋電機株式会社 光学フィルタ及びこれを用いる立体表示装置
KR100284948B1 (ko) 1994-05-31 2001-03-15 야마자끼 순페이 액티브 매트릭스형 액정표시장치
JPH0876058A (ja) * 1994-06-30 1996-03-22 Sanyo Electric Co Ltd 光シャッター及び３次元画像表示装置
GB2296617A (en) 1994-12-29 1996-07-03 Sharp Kk Observer tracking autosteroscopic display
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JP3459721B2 (ja) 1995-05-22 2003-10-27 キヤノン株式会社 立体画像表示方法及びそれを用いた立体画像表示装置
JPH0973049A (ja) 1995-06-29 1997-03-18 Canon Inc 画像表示方法及びそれを用いた画像表示装置
JPH11505377A (ja) 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
US6377230B1 (en) 1995-10-05 2002-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Three dimensional display unit and display method
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
GB2317710A (en) 1996-09-27 1998-04-01 Sharp Kk Spatial light modulator and directional display
DE19640936C2 (de) 1996-10-04 1999-06-10 Siegbert Prof Dr Ing Hentschke Positionsadaptiver Autostereoskoper Monitor (PAM)
JPH10232626A (ja) 1997-02-20 1998-09-02 Canon Inc 立体画像表示装置
JPH11285030A (ja) 1998-03-26 1999-10-15 Mr System Kenkyusho:Kk 立体画像表示方法及び立体画像表示装置
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
US7317438B2 (en) 1998-10-30 2008-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field sequential liquid crystal display device and driving method thereof, and head mounted display
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
US6597348B1 (en) 1998-12-28 2003-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information-processing device
US7145536B1 (en) 1999-03-26 2006-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
EP1087627A3 (en) 1999-09-24 2004-02-18 SANYO ELECTRIC Co., Ltd. Autostereoscopic image display device
US6882012B2 (en) 2000-02-28 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
TW518552B (en) 2000-08-18 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device, method of driving the same, and method of driving a portable information device having the liquid crystal display device
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
US7385579B2 (en) 2000-09-29 2008-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP2002207462A (ja) * 2001-01-11 2002-07-26 Toshiba Corp 液晶表示素子の駆動方法
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
GB0119176D0 (en) 2001-08-06 2001-09-26 Ocuity Ltd Optical switching apparatus
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
WO2003038518A1 (en) * 2001-10-30 2003-05-08 Pixelligent Technologies Llc Advanced exposure techniques for programmable lithography
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
JP2003259395A (ja) 2002-03-06 2003-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 立体表示方法及び立体表示装置
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
JP2004077567A (ja) 2002-08-09 2004-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
US7193593B2 (en) 2002-09-02 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving a liquid crystal display device
JP2004094058A (ja) 2002-09-02 2004-03-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4515259B2 (ja) 2002-10-30 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
KR100490416B1 (ko) * 2002-11-23 2005-05-17 삼성전자주식회사 2차원 영상 및 3차원 영상의 선택적 디스플레이 가능한 디스플레이장치
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
GB2403367A (en) 2003-06-28 2004-12-29 Sharp Kk Multiple view display
TWI399580B (zh) 2003-07-14 2013-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及顯示裝置
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP2005092103A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Sharp Corp 立体映像表示装置
GB0326005D0 (en) 2003-11-07 2003-12-10 Koninkl Philips Electronics Nv Waveguide for autostereoscopic display
JP2005258013A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Sharp Corp 表示パネルおよび表示装置
KR101019337B1 (ko) 2004-03-12 2011-03-07 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
JP2005293916A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US7573491B2 (en) * 2004-04-02 2009-08-11 David Hartkop Method for formatting images for angle-specific viewing in a scanning aperture display device
KR100728777B1 (ko) * 2004-04-07 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 패럴랙스 베리어 및 이를 구비한 입체 영상 표시장치
KR101089199B1 (ko) 2004-04-22 2011-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그 구동방법
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
GB2418315A (en) 2004-09-21 2006-03-22 Sharp Kk Multiple view display
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
CN101057333B (zh) 2004-11-10 2011-11-16 佳能株式会社 发光器件
EP1815530B1 (en) 2004-11-10 2021-02-17 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7601984B2 (en) 2004-11-10 2009-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor with amorphous oxide active layer containing microcrystals and gate electrode opposed to active layer through gate insulator
KR100786862B1 (ko) * 2004-11-30 2007-12-20 삼성에스디아이 주식회사 배리어 장치, 이를 이용한 입체영상 표시장치 및 그구동방법
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI412138B (zh) 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
JP4934974B2 (ja) 2005-03-17 2012-05-23 エプソンイメージングデバイス株式会社 画像表示装置
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007036127A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
EP1770788A3 (en) 2005-09-29 2011-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
EP1777689B1 (en) * 2005-10-18 2016-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic equipment each having the same
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
CN101577293B (zh) 2005-11-15 2012-09-19 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP2007250982A (ja) 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
US8106865B2 (en) 2006-06-02 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US8154493B2 (en) 2006-06-02 2012-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic device using the same
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP2008223066A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Seiko Epson Corp 蒸着装置
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
CN101663762B (zh) 2007-04-25 2011-09-21 佳能株式会社 氧氮化物半导体
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US8648782B2 (en) 2007-10-22 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5213422B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-19 キヤノン株式会社 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
JP5372776B2 (ja) * 2007-12-25 2013-12-18 出光興産株式会社 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2009267399A (ja) 2008-04-04 2009-11-12 Fujifilm Corp 半導体装置，半導体装置の製造方法，表示装置及び表示装置の製造方法
KR20090124527A (ko) * 2008-05-30 2009-12-03 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
JP5510767B2 (ja) * 2008-06-19 2014-06-04 出光興産株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
CN102077331B (zh) 2008-06-27 2014-05-07 株式会社半导体能源研究所 薄膜晶体管
JP5644071B2 (ja) 2008-08-20 2014-12-24 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置及びシステム
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5442234B2 (ja) 2008-10-24 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
JP5590868B2 (ja) 2008-12-11 2014-09-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5396944B2 (ja) 2008-12-22 2014-01-22 ソニー株式会社 レンズアレイ素子および画像表示装置
JP5100670B2 (ja) 2009-01-21 2012-12-19 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル、電子機器
US8367486B2 (en) 2009-02-05 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and method for manufacturing the transistor
JP5521380B2 (ja) 2009-04-13 2014-06-11 ソニー株式会社 立体表示装置
KR101354329B1 (ko) 2009-04-17 2014-01-22 엘지디스플레이 주식회사 영상표시장치
JP2010256815A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Nikon Corp 画像提示装置、プログラムおよび画像提示方法
KR101476817B1 (ko) * 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
JP5356952B2 (ja) 2009-08-31 2013-12-04 レムセン イノベーション、リミティッド ライアビリティー カンパニー 表示装置
WO2011046015A1 (en) * 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device
US20110157322A1 (en) * 2009-12-31 2011-06-30 Broadcom Corporation Controlling a pixel array to support an adaptable light manipulator
JP5615136B2 (ja) * 2010-01-12 2014-10-29 三菱電機株式会社 立体画像補正方法、立体表示装置、および立体画像生成装置
US8427626B2 (en) 2010-01-27 2013-04-23 Sony Corporation Lens array element and image display device
WO2011122299A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
US8730416B2 (en) 2010-12-17 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9167234B2 (en) 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101899178B1 (ko) 2011-02-16 2018-09-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9443455B2 (en) 2011-02-25 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having a plurality of pixels

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004294914A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 立体映像表示装置
JP2010073881A (ja) * 2008-09-18 2010-04-02 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置
JP2010128306A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタおよび有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2010251156A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Panasonic Corp カラー有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
CN101938666A (zh) * 2009-06-30 2011-01-05 索尼公司 立体图像显示设备、对象邻近检测设备和电子装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201248199A (en) 2012-12-01
JP2013020224A (ja) 2013-01-31
US20150198813A1 (en) 2015-07-16
WO2012111578A1 (en) 2012-08-23
US20120206503A1 (en) 2012-08-16
JP6047289B2 (ja) 2016-12-21
JP2017076131A (ja) 2017-04-20
JP2019082728A (ja) 2019-05-30
US9167234B2 (en) 2015-10-20
US9743071B2 (en) 2017-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI569041B (zh) 顯示裝置
JP7118111B2 (ja) 表示装置
KR102176739B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN105425493B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
TWI687748B (zh) 顯示裝置及電子裝置
US10197874B2 (en) Liquid crystal display device
KR20170039676A (ko) 표시 패널, 표시 장치, 및 표시 장치의 구동 방법
JP6382566B2 (ja) 半導体装置、表示装置及び電子機器
JP7245788B2 (ja) 表示装置
CN103003867A (zh) 液晶显示装置的驱动方法
KR20150137014A (ko) 액정 표시 장치 및 전자 기기
JP2008281994A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2023073280A (ja) 表示装置
TW202404103A (zh) 液晶顯示裝置