JP2014195060A - センサ回路及びセンサ回路を用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化物半導体にチャネル形成領域を有するトランジスタと、トランジスタのゲートに、トランジスタのソースまたはドレインよりも低い第1電位と、トランジスタのソースまたはドレインよりも高い第2電位のいずれか一方を供給する第1回路と、トランジスタのゲートに第2電位が与えられているときに、トランジスタのソースとドレインを電気的に接続し、トランジスタのゲートに第1電位が与えられているときに、トランジスタのソースとドレインを電気的に分離する第1スイッチと、第2スイッチと、トランジスタのゲートに第1電位が与えられているときに、トランジスタのソースとドレインの間に流れる電流が、第2スイッチを介して与えられる第2回路と、を有し、第2回路は、電流の値に対応する電圧を生成する機能を有するセンサ回路。
【選択図】図1
Description
図1に、本発明の一態様に係るセンサ回路10の構成例を示す。図1に示すセンサ回路10は、トランジスタ11と、回路12と、回路15とを有する。
図5に、図1に示したセンサ回路10の、具体的な構成の一例を示す。
図6に、図1に示したセンサ回路10の具体的な構成について、別の一例を示す。
次いで、カレントミラー回路26の具体的な構成の一例について説明する。
次いで、本発明の一態様に係る半導体装置40の構成を、図8にブロック図で一例として示す。図8に示す半導体装置40は、センサ回路10と、信号処理回路41と、出力装置42とを有する。
次いで、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタに光を照射したときの、オフ電流の値を測定した結果について述べる。
図15に、本発明の一態様に係るセンサ回路の、断面構造の一例を示す。そして、図15では、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタ11が、単結晶のシリコン基板にチャネル形成領域を有するトランジスタ50上に形成されている場合を例示している。
なお、電子供与体(ドナー)となる水分または水素などの不純物が低減され、なおかつ酸素欠損が低減されることにより高純度化された酸化物半導体(purified Oxide Semiconductor)は、i型(真性半導体)又はi型に限りなく近い。そのため、高純度化された酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタは、オフ電流が著しく小さく、信頼性が高い。
センサ回路を、熱、圧力、振動などの周囲の環境から保護するために、パッケージに収めた状態であるモジュールも、本発明の一態様に係る半導体装置の範疇に含まれる。図17に、本発明の一態様に係るセンサ回路10を有するモジュール80の構成例を示す。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図18に示す。
11 トランジスタ
12 回路
13 スイッチ
14 抵抗素子
15 回路
16 スイッチ
17 配線
18 配線
20 バイアス電源
21 バイアス電源
22 バイアス電源
23 アンプ
24 配線
25 配線
26 カレントミラー回路
27 端子
30 トランジスタ
31 トランジスタ
32 ダイオード
33 トランジスタ
40 半導体装置
41 信号処理回路
42 出力装置
43 ADC
45 プロセッサ
50 トランジスタ
51 抵抗素子
80 モジュール
81 インターポーザ
82 端子
84 端子
85 筐体
86 窓
400 半導体基板
401 素子分離用絶縁膜
402 不純物領域
403 不純物領域
404 ゲート電極
405 ゲート絶縁膜
409 絶縁膜
410 配線
411 配線
412 配線
413 配線
415 配線
416 配線
417 配線
420 絶縁膜
422 配線
430 半導体膜
431 ゲート絶縁膜
432 導電膜
433 導電膜
434 ゲート電極
441 絶縁膜
442 導電膜
445 絶縁膜
447 導電膜
449 導電膜
450 導電膜
820 絶縁膜
830 半導体膜
830a 酸化物半導体膜
830b 酸化物半導体膜
830c 酸化物半導体膜
831 ゲート絶縁膜
832 導電膜
833 導電膜
834 ゲート電極
901 感知機
902 受信機
903 発信機
904 センサ回路
905 窓
906 操作キー
907 表示部
908 操作キー
909 操作キー
910 配線
911 スピーカ
912 照明装置
920 筐体
921 表示部
922 操作ボタン
923 窓
924 センサ回路
925 バンド
930 筐体
931 表示部
932 マイク
933 スピーカ
934 カメラ
935 窓
936 センサ回路
937 ボタン
938 ボタン
Claims (6)
- 酸化物半導体にチャネル形成領域を有するトランジスタと、
前記トランジスタのゲートに、前記トランジスタのソースまたはドレインよりも低い第1電位と、前記トランジスタの前記ソースまたは前記ドレインよりも高い第2電位のいずれか一方を供給する第1回路と、
前記トランジスタの前記ゲートに前記第1電位が与えられているときに、前記トランジスタの前記ソースと前記ドレインの間に流れる電流が与えられることで、前記電流の値を情報として含む信号を生成する第2回路と、を有するセンサ回路。 - 酸化物半導体にチャネル形成領域を有するトランジスタと、
前記トランジスタのゲートに、前記トランジスタのソースまたはドレインよりも低い第1電位と、前記トランジスタの前記ソースまたは前記ドレインよりも高い第2電位のいずれか一方を供給する第1回路と、
前記トランジスタの前記ゲートに前記第2電位が与えられているときに、前記トランジスタの前記ソースと前記ドレインを電気的に接続し、前記トランジスタの前記ゲートに前記第1電位が与えられているときに、前記トランジスタの前記ソースと前記ドレインを電気的に分離する第1スイッチと、
第2スイッチと、
前記トランジスタの前記ゲートに前記第1電位が与えられているときに、前記トランジスタの前記ソースと前記ドレインの間に流れる電流が、前記第2スイッチを介して与えられる第2回路と、を有し、
前記第2回路は、前記電流の値に対応する電圧を生成する機能を有するセンサ回路。 - 請求項1または請求項2において、
前記酸化物半導体は、In、Ga、及びZnを含むセンサ回路。 - センサ回路と、出力装置と、前記センサ回路から出力される信号を用いて前記出力装置の動作を制御する信号処理回路と、を有し、
前記センサ回路は、酸化物半導体にチャネル形成領域を有するトランジスタと、
前記トランジスタのゲートに、前記トランジスタのソースまたはドレインよりも低い第1電位と、前記トランジスタの前記ソースまたは前記ドレインよりも高い第2電位のいずれか一方を供給する第1回路と、
前記トランジスタの前記ゲートに前記第1電位が与えられているときに、前記トランジスタの前記ソースと前記ドレインの間に流れる電流が与えられることで、前記電流の値を情報として含む前記信号を生成する第2回路と、を有する半導体装置。 - センサ回路と、出力装置と、前記センサ回路から出力される信号を用いて前記出力装置の動作を制御する信号処理回路と、を有し、
前記センサ回路は、酸化物半導体にチャネル形成領域を有するトランジスタと、
前記トランジスタのゲートに、前記トランジスタのソースまたはドレインよりも低い第1電位と、前記トランジスタのソースまたはドレインよりも高い第2電位のいずれか一方を供給する第1回路と、
前記トランジスタのゲートに前記第2電位が与えられているときに、前記トランジスタのソースとドレインを電気的に接続し、前記トランジスタのゲートに前記第1電位が与えられているときに、前記トランジスタのソースとドレインを電気的に分離する第1スイッチと、
第2スイッチと、
前記トランジスタの前記ゲートに前記第1電位が与えられているときに、前記トランジスタの前記ソースと前記ドレインの間に流れる電流が、前記第2スイッチを介して与えられる第2回路と、を有し、
前記第2回路は、前記電流の値に対応する電圧を生成する機能を有し、当該電圧を用いて前記信号を生成する半導体装置。 - 請求項4または請求項5において、
前記酸化物半導体は、In、Ga、及びZnを含む半導体装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7497185B2 (ja) | 2019-07-11 | 2024-06-10 | Tianma Japan株式会社 | 薄膜トランジスタ基板 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9590110B2 (en) | 2013-09-10 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ultraviolet light sensor circuit |
CN105047674B (zh) * | 2015-08-06 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法和显示装置 |
US11367739B2 (en) | 2017-06-27 | 2022-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic component |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073669A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | センサ、センサアレイ、電流測定装置 |
JP2006165530A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | センサ及び非平面撮像装置 |
JP2009182194A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Sony Corp | 光センサー素子、撮像装置、電子機器、およびメモリー素子 |
JP2010034245A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Citizen Holdings Co Ltd | フォトダイオードの駆動方法及び光検出装置 |
JP2011139045A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 紫外線センサを有する半導体装置及びその作製方法 |
JP2011243950A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 光センシング回路、該光センシング回路の駆動方法、及び該光センシング回路を採用した光センシング装置 |
Family Cites Families (116)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPS61124171A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置 |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JP2793867B2 (ja) * | 1989-12-18 | 1998-09-03 | オリンパス光学工業株式会社 | 固体撮像装置 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3134723B2 (ja) * | 1995-08-14 | 2001-02-13 | 横河電機株式会社 | フォトダイオードアレイの信号読出回路 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7253391B2 (en) * | 2003-09-19 | 2007-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor device and electronic apparatus |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
KR101019337B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-03-07 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007067331A (ja) | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Works Ltd | 紫外線センサ |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577231B (zh) | 2005-11-15 | 2013-01-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
EP1863091A3 (en) * | 2006-05-30 | 2012-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device using the same |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP2008112791A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | 半導体装置 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5443800B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-03-19 | 株式会社東芝 | 赤外線固体撮像素子 |
KR101662359B1 (ko) * | 2009-11-24 | 2016-10-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치 |
WO2011077978A1 (en) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
JP2012033835A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Canon Inc | 光電子素子の駆動方法及び該駆動方法で駆動される光電子装置 |
JP5671418B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の駆動方法 |
JP2012147393A (ja) * | 2011-01-14 | 2012-08-02 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法 |
US9048788B2 (en) * | 2011-05-13 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a photoelectric conversion portion |
JP5850671B2 (ja) * | 2011-08-15 | 2016-02-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013232885A (ja) | 2012-04-06 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体リレー |
-
2014
- 2014-02-26 JP JP2014034761A patent/JP2014195060A/ja not_active Withdrawn
- 2014-02-26 US US14/190,126 patent/US9647152B2/en active Active
-
2018
- 2018-07-31 JP JP2018143336A patent/JP2019009448A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073669A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | センサ、センサアレイ、電流測定装置 |
JP2006165530A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | センサ及び非平面撮像装置 |
JP2009182194A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Sony Corp | 光センサー素子、撮像装置、電子機器、およびメモリー素子 |
JP2010034245A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Citizen Holdings Co Ltd | フォトダイオードの駆動方法及び光検出装置 |
JP2011139045A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 紫外線センサを有する半導体装置及びその作製方法 |
JP2011243950A (ja) * | 2010-05-20 | 2011-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 光センシング回路、該光センシング回路の駆動方法、及び該光センシング回路を採用した光センシング装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7497185B2 (ja) | 2019-07-11 | 2024-06-10 | Tianma Japan株式会社 | 薄膜トランジスタ基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9647152B2 (en) | 2017-05-09 |
US20140246667A1 (en) | 2014-09-04 |
JP2019009448A (ja) | 2019-01-17 |
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