JP6534530B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明の一態様に係る半導体装置の構成例について説明する。図1に、本発明の一態様に係る半導体装置10の構成を例示する。
次いで、図1に示した半導体装置10の動作の一例について、図2に示すフローチャートを用いて説明する。
次いで、本発明の一態様に係る半導体装置の、図1とは異なる構成例について説明する。図5に、本発明の一態様に係る半導体装置10の構成を例示する。
次いで、記憶回路12が有するセルアレイ20の、具体的な構成の一例について説明する。
次いで、セルアレイ20を有する記憶回路12の、具体的な構成の一例について説明する。
次いで、図5に示す半導体装置10が、図9及び図10に示した記憶回路12を有する場合を例に挙げ、記憶回路12の動作の一例について、図11に示すタイミングチャートを用いて説明する。
次いで、図5に示す論理回路18の構造を、図14に例示する。論理回路18が有する複数の回路19は、入力端子または出力端子に複数の配線42が電気的に接続されている。また、論理回路18が有する複数の配線42は、配線42間の導通状態を制御する機能を有するスイッチSWに、電気的に接続されている。複数の配線42とスイッチSWとにより、回路19間の導通状態が制御される。
図16に、図9に示した回路21を有する半導体装置の断面構造を、一例として示す。なお、破線A1−A2で示す領域では、トランジスタ100、トランジスタ102、トランジスタ108、トランジスタ110、トランジスタ22、トランジスタ23、及び、トランジスタ24の中のいずれかのトランジスタのチャネル長方向における構造を示しており、破線A3−A4で示す領域では、トランジスタ100、トランジスタ102、トランジスタ108、トランジスタ110、トランジスタ22、トランジスタ23、及び、トランジスタ24の中のいずれかのトランジスタのチャネル幅方向における構造を示している。ただし、本発明の一態様では、1つのトランジスタのチャネル長方向と、別の一つのトランジスタのチャネル長方向とが、必ずしも一致していなくともよい。
次いで、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタ90の構成例について説明する。
図19に、図9に示した回路21を有する半導体装置10の断面構造を、一例として示す。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機、医療機器などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図20に示す。
11 プロセッサ
12 記憶回路
13 PMU
14 レジスタ
15 比較回路
16 電源
17 カウンタ
18 論理回路
19 回路
20 セルアレイ
21 回路
22 トランジスタ
23 トランジスタ
24 トランジスタ
26 組
26−m 組
26−1 組
27 セルアレイ
30 駆動回路
31 駆動回路
32 駆動回路
33 回路
34 回路
35 スイッチ
36 回路
37 回路
38 回路
39 回路
42 配線
43 LUT
44 フリップフロップ
45 入力端子
46 出力端子
47 AND回路
48 マルチプレクサ
49 端子
50 マルチプレクサ
51 端子
52 端子
53 端子
63 回路
64 回路
90 トランジスタ
91 絶縁膜
92a 酸化物半導体膜
92b 酸化物半導体膜
92c 酸化物半導体膜
93 導電膜
94 導電膜
95 絶縁膜
96 導電膜
97 基板
100 トランジスタ
102 トランジスタ
104A 配線
104B 配線
106A 配線
106B 配線
108 トランジスタ
110 トランジスタ
400 基板
401 素子分離領域
402 不純物領域
403 不純物領域
404 チャネル形成領域
405 絶縁膜
406 ゲート電極
411 絶縁膜
412 導電膜
413 導電膜
414 導電膜
416 導電膜
417 導電膜
418 導電膜
420 絶縁膜
421 絶縁膜
422 絶縁膜
430 半導体膜
430a 酸化物半導体膜
430c 酸化物半導体膜
431 ゲート絶縁膜
432 導電膜
433 導電膜
434 ゲート電極
601 半導体基板
610 素子分離領域
611 絶縁膜
612 絶縁膜
613 絶縁膜
625 導電膜
626 導電膜
627 導電膜
634 導電膜
635 導電膜
636 導電膜
637 導電膜
644 導電膜
651 導電膜
652 導電膜
653 導電膜
661 絶縁膜
662 ゲート絶縁膜
663 絶縁膜
701 半導体膜
710 領域
711 領域
721 導電膜
722 導電膜
731 ゲート電極
5001 筐体
5002 筐体
5003 表示部
5004 表示部
5005 マイクロホン
5006 スピーカー
5007 操作キー
5008 スタイラス
5101 車体
5102 車輪
5103 ダッシュボード
5104 ライト
5301 筐体
5302 冷蔵室用扉
5303 冷凍室用扉
5401 筐体
5402 表示部
5403 キーボード
5404 ポインティングデバイス
5601 筐体
5602 筐体
5603 表示部
5604 表示部
5605 接続部
5606 操作キー
5801 筐体
5802 筐体
5803 表示部
5804 操作キー
5805 レンズ
5806 接続部
Claims (1)
- 記憶回路と、プロセッサと、カウンタと、パワーマネージメントユニットと、レジスタと、比較回路と、を有する半導体装置であって、
前記記憶回路は、第1の期間においてプログラムを格納する機能と、第2の期間において前記プロセッサのための緩衝記憶装置として動作する機能と、を有し、
前記プロセッサは、前記第2の期間において前記プログラムを実行する機能を有し、
前記第1の期間は、電力の供給が遮断される期間を有し、
前記第2の期間は、前記電力の供給が行われる期間を有し、
前記カウンタは、前記第1の期間の長さを計測する機能を有し、
前記パワーマネージメントユニットは、前記第2の期間が開始されると、前記プロセッサへの前記電力の供給が開始されるように制御する機能を有し、
前記レジスタは、前記カウンタによって計測された前記第1の期間の長さのデータを格納する機能を有し、
前記比較回路は、前記記憶回路が前記緩衝記憶装置として動作する際に、前記プロセッサから要求されたデータが前記記憶回路に格納されているか否かを判断する機能を有し、
前記記憶回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1のインバータと、第2のインバータと、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第1のインバータの出力端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第1のインバータの入力端子は、前記第2のインバータの出力端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
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