JP6099368B2 - 記憶装置 - Google Patents
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Description
本実施形態では、単極性のインバータを備える記憶回路の例について図1乃至図3を用いて説明する。
本実施形態では、上記実施形態1に示す記憶回路の具体例として、全てNチャネル型の電界効果トランジスタを用いて構成された記憶回路について図4乃至図8を用いて説明する。なお、実施形態1に示す記憶回路の説明と同じ部分については、実施形態1に示す記憶回路の説明を適宜援用できる。
本実施形態では、上記実施形態2に示す記憶回路の構造例について図9を用いて説明する。図9(A)乃至図9(C)のそれぞれは、断面模式図である。
本実施形態では、上記記憶回路を用いた記憶装置として、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)の例について図10を用いて説明する。
本実施形態では、上記実施形態4に示す記憶装置をメモリとして用いた、CPUなどの演算処理装置の例について説明する。
本実施形態では、上記実施形態5の演算処理装置を演算部に備える電子機器の例について、図12及び図13を用いて説明する。
SwA スイッチ部
SwB スイッチ部
SwC スイッチ部
SwD スイッチ部
SwE スイッチ部
DL1 第1のデータ信号線
DL2 第2のデータ信号線
WRL 書き換え\読み出し制御信号線
PSL1 第1の電源線
PSL2 第2の電源線
Inv1 第1のインバータ
Inv2 第2のインバータ
Tr1 第1の電界効果トランジスタ
Tr2 第2の電界効果トランジスタ
211 電界効果トランジスタ
212 電界効果トランジスタ
213 電界効果トランジスタ
214 電界効果トランジスタ
215 電界効果トランジスタ
216 電界効果トランジスタ
221 電界効果トランジスタ
231 電界効果トランジスタ
232 電界効果トランジスタ
314 電界効果トランジスタ
316 電界効果トランジスタ
700 電界効果トランジスタ
701 電界効果トランジスタ
702 電界効果トランジスタ
710 基板
711 絶縁層
713 半導体層
714a 低抵抗領域
714b 低抵抗領域
715 チャネル形成領域
716 絶縁層
717 導電層
718 絶縁層
719a 絶縁層
719b 絶縁層
720a 導電層
720b 導電層
721 絶縁層
722 絶縁層
751 導電層
752 絶縁層
811 絶縁層
813 半導体層
814a 低抵抗領域
814b 低抵抗領域
814c 低抵抗領域
815a チャネル形成領域
815b チャネル形成領域
816a 絶縁層
816b 絶縁層
817a 導電層
817b 導電層
818a 絶縁層
818b 絶縁層
819a 絶縁層
819b 絶縁層
819c 絶縁層
819d 絶縁層
820a 導電層
820b 導電層
820c 導電層
821 絶縁層
851a 導電層
851b 導電層
851c 導電層
851d 導電層
901 駆動回路
902 駆動回路
910 メモリセル
951 バスインターフェース
952 制御回路
953 キャッシュメモリ
954 レジスタ
955 命令デコーダ
956 演算論理ユニット
1011 筐体
1012 パネル
1013 ボタン
1014 スピーカー
1021a 筐体
1021b 筐体
1022a パネル
1022b パネル
1023 軸部
1024 ボタン
1025 接続端子
1026 記録媒体挿入部
1027 スピーカー
1031 筐体
1032 パネル
1033 ボタン
1034 スピーカー
1035 甲板部
1041 筐体
1042 パネル
1043 支持台
1044 ボタン
1045 接続端子
1046 スピーカー
1101 通信部
1102 電源部
1103 演算部
1104 音声部
1105 パネル部
Claims (5)
- 第1のデータ及び第2のデータを保持する機能を有するラッチ部と、
前記ラッチ部に保持される前記第1のデータの書き換え及び読み出しを制御信号に従って制御する機能を有する第1のスイッチ部と、
前記ラッチ部に保持される前記第2のデータの書き換え及び読み出しを前記制御信号に従って制御する機能を有する第2のスイッチ部と、を有し、
前記ラッチ部は、
入力端子において前記第1のデータが保持され、出力端子において前記第2のデータが保持される第1の回路と、
入力端子において前記第2のデータが保持され、出力端子において前記第1のデータが保持される第2の回路と、を有し、
前記第1のデータ及び前記第2のデータは、一方が第1の電位を有し、他方が第2の電位を有し、
前記第1の回路または前記第2の回路は、
第1のゲートが前記入力端子の機能を有する第1のトランジスタと、
第2のゲートの電位が前記制御信号に従って制御される第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1のゲートの電位に従って前記出力端子の電位を前記第1の電位にするか否かを制御する機能を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2のゲートの電位に従って前記出力端子の電位を前記第2の電位にするか否かを制御する機能を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタと同じ導電型を有し、
前記第2のゲートの電位を前記制御信号に従って制御する機能を有する第3のスイッチ部を有する記憶装置。 - 第1のデータ及び第2のデータを保持する機能を有するラッチ部と、
前記ラッチ部に保持される前記第1のデータの書き換え及び読み出しを制御信号に従って制御する機能を有する第1のスイッチ部と、
前記ラッチ部に保持される前記第2のデータの書き換え及び読み出しを前記制御信号に従って制御する機能を有する第2のスイッチ部と、を有し、
前記ラッチ部は、
入力端子において前記第1のデータが保持され、出力端子において前記第2のデータが保持される第1の回路と、
入力端子において前記第2のデータが保持され、出力端子において前記第1のデータが保持される第2の回路と、を有し、
前記第1のデータ及び前記第2のデータは、一方が第1の電位を有し、他方が第2の電位を有し、
前記第1の回路または前記第2の回路は、
第1のゲートが前記入力端子の機能を有する第1のトランジスタと、
第2のゲートの電位が前記制御信号に従って制御され、なおかつ、第3のゲートが前記出力端子に電気的に接続される第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1のゲートの電位に従って前記出力端子の電位を前記第1の電位にするか否かを制御する機能を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2のゲートの電位に従って前記出力端子の電位を前記第2の電位にするか否かを制御する機能を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタと同じ導電型を有する記憶装置。 - 第1のデータ及び第2のデータを保持する機能を有するラッチ部と、
前記ラッチ部に保持される前記第1のデータの書き換え及び読み出しを制御信号に従って制御する機能を有する第1のスイッチ部と、
前記ラッチ部に保持される前記第2のデータの書き換え及び読み出しを前記制御信号に従って制御する機能を有する第2のスイッチ部と、を有し、
前記ラッチ部は、
入力端子において前記第1のデータが保持され、出力端子において前記第2のデータが保持される第1の回路と、
入力端子において前記第2のデータが保持され、出力端子において前記第1のデータが保持される第2の回路と、を有し、
前記第1のデータ及び前記第2のデータは、一方が第1の電位を有し、他方が第2の電位を有し、
前記第1の回路または前記第2の回路は、
第1のゲートが前記入力端子の機能を有する第1のトランジスタと、
第2のゲートの電位が前記制御信号に従って制御され、なおかつ、第3のゲートが前記出力端子に電気的に接続される第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第1のゲートの電位に従って前記出力端子の電位を前記第1の電位にするか否かを制御する機能を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2のゲートの電位に従って前記出力端子の電位を前記第2の電位にするか否かを制御する機能を有し、
前記第1のトランジスタは、前記第2のトランジスタと同じ導電型を有し、
前記第2のゲートの電位を前記制御信号に従って制御する機能を有する第3のスイッチ部を有する記憶装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項において、
前記ラッチ部への電源電圧の供給を前記制御信号に従って制御する機能を有する第4のスイッチ部を有する記憶装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項において、
前記第1のトランジスタの半導体層または前記第2のトランジスタの半導体層は、酸化物半導体を有する記憶装置。
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