JP6633330B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置について、図1乃至図6を用いて説明を行う。
図1は、半導体装置10の構成例を示す回路図である。半導体装置10は、複数のトランジスタM1(M1[1]乃至M1[N]、Nは1以上の自然数)と、複数のトランジスタM2(M2[1]乃至M2[N])、と、インバータ42と、複数のAND41と、複数の回路IF_CONV(IF_CONV[1]乃至IF_CONV[N])と、回路DCCS(Digital Calibration Control System)と、複数のTRIBUF(トライステートバッファ回路)43と、回路SR(シフトレジスタ)と、を有している。
次いで、図1に示す回路IF_CONVの具体的な構成例について説明する。なお、説明の明瞭化のために、まずは、回路IF_CONVの基本動作について説明を行う。回路IF_CONVが回路DCCSに接続され、校正機能を持つ場合については後ほど説明を行う。
次に、回路IF_CONVに、校正機能をもつ回路DCCSを追加した構成例について、図4を用いて説明を行う。
図6は、本発明の一態様である半導体装置20の構成例を示している。
本実施の形態では、実施の形態1で示した半導体装置10又は半導体装置20を有する表示装置の一例について説明を行う。
図7は表示装置の構成例を示すブロック図である。表示装置200は、画素部210、周辺回路220、CPU230、制御回路231、電源回路232、画像処理回路233、および、メモリ234を有する。
図9は、表示パネル250の素子基板の構成例を示す平面図である。ここでは、図9を基準に、左右上下という位置関係を示す用語を使用することとする。
図10(A)は画素211の一例を示す回路図であり、図10(B)は図10(A)に示す画素211の動作例を示すタイミングチャートである。
配線SLにはデータ信号Vdaが入力される。データ信号Vdaの電圧は映像信号の階調に対応する値を持つ。図10(B)の[k]、[k+1]は、それぞれ、第k行、第k+1行の画素211に入力されるデータ信号Vdaであることを表している。
V0<Vcat+VthE (b1)
Vano>V0+VthE (b2)
Vano>Vcat+VthE+Vth2 (b3)
信号IMONはモニタ回路223に入力される。モニタ回路223は、信号IMONのADC224への出力を制御することができる機能を有する。図11(A)はモニタ回路223の構成例を示す。モニタ回路223は信号V0_SW、信号MSEL[3:1]により制御され、m段の回路MONIを有する。図11(B)は回路MONI[j]の構成例を示す回路図である。例えば、表示パネル250の解像度が8k4Kである場合、モニタ回路223は4320個の回路MONIを有する。
図12に、表示パネル250のデバイス構造の一例を示す。図12は、表示パネル250の積層構造を示している。なお、図12は、画素部210と画素部210と共に形成される周辺回路220a(図9の例ではGDR、GDL、モニタ回路223)のデバイス構造を説明するための図であり、表示パネル250特定の部位の断面図ではない。図12には、表示パネル250が、発光素子EL1から取り出される光555を基板261側から取り出すトップエミッション構造の例を示している。
表示パネル250の素子基板は、基板260に、酸化物半導体(OS)層、複数の絶縁層、複数の導電層等を積層することで構成されている。
トランジスタM10は、OS層501、並びに導電層511、521、522、531を有する。導電層531はバックゲートとして機能し、導電層511と電気的に接続されている。導電層541はGDR、GDLに設けられる素子を配線するための電極あるいは配線である。
トランジスタM7は、OS層502、並びに導電層512、523、524、532を有する。導電層532はバックゲートとして機能し、導電層512と電気的に接続されている。導電層512は、配線GLを構成し、導電層523は配線MLを構成する。導電層524は容量素子C1と共有されている。図12の例では、導電層512は、トランジスタM7の遮光層として機能することができる。OS層502の下面全体は絶縁層571を介して導電層512と重なっている。容量素子C1はMIM型であり、導電層513、絶縁層571、導電層524、絶縁層572、および導電層533の積層でなる。導電層542は配線ANLであり、導電層543は配線SLであり、導電層544は発光素子EL1をトランジスタM7および容量素子C1に電気的に接続するための電極である。
シール部材(図示せず)により、基板260と対向するように対向基板が固定される。図12に示す表示パネル250の対向基板は、基板261、遮光層580、カラーフィルタ層581、オーバーコート層582を有する。カラーフィルタ層581は画素211に対応した色で着色されている。カラーフィルタ層581は素子基板に設けてもよいし、あるいは省略してもよい。周辺回路220aは遮光層580で遮光されている。画素部210には、表示に寄与しない領域を遮光するように、遮光層580が設けられている。オーバーコート層582は、対向基板表面の平坦化と不純物(代表的には水および/または酸素)の拡散を防ぐ機能を有する。オーバーコート層582は、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等で形成することができる。
基板260、261に適用可能な基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。貼り合わせフィルムには、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等からなるフィルム、または無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。基材フィルムの一例としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。なお、図12の例では、基板261は光555(可視光)を透過する。
本実施の形態では、実施の形態1に示したトランジスタM1又はトランジスタM2に用いることが可能な酸化物半導体トランジスタの構成例について、図13及び図14を用いて説明する。
図13(A)乃至図13(C)に、トランジスタ150の上面図及び断面図を示す。図13(A)はトランジスタ150の上面図であり、図13(B)は、図13(A)の一点鎖線A−B間の切断面の断面図に相当し、図13(C)は、図13(A)の一点鎖線C−D間の切断面の断面図に相当する。なお、図13(A)では、明瞭化のため、構成要素の一部を省略して図示している。
基板102に適用可能な基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板の一例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチック、又はアクリル等の可撓性を有する合成樹脂などがある。貼り合わせフィルムには、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等からなるフィルム、または無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。基材フィルムの一例としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。
導電膜104及び導電膜122に用いる材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、導電膜104及び導電膜122に用いる材料は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。また、導電膜104及び導電膜122に用いる材料としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
第1の絶縁膜108は、絶縁膜106と絶縁膜107の2層の積層構造を例示している。なお、第1の絶縁膜108の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造または3層以上の積層構造としてもよい。
酸化物半導体膜110は、少なくともインジウム(In)、亜鉛(Zn)及びM(Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)を含むIn−M−Zn酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、InとZnの双方を含むことが好ましい。また、トランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、In及びZnと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
導電膜112aおよび導電膜112bに用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、導電膜は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。
第2の絶縁膜120は、絶縁膜114、116、118の3層の積層構造を例示している。なお、第2の絶縁膜120の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造、2層の積層構造、または4層以上の積層構造としてもよい。
図13のトランジスタ150とは異なる酸化物半導体トランジスタの構成例を図14に示す。
本実施の形態では、表示装置、および表示装置を有する半導体装置について説明する。
また、図16(I)に示す携帯情報端末845のように、3面以上に情報を表示してもよい。ここでは、情報855、情報856、情報857がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様に用いることが可能な酸化物半導体膜の結晶構造について説明を行う。
20 半導体装置
30 ドライバIC
41 AND
42 インバータ
43 TRIBUF
50 オペアンプ
51 容量素子
52 スイッチ
53 積分回路
57 ラッチ
58 カウンター
59 コンパレーター
63 回路
64 ラッチ
65 カウンター
66 コンパレーター
102 基板
104 導電膜
106 絶縁膜
107 絶縁膜
108 絶縁膜
110 酸化物半導体膜
112a 導電膜
112b 導電膜
114 絶縁膜
116 絶縁膜
118 絶縁膜
120 絶縁膜
122 導電膜
142e 開口
150 トランジスタ
200 表示装置
210 画素部
211 画素
211_B 画素
211_G 画素
211_R 画素
215 電源線
220 周辺回路
220a 周辺回路
221 ゲートドライバ回路
222 ソースドライバ回路
223 モニタ回路
224 ADC
230 CPU
231 制御回路
232 電源回路
233 画像処理回路
234 メモリ
250 表示パネル
251 プリント基板
252 タッチパネルユニット
253 バッテリ
255 FPC
256 FPC
258−1 上部カバー
258−2 下部カバー
259 フレーム
260 基板
261 基板
262 領域
270 IC
300 トランジスタ
361 導電膜
362 基板
364 絶縁膜
366 酸化物半導体膜
370a 導電膜
370b 導電膜
372 絶縁膜
374 導電膜
376 絶縁膜
389 開口
501 OS層
502 OS層
511 導電層
512 導電層
513 導電層
521 導電層
522 導電層
523 導電層
524 導電層
531 導電層
532 導電層
533 導電層
541 導電層
542 導電層
543 導電層
544 導電層
550 導電層
551 導電層
552 導電層
553 EL層
555 光
571 絶縁層
572 絶縁層
574 絶縁層
576 絶縁層
580 遮光層
581 カラーフィルタ層
582 オーバーコート層
810 携帯情報端末
815 筐体
816 表示パネル
818 ヒンジ
820 携帯情報端末
822 表示部
825 非表示部
840 携帯情報端末
845 携帯情報端末
855 情報
856 情報
857 情報
880 携帯情報端末
887 情報
889 操作ボタン
7000 表示装置
7001 筐体
7002 表示部
7003 支持台
7100 携帯情報端末
7101 筐体
7102 表示部
7103 バンド
7104 バックル
7105 操作ボタン
7106 入出力端子
7107 アイコン
7201 台部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7300 タッチパネル
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイクロフォン
Claims (5)
- 第1の回路と、第2の回路と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1の回路は、前記第1のトランジスタを介して、第1のアナログ信号が入力され、
前記第1の回路は、前記第2のトランジスタを介して、第2のアナログ信号が入力され、
前記第1のアナログ信号は第1の電流の値を含み、
前記第2のアナログ信号は第2の電流の値を含み、
前記第1の回路は、前記第1のアナログ信号を、第1のデジタル信号に変換し、
前記第2の回路は、前記第1のデジタル信号に応じて、第2のデジタル信号を生成し、
前記第1の回路は、前記第2のデジタル信号に応じて、前記第2のアナログ信号を第3のデジタル信号に変換し、
前記第1の回路は、積分回路と、前記積分回路から出力される信号が入力されるコンパレーターと、前記コンパレーターから出力される信号が入力されるカウンターと、前記カウンターから出力される信号が入力されるラッチとを有し、
前記第1の回路は、第1のクロック信号と、第2のクロック信号とが入力され、
前記第1のクロック信号は、前記第2のクロック信号より周波数が高く、
前記第1のクロック信号は、前記カウンターに入力され、
前記第2のクロック信号は、前記積分回路が有するスイッチ、前記カウンター、及び前記ラッチに入力され、
前記第1のトランジスタ又は第2のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。 - 第1の回路と、第2の回路と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1の回路は、前記第1のトランジスタを介して、第1のアナログ信号が入力され、
前記第1の回路は、前記第2のトランジスタを介して、第2のアナログ信号が入力され、
前記第1のアナログ信号は第1の電流の値を含み、
前記第2のアナログ信号は第2の電流の値を含み、
前記第1の回路は、前記第1のアナログ信号を、第1のデジタル信号に変換し、
前記第2の回路は、前記第1のデジタル信号に応じて、第2のデジタル信号を生成し、
前記第1の回路は、前記第2のデジタル信号に応じて、前記第2のアナログ信号を第3のデジタル信号に変換し、
前記第1の回路は、積分回路と、前記積分回路から出力される信号が入力されるコンパレーターと、前記コンパレーターから出力される信号が入力されるカウンターと、前記カウンターから出力される信号が入力されるラッチとを有し、
前記第1の回路は、第1のクロック信号と、第2のクロック信号とが入力され、
前記第1のクロック信号は、前記第2のクロック信号より周波数が高く、
前記第1のクロック信号は、前記カウンターに入力され、
前記第2のクロック信号は、前記積分回路が有するスイッチ、前記カウンター、及び前記ラッチに入力され、
前記第2の回路は、逐次比較レジスタを有し、
前記逐次比較レジスタから出力された信号が前記ラッチに入力され、
前記第1のトランジスタ又は第2のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのオン又はオフを制御する信号は、前記第1のトランジスタのゲートに入力され、かつインバータを介して前記第2のトランジスタのゲートに入力されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第2の電流は表示装置の画素に流れる電流であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記酸化物半導体は、インジウム、亜鉛、M(MはAl、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、CeまたはHf)を含む半導体装置。
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KR20210027110A (ko) * | 2019-08-29 | 2021-03-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4485372A (en) * | 1981-10-09 | 1984-11-27 | Analog Devices, Incorporated | Two-stage a-to-d converter |
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JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
WO1999048210A1 (fr) * | 1998-03-16 | 1999-09-23 | Hitachi, Ltd. | Circuit convertisseur n/a |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP2001111427A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Nec Corp | スイッチドキャパシタ型デジタル・アナログコンバータ |
JP2002108285A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動方法 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US6642878B2 (en) * | 2001-06-06 | 2003-11-04 | Furaxa, Inc. | Methods and apparatuses for multiple sampling and multiple pulse generation |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP3902741B2 (ja) * | 2002-01-25 | 2007-04-11 | 株式会社半導体理工学研究センター | 半導体集積回路装置 |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US6774866B2 (en) * | 2002-06-14 | 2004-08-10 | Etenna Corporation | Multiband artificial magnetic conductor |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US6903670B1 (en) * | 2002-10-04 | 2005-06-07 | Smal Camera Technologies | Circuit and method for cancellation of column pattern noise in CMOS imagers |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP2004361424A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 素子基板、発光装置及び発光装置の駆動方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US6885331B2 (en) * | 2003-09-15 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Ramp generation with capacitors |
JP2005181763A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶駆動装置 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
KR20070116889A (ko) | 2004-03-12 | 2007-12-11 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 아몰퍼스 산화물 박막의 기상성막방법 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
JP5152448B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2013-02-27 | カシオ計算機株式会社 | 画素駆動回路及び画像表示装置 |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
KR100889796B1 (ko) | 2004-11-10 | 2009-03-20 | 캐논 가부시끼가이샤 | 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터 |
JP5138163B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
BRPI0517568B8 (pt) | 2004-11-10 | 2022-03-03 | Canon Kk | Transistor de efeito de campo |
CN101057333B (zh) | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP3614442A3 (en) | 2005-09-29 | 2020-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101397571B1 (ko) | 2005-11-15 | 2014-05-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그의 제조방법 |
JP5364235B2 (ja) * | 2005-12-02 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
KR20090120252A (ko) * | 2008-05-19 | 2009-11-24 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
JP2010002795A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP4661996B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2011-03-30 | コニカミノルタオプト株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2010109816A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | コニカミノルタオプト株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2010276734A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 |
KR101476817B1 (ko) * | 2009-07-03 | 2014-12-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법 |
CN102334293B (zh) * | 2009-09-11 | 2014-12-10 | 松下电器产业株式会社 | 模拟/数字变换器、图像传感器系统、照相机装置 |
KR101293261B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2013-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 표시 장치를 갖는 전자 기기 |
KR101309863B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2013-09-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP5743407B2 (ja) * | 2010-01-15 | 2015-07-01 | キヤノン株式会社 | トランジスタの駆動方法及び該方法で駆動されるトランジスタを含む表示装置 |
JP2012242772A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器 |
US8843343B2 (en) * | 2011-10-31 | 2014-09-23 | Aptina Imaging Corporation | Failsafe image sensor with real time integrity checking of pixel analog paths and digital data paths |
FR2982100A1 (fr) * | 2011-11-02 | 2013-05-03 | St Microelectronics Grenoble 2 | Etalonnage d'un adc entrelace |
US8836555B2 (en) * | 2012-01-18 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Circuit, sensor circuit, and semiconductor device using the sensor circuit |
CN103503054A (zh) * | 2012-01-26 | 2014-01-08 | 松下电器产业株式会社 | 薄膜晶体管阵列装置以及使用其的el显示装置 |
US9320111B2 (en) * | 2012-05-31 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
KR102089244B1 (ko) * | 2012-12-11 | 2020-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 더블 게이트형 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시장치 |
KR102167131B1 (ko) * | 2013-01-30 | 2020-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
WO2015166376A1 (en) | 2014-05-02 | 2015-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and input/output device |
JP6245063B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2017-12-13 | 富士通株式会社 | コンパレータシステム |
KR20220157523A (ko) | 2014-09-05 | 2022-11-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 드라이버 ic, 표시 장치, 및 전자 장치 |
-
2015
- 2015-09-23 US US14/862,171 patent/US10141342B2/en active Active
- 2015-09-23 JP JP2015186177A patent/JP6633330B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-12 JP JP2019224614A patent/JP6690049B1/ja active Active
-
2020
- 2020-04-08 JP JP2020069851A patent/JP6894997B2/ja active Active
-
2021
- 2021-06-04 JP JP2021094330A patent/JP7105966B2/ja active Active
-
2022
- 2022-07-12 JP JP2022111846A patent/JP2022163019A/ja not_active Withdrawn
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