JPH07122362A - 有機電界発光パネル - Google Patents
有機電界発光パネルInfo
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- JPH07122362A JPH07122362A JP5265079A JP26507993A JPH07122362A JP H07122362 A JPH07122362 A JP H07122362A JP 5265079 A JP5265079 A JP 5265079A JP 26507993 A JP26507993 A JP 26507993A JP H07122362 A JPH07122362 A JP H07122362A
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- electrode
- organic
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- matrix circuit
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 基板１上に、陽極２及び陰極５により挟持さ
れた有機発光層を有する有機電界発光素子と、前記基板
１上に前記有機電界発光素子を駆動するアクティブ・マ
トリクス回路とを設けた有機電界発光パネルであって、
前記アクティブ・マトリクス回路部分が絶縁層により被
覆されていることを特徴とする。 【効果】 力を有する有機電界発光パネルが得られる。
れた有機発光層を有する有機電界発光素子と、前記基板
１上に前記有機電界発光素子を駆動するアクティブ・マ
トリクス回路とを設けた有機電界発光パネルであって、
前記アクティブ・マトリクス回路部分が絶縁層により被
覆されていることを特徴とする。 【効果】 力を有する有機電界発光パネルが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機電界発光パネルに関
するものであり、詳しくは、有機化合物からなる発光層
に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するも
のである。
するものであり、詳しくは、有機化合物からなる発光層
に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光（ＥＬ）素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるＺｎ
Ｓ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎや希土類
元素（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｍ等）をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したＥＬ素子
は、１）交流駆動が必要（５０〜１０００Ｈｚ）、２）
駆動電圧が高い（〜２００Ｖ）、３）フルカラー化が困
難（特に青色が問題）、４）周辺駆動回路のコストが高
い、という問題点を有している。
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるＺｎ
Ｓ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎや希土類
元素（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｍ等）をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したＥＬ素子
は、１）交流駆動が必要（５０〜１０００Ｈｚ）、２）
駆動電圧が高い（〜２００Ｖ）、３）フルカラー化が困
難（特に青色が問題）、４）周辺駆動回路のコストが高
い、という問題点を有している。
【０００３】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたＥＬ素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンからなる有機正孔輸送層と８−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体からなる発光層を設
けた有機電界発光素子の開発（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌ
ｅｔｔ．，５１巻，９１３頁，１９８７年参照）によ
り、従来のアントラセン等の単結晶を用いたＥＬ素子と
比較して発光効率の大幅な改善がなされている。
有機薄膜を用いたＥＬ素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンからなる有機正孔輸送層と８−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体からなる発光層を設
けた有機電界発光素子の開発（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌ
ｅｔｔ．，５１巻，９１３頁，１９８７年参照）によ
り、従来のアントラセン等の単結晶を用いたＥＬ素子と
比較して発光効率の大幅な改善がなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような有機電界
発光素子をディスプレイパネルとして用いるためには、
一般にマトリクスアドレス方式（特開平２−６６８７３
号公報；電気通信学会技術研究報告，ＯＭＥ８９−４
６，３７，１９８９年参照）が採用されるが、画素数の
増加にともない、輝度がデューティの減少とともに減少
する（電気通信学会技術研究報告，ＯＭＥ８８−４７，
３５，１９８８年参照）ことや、クロストークが起きる
ことが実用上大きな問題となっている。
発光素子をディスプレイパネルとして用いるためには、
一般にマトリクスアドレス方式（特開平２−６６８７３
号公報；電気通信学会技術研究報告，ＯＭＥ８９−４
６，３７，１９８９年参照）が採用されるが、画素数の
増加にともない、輝度がデューティの減少とともに減少
する（電気通信学会技術研究報告，ＯＭＥ８８−４７，
３５，１９８８年参照）ことや、クロストークが起きる
ことが実用上大きな問題となっている。
【０００５】上記の問題を解決するために、有機電界発
光素子をアクティブ・マトリクス回路で駆動することが
考えられるが、これまでに開示されている方法（特開平
２−１４８６８７公報参照）では、一つ一つの有機電界
発光素子に複数のＭＯＳトランジスタからなるメモリ素
子を接続してデジタル信号で輝度の制御を行うことか
ら、有機電界発光素子と同一基板上にこれらの回路を実
装することは、開口率が小さくなり、多大な配線を必要
とすることから非常に困難である。
光素子をアクティブ・マトリクス回路で駆動することが
考えられるが、これまでに開示されている方法（特開平
２−１４８６８７公報参照）では、一つ一つの有機電界
発光素子に複数のＭＯＳトランジスタからなるメモリ素
子を接続してデジタル信号で輝度の制御を行うことか
ら、有機電界発光素子と同一基板上にこれらの回路を実
装することは、開口率が小さくなり、多大な配線を必要
とすることから非常に困難である。
【０００６】上述の問題を解決するために、有機電界発
光素子とアクティブ・マトリクス回路を同一基板上に設
けることが必要である。その際に、アクティブ・マトリ
クス回路の電極（主としてソースとドレイン電極）が、
有機電界発光素子の電極と接近しているためにリーク電
流が流れたり短絡したりすることが問題である。本発明
者等は上記実状に鑑み、同一基板上に有機電界発光素子
とそのアクティブ・マトリクス駆動回路を備えた有機電
界発光パネルを提供することを目的とする。
光素子とアクティブ・マトリクス回路を同一基板上に設
けることが必要である。その際に、アクティブ・マトリ
クス回路の電極（主としてソースとドレイン電極）が、
有機電界発光素子の電極と接近しているためにリーク電
流が流れたり短絡したりすることが問題である。本発明
者等は上記実状に鑑み、同一基板上に有機電界発光素子
とそのアクティブ・マトリクス駆動回路を備えた有機電
界発光パネルを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の要旨は、
基板上に、陽極及び陰極により挟持された有機発光層を
有する有機電界発光素子と、前記基板上に前記有機電界
発光素子を駆動するアクティブ・マトリクス回路とを設
けた有機電界発光パネルであって、前記アクティブ・マ
トリクス回路部分が絶縁層により被覆されていることを
特徴とする有機電界発光パネルに存する。
基板上に、陽極及び陰極により挟持された有機発光層を
有する有機電界発光素子と、前記基板上に前記有機電界
発光素子を駆動するアクティブ・マトリクス回路とを設
けた有機電界発光パネルであって、前記アクティブ・マ
トリクス回路部分が絶縁層により被覆されていることを
特徴とする有機電界発光パネルに存する。
【０００８】以下、本発明の有機電界発光パネルについ
て添付図面に従い説明する。図１は、本発明に用いられ
る一般的な有機電界発光素子の構造例を模式的に示す断
面図であり、１は基板、２は陽極、３は正孔輸送層、４
は発光層、５は陰極を各々表わす。基板１は、有機電界
発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板
等が用いられる。
て添付図面に従い説明する。図１は、本発明に用いられ
る一般的な有機電界発光素子の構造例を模式的に示す断
面図であり、１は基板、２は陽極、３は正孔輸送層、４
は発光層、５は陰極を各々表わす。基板１は、有機電界
発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板
等が用いられる。
【０００９】基板１上には陽極２が設けられるが、陽極
２は、通常、金、銀、パラジウム、白金等の金属、イン
ジウム及び／又はスズの酸化物（ＩＴＯと以下略す）等
の金属酸化物やヨウ化銅、あるいは、ポリ（３−メチル
チオフェン）等の導電性高分子等により構成される。陽
極２の上に設けられる正孔輸送層３に用いられる化合物
としては、例えば、特開昭５９−１９４３９３号公報及
び米国特許第４，１７５，９６０号の第１３〜１４欄に
記載されている、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−
（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミン：１，１’−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン等の芳香族アミン系化
合物、特開平２−３１１５９１号公報に記載されている
ヒドラゾン化合物、米国特許第４，９５０，９５０号公
報に記載されているシラザン化合物等が挙げられる。こ
れらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じ
て、各々、混合して用いてもよい。上記の化合物以外
に、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５９巻，２７６０頁，１９９１
年）等の高分子材料を用いることもできる。
２は、通常、金、銀、パラジウム、白金等の金属、イン
ジウム及び／又はスズの酸化物（ＩＴＯと以下略す）等
の金属酸化物やヨウ化銅、あるいは、ポリ（３−メチル
チオフェン）等の導電性高分子等により構成される。陽
極２の上に設けられる正孔輸送層３に用いられる化合物
としては、例えば、特開昭５９−１９４３９３号公報及
び米国特許第４，１７５，９６０号の第１３〜１４欄に
記載されている、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−
（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミン：１，１’−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン等の芳香族アミン系化
合物、特開平２−３１１５９１号公報に記載されている
ヒドラゾン化合物、米国特許第４，９５０，９５０号公
報に記載されているシラザン化合物等が挙げられる。こ
れらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じ
て、各々、混合して用いてもよい。上記の化合物以外
に、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５９巻，２７６０頁，１９９１
年）等の高分子材料を用いることもできる。
【００１０】発光層４に用いられる材料としては、テト
ラフェニルブタジエン等の芳香族化合物（特開昭５７−
５１７８１号公報参照）、８−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体等の金属錯体（特開昭５９−１９４３９
３号公報参照）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２
−２８９６７５号公報参照）、ペリノン誘導体（特開平
２−２８９６７６号公報参照）、オキサジアゾール誘導
体（特開平２−２１６７９１号公報参照）、ビススチリ
ルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同
２−２２２４８４号公報参照）、ペリレン誘導体（特開
平２−１８９８９０号公報、同３−７９１号公報参
照）、クマリン化合物（特開平２−１９１６９４号公
報、同３−７９２号公報参照）、希土類錯体（特開平１
−２５６５８４）、ジスチリルピラジン誘導体（特開平
２−２５２７９３号公報参照）、ｐ−フェニレン化合物
（特開平３−３３１８３号公報参照）、チアジアゾロピ
リジン誘導体（特開平３−３７２９２号公報参照）、ピ
ロロピリジン誘導体（特開平３−３７２９３号公報参
照）、ナフチリジン誘導体（特開平３−２０３９８２号
公報参照）等が挙げられる。
ラフェニルブタジエン等の芳香族化合物（特開昭５７−
５１７８１号公報参照）、８−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体等の金属錯体（特開昭５９−１９４３９
３号公報参照）、シクロペンタジエン誘導体（特開平２
−２８９６７５号公報参照）、ペリノン誘導体（特開平
２−２８９６７６号公報参照）、オキサジアゾール誘導
体（特開平２−２１６７９１号公報参照）、ビススチリ
ルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同
２−２２２４８４号公報参照）、ペリレン誘導体（特開
平２−１８９８９０号公報、同３−７９１号公報参
照）、クマリン化合物（特開平２−１９１６９４号公
報、同３−７９２号公報参照）、希土類錯体（特開平１
−２５６５８４）、ジスチリルピラジン誘導体（特開平
２−２５２７９３号公報参照）、ｐ−フェニレン化合物
（特開平３−３３１８３号公報参照）、チアジアゾロピ
リジン誘導体（特開平３−３７２９２号公報参照）、ピ
ロロピリジン誘導体（特開平３−３７２９３号公報参
照）、ナフチリジン誘導体（特開平３−２０３９８２号
公報参照）等が挙げられる。
【００１１】陰極５は発光層４に電子を注入する役割を
果たす。陰極５として用いられる材料は、効率よく電子
注入を行なうために仕事関数の低い金属が好ましく、ス
ズ、マグネシウム、インジウム、アルミニウム、銀等の
適当な金属又はそれらの合金が用いられる。本発明にお
いては、第１図に示した構造以外にも、以下に示すよう
な層構成の有機電界発光素子を用いることができる。
果たす。陰極５として用いられる材料は、効率よく電子
注入を行なうために仕事関数の低い金属が好ましく、ス
ズ、マグネシウム、インジウム、アルミニウム、銀等の
適当な金属又はそれらの合金が用いられる。本発明にお
いては、第１図に示した構造以外にも、以下に示すよう
な層構成の有機電界発光素子を用いることができる。
【００１２】
【表１】 陽極／有機発光層／陰極 陽極／高分子からなる有機発光層／陰極 陽極／高分子に分散させた有機発光層／陰極 陽極／正孔輸送層／有機電子輸送性発光層／陰極 陽極／有機正孔輸送性発光層／有機電子輸送層／陰極 陽極／正孔輸送層／有機電子輸送性発光層／電子輸送層
／陰極 次に、本発明における有機電界発光素子を駆動するアク
ティブ・マトリクス回路について説明する。
／陰極 次に、本発明における有機電界発光素子を駆動するアク
ティブ・マトリクス回路について説明する。
【００１３】本発明の有機電界発光パネルは、ＸＹのマ
トリクスに配置された有機電界発光素子からなる画素に
対して、Ｘ方向に１ラインずつ選択し、Ｙ方向の電極か
ら各画素の表示信号を与え、Ｘ方向の選択信号は１ライ
ンずつ操作され、一巡して全画面を表示する方式のもの
である。このパネルにおいては、各画素の回路上にメモ
リ機能をもたせるようにした。なぜなら液晶の場合とは
異なり、選択時（ある画素の走査電極がＯＮとなり、表
示信号が与えられている状態）のみに電流を流しただけ
では、選択された瞬間だけ画素が発光することになり、
画面全体として連続した表示はできないからである。そ
こで回路上に選択時から画面を一巡して次の選択時まで
の間、表示状態を維持するためのメモリが必要となる。
そして、電流駆動が可能な回路とした。具体的には、通
常、液晶用の駆動回路と比較して、素子に流れる電流密
度は１０００倍以上となる。
トリクスに配置された有機電界発光素子からなる画素に
対して、Ｘ方向に１ラインずつ選択し、Ｙ方向の電極か
ら各画素の表示信号を与え、Ｘ方向の選択信号は１ライ
ンずつ操作され、一巡して全画面を表示する方式のもの
である。このパネルにおいては、各画素の回路上にメモ
リ機能をもたせるようにした。なぜなら液晶の場合とは
異なり、選択時（ある画素の走査電極がＯＮとなり、表
示信号が与えられている状態）のみに電流を流しただけ
では、選択された瞬間だけ画素が発光することになり、
画面全体として連続した表示はできないからである。そ
こで回路上に選択時から画面を一巡して次の選択時まで
の間、表示状態を維持するためのメモリが必要となる。
そして、電流駆動が可能な回路とした。具体的には、通
常、液晶用の駆動回路と比較して、素子に流れる電流密
度は１０００倍以上となる。
【００１４】以上が基本的な回路の機能であるが、さら
に表示パネルとしてコントラストが十分に大きいこと、
画面の開口率が大きいこと、クロストークがないこと等
をさらに考慮した。図２に一画素分の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）とコンデンサとからなるアクティブ・マトリ
クス駆動回路を示す。本回路では各画素毎に２つのＴＦ
Ｔと１つのコンデンサから構成され、電流駆動とメモリ
性を実現している。駆動信号用に２つの電極（ＳＣＡＮ
電極、ＤＡＴＡ電極）があり液晶用と類似しているが、
その他に電流供給用としてＣＯＭ電極があり、常に電圧
が印加されている点が異なっている。
に表示パネルとしてコントラストが十分に大きいこと、
画面の開口率が大きいこと、クロストークがないこと等
をさらに考慮した。図２に一画素分の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）とコンデンサとからなるアクティブ・マトリ
クス駆動回路を示す。本回路では各画素毎に２つのＴＦ
Ｔと１つのコンデンサから構成され、電流駆動とメモリ
性を実現している。駆動信号用に２つの電極（ＳＣＡＮ
電極、ＤＡＴＡ電極）があり液晶用と類似しているが、
その他に電流供給用としてＣＯＭ電極があり、常に電圧
が印加されている点が異なっている。
【００１５】以下に素子の動作を説明する。図２の回路
図上ではＴＦＴをＦＥＴとして表現しているが、ＴＦＴ
は基本的にはＭＯＳ−ＦＥＴと類似した構造・動作であ
り、ゲート電位によりソース・ドレイン電極間のスイッ
チ動作を行うことができる。駆動のための信号の与え方
は、１ライン毎に選択し、選択されたライン中の各画素
毎にＯＮかＯＦＦかの信号を与える。選択するための電
極がＳＣＡＮ電極であり、信号を与える電極がＤＡＴＡ
電極である。いま、選択状態、即ちＳＣＡＮ信号（ＳＣ
ＡＮ電極の入力信号）がＨＩＧＨの時、ＴＦＴ１はＯＮ
状態になり、中間電極ＦＥの電位はＤＡＴＡ信号がＨＩ
ＧＨならＨＩＧＨに、ＬＯＷならＬＯＷとなる。従っ
て、ＤＡＴＡ信号がＨＩＧＨならＴＦＴ２はＯＮとな
り、出力電位（画素電極の電位）はＨＩＧＨとなる。ま
た、ＤＡＴＡ信号がＬＯＷならばＴＦＴ２はＯＦＦとな
り、出力電位はＬＯＷとなる。その後、ＳＣＡＮ信号が
ＬＯＷ、即ち、非選択状態になった時、ＴＦＴ１はＯＦ
Ｆとなるが、中間電極ＦＥの電位はコンデンサＣにより
保持されて変化せず、ＤＡＴＡ信号が変化しても出力電
位の状態は変化しない。出力電位が変化するのは、再び
この画素を含むラインが選択状態、つまり、ＳＣＡＮ信
号がＨＩＧＨになり、以前とは異なった信号がＤＡＴＡ
電極に与えられた時である。この回路により、電流駆動
型であってもアクティブ・マトリクス方式の駆動が可能
となる。
図上ではＴＦＴをＦＥＴとして表現しているが、ＴＦＴ
は基本的にはＭＯＳ−ＦＥＴと類似した構造・動作であ
り、ゲート電位によりソース・ドレイン電極間のスイッ
チ動作を行うことができる。駆動のための信号の与え方
は、１ライン毎に選択し、選択されたライン中の各画素
毎にＯＮかＯＦＦかの信号を与える。選択するための電
極がＳＣＡＮ電極であり、信号を与える電極がＤＡＴＡ
電極である。いま、選択状態、即ちＳＣＡＮ信号（ＳＣ
ＡＮ電極の入力信号）がＨＩＧＨの時、ＴＦＴ１はＯＮ
状態になり、中間電極ＦＥの電位はＤＡＴＡ信号がＨＩ
ＧＨならＨＩＧＨに、ＬＯＷならＬＯＷとなる。従っ
て、ＤＡＴＡ信号がＨＩＧＨならＴＦＴ２はＯＮとな
り、出力電位（画素電極の電位）はＨＩＧＨとなる。ま
た、ＤＡＴＡ信号がＬＯＷならばＴＦＴ２はＯＦＦとな
り、出力電位はＬＯＷとなる。その後、ＳＣＡＮ信号が
ＬＯＷ、即ち、非選択状態になった時、ＴＦＴ１はＯＦ
Ｆとなるが、中間電極ＦＥの電位はコンデンサＣにより
保持されて変化せず、ＤＡＴＡ信号が変化しても出力電
位の状態は変化しない。出力電位が変化するのは、再び
この画素を含むラインが選択状態、つまり、ＳＣＡＮ信
号がＨＩＧＨになり、以前とは異なった信号がＤＡＴＡ
電極に与えられた時である。この回路により、電流駆動
型であってもアクティブ・マトリクス方式の駆動が可能
となる。
【００１６】以上の回路を開口率を考慮して基板上に具
体化したのものを図３に示す。同図には４回路分のパタ
ーンを示してある。本発明のアクティブ・マトリクス回
路に用いられるＴＦＴの材料としては、非晶質シリコン
（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、セ
レン化カドミウム（ＣｄＳｅ）が挙げられる。ＴＦＴ構
造としては、逆スタガ型と呼ばれるものが好ましくは採
用される。
体化したのものを図３に示す。同図には４回路分のパタ
ーンを示してある。本発明のアクティブ・マトリクス回
路に用いられるＴＦＴの材料としては、非晶質シリコン
（ａ−Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、セ
レン化カドミウム（ＣｄＳｅ）が挙げられる。ＴＦＴ構
造としては、逆スタガ型と呼ばれるものが好ましくは採
用される。
【００１７】代表的な例として、逆スタガ型構造のａ−
ＳｉＴＦＴを図４に示す。ガラス基板６の上にａ−Ｓｉ
ＴＦＴは形成される。ゲート電極７としては、Ｍｏ、Ｔ
ａ、Ａｌ、Ｃｒやそれらの積層膜または合金等が用いら
れる。ゲート電極は、通常、電子ビーム蒸着法やスパッ
タ法により形成される。ゲート絶縁膜８としては、シリ
コン窒化膜（ＳｉＮx ）が用いられ、その上にｉ型ａ−
Ｓｉ層９とｎ+ 型ａ−Ｓｉ層１０が積層される。シリコ
ン窒化膜（ＳｉＮx ）、ｉ型ａ−Ｓｉ層およびｎ+ 型ａ
−Ｓｉ層は、通常、プラズマＣＶＤ法により連続して形
成される。ｎ+型ａ−Ｓｉ層１０に窓を形成した後に、
ソース及びドレイン電極１１ａ、１１ｂを形成する。ソ
ース、ドレイン電極としてはゲート電極と同様の金属が
使用される。上記のａ−ＳｉＴＦＴにおいては、ゲート
電位によりｉ型ａ−Ｓｉ半導体層表面に電荷が誘起さ
れ、その電荷の有無によりソース・ドレイン電極間のス
イッチ動作を行う。ｎ+ 型ａ−Ｓｉは電極への電荷の移
動を円滑にするためのコンタクト層である。
ＳｉＴＦＴを図４に示す。ガラス基板６の上にａ−Ｓｉ
ＴＦＴは形成される。ゲート電極７としては、Ｍｏ、Ｔ
ａ、Ａｌ、Ｃｒやそれらの積層膜または合金等が用いら
れる。ゲート電極は、通常、電子ビーム蒸着法やスパッ
タ法により形成される。ゲート絶縁膜８としては、シリ
コン窒化膜（ＳｉＮx ）が用いられ、その上にｉ型ａ−
Ｓｉ層９とｎ+ 型ａ−Ｓｉ層１０が積層される。シリコ
ン窒化膜（ＳｉＮx ）、ｉ型ａ−Ｓｉ層およびｎ+ 型ａ
−Ｓｉ層は、通常、プラズマＣＶＤ法により連続して形
成される。ｎ+型ａ−Ｓｉ層１０に窓を形成した後に、
ソース及びドレイン電極１１ａ、１１ｂを形成する。ソ
ース、ドレイン電極としてはゲート電極と同様の金属が
使用される。上記のａ−ＳｉＴＦＴにおいては、ゲート
電位によりｉ型ａ−Ｓｉ半導体層表面に電荷が誘起さ
れ、その電荷の有無によりソース・ドレイン電極間のス
イッチ動作を行う。ｎ+ 型ａ−Ｓｉは電極への電荷の移
動を円滑にするためのコンタクト層である。
【００１８】コンデンサ及び電極交差部はＴＦＴ用の絶
縁膜を用い、ＴＦＴ作製と同時に形成できる構造とし
た。コンデンサは定電位のＣＯＭ電極との間で形成され
るために、ノイズに強い回路構成となっている。有機電
界発光パネルの製作工程の例を図５に示す。 （ａ）下部電極形成工程：ＩＴＯ画素電極２ａとゲート
電極７ａのパターニング（電極７ｂは蓄積用コンデンサ
の電極となる） （ｂ）ａ−Ｓｉ連続成膜工程：ＳｉＮx 層８ａ／ｉ型ａ
−Ｓｉ層９ａ／ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層１０ａ （ｃ）ａ−Ｓｉパターニング工程：ＴＦＴ（８ｂ〜１０
ｂ）と蓄積用コンデンサ（８ｃ〜１０ｃ） （ｄ）上部電極形成工程：ＴＦＴのソース電極、ドレイ
ン電極１１ａ、１１ｂおよび蓄積用コンデンサの電極１
１ｃの形成 （ｅ）ＴＦＴのチャンネル形成：ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層１０
ｂのエッチオフ （ｆ）アクティブ・マトリクス回路保護用の絶縁膜１２
の形成 （ｇ）有機発光層成膜工程：有機発光層１３の形成 （ｈ）陰極形成工程：陰極５ａの形成 上記の工程例では、これまでに開示されているマトリク
ス構造におけるような陰極５ａのパターニングが必要で
なく、陰極５ａと有機発光層１３の形成は全面一様成膜
でよい。従って、有機発光層１３を形成した後に、有機
発光層にダメージを与えるフォトリソグラフィプロセス
を経ることが避けられ、全体の工程も簡素化される。こ
のようなアクティブ・マトリクス回路を備えた有機電界
発光素子では、絶縁層１２がないと、陰極５ａとＴＦＴ
のソース電極１１ａ、ドレイン電極１１ｂ、蓄積用コン
デンサの電極１１ｃとの間で電界がかかるために不要な
リーク電流が流れたり、絶縁破壊による短絡を起こし
て、結果として、アクティブ・マトリクス回路の動作を
阻害したり、最悪の場合は、アクティブ・マトリクス駆
動を不可能とする。アクティブ・マトリクス回路保護用
の絶縁膜１２は、上述のようなリーク電流や絶縁破壊を
防止し、アクティブ・マトリクス回路の完全動作を保証
するものである。
縁膜を用い、ＴＦＴ作製と同時に形成できる構造とし
た。コンデンサは定電位のＣＯＭ電極との間で形成され
るために、ノイズに強い回路構成となっている。有機電
界発光パネルの製作工程の例を図５に示す。 （ａ）下部電極形成工程：ＩＴＯ画素電極２ａとゲート
電極７ａのパターニング（電極７ｂは蓄積用コンデンサ
の電極となる） （ｂ）ａ−Ｓｉ連続成膜工程：ＳｉＮx 層８ａ／ｉ型ａ
−Ｓｉ層９ａ／ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層１０ａ （ｃ）ａ−Ｓｉパターニング工程：ＴＦＴ（８ｂ〜１０
ｂ）と蓄積用コンデンサ（８ｃ〜１０ｃ） （ｄ）上部電極形成工程：ＴＦＴのソース電極、ドレイ
ン電極１１ａ、１１ｂおよび蓄積用コンデンサの電極１
１ｃの形成 （ｅ）ＴＦＴのチャンネル形成：ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層１０
ｂのエッチオフ （ｆ）アクティブ・マトリクス回路保護用の絶縁膜１２
の形成 （ｇ）有機発光層成膜工程：有機発光層１３の形成 （ｈ）陰極形成工程：陰極５ａの形成 上記の工程例では、これまでに開示されているマトリク
ス構造におけるような陰極５ａのパターニングが必要で
なく、陰極５ａと有機発光層１３の形成は全面一様成膜
でよい。従って、有機発光層１３を形成した後に、有機
発光層にダメージを与えるフォトリソグラフィプロセス
を経ることが避けられ、全体の工程も簡素化される。こ
のようなアクティブ・マトリクス回路を備えた有機電界
発光素子では、絶縁層１２がないと、陰極５ａとＴＦＴ
のソース電極１１ａ、ドレイン電極１１ｂ、蓄積用コン
デンサの電極１１ｃとの間で電界がかかるために不要な
リーク電流が流れたり、絶縁破壊による短絡を起こし
て、結果として、アクティブ・マトリクス回路の動作を
阻害したり、最悪の場合は、アクティブ・マトリクス駆
動を不可能とする。アクティブ・マトリクス回路保護用
の絶縁膜１２は、上述のようなリーク電流や絶縁破壊を
防止し、アクティブ・マトリクス回路の完全動作を保証
するものである。
【００１９】上記絶縁層に用いられる材料としては、フ
ォトリソグラフィによるパターニングが可能で十分な絶
縁耐圧を有するものが使用可能で、具体例としては、シ
リコン酸化膜、シリコン窒化膜等が挙げられ、これらの
絶縁膜はＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、蒸
着法等により形成することができる。無機材料以外で
は、感光性樹脂を用いて上記絶縁層を形成することが可
能で、この場合は通常のフォトレジストをパターニング
する工程だけでよく簡便である。
ォトリソグラフィによるパターニングが可能で十分な絶
縁耐圧を有するものが使用可能で、具体例としては、シ
リコン酸化膜、シリコン窒化膜等が挙げられ、これらの
絶縁膜はＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、蒸
着法等により形成することができる。無機材料以外で
は、感光性樹脂を用いて上記絶縁層を形成することが可
能で、この場合は通常のフォトレジストをパターニング
する工程だけでよく簡便である。
【００２０】
【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。以下に有機電
界発光パネルの製作例を示す。ＴＦＴ素子の設計として
は、図２に示した回路図において、第１のＴＦＴのゲー
ト長を２０μｍ、ゲート幅を１００μｍとし、第２のＴ
ＦＴのゲート長を２０μｍ、ゲート幅を６００μｍとし
た。画素面積は６００μｍ×６００μｍ、画素間隔は８
００μｍ×８００μｍで、開口率を５６％とした。
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載に限定されるものではない。以下に有機電
界発光パネルの製作例を示す。ＴＦＴ素子の設計として
は、図２に示した回路図において、第１のＴＦＴのゲー
ト長を２０μｍ、ゲート幅を１００μｍとし、第２のＴ
ＦＴのゲート長を２０μｍ、ゲート幅を６００μｍとし
た。画素面積は６００μｍ×６００μｍ、画素間隔は８
００μｍ×８００μｍで、開口率を５６％とした。
【００２１】以下に各製作工程について説明する。 （ａ）下部電極形成工程 無アルカリガラス（コーニング７０５９）基板上に、Ｉ
ＴＯを膜厚１２０ｎｍスパッタしたもの（シート抵抗〜
２０Ω／□）を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩
酸を用いたウェットエッチングにより画素電極（陽極）
のパターニングを行った。次に電子ビーム蒸着により、
５０ｎｍのＣｒ層、８０ｎｍのＡｕ層、３０ｎｍのＣｒ
層を順次積層し、通常のフォトリソグラフィー技術と硝
酸セリウムとアンモニア水を用いたウェットエッチング
によりゲート電極を形成した。 （ｂ）ａ−Ｓｉ連続成膜工程 （ａ）の工程で作製した基板を、プラズマＣＶＤ装置に
セットし、以下の表−１に示す条件でａ−Ｓｉ各層を連
続成膜した。
ＴＯを膜厚１２０ｎｍスパッタしたもの（シート抵抗〜
２０Ω／□）を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩
酸を用いたウェットエッチングにより画素電極（陽極）
のパターニングを行った。次に電子ビーム蒸着により、
５０ｎｍのＣｒ層、８０ｎｍのＡｕ層、３０ｎｍのＣｒ
層を順次積層し、通常のフォトリソグラフィー技術と硝
酸セリウムとアンモニア水を用いたウェットエッチング
によりゲート電極を形成した。 （ｂ）ａ−Ｓｉ連続成膜工程 （ａ）の工程で作製した基板を、プラズマＣＶＤ装置に
セットし、以下の表−１に示す条件でａ−Ｓｉ各層を連
続成膜した。
【００２２】
【表２】 （ｃ）ａ−Ｓｉパターニング工程 上記のプラズマＣＶＤ装置から基板を取り出して、通常
のフォトリソグラフィー技術とＳＦ6 ガスを用いたプラ
ズマエッチングによりａ−Ｓｉのパターニングを行っ
た。 （ｄ）上部電極形成工程 電子ビーム蒸着により、５０ｎｍのＣｒ層と１００ｎｍ
のＡｕ層とを順次積層し、通常のフォトリソグラフィー
技術とウェットエッチングによりドレイン及びソース電
極を形成した。 （ｅ）ｎ+ ａ−Ｓｉ層エッチオフ工程 通常のフォトリソグラフィー技術とＳＦ6 ガスを用いた
プラズマエッチングによりｎ+ ａ−Ｓｉの層のエッチン
グを行い、チャンネルを形成した。
のフォトリソグラフィー技術とＳＦ6 ガスを用いたプラ
ズマエッチングによりａ−Ｓｉのパターニングを行っ
た。 （ｄ）上部電極形成工程 電子ビーム蒸着により、５０ｎｍのＣｒ層と１００ｎｍ
のＡｕ層とを順次積層し、通常のフォトリソグラフィー
技術とウェットエッチングによりドレイン及びソース電
極を形成した。 （ｅ）ｎ+ ａ−Ｓｉ層エッチオフ工程 通常のフォトリソグラフィー技術とＳＦ6 ガスを用いた
プラズマエッチングによりｎ+ ａ−Ｓｉの層のエッチン
グを行い、チャンネルを形成した。
【００２３】上記（ａ）〜（ｅ）の工程で作製した有機
電界発光パネルのａ−ＳｉＴＦＴの特性を評価したとこ
ろ、移動度（μＦＥ）は０．５ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅｃ、し
きい値は３Ｖであった。 （ｆ）アクティブ・マトリクス回路保護用の絶縁膜形成
工程 アルカリ現像型透明耐熱レジスト材料（新日鉄化学
（株）製；Ｖ−２５９ＰＡ）を用いて通常のフォトリソ
グラフィー技術により膜厚１．３μｍの絶縁層を形成し
た。 （ｇ）有機電界発光層成膜工程 （ｆ）までの工程で出来上がった駆動回路基板を、メタ
ノールで超音波洗浄、純水で水洗、乾燥窒素で乾燥、Ｕ
Ｖ／オゾン洗浄を行った後、蒸着部分を限定する密着マ
スクをつけて真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度
が２×１０-6Ｔｏｒｒ以下になるまで油拡散ポンプを用
いて排気した。以下、図１に示す構造の有機電界発光素
子部分を作製した。
電界発光パネルのａ−ＳｉＴＦＴの特性を評価したとこ
ろ、移動度（μＦＥ）は０．５ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅｃ、し
きい値は３Ｖであった。 （ｆ）アクティブ・マトリクス回路保護用の絶縁膜形成
工程 アルカリ現像型透明耐熱レジスト材料（新日鉄化学
（株）製；Ｖ−２５９ＰＡ）を用いて通常のフォトリソ
グラフィー技術により膜厚１．３μｍの絶縁層を形成し
た。 （ｇ）有機電界発光層成膜工程 （ｆ）までの工程で出来上がった駆動回路基板を、メタ
ノールで超音波洗浄、純水で水洗、乾燥窒素で乾燥、Ｕ
Ｖ／オゾン洗浄を行った後、蒸着部分を限定する密着マ
スクをつけて真空蒸着装置内に設置し、装置内の真空度
が２×１０-6Ｔｏｒｒ以下になるまで油拡散ポンプを用
いて排気した。以下、図１に示す構造の有機電界発光素
子部分を作製した。
【００２４】有機正孔輸送層材料として、下記構造式
（Ｈ１）で示されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−
（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンをセラミックるつぼに入れ、るつぼの周
囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。
（Ｈ１）で示されるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−
（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンをセラミックるつぼに入れ、るつぼの周
囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。
【００２５】
【化１】
【００２６】この時のるつぼの温度は、１６０〜１７０
℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は２×１０-6Ｔｏ
ｒｒで、蒸着時間３分２０秒で膜厚６０ｎｍの正孔輸送
層３を得た。次に、発光層４の材料として、下記構造式
（Ｅ１）で示されるアルミニウムの８−ヒドロキシキノ
リン錯体、Ａｌ(Ｃ9Ｈ6ＮＯ)3 を上記正孔輸送層３の上
に同様にして蒸着を行なった。
℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は２×１０-6Ｔｏ
ｒｒで、蒸着時間３分２０秒で膜厚６０ｎｍの正孔輸送
層３を得た。次に、発光層４の材料として、下記構造式
（Ｅ１）で示されるアルミニウムの８−ヒドロキシキノ
リン錯体、Ａｌ(Ｃ9Ｈ6ＮＯ)3 を上記正孔輸送層３の上
に同様にして蒸着を行なった。
【００２７】
【化２】
【００２８】この時のるつぼの温度は２３０〜２７０℃
の範囲で制御した。蒸着時の真空度は２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、蒸着時間は３分３０秒、膜厚は７５ｎｍであった。 （ｈ）陰極形成工程 （ｇ）で成膜したものを上記の真空蒸着装置から取り出
して、陰極蒸着部分を限定する密着マスクをつけて別の
真空蒸着装置内に設置し、マグネシウムと銀の合金陰極
を２元同時蒸着法によって膜厚１５０ｎｍで蒸着した。
蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は３×１０-6
Ｔｏｒｒ、蒸着時間は４分３０秒で光沢のある膜が得ら
れた。マグネシウムと銀の原子比は１０：１．５であっ
た。 ＜有機電界発光パネルの駆動特性＞入力信号波形とし
て、１ラインの選択時間を０．２ｍ秒、選択状態が１巡
する時間（フィールド時間）を１０ｍ秒とした場合の、
ＳＣＡＮ信号、ＤＡＴＡ信号、ＣＯＭ信号の各入力波形
を図６に示す。入力信号電圧は、ＤＡＴＡ信号とＳＣＡ
Ｎ信号については、ＬＯＷ＝０Ｖ、ＨＩＧＨ＝３６Ｖと
し、ＣＯＭ信号については２５Ｖとした。この入力信号
波形は１００ライン（画面を２分割して駆動する場合）
のディスプレイにおいて、フィールド周波数（画面を書
き換える周波数）を１００Ｈｚとした時に相当し、この
フィールド周波数は動画及び静止画の表示が十分に可能
な値である。画素電極の電圧波形を図７に示す。ＯＮか
らＯＦＦへの立ち下がり応答が遅くなっているが、有機
電界発光素子の電流−電圧特性からすると問題になら
ず、陰極を接地した時の有機電界発光素子からの実際の
発光波形も急峻な立ち下がりとなりディスプレイとして
満足できる（図８）。２００ライン、フィールド周波数
５０Ｈｚに相当する入力信号の場合についても同様な測
定を行い、満足する動作特性を得た。
の範囲で制御した。蒸着時の真空度は２×１０-6Ｔｏｒ
ｒ、蒸着時間は３分３０秒、膜厚は７５ｎｍであった。 （ｈ）陰極形成工程 （ｇ）で成膜したものを上記の真空蒸着装置から取り出
して、陰極蒸着部分を限定する密着マスクをつけて別の
真空蒸着装置内に設置し、マグネシウムと銀の合金陰極
を２元同時蒸着法によって膜厚１５０ｎｍで蒸着した。
蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は３×１０-6
Ｔｏｒｒ、蒸着時間は４分３０秒で光沢のある膜が得ら
れた。マグネシウムと銀の原子比は１０：１．５であっ
た。 ＜有機電界発光パネルの駆動特性＞入力信号波形とし
て、１ラインの選択時間を０．２ｍ秒、選択状態が１巡
する時間（フィールド時間）を１０ｍ秒とした場合の、
ＳＣＡＮ信号、ＤＡＴＡ信号、ＣＯＭ信号の各入力波形
を図６に示す。入力信号電圧は、ＤＡＴＡ信号とＳＣＡ
Ｎ信号については、ＬＯＷ＝０Ｖ、ＨＩＧＨ＝３６Ｖと
し、ＣＯＭ信号については２５Ｖとした。この入力信号
波形は１００ライン（画面を２分割して駆動する場合）
のディスプレイにおいて、フィールド周波数（画面を書
き換える周波数）を１００Ｈｚとした時に相当し、この
フィールド周波数は動画及び静止画の表示が十分に可能
な値である。画素電極の電圧波形を図７に示す。ＯＮか
らＯＦＦへの立ち下がり応答が遅くなっているが、有機
電界発光素子の電流−電圧特性からすると問題になら
ず、陰極を接地した時の有機電界発光素子からの実際の
発光波形も急峻な立ち下がりとなりディスプレイとして
満足できる（図８）。２００ライン、フィールド周波数
５０Ｈｚに相当する入力信号の場合についても同様な測
定を行い、満足する動作特性を得た。
【００２９】上記のアクティブ・マトリクス駆動動作に
おいて、ソース電極またはドレイン電極と陰極間でのリ
ーク電流は観測されず、絶縁破壊を起こした画素も皆無
であった。
おいて、ソース電極またはドレイン電極と陰極間でのリ
ーク電流は観測されず、絶縁破壊を起こした画素も皆無
であった。
【００３０】
【発明の効果】本発明においては、有機電界発光素子と
同一基板に薄膜トランジスタとコンデンサとからなるア
クティブ・マトリクス回路を設けることにより、優れた
表示能力を有する有機電界発光パネルが達成される。従
って、本発明の有機電界発光パネルはフラットパネル・
ディスプレイ（例えばＯＡ用、ＦＡ用及びＬＡ用コンピ
ュータや壁掛けテレビ）の分野や計測機器類の表示パネ
ルへの応用が考えられ、その技術的価値は大きいもので
ある。
同一基板に薄膜トランジスタとコンデンサとからなるア
クティブ・マトリクス回路を設けることにより、優れた
表示能力を有する有機電界発光パネルが達成される。従
って、本発明の有機電界発光パネルはフラットパネル・
ディスプレイ（例えばＯＡ用、ＦＡ用及びＬＡ用コンピ
ュータや壁掛けテレビ）の分野や計測機器類の表示パネ
ルへの応用が考えられ、その技術的価値は大きいもので
ある。
【図１】本発明に用いられる有機電界発光素子の一例を
示した模式断面図。
示した模式断面図。
【図２】本発明の有機電界発光パネルの駆動用の回路
図。
図。
【図３】本発明の有機電界発光パネルのＴＦＴ駆動回路
平面図。
平面図。
【図４】本発明の有機電界発光パネル駆動回路に用いら
れるＴＦＴ構造の例を示した図。
れるＴＦＴ構造の例を示した図。
【図５】本発明の有機電界発光パネルの作製工程例を示
した図。
した図。
【図６】実施例における入力信号波形を示した図。
【図７】実施例における画素電圧信号波形を示した図。
【図８】実施例における画素発光出力波形示した図。
１ 基板 ２ 陽極 ２ａ ＩＴＯ画素電極 ３ 正孔輸送層 ４ 発光層 ５，５ｂ 陰極 ６ ガラス基板 ７ａ ＴＦＴのゲート電極、 ７ｂ 蓄積用コンデンサの電極 ８，８ａ，８ｂ，８ｃ ＳｉＮx 絶縁膜 ９，９ａ，９ｂ，９ｃ ｉ層ａ−Ｓｉ 10，10ａ，10ｂ，10ｃ ｎ+ 層ａ−Ｓｉ 11ａ ソース電極 11ｂ ドレイン電極 11ｃ 蓄積用コンデンサの電極 12 アクティブ・マトリクス回路保護用の絶縁層 13 有機発光層
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、陽極及び陰極により挟持され
た有機発光層を有する有機電界発光素子と、前記基板上
に前記有機電界発光素子を駆動するアクティブ・マトリ
クス回路とを設けた有機電界発光パネルであって、前記
アクティブ・マトリクス回路部分が絶縁層により被覆さ
れていることを特徴とする有機電界発光パネル。 - 【請求項２】 アクティブ・マトリクス回路が、スイッ
チング信号に応じてＯＮ、ＯＦＦし、発光信号に応じて
蓄積用コンデンサを充放電する第１の薄膜トランジスタ
と、前記蓄積用コンデンサからの放電電圧に応じてＯ
Ｎ、ＯＦＦし、前記有機電界発光素子の発光、非発光を
制御する第２の薄膜トランジスタとを有することを特徴
とする請求項１記載の有機電界発光パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5265079A JPH07122362A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 有機電界発光パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5265079A JPH07122362A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 有機電界発光パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122362A true JPH07122362A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17412312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5265079A Pending JPH07122362A (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | 有機電界発光パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122362A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006323396A (ja) * | 1997-02-17 | 2006-11-30 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| JP2008287288A (ja) * | 1997-02-17 | 2008-11-27 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| KR101222540B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2013-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자와 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP5265079A patent/JPH07122362A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006323396A (ja) * | 1997-02-17 | 2006-11-30 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| JP2008287288A (ja) * | 1997-02-17 | 2008-11-27 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
| US7710364B2 (en) | 1997-02-17 | 2010-05-04 | Seiko Epson Corporation | Display apparatus |
| US7880696B2 (en) | 1997-02-17 | 2011-02-01 | Seiko Epson Corporation | Display apparatus |
| KR101222540B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2013-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광표시소자와 그 제조방법 |
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