JP3694078B2 - 有機エレクトロルミネセンス媒体を用いたｔｆｔ−ｅｌ表示パネル - Google Patents
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Description
【０００１】
関連する出願の相互参照
Ｔａｎｇ等によるアメリカ国特許出願０８／３５５７８６「Ａｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ Ｈａｖｉｎｇ ａｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ」及びＴａｎｇ等によるアメリカ国特許出願０８／３５５９４０「Ａ Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ａ ＴＦＴ−ＥＬ Ｐｉｘｅｌ」は両方とも同時に出願され、その記述をここに引用する。
【０００２】
【発明の属する技術分野】
本発明は能動マトリックスアドレッシング要素として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と放射媒体として有機エレクトロルミネセンス薄膜とを用いたエレクトロルミネセンス表示パネルに関する。
【０００３】
【従来の技術】
フラットパネル表示器（ＦＰＤ）技術の急速な発展は高品質大領域、フルカラー、高解像度表示器を可能にした。これらの表示器はラップトップコンピュータやポケットＴＶのような電子製品での新たな応用を可能にした。これらのＦＰＤ技術の中で液晶表示器（ＬＣＤ）は市場での表示器の選択として出現した。それはまた他のＦＰＤ技術が比較される技術標準を設定した。ＬＣＤパネルの例は以下を含む：（１）ワークステイション用の１４”，１６−カラーＬＣＤパネル（ＩＢＭと東芝、１９８９年）（Ｋ．Ｉｃｈｉｋａｗａ，Ｓ．Ｓｕｚｕｋｉ，Ｈ．Ｍａｔｉｎｏ，Ｔ．Ａｏｋｉ，Ｔ．Ｈｉｇｕｃｈｉ，Ｙ．Ｏａｎｏ等によるＳＩＤ Ｄｉｇｅｓｔ，２２６（１９８９）を参照）、（２）６”フルカラーＬＣＤ−ＴＶ（フィリップス、１９８７年）（Ｍ．Ｊ．Ｐｏｗｅｌｌ，Ｊ．Ａ．Ｃｈａｐｍａｎ，Ａ．Ｇ．Ｋｎａｐｐ，Ｉ．Ｄ．Ｆｒｅｎｃｈ，Ｊ．Ｒ．Ｈｕｇｈｅｓ，Ａ．Ｄ．Ｐｅａｒｓｏｎ，Ｍ．Ａｌｌｉｎｓｏｎ，Ｍ．Ｊ．Ｅｄｗａｒｄｓ，Ｒ．Ａ．Ｆｏｒｄ，Ｍ．Ｃ．Ｈｅｍｍｉｎｇｓ，Ｏ．Ｆ．Ｈｉｌｌ，Ｄ．Ｈ．Ｎｉｃｈｏｌｌｓ，Ｎ．Ｋ．Ｗｒｉｇｈｔ等によるＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ，Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，６３，１９８７を参照）、（３）４”フルカラーＬＣＤ−ＴＶ（モデルＬＱ４２４Ａ０１）（ｍｏｄｅｌ ＬＱ４２４Ａ０１用のＳｈａｒｐ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｌｉｔｅｒａｔｕｒｅを参照）、（４）１メガ画素カラーＴＦＴ−ＬＣＤ（ゼネラルエレクトリック）（Ｄ．Ｅ．Ｃａｓｔｌｅｂｅｒｒｙ，Ｇ．Ｅ．ＰｏｓｓｉｎによるＳＩＤ Ｄｉｇｅｓｔ，２３２（１９８８）を参照）。特許及び出版物を含む全ての参考文献は以下で完全に再現されるようにここに引用する。
【０００４】
これらのＬＣＤパネル内の共通の特徴は能動アドレッシング方式で薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の使用であり、これは直接アドレッシング（Ｓ．ＭｏｒｏｚｕｍｉによるＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｗ．Ｈａｗｋｅｓ編集，Ｖｏｌ．７７，Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ １９９０を参照）の制限を緩和する。ＬＣＤ技術の成功は大領域ＴＦＴ（主にアモルファスシリコンＴＦＴ）の製造の急速な進歩によることが大部分である。ＴＦＴスイッチング特性と電子光学ＬＣＤ表示要素との間のほとんど理想的な適合はまたキーとしての役割を果たす。
【０００５】
ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの主な欠点は明るいバックライトが必要なことである。これはＴＦＴ−ＬＣＤの透過係数が、特にカラーパネルで小さいためである。典型的には透過係数は約２ー３パーセントである（Ｓ．ＭｏｒｏｚｕｍｉによるＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｗ．Ｈａｗｋｅｓ編集，Ｖｏｌ．７７，ＡｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓ １９９０を参照）。バックライト付きのＴＦＴ−ＬＣＤパネルに対する電力消費はかなりのものであり、バッテリー作動を必要とする携帯型表示器の応用に対して逆行するように影響する。
【０００６】
バックライトの必要性はまたフラットパネルの小型化を損なう。例えばパネルの深さはバックライトユニットを収納するために増加されなければならない。典型的な管状の冷陰極ランプを用いると、付加的な深さは約３／４から１インチである。バックライトはまたＦＰＤに余計な重さを加える。
上記の制限に対する理想的な解決はバックライトの必要を除去する低電力放射表示器である。特に魅力的な候補は薄膜トランジスタエレクトロルミネセンス（ＴＦＴ−ＥＬ）表示器である。ＴＦＴ−ＥＬ表示器ではそれぞれの画素は光を放射するようアドレスされ、補助のバックライトは必要でない。ＴＦＴ−ＥＬ方式はＦｉｓｃｈｅｒにより１９７１年に提案された（Ａ．Ｇ．ＦｉｓｃｈｅｒによるＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，８０２（９７１）を参照）。Ｆｉｓｃｈｅｒの方式の粉末化されたＺｎＳはＥＬ媒体として用いられている。
【０００７】
１９７５年に成功したプロトタイプのＴＦＴ−ＥＬパネル（６”）はＺｎＳをＥＬ要素として、ＣｄＳｅをＴＦＴ材料として用いるＢｒｏｄｙ等により作られたと報告された（Ｔ．Ｐ．Ｂｒｏｄｙ，Ｆ．Ｃ．Ｌｕｏ，Ａ．Ｐ．Ｓｚｅｐｅｓｉ，Ｄ．Ｈ．Ｄａｖｉｅｓ等によるＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，２２，７３９（１９７５）を参照）。ＺｎＳ−ＥＬが百ボルト以上の高駆動電圧を必要とするのでスイッチングＣｄＳｅ ＴＦＴ要素はそのような高電圧振動を扱うよう設計されねばならない。それで高電圧ＴＦＴの信頼性は疑わしくなった。究極的にはＺｎＳに基づくＴＦＴ−ＥＬはＴＦＴ−ＬＣＤとの競争に成功しなかった。ＴＦＴ−ＥＬ技術を記載するアメリカ国特許は以下の通りである：第３８０７０３７号、第３８８５１９６号、第３９１３０９０号、第４００６３８３号、第４０４２８５４号、第４５２３１８９号、第４６０２１９２号。
【０００８】
近年有機ＥＬ材料はデバイス化されてきた。これらの材料はそれ自体をＴＦＴ−ＥＬデバイス内の表示媒体に対する候補として示唆する（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ，Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅによるＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１３（１９８７）及びＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ，Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅ，Ｃ．Ｈ．ＣｈｅｎによるＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６５，３６１０（１９８９）を参照）。有機ＥＬ媒体は２つの重要な利点を有する：それらはより高い効率を有する；それらは低い電圧要求を有する。後者の特性は他の薄膜放射デバイスと異なる。ＥＬが有機材料であるＴＦＴ−ＥＬデバイスの開示は以下のようである：アメリカ国特許第５，０７３，４４６号，第５，０４７，６８７号，第５，０５９，８６１号；第５，２９４，８７０号，第５，１５１，６２９号，第５，２７６，３８０号，第５，０６１，５６９号，第４，７２０，４３２号，第４，５３９，５０７号，第５，１５０，００６号，第４，９５０，９５０号，第４，３５６，４２９号。
【０００９】
ＴＦＴに対してそれを理想的にする有機ＥＬ材料の特定の特性は以下のように要約される：
１） 低電圧駆動。典型的には有機ＥＬセルは光出力レベルとセルインピーダンスに依存して４から１０ボルトの範囲の電圧を要する。約２０ｆＬの輝度を作るために要求される電圧は約５ボルトである。この低電圧は高電圧ＴＦＴに対する要求が除去される故にＴＦＴ−ＥＬパネルに対して非常に魅力的である。更にまた有機ＥＬセルはＤＣ又はＡＣにより駆動されうる。結果として駆動回路はより複雑でなく、より高価でない。
２） 高効率。有機ＥＬセルの蛍光効率はワット当たり４ルーメンの高さである。２０ｆＬの輝度を作るためにＥＬセルを駆動する電流密度は約１ｍＡ／ｃｍ2 である。１００％デューティの励起を仮定すると４００ｃｍ2 のフルページパネルを駆動するために必要な電力は約２．０ワットにすぎない。電力要求はフラットパネル表示器の携帯性基準に確かに合致する。
３） 低温度での製造。有機ＥＬデバイスは概略室温で製造されうる。これは高温（＞３００度Ｃ）プロセスを要求する無機放射デバイスに比べて顕著な利点である。無機ＥＬデバイスを作るのに要求される高温プロセスはＴＦＴとは両立しない。
【００１０】
有機ＥＬパネルに対する最も簡単な駆動は２組の直交する電極（行と列）間にサンドイッチされた有機表示媒体を有することである。この２端子方式ではＥＬ素子は表示器とスイッチング機能の両方を提供する。有機ＥＬ素子のダイオードのような非線形電流ー電圧特性は原理的にはアドレッシングのこのモードで高い度合いの多重化を許容する。しかしながら有機ＥＬに関する２端子方式の有用性を制限する大きな要因が幾つかある：
１） メモリの欠如。有機ＥＬの立ち上がり、立ち下がり時間は非常に速く、マイクロ秒のオーダーであり、それは真性（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）メモリを有さない。斯くして直接アドレッシング方法を用いて、選択された列のＥＬ素子はパネル内のスキャン列の数に比例する瞬間の輝度を生ずるよう駆動されなければならない。パネルの大きさに依存してこの瞬間の輝度は達成するのが困難である。例えば１／６０秒のフレームレートで動作する１０００スキャン列のパネルを考えてみる。列当たりの許容されうる休止時間は１７μｓである。例えば２０Ｆｌの時間平均された輝度を得るためには列休止時間中の瞬間輝度は千倍高くなければならず、すなわち２００００Ｆｌであり、これは約１Ａ／ｃｍ2 の高電流密度と約１５ー２０ボルトの電圧で有機ＥＬセルを動作することによってのみ得られる極端な輝度である。このような極端な駆動条件の下でのセル動作の長期間の信頼性は疑わしい。
２） 均一性。ＥＬ素子により要求される電流は行と列のバスを介して供給される。瞬時の高電流故にこれらのバスに沿ったＩＲ電位の降下はＥＬ駆動電圧と比較して顕著ではない。ＥＬの輝度ー電圧特性は非線形である故に、バスに沿った電位の変化は不均一な光出力を生ずる。
【００１１】
２００μｘ２００μの画素ピッチを有し、０，５の動作／実効領域比の１０００行と１０００列を有するパネルを考える。列電極が１０オーム／平方シート（Ω／□）の抵抗のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）であると仮定すると全体のＩＴＯバスラインの抵抗は少なくとも１００００オームである。８００μＡ（２Ａ／ｃｍ2 ）の瞬間画素電流に対するこのバスラインに沿ったＩＲ降下は８ボルト以上である。一定の電流源が駆動方式内に設けられることなしにＩＴＯバスに沿ったそのような大きな電位降下はパネル内で許容できない不均一な光放射を引き起こす。どのような場合でもバス内の抵抗電力損失は無駄である。類似の解析は休止時間中に画素の行全体へ運ばれた全電流、即ち１０００列のパネルに対して０．８Ａを搬送する付加的な負荷を有する行電極バスに対してなされうる。シート抵抗が約０．０２８オーム／平方の１μｍ厚さのアルミニウムバスの棒を仮定すると得られたＩＲ降下は約１１ボルトであり、これはまた許容され得ない。
３） 電極パターン化。陽極ーインジウム錫酸化物の直交電極の一つの組は従来技術のフォトリソグラフィの方法でパターン化されうる。しかしながら電極の他の組のパターン化は特に有機ＥＬに対して大きな困難が現れる。陽極は４ｅＶより小さい仕事関数を有する金属で作られねばならず、好ましくは銀又はアルミニウムのような他の金属と合金されたマグネシウムである（Ｔａｎｇ等によるアメリカ国特許第４８８５４３２号を参照）。有機層の上面に堆積されたマグネシウムに基づいた合金の陽極はフォトレジストを含むどのような従来技術の手段によっても容易にはパターン化され得ない。ＥＬセル上に有機溶剤からフォトレジストを適用するプロセスはマグネシウムに基づく合金層の下の溶解する有機層に有害に影響する。これは基板から有機層の層間剥離を引き起こす。
【００１２】
他の困難は湿度に対する陽極の極度の敏感さである。フォトレジストがＥＬセルの有機層を攪乱することなくうまく適用され、展開されたとしても、酸性溶液中のマグネシウムに基づく合金の陽極をエッチングするプロセスは陽極を酸化し、黒い点を作りやすい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は有機材料がＥＬ媒体として用いられる能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスを提供する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
そのデバイスは基板上に配置された２つのＴＦＴと記憶コンデンサと光放射有機ＥＬパッドとからなる。ＥＬパッドは第二のＴＦＴのドレインに電気的に接続される。第一のＴＦＴは第二のＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、これは次にコンデンサに電気的に接続され、それにより励起信号に続いて第二のＴＦＴが信号間でＥＬパッドに対して一定に近い電流を供給することを可能にする。本発明のＴＦＴ−ＥＬデバイスは典型的にはフラットパネル表示器内で形成される画素であり、好ましくはＥＬ陽極が画素全てを横切る連続した層である。
【００１５】
本発明のＴＦＴ−有機ＥＬデバイスは以下に示すような他段階プロセスで形成される：
第一の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１）は基板の上面上に配置される。ＴＦＴ１はソース電極とドレイン電極とゲート誘電体とゲート電極とからなり；ゲート電極はゲートバスの部分からなる。ＴＦＴ１のソース電極は電気的にソースバスと接続される。
【００１６】
第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）はまた基板の上面上に配置され、ＴＦＴ２はまたソース電極とドレイン電極とゲート誘電体とゲート電極とからなる。ＴＦＴ２のゲート電極は第一の薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続される。
記憶コンデンサはまた基板の上面上に配置される。動作中にこのコンデンサはＴＦＴ１を介して励起信号ソースから充電され、休止時間中にＴＦＴ２のゲート電極に一定に近い電位を供給するために放電する。
【００１７】
陽極層はＴＦＴ２のドレイン電極に電気的に接続される。基板を通して光が放射される典型的な応用では表示器はインジウム錫酸化物のような透明な材料である。
誘電パシベーション層は少なくともＴＦＴ１のソース上に、好ましくはデバイスの表面全体上に堆積される。誘電パシベーション層は表示アノード上に開口を設けるためにエッチングされる。
【００１８】
有機エレクトロルミネセンス層はアノード層の上面上に直接配置される。続いてカソード層は有機エレクトロルミネセンス層の上面上に直接堆積される。
好ましい実施例では本発明のＴＦＴ−ＥＬデバイスは低温（即ち６００度Ｃ以下）結晶化及びアニーリング段階、水素パシベーション、及び従来技術のパターン技術と結合されて低圧及びプラズマ増強化学蒸着を用いる方法により作られる。
【００１９】
薄膜トランジスタは好ましくは以下の多段階プロセスにより同時に形成される：
多結晶シリコンアイランド内にパターン化されたシリコンを堆積し；
二酸化シリコンゲート電極を化学蒸着し；
イオンインプラントの後でソース、ドレイン、ゲート電極はエッチ薄膜トランジスタ上に形成されるよう自己整列されたゲート電極を形成するためにパターン化される他の多結晶シリコン層を堆積する。
【００２０】
多結晶シリコン及び二酸化シリコンからなる薄膜トランジスタを有する画素の構成はデバイス性能、安定性、再現性、他のＴＦＴ上でのプロセス効率の向上をもたらす。比較するとＣｄＳｅ及びアモルファスシリコンからなるＴＦＴは低易動度と閾値ドリフトの影響を被る。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスの概略図を示す。各画素の素子は２つのＴＦＴと記憶コンデンサとＥＬ素子とを含む。４端子方式の主な特徴はＥＬ励起信号からのアドレッシング信号を分離する能力である。ＥＬ素子は論理ＴＦＴ（Ｔ１）を介して選択され、ＥＬ素子に対する励起電力は電力ＴＦＴ（Ｔ２）により制御される。記憶コンデンサはそれがいったん選択されたアドレスされたＥＬ素子に励起電力を留めることを可能にする。斯くして回路はＥＬ素子がアドレッシングに対して割り当てられた時間を無視して１００％に近いデューティサイクルで動作することを許容する。
【００２２】
本発明のエレクトロルミネセンスデバイスの構造は図２、３に示される。このデバイスの基板は絶縁及び好ましくは水晶又は低温度ガラスのような透明材料である。本明細書で用いられる透明という用語は表示デバイスで実際的な使用に対して充分な光を透過する部品を意味する。例えば所望の周波数範囲で５０％以上の光を透過する部品は透明と考えられる。低温度ガラスという用語は約６００度Ｃ以上の温度で融解又は歪むガラスをいう。
【００２３】
図２に示されるＴＦＴ−ＥＬデバイスではＴＦＴ１はソースバス（列電極）をデータラインとして及びゲートバス（行電極）をデータラインとして有する論理トランジスタである。ＴＦＴ２はＥＬ素子と直列のＥＬ電力トランジスタである。記憶コンデンサはＴＦＴ１と直列である。ＥＬ素子の陽極はＴＦＴ２のドレインに接続される。
【００２４】
図２のＴＦＴ−ＥＬの構成は図３から９の断面図に示される。図３から８に示される断面図は図２の線Ａ−Ａ’に沿ったものである。図９に示される断面図は図２の線Ｂ−Ｂ’に沿ったものである。
第一のプロセス段階でポリシリコン層は透明で絶縁性の基板にわたり堆積され、ポリシリコン層はフォトリソグラフィによりアイランドにパターン化される（図４を参照）。基板は水晶のような結晶材料であるが、好ましくは低温度ガラスのようなより高価でない材料である。ガラス基板が用いられるときにはＴＦＴ−ＥＬの製造全体がガラスの溶融又は歪みを回避し、能動領域内にドーパントの外側拡散（ｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）を回避するために低プロセス温度で実施される。斯くしてガラス基板に対して全ての製造段階は１０００゜Ｃ以下、好ましくは６００゜Ｃ以下でなされなければならない。
【００２５】
次に絶縁ゲート材料４２がポリシリコンアイランド上及び絶縁基板の表面にわたり堆積される。絶縁材料は好ましくはプラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）又は低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）のような化学蒸着（ＣＶＤ）により堆積される二酸化シリコンである。好ましくはゲート酸化物絶縁層は約１０００オングストロームの厚さである。
【００２６】
次の段階でシリコン４４の層はゲート絶縁層上に堆積され、イオンインプラント後にソースとドレイン領域はポリシリコン領域内に形成されるようにポリシリコンアイランド上にフォトリソグラフィすることによりパターン化される。ゲート電極材料は好ましくはアモルファスシリコンから形成されたポリシリコンである。イオンインプラントは好ましくは砒素であるＮ型ドーパントで導電化される。ポリシリコンゲート電極はまたコンデンサーの底部電極として供される（図９を参照）。 本発明の好ましい実施例では薄膜トランジスタは二重（ｄｏｕｂｌｅ）ゲート構造を用いていない。斯くして製造はより複雑でなく、より高価でない。 ゲートバス４６は絶縁層上で適用され、パターン化される。ゲートバスは好ましくは珪素化タングステン（ＷＳｉ2 ）のような金属珪素化物である。
【００２７】
次の段階では好ましくは二酸化シリコンである絶縁層はデバイスの表面全体にわたり適用される。
接触孔５４、５６は第二の絶縁層内で切削され（図５を参照）、電極材料は薄膜トランジスタと接点を形成するよう適用される（図６、７を参照）。ＴＦＴ２のソース領域に付けられた電極材料６２はコンデンサの上面電極をまた形成する（図９を参照）。ソースバス及び接地バスはまた第二の絶縁層上に形成される（図２を参照）。透明電極材料７２はＴＦＴ２のドレイン領域と接触し、好ましくはＩＴＯであり、これは有機エレクトロルミネセンス材料に対して陽極として設けられる。
【００２８】
次の段階では好ましくは二酸化シリコンである絶縁材料のパシベーション層７４はデバイスの表面上に堆積される。パシベーション層はテーパ化された端７６を離れたＩＴＯからエッチングされ、これは続いて適用される有機エレクトロルミネセンス層の接着を改善するよう供される。テーパ付端は信頼しうるデバイスを製造するために必要である。何故ならば本発明は典型的には１５０から２００ｎｍの厚さの比較的薄い有機ＥＬ層を用いているからである。パシベーション層は典型的には約０．５から約１ミクロン厚である。斯くしてパシベーション層の端が陽極層に関して垂直又は鋭角を形成する場合には欠陥が有機ＥＬ層内の不連続により発生しやすい。欠陥を防止するためにパシベーション層はテーパ付端を有さねばならない。好ましくはパシベーション層は陽極層に関して１０度から３０度の角度でテーパを付けられる。
【００２９】
有機エレクトロルミネセンス層８２はパシベーション層上及びＥＬ陽極層上に堆積される。本発明の有機ＥＬでの材料は、その開示は参考として引用される（ＳｃｏｚｚａｆａｖａのＥＰＡ ３４９，２６５（１９９０）；Ｔａｎｇのアメリカ特許第４，３５６，４２９号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，５３９，５０７号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，７２０，４３２；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，７６９，２９２号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，８８５，２１１号；Ｐｅｒｒｙ等のアメリカ特許第４，９５０，９５０；Ｌｉｔｔｍａｎ等のアメリカ特許第５，０５９，８６１号；ＶａｎＳｌｙｋｅのアメリカ特許第５，０４７，６８７号；Ｓｃｏｚｚａｆａｖａ等のアメリカ特許第５，０７３，４４６号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第５，０５９，８６２号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第５，０６１，６１７号；ＶａｎＳｌｙｋｅのアメリカ特許第５，１５１，６２９号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第５，２９４，８６９号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第５，２９４，８７０号）のような従来技術の有機ＥＬデバイスの形をも取りうる。ＥＬ層は陽極と接触する有機ホール注入及び移動帯と、有機ホール注入及び移動帯と接合を形成する電子注入及び移動帯とからなる。ホール注入及び移動帯は単一の材料又は複数の材料から形成されえ、陽極及び、ホール注入層と電子注入及び移動帯の間に介装される連続的なホール移動層と接触するホール注入層からなる。同様に電子注入及び移動帯は単一材料又は複数の材料から形成されえ、陽極及び、電子注入層とホール注入及び移動帯の間に介装される連続的な電子移動層と接触する電子注入層からなる。ホールと電子の再結合とルミネセンスは電子注入及び移動帯とホール注入及び移動帯の接合に隣接する電子注入及び移動帯内で発生する。有機ＥＬ層を形成する化合物は典型的には蒸着により堆積されるが、他の従来技術によりまた堆積されうる。
【００３０】
好ましい実施例ではホール注入層からなる有機材料は以下のような一般的な式を有する：
【００３１】
【化１】
【００３２】
ここで：
ＱはＮ又はＣ−Ｒ
Ｍは金属、金属酸化物、又は金属ハロゲン化物
Ｔ１、Ｔ２は
水素を表すか又はアルキル又はハロゲンのような置換基を含む不飽和六員環を共に満たす。
好ましいアルキル部分は約１から６の炭素原子を含む一方でフェニルは好ましいアリル部分を構成する。
【００３３】
好ましい実施例ではホール移動層は芳香族第三アミンである。芳香族第三アミンの好ましいサブクラスは以下の式を有するテトラアリルジアミンを含む：
【００３４】
【化２】
【００３５】
ここで
Ａｒｅはアリレン群であり、
ｎは１から４の整数であり、
Ａｒ、Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 はそれぞれ選択されたアリル群である。
好ましい実施例ではルミネセンス、電子注入及び移動帯は金属オキシノイド（ｏｘｉｎｏｉｄ）化合物を含む。金属オキシノイド化合物の好ましい例は以下の一般的な式を有する：
【００３６】
【化３】
【００３７】
ここでＲ2 −Ｒ7 は置き換え可能性を表す。他の好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は以下の式を有する：
【００３８】
【化４】
【００３９】
ここでＲ2 −Ｒ7 は上記で定義されたものであり、Ｌ１−Ｌ５は集中的に１２又はより少ない炭素原子を含み、それぞれ別々に１から１２の炭素原子の水素又は炭水化物群を表し、Ｌ１，Ｌ２は共に、又はＬ２，Ｌ３は共に連合されたベンゾ環を形成しうる。他の好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は以下の式を有する：
【００４０】
【化５】
【００４１】
ここでＲ2 −Ｒ6 は水素又は他の置き換え可能性を表す。
上記例は単にエレクトロルミネセンス層内で用いられるある好ましい有機材料を表すのみである。それらは本発明の視野を制限することを意図するものではなく、これは一般に有機エレクトロルミネセンス層を指示するものである。上記例からわかるように有機ＥＬ材料は有機リガンドを有する配位化合物を含む。本発明のＴＦＴ−ＥＬデバイスはＺｎＳのような純粋な無機材料を含まない。
【００４２】
次のプロセス段階ではＥＬ陽極８４はデバイスの表面上に堆積される。ＥＬ陽極はどのような導電性の材料でも良いが、好ましくは４ｅＶ以下の仕事関数を有する材料で作られる（Ｔａｎｇ等のアメリカ国特許第４８８５２１１号を参照）。低い仕事関数材料は陽極に好ましい。何故ならばそれらは電子移動層内に容易に電子を放出するからである。最も低い仕事関数の金属はアルカリ金属であるが、しかしながらそれらの空気中での不安定性はそれらの使用をある条件下で実際的でなくしている。陽極材料は典型的には化学蒸着により堆積されるが、他の適切堆積技術も適用可能である。ＥＬ陽極に対して特に好ましい材料は１０：１（原子比で）マグネシウム：銀合金であることが見いだされた。好ましくは陽極は表示パネルの全表面にわたる連続層として適用される。他の実施例ではＥＬ陽極は有機電子注入及び移動帯に隣接した低い仕事関数の金属のより低い層からなり、低い仕事関数の金属をオーバーレイし、低い仕事関数の金属を酸素及び湿度から保護する保護層とからなる。選択的にパシベーション層はＥＬ陽極層上に適用される。 典型的には陽極材料は透明であり、陰極材料は不透明であり、それにより光は陽極材料を通して透過する。しかしながら代替実施例では光は陽極よりもむしろ陰極を等して放射される。この場合には陰極は光透過性であり、陽極は不透明である。光透過と技術的伝導性の実際的なバランスは典型的には５−２５ｎｍの範囲の厚さである。
【００４３】
本発明による薄膜トランジスタを製造する好ましい方法を以下に説明する。第一段階では２０００±２０オングストローム厚さのアモルファスシリコン膜は１０２３ｍＴｏｒｒのプロセス圧力で反応性ガスとしてシランと共にＬＰＣＶＤシステムないで５５０度Ｃで堆積される。この次にアモルファスシリコン膜を多結晶膜に結晶化するために真空中で５５０度Ｃで７２時間低温アニールする。それからポリシリコンアイランドはプラズマ反応器内でＳＦ6 とフレオン１２の混合物と共にエッチングにより形成される。ポリシリコンアイランド上で能動層は１０００±２０オングストロームＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 ゲート誘電層を堆積される。ゲート誘電層は３５０度Ｃで１８分間４５０ＫＨｚの周波数で２００Ｗの電力レベルで０．８Ｔｏｒｒの圧力でプラズマ反応器内で５／４のＮ2 Ｏ／ＳｉＨ4 比で堆積される。
【００４４】
次の段階ではアモルファスシリコン層はＰＥＣＶＤゲート絶縁層上に堆積され、第一の段階に対する上記と同じ条件を用いて多結晶シリコンに変換される。フォトレジストは適用され、第二のポリシリコン層は続くイオンインプラント段階に対する自己整列構造を形成するようエッチングされる。第二のポリシリコン層は好ましくは約３０００オングストローム厚さである。
【００４５】
イオンインプラントはソース、ドレイン、ゲート領域を同時にドープするために２Ｘ１０15／ｃｍ2 の線量で１２０ＫｅＶで砒素でドーピングすることにより実施される。ドーパントの活性化は窒素雰囲気中で６００゜Ｃで２時間実施される。
次の段階では５０００オングストローム厚さの二酸化シリコン層が従来技術の低温法で堆積される。アルミニウム接点は物理的蒸着により形成され、４００度Ｃで１３分間形成ガス（１０％Ｈ2 ，９０％Ｎ2 ）内で燒結される。
【００４６】
最終的に薄膜トランジスタの水素パシベーションは電子サイクロトロン共鳴反応器（ＥＣＲ）内で実施される。ＥＣＲ水素プラズマ露出はマイクロ波レベル９００Ｗ、周波数３．５ＧＨｚで１．２ｘ１０-4Ｔｏｒｒの圧力でおこなわれた。水素パシベーションは３００度Ｃの基板温度で１５分間なされる。この過程は低閾値電圧と高効率キャリア移動度と優秀なオン／オフ比を有する薄膜トランジスタでを生ずる。
【００４７】
本発明の特性の例として以下のＴＦＴ−ＥＬパネルに対する駆動要求を考える：
行の数 ＝ １０００
列の数 ＝ １０００
画素寸法 ＝ ２００μｍｘ２００μｍ
ＥＬ充填係数 ＝ ５０％
フレーム時間 ＝ １７ｍｓ
行休止時間 ＝ １７μｓ
平均輝度 ＝ ２０ｆＬ
ＥＬ画素電流 ＝ ０．８μＡ
デュティサイクル ＝ １００％
ＥＬ電力源 ＝ １０ｖ ｒｍｓ
これらの駆動要求はＴＦＴ及び記憶コンデンサに対する以下の特性により適合される：
ＴＦＴ１に対するオン電流要求はＴＦＴ２をオンするために適切な電圧（１０Ｖ）に対して行休止時間（１７μｓ）中に記憶コンデンサを充電するのに充分大きいことである。ＴＦＴ１に対するオフ電流要求はフレーム期間（１７ｍｓ）中のコンデンサ（及びＴＦＴ２ゲート）上の電圧降下が２％以下であるために充分小さいことである。
【００４８】
ＴＦＴ２に対するオン電流はＥＬ画素電流の２倍であり、１．６μＡである。この２倍の係数は動作と共に有機ＥＬ素子の徐々の劣化に対する補正のための適切な駆動電流を許容するためである。ＴＦＴ２のオフ電流はパネルのコントラストに影響する。１ｎＡのオフ電流は点灯されたＥＬ素子と点灯されないそれとの間の５００倍以上のオン／オフコントラスト比を提供する。パネルの実際のコントラスト比はより低く環境照明要因に依存する。
【００４９】
４００ｃｍ2 のフルページパネルに対してＥＬ素子単独による電力要求は約４ワットである。
この電力消費はＴＦＴによる電力消費を越える。ＴＦＴ２はＥＬ素子と直列である故にＴＦＴ２を横切るどのようなソース−ドレイン電圧降下もＴＦＴ２内の実質的な電力損失を生ずる。５ボルトのソース−ドレイン電圧を仮定すると、ＴＦＴ２での全電力損失は２ワットである。ＴＦＴ１に対する電力消費は１０００ｘ１０００パネルに対して１ワットより大きくないように推定される。行（ゲート）駆動に対して必要な電力は数十ミリワットのオーダーであって無視可能であり、列（ソース）駆動に対する電力は０．５ワットのオーダーである（Ｓ．ＭｏｒｏｚｕｍｉのＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｐ．Ｗ．Ｈａｗｋｅｓ編集、Ｖｏｌ．７７，Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ，１９９０を参照）。斯くしてフルページＴＦＴ−ＥＬパネルに対する全電力消費は約７ワットである。現実的には平均電力消費はもっとより小さい。何故ならばＥＬスクリーンは平均的には１００％使用されないからである。
【００５０】
本発明のＴＦＴ−ＥＬパネルはＴＦＴ−ＬＣＤに対する電力要求に関して２つの重要な利点を有する。第一にＴＦＴ−ＥＬ電力要求は白黒又は同様なルミネセンス効率を有するカラー材料で供される多色であるかに比較的独立である。対照的にＴＦＴ−ＬＣＤカラーパネルは白黒に比べてはるかに高い電力を要求する。何故ならば透過係数はカラーフィルター配列によるカラー化されたパネル内で大幅に減少するからである。第二にＬＣＤバックライトはスクリーン利用係数に無関係に一定でなければならないことである。これに対してＴＦＴ−ＥＬ電力消費はこの利用係数に高度に依存する。
【００５１】
平均電力消費は更に小さい。何故ならばＥＬスクリーンの１００％以下は典型的な応用ではどのような所定の時間でも放射するからである。
本発明は好ましい実施例を特に参照して詳細に説明されているが種々の変更及び改良は本発明の精神及び範囲内で有効である。
【００５２】
【発明の効果】
本発明のＴＦＴー有機ＥＬデバイスの実際のパネル構成と駆動配置の幾つかの重要な利点は以下の通りである：
１） 有機ＥＬパッドと陽極の両方は連続した層である故に画素解像度はＴＦＴの特性大きさと関連した表示ＩＴＯパッドによりのみ決定され、ＥＬセルの有機化合物又は陽極と独立である。
２） 陽極は連続であり、全ての画素に共通である。それは画素の解像力に対してパターン化を必要としない。故に２端子方式での陽極をパターン化する困難は除去された。
３） スキャン行の数はアドレス及び励起信号が分離されるのでフレーム周期内の短い行休止時間によりもはや制限されない。各スキャン行は１００％デューティ係数の近くで動作される。高解像度はスキャン行の多数が均一な強度を維持する間に表示パネル内で用いられ得る。
４） 有機ＥＬ素子の信頼性は増強される。何故ならばそれは１００％デューティ係数で低電流密度（１ｍＡ／ｃｍ2 ）及び電圧（５Ｖ）で動作するからである。
５） ＥＬ素子を駆動するために必要とされる共通陽極と低電流密度を用いる故にバスに沿ったＩＲ電位低下は顕著ではない。故にパネルの均一性はパネルの大きさにより顕著に影響されない。
【図面の簡単な説明】
【図１】能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスの概略図を示す。
【図２】本発明の４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスの平面図である。
【図３】図２の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図４】イオンインプラントに対する自己整列ＴＦＴ構造を形成するプロセスを示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図５】薄膜トランジスタのソースとドレイン領域に対するパシベーション酸化層の堆積と接触切断を開口するプロセス段階を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図６】アルミニウム電極の堆積を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図７】表示陽極と表示陽極の表面から部分的にエッチングされたパシベーション層との堆積を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図８】エレクトロルミネセンスと陽極の堆積の段階を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図９】図２の線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
【符号の説明】
Ｔ1 ，Ｔ2 薄膜トランジスタ
ＣS コンデンサー
ＥＬ エレクトロルミネセンス層
４２ ゲート材料
４４ シリコン層
４６ ゲートバス
５２ 絶縁層
５４、５６ 接触孔
６２、７２ 電極材料
７４ パシベーション層
７６ テーパ付端
８２ ＥＬ層
８４ ＥＬ陰極
関連する出願の相互参照
Ｔａｎｇ等によるアメリカ国特許出願０８／３５５７８６「Ａｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ Ｈａｖｉｎｇ ａｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ」及びＴａｎｇ等によるアメリカ国特許出願０８／３５５９４０「Ａ Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ ａ ＴＦＴ−ＥＬ Ｐｉｘｅｌ」は両方とも同時に出願され、その記述をここに引用する。
【０００２】
【発明の属する技術分野】
本発明は能動マトリックスアドレッシング要素として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と放射媒体として有機エレクトロルミネセンス薄膜とを用いたエレクトロルミネセンス表示パネルに関する。
【０００３】
【従来の技術】
フラットパネル表示器（ＦＰＤ）技術の急速な発展は高品質大領域、フルカラー、高解像度表示器を可能にした。これらの表示器はラップトップコンピュータやポケットＴＶのような電子製品での新たな応用を可能にした。これらのＦＰＤ技術の中で液晶表示器（ＬＣＤ）は市場での表示器の選択として出現した。それはまた他のＦＰＤ技術が比較される技術標準を設定した。ＬＣＤパネルの例は以下を含む：（１）ワークステイション用の１４”，１６−カラーＬＣＤパネル（ＩＢＭと東芝、１９８９年）（Ｋ．Ｉｃｈｉｋａｗａ，Ｓ．Ｓｕｚｕｋｉ，Ｈ．Ｍａｔｉｎｏ，Ｔ．Ａｏｋｉ，Ｔ．Ｈｉｇｕｃｈｉ，Ｙ．Ｏａｎｏ等によるＳＩＤ Ｄｉｇｅｓｔ，２２６（１９８９）を参照）、（２）６”フルカラーＬＣＤ−ＴＶ（フィリップス、１９８７年）（Ｍ．Ｊ．Ｐｏｗｅｌｌ，Ｊ．Ａ．Ｃｈａｐｍａｎ，Ａ．Ｇ．Ｋｎａｐｐ，Ｉ．Ｄ．Ｆｒｅｎｃｈ，Ｊ．Ｒ．Ｈｕｇｈｅｓ，Ａ．Ｄ．Ｐｅａｒｓｏｎ，Ｍ．Ａｌｌｉｎｓｏｎ，Ｍ．Ｊ．Ｅｄｗａｒｄｓ，Ｒ．Ａ．Ｆｏｒｄ，Ｍ．Ｃ．Ｈｅｍｍｉｎｇｓ，Ｏ．Ｆ．Ｈｉｌｌ，Ｄ．Ｈ．Ｎｉｃｈｏｌｌｓ，Ｎ．Ｋ．Ｗｒｉｇｈｔ等によるＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ，Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，６３，１９８７を参照）、（３）４”フルカラーＬＣＤ−ＴＶ（モデルＬＱ４２４Ａ０１）（ｍｏｄｅｌ ＬＱ４２４Ａ０１用のＳｈａｒｐ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｌｉｔｅｒａｔｕｒｅを参照）、（４）１メガ画素カラーＴＦＴ−ＬＣＤ（ゼネラルエレクトリック）（Ｄ．Ｅ．Ｃａｓｔｌｅｂｅｒｒｙ，Ｇ．Ｅ．ＰｏｓｓｉｎによるＳＩＤ Ｄｉｇｅｓｔ，２３２（１９８８）を参照）。特許及び出版物を含む全ての参考文献は以下で完全に再現されるようにここに引用する。
【０００４】
これらのＬＣＤパネル内の共通の特徴は能動アドレッシング方式で薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の使用であり、これは直接アドレッシング（Ｓ．ＭｏｒｏｚｕｍｉによるＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｗ．Ｈａｗｋｅｓ編集，Ｖｏｌ．７７，Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ １９９０を参照）の制限を緩和する。ＬＣＤ技術の成功は大領域ＴＦＴ（主にアモルファスシリコンＴＦＴ）の製造の急速な進歩によることが大部分である。ＴＦＴスイッチング特性と電子光学ＬＣＤ表示要素との間のほとんど理想的な適合はまたキーとしての役割を果たす。
【０００５】
ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの主な欠点は明るいバックライトが必要なことである。これはＴＦＴ−ＬＣＤの透過係数が、特にカラーパネルで小さいためである。典型的には透過係数は約２ー３パーセントである（Ｓ．ＭｏｒｏｚｕｍｉによるＡｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｐ．Ｗ．Ｈａｗｋｅｓ編集，Ｖｏｌ．７７，ＡｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓ １９９０を参照）。バックライト付きのＴＦＴ−ＬＣＤパネルに対する電力消費はかなりのものであり、バッテリー作動を必要とする携帯型表示器の応用に対して逆行するように影響する。
【０００６】
バックライトの必要性はまたフラットパネルの小型化を損なう。例えばパネルの深さはバックライトユニットを収納するために増加されなければならない。典型的な管状の冷陰極ランプを用いると、付加的な深さは約３／４から１インチである。バックライトはまたＦＰＤに余計な重さを加える。
上記の制限に対する理想的な解決はバックライトの必要を除去する低電力放射表示器である。特に魅力的な候補は薄膜トランジスタエレクトロルミネセンス（ＴＦＴ−ＥＬ）表示器である。ＴＦＴ−ＥＬ表示器ではそれぞれの画素は光を放射するようアドレスされ、補助のバックライトは必要でない。ＴＦＴ−ＥＬ方式はＦｉｓｃｈｅｒにより１９７１年に提案された（Ａ．Ｇ．ＦｉｓｃｈｅｒによるＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，８０２（９７１）を参照）。Ｆｉｓｃｈｅｒの方式の粉末化されたＺｎＳはＥＬ媒体として用いられている。
【０００７】
１９７５年に成功したプロトタイプのＴＦＴ−ＥＬパネル（６”）はＺｎＳをＥＬ要素として、ＣｄＳｅをＴＦＴ材料として用いるＢｒｏｄｙ等により作られたと報告された（Ｔ．Ｐ．Ｂｒｏｄｙ，Ｆ．Ｃ．Ｌｕｏ，Ａ．Ｐ．Ｓｚｅｐｅｓｉ，Ｄ．Ｈ．Ｄａｖｉｅｓ等によるＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，２２，７３９（１９７５）を参照）。ＺｎＳ−ＥＬが百ボルト以上の高駆動電圧を必要とするのでスイッチングＣｄＳｅ ＴＦＴ要素はそのような高電圧振動を扱うよう設計されねばならない。それで高電圧ＴＦＴの信頼性は疑わしくなった。究極的にはＺｎＳに基づくＴＦＴ−ＥＬはＴＦＴ−ＬＣＤとの競争に成功しなかった。ＴＦＴ−ＥＬ技術を記載するアメリカ国特許は以下の通りである：第３８０７０３７号、第３８８５１９６号、第３９１３０９０号、第４００６３８３号、第４０４２８５４号、第４５２３１８９号、第４６０２１９２号。
【０００８】
近年有機ＥＬ材料はデバイス化されてきた。これらの材料はそれ自体をＴＦＴ−ＥＬデバイス内の表示媒体に対する候補として示唆する（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ，Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅによるＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１３（１９８７）及びＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ，Ｓ．Ａ．ＶａｎＳｌｙｋｅ，Ｃ．Ｈ．ＣｈｅｎによるＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６５，３６１０（１９８９）を参照）。有機ＥＬ媒体は２つの重要な利点を有する：それらはより高い効率を有する；それらは低い電圧要求を有する。後者の特性は他の薄膜放射デバイスと異なる。ＥＬが有機材料であるＴＦＴ−ＥＬデバイスの開示は以下のようである：アメリカ国特許第５，０７３，４４６号，第５，０４７，６８７号，第５，０５９，８６１号；第５，２９４，８７０号，第５，１５１，６２９号，第５，２７６，３８０号，第５，０６１，５６９号，第４，７２０，４３２号，第４，５３９，５０７号，第５，１５０，００６号，第４，９５０，９５０号，第４，３５６，４２９号。
【０００９】
ＴＦＴに対してそれを理想的にする有機ＥＬ材料の特定の特性は以下のように要約される：
１） 低電圧駆動。典型的には有機ＥＬセルは光出力レベルとセルインピーダンスに依存して４から１０ボルトの範囲の電圧を要する。約２０ｆＬの輝度を作るために要求される電圧は約５ボルトである。この低電圧は高電圧ＴＦＴに対する要求が除去される故にＴＦＴ−ＥＬパネルに対して非常に魅力的である。更にまた有機ＥＬセルはＤＣ又はＡＣにより駆動されうる。結果として駆動回路はより複雑でなく、より高価でない。
２） 高効率。有機ＥＬセルの蛍光効率はワット当たり４ルーメンの高さである。２０ｆＬの輝度を作るためにＥＬセルを駆動する電流密度は約１ｍＡ／ｃｍ2 である。１００％デューティの励起を仮定すると４００ｃｍ2 のフルページパネルを駆動するために必要な電力は約２．０ワットにすぎない。電力要求はフラットパネル表示器の携帯性基準に確かに合致する。
３） 低温度での製造。有機ＥＬデバイスは概略室温で製造されうる。これは高温（＞３００度Ｃ）プロセスを要求する無機放射デバイスに比べて顕著な利点である。無機ＥＬデバイスを作るのに要求される高温プロセスはＴＦＴとは両立しない。
【００１０】
有機ＥＬパネルに対する最も簡単な駆動は２組の直交する電極（行と列）間にサンドイッチされた有機表示媒体を有することである。この２端子方式ではＥＬ素子は表示器とスイッチング機能の両方を提供する。有機ＥＬ素子のダイオードのような非線形電流ー電圧特性は原理的にはアドレッシングのこのモードで高い度合いの多重化を許容する。しかしながら有機ＥＬに関する２端子方式の有用性を制限する大きな要因が幾つかある：
１） メモリの欠如。有機ＥＬの立ち上がり、立ち下がり時間は非常に速く、マイクロ秒のオーダーであり、それは真性（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）メモリを有さない。斯くして直接アドレッシング方法を用いて、選択された列のＥＬ素子はパネル内のスキャン列の数に比例する瞬間の輝度を生ずるよう駆動されなければならない。パネルの大きさに依存してこの瞬間の輝度は達成するのが困難である。例えば１／６０秒のフレームレートで動作する１０００スキャン列のパネルを考えてみる。列当たりの許容されうる休止時間は１７μｓである。例えば２０Ｆｌの時間平均された輝度を得るためには列休止時間中の瞬間輝度は千倍高くなければならず、すなわち２００００Ｆｌであり、これは約１Ａ／ｃｍ2 の高電流密度と約１５ー２０ボルトの電圧で有機ＥＬセルを動作することによってのみ得られる極端な輝度である。このような極端な駆動条件の下でのセル動作の長期間の信頼性は疑わしい。
２） 均一性。ＥＬ素子により要求される電流は行と列のバスを介して供給される。瞬時の高電流故にこれらのバスに沿ったＩＲ電位の降下はＥＬ駆動電圧と比較して顕著ではない。ＥＬの輝度ー電圧特性は非線形である故に、バスに沿った電位の変化は不均一な光出力を生ずる。
【００１１】
２００μｘ２００μの画素ピッチを有し、０，５の動作／実効領域比の１０００行と１０００列を有するパネルを考える。列電極が１０オーム／平方シート（Ω／□）の抵抗のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）であると仮定すると全体のＩＴＯバスラインの抵抗は少なくとも１００００オームである。８００μＡ（２Ａ／ｃｍ2 ）の瞬間画素電流に対するこのバスラインに沿ったＩＲ降下は８ボルト以上である。一定の電流源が駆動方式内に設けられることなしにＩＴＯバスに沿ったそのような大きな電位降下はパネル内で許容できない不均一な光放射を引き起こす。どのような場合でもバス内の抵抗電力損失は無駄である。類似の解析は休止時間中に画素の行全体へ運ばれた全電流、即ち１０００列のパネルに対して０．８Ａを搬送する付加的な負荷を有する行電極バスに対してなされうる。シート抵抗が約０．０２８オーム／平方の１μｍ厚さのアルミニウムバスの棒を仮定すると得られたＩＲ降下は約１１ボルトであり、これはまた許容され得ない。
３） 電極パターン化。陽極ーインジウム錫酸化物の直交電極の一つの組は従来技術のフォトリソグラフィの方法でパターン化されうる。しかしながら電極の他の組のパターン化は特に有機ＥＬに対して大きな困難が現れる。陽極は４ｅＶより小さい仕事関数を有する金属で作られねばならず、好ましくは銀又はアルミニウムのような他の金属と合金されたマグネシウムである（Ｔａｎｇ等によるアメリカ国特許第４８８５４３２号を参照）。有機層の上面に堆積されたマグネシウムに基づいた合金の陽極はフォトレジストを含むどのような従来技術の手段によっても容易にはパターン化され得ない。ＥＬセル上に有機溶剤からフォトレジストを適用するプロセスはマグネシウムに基づく合金層の下の溶解する有機層に有害に影響する。これは基板から有機層の層間剥離を引き起こす。
【００１２】
他の困難は湿度に対する陽極の極度の敏感さである。フォトレジストがＥＬセルの有機層を攪乱することなくうまく適用され、展開されたとしても、酸性溶液中のマグネシウムに基づく合金の陽極をエッチングするプロセスは陽極を酸化し、黒い点を作りやすい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は有機材料がＥＬ媒体として用いられる能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスを提供する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
そのデバイスは基板上に配置された２つのＴＦＴと記憶コンデンサと光放射有機ＥＬパッドとからなる。ＥＬパッドは第二のＴＦＴのドレインに電気的に接続される。第一のＴＦＴは第二のＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、これは次にコンデンサに電気的に接続され、それにより励起信号に続いて第二のＴＦＴが信号間でＥＬパッドに対して一定に近い電流を供給することを可能にする。本発明のＴＦＴ−ＥＬデバイスは典型的にはフラットパネル表示器内で形成される画素であり、好ましくはＥＬ陽極が画素全てを横切る連続した層である。
【００１５】
本発明のＴＦＴ−有機ＥＬデバイスは以下に示すような他段階プロセスで形成される：
第一の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１）は基板の上面上に配置される。ＴＦＴ１はソース電極とドレイン電極とゲート誘電体とゲート電極とからなり；ゲート電極はゲートバスの部分からなる。ＴＦＴ１のソース電極は電気的にソースバスと接続される。
【００１６】
第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）はまた基板の上面上に配置され、ＴＦＴ２はまたソース電極とドレイン電極とゲート誘電体とゲート電極とからなる。ＴＦＴ２のゲート電極は第一の薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続される。
記憶コンデンサはまた基板の上面上に配置される。動作中にこのコンデンサはＴＦＴ１を介して励起信号ソースから充電され、休止時間中にＴＦＴ２のゲート電極に一定に近い電位を供給するために放電する。
【００１７】
陽極層はＴＦＴ２のドレイン電極に電気的に接続される。基板を通して光が放射される典型的な応用では表示器はインジウム錫酸化物のような透明な材料である。
誘電パシベーション層は少なくともＴＦＴ１のソース上に、好ましくはデバイスの表面全体上に堆積される。誘電パシベーション層は表示アノード上に開口を設けるためにエッチングされる。
【００１８】
有機エレクトロルミネセンス層はアノード層の上面上に直接配置される。続いてカソード層は有機エレクトロルミネセンス層の上面上に直接堆積される。
好ましい実施例では本発明のＴＦＴ−ＥＬデバイスは低温（即ち６００度Ｃ以下）結晶化及びアニーリング段階、水素パシベーション、及び従来技術のパターン技術と結合されて低圧及びプラズマ増強化学蒸着を用いる方法により作られる。
【００１９】
薄膜トランジスタは好ましくは以下の多段階プロセスにより同時に形成される：
多結晶シリコンアイランド内にパターン化されたシリコンを堆積し；
二酸化シリコンゲート電極を化学蒸着し；
イオンインプラントの後でソース、ドレイン、ゲート電極はエッチ薄膜トランジスタ上に形成されるよう自己整列されたゲート電極を形成するためにパターン化される他の多結晶シリコン層を堆積する。
【００２０】
多結晶シリコン及び二酸化シリコンからなる薄膜トランジスタを有する画素の構成はデバイス性能、安定性、再現性、他のＴＦＴ上でのプロセス効率の向上をもたらす。比較するとＣｄＳｅ及びアモルファスシリコンからなるＴＦＴは低易動度と閾値ドリフトの影響を被る。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスの概略図を示す。各画素の素子は２つのＴＦＴと記憶コンデンサとＥＬ素子とを含む。４端子方式の主な特徴はＥＬ励起信号からのアドレッシング信号を分離する能力である。ＥＬ素子は論理ＴＦＴ（Ｔ１）を介して選択され、ＥＬ素子に対する励起電力は電力ＴＦＴ（Ｔ２）により制御される。記憶コンデンサはそれがいったん選択されたアドレスされたＥＬ素子に励起電力を留めることを可能にする。斯くして回路はＥＬ素子がアドレッシングに対して割り当てられた時間を無視して１００％に近いデューティサイクルで動作することを許容する。
【００２２】
本発明のエレクトロルミネセンスデバイスの構造は図２、３に示される。このデバイスの基板は絶縁及び好ましくは水晶又は低温度ガラスのような透明材料である。本明細書で用いられる透明という用語は表示デバイスで実際的な使用に対して充分な光を透過する部品を意味する。例えば所望の周波数範囲で５０％以上の光を透過する部品は透明と考えられる。低温度ガラスという用語は約６００度Ｃ以上の温度で融解又は歪むガラスをいう。
【００２３】
図２に示されるＴＦＴ−ＥＬデバイスではＴＦＴ１はソースバス（列電極）をデータラインとして及びゲートバス（行電極）をデータラインとして有する論理トランジスタである。ＴＦＴ２はＥＬ素子と直列のＥＬ電力トランジスタである。記憶コンデンサはＴＦＴ１と直列である。ＥＬ素子の陽極はＴＦＴ２のドレインに接続される。
【００２４】
図２のＴＦＴ−ＥＬの構成は図３から９の断面図に示される。図３から８に示される断面図は図２の線Ａ−Ａ’に沿ったものである。図９に示される断面図は図２の線Ｂ−Ｂ’に沿ったものである。
第一のプロセス段階でポリシリコン層は透明で絶縁性の基板にわたり堆積され、ポリシリコン層はフォトリソグラフィによりアイランドにパターン化される（図４を参照）。基板は水晶のような結晶材料であるが、好ましくは低温度ガラスのようなより高価でない材料である。ガラス基板が用いられるときにはＴＦＴ−ＥＬの製造全体がガラスの溶融又は歪みを回避し、能動領域内にドーパントの外側拡散（ｏｕｔ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）を回避するために低プロセス温度で実施される。斯くしてガラス基板に対して全ての製造段階は１０００゜Ｃ以下、好ましくは６００゜Ｃ以下でなされなければならない。
【００２５】
次に絶縁ゲート材料４２がポリシリコンアイランド上及び絶縁基板の表面にわたり堆積される。絶縁材料は好ましくはプラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）又は低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）のような化学蒸着（ＣＶＤ）により堆積される二酸化シリコンである。好ましくはゲート酸化物絶縁層は約１０００オングストロームの厚さである。
【００２６】
次の段階でシリコン４４の層はゲート絶縁層上に堆積され、イオンインプラント後にソースとドレイン領域はポリシリコン領域内に形成されるようにポリシリコンアイランド上にフォトリソグラフィすることによりパターン化される。ゲート電極材料は好ましくはアモルファスシリコンから形成されたポリシリコンである。イオンインプラントは好ましくは砒素であるＮ型ドーパントで導電化される。ポリシリコンゲート電極はまたコンデンサーの底部電極として供される（図９を参照）。 本発明の好ましい実施例では薄膜トランジスタは二重（ｄｏｕｂｌｅ）ゲート構造を用いていない。斯くして製造はより複雑でなく、より高価でない。 ゲートバス４６は絶縁層上で適用され、パターン化される。ゲートバスは好ましくは珪素化タングステン（ＷＳｉ2 ）のような金属珪素化物である。
【００２７】
次の段階では好ましくは二酸化シリコンである絶縁層はデバイスの表面全体にわたり適用される。
接触孔５４、５６は第二の絶縁層内で切削され（図５を参照）、電極材料は薄膜トランジスタと接点を形成するよう適用される（図６、７を参照）。ＴＦＴ２のソース領域に付けられた電極材料６２はコンデンサの上面電極をまた形成する（図９を参照）。ソースバス及び接地バスはまた第二の絶縁層上に形成される（図２を参照）。透明電極材料７２はＴＦＴ２のドレイン領域と接触し、好ましくはＩＴＯであり、これは有機エレクトロルミネセンス材料に対して陽極として設けられる。
【００２８】
次の段階では好ましくは二酸化シリコンである絶縁材料のパシベーション層７４はデバイスの表面上に堆積される。パシベーション層はテーパ化された端７６を離れたＩＴＯからエッチングされ、これは続いて適用される有機エレクトロルミネセンス層の接着を改善するよう供される。テーパ付端は信頼しうるデバイスを製造するために必要である。何故ならば本発明は典型的には１５０から２００ｎｍの厚さの比較的薄い有機ＥＬ層を用いているからである。パシベーション層は典型的には約０．５から約１ミクロン厚である。斯くしてパシベーション層の端が陽極層に関して垂直又は鋭角を形成する場合には欠陥が有機ＥＬ層内の不連続により発生しやすい。欠陥を防止するためにパシベーション層はテーパ付端を有さねばならない。好ましくはパシベーション層は陽極層に関して１０度から３０度の角度でテーパを付けられる。
【００２９】
有機エレクトロルミネセンス層８２はパシベーション層上及びＥＬ陽極層上に堆積される。本発明の有機ＥＬでの材料は、その開示は参考として引用される（ＳｃｏｚｚａｆａｖａのＥＰＡ ３４９，２６５（１９９０）；Ｔａｎｇのアメリカ特許第４，３５６，４２９号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，５３９，５０７号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第４，７２０，４３２；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，７６９，２９２号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第４，８８５，２１１号；Ｐｅｒｒｙ等のアメリカ特許第４，９５０，９５０；Ｌｉｔｔｍａｎ等のアメリカ特許第５，０５９，８６１号；ＶａｎＳｌｙｋｅのアメリカ特許第５，０４７，６８７号；Ｓｃｏｚｚａｆａｖａ等のアメリカ特許第５，０７３，４４６号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第５，０５９，８６２号；ＶａｎＳｌｙｋｅ等のアメリカ特許第５，０６１，６１７号；ＶａｎＳｌｙｋｅのアメリカ特許第５，１５１，６２９号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第５，２９４，８６９号；Ｔａｎｇ等のアメリカ特許第５，２９４，８７０号）のような従来技術の有機ＥＬデバイスの形をも取りうる。ＥＬ層は陽極と接触する有機ホール注入及び移動帯と、有機ホール注入及び移動帯と接合を形成する電子注入及び移動帯とからなる。ホール注入及び移動帯は単一の材料又は複数の材料から形成されえ、陽極及び、ホール注入層と電子注入及び移動帯の間に介装される連続的なホール移動層と接触するホール注入層からなる。同様に電子注入及び移動帯は単一材料又は複数の材料から形成されえ、陽極及び、電子注入層とホール注入及び移動帯の間に介装される連続的な電子移動層と接触する電子注入層からなる。ホールと電子の再結合とルミネセンスは電子注入及び移動帯とホール注入及び移動帯の接合に隣接する電子注入及び移動帯内で発生する。有機ＥＬ層を形成する化合物は典型的には蒸着により堆積されるが、他の従来技術によりまた堆積されうる。
【００３０】
好ましい実施例ではホール注入層からなる有機材料は以下のような一般的な式を有する：
【００３１】
【化１】
ここで：
ＱはＮ又はＣ−Ｒ
Ｍは金属、金属酸化物、又は金属ハロゲン化物
Ｔ１、Ｔ２は
水素を表すか又はアルキル又はハロゲンのような置換基を含む不飽和六員環を共に満たす。
好ましいアルキル部分は約１から６の炭素原子を含む一方でフェニルは好ましいアリル部分を構成する。
【００３３】
好ましい実施例ではホール移動層は芳香族第三アミンである。芳香族第三アミンの好ましいサブクラスは以下の式を有するテトラアリルジアミンを含む：
【００３４】
【化２】
ここで
Ａｒｅはアリレン群であり、
ｎは１から４の整数であり、
Ａｒ、Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 はそれぞれ選択されたアリル群である。
好ましい実施例ではルミネセンス、電子注入及び移動帯は金属オキシノイド（ｏｘｉｎｏｉｄ）化合物を含む。金属オキシノイド化合物の好ましい例は以下の一般的な式を有する：
【００３６】
【化３】
ここでＲ2 −Ｒ7 は置き換え可能性を表す。他の好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は以下の式を有する：
【００３８】
【化４】
ここでＲ2 −Ｒ7 は上記で定義されたものであり、Ｌ１−Ｌ５は集中的に１２又はより少ない炭素原子を含み、それぞれ別々に１から１２の炭素原子の水素又は炭水化物群を表し、Ｌ１，Ｌ２は共に、又はＬ２，Ｌ３は共に連合されたベンゾ環を形成しうる。他の好ましい実施例では金属オキシノイド化合物は以下の式を有する：
【００４０】
【化５】
ここでＲ2 −Ｒ6 は水素又は他の置き換え可能性を表す。
上記例は単にエレクトロルミネセンス層内で用いられるある好ましい有機材料を表すのみである。それらは本発明の視野を制限することを意図するものではなく、これは一般に有機エレクトロルミネセンス層を指示するものである。上記例からわかるように有機ＥＬ材料は有機リガンドを有する配位化合物を含む。本発明のＴＦＴ−ＥＬデバイスはＺｎＳのような純粋な無機材料を含まない。
【００４２】
次のプロセス段階ではＥＬ陽極８４はデバイスの表面上に堆積される。ＥＬ陽極はどのような導電性の材料でも良いが、好ましくは４ｅＶ以下の仕事関数を有する材料で作られる（Ｔａｎｇ等のアメリカ国特許第４８８５２１１号を参照）。低い仕事関数材料は陽極に好ましい。何故ならばそれらは電子移動層内に容易に電子を放出するからである。最も低い仕事関数の金属はアルカリ金属であるが、しかしながらそれらの空気中での不安定性はそれらの使用をある条件下で実際的でなくしている。陽極材料は典型的には化学蒸着により堆積されるが、他の適切堆積技術も適用可能である。ＥＬ陽極に対して特に好ましい材料は１０：１（原子比で）マグネシウム：銀合金であることが見いだされた。好ましくは陽極は表示パネルの全表面にわたる連続層として適用される。他の実施例ではＥＬ陽極は有機電子注入及び移動帯に隣接した低い仕事関数の金属のより低い層からなり、低い仕事関数の金属をオーバーレイし、低い仕事関数の金属を酸素及び湿度から保護する保護層とからなる。選択的にパシベーション層はＥＬ陽極層上に適用される。 典型的には陽極材料は透明であり、陰極材料は不透明であり、それにより光は陽極材料を通して透過する。しかしながら代替実施例では光は陽極よりもむしろ陰極を等して放射される。この場合には陰極は光透過性であり、陽極は不透明である。光透過と技術的伝導性の実際的なバランスは典型的には５−２５ｎｍの範囲の厚さである。
【００４３】
本発明による薄膜トランジスタを製造する好ましい方法を以下に説明する。第一段階では２０００±２０オングストローム厚さのアモルファスシリコン膜は１０２３ｍＴｏｒｒのプロセス圧力で反応性ガスとしてシランと共にＬＰＣＶＤシステムないで５５０度Ｃで堆積される。この次にアモルファスシリコン膜を多結晶膜に結晶化するために真空中で５５０度Ｃで７２時間低温アニールする。それからポリシリコンアイランドはプラズマ反応器内でＳＦ6 とフレオン１２の混合物と共にエッチングにより形成される。ポリシリコンアイランド上で能動層は１０００±２０オングストロームＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 ゲート誘電層を堆積される。ゲート誘電層は３５０度Ｃで１８分間４５０ＫＨｚの周波数で２００Ｗの電力レベルで０．８Ｔｏｒｒの圧力でプラズマ反応器内で５／４のＮ2 Ｏ／ＳｉＨ4 比で堆積される。
【００４４】
次の段階ではアモルファスシリコン層はＰＥＣＶＤゲート絶縁層上に堆積され、第一の段階に対する上記と同じ条件を用いて多結晶シリコンに変換される。フォトレジストは適用され、第二のポリシリコン層は続くイオンインプラント段階に対する自己整列構造を形成するようエッチングされる。第二のポリシリコン層は好ましくは約３０００オングストローム厚さである。
【００４５】
イオンインプラントはソース、ドレイン、ゲート領域を同時にドープするために２Ｘ１０15／ｃｍ2 の線量で１２０ＫｅＶで砒素でドーピングすることにより実施される。ドーパントの活性化は窒素雰囲気中で６００゜Ｃで２時間実施される。
次の段階では５０００オングストローム厚さの二酸化シリコン層が従来技術の低温法で堆積される。アルミニウム接点は物理的蒸着により形成され、４００度Ｃで１３分間形成ガス（１０％Ｈ2 ，９０％Ｎ2 ）内で燒結される。
【００４６】
最終的に薄膜トランジスタの水素パシベーションは電子サイクロトロン共鳴反応器（ＥＣＲ）内で実施される。ＥＣＲ水素プラズマ露出はマイクロ波レベル９００Ｗ、周波数３．５ＧＨｚで１．２ｘ１０-4Ｔｏｒｒの圧力でおこなわれた。水素パシベーションは３００度Ｃの基板温度で１５分間なされる。この過程は低閾値電圧と高効率キャリア移動度と優秀なオン／オフ比を有する薄膜トランジスタでを生ずる。
【００４７】
本発明の特性の例として以下のＴＦＴ−ＥＬパネルに対する駆動要求を考える：
行の数 ＝ １０００
列の数 ＝ １０００
画素寸法 ＝ ２００μｍｘ２００μｍ
ＥＬ充填係数 ＝ ５０％
フレーム時間 ＝ １７ｍｓ
行休止時間 ＝ １７μｓ
平均輝度 ＝ ２０ｆＬ
ＥＬ画素電流 ＝ ０．８μＡ
デュティサイクル ＝ １００％
ＥＬ電力源 ＝ １０ｖ ｒｍｓ
これらの駆動要求はＴＦＴ及び記憶コンデンサに対する以下の特性により適合される：
【００４８】
ＴＦＴ２に対するオン電流はＥＬ画素電流の２倍であり、１．６μＡである。この２倍の係数は動作と共に有機ＥＬ素子の徐々の劣化に対する補正のための適切な駆動電流を許容するためである。ＴＦＴ２のオフ電流はパネルのコントラストに影響する。１ｎＡのオフ電流は点灯されたＥＬ素子と点灯されないそれとの間の５００倍以上のオン／オフコントラスト比を提供する。パネルの実際のコントラスト比はより低く環境照明要因に依存する。
【００４９】
４００ｃｍ2 のフルページパネルに対してＥＬ素子単独による電力要求は約４ワットである。
【００５０】
本発明のＴＦＴ−ＥＬパネルはＴＦＴ−ＬＣＤに対する電力要求に関して２つの重要な利点を有する。第一にＴＦＴ−ＥＬ電力要求は白黒又は同様なルミネセンス効率を有するカラー材料で供される多色であるかに比較的独立である。対照的にＴＦＴ−ＬＣＤカラーパネルは白黒に比べてはるかに高い電力を要求する。何故ならば透過係数はカラーフィルター配列によるカラー化されたパネル内で大幅に減少するからである。第二にＬＣＤバックライトはスクリーン利用係数に無関係に一定でなければならないことである。これに対してＴＦＴ−ＥＬ電力消費はこの利用係数に高度に依存する。
【００５１】
平均電力消費は更に小さい。何故ならばＥＬスクリーンの１００％以下は典型的な応用ではどのような所定の時間でも放射するからである。
本発明は好ましい実施例を特に参照して詳細に説明されているが種々の変更及び改良は本発明の精神及び範囲内で有効である。
【００５２】
【発明の効果】
本発明のＴＦＴー有機ＥＬデバイスの実際のパネル構成と駆動配置の幾つかの重要な利点は以下の通りである：
１） 有機ＥＬパッドと陽極の両方は連続した層である故に画素解像度はＴＦＴの特性大きさと関連した表示ＩＴＯパッドによりのみ決定され、ＥＬセルの有機化合物又は陽極と独立である。
２） 陽極は連続であり、全ての画素に共通である。それは画素の解像力に対してパターン化を必要としない。故に２端子方式での陽極をパターン化する困難は除去された。
３） スキャン行の数はアドレス及び励起信号が分離されるのでフレーム周期内の短い行休止時間によりもはや制限されない。各スキャン行は１００％デューティ係数の近くで動作される。高解像度はスキャン行の多数が均一な強度を維持する間に表示パネル内で用いられ得る。
４） 有機ＥＬ素子の信頼性は増強される。何故ならばそれは１００％デューティ係数で低電流密度（１ｍＡ／ｃｍ2 ）及び電圧（５Ｖ）で動作するからである。
５） ＥＬ素子を駆動するために必要とされる共通陽極と低電流密度を用いる故にバスに沿ったＩＲ電位低下は顕著ではない。故にパネルの均一性はパネルの大きさにより顕著に影響されない。
【図面の簡単な説明】
【図１】能動マトリックス４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスの概略図を示す。
【図２】本発明の４端子ＴＦＴ−ＥＬデバイスの平面図である。
【図３】図２の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図４】イオンインプラントに対する自己整列ＴＦＴ構造を形成するプロセスを示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図５】薄膜トランジスタのソースとドレイン領域に対するパシベーション酸化層の堆積と接触切断を開口するプロセス段階を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図６】アルミニウム電極の堆積を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図７】表示陽極と表示陽極の表面から部分的にエッチングされたパシベーション層との堆積を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図８】エレクトロルミネセンスと陽極の堆積の段階を示す線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図９】図２の線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
【符号の説明】
Ｔ1 ，Ｔ2 薄膜トランジスタ
ＣS コンデンサー
ＥＬ エレクトロルミネセンス層
４２ ゲート材料
４４ シリコン層
４６ ゲートバス
５２ 絶縁層
５４、５６ 接触孔
６２、７２ 電極材料
７４ パシベーション層
７６ テーパ付端
８２ ＥＬ層
８４ ＥＬ陰極
Claims (3)
- 上面及び底面を有し、その上に複数の画素を配置された基板よりなるエレクトロルミネセンス平面パネル表示器であって、該画素の各々は：
ａ）該基板の上面上に配置され、ソース電極とドレイン電極とゲート誘電体とゲート電極とからなり、該ゲート電極はゲートバスの一部分からなる第一の薄膜トランジスタと；
ｂ）該基板の上面上に配置され、ソース電極とドレイン電極とゲート誘電体とゲート電極とからなり、該ゲート電極は該第一の薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続される第二の薄膜トランジスタと；
ｃ）該基板の上面上に配置され、上部及び底部電極からなるコンデンサと；
ｄ）該第二の薄膜トランジスタのドレイン電極に電気的に接続された表示陽極層と；
ｅ）該第一及び第二の薄膜トランジスタと該コンデンサとをオーバーレイし、該陽極層上に開口を有し、底端が該陽極層上に上端より更に延在するように該開口でテーパを有し、そのテーパ角が該陽極層面に対して１０〜３０度である誘電パシベーション層と；
ｆ）該陽極層の上面上に直接配置され、該パシベーション層により該第一及び第二の薄膜トランジスタと該コンデンサとから絶縁される有機エレクトロルミネセンス層と；
ｇ）該有機エレクトロルミネセンス層の上面上に直接配置される陰極層と；
からなり、
各画素上の該第一の薄膜トランジスタのソース電極に接続された複数の列リードと、各画素上の該第一の薄膜トランジスタのゲート電極に接続された複数の行リードと、各画素上の該コンデンサに接続された複数の接地リードとを更に含むエレクトロルミネセンス平面パネル表示器。 - 該陰極は該複数の画素をオーバーレイする連続シートである請求項１記載の平面パネル表示器。
- １０００行と１０００列を有し、該画素のそれぞれは約０．２ｍｍ×０．２ｍｍであり、約２０ｆＬの時間平均輝度を有し、作動中に約７ワットより小さな電力消費を有する請求項１記載の平面パネル表示器。
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