JP4743093B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
また、本発明にかかる発光装置は、第1電極と、前記第1電極に対向する第2電極と、該第1電極と該第2電極の間に流れる電流に応じて発光する有機半導体膜と、を有する発光素子と、前記電流を制御するトランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続された中継電極と、前記中継電極の上に形成された絶縁膜と、を有し、前記中継電極は、前記絶縁膜の上に形成された前記第1電極と電気的に接続され、前記有機半導体膜と平面的に重ならないように形成されてなることを特徴とする。
また、本発明にかかる発光装置は、前記中継電極は前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールにより前記第1電極と電気的に接続され、前記有機半導体膜は、前記コンタクトホールと平面的に重ならないように形成されてなることを特徴とする。
また、本発明にかかる発光装置は、前記中継電極と平面的に重なる領域における第1電極上に絶縁性のバンク層を有することを特徴とする。
また、本発明にかかる発光装置は、前記トランジスタが、島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜の上に形成されたゲート電極と、を有し、前記ゲート電極の上であって、前記中継電極の下に形成される他の絶縁膜をさらに有することを特徴とする。
また、本発明にかかる発光装置は、走査線と、前記走査線と交差するデータ線と、前記走査線と交差する給電線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して形成され、前記走査線および前記データ線と電気的に接続される他のトランジスタと、をさらに有し、前記トランジスタは、前記給電線と電気的に接続され、かつ、前記他のトランジスタに電気的に接続されることを特徴とする。
また、本発明にかかる発光装置は、前記第2電極の上に形成される保護層と、をさらに有することを特徴とする。
図1は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図2は、それに構成されている画素の1つを抜き出して示す平面図、図3(A)、(B)、(C)はそれぞれ図2のA−A'断面図、B−B'断面図、およびC−C'断面図である。
このように、薄膜発光素子40を用いたアクティブマトリクス型表示装置1は、透明基板10自体に対向電極opが積層されているので、アクティブマトリクス型液晶表示装置と相違して、対向基板を重ねる必要がないという大きな利点がある。しかし、薄膜発光素子40には、薄い対向電極opを拡散、透過して水分や酸素が侵入してくるおそれがある。特に、本形態では、薄膜発光素子40での電子注入効率を高めてその駆動電圧を下げることを目的に、対向電極opとしてリチウムなどのアルカリ金属を含有するアルミニウム膜が用いられ、このアルカリ金属含有アルミニウム膜は、純アルミニウムに比較して水分や酸素を拡散、透過しやすいことが考えられる。すなわち、アルカル金属含有アルミニウム膜は、純アルミニウム膜、シリコン含有アルミニウム膜、銅含有アルミニウム膜に比較して靱性に乏しく、応力がかかったときに破断しやすいので、クラックなどを介して、水分や酸素が侵入するおそれがある。また、アルカリ金属含有アルミニウム膜の破断面は柱状組織を示し、組織間を水分や酸素が拡散、透過しやすいと考えられる。
このように構成したアクティブマトリクス型表示装置1において、本形態では、データ線sigには大きな容量が寄生することを防止するため、図1、図2、および図3(A)、(B)、(C)に示すように、データ線sigおよび走査線gateに沿って、レジスト膜あるいはポリイミド膜からなる厚い絶縁膜(バンク層bank/左下がりの斜線を広いピッチで付した領域)を設け、このバンク層bankの上層側に対向電極opを形成してある。このため、データ線sigと対向電極opとの間には、第2の層間絶縁膜52と厚いバンク層bankが介在しているので、データ線sigに寄生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路3、4の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
このように形成したバンク層bankは、有機半導体膜43の形成領域を囲むように構成されているので、アクティブマトリクス型表示装置の製造工程では、インクジェットヘッドから吐出した液状の材料(吐出液)から有機半導体膜43を形成する際に吐出液をせき止め、吐出液が側方にはみ出すことを防止する。なお、以下に説明するアクティブマトリクス型表示装置1の製造方法において、透明基板10上に第1のTFT20および第2のTFT30を製造するまでの工程は、液晶アクティブマトリクス型表示装置1のアクティブマトリクス基板を製造する工程と略同様であるため、図3(A)、(B)、(C)を参照してその概略を簡単に説明する。
なお、上述の実施例と同様な方法で形成し、保護膜60としては、純アルミニウム膜以外にも、水分や酸素の透過が少ない導電膜であれば、シリコン含有アルミニウム膜や銅含有アルミニウム膜の金属膜、あるいはその他の金属を用いることができる。また、保護膜60としては、高融点金属、あるいはその合金等を用いることができる。さらに、保護膜60としてはシリコン窒化膜などの絶縁膜を用いた場合にも、薄膜発光素子40の劣化を防止することができる。さらにまた、保護膜60は絶縁膜と導電膜との二層構造にしてもよく、この場合には、対向電極opに対して導電膜を積層すれば、前記の冗長配線構造を実現できる。いずれの場合でも、保護膜は約2000オングストローム〜1μm程度であれば、充分耐湿性を確保することができる。
Claims (6)
- 複数の画素を備えた発光装置であって、
前記各画素は、
第1電極と、前記第1電極に対向する第2電極と、該第1電極と該第2電極の間に流れる電流に応じて発光するとともに、前記画素毎に独立して設けられた有機半導体膜と、を有する発光素子と、
前記電流を制御するトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続された中継電極と、
前記中継電極の上に形成された絶縁膜と、
を有し、
前記中継電極は、前記絶縁膜の上に形成された前記第1電極と電気的に接続され、前記
有機半導体膜と平面的に重ならないように形成されてなることを特徴とする発光装置。
- 請求項1に記載の発光装置において、
前記中継電極は前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールにより前記第1電極と電気的に接続され、
前記有機半導体膜は、前記コンタクトホールと平面的に重ならないように形成されてなることを特徴とする発光装置。 - 請求項1または請求項2に記載の発光装置において、
前記中継電極と平面的に重なる領域における第1電極上に絶縁性のバンク層を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記トランジスタが、島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜の上に形成されたゲート電極と、を有し、
前記ゲート電極の上であって、前記中継電極の下に形成される他の絶縁膜をさらに有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の発光装置において、
走査線と、
前記走査線と交差するデータ線と、
前記走査線と交差する給電線と、
前記走査線と前記データ線との交差に対応して形成され、前記走査線および前記データ線と電気的に接続される他のトランジスタと、をさらに有し、
前記トランジスタは、前記給電線と電気的に接続され、かつ、前記他のトランジスタに電気的に接続されることを特徴とする発光装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第2電極の上に形成される保護層をさらに有することを特徴とする発光装置。
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