KR102204915B1 - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 데이터선, 구동 전압선을 포함하는 신호선, 상기 신호선에 연결되어 있는 트랜지스터, 상기 신호선과 상기 트랜지스터 위에 형성되어 있으며, 상기 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극의 제1 부분 위에 형성되어 있으며, 상기 신호선 및 상기 트랜지스터와 중첩하는 영역에 형성되어 있는 화소 정의막, 상기 제1 전극 중 상기 화소 정의막과 중첩하는 상기 제1 부분을 제외한 나머지 제2 부분 위에 형성되어 있는 유기 발광층, 그리고 상기 화소 정의막과 상기 유기 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함한다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)가 주목 받고 있다.

유기 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.

종래의 유기 발광 표시 장치는 신호선과 중첩하지 않는 화소 영역에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함한다. 이러한 유기 발광층의 면적이 넓을수록 표시 장치의 발광 면적이 증가하여 휘도가 증가한다. 그러나, 표시 장치의 발광 면적을 높이기 위하여, 신호선 등과 중첩하는 영역에도 유기 발광층을 형성하는 경우, 유기 발광층의 발광 효율이 감소하게 된다.

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치 및 그 제조 방법은 위의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 표시 장치의 발광 면적을 높이면서도 발광 효율 저하를 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 데이터선, 구동 전압선을 포함하는 신호선, 상기 신호선에 연결되어 있는 트랜지스터, 상기 신호선과 상기 트랜지스터 위에 형성되어 있으며, 상기 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극의 제1 부분 위에 형성되어 있으며, 상기 신호선 및 상기 트랜지스터와 중첩하는 영역에 형성되어 있는 화소 정의막, 상기 제1 전극 중 상기 화소 정의막과 중첩하는 상기 제1 부분을 제외한 나머지 제2 부분 위에 형성되어 있는 유기 발광층, 그리고 상기 화소 정의막과 상기 유기 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함한다.

상기 유기 발광층은 상기 화소 정의막 위에는 형성되지 않을 수 있다.

상기 표시 장치는 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 제1 절연막을 사이에 두고 중첩하는 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극을 더 포함하고, 상기 유기 발광층은 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극과 중첩하고, 상기 화소 정의막은 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극과 중첩하지 않을 수 있다.

상기 트랜지스터는 반도체층, 상기 반도체층 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 그리고 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 게이트 전극을 포함하고, 상기 게이트 전극은 제1 막과 상기 제1 막 위에 위치하는 제2 막을 포함하고, 상기 제1 축전기 전극은 상기 트랜지스터의 상기 반도체층과 동일한 층으로 이루어지고, 상기 제2 축전기 전극은 상기 트랜지스터의 상기 게이트 전극의 상기 제1 막과 동일한 층으로 이루어지고, 상기 제1 절연막은 상기 게이트 절연막일 수 있다.

상기 게이트 전극의 상기 제1 막은 투명한 도전체를 포함하고, 상기 게이트 전극의 상기 제2 막은 저저항성 도전체를 포함할 수 있다.

상기 표시 장치는 상기 기판 위에 형성되어 있으며, 제1 절연막을 사이에 두고 중첩하는 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극을 더 포함하고, 상기 유기 발광층은 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극과 중첩하지 않고, 상기 화소 정의막은 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극과 중첩할 수 있다.

상기 트랜지스터는 반도체층, 상기 반도체층 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 그리고 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 게이트 전극을 포함하고, 상기 제1 축전기 전극은 상기 트랜지스터의 상기 반도체층과 동일한 층으로 이루어지고, 상기 제2 축전기 전극은 상기 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 동일한 층으로 이루어지고, 상기 제1 절연막은 상기 게이트 절연막일 수 있다.

상기 표시 장치는 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극과 중첩하는 제3 축전기 전극을 더 포함하고, 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극은 상기 제1 절연막을 사이에 두고 중첩하여 제1 유지 축전기를 이루고, 상기 제2 축전기 전극과 상기 제3 축전기 전극은 제2 절연막을 사이에 두고 중첩하여 제2 유기 축전기를 이룰 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 게이트선, 데이터선, 구동 전압선을 포함하는 신호선을 형성하는 단계, 상기 기판 위에 상기 신호선에 연결되어 있는 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 신호선과 상기 트랜지스터 위에, 상기 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극의 제1 부분 위에 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 화소 정의막은 상기 신호선 및 상기 트랜지스터와 중첩하는 영역에 형성되고, 상기 제1 전극 중 상기 화소 정의막과 중첩하는 상기 제1 부분을 제외한 나머지 제2 부분 위에, 유기 발광층을 형성하는 단계, 그리고 상기 화소 정의막과 상기 유기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 유기 발광층은 상기 화소 정의막 위에는 형성하지 않을 수 있다.

상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 기판 위에 제1 절연막을 사이에 두고 중첩하는 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 유기 발광층은 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극과 중첩하도록 형성하고, 상기 화소 정의막은 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극과 중첩하지 않도록 형성할 수 있다.

상기 트랜지스터를 형성하는 단계는 상기 기판 위에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 그리고 상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 게이트 전극은 제1 막과 상기 제1 막 위에 위치하는 제2 막을 포함하고, 상기 제1 축전기 전극은 상기 트랜지스터의 상기 반도체층과 동일한 층으로 형성하고, 상기 제2 축전기 전극은 상기 트랜지스터의 상기 게이트 전극의 상기 제1 막과 동일한 층으로 형성할 수 있다.

상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 기판 위에 제1 절연막을 사이에 두고 중첩하는 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 유기 발광층은 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극과 중첩하지 않도록 형성하고, 상기 화소 정의막은 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극과 중첩하도록 형성할 수 있다.

상기 트랜지스터를 형성하는 단계는 상기 기판 위에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 그리고 상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 축전기 전극은 상기 트랜지스터의 상기 반도체층과 동일한 층으로 형성하고, 상기 제2 축전기 전극은 상기 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 동일한 층으로 형성할 수 있다.

상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극과 중첩하는 제3 축전기 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 축전기 전극 및 제2 축전기 전극은 상기 제1 절연막을 사이에 두고 중첩하여 제1 유지 축전기를 이루고, 상기 제2 축전기 전극과 상기 제3 축전기 전극은 제2 절연막을 사이에 두고 중첩하여 제2 유기 축전기를 이룰 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 표시 장치에 따르면, 표시 장치의 발광 면적을 높이면서도 발광 효율 저하를 방지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다.
도 3은 도 2의 표시 장치를 III-III 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4는 도 2의 표시 장치를 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 도 2의 III-III 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 도 2의 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이다.
도 8은 도 7의 표시 장치를 VIII-VIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 9는 도 7의 표시 장치를 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 도 7의 VIII-VIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 도 7의 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 12 내지 도 31은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 단면도이다.
도 32 내지 도 39는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 단면도이다.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.

이하 도면을 참고하여 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다.

먼저, 도 1을 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 신호선과 화소의 연결관계에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.

도 1을 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있는 화소(pixel)(PX)를 포함한다. 여기서, 화소(PX)는 이미지(iamge)을 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 장치는 복수의 화소(PX)를 통해 이미지를 표시한다.

신호선(121, 171, 172)은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 데이터선(data line)(171), 구동 전압을 전달하는 구동 전압선(driving voltage line)(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고, 데이터선(171)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있는 것으로 도시되어 있으나, 행 방향 또는 열 방향으로 뻗거나 그물 모양으로 형성될 수 있다.

한 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 트랜지스터(driving transitor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting element)(LD)를 포함한다.

스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.

구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 전달한다.

유지 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 유지 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.

유기 발광 소자(LD)는 예를 들면 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로서, 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다. 유기 발광 소자(LD)는 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나 또는 하나 이상의 빛을 고유하게 내는 유기 물질을 포함할 수 있으며, 유기 발광 표시 장치는 이들 색의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다. 또한, 유기 발광 소자(LD)는 삼원색 등 기본색의 합으로 이루어진 백색을 발할 수도 있으며, 이 경우, 각 화소에는 삼원색 중 기본색 중 어느 하나를 표시하는 색필터가 형성되어 있다. 또한, 각 화소는 기본색 중의 하나를 표시하는 화소와 백색을 표시하는 화소를 포함할 수도 있고, 이 경우, 백색을 표시하는 화소에만 색필터가 형성되지 않을 수도 있다.

스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이지만, 이들 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 유지 축전기(Cst) 및 유기 발광 소자(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.

그러면, 도 2 내지 도 4를 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 구체적인 구조에 대하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이고, 도 3은 도 2의 표시 장치를 III-III 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 4는 도 2의 표시 장치를 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

기판(100) 위에 버퍼층(120)이 형성되어 있다.

기판(100)은 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판 일 수 있으며, 기판(100)은 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판일 수 있다.

버퍼층(120)은 질화 규소(SiNx)의 단일막 또는 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiO₂)가 적층된 이중막 구조로 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 불순물 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지하면서 동시에 표면을 평탄화하는 역할을 한다.

버퍼층(120) 위에는 다결정 규소로 이루어진 제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 제1 축전기 전극(138)이 형성되어 있다.

제1 반도체(135a)는 제1 채널 영역(1355a)과 제1 채널 영역(1355a)의 양측에 형성된 제1 소스 영역(1356a) 및 제1 드레인 영역(1357a)으로 구분된다.

제2 반도체(135b)는 제2 채널 영역(1355b)과 제2 채널 영역(1355b)의 양측에 형성된 제2 소스 영역(1356b) 및 제2 드레인 영역(1357b)으로 구분된다.

제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b)의 제1 채널 영역(1355a)과 제2 채널 영역(1355b)은 불순물이 도핑되지 않은 다결정 규소, 즉 진성 반도체(intrinsic semiconductor)이다. 제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b)의 제1 소스 영역(1356a) 및 제1 드레인 영역(1357a), 그리고 제2 소스 영역(1356b) 및 제2 드레인 영역(1357b)은 도전성 불순물이 도핑된 다결정 규소, 즉 불순물 반도체(impurity semiconductor)이다.

제1 축전기 전극(138)은 제2 반도체(135b)의 제2 소스 영역(1356b)으로부터 확장되어 있다. 따라서, 제1 축전기 전극(138)은 제2 소스 영역(1356b)과 동일한 층으로 이루어져, 도전성 불순물이 도핑된 다결정 규소, 즉 불순물 반도체(impurity semiconductor)이다.

제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b)의 제1 소스 영역(1356a) 및 제1 드레인 영역(1357a), 제2 소스 영역(1356b) 및 제2 드레인 영역(1357b), 그리고 제1 축전기 전극(138)에 도핑되는 불순물은 p형 불순물 및 n형 불순물 중 어느 하나 일 수 있다.

제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 제1 축전기 전극(138) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.

게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소 및 산화 규소 중 적어도 하나를 포함한 단층 또는 복수층일 수 있다.

게이트 절연막(140) 위에는 게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 그리고 제2 축전기 전극(158)이 형성되어 있다.

게이트선(121)은 가로 방향으로 길게 뻗어 게이트 신호를 전달하고, 제1 게이트 전극(154a)은 게이트선(121)으로부터 제1 반도체(135a)를 향해 돌출되어 있다.

게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 그리고 제2 게이트 전극(154b)은 투명한 도전체로 이루어진 하부막(154ap, 154bp)과 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄 또는 이들의 합금 등의 저저항성 도전체를 포함하는 불투명한 도전체로 이루어진 상부막(154aq, 154bq)을 포함한다.

제2 축전기 전극(158)은 제2 게이트 전극(154b)과 연결되어 있으며 제1 축전기 전극(138)과 중첩한다. 제2 축전기 전극(158)은 게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 그리고 제2 게이트 전극(154b)의 하부막(154ap, 154bp)과 동일한 층으로 이루어진다. 즉, 제2 축전기 전극(158)은 투명한 도전체로 이루어진다.

제1 축전기 전극(138)과 제2 축전기 전극(158)은 게이트 절연막(140)을 유전체로 하여 제1 유지 축전기(80)를 이룬다. 앞서 설명한 바와 같이, 제1 축전기 전극(138)은 반도체층으로 이루어지고, 제2 축전기 전극(158)은 투명한 도전체로 이루어진다. 따라서, 제1 유지 축전기(80)는 투명한 층으로 이루어져, 제1 유지 축전기(80)의 형성에 따른 표시 장치의 개구율 저하를 방지할 수 있다.

게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 그리고 제2 축전기 전극(158) 위에는 제1 층간 절연막(160)이 형성되어 있다. 제1 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 형성될 수 있다.

제1 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에는 제1 반도체(135a)의 제1 소스 영역(1356a)을 노출하는 제1 소스 접촉 구멍(166a), 제1 반도체(135a)의 제1 드레인 영역(1357a)을 노출하는 제1 드레인 접촉 구멍(167a), 제2 반도체(135b)의 제2 소스 영역(1356b)을 노출하는 제2 소스 접촉 구멍(166b), 제2 반도체(135b)의 제2 드레인 영역(1357b)을 노출하는 제2 드레인 접촉 구멍(167b)이 형성되어 있다. 제1 층간 절연막(160)에는 제2 게이트 전극(154b)을 노출하는 제1 접촉 구멍(81)이 형성되어 있다.

제1 층간 절연막(160) 위에는 제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)를 포함하는 구동 전압선(172), 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b)이 형성되어 있다.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 게이트선(121)과 교차하는 방향으로 뻗어 있다.

구동 전압선(172)은 일정 전압을 전달하며 데이터선(171)과 나란하게 뻗을 수 있다.

제1 소스 전극(176a)은 데이터선(171)으로부터 제1 반도체(135a)를 향해서 돌출되어 있으며, 제2 소스 전극(176b)은 구동 전압선(172)으로부터 제2 반도체(135b)를 향해서 돌출되어 있다.

제1 소스 전극(176a)은 제1 소스 접촉 구멍(166a)을 통해서 제1 소스 영역(1356a)과 연결되어 있고, 제2 소스 전극(176b)은 제2 소스 접촉 구멍(166b)을 통해서 제2 소스 영역(1356b)과 연결되어 있다.

제1 드레인 전극(177a)은 제1 소스 전극(176a)과 마주하고, 제1 드레인 전극(177a)은 제1 드레인 접촉 구멍(167a)을 통해서 제1 드레인 영역(1357a)과 연결되어 있다. 이와 유사하게, 제2 드레인 전극(177b)은 제2 소스 전극(176b)과 마주하며, 제2 드레인 전극(177b)은 제2 드레인 접촉 구멍(167b)을 통해서 제2 드레인 영역(1357b)과 연결되어 있다.

제1 드레인 전극(177a)은 게이트선을 따라 연장되어 있으며, 제1 접촉 구멍(81)을 통해서 제2 게이트 전극(154b)과 전기적으로 연결된다.

제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)을 포함하는 구동 전압선(172), 그리고 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b) 위에는 제2 층간 절연막(180)이 형성되어 있다.

제2 층간 절연막(180)은 제1 층간 절연막(160)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 제2 드레인 전극(177b)을 노출하는 제2 접촉 구멍(82)을 가진다.

제2 층간 절연막(180) 위에는 제1 전극(191)이 형성되어 있다. 제1 전극(191)은 애노드 전극일 수 있다.

제1 전극(191)은 제2 접촉 구멍(82)을 통해 제2 드레인 전극(177b)과 연결된다.

제1 전극(191)은 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등으로 둘러싸여 있는 하나의 화소 영역 전반에 걸쳐 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(191)의 가장 자리는 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172)과 중첩할 수 있다.

제1 전극(191) 위에는 화소 정의막(195)이 형성되어 있다. 화소 정의막(195)은 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 등과 중첩하는 영역에 형성되어 있다. 도면에서, 화소 정의막(195)은 사선으로 표시되어 있다.

본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치는 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 외에도 추가적인 불투명한 층을 더 포함할 수 있으며, 이 경우, 화소 정의막(195)은 추가적인 불투명한 층과 중첩하는 영역에도 형성될 수 있다.

화소 정의막(195)은 폴리아크릴계(polyacrylates) 또는 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지와 실리카 계열의 무기물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.

화소 정의막(195)으로 덮여 있지 않은 제1 전극(191) 위에는 유기 발광층(370)이 형성되어 있다. 보다 구체적으로, 제1 전극(191) 중 화소 정의막(195)과 중첩하는 부분을 제1 부분이라 하고, 제1 부분을 제외한 나머지 부분을 제2 부분이라고 할 때, 유기 발광층(370)은 제1 전극(191) 중 제1 부분을 제외한 나머지 부분인 제2 부분 위에 형성된다.

이처럼, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성되어, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)의 위에는 위치하지 않는다. 따라서, 화소 영역 중, 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 등과 중첩하지 않는 영역에 위치한다.

유기 발광층(370)은 발광층을 포함하고, 정공 수송층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.

유기 발광층(370)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드 전극인 제1 전극(191) 위에 위치하고 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.

유기 발광층(370)은 적색, 녹색, 청색 등 삼원색의 빛 중 어느 하나의 빛을 낼 수 있다.

화소 정의막(195) 및 유기 발광층(370) 위에는 제2 전극(270)이 형성된다.

제2 전극(270)은 유기 발광 소자의 캐소드 전극이 된다. 따라서 제1 전극(191), 유기 발광층(370) 및 제2 전극(270)은 유기 발광 소자(LD)를 이룬다.

제2 전극(270)은 반사막, 투명막 또는 반투과막으로 형성한다.

반사막 및 반투과막은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr) 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 금속 또는 이들의 합금을 사용하여 만들어진다. 반사막과 반투과막은 두께로 결정되며, 반투과막은 200nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 투명막은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(산화 아연) 등의 물질로 이루어진다.

앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 화소 영역 전반에 걸쳐 형성되어 있는 제1 전극(191), 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 형성되어 있는 화소 정의막(195), 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성되어 있는 유기 발광층(370), 그리고 유기 발광층(370) 위에 형성되어 있는 제2 전극(270)을 포함한다. 따라서, 도 3 및 도 4에 표시한 바와 같이, 불투명한 배선층과 중첩하지 않는 제1 영역(R1), 제2 영역(R2), 제3 영역(R3), 그리고 제4 영역(R4)에서 유기 발광층(370)이 발광하여, 영상을 표시하게 된다. 이처럼, 게이트선(121)과 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역, 그리고 구동 전압선(172)과 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역 등과 같이 기존의 표시 장치에서는 영상을 표시하는 영역으로 이용되지 않았던 영역에도 유기 발광층(370)을 형성하여 영상을 표시하도록 하여 표시 장치의 발광 면적이 넓어진다. 화소 영역 내의 개구 영역이 아닌, 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하여, 표시 장치의 개구율이 높아진다. 또한, 표시 장치의 유기 발광층(370)이 발광하더라도 영상을 표시할 수 없는 비개구 영역인 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하고, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)으로 정의되는 영역에 형성하여, 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성함으로써, 비개구 영역에 유기 발광층(370)을 형성하여, 영상이 표시되지 않는 영역에서도 유기 발광층(370)이 불필요하게 발광하는 것을 방지함으로써, 표시 장치의 발광 면적을 높이면서도 발광 효율 저하를 방지할 수 있다.

그러면, 도 2와 함께, 도 5 및 도 6을 참고하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 도 2의 III-III 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 6은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 도 2의 IV-IV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

도 2와 함께 도 5 및 도 6을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 도 2 내지 도 4를 참고로 설명한 실시예에 따른 표시 장치와 유사하다. 동일한 구성 요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.

기판(100) 위에 버퍼층(120)이 형성되어 있고, 버퍼층(120) 위에 다결정 규소로 이루어진 제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 제1 축전기 전극(138)이 형성되어 있다.

제1 반도체(135a)는 제1 채널 영역(1355a)과 제1 채널 영역(1355a)의 양측에 형성된 제1 소스 영역(1356a) 및 제1 드레인 영역(1357a)으로 구분된다.

제2 반도체(135b)는 제2 채널 영역(1355b)과 제2 채널 영역(1355b)의 양측에 형성된 제2 소스 영역(1356b) 및 제2 드레인 영역(1357b)으로 구분된다.

제1 축전기 전극(138)은 제2 반도체(135b)의 제2 소스 영역(1356b)으로부터 확장되어 있다.

제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 제1 축전기 전극(138) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.

게이트 절연막(140) 위에는 게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 그리고 제2 축전기 전극(158)이 형성되어 있다.

게이트선(121)은 가로 방향으로 길게 뻗어 게이트 신호를 전달하고, 제1 게이트 전극(154a)은 게이트선(121)으로부터 제1 반도체(135a)를 향해 돌출되어 있다.

게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 그리고 제2 게이트 전극(154b)은 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄 또는 이들의 합금 등을 포함하는 불투명한 도전체로 이루어질 수 있다.

제2 축전기 전극(158)은 제2 게이트 전극(154b)과 연결되어 있으며 제1 축전기 전극(138)과 중첩한다. 제2 축전기 전극(158)은 게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 그리고 제2 게이트 전극(154b)과 동일한 층으로 이루어진다.

게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 그리고 제2 축전기 전극(158) 위에는 제1 층간 절연막(160)이 형성되어 있다.

제1 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에는 제1 반도체(135a)의 제1 소스 영역(1356a)을 노출하는 제1 소스 접촉 구멍(166a), 제1 반도체(135a)의 제1 드레인 영역(1357a)을 노출하는 제1 드레인 접촉 구멍(167a), 제2 반도체(135b)의 제2 소스 영역(1356b)을 노출하는 제2 소스 접촉 구멍(166b), 제2 반도체(135b)의 제2 드레인 영역(1357b)을 노출하는 제2 드레인 접촉 구멍(167b)이 형성되어 있다. 제1 층간 절연막(160)에는 제2 게이트 전극(154b)을 노출하는 제1 접촉 구멍(81)이 형성되어 있다.

제1 층간 절연막(160) 위에는 제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)를 포함하는 구동 전압선(172), 그리고 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b)이 형성되어 있다.

제1 소스 전극(176a)은 제1 소스 접촉 구멍(166a)을 통해서 제1 소스 영역(1356a)과 연결되어 있고, 제2 소스 전극(176b)은 제2 소스 접촉 구멍(166b)을 통해서 제2 소스 영역(1356b)과 연결되어 있다.

제1 드레인 전극(177a)은 제1 소스 전극(176a)과 마주하고, 제1 드레인 전극(177a)은 제1 드레인 접촉 구멍(167a)을 통해서 제1 드레인 영역(1357a)과 연결되어 있다. 이와 유사하게, 제2 드레인 전극(177b)은 제2 소스 전극(176b)과 마주하며, 제2 드레인 전극(177b)은 제2 드레인 접촉 구멍(167b)을 통해서 제2 드레인 영역(1357b)과 연결되어 있다.

제1 드레인 전극(177a)은 게이트선을 따라 연장되어 있으며, 제1 접촉 구멍(81)을 통해서 제2 게이트 전극(154b)과 전기적으로 연결된다.

제1 축전기 전극(138)과 제2 축전기 전극(158)은 게이트 절연막(140)을 유전체로 하여 제1 유지 축전기(80)를 이룬다.

제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)을 포함하는 구동 전압선(172), 그리고 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b) 위에는 제3 층간 절연막(180a)이 형성되어 있다.

제3 층간 절연막(180a)은 제1 층간 절연막(160)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.

제3 층간 절연막(180a) 위에는 색필터(230)가 형성되어 있다. 색필터(230)는 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나를 표시할 수 있다.

색필터(230)는 트랜지스터(Qs, Qd)와 중첩하는 영역에는 형성되지 않을 수 있고, 하나의 화소 영역 전반에 걸쳐 형성될 수 있다. 색필터(230)는 복수의 화소 영역 중 적어도 일부의 화소 영역에는 형성되지 않을 수 있으며, 색필터(230)가 형성되지 않은 화소 영역은 백색을 표시할 수 있다.

제3 층간 절연막(180a) 및 색필터(230) 위에는 제4 층간 절연막(180b)이 형성되어 있다.

제3 층간 절연막(180a) 및 제4 층간 절연막(180b)은 제2 드레인 전극(177b)을 노출하는 제2 접촉 구멍(82)을 가진다.

제4 층간 절연막(180b) 위에는 제1 전극(191)이 형성되어 있다. 제1 전극(191)은 애노드 전극일 수 있다.

제1 전극(191)은 제2 접촉 구멍(82)을 통해 제2 드레인 전극(177b)과 연결된다.

제1 전극(191)은 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등으로 둘러싸여 있는 하나의 화소 영역 전반에 걸쳐 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(191)의 가장 자리는 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172)과 중첩할 수 있다.

제1 전극(191) 위에는 화소 정의막(195)이 형성되어 있다. 화소 정의막(195)은 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b), 축전기 전극(138, 158, 178) 등과 중첩하는 영역에 형성되어 있다.

본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치는 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 외에도 추가적인 불투명한 층을 더 포함할 수 있으며, 이 경우, 화소 정의막(195)은 추가적인 불투명한 층과 중첩하는 영역에도 형성될 수 있다.

화소 정의막(195)으로 덮여 있지 않은 제1 전극(191) 위에는 유기 발광층(370)이 형성되어 있다. 보다 구체적으로, 제1 전극(191) 중 화소 정의막(195)과 중첩하는 부분을 제1 부분이라 하고, 제1 부분을 제외한 나머지 부분을 제2 부분이라고 할 때, 유기 발광층(370)은 제1 전극(191) 중 제1 부분을 제외한 나머지 부분인 제2 부분 위에 형성된다.

이처럼, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성되어, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)의 위에는 위치하지 않는다. 따라서, 화소 영역 중, 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b), 축전기 전극(138, 158, 178) 등과 중첩하지 않는 영역에 위치한다.

유기 발광층(370)은 백색의 빛을 낼 수 있다. 또한, 유기 발광층(370)은 적색, 녹색, 청색의 빛을 내는 발광 재료들이 적층되어, 발광 재료 들이 발광하는 빛의 합성광이 백색을 표시할 수도 있다.

화소 정의막(195) 및 유기 발광층(370) 위에는 제2 전극(270)이 형성된다.

제2 전극(270)은 유기 발광 소자의 캐소드 전극이 된다. 따라서 제1 전극(191), 유기 발광층(370) 및 제2 전극(270)은 유기 발광 소자(LD)를 이룬다.

앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 화소 영역 전반에 걸쳐 형성되어 있는 제1 전극(191), 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 형성되어 있는 화소 정의막(195), 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성되어 있는 유기 발광층(370), 그리고 유기 발광층(370) 위에 형성되어 있는 제2 전극(270)을 포함한다. 따라서, 도 5 및 도 6에 표시한 바와 같이, 불투명한 배선층과 중첩하지 않는 제1 영역(R1), 제2 영역(R2), 제3 영역(R3), 그리고 제4 영역(R4)에서 유기 발광층(370)이 발광하여, 영상을 표시하게 된다. 이처럼, 게이트선(121)과 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역, 그리고 구동 전압선(172)과 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역 등과 같이 기존의 표시 장치에서는 영상을 표시하는 영역으로 이용되지 않았던 영역에도 유기 발광층(370)을 형성하여 영상을 표시하도록 하여 표시 장치의 발광 면적이 넓어진다. 화소 영역 내의 개구 영역이 아닌, 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하여, 표시 장치의 개구율이 높아진다. 또한, 표시 장치의 유기 발광층(370)이 발광하더라도 영상을 표시할 수 없는 비개구 영역인 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하고, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)으로 정의되는 영역에 형성하여, 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성함으로써, 비개구 영역에 유기 발광층(370)을 형성하여, 영상이 표시되지 않는 영역에서도 유기 발광층(370)이 불필요하게 발광하는 것을 방지함으로써, 표시 장치의 발광 면적을 높이면서도 발광 효율 저하를 방지할 수 있다.

도 2 내지 도 4를 참고로 설명한 실시예에 따른 표시 장치의 많은 특징들은 본 실시예에 따른 표시 장치에 모두 적용 가능하다.

그러면, 도 7 내지 도 9를 참고하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 7은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 배치도이고, 도 8은 도 7의 표시 장치를 VIII-VIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 9는 도 7의 표시 장치응 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

도 7 내지 도 9를 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 도 2 내지 도 4를 참고로 설명한 실시예에 따른 표시 장치와 거의 유사하다. 동일한 구성 요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.

기판(100) 위에 버퍼층(120)이 형성되어 있고, 버퍼층(120) 위에 다결정 규소로 이루어진 제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 제1 축전기 전극(138)이 형성되어 있다.

제1 반도체(135a)는 제1 채널 영역(1355a)과 제1 채널 영역(1355a)의 양측에 형성된 제1 소스 영역(1356a) 및 제1 드레인 영역(1357a)으로 구분된다.

제2 반도체(135b)는 제2 채널 영역(1355b)과 제2 채널 영역(1355b)의 양측에 형성된 제2 소스 영역(1356b) 및 제2 드레인 영역(1357b)으로 구분된다.

제1 축전기 전극(138)은 제2 반도체(135b)의 제2 소스 영역(1356b)으로부터 확장되어 있다.

제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 제1 축전기 전극(138) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.

게이트 절연막(140) 위에는 게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 그리고 제2 축전기 전극(158)이 형성되어 있다.

게이트선(121)은 가로 방향으로 길게 뻗어 게이트 신호를 전달하고, 제1 게이트 전극(154a)은 게이트선(121)으로부터 제1 반도체(135a)를 향해 돌출되어 있다.

게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 그리고 제2 게이트 전극(154b)은 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄 또는 이들의 합금 등을 포함하는 불투명한 도전체로 이루어질 수 있다.

제2 축전기 전극(158)은 제2 게이트 전극(154b)과 연결되어 있으며 제1 축전기 전극(138)과 중첩한다. 제2 축전기 전극(158)은 게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 그리고 제2 게이트 전극(154b)과 동일한 층으로 이루어진다.

게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 그리고 제2 축전기 전극(158) 위에는 제1 층간 절연막(160)이 형성되어 있다.

제1 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에는 제1 반도체(135a)의 제1 소스 영역(1356a)을 노출하는 제1 소스 접촉 구멍(166a), 제1 반도체(135a)의 제1 드레인 영역(1357a)을 노출하는 제1 드레인 접촉 구멍(167a), 제2 반도체(135b)의 제2 소스 영역(1356b)을 노출하는 제2 소스 접촉 구멍(166b), 제2 반도체(135b)의 제2 드레인 영역(1357b)을 노출하는 제2 드레인 접촉 구멍(167b)이 형성되어 있다. 제1 층간 절연막(160)에는 제2 게이트 전극(154b)을 노출하는 제1 접촉 구멍(81)이 형성되어 있다.

제1 층간 절연막(160) 위에는 제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)를 포함하는 구동 전압선(172), 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b), 그리고 제3 축전기 전극(178)이 형성되어 있다.

제1 소스 전극(176a)은 제1 소스 접촉 구멍(166a)을 통해서 제1 소스 영역(1356a)과 연결되어 있고, 제2 소스 전극(176b)은 제2 소스 접촉 구멍(166b)을 통해서 제2 소스 영역(1356b)과 연결되어 있다.

제1 드레인 전극(177a)은 제1 소스 전극(176a)과 마주하고, 제1 드레인 전극(177a)은 제1 드레인 접촉 구멍(167a)을 통해서 제1 드레인 영역(1357a)과 연결되어 있다. 이와 유사하게, 제2 드레인 전극(177b)은 제2 소스 전극(176b)과 마주하며, 제2 드레인 전극(177b)은 제2 드레인 접촉 구멍(167b)을 통해서 제2 드레인 영역(1357b)과 연결되어 있다.

제1 드레인 전극(177a)은 게이트선을 따라 연장되어 있으며, 제1 접촉 구멍(81)을 통해서 제2 게이트 전극(154b)과 전기적으로 연결된다.

제3 축전기 전극(178)은 구동 전압선(172)으로부터 돌출되어 있으며, 제2 축전기 전극(158)과 중첩한다.

제1 축전기 전극(138)과 제2 축전기 전극(158)은 게이트 절연막(140)을 유전체로 하여 제1 유지 축전기(80)를 이루고, 제2 축전기 전극(158)과 제3 축전기 전극(178)은 제1 층간 절연막(160)을 유전체로 하여 제2 유지 축전기(8)를 이룬다. 도 2와 함께 도 5를 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 제1 축전기 전극(138)과 제2 축전기 전극(158)의 단면적은 도 2에 도시한 실시예에 따른 표시 장치의 제1 축전기 전극(138)과 제2 축전기 전극(158)보다 작다. 그러나, 본 실시예에 따른 표시 장치의 경우, 제1 유지 축전기(80) 외에 제2 유지 축전기(8)를 더 포함함으로써, 유지 축전기(Cst)의 유지 용량을 감소하지 않으면서도, 유지 축전기(Cst)가 차지하는 면적을 줄일 수 있다. 따라서, 유지 축전기(Cst)의 형성에 따른 표시 장치의 개구율 저하를 방지할 수 있다.

제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)을 포함하는 구동 전압선(172), 그리고 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b) 위에는 제2 층간 절연막(180)이 형성되어 있다.

제2 층간 절연막(180)은 제1 층간 절연막(160)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 제2 드레인 전극(177b)을 노출하는 제2 접촉 구멍(82)을 가진다.

제2 층간 절연막(180) 위에는 제1 전극(191)이 형성되어 있다. 제1 전극(191)은 애노드 전극일 수 있다.

제1 전극(191)은 제2 접촉 구멍(82)을 통해 제2 드레인 전극(177b)과 연결된다.

제1 전극(191)은 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등으로 둘러싸여 있는 하나의 화소 영역 전반에 걸쳐 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(191)의 가장 자리는 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172)과 중첩할 수 있다.

제1 전극(191) 위에는 화소 정의막(195)이 형성되어 있다. 화소 정의막(195)은 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b), 축전기 전극(138, 158, 178) 등과 중첩하는 영역에 형성되어 있다.

본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치는 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 외에도 추가적인 불투명한 층을 더 포함할 수 있으며, 이 경우, 화소 정의막(195)은 추가적인 불투명한 층과 중첩하는 영역에도 형성될 수 있다.

화소 정의막(195)으로 덮여 있지 않은 제1 전극(191) 위에는 유기 발광층(370)이 형성되어 있다. 보다 구체적으로, 제1 전극(191) 중 화소 정의막(195)과 중첩하는 부분을 제1 부분이라 하고, 제1 부분을 제외한 나머지 부분을 제2 부분이라고 할 때, 유기 발광층(370)은 제1 전극(191) 중 제1 부분을 제외한 나머지 부분인 제2 부분 위에 형성된다.

이처럼, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성되어, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)의 위에는 위치하지 않는다. 따라서, 화소 영역 중, 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b), 축전기 전극(138, 158, 178) 등과 중첩하지 않는 영역에 위치한다.

유기 발광층(370)은 적색, 녹색, 청색 등 삼원색의 빛 중 어느 하나의 빛을 낼 수 있다.

화소 정의막(195) 및 유기 발광층(370) 위에는 제2 전극(270)이 형성된다.

제2 전극(270)은 유기 발광 소자의 캐소드 전극이 된다. 따라서 제1 전극(191), 유기 발광층(370) 및 제2 전극(270)은 유기 발광 소자(LD)를 이룬다.

앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 화소 영역 전반에 걸쳐 형성되어 있는 제1 전극(191), 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 형성되어 있는 화소 정의막(195), 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성되어 있는 유기 발광층(370), 그리고 유기 발광층(370) 위에 형성되어 있는 제2 전극(270)을 포함한다. 따라서, 도 6 및 도 7에 표시한 바와 같이, 불투명한 배선층과 중첩하지 않는 제1 영역(R1), 제2 영역(R2), 제4 영역(R4), 그리고 제5 영역(R5)에서 유기 발광층(370)이 발광하여, 영상을 표시하게 된다. 이처럼, 게이트선(121)과 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역, 그리고 구동 전압선(172)과 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역 등과 같이 기존의 표시 장치에서는 영상을 표시하는 영역으로 이용되지 않았던 영역에도 유기 발광층(370)을 형성하여 영상을 표시하도록 하여 표시 장치의 발광 면적이 넓어진다. 화소 영역 내의 개구 영역이 아닌, 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하여, 표시 장치의 개구율이 높아진다. 또한, 표시 장치의 유기 발광층(370)이 발광하더라도 영상을 표시할 수 없는 비개구 영역인 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하고, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)으로 정의되는 영역에 형성하여, 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성함으로써, 비개구 영역에 유기 발광층(370)을 형성하여, 영상이 표시되지 않는 영역에서도 유기 발광층(370)이 불필요하게 발광하는 것을 방지함으로써, 표시 장치의 발광 면적을 높이면서도 발광 효율 저하를 방지할 수 있다.

앞서, 도 2 내지 도 4를 참고로 설명한 실시예, 그리고 도 2, 도 5 및 도 6을 참고로 설명한 실시예에 따른 표시 장치들의 많은 특징들은 본 실시예에 따른 표시 장치에 모두 적용 가능하다.

그러면, 도 7과 함께 도 10 및 도 11을 참고하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 10은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 도 7의 VIII-VIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다. 도 11은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 단면도로서, 도 7의 IX-IX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.

도 7, 도 10 및 도 11을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 도 2 내지 도 4를 참고로 설명한 실시예에 따른 표시 장치, 그리고 도 7 내지 도 9를 참고로 설명한 실시예에 따른 표시 장치와 거의 유사하다. 동일한 구성 요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다.

기판(100) 위에 버퍼층(120)이 형성되어 있고, 버퍼층(120) 위에 다결정 규소로 이루어진 제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 제1 축전기 전극(138)이 형성되어 있다.

제1 반도체(135a)는 제1 채널 영역(1355a)과 제1 채널 영역(1355a)의 양측에 형성된 제1 소스 영역(1356a) 및 제1 드레인 영역(1357a)으로 구분된다.

제2 반도체(135b)는 제2 채널 영역(1355b)과 제2 채널 영역(1355b)의 양측에 형성된 제2 소스 영역(1356b) 및 제2 드레인 영역(1357b)으로 구분된다.

제1 축전기 전극(138)은 제2 반도체(135b)의 제2 소스 영역(1356b)으로부터 확장되어 있다.

제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 제1 축전기 전극(138) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.

게이트 절연막(140) 위에는 게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 그리고 제2 축전기 전극(158)이 형성되어 있다.

게이트선(121)은 가로 방향으로 길게 뻗어 게이트 신호를 전달하고, 제1 게이트 전극(154a)은 게이트선(121)으로부터 제1 반도체(135a)를 향해 돌출되어 있다.

게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 그리고 제2 게이트 전극(154b)은 텅스텐, 몰리브덴, 알루미늄 또는 이들의 합금 등을 포함하는 불투명한 도전체로 이루어질 수 있다.

제2 축전기 전극(158)은 제2 게이트 전극(154b)과 연결되어 있으며 제1 축전기 전극(138)과 중첩한다. 제2 축전기 전극(158)은 게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 그리고 제2 게이트 전극(154b)과 동일한 층으로 이루어진다.

게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 그리고 제2 축전기 전극(158) 위에는 제1 층간 절연막(160)이 형성되어 있다.

제1 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에는 제1 반도체(135a)의 제1 소스 영역(1356a)을 노출하는 제1 소스 접촉 구멍(166a), 제1 반도체(135a)의 제1 드레인 영역(1357a)을 노출하는 제1 드레인 접촉 구멍(167a), 제2 반도체(135b)의 제2 소스 영역(1356b)을 노출하는 제2 소스 접촉 구멍(166b), 제2 반도체(135b)의 제2 드레인 영역(1357b)을 노출하는 제2 드레인 접촉 구멍(167b)이 형성되어 있다. 제1 층간 절연막(160)에는 제2 게이트 전극(154b)을 노출하는 제1 접촉 구멍(81)이 형성되어 있다.

제1 층간 절연막(160) 위에는 제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)를 포함하는 구동 전압선(172), 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b), 그리고 제3 축전기 전극(178)이 형성되어 있다.

제1 소스 전극(176a)은 제1 소스 접촉 구멍(166a)을 통해서 제1 소스 영역(1356a)과 연결되어 있고, 제2 소스 전극(176b)은 제2 소스 접촉 구멍(166b)을 통해서 제2 소스 영역(1356b)과 연결되어 있다.

제1 드레인 전극(177a)은 제1 소스 전극(176a)과 마주하고, 제1 드레인 전극(177a)은 제1 드레인 접촉 구멍(167a)을 통해서 제1 드레인 영역(1357a)과 연결되어 있다. 이와 유사하게, 제2 드레인 전극(177b)은 제2 소스 전극(176b)과 마주하며, 제2 드레인 전극(177b)은 제2 드레인 접촉 구멍(167b)을 통해서 제2 드레인 영역(1357b)과 연결되어 있다.

제1 드레인 전극(177a)은 게이트선을 따라 연장되어 있으며, 제1 접촉 구멍(81)을 통해서 제2 게이트 전극(154b)과 전기적으로 연결된다.

제3 축전기 전극(178)은 구동 전압선(172)으로부터 돌출되어 있으며, 제2 축전기 전극(158)과 중첩한다.

제1 축전기 전극(138)과 제2 축전기 전극(158)은 게이트 절연막(140)을 유전체로 하여 제1 유지 축전기(80)를 이루고, 제2 축전기 전극(158)과 제3 축전기 전극(178)은 제1 층간 절연막(160)을 유전체로 하여 제2 유지 축전기(8)를 이룬다. 도 2와 함께 도 7을 참고하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 제1 축전기 전극(138)과 제2 축전기 전극(158)의 단면적은 도 2에 도시한 실시예에 따른 표시 장치의 제1 축전기 전극(138)과 제2 축전기 전극(158)보다 작다. 그러나, 본 실시예에 따른 표시 장치의 경우, 제1 유지 축전기(80) 외에 제2 유지 축전기(8)를 더 포함함으로써, 유지 축전기(Cst)의 유지 용량을 감소하지 않으면서도, 유지 축전기(Cst)가 차지하는 면적을 줄일 수 있다. 따라서, 유지 축전기(Cst)의 형성에 따른 표시 장치의 개구율 저하를 방지할 수 있다.

제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)을 포함하는 구동 전압선(172), 그리고 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b) 위에는 제3 층간 절연막(180a)이 형성되어 있다.

제3 층간 절연막(180a)은 제1 층간 절연막(160)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.

제3 층간 절연막(180a) 위에는 색필터(230)가 형성되어 있다. 색필터(230)는 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나를 표시할 수 있다.

색필터(230)는 트랜지스터(Qs, Qd)와 중첩하는 영역에는 형성되지 않을 수 있고, 하나의 화소 영역 전반에 걸쳐 형성될 수 있다. 색필터(230)는 복수의 화소 영역 중 적어도 일부의 화소 영역에는 형성되지 않을 수 있으며, 색필터(230)가 형성되지 않은 화소 영역은 백색을 표시할 수 있다.

제3 층간 절연막(180a) 및 색필터(230) 위에는 제4 층간 절연막(180b)이 형성되어 있다.

제3 층간 절연막(180a) 및 제4 층간 절연막(180b)은 제2 드레인 전극(177b)을 노출하는 제2 접촉 구멍(82)을 가진다.

제4 층간 절연막(180b) 위에는 제1 전극(191)이 형성되어 있다. 제1 전극(191)은 애노드 전극일 수 있다.

제1 전극(191)은 제2 접촉 구멍(82)을 통해 제2 드레인 전극(177b)과 연결된다.

제1 전극(191)은 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등으로 둘러싸여 있는 하나의 화소 영역 전반에 걸쳐 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(191)의 가장 자리는 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172)과 중첩할 수 있다.

제1 전극(191) 위에는 화소 정의막(195)이 형성되어 있다. 화소 정의막(195)은 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b), 축전기 전극(138, 158, 178) 등과 중첩하는 영역에 형성되어 있다.

본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치는 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 외에도 추가적인 불투명한 층을 더 포함할 수 있으며, 이 경우, 화소 정의막(195)은 추가적인 불투명한 층과 중첩하는 영역에도 형성될 수 있다.

화소 정의막(195)으로 덮여 있지 않은 제1 전극(191) 위에는 유기 발광층(370)이 형성되어 있다. 보다 구체적으로, 제1 전극(191) 중 화소 정의막(195)과 중첩하는 부분을 제1 부분이라 하고, 제1 부분을 제외한 나머지 부분을 제2 부분이라고 할 때, 유기 발광층(370)은 제1 전극(191) 중 제1 부분을 제외한 나머지 부분인 제2 부분 위에 형성된다.

이처럼, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성되어, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)의 위에는 위치하지 않는다. 따라서, 화소 영역 중, 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b), 축전기 전극(138, 158, 178) 등과 중첩하지 않는 영역에 위치한다.

유기 발광층(370)은 백색의 빛을 낼 수 있다. 또한, 유기 발광층(370)은 적색, 녹색, 청색의 빛을 내는 발광 재료들이 적층되어, 발광 재료 들이 발광하는 빛의 합성광이 백색을 표시할 수도 있다.

화소 정의막(195) 및 유기 발광층(370) 위에는 제2 전극(270)이 형성된다.

제2 전극(270)은 유기 발광 소자의 캐소드 전극이 된다. 따라서 제1 전극(191), 유기 발광층(370) 및 제2 전극(270)은 유기 발광 소자(LD)를 이룬다.

앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 화소 영역 전반에 걸쳐 형성되어 있는 제1 전극(191), 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 형성되어 있는 화소 정의막(195), 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성되어 있는 유기 발광층(370), 그리고 유기 발광층(370) 위에 형성되어 있는 제2 전극(270)을 포함한다. 따라서, 도 10 및 도 11에 표시한 바와 같이, 불투명한 배선층과 중첩하지 않는 제1 영역(R1), 제2 영역(R2), 제4 영역(R4), 그리고 제5 영역(R5)에서 유기 발광층(370)이 발광하여, 영상을 표시하게 된다. 이처럼, 게이트선(121)과 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역, 그리고 구동 전압선(172)과 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역 등과 같이 기존의 표시 장치에서는 영상을 표시하는 영역으로 이용되지 않았던 영역에도 유기 발광층(370)을 형성하여 영상을 표시하도록 하여 표시 장치의 발광 면적이 넓어진다. 화소 영역 내의 개구 영역이 아닌, 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하여, 표시 장치의 개구율이 높아진다. 또한, 표시 장치의 유기 발광층(370)이 발광하더라도 영상을 표시할 수 없는 비개구 영역인 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하고, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)으로 정의되는 영역에 형성하여, 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성함으로써, 비개구 영역에 유기 발광층(370)을 형성하여, 영상이 표시되지 않는 영역에서도 유기 발광층(370)이 불필요하게 발광하는 것을 방지함으로써, 표시 장치의 발광 면적을 높이면서도 발광 효율 저하를 방지할 수 있다.

앞서, 도 2 내지 도 4를 참고로 설명한 실시예, 도 2, 도 5 및 도 6을 참고로 설명한 실시예, 도 7 내지 도 9를 참고로 설명한 실시예, 그리고 도 7, 도 10 및 도 11을 참고로 설명한 실시예에 따른 표시 장치들의 많은 특징들은 본 실시예에 따른 표시 장치에 모두 적용 가능하다.

그러면, 도 2 내지 도 4와 함께 도 12 내지 도 31을 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 12 내지 도 31은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 단면도이다.

도 12 및 도 13을 참고하면, 기판(100) 위에 버퍼층(120)을 형성하고, 버퍼층(120) 위에 제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 그리고 제1 축전기 전극(138)을 형성한다. 그리고 제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 그리고 제1 축전기 전극(138) 위에 게이트 절연막(140)을 형성한다.

도 14 및 도 15를 참고하면, 게이트 절연막(140) 위에 투명한 도전체로 이루어진 제1 막(50a)을 적층(deposit)하고, 제1 막(50a) 위에 저저항성 도전체로 이루어진 제2 막(50b)을 적층한다. 제2 막(50b) 위에 감광막을 적층한 후 노광 및 인화하여, 도 16 및 도 17에 도시한 바와 같이, 서로 다른 두께를 가진 제1 감광막 패턴(400a)과 제2 감광막 패턴(400b)을 형성한다. 제1 감광막 패턴(400a)의 두께는 제2 감광막 패턴(400b)의 두께보다 두껍다. 제1 감광막 패턴(400a)은 제1 게이트 전극(154a) 및 제2 게이트 전극(154b)이 형성될 위치에 형성되고, 제2 감광막 패턴(400b)은 제2 축전기 전극(158)이 형성될 위치에 형성된다.

도 18 및 도 19를 참고하면, 제1 감광막 패턴(400a)과 제2 감광막 패턴(400b)을 식각 마스크로 하여, 제2 막(50b) 및 제1 막(50a)을 순서대로 식각하여, 하부막(154ap, 154bp)과 상부막(154aq, 154bq)을 포함하는 제1 게이트 전극(154a) 및 제2 게이트 전극(154b)을 형성하고, 제1 도전체 패턴(58p) 및 제2 도전체 패턴(58q)을 형성한다.

그 후, 제2 감광막 패턴(400b)을 애슁(ashing) 등으로 제거하고, 제1 감광막 패턴(400a)의 높이를 낮춰, 도 20 및 도 21에 도시한 바와 같이, 제3 감광막 패턴(400c)을 형성한다.

그 후, 제3 감광막 패턴(400c)을 식각 마스크로 하여, 제2 도전체 패턴(58q)를 식각하고, 제3 감광막 패턴(400c)을 제거하여, 도 22 및 도 23에 도시한 바와 같이, 하부막(154ap, 154bp)과 상부막(154aq, 154bq)을 포함하는 제1 게이트 전극(154a) 및 제2 게이트 전극(154b)과 투명한 도전체로 이루어진 제2 축전기 전극(158)을 형성한다.

이처럼, 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 하부막(154ap, 154bp)과 상부막(154aq, 154bq)을 포함하는 제1 게이트 전극(154a) 및 제2 게이트 전극(154b)과 투명한 도전체로 이루어진 제2 축전기 전극(158)을 한번의 노광 공정으로 형성함으로써, 투명한 도전체로 이루어진 제2 축전기 전극(158)을 형성하기 위하여 제조 비용이 증가하는 것을 방지할 수 있다.

도 24 및 도 25에 도시한 바와 같이, 게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 그리고 제2 축전기 전극(158) 위에 제1 층간 절연막(160)을 형성한다. 이 때, 제1 층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에 제1 반도체(135a)의 제1 소스 영역(1356a)을 노출하는 제1 소스 접촉 구멍(166a), 제1 반도체(135a)의 제1 드레인 영역(1357a)을 노출하는 제1 드레인 접촉 구멍(167a), 제2 반도체(135b)의 제2 소스 영역(1356b)을 노출하는 제2 소스 접촉 구멍(166b), 제2 반도체(135b)의 제2 드레인 영역(1357b)을 노출하는 제2 드레인 접촉 구멍(167b)을 형성하고, 제1 층간 절연막(160)에 제2 게이트 전극(154b)을 노출하는 제1 접촉 구멍(81)을 형성한다.

제1 층간 절연막(160) 위에 제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)를 포함하는 구동 전압선(172), 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b)을 형성한다.

제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)을 포함하는 구동 전압선(172), 그리고 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b) 위에 제2 층간 절연막(180)을 형성한다. 이 때, 제2 층간 절연막(180)에 제2 드레인 전극(177b)을 노출하는 제2 접촉 구멍(82)을 형성한다.

도시하지는 않았지만, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)을 포함하는 구동 전압선(172), 그리고 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b) 위에 제3 층간 절연막(180a)을 형성하고, 제3 층간 절연막(180a) 위에 색필터(230)를 형성하고, 제3 층간 절연막(180a)과 색필터(230) 위에 제4 층간 절연막(180b)을 형성할 수 있다. 이 때, 제3 층간 절연막(180a)과 제4 층간 절연막(180b)에 제2 드레인 전극(177b)을 노출하는 제2 접촉 구멍(82)을 형성한다.

도 26 및 도 27에 도시한 바와 같이, 제2 층간 절연막(180) 위에 제1 전극(191)을 형성한다. 제1 전극(191)은 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등으로 둘러싸여 있는 하나의 화소 영역 전반에 걸쳐 형성된다. 또한, 제1 전극(191)의 가장 자리는 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172)과 중첩할 수 있다.

도 28 및 도 29를 참고하면, 제1 전극 위에 화소 정의막(195)을 형성한다.

화소 정의막(195)은 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 등과 중첩하는 영역에 형성된다.

본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 외에도 추가적인 불투명한 층을 더 형성할 수 있고, 이 경우, 화소 정의막(195)은 추가적인 불투명한 층과 중첩하는 영역에도 형성된다.

도 30 및 도 31을 참고하면, 화소 정의막(195)으로 덮여 있지 않은 제1 전극(191) 위에 유기 발광층(370)을 형성한다. 보다 구체적으로, 제1 전극(191) 중 화소 정의막(195)과 중첩하는 부분을 제1 부분이라 하고, 제1 부분을 제외한 나머지 부분을 제2 부분이라고 할 때, 제1 전극(191) 중 제1 부분을 제외한 나머지 부분인 제2 부분 위에 유기 발광층(370)을 형성한다.

이처럼, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성되어, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)의 위에는 위치하지 않는다. 따라서, 화소 영역 중, 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 등과 중첩하지 않는 영역에 형성된다.

다음으로, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 화소 정의막(195) 및 유기 발광층(370) 위에 제2 전극(270)을 형성한다.

이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 화소 영역 전반에 걸쳐 제1 전극(191)을 형성하고, 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하고, 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 유기 발광층(370)을 형성하고, 그리고 유기 발광층(370) 위에 제2 전극(270)을 형성한다. 따라서, 도 3 및 도 4에 표시한 바와 같이, 불투명한 배선층과 중첩하지 않는 제1 영역(R1), 제2 영역(R2), 제3 영역(R3), 그리고 제4 영역(R4)에서 유기 발광층(370)이 발광하여, 영상을 표시하게 된다. 이처럼, 게이트선(121)과 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역, 그리고 구동 전압선(172)과 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역 등과 같이 기존의 표시 장치에서는 영상을 표시하는 영역으로 이용되지 않았던 영역에도 유기 발광층(370)을 형성하여 영상을 표시하도록 하여 표시 장치의 발광 면적이 넓어진다. 화소 영역 내의 개구 영역이 아닌, 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하여, 표시 장치의 개구율이 높아진다. 또한, 표시 장치의 유기 발광층(370)이 발광하더라도 영상을 표시할 수 없는 비개구 영역인 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하고, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)으로 정의되는 영역에 형성하여, 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성함으로써, 비개구 영역에 유기 발광층(370)을 형성하여, 영상이 표시되지 않는 영역에서도 유기 발광층(370)이 불필요하게 발광하는 것을 방지함으로써, 표시 장치의 발광 면적을 높이면서도 발광 효율 저하를 방지할 수 있다.

그러면, 도 7 내지 도 9와과 함께, 도 32 내지 도 39를 참고하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 32 내지 도 39는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 단면도이다.

도 32 및 도 33을 참고하면, 기판(100) 위에 버퍼층(120)을 형성하고, 버퍼층(120) 위에 제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 그리고 제1 축전기 전극(138)을 형성한다. 그리고 제1 반도체(135a) 및 제2 반도체(135b), 그리고 제1 축전기 전극(138) 위에 게이트 절연막(140)을 형성한다.

게이트 절연막(140) 위에 제1 게이트 전극(154a) 및 제2 게이트 전극(154b)과 투명한 도전체로 이루어진 제2 축전기 전극(158)을 형성한다.

게이트선(121), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 그리고 제2 축전기 전극(158) 위에 제1 층간 절연막(160)을 형성하고, 제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)를 포함하는 구동 전압선(172), 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b), 그리고 제3 축전기 전극(178)을 형성한다. 제3 축전기 전극(178)은 구동 전압선(172)으로부터 돌출되어 있으며, 제2 축전기 전극(158)과 중첩한다.

제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)을 포함하는 구동 전압선(172), 그리고 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b) 위에 제2 층간 절연막(180)을 형성한다.

도시하지는 않았지만, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 제1 소스 전극(176a)을 포함하는 데이터선(171), 제2 소스 전극(176b)을 포함하는 구동 전압선(172), 그리고 제1 드레인 전극(177a) 및 제2 드레인 전극(177b) 위에 제3 층간 절연막(180a)을 형성하고, 제3 층간 절연막(180a) 위에 색필터(230)를 형성하고, 제3 층간 절연막(180a)과 색필터(230) 위에 제4 층간 절연막(180b)을 형성할 수 있다.

도 34 및 도 35에 도시한 바와 같이, 제2 층간 절연막(180) 위에 제1 전극(191)을 형성한다. 제1 전극(191)은 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172) 등으로 둘러싸여 있는 하나의 화소 영역 전반에 걸쳐 형성된다. 또한, 제1 전극(191)의 가장 자리는 인접한 두 개의 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172)과 중첩할 수 있다.

도 36 및 도 37을 참고하면, 제1 전극 위에 화소 정의막(195)을 형성한다.

화소 정의막(195)은 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 등과 중첩하는 영역에 형성된다.

본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 외에도 추가적인 불투명한 층을 더 형성할 수 있고, 이 경우, 화소 정의막(195)은 추가적인 불투명한 층과 중첩하는 영역에도 형성된다.

도 38 및 도 39를 참고하면, 화소 정의막(195)으로 덮여 있지 않은 제1 전극(191) 위에 유기 발광층(370)을 형성한다. 보다 구체적으로, 제1 전극(191) 중 화소 정의막(195)과 중첩하는 부분을 제1 부분이라 하고, 제1 부분을 제외한 나머지 부분을 제2 부분이라고 할 때, 제1 전극(191) 중 제1 부분을 제외한 나머지 부분인 제2 부분 위에 유기 발광층(370)을 형성한다.

이처럼, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성되어, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)의 위에는 위치하지 않는다. 따라서, 화소 영역 중, 불투명한 층으로 이루어진 게이트선(121), 데이터선(171), 구동 전압선(172), 제1 게이트 전극(154a), 제2 게이트 전극(154b), 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a), 그리고 제2 소스 전극(176b) 및 제2 드레인 전극(177b) 등과 중첩하지 않는 영역에 형성된다.

다음으로, 도 8 및 도 9에 도시한 바와 같이, 화소 정의막(195) 및 유기 발광층(370) 위에 제2 전극(270)을 형성한다.

이처럼, 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 화소 영역 전반에 걸쳐 제1 전극(191)을 형성하고, 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하고, 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 유기 발광층(370)을 형성하고, 그리고 유기 발광층(370) 위에 제2 전극(270)을 형성한다. 따라서, 도 8 및 도 9에 표시한 바와 같이, 불투명한 배선층과 중첩하지 않는 제1 영역(R1), 제2 영역(R2), 제4 영역(R4), 그리고 제5 영역(R5)에서 유기 발광층(370)이 발광하여, 영상을 표시하게 된다. 이처럼, 게이트선(121)과 제1 소스 전극(176a) 및 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역, 그리고 구동 전압선(172)과 제1 드레인 전극(177a) 사이의 영역 등과 같이 기존의 표시 장치에서는 영상을 표시하는 영역으로 이용되지 않았던 영역에도 유기 발광층(370)을 형성하여 영상을 표시하도록 하여 표시 장치의 발광 면적이 넓어진다. 화소 영역 내의 개구 영역이 아닌, 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하여, 표시 장치의 개구율이 높아진다. 또한, 표시 장치의 유기 발광층(370)이 발광하더라도 영상을 표시할 수 없는 비개구 영역인 화소 영역의 불투명한 신호 배선과 중첩하는 영역에 화소 정의막(195)을 형성하고, 유기 발광층(370)은 화소 정의막(195)으로 정의되는 영역에 형성하여, 화소 정의막(195)과 중첩하지 않는 영역에 형성함으로써, 비개구 영역에 유기 발광층(370)을 형성하여, 영상이 표시되지 않는 영역에서도 유기 발광층(370)이 불필요하게 발광하는 것을 방지함으로써, 표시 장치의 발광 면적을 높이면서도 발광 효율 저하를 방지할 수 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

80, 8: 축전기 81, 82: 접촉 구멍
100: 기판 120: 버퍼층
121: 게이트선 135a: 제1 반도체
135b: 제2 반도체 138: 제1 축전기 전극
140: 게이트 절연막 154a: 제1 게이트 전극
154b: 제2 게이트 전극 158: 제2 축전기 전극
160: 제1 층간 절연막 166a, 166b: 소스 접촉 구멍
167a 167b: 드레인 접촉 구멍 171: 데이터선
172: 구동 전압선 176a, 176b: 소스 전극
177a, 177b: 드레인 전극 178: 제3 축전기 전극
180: 제2 층간 절연막 191: 제1 전극
195: 화소 정의막 270: 제2 전극
370: 발광층 1355a, 1355b: 채널 영역
1356a, 1356b: 소스 영역 1357a, 1357b: 드레인 영역

Claims (9)

1. 기판,
   상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 데이터선, 구동 전압선을 포함하는 신호선,
   상기 신호선에 연결되어 있으며, 반도체층, 상기 반도체층 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 게이트 전극, 상기 반도체층에 연결되어 있는 입력 전극 및 출력 전극을 포함하는 트랜지스터,
   상기 신호선과 상기 트랜지스터 위에 형성되어 있으며, 상기 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 전극,
   상기 제1 전극의 제1 부분 위에 형성되어 있으며, 상기 신호선 및 상기 트랜지스터와 중첩하는 영역에 형성되어 있는 화소 정의막,
   상기 제1 전극 중 상기 화소 정의막과 중첩하는 상기 제1 부분을 제외한 나머지 제2 부분 위에 형성되어 있는 유기 발광층,
   상기 트랜지스터의 상기 반도체층과 동일한 층으로 이루어진 제1 축전기 전극과 상기 트랜지스터의 상기 게이트 전극층과 동일한 층으로 이루어진 제2 축전기 전극이 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩하는 제1 유지 축전기, 그리고
   상기 제2 축전기 전극과 상기 트랜지스터의 상기 입력 전극 및 상기 출력 전극과 동일한 층으로 이루어진 제3 축전기 전극이 층간 절연막을 사이에 두고 중첩하는 제2 유지 축전기를 포함하고,
   상기 제1 축전기 전극, 상기 제2 축전기 전극, 상기 제3 축전기 전극은 상기 화소 정의막과 중첩하고 상기 유기 발광층과 중첩하지 않는 표시 장치.
   
2. 제1항에서,
   상기 유기 발광층은 상기 화소 정의막 위에는 형성되지 않는 표시 장치.
   
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 제2항에서,
   상기 기판 위에 위치하고, 상기 유기 발광층의 적어도 일부분과 중첩하는 색필터를 더 포함하고,
   상기 색필터는 상기 트랜지스터와 중첩하지 않는 표시 장치.
   
8. 제1항에서,
   상기 기판 위에 위치하고, 상기 유기 발광층의 적어도 일부분과 중첩하는 색필터를 더 포함하고,
   상기 색필터는 상기 트랜지스터와 중첩하지 않는 표시 장치.
   
9. 삭제

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