JP3803355B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3803355B2 JP3803355B2 JP2004272119A JP2004272119A JP3803355B2 JP 3803355 B2 JP3803355 B2 JP 3803355B2 JP 2004272119 A JP2004272119 A JP 2004272119A JP 2004272119 A JP2004272119 A JP 2004272119A JP 3803355 B2 JP3803355 B2 JP 3803355B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- bank
- organic semiconductor
- semiconductor film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 517
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 147
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 80
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 51
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 12
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 6
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 234
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 27
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Description
また、前記第1の絶縁膜は、前記複数のデータ線、前記複数の走査線を覆うように形成されていること、を特徴とする。
(全体構成)
図1は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図2は、それに構成されている画素の1つを抜き出して示す平面図、図3(A)、(B)、(C)はそれぞれ図2のA−A′断面図、B−B′断面図、およびC−C′断面図である。
このように構成したアクティブマトリクス型表示装置1において、本形態では、データ線sigには大きな容量が寄生することを防止するため、図1、図2、および図3(A)、(B)、(C)に示すように、データ線sigおよび走査線gateに沿って、有機半導体膜41よりも厚い絶縁膜(バンク層bank/左下がりの1本の斜線、または2本で一組の斜線を広いピッチで付した領域)を設け、このバンク層bankの上層側に対向電極opを形成してある。すなわち、データ線sigと対向電極opとの間に第2の層間絶縁膜52と厚いバンク層bankとが介在しているので、データ線sigに寄生する容量が極めて小さい。それ故、駆動回路3、4の負荷を低減でき、低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図ることができる。
このように形成したバンク層bankは、有機半導体膜43の形成領域を囲むように構成されているので、アクティブマトリクス型表示装置の製造工程では、インクジェットヘッドから吐出した液状の材料(吐出液)から有機半導体膜43を形成する際に吐出液をせき止め、吐出液が側方にはみ出すことを防止する。なお、以下に説明するアクティブマトリクス型表示装置1の製造方法において、透明基板10上に第1のTFT20および第2のTFT30を製造するまでの工程は、アクティブマトリクス型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を製造する工程と略同様であるため、図3(A)、(B)、(C)を参照してその概略のみを簡単に説明する。
図4(A)、(B)、(C)はそれぞれ、本形態のアクティブマトリクス型表示装置における図2のA−A′線、B−B′線、およびC−C′線に相当する位置での断面図である。なお、本形態と実施の形態1とは基本的な構成が同一なので、共通する部分には同一の符号を図4に付してそれらの詳細な説明を省略する。また、本形態のアクティブマトリクス型表示装置におけるバンク層bankの形成領域は、実施の形態1と同様であるため、同じく図1および図2を参照して説明する。
本形態のアクティブマトリクス型表示装置1は、バンク層bankを構成する材料が実施の形態2と相違するだけで、その構造は実施の形態2で同様である。従って、共通する部分については同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。また、実施の形態2と同様、図1、図2、および図4を参照して説明する。
なお、上記形態では、データ線sigおよび走査線gateに沿ってバンク層bankを形成してあるため、バンク層bankで各画素7をマトリクス状に区画した構成であったが、データ線sigに沿ってのみバンク層bankを形成してもよい。この場合にも、バンク層bankでストライプ状に区画された領域内にインクジェット法を利用してR、G、Bに対応する各有機半導体膜43をストライプ状に形成できるので、フルカラーのアクティブマトリクス型表示装置1を高い生産性で製造できる。
本形態のアクティブマトリクス型表示装置1は、基本的な構造が実施の形態1ないし3と同様であるため、同じく図1を参照して説明するとともに、共通する部分には同じ符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
図7は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図8は、それに構成されている画素の1つを抜き出して示す平面図、図9(A)、(B)、(C)はそれぞれ、図8のA−A′断面図、B−B′断面図、およびC−C′断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と共通するので、共通する部分については同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
図10は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図11は、それに構成されている画素の1つを抜き出して示す平面図、図12(A)、(B)、(C)はそれぞれ図11のA−A′断面図、B−B′断面図、およびC−C′断面図である。なお、本形態と実施の形態1とは基本的な構成が同一なので、共通する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な説明を省略する。
図13は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図14は、それに構成されている画素の1つを抜き出して示す平面図、図15(A)、(B)、(C)はそれぞれ図14のA−A′断面図、B−B′断面図、およびC−C′断面図である。なお、本形態と実施の形態1とは基本的な構成が同一なので、共通する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な説明を省略する。
図16は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図17は、それに構成されている画素の1つを抜き出して示す平面図、図18(A)、(B)、(C)はそれぞれ図17のA−A′断面図、B−B′断面図、およびC−C′断面図である。なお、本形態と実施の形態1、5とは基本的な構成が同一なので、共通する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な説明を省略する。
図19は、アクティブマトリクス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図20は、それに構成されている画素の1つを抜き出して示す平面図、図21(A)、(B)、(C)はそれぞれ図20のA−A′断面図、B−B′断面図、およびC−C′断面図である。なお、本形態と実施の形態1とは基本的な構成が同一なので、共通する部分には同一の符号を各図に付してそれらの詳細な説明を省略する。
なお、実施の形態5の変形例3で説明したように、バンク層bankの途切れ部分offでは上層側絶縁膜62のみが途切れているという構成は、実施の形態6に適用してもよい。
2 表示部
3 データ側駆動回路
4 走査側駆動回路
7 画素
10 透明基板
12 端子
20 第1のTFT
21 第1のTFTのゲート電極
30 第2のTFT
31 第2のTFTのゲート電極
40 発光素子
41 画素電極
43 有機半導体
61 下層側絶縁膜
62 上層側絶縁膜
bank バンク層(絶縁膜)
cap 保持容量
com 共通給電線
gate 走査線
op 対向電極
off パンク層の途切れ部分
sig データ線
Claims (4)
- 複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線とによりマトリクス状に形成された複数の画素とを含んでなり、
前記複数の画素の各々は、前記複数の走査線のうち対応する走査線にゲート電極が接続されたトランジスタを含む導通制御回路と、画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極の間に配置された有機半導体膜を含む薄膜発光素子とを備える有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法において、
隅部分に丸みをつけた領域となるように区画する、前記有機半導体膜よりも厚い絶縁膜を形成する工程、
有機半導体膜の前駆体を含む液状の材料を前記隅部分に丸みをつけた領域内に吐出或いは塗布する工程、及び
前記液状の材料から溶媒成分を除去することにより有機半導体膜を形成する工程とを具備し、
前記絶縁膜は、無機材料からなる第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成されてなり有機材料又は無機材料からなる第2の絶縁膜とからなり、
前記第2の絶縁膜が有機材料からなるときは、前記第1の絶縁膜の膜厚は前記有機半導体膜より厚いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記絶縁膜は、無機材料からなる第1の絶縁膜と前記第1の絶縁膜上に形成されてなり有機材料からなる第2の絶縁膜とが積層されてなり、前記第2の絶縁膜は撥水性であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜は、前記第1の絶縁膜より狭い幅で前記第1の絶縁膜の内側領域に積層されており、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜がずれて2段構造を有し、第1の絶縁膜の膜厚は前記有機半導体膜より厚いことを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記画素電極は、画素に対応してパターニングされたものであり、前記画素電極のパターニングされた端部は、前記絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004272119A JP3803355B2 (ja) | 1997-08-21 | 2004-09-17 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22543497 | 1997-08-21 | ||
JP2004272119A JP3803355B2 (ja) | 1997-08-21 | 2004-09-17 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003431431A Division JP3729196B2 (ja) | 1997-08-21 | 2003-12-25 | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004356108A JP2004356108A (ja) | 2004-12-16 |
JP3803355B2 true JP3803355B2 (ja) | 2006-08-02 |
Family
ID=34066712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004272119A Expired - Lifetime JP3803355B2 (ja) | 1997-08-21 | 2004-09-17 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3803355B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100685811B1 (ko) | 2005-01-04 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP4539518B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5958468A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | 富士通株式会社 | 表示装置 |
JPH0762743B2 (ja) * | 1983-07-09 | 1995-07-05 | キヤノン株式会社 | 液晶装置 |
JP3463362B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-11-05 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子の製造方法および電界発光素子 |
DE69535970D1 (de) * | 1994-12-14 | 2009-08-06 | Eastman Kodak Co | Elektrolumineszente Vorrichtung mit einer organischen elektrolumineszenten Schicht |
JP3208638B2 (ja) * | 1995-01-31 | 2001-09-17 | 双葉電子工業株式会社 | 有機エレクトロルミネセント表示装置およびその製造方法 |
JP3401356B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2003-04-28 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
CN1173315C (zh) * | 1996-09-19 | 2004-10-27 | 精工爱普生株式会社 | 矩阵式显示元件及其制造方法 |
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
JP3580092B2 (ja) * | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
-
2004
- 2004-09-17 JP JP2004272119A patent/JP3803355B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004356108A (ja) | 2004-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3536301B2 (ja) | 表示装置 | |
JP3580092B2 (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
JP3830238B2 (ja) | アクティブマトリクス型装置 | |
JP3601059B2 (ja) | アクティブマトリクス型発光装置及びその製造方法 | |
JPH1124604A (ja) | 表示装置 | |
JP3904016B2 (ja) | アクティブマトリクス型表示装置 | |
JP3729196B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP2004163941A (ja) | 表示装置及びアクテブマトリクス基板 | |
JP3729195B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 | |
JP3804646B2 (ja) | 表示装置 | |
JP3803355B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP3803342B2 (ja) | 有機半導体膜の形成方法、及びアクティブマトリクス基板の製造方法 | |
JP3690406B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP4743093B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2005116535A (ja) | アクティブマトリクス型装置、及びエレクトロルミネッセンス装置 | |
JP4797945B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041130 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050111 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050722 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050803 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20050916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060502 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120512 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130512 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140512 Year of fee payment: 8 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |