KR100316271B1 - 전계발광소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
전계발광소자 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100316271B1 KR100316271B1 KR1019990019286A KR19990019286A KR100316271B1 KR 100316271 B1 KR100316271 B1 KR 100316271B1 KR 1019990019286 A KR1019990019286 A KR 1019990019286A KR 19990019286 A KR19990019286 A KR 19990019286A KR 100316271 B1 KR100316271 B1 KR 100316271B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- source
- organic
- drain
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 전계발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로서 스위칭부와 화소부를 갖는 기판과, 상기 기판 상의 스위칭부의 소정 부분에 양측에 불순물이 고농도로 도핑된 소오스 및 드레인영역을 가지며 중간 부분에 채널영역을 갖도록 형성된 활성층과, 상기 활성층의 채널영역 상에 게이트절연막을 개재시켜 형성된 게이트전극과, 상기 절연기판 상에 상기 게이트전극을 덮으며 상기 소오스 및 드레인영역을 노출시키도록 형성된 층간절연층과, 상기 소오스 및 드레인영역의 노출된 부분과 접촉되어 전기적으로 연결되는 소오스 및 드레인전극과, 상기 층간절연층 상에 상기 소오스전극을 덮으며 상기 드레인전극을 노출시키는 비아홀을 갖는 보호층과, 상기 보호층 상의 상기 화소부에 형성되며 상기 비아홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 애노드전극과, 상기 보호층 상에 상기 애노드전극을 덮도록 순차적으로 형성된 유기 EL층 및 캐소드전극을 포함한다. 따라서, 애노드전극과 유기 EL층의 계면에서 정공의 운송이 용이하여 휘도, 수명 및 효율이 저하되는 것을 방지한다.
Description
본 발명은 전계발광소자(ElectroLuminescent Display; ELD) 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 유기발광물질을 사용하는 능동형 전계발광소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
ELD는 EL(ElectroLuminescence) 물질로 이루어진 발광층에 외부로 부터 주입되는 전자와 홀이 재결합되어 발광하는 발광소자이다. ELD는 주입되는 전자와 홀이 재결합되어 발광하므로 백라이트(backlight)를 필요로 하지 않아서 패널의 두께를 박형화할 수 있으며, 또한, 전력소비량을 상대적으로 낮출 수 있기 때문에 차세대 디스플레이로 관심이 집중되고 있다.
특히, 유기 ELD는 유기 EL 물질로 발광층을 형성하여 사용하는 것으로 구동 전압이 낮고, 발광효율이 높으며, 또한, 저온 공정으로 제조가 가능한 등의 장점이 있다.
그러나, 유기 EL 물질은 수분에 손상을 받기 때문에 기존의 포토리소그래피 공정을 진행할 수 없기 때문에, 수분에 직접 접촉하지 않는 방법에 의하여 패턴을 형성한다.
능동형 ELD는 다수개의 주사선과 신호선이 교차하여 다수개의 화소셀을 형성하고 있고, 각각의 화소셀에는 파우어공급라인이 신호선과 동일방향으로 배열되는 구조를 가지고 있다. 각각의 화소셀은 스위칭소자, 예를 들어, 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, TFT라 칭함)를 하나 이상 구비하고, 스토리지 캐패시터 및 EL부를 구비하고 있다.
두 개의 TFT를 사용하는 경우에는 EL 여기신호와 주사신호를 구별하여 사용할 수 있다는 특징이 있다. EL부는 논리TFT에 의하여 선택되어지고, EL부의 여기파우어는 다른 TFT의 파우어에 의하여 조절된다.
스토리지 캐패시터는 선택된 셀의 EL부의 여기파우어가 유지될 수 있도록 하는 기능을 한다.
도 1a부터 도 1d는 종래 기술에 따른 ELD의 제조공정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1a를 참조하면, 스위칭부와 화소부를 갖는 절연기판(11) 상에 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : 이하, CVD라 칭함) 방법에 의해 다결정실리콘을 증착하고 포토리쏘그래피(photolithography) 방법으로 패터닝하여 스위칭부의 소정 부분에 활성층(13)을 형성한다.
절연기판(11) 상에 산화실리콘 또는 질화실리콘 등의 절연물질을 활성층(13)을 덮도록 증착하고, 이 절연물질 상에 통상의 도전성 물질을 증착한다. 그리고, 도전성물질 및 절연 물질을 활성층(13)의 가운데 부분에만 잔류하도록 순차적으로 패터닝하여 게이트절연막(15) 및 게이트전극(17)을 형성한다. 상기에서 게이트전극(17)을 형성할 때 이 게이트전극(17)과 연결되는 주사선(도시되지 않음)을 함께 형성할 수 있다.
게이트전극(17)을 마스크로 사용하여 활성층(13)의 양측의 노출된 부분에 N형 불순물 또는 P형 불순물을 고농도로 도핑하여 소오스 및 드레인영역(19)(21)을 형성한다. 상기에서 활성층(13)의 게이트전극(17)에 의해 불순물이 도핑되지 않은 가운데 부분은 채널영역이 된다.
도 1b를 참조하면, 절연기판(11) 상에 활성층(13) 및 게이트전극(17)과 주사선을 덮도록 산화실리콘 또는 질화실리콘 등의 절연물질을 증착하여 제 1 층간절연층(23)을 형성한다.
제 1 층간절연층(23)을 소오스 및 드레인영역(19)(21)이 노출되도록 패터닝한다. 그리고, 통상의 도전성 물질로 증착하고 패터닝하여 소오스 및 드레인영역(19)(21)의 노출된 부분과 접촉되어 전기적으로 연결되는 소오스 및 드레인전극(25)(27)을 형성한다. 그러므로, 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 완성된다. 상기에서 소오스 및 드레인전극(25)(27)을 형성할 때 제 1 층간절연층(23) 상에 소오스전극(25)에 연결되는 신호선(도시되지 않음)을 동시에 형성할 수 있다.
도 1c를 참조하면, 제 1 층간절연층(23) 상에 소오스 및 드레인전극(25)(27)과 신호선을 덮도록 산화실리콘 또는 질화실리콘을 CVD 방법으로 두껍게 증착하여 제 2 층간절연층(29)을 형성한다.
제 2 층간절연층(29)을 패터닝하여 드레인전극(27)을 노출하는 비아홀(via hole : 30)을 형성한다. 그리고, 제 2 층간절연층(29) 상에 투명한 도전물질을 비아홀(30)을 통해 드레인전극(27)의 노출된 부분과 접촉되도록 증착한다. 그리고, 투명한 도전물질을 포토리쏘그래피 방법으로 제 2 층간절연층(29) 상의 화소부에 잔류하도록 패터닝하여 애노드전극(anode electrode : 31)을 형성한다. 이 때, 애노드전극(31)은 드레인전극(27)에는 접촉되어 전기적으로 연결되며, 또한, 인접하는 화소셀의 애노드전극과 서로 분리되어 전기적으로 절연되게 형성되도록 한다.
도 1d를 참조하면, 제 2 층간절연층(29) 상에 애노드전극(31)을 덮도록 산화실리콘 또는 질화실리콘 등의 절연물질을 증착하여 보호층(33)을 형성한다. 또한, 보호층(33)을 BCB(BenzoCycloButene) 또는 SOG(Spin On Glass)등과 같은 유기물질로 형성할 수도 있다. 보호층(33)을 유기물질호 형성하는 경우에는 이 보호층(33)의 표면이 평탄하도록 다소 두껍게 형성할 수도 있다.
보호층(33)을 건식 식각을 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 화소부의 애노드전극(31)이 노출되도록 패터닝한다.
보호층(33) 상에 진공 증착(evaporation) 방법으로 소정의 색, 예를 들어, 적색, 청색 또는 녹색을 발광하는 유기 EL층(35)을 형성한다. 이 때, 유기 EL층(35)은 애노드전극(31)과 노출된 화소부 만이 접촉된다.
그리고, 유기EL층(35) 상에 공통전극인 캐쏘드 전극(cathode electrode : 37)을 형성한다. 상기에서 캐쏘드 전극(37)은 접지 상태가 된다.
상술한 바와 같이 종래 기술에 따라 제조된 ELD는 박막트랜지스터가 N형 채널을 갖는 경우 소정 신호선(도시되지 않음)에 '하이' 상태의 신호가 인가된 상태에서 소정 주사선(도시되지 않음)에 '하이' 상태의 신호가 인가되면 이 소정 신호선과 소정 주사선이 교차하는 소정 화소의 박막트랜지스터가 선택되어 스위칭 동작을 한다. 그러므로, 소정 박막트랜지스터는 '턴온'되어 소정 신호선의 신호가 드레인전극으로 전달되며, 이에 의해, 애노드전극을 통해 유기 EL층에 정공이 주입된다. 또한, 유기 EL층은 접지 상태의 캐쏘드전극을 통해 전자가 주입되는 데, 주입되는 전자와 정공이 재결합되어 발광하여 화소셀을 표시한다.
그러나, 상술한 종래 기술에 따른 ELD의 제조방법은 애노드전극을 노출하기 위해 보호층을 건식 식각하여 패터닝할 때 애노드전극의 노출되는 부분의 표면이 식각시 사용되는 이온과 충돌하여 손상되며, 또한, 식각 후에 애노드전극의 노출되는 부분의 표면에 식각 잔유물 또는 식각 가스에 포함된 소량의 불순물이 남게된다. 그러므로, 애노드전극과 유기 EL층의 계면에 정공 등의 캐리어의 운송을 방해하는 장벽이 발생되어 휘도, 수명 및 효율이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 애노드전극과 유기 EL층의 계면에 캐리어의 운송을 방해하는 장벽이 발생되는 것을 방지하여 휘도, 수명 및 효율을 향상시킬 수 있는 ELD를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 애노드전극과 유기 EL층의 계면에 캐리어의 운송을 방해하는 장벽이 발생되는 것을 방지할 수 있는 ELD의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 ELD는 스위칭부와 화소부를 갖는 기판과, 상기 기판 상의 스위칭부의 소정 부분 양측에 불순물이 고농도로 도핑된 소오스 및 드레인영역을 가지며 중간 부분에 채널영역을 갖도록 형성된 활성층과, 상기 활성층의 채널영역 상에 게이트절연막을 개재시켜 형성된 게이트전극과, 상기 절연기판 상에 상기 게이트전극을 덮으며 상기 소오스 및 드레인영역을 노출시키도록 형성된 층간절연층과, 상기 소오스 및 드레인영역의 노출된 부분과 접촉되어 전기적으로 연결되는 소오스 및 드레인전극과, 상기 층간절연층 상에 상기 소오스전극을 덮으며 상기 드레인전극을 노출시키는 비아홀을 갖는 보호층과, 상기 보호층 상의 상기 화소부에 형성되며 상기 비아홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 애노드전극과, 상기 보호층 상에 상기 애노드전극을 덮도록 순차적으로 형성된 유기 EL층 및 캐소드전극을 포함한다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 ELD의 제조방법은 스위칭부와 화소부를 갖는 기판 상의 상기 스위칭부에 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층 상의 중앙부분에 게이트절연막과 게이트전극을 적층되게 형성하고 상기 게이트전극을 마스크로 사용하여 활성층의 양측의 노출된 부분에 불순물을 고농도로 도핑하여 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정과, 상기 절연기판 상에 상기 활성층 및 게이트전극을 덮는 층간절연층을 형성하고 상기 소오스 및 드레인영역을 노출되도록 패터닝한 후 상기 소오스 및 드레인영역의 노출된 부분과 접촉되게 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 층간절연층 상에 상기 드레인전극을 노출시키는 비아홀을 갖는 보호층을 형성하고 상기 화소부의 상기 보호층 상에 상기 비아홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되는 애노드전극을 형성하는 공정과, 상기 보호층 상에 상기 애노드전극을 덮는 유기 EL층을 형성하고, 상기 유기 EL층 상에 캐소드전극을 형성하는 공정을 구비한다.
도 1a부터 도 1d는 종래 기술에 따른 전계발광소자의 제조공정도
도 2는 본 발명에 따른 전계발광소자의 단면도
도 3a부터 도 3d는 본 발명에 따른 전계발광소자의 제조공정도
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 전계발광소자의 단면도이다.
본 발명에 따른 전계발광소자는 스위칭부와 화소부를 갖는 석영 또는 유리 등의 투명한 절연물질로 이루어진 절연기판(41) 상의 스위칭부의 소정 부분에 500∼1000Å 정도의 두께의 다결정실리콘으로 이루어진 활성층(43)이 형성된다.
활성층(43)의 양측에 인(P) 또는 아세닉(As) 등의 N형 불순물, 또는, 보론(B) 등의 P형 불순물이 고농도로 도핑된 소오스 및 드레인영역(49)(51)이 형성한다. 활성층(43)의 중간 부분, 즉, 소오스 및 드레인영역(49)(51)의 불순물이 도핑되지 않은 중간 부분은 채널영역이 된다.
활성층(43)의 채널영역 상에 산화실리콘 또는 질화실리콘 등의 절연물질이 800∼1500Å 정도의 두께로 이루어진 게이트절연막(45)이 형성되고, 이 게이트절연막(45) 상에 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등의 저저항을 갖는 도전성 금속이 4000∼5000Å 정도의 두께로 이루어진 게이트전극(47)이 형성된다. 상기에서 게이트전극(47)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등의 저저항 금속 상에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 또는 탄탈늄(Ta) 등의 고융점 금속이 형성된 2층 구조로 형성할 수도 있다. 또한, 게이트전극(47)은 이 게이트전극(47)과 전기적으로 연결되는 주사선(도시되지 않음)도 함께 형성될 수 있다.
절연기판(41) 상에 게이트전극(47)을 덮으며 소오스 및 드레인영역(49)(51)을 노출시키는 층간절연층(53)을 형성된다. 상기에서 층간절연층(53)은 산화실리콘 또는 질화실리콘 등의 절연물질을 4000∼5000Å 정도의 두께로 증착하므로써 형성된다. 그리고, 층간절연층(53) 상에 소오스 및 드레인영역(49)(51)의 노출된 부분과 접촉되어 전기적으로 연결되는 소오스 및 드레인전극(55)(57)이 형성된다. 상기에서 소오스 및 드레인전극(55)(57)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등의 저저항을 갖는 도전성 금속의 단층으로 형성되는데 층간절연층(53) 상에 소오스전극(55)에 연결되는 신호선(도시되지 않음)이 형성될 수 있다.
층간절연층(53) 상에 소오스전극(55)과 신호선을 덮고 비아홀(60)에 의해 드레인전극(57)을 노출시키는 보호층(59)이 형성된다. 상기에서 보호층(59)은 산화실리콘 또는 질화실리콘을 CVD 방법으로 4000∼5000Å 정도의 두께로 증착하거나, 또는, BCB(BenzoCycloButene) 또는 SOG(Spin On Glass)등과 같은 유기물질을 1∼3㎛의 두께로 도포하므써 형성된다. 상기에서 보호층(59)이 유기물질로 형성되는 경우에 두껍게 형성되므로 표면이 평탄하여 후속 공정 진행시 단차에 의한 불량 발생을 줄일수 있다.
보호층(59) 상의 화소부에 비아홀(60)을 통해 드레인전극(57)의 노출된 부분과 접촉되어 전기적으로 연결되는 애노드전극(61)이 형성된다. 상기에서 애노드전극(61)은 ITO(Indum Tin Oxide) 또는 TO(Tin Oxide) 등의 투명한 도전물질을 1000∼2000Å 정도의 두께로 증착하므로써 형성되는 것으로서 인접하는 화소셀의 애노드전극과 서로 분리되어 전기적으로 절연된다.
보호층(59) 상에 애노드전극(61)을 덮도록 유기 EL층(63)이 형성되고, 이 유기 EL층(63) 상에 공통전극으로 이용되는 캐소드전극(65)이 형성된다. 상기에서 유기 EL층(63)은 전자와 정공이 재결합하면서 소정의 색, 예를 들어, 적색, 청색 또는 녹색을 발광하는 물질을 진공 증착 방법으로 1000∼2000Å 정도의 두께로 형성된다. 그리고, 캐소드전극(65)은 유기 EL층(63)으로 전자의 주입이 용이하도록 알미늄, 알루미늄 합금, 칼륨, 나트륨, 칼슘 또는 리튬 등과 같이 낮은 일함수를 가지는 금속이 1000∼3000Å 정도의 두께로 증착되어 형성된다.
유기 EL층(63)은 애노드전극(61)과 접하는 홀주입및수송영역(hole injecting and transporting region)과 캐소드전극(65)과 접하는 전자주입및수송영역(electron injecting and transporting region)과 실제 발광하는 발광층으로 구성된다. 상기에서 홀주입및수송영역과 전자주입및수송영역은 단일 물질 혹은 다중 물질로 형성할 수 있는데, 이 홀주입및수송영역과 전자주입및수송영역에서 수송된 전자와 홀이 발광층에서 재결합되어 발광이 일어난다.
상술한 구조의 ELD는 애노드전극(61) 상에 별도의 층을 형성하지 않고 유기 EL층(63)을 바로 형성하여 애노드전극(61)과 접촉되게 형성된다. 그러므로, 유기 EL층(63)을 애노드전극(61)과 접촉하기 위해 별도의 식각 공정이 필요하지 않아 애노드전극(61)은 표면이 손상되지 않으며, 또한, 애노드전극(61)의 표면에 식각 잔유물 또는 식각 가스에 포함된 소량의 불순물이 남게되는 것이 방지된다. 따라서, 애노드전극(61)과 유기 EL층(63)의 계면에서 정공의 운송이 용이하므로 휘도, 수명 및 효율이 저하되는 것이 방지된다.
도 3a부터 도 3d는 본 발명에 따른 전계발광소자의 제조공정도이다.
도 3a를 참조하면, 스위칭부와 화소부를 갖는 절연기판(41) 상에 CVD 방법에 의해 다결정실리콘을 500∼1000Å 정도의 두께로 증착하고 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝하여 스위칭부의 소정 부분에 활성층(43)을 형성한다. 상기에서 절연기판(41)은 석영 또는 유리 등의 투명한 절연물질을 사용할 수 있다.
절연기판(41) 상에 산화실리콘 또는 질화실리콘 등의 절연물질을 활성층(43)을 덮도록 CVD 방법으로 800∼1500Å 정도의 두께로 증착하고, 이 절연물질 상에 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등의 저저항을 갖는 도전성 금속을 스퍼터링 방법으로 4000∼5000Å 정도의 두께로 순차적으로 증착한다. 그리고, 도전성 금속과 절연물질을 활성층(43)의 가운데 부분에 잔류하도록 포토리쏘그래피 방법으로 순차적으로 패터닝하여 게이트전극(47) 및 게이트절연막(45)을 형성한다. 상기에서 게이트전극(47)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등의 저저항 금속 상에 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti) 또는 탄탈늄(Ta) 등의 고융점 금속이 형성된 2층 구조로 형성할 수도 있다. 그리고, 게이트전극(47) 형성시 이 게이트전극(47)과 전기적으로 연결되는 주사선(도시되지 않음)도 함께 형성할 수 있다.
게이트전극(47)을 마스크로 사용하여 활성층(43)의 양측의 노출된 부분에 인(P) 또는 아세닉(As) 등의 N형 불순물 또는 보론(B) 등의 P형 불순물을 고농도로 도핑하여 소오스 및 드레인영역(49)(51)을 형성한다. 상기에서 활성층(43)의 게이트전극(47)에 의해 불순물이 도핑되지 않은 가운데 부분은 채널영역이 된다.
도 3b를 참조하면, 절연기판(41) 상에 산화실리콘 또는 질화실리콘 등의 절연물질을 활성층(43) 및 게이트전극(47)과 주사선을 덮도록 CVD 방법으로 4000∼5000Å 정도의 두께로 증착하여 층간절연층(53)을 형성한다.
층간절연층(53)을 소오스 및 드레인영역(49)(51)이 노출되도록 패터닝한다. 그리고, 층간절연층(53) 상에 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등의 저저항을 갖는 도전성 금속을 스퍼터링 방법으로 증착한 후 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝하여 소오스 및 드레인영역(49)(51)의 노출된 부분과 접촉되어 전기적으로 연결되는 소오스 및 드레인전극(55)(57)을 형성한다. 그러므로, 스위칭 소자인 박막트랜지스터가 완성된다. 상기에서 소오스 및 드레인전극(55)(57)을 형성할 때 층간절연층(53) 상에 소오스전극(55)에 연결되는 신호선(도시되지 않음)을 동시에 형성할 수 있다.
도 3c를 참조하면, 층간절연층(53) 상에 산화실리콘 또는 질화실리콘을 소오스 및 드레인전극(55)(57)과 신호선을 덮도록 CVD 방법으로 4000∼5000Å 정도의 두께로 증착하여 보호층(59)을 형성한다.
상기에서 보호층(59)을 산화실리콘 또는 질화실리콘의 무기물질 뿐만 아니라 BCB(BenzoCycloButene) 또는 SOG(Spin On Glass)등과 같은 유기물질을 1∼3㎛의 두께로 증착하여 형성할 수도 있다. 보호층(59)을 유기물질로 형성하는 경우에는 이 보호층(59)의 표면이 평탄하도록 다소 두껍게 형성할 수도 있다. 이와 같이, 보호층(59)을 평탄하게 형성하는 경우에는 후속 공정 진행시 단차에 의한 불량 발생을 줄일수 있다.
보호층(59)을 건식 식각을 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝하여 드레인전극(57)을 노출하는 비아홀(60)을 형성한다.
보호층(59) 상에 ITO(Indum Tin Oxide) 또는 TO(Tin Oxide) 등의 투명한 도전물질을 비아홀(60)을 통해 드레인전극(57)의 노출된 부분과 접촉되게 스퍼터링 방법으로 1000∼2000Å 정도의 두께로 증착한다. 그리고, 투명한 도전물질을 포토리쏘그래피 방법으로 보호층(59) 상의 화소부에 잔류하도록 패터닝하여 애노드전극(61)을 형성한다. 이 때, 애노드전극(61)은 드레인전극(57)과 접촉되어 전기적으로 연결되며, 또한, 인접하는 화소셀의 애노드전극과 서로 분리되어 전기적으로 절연되게 형성되도록 한다.
도 3d를 참조하면, 보호층(59) 상에 애노드전극(61)을 덮도록 유기 EL층(63)을 형성하고, 이 유기 EL층(63) 상에 공통전극으로 이용되는 캐소드전극(65)을 형성한다.
상기에서 유기 EL층(63)은 전자와 정공이 재결합하면서 소정의 색, 예를 들어, 적색, 청색 또는 녹색을 발광하는 물질을 진공 증착 방법으로 1000∼2000Å 정도의 두께로 진공 증착하므로써 형성된다.
유기 EL층(63)은 애노드전극(61)과 접하는 홀주입및수송영역(hole injecting and transporting region)과 캐소드전극(65)과 접하는 전자주입및수송영역(electron injecting and transporting region)과 실제 발광하는 발광층으로 구성된다. 상기에서 홀주입및수송영역과 전자주입및수송영역은 단일 물질 혹은 다중 물질로 형성할 수 있는데, 이 홀주입및수송영역과 전자주입및수송영역에서 수송된 전자와 홀이 발광층에서 재결합되어 발광이 일어난다.
상기에서 애노드전극(61)을 패터닝하여 형성한 후 별도의 층을 형성하지 않고 유기EL층(63)을 바로 형성하여 애노드전극(61)과 접촉되게 한다. 그러므로, 유기 EL층(63)을 애노드전극(61)과 접촉하기 위해 별도의 식각 공정이 필요하지 않으므로 애노드전극(61)은 표면이 손상되지 않고, 또한, 표면에 식각 잔유물 또는 식각 가스에 포함된 소량의 불순물이 남게되는 것이 방지된다. 따라서, 애노드전극(61)과 유기 EL층(63)의 계면에서 정공의 운송이 용이하므로 휘도, 수명 및 효율이 저하되는 것이 방지된다.
상기에서 캐소드전극(65)은 유기 EL층(63)으로 전자의 주입이 용이하도록 알미늄, 알루미늄 합금, 칼륨, 나트륨, 칼슘 또는 리튬 등과 같이 낮은 일함수를 가지는 금속을 스퍼터링 방법으로 1000∼3000Å 정도의 두께로 증착하므로써 형성된다.
상술한 바와 같이 본 발명은 애노드전극을 형성한 후 별도의 층을 형성하지 않고 유기 EL층을 애노드전극과 접촉되게 바로 형성하므로 유기 EL층을 애노드전극과 접촉하기 위한 접촉홀을 형성하기 위한 별도의 식각 공정이 필요하지 않으므로 애노드전극은 표면이 손상되지 않고, 또한, 표면에 식각 잔유물 또는 식각 가스에 포함된 소량의 불순물이 남게되지 않게 된다.
따라서, 본 발명은 애노드전극과 유기 EL층의 계면에서 정공의 운송이 용이하여 휘도, 수명 및 효율이 저하되는 것을 방지하는 잇점이 있다.
Claims (12)
- 스위칭부와 화소부를 갖는 기판과,상기 기판 상의 스위칭부의 소정 부분 양측에 불순물이 고농도로 도핑된 소오스 및 드레인영역을 가지며 중간 부분에 채널영역을 갖도록 형성된 활성층과,상기 활성층의 채널영역 상에 게이트절연막을 개재시켜 형성된 게이트전극과,상기 절연기판 상에 상기 게이트전극을 덮으며 상기 소오스 및 드레인영역을 노출시키도록 형성된 층간절연층과,상기 소오스 및 드레인영역의 노출된 부분과 접촉되어 전기적으로 연결되는 소오스 및 드레인전극과,상기 층간절연층 상에 상기 소오스전극을 덮으며 상기 드레인전극을 노출시키는 비아홀을 갖는 보호층과,상기 보호층 상의 상기 화소부에 형성되며 상기 비아홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되어 전기적으로 연결되는 애노드전극과,상기 보호층 상에 상기 애노드전극을 덮도록 순차적으로 형성된 유기 EL층 및 캐소드전극을 포함하는 전계발광소자.
- 청구항 1에 있어서 상기 활성층은 다결정실리콘으로 500∼1000Å의 두께를 갖도록 형성된 전계발광소자.
- 청구항 1에 있어서 상기 보호층은 산화실리콘 또는 질화실리콘의 무기물질이 4000∼5000Å의 두께로 증착되어 형성된 전계발광소자.
- 청구항 1에 있어서 상기 보호층은 BCB(BenzoCycloButene) 또는 SOG(Spin On Glass)의 유기물질이 1∼3㎛의 두께로 증착되어 형성된 전계발광소자.
- 청구항 1에 있어서 상기 유기 EL층이 상기 애노드전극과 접하는 홀주입및수송영역(hole injecting and transporting region)과 캐소드전극과 접하는 전자주입및수송영역(electron injecting and transporting region)을 갖도록 형성된 전계발광소자.
- 청구항 5에 있어서 상기 홀주입및수송영역과 전자주입및수송영역이 단일 물질 또는 다중 물질로 형성된 전계발광소자.
- 스위칭부와 화소부를 갖는 기판 상의 상기 스위칭부에 활성층을 형성하는 공정과,상기 활성층 상의 중앙부분에 게이트절연막과 게이트전극을 적층되게 형성하고 상기 게이트전극을 마스크로 사용하여 활성층의 양측의 노출된 부분에 불순물을 고농도로 도핑하여 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정과,상기 절연기판 상에 상기 활성층 및 게이트전극을 덮는 층간절연층을 형성하고 상기 소오스 및 드레인영역을 노출되도록 패터닝한 후 상기 소오스 및 드레인영역의노출된 부분과 접촉되게 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정과,상기 층간절연층 상에 상기 드레인전극을 노출시키는 비아홀을 갖는 보호층을 형성하고 상기 화소부의 상기 보호층 상에 상기 비아홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되는 애노드전극을 형성하는 공정과,상기 보호층 상에 상기 애노드전극을 덮는 유기 EL층을 형성하고, 상기 유기 EL층 상에 캐소드전극을 형성하는 공정을 구비하는 전계발광소자의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서 상기 활성층을 다결정실리콘으로 500∼1000Å의 두께를 갖도록 형성하는 전계발광소자의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서 상기 보호층을 산화실리콘 또는 질화실리콘의 무기물질을 4000∼5000Å의 두께로 증착하여 형성하는 전계발광소자의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서 상기 보호층을 BCB(BenzoCycloButene) 또는 SOG(Spin On Glass)의 유기물질을 1∼3㎛의 두께로 증착하여 형성하는 전계발광소자의 제조방법.
- 청구항 7에 있어서 상기 유기 EL층을 상기 애노드전극과 접하는 홀주입및수송영역(hole injecting and transporting region)과 캐소드전극과 접하는 전자주입및수송영역(electron injecting and transporting region)을 갖도록 형성하는 전계발광소자의 제조방법.
- 청구항 11에 있어서 상기 홀주입및수송영역과 전자주입및수송영역을 단일 물질 또는 다중 물질로 형성하는 전계발광소자의 제조방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990019286A KR100316271B1 (ko) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| US09/550,411 US6617608B2 (en) | 1999-05-27 | 2000-04-17 | Electro-luminescent display and a method of manufacturing the same |
| US10/431,515 US6979583B2 (en) | 1999-05-27 | 2003-05-08 | Electro-luminescent display and a method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990019286A KR100316271B1 (ko) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 전계발광소자 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000074991A KR20000074991A (ko) | 2000-12-15 |
| KR100316271B1 true KR100316271B1 (ko) | 2001-12-12 |
Family
ID=19588203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990019286A KR100316271B1 (ko) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 전계발광소자 및 그의 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6617608B2 (ko) |
| KR (1) | KR100316271B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11842696B2 (en) | 2022-04-01 | 2023-12-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device, and method of operating a display device |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW495812B (en) * | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device |
| JP3415602B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2003-06-09 | 鹿児島日本電気株式会社 | パターン形成方法 |
| JP3612494B2 (ja) | 2001-03-28 | 2005-01-19 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| JP3608613B2 (ja) | 2001-03-28 | 2005-01-12 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| KR100441433B1 (ko) * | 2001-04-12 | 2004-07-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100600846B1 (ko) * | 2001-10-15 | 2006-07-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액티브 매트릭스형 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
| US7141817B2 (en) | 2001-11-30 | 2006-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| KR100600848B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2006-07-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100467943B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2005-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광소자와 그 제조방법 |
| KR100441435B1 (ko) * | 2002-05-31 | 2004-07-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액티브 매트릭스 타입의 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| KR100441436B1 (ko) * | 2002-06-17 | 2004-07-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 투과율이 향상된 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100611217B1 (ko) * | 2002-09-18 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 보호막을 사용한 유기 전계 발광 표시 장치 |
| KR100503129B1 (ko) * | 2002-12-28 | 2005-07-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR100552975B1 (ko) * | 2003-11-22 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| TWI253870B (en) * | 2003-10-30 | 2006-04-21 | Au Optronics Corp | Active organic electroluminescence display and fabricating method thereof |
| KR100686341B1 (ko) | 2003-11-29 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR101133767B1 (ko) * | 2005-03-09 | 2012-04-09 | 삼성전자주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| US8075943B2 (en) * | 2005-12-27 | 2011-12-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Purification process for organic electronics material |
| TW200809739A (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-16 | Ritdisplay Corp | Method for fabricating active matrix organic electro-luminescence display panel |
| KR101367140B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2014-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
| TWI469224B (zh) * | 2008-10-20 | 2015-01-11 | Ind Tech Res Inst | 有機薄膜電晶體及其製造方法 |
| JP2010249935A (ja) | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Sony Corp | 表示装置 |
| US8575602B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and organic EL display device |
| CN112864174B (zh) * | 2021-01-12 | 2023-06-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种tft阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN113571587B (zh) * | 2021-07-14 | 2023-12-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000065702A (ko) * | 1999-04-08 | 2000-11-15 | 구본준 | 전기발광소자 제조방법 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2821347B2 (ja) * | 1993-10-12 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | 電流制御型発光素子アレイ |
| US5684365A (en) * | 1994-12-14 | 1997-11-04 | Eastman Kodak Company | TFT-el display panel using organic electroluminescent media |
| US5550066A (en) | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
| US6011607A (en) * | 1995-02-15 | 2000-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., | Active matrix display with sealing material |
| JP3401356B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2003-04-28 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
| KR100190023B1 (ko) * | 1996-02-29 | 1999-06-01 | 윤종용 | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100234376B1 (ko) * | 1996-04-09 | 1999-12-15 | 윤종용 | 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 액정 표시장치의 제조방법 |
| JP3530362B2 (ja) * | 1996-12-19 | 2004-05-24 | 三洋電機株式会社 | 自発光型画像表示装置 |
| US6140166A (en) * | 1996-12-27 | 2000-10-31 | Semicondutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor and method for manufacturing semiconductor device |
| US6175345B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
| JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
| JPH1197705A (ja) * | 1997-09-23 | 1999-04-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体集積回路 |
| JPH11326954A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| TW439387B (en) * | 1998-12-01 | 2001-06-07 | Sanyo Electric Co | Display device |
| JP4073107B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2008-04-09 | 三洋電機株式会社 | アクティブ型ｅｌ表示装置 |
-
1999
- 1999-05-27 KR KR1019990019286A patent/KR100316271B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-04-17 US US09/550,411 patent/US6617608B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-05-08 US US10/431,515 patent/US6979583B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000065702A (ko) * | 1999-04-08 | 2000-11-15 | 구본준 | 전기발광소자 제조방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11842696B2 (en) | 2022-04-01 | 2023-12-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device, and method of operating a display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030062523A1 (en) | 2003-04-03 |
| KR20000074991A (ko) | 2000-12-15 |
| US20030203527A1 (en) | 2003-10-30 |
| US6617608B2 (en) | 2003-09-09 |
| US6979583B2 (en) | 2005-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100316271B1 (ko) | 전계발광소자 및 그의 제조방법 | |
| KR100661439B1 (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100919094B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US7492096B2 (en) | Flat panel display device capable of reducing or preventing a voltage drop and method of fabricating the same | |
| EP1587154B1 (en) | Organic electro-luminescent display device and method of manufacturing the same | |
| KR100542526B1 (ko) | 유기 ｅｌ 패널 및 그 제조 방법 | |
| US6794675B1 (en) | Organic electroluminescence display with improved contact characteristics | |
| KR101100885B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 | |
| US20060238111A1 (en) | Organic light emitting display apparatus | |
| US7049636B2 (en) | Device including OLED controlled by n-type transistor | |
| JP2001109404A (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| KR20100068644A (ko) | 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 | |
| JP2001100654A (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| US8018143B2 (en) | Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same | |
| JP4488557B2 (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| JP2001282137A (ja) | エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| KR100441433B1 (ko) | 평판 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| US6703992B1 (en) | EL display device with inter-line insulation | |
| EP3098856B1 (en) | Active matrix electroluminescence device and method for fabricating the same | |
| KR100564198B1 (ko) | 일렉트로 루미네센스 표시 장치 | |
| JP4278244B2 (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| KR100739579B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100606443B1 (ko) | 전기발광소자 제조방법 | |
| JP2001102165A (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| CN114914376A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120928 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130930 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141021 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151028 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161012 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171016 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181015 Year of fee payment: 18 |
|
| EXPY | Expiration of term |