JP2001102165A - Ｅｌ表示装置 - Google Patents
Ｅｌ表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 平坦化膜ＰＬＮに採用された材料は、有機系
の材料であり、ベーキングされた後でも、水蒸気がトラ
ップされており、またベーキング後でも吸湿性が高い。
そのため、中に取り込まれた水蒸気が原因で表示ムラが
発生する。 【解決手段】 第１の平坦化膜ＰＬＮ１、第２の平坦化
膜ＰＬＮ２は、水分を蒸発させる温度に耐えうる膜が採
用される。また焼結前に流動性を有し、焼結温度は、有
機系の材料よりも温度が高い材料が採用される。特に酸
化珪素を主成分とするＳＯＧ材料を採用すれば、その表
面を平坦にできると同時に、水蒸気の取り込みが少な
く、表示ムラを防止できる。
の材料であり、ベーキングされた後でも、水蒸気がトラ
ップされており、またベーキング後でも吸湿性が高い。
そのため、中に取り込まれた水蒸気が原因で表示ムラが
発生する。 【解決手段】 第１の平坦化膜ＰＬＮ１、第２の平坦化
膜ＰＬＮ２は、水分を蒸発させる温度に耐えうる膜が採
用される。また焼結前に流動性を有し、焼結温度は、有
機系の材料よりも温度が高い材料が採用される。特に酸
化珪素を主成分とするＳＯＧ材料を採用すれば、その表
面を平坦にできると同時に、水蒸気の取り込みが少な
く、表示ムラを防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロ
ルミネッセンス表示装置に関する。
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロ
ルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】図３に有機ＥＬ表示装置の表示画素を示
し、図４に図３のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図５
に図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
し、図４に図３のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図５
に図３のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【０００４】図に示すように、ゲートラインＧＬとドレ
インラインＤＬとに囲まれた領域に表示画素が形成され
ている。両信号線の交点付近にはスイッチング素子であ
る第１のＴＦＴ１が備えられており、そのＴＦＴ１のソ
ースは、保持容量電極２と容量を構成する容量電極３を
兼ねるとともに、有機ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦＴ
４のゲート１５に接続されている。第２のＴＦＴ４のソ
ースは有機ＥＬ素子の陽極６に接続され、他方のドレイ
ンは有機ＥＬ素子を駆動する駆動ラインＶＬに接続され
ている。
インラインＤＬとに囲まれた領域に表示画素が形成され
ている。両信号線の交点付近にはスイッチング素子であ
る第１のＴＦＴ１が備えられており、そのＴＦＴ１のソ
ースは、保持容量電極２と容量を構成する容量電極３を
兼ねるとともに、有機ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦＴ
４のゲート１５に接続されている。第２のＴＦＴ４のソ
ースは有機ＥＬ素子の陽極６に接続され、他方のドレイ
ンは有機ＥＬ素子を駆動する駆動ラインＶＬに接続され
ている。
【０００５】また、前記保持容量電極２はクロム等から
成っており、上層のゲート絶縁膜７を介して第１のＴＦ
Ｔ１のソースと一体の容量電極３と重畳し、前記ゲート
絶縁膜７を誘電体層として電荷を蓄積している。この保
持容量８は、第２のＴＦＴ４のゲート１５に印加される
電圧を保持している。
成っており、上層のゲート絶縁膜７を介して第１のＴＦ
Ｔ１のソースと一体の容量電極３と重畳し、前記ゲート
絶縁膜７を誘電体層として電荷を蓄積している。この保
持容量８は、第２のＴＦＴ４のゲート１５に印加される
電圧を保持している。
【０００６】続いて、スイッチング用の第１のＴＦＴ１
について図４と図５を参照しながら説明する。
について図４と図５を参照しながら説明する。
【０００７】まず石英ガラス、無アルカリガラス等から
なる透明な絶縁性基板１０上に、クロム（Ｃｒ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる第１のゲート
電極１１が設けられている。この第１のゲート電極１１
は、図３のようにゲートラインＧＬと一体で例えば左右
に複数本並行に延在されている。また図４の第１のゲー
ト電極１１の右隣には、第１のゲート電極１１と同一工
程で作られた保持容量電極２が形成されている。この保
持容量電極２は、図３の様に容量を構成するため、第１
のＴＦＴ１と第２のＴＦＴ４の間で、拡大された部分を
有し、これらは左右に延在された保持容量ラインＣＬと
一体で構成されている。
なる透明な絶縁性基板１０上に、クロム（Ｃｒ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる第１のゲート
電極１１が設けられている。この第１のゲート電極１１
は、図３のようにゲートラインＧＬと一体で例えば左右
に複数本並行に延在されている。また図４の第１のゲー
ト電極１１の右隣には、第１のゲート電極１１と同一工
程で作られた保持容量電極２が形成されている。この保
持容量電極２は、図３の様に容量を構成するため、第１
のＴＦＴ１と第２のＴＦＴ４の間で、拡大された部分を
有し、これらは左右に延在された保持容量ラインＣＬと
一体で構成されている。
【０００８】続いて、ゲート絶縁膜７を介して多結晶シ
リコン（ｐ−Ｓｉと称する。）膜からなる第１の能動層
１２が形成されている。この能動層１２は、ＬＤＤ（Li
ghtly Doped Drain）構造が採用されている。即ち、ゲ
ートの両側に低濃度領域が設けられ、更に外側には、高
濃度のソース領域及びドレイン領域が設けられている。
前記能動層１２の上には、ストッパ絶縁膜１３が設けら
れている。このストッパ絶縁膜１３は、能動層１２への
イオン注入阻止膜であり、ここではＳｉ酸化膜から成
る。
リコン（ｐ−Ｓｉと称する。）膜からなる第１の能動層
１２が形成されている。この能動層１２は、ＬＤＤ（Li
ghtly Doped Drain）構造が採用されている。即ち、ゲ
ートの両側に低濃度領域が設けられ、更に外側には、高
濃度のソース領域及びドレイン領域が設けられている。
前記能動層１２の上には、ストッパ絶縁膜１３が設けら
れている。このストッパ絶縁膜１３は、能動層１２への
イオン注入阻止膜であり、ここではＳｉ酸化膜から成
る。
【０００９】そして、ゲート絶縁膜７、能動層１２及び
ストッパ絶縁膜１３上には、例えば、順にＳｉＯ2膜、
ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜が積層された層間絶縁膜１４が
設けられ、ドレインに設けたコンタクトホールＣ１を介
してドレイン電極と成るドレインラインＤＬが電気的に
接続されている。更に全面には、表面の凹凸を平坦にす
るため、例えば有機樹脂から成る平坦化膜ＰＬＮが形成
されている。ＥＬ表示装置は、電流駆動なので、ＥＬ層
が均一な膜厚でなければならない。膜厚が薄い部分で電
流集中が発生するからである。従って少なくともこの形
成領域は、かなりの平坦性が要求されるため、前記平坦
化膜ＰＬＮが採用される。
ストッパ絶縁膜１３上には、例えば、順にＳｉＯ2膜、
ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜が積層された層間絶縁膜１４が
設けられ、ドレインに設けたコンタクトホールＣ１を介
してドレイン電極と成るドレインラインＤＬが電気的に
接続されている。更に全面には、表面の凹凸を平坦にす
るため、例えば有機樹脂から成る平坦化膜ＰＬＮが形成
されている。ＥＬ表示装置は、電流駆動なので、ＥＬ層
が均一な膜厚でなければならない。膜厚が薄い部分で電
流集中が発生するからである。従って少なくともこの形
成領域は、かなりの平坦性が要求されるため、前記平坦
化膜ＰＬＮが採用される。
【００１０】次に、有機ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦ
Ｔ４について図３と図５を参照して説明する。
Ｔ４について図３と図５を参照して説明する。
【００１１】前述した絶縁性基板１０上には、前記第１
のゲート１１と同一材料の第２のゲート電極１５が設け
られており、ゲート絶縁膜７を介して第２の能動層１６
が設けられている。前述と同様に能動層の上にはストッ
パ絶縁膜１７が設けられている。
のゲート１１と同一材料の第２のゲート電極１５が設け
られており、ゲート絶縁膜７を介して第２の能動層１６
が設けられている。前述と同様に能動層の上にはストッ
パ絶縁膜１７が設けられている。
【００１２】前記能動層１６には、ゲート電極１５上方
に真性又は実質的に真性であるチャネルと、このチャネ
ルの両側に、ｐ型不純物のソース領域及びドレイン領域
が設けられｐ型チャネルＴＦＴを構成している。
に真性又は実質的に真性であるチャネルと、このチャネ
ルの両側に、ｐ型不純物のソース領域及びドレイン領域
が設けられｐ型チャネルＴＦＴを構成している。
【００１３】そして全面には、前述した層間絶縁膜１４
が形成されている。そしてコンタクトホールＣ２を介し
て駆動ラインＶＬが電気的に接続されている。更に全面
には、前述した平坦化膜ＰＬＮが形成され、コンタクト
ホールＣ３によりソースが露出されている。そしてこの
コンタクトホールを介してＩＴＯ（Indium Thin Oxid
e）から成る透明電極（有機ＥＬ素子の陽極）６が形成
されている。
が形成されている。そしてコンタクトホールＣ２を介し
て駆動ラインＶＬが電気的に接続されている。更に全面
には、前述した平坦化膜ＰＬＮが形成され、コンタクト
ホールＣ３によりソースが露出されている。そしてこの
コンタクトホールを介してＩＴＯ（Indium Thin Oxid
e）から成る透明電極（有機ＥＬ素子の陽極）６が形成
されている。
【００１４】有機ＥＬ素子２０は、前記陽極６、ＭＴＤ
ＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)bipheny
l）から成る第１ホール輸送層２１、及びＴＰＤ（4,4,4
-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine）か
らなる第２ホール輸送層２２、キナクリドン（Quinacri
done）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリ
ノール−ベリリウム錯体）から成る発光層２３及びＢｅ
ｂｑ2から成る電子輸送層２４からなる発光素子層Ｅ
Ｍ、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極２５が
この順番で積層形成された構造であり、有機ＥＬ素子の
実質全面に設けられている。
ＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)bipheny
l）から成る第１ホール輸送層２１、及びＴＰＤ（4,4,4
-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylanine）か
らなる第２ホール輸送層２２、キナクリドン（Quinacri
done）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリ
ノール−ベリリウム錯体）から成る発光層２３及びＢｅ
ｂｑ2から成る電子輸送層２４からなる発光素子層Ｅ
Ｍ、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極２５が
この順番で積層形成された構造であり、有機ＥＬ素子の
実質全面に設けられている。
【００１５】有機ＥＬ素子の発光原理および動作は、陽
極６から注入されたホールと、陰極２５から注入された
電子とが発光層ＥＭの内部で再結合し、発光層ＥＭを形
成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励
起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この
光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出さ
れて発光する。
極６から注入されたホールと、陰極２５から注入された
電子とが発光層ＥＭの内部で再結合し、発光層ＥＭを形
成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励
起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この
光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出さ
れて発光する。
【００１６】このように、第１のＴＦＴ１のソースＳか
ら供給された電荷が保持容量８に蓄積され、第２のＴＦ
Ｔ４のゲート１５に印加され、その電圧に応じて有機Ｅ
Ｌ素子を電流駆動し、発光する。
ら供給された電荷が保持容量８に蓄積され、第２のＴＦ
Ｔ４のゲート１５に印加され、その電圧に応じて有機Ｅ
Ｌ素子を電流駆動し、発光する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】前述した平坦化膜ＰＬ
Ｎに用いられている材料は、レジスト等の有機系材料が
用いられている。
Ｎに用いられている材料は、レジスト等の有機系材料が
用いられている。
【００１８】ＥＬ素子は、有機材料から成ることからも
判るように、吸湿性が高く、吸湿により発光にムラが発
生する問題があった。前述したように平坦化膜ＰＬＮ
は、有機系の材料であるため、吸湿性が高く、しかも耐
熱温度がせいぜい２５０度Ｃ程度であるため、平坦化膜
ＰＬＮを塗布した後、２５０度Ｃ程度でベークアウトと
しても、平坦化膜ＰＬＮ中に水蒸気が残り、この水蒸気
がＥＬ素子の発光ムラを発生させてしまう問題があっ
た。
判るように、吸湿性が高く、吸湿により発光にムラが発
生する問題があった。前述したように平坦化膜ＰＬＮ
は、有機系の材料であるため、吸湿性が高く、しかも耐
熱温度がせいぜい２５０度Ｃ程度であるため、平坦化膜
ＰＬＮを塗布した後、２５０度Ｃ程度でベークアウトと
しても、平坦化膜ＰＬＮ中に水蒸気が残り、この水蒸気
がＥＬ素子の発光ムラを発生させてしまう問題があっ
た。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みてなされ、第１に、ＥＬ素子を構成する陽極の下層
には、水分を蒸発させる温度に耐えうる膜が平坦化膜と
して形成されることで解決するものである。
鑑みてなされ、第１に、ＥＬ素子を構成する陽極の下層
には、水分を蒸発させる温度に耐えうる膜が平坦化膜と
して形成されることで解決するものである。
【００２０】第２に、ＥＬ素子を構成する陽極のエッジ
は、水分を蒸発させる温度に耐えうる膜が覆われている
ことで解決するものである。
は、水分を蒸発させる温度に耐えうる膜が覆われている
ことで解決するものである。
【００２１】第３に、平坦化膜は、焼結前に流動性を有
し、焼結温度は、有機系の材料よりも温度が高い材料で
成ることで解決するものである。
し、焼結温度は、有機系の材料よりも温度が高い材料で
成ることで解決するものである。
【００２２】第４に、前記温度は、３００度Ｃ以上であ
ることで解決するものである。
ることで解決するものである。
【００２３】第５に、前記水分を蒸発させる温度に耐え
うる膜は、酸化珪素を主成分とする材料からなることで
解決するものである。
うる膜は、酸化珪素を主成分とする材料からなることで
解決するものである。
【００２４】第６に、ＥＬ素子を構成する陽極が配置さ
れる第１の平坦化膜は、酸化珪素を主成分とする材料か
らなることで解決するものである。
れる第１の平坦化膜は、酸化珪素を主成分とする材料か
らなることで解決するものである。
【００２５】第７に、ＥＬ素子を構成する陽極が配置さ
れる前記第１の平坦化膜および前記陽極のエッジを被覆
する第２の平坦化膜は、酸化珪素を主成分とする材料か
らなることで解決するものである。
れる前記第１の平坦化膜および前記陽極のエッジを被覆
する第２の平坦化膜は、酸化珪素を主成分とする材料か
らなることで解決するものである。
【００２６】第８に、前記酸化珪素を主成分とする材料
は、スピンオングラス膜、ディッピングにより形成され
る膜、吹きつけにより形成される膜または刷毛塗りによ
り形成される膜でなることで解決するものである。
は、スピンオングラス膜、ディッピングにより形成され
る膜、吹きつけにより形成される膜または刷毛塗りによ
り形成される膜でなることで解決するものである。
【００２７】膜にトラップされた水蒸気は、かなりの高
温度でベークしない限り、トラップされた全ての水蒸気
を外部に放出できない。
温度でベークしない限り、トラップされた全ての水蒸気
を外部に放出できない。
【００２８】従って平坦化膜ＰＬＮで採用される有機膜
の熱処理温度よりも高い温度で熱処理できる膜を採用す
れば、より多くの水蒸気を外部に放出でき、水蒸気（ま
たは水分）による表示ムラを防止できる。
の熱処理温度よりも高い温度で熱処理できる膜を採用す
れば、より多くの水蒸気を外部に放出でき、水蒸気（ま
たは水分）による表示ムラを防止できる。
【００２９】一方、平坦化膜ＰＬＮは、前述したように
ＥＬ素子間に流れる電流を均一にするため、表面がなだ
らかである必要がある。一般にグラス膜を形成するＳＯ
Ｇ（酸化珪素を主成分とする材料）は、塗布する前は液
体であり、液体故にその表面を平坦にできる。また塗布
後のベーク温度は、３００〜４５０度Ｃであるため、グ
ラス膜にトラップされた水蒸気は、有機膜に比べより多
くの水蒸気を外部に出すことができる。
ＥＬ素子間に流れる電流を均一にするため、表面がなだ
らかである必要がある。一般にグラス膜を形成するＳＯ
Ｇ（酸化珪素を主成分とする材料）は、塗布する前は液
体であり、液体故にその表面を平坦にできる。また塗布
後のベーク温度は、３００〜４５０度Ｃであるため、グ
ラス膜にトラップされた水蒸気は、有機膜に比べより多
くの水蒸気を外部に出すことができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明は、平坦化膜ＰＬＮの材料
に特徴を有するものであり、平面的な構成は図３と同じ
である。そのため、本実施の形態に於いても平面図は、
図３を採用する。
に特徴を有するものであり、平面的な構成は図３と同じ
である。そのため、本実施の形態に於いても平面図は、
図３を採用する。
【００３１】まず全体の構成が判るように、図１から図
３を参照して、表示画素について説明する。図３は、Ｅ
Ｌ表示装置の特に表示画素を平面的に示したもので、点
線で囲まれ点でハッチングした領域は、ゲート材料で形
成された領域、実線で囲まれハッチングされていない部
分は、Ｐ−Ｓｉ層、実線で囲まれ斜め点でハッチングし
た部分は、透明電極材料で成る部分である。更に実線で
囲まれ斜め線でハッチングされた部分が、Ａｌを主材料
とする金属材料で形成された部分である。
３を参照して、表示画素について説明する。図３は、Ｅ
Ｌ表示装置の特に表示画素を平面的に示したもので、点
線で囲まれ点でハッチングした領域は、ゲート材料で形
成された領域、実線で囲まれハッチングされていない部
分は、Ｐ−Ｓｉ層、実線で囲まれ斜め点でハッチングし
た部分は、透明電極材料で成る部分である。更に実線で
囲まれ斜め線でハッチングされた部分が、Ａｌを主材料
とする金属材料で形成された部分である。
【００３２】図１は、図３のＡ−Ａ線断面図であり、図
２は、図３のＢ−Ｂ線断面図である。なお、本実施の形
態においては、第１、第２のＴＦＴ１、４ともに、ボト
ムゲート型のＴＦＴを採用しており、能動層としてｐ−
Ｓｉ膜を用いている。またゲート電極１１、１５は、シ
ングルゲート構造である。
２は、図３のＢ−Ｂ線断面図である。なお、本実施の形
態においては、第１、第２のＴＦＴ１、４ともに、ボト
ムゲート型のＴＦＴを採用しており、能動層としてｐ−
Ｓｉ膜を用いている。またゲート電極１１、１５は、シ
ングルゲート構造である。
【００３３】また図３に於いて、ゲートラインＧＬ、ド
レインラインＤＬおよび駆動ラインＶＬで囲まれて成る
ものを表示画素と呼ぶ。
レインラインＤＬおよび駆動ラインＶＬで囲まれて成る
ものを表示画素と呼ぶ。
【００３４】では、図１〜図３を参照し、有機ＥＬ表示
装置を具体的に説明していく。
装置を具体的に説明していく。
【００３５】まず、少なくとも表面が絶縁性を有する透
明基板１０がある。本実施の形態では、ＥＬ素子を水分
から保護するため、メタルキャップ（カン）がＥＬ材料
を封止するように上面に設置されている。このメタルキ
ャップＣＡＰが設置されているため発光光は、前記透明
基板１０から取り出すため、基板１０は、透明である必
要があるが、発光光を上方から取り出す場合は、透明で
ある必要はない。ここでは、ガラスや合成樹脂などから
成る透明基板１０を採用している。
明基板１０がある。本実施の形態では、ＥＬ素子を水分
から保護するため、メタルキャップ（カン）がＥＬ材料
を封止するように上面に設置されている。このメタルキ
ャップＣＡＰが設置されているため発光光は、前記透明
基板１０から取り出すため、基板１０は、透明である必
要があるが、発光光を上方から取り出す場合は、透明で
ある必要はない。ここでは、ガラスや合成樹脂などから
成る透明基板１０を採用している。
【００３６】この透明基板１０の上には、図３の表示画
素の上側辺に沿って、左右にゲートラインＧＬが設けら
れている。また保持容量８の下層電極として作用する保
持容量電極２が設けられると共に、この保持容量電極２
をお互いにつなぐため、保持容量ラインＣＬが左右に延
在されている。これら両ラインＧＬ、ＣＬは、同層でな
るため、点でハッチングしてある。また材料としては、
上層にＰ−Ｓｉを採用する理由からＣｒやＴａ等の高融
点金属が採用される。ここでは、約１０００〜２０００
ÅのＣｒがスパッタリングにて形成されている。またパ
ターニングの際は、ステップカバレージが考慮され、側
辺はテーパー形状に加工されている。
素の上側辺に沿って、左右にゲートラインＧＬが設けら
れている。また保持容量８の下層電極として作用する保
持容量電極２が設けられると共に、この保持容量電極２
をお互いにつなぐため、保持容量ラインＣＬが左右に延
在されている。これら両ラインＧＬ、ＣＬは、同層でな
るため、点でハッチングしてある。また材料としては、
上層にＰ−Ｓｉを採用する理由からＣｒやＴａ等の高融
点金属が採用される。ここでは、約１０００〜２０００
ÅのＣｒがスパッタリングにて形成されている。またパ
ターニングの際は、ステップカバレージが考慮され、側
辺はテーパー形状に加工されている。
【００３７】続いて、全面にはゲート絶縁膜７と半導体
層が積層されて形成されている。ここでは、前記ゲート
絶縁膜７、第１の能動層１２、第２の能動層１６および
保持容量８の上層電極である容量電極３の材料であるａ
−Ｓｉも含めてプラズマＣＶＤで形成されている。具体
的には、下層より約５００ÅのＳｉ窒化膜、約１３００
ÅのＳｉ酸化膜および約５００Åのａ−Ｓｉが連続プラ
ズマＣＶＤで形成される。
層が積層されて形成されている。ここでは、前記ゲート
絶縁膜７、第１の能動層１２、第２の能動層１６および
保持容量８の上層電極である容量電極３の材料であるａ
−Ｓｉも含めてプラズマＣＶＤで形成されている。具体
的には、下層より約５００ÅのＳｉ窒化膜、約１３００
ÅのＳｉ酸化膜および約５００Åのａ−Ｓｉが連続プラ
ズマＣＶＤで形成される。
【００３８】このａ−Ｓｉは、約４００度の窒素雰囲気
中で脱水素アニールが行われ、その後、エキシマレーザ
によりＰ−Ｓｉ化される。また符号１３、１７は、Ｓｉ
酸化膜から成るストッパ絶縁膜であり、能動層１２、１
６のイオン注入時のマスクとなる。第１のＴＦＴ１は、
第１のストッパ絶縁膜１３をマスクにしてＰ（リン）イ
オンが注入され、Ｎチャンネル型のソース、ドレインが
形成され、第２のＴＦＴ４は、第２のストッパ絶縁膜１
７をマスクにしてＢ（ボロン）イオンが注入されてＰチ
ャンネル型のソース、ドレインが形成されている。
中で脱水素アニールが行われ、その後、エキシマレーザ
によりＰ−Ｓｉ化される。また符号１３、１７は、Ｓｉ
酸化膜から成るストッパ絶縁膜であり、能動層１２、１
６のイオン注入時のマスクとなる。第１のＴＦＴ１は、
第１のストッパ絶縁膜１３をマスクにしてＰ（リン）イ
オンが注入され、Ｎチャンネル型のソース、ドレインが
形成され、第２のＴＦＴ４は、第２のストッパ絶縁膜１
７をマスクにしてＢ（ボロン）イオンが注入されてＰチ
ャンネル型のソース、ドレインが形成されている。
【００３９】また図３のように、ホトリソグラフィ技術
によりＰ−Ｓｉ層がパターニングされている。つまり第
１のＴＦＴ１のＰ−Ｓｉ層は、ゲートラインＧＬとドレ
インラインＤＬの左上交差部の下方で、ドレインライン
ＤＬと重畳し、ゲート電極１１の上層を延在した後、保
持容量電極２と重畳する容量電極３として延在されてい
る。またこの容量電極３は、第２のＴＦＴ４のゲート電
極１５と電気的に接続するために用いられる接続配線３
０の右端下層に延在される。一方、第２のＴＦＴ４のＰ
−Ｓｉ層は、右側の駆動ラインＶＬの下層から第２のゲ
ート電極１５の上層を延在し、透明電極から成る陽極６
の下層に延在されている。
によりＰ−Ｓｉ層がパターニングされている。つまり第
１のＴＦＴ１のＰ−Ｓｉ層は、ゲートラインＧＬとドレ
インラインＤＬの左上交差部の下方で、ドレインライン
ＤＬと重畳し、ゲート電極１１の上層を延在した後、保
持容量電極２と重畳する容量電極３として延在されてい
る。またこの容量電極３は、第２のＴＦＴ４のゲート電
極１５と電気的に接続するために用いられる接続配線３
０の右端下層に延在される。一方、第２のＴＦＴ４のＰ
−Ｓｉ層は、右側の駆動ラインＶＬの下層から第２のゲ
ート電極１５の上層を延在し、透明電極から成る陽極６
の下層に延在されている。
【００４０】そして全面には、層間絶縁膜１４が形成さ
れている。この層間絶縁膜１４は、下から約１０００Å
のＳｉ酸化膜、約３０００ÅのＳｉ窒化膜、１０００Å
のＳｉ酸化膜の三層構造が連続ＣＶＤで形成されてい
る。この層間絶縁膜は、少なくとも一層有れば良い。膜
厚もこれに限らない。
れている。この層間絶縁膜１４は、下から約１０００Å
のＳｉ酸化膜、約３０００ÅのＳｉ窒化膜、１０００Å
のＳｉ酸化膜の三層構造が連続ＣＶＤで形成されてい
る。この層間絶縁膜は、少なくとも一層有れば良い。膜
厚もこれに限らない。
【００４１】次に、層間絶縁膜１４の上層には、図３の
斜め線でハッチングしたドレインラインＤＬ、駆動ライ
ンＶＬおよび接続配線３０が形成される。当然コンタク
トが形成され、ドレインラインＤＬと第１のＴＦＴ１の
半導体層１２とのコンタクト孔Ｃ１、駆動ラインＶＬと
第２のＴＦＴ４の半導体層１６とのコンタクト孔Ｃ２、
接続配線３０と容量電極３とのコンタクト孔Ｃ４は、そ
れぞれの半導体層が露出されている。また接続配線３０
と第２のゲート電極１５のコンタクト孔Ｃ５は、前述の
コンタクト孔とは異なり、ゲート絶縁膜が余分に積層さ
れているため、更にエッチングされＣｒが露出されてい
る。このライン材料は、下層に１０００ÅのＭｏ、上層
に７０００ÅのＡｌ、更にその上にＭｏが積層された構
造であり、Ｍｏは、バリア層である。尚コンタクト孔Ｃ
３は、後述する。
斜め線でハッチングしたドレインラインＤＬ、駆動ライ
ンＶＬおよび接続配線３０が形成される。当然コンタク
トが形成され、ドレインラインＤＬと第１のＴＦＴ１の
半導体層１２とのコンタクト孔Ｃ１、駆動ラインＶＬと
第２のＴＦＴ４の半導体層１６とのコンタクト孔Ｃ２、
接続配線３０と容量電極３とのコンタクト孔Ｃ４は、そ
れぞれの半導体層が露出されている。また接続配線３０
と第２のゲート電極１５のコンタクト孔Ｃ５は、前述の
コンタクト孔とは異なり、ゲート絶縁膜が余分に積層さ
れているため、更にエッチングされＣｒが露出されてい
る。このライン材料は、下層に１０００ÅのＭｏ、上層
に７０００ÅのＡｌ、更にその上にＭｏが積層された構
造であり、Ｍｏは、バリア層である。尚コンタクト孔Ｃ
３は、後述する。
【００４２】更に約１〜３μｍの平坦化膜ＰＬＮ１が全
面に形成されている。この平坦化膜ＰＬＮ１は、後述す
る平坦化膜ＰＬＮ２の採用と一緒に表面を平坦にする。
その理由は、従来例でも述べた有機ＥＬ用の膜にある。
この膜は、第１のホール輸送層２１、第２ホール輸送層
２２、発光層２３及び電子輸送層２４から成る。またホ
ール輸送層は、一層から構成されても良い。従って、有
機層が非常に薄い膜の積層体である。またＥＬ素子は、
電流駆動であるため、これらの膜厚が極めて均一に形成
されないと、膜厚の薄い部分を介して電流が大量に流
れ、その部分にひときわ輝く輝点が発生すると同時に、
このポイントは、有機膜の劣化を発生し、最悪の場合破
壊に至る。従って、この破壊を防止するには、陽極６を
含む全面ができるだけ平坦である必要がある。
面に形成されている。この平坦化膜ＰＬＮ１は、後述す
る平坦化膜ＰＬＮ２の採用と一緒に表面を平坦にする。
その理由は、従来例でも述べた有機ＥＬ用の膜にある。
この膜は、第１のホール輸送層２１、第２ホール輸送層
２２、発光層２３及び電子輸送層２４から成る。またホ
ール輸送層は、一層から構成されても良い。従って、有
機層が非常に薄い膜の積層体である。またＥＬ素子は、
電流駆動であるため、これらの膜厚が極めて均一に形成
されないと、膜厚の薄い部分を介して電流が大量に流
れ、その部分にひときわ輝く輝点が発生すると同時に、
このポイントは、有機膜の劣化を発生し、最悪の場合破
壊に至る。従って、この破壊を防止するには、陽極６を
含む全面ができるだけ平坦である必要がある。
【００４３】従来では、アクリル系の液状樹脂が塗布さ
れた。この膜は、硬化前に流動性を有することから、平
坦にされてから硬化された。しかし詳細は後述するが、
水蒸気がトラップされやすい材料であるため、ここでは
一例としてＳＯＧ膜を採用している。
れた。この膜は、硬化前に流動性を有することから、平
坦にされてから硬化された。しかし詳細は後述するが、
水蒸気がトラップされやすい材料であるため、ここでは
一例としてＳＯＧ膜を採用している。
【００４４】ここでは、陽極６と第２のＴＦＴ４のソー
スが接続されるため、平坦化膜ＰＬＮ１および層間絶縁
膜１４が開口され、第２の能動層１６が露出されたコン
タクト孔Ｃ３が形成されている。
スが接続されるため、平坦化膜ＰＬＮ１および層間絶縁
膜１４が開口され、第２の能動層１６が露出されたコン
タクト孔Ｃ３が形成されている。
【００４５】更陽極６が形成された上には、更に第２の
平坦化膜ＰＬＮ２が形成される。ここも第１の平坦化膜
ＰＬＮ１と同様に、ＳＯＧ膜が採用される。そして陽極
６に対応する第２の平坦化膜ＰＬＮ２が取り除かれ、そ
の上にはＥＬ素子を構成する有機膜が形成されている。
まず陽極６の上には、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methyl
phenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送
層２１、及びＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylpheny
lamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層２
２、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂ
ｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）
から成る発光層２３及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層
２４からなる発光素子層ＥＭ、マグネシウム・銀（Ａ
ｇ）合金、ＡｌとＬｉの合金またはＡｌ／ＬｉＦ等から
成る陰極２５が積層形成された構造である。有機層の膜
厚は、前述してあるのでそれを参照。また、陰極２５は
Ａｌ／ＬｉＦの合金を採用し、その膜厚は１０００〜２
０００Åである。
平坦化膜ＰＬＮ２が形成される。ここも第１の平坦化膜
ＰＬＮ１と同様に、ＳＯＧ膜が採用される。そして陽極
６に対応する第２の平坦化膜ＰＬＮ２が取り除かれ、そ
の上にはＥＬ素子を構成する有機膜が形成されている。
まず陽極６の上には、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methyl
phenylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送
層２１、及びＴＰＤ（4,4,4-tris(3-methylphenylpheny
lamino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層２
２、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂ
ｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）
から成る発光層２３及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層
２４からなる発光素子層ＥＭ、マグネシウム・銀（Ａ
ｇ）合金、ＡｌとＬｉの合金またはＡｌ／ＬｉＦ等から
成る陰極２５が積層形成された構造である。有機層の膜
厚は、前述してあるのでそれを参照。また、陰極２５は
Ａｌ／ＬｉＦの合金を採用し、その膜厚は１０００〜２
０００Åである。
【００４６】更に、表示領域のＥＬ層、または全てのＥ
Ｌ層をカバーするメタルキャップが形成されている。Ｅ
Ｌ層は、水を吸湿すると劣化し、水の浸入に対して保護
が必要となるからである。
Ｌ層をカバーするメタルキャップが形成されている。Ｅ
Ｌ層は、水を吸湿すると劣化し、水の浸入に対して保護
が必要となるからである。
【００４７】有機ＥＬ素子の発光原理および動作は、陽
極６から注入されたホールと、陰極２５から注入された
電子とが発光層ＥＭの内部で再結合し、発光層ＥＭを形
成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励
起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この
光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出さ
れて発光する。
極６から注入されたホールと、陰極２５から注入された
電子とが発光層ＥＭの内部で再結合し、発光層ＥＭを形
成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励
起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この
光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出さ
れて発光する。
【００４８】本発明のポイントは、平坦化膜ＰＬＮにあ
る。前述したように、従来用いた平坦化膜ＰＬＮは、有
機系の材料で成り、吸湿性が高く、吸湿によりＥＬ素子
の発光にムラが発生した。しかも有機系の材料であるた
め、耐熱温度がせいぜい２５０度Ｃ程度であるため、平
坦化膜ＰＬＮを塗布した後、２５０度Ｃ程度でベークア
ウトとしても、平坦化膜ＰＬＮ中に水蒸気が残り、この
水蒸気がＥＬ素子の発光ムラを発生させてしまった。
る。前述したように、従来用いた平坦化膜ＰＬＮは、有
機系の材料で成り、吸湿性が高く、吸湿によりＥＬ素子
の発光にムラが発生した。しかも有機系の材料であるた
め、耐熱温度がせいぜい２５０度Ｃ程度であるため、平
坦化膜ＰＬＮを塗布した後、２５０度Ｃ程度でベークア
ウトとしても、平坦化膜ＰＬＮ中に水蒸気が残り、この
水蒸気がＥＬ素子の発光ムラを発生させてしまった。
【００４９】本発明は、この点に着目し、まず第１の平
坦化膜ＰＬＮ１または／および第２の平坦化膜ＰＬＮ２
は、水分を蒸発させる温度に耐えうる材料が好ましく、
更には焼結前に流動性を有し、焼結温度は、有機系の材
料よりも温度が高い材料が適している。
坦化膜ＰＬＮ１または／および第２の平坦化膜ＰＬＮ２
は、水分を蒸発させる温度に耐えうる材料が好ましく、
更には焼結前に流動性を有し、焼結温度は、有機系の材
料よりも温度が高い材料が適している。
【００５０】これらの条件に合う材料は、一例としてＳ
ＯＧ（スピン・オン・グラス）膜がある。これは、焼結
前は、液体であり、流動性を有し、塗布された後は液体
故にその表面が平坦化される。この平坦化された状態で
焼結されるため、従来の平坦化膜ＰＬＮと同様に全面が
平坦化される。
ＯＧ（スピン・オン・グラス）膜がある。これは、焼結
前は、液体であり、流動性を有し、塗布された後は液体
故にその表面が平坦化される。この平坦化された状態で
焼結されるため、従来の平坦化膜ＰＬＮと同様に全面が
平坦化される。
【００５１】しかもベーキング温度が、３００〜４５０
度Ｃと有機材料のベーキング温度よりもはるかに高い。
従って、もともと前記液体に混入された水蒸気は、外部
に放出され、またベーキング後は、酸化珪素を主材料と
するため、有機膜よりもはるかに吸湿性が低い。
度Ｃと有機材料のベーキング温度よりもはるかに高い。
従って、もともと前記液体に混入された水蒸気は、外部
に放出され、またベーキング後は、酸化珪素を主材料と
するため、有機膜よりもはるかに吸湿性が低い。
【００５２】この平坦化膜ＰＬＮ１、ＰＬＮ２は、前述
したように、焼結前は、液体であり、流動性を有すれば
良く、前記ＳＯＧ膜に限らない。また形成方法もスピン
・オン以外に、ディッピング法、吹きつけによる方法、
またはスクリーン印刷等の刷毛塗りによる方法が考えら
れる。
したように、焼結前は、液体であり、流動性を有すれば
良く、前記ＳＯＧ膜に限らない。また形成方法もスピン
・オン以外に、ディッピング法、吹きつけによる方法、
またはスクリーン印刷等の刷毛塗りによる方法が考えら
れる。
【００５３】また本実施の形態では、平坦化膜を２層形
成しているが、第２の平坦化膜ＰＬＮ２を省略し、第１
の平坦化膜ＰＬＮ１だけ採用しても良い。
成しているが、第２の平坦化膜ＰＬＮ２を省略し、第１
の平坦化膜ＰＬＮ１だけ採用しても良い。
【００５４】膜にトラップされた水蒸気は、かなりの高
温度でベークしない限り、トラップされた全ての水蒸気
を外部に放出できない。
温度でベークしない限り、トラップされた全ての水蒸気
を外部に放出できない。
【００５５】従って従来、平坦化膜ＰＬＮとして採用さ
れる有機膜の熱処理温度よりも高い温度で熱処理できる
膜を採用しているので、より多くの水蒸気を外部に放出
でき、しかも水蒸気の吸着はより少ないので、水蒸気
（または水分）による表示ムラを防止できる。
れる有機膜の熱処理温度よりも高い温度で熱処理できる
膜を採用しているので、より多くの水蒸気を外部に放出
でき、しかも水蒸気の吸着はより少ないので、水蒸気
（または水分）による表示ムラを防止できる。
【００５６】以上、ボトムゲート型構造で説明してきた
が、本発明は、トップゲート型構造でも採用でき、第２
の実施の形態として以下に説明する。
が、本発明は、トップゲート型構造でも採用でき、第２
の実施の形態として以下に説明する。
【００５７】トップゲート型構造の平面パターンは、ボ
トムゲート型構造と実質同じであるので図３を代用す
る。また図３のＡ−Ａ線に対応する断面図を図６に、Ｂ
−Ｂ線に対応する断面図を図７に示した。これよりトッ
プゲート型の図面は、符号の下二桁を前実施の形態と同
じ数字にしている。
トムゲート型構造と実質同じであるので図３を代用す
る。また図３のＡ−Ａ線に対応する断面図を図６に、Ｂ
−Ｂ線に対応する断面図を図７に示した。これよりトッ
プゲート型の図面は、符号の下二桁を前実施の形態と同
じ数字にしている。
【００５８】簡単に説明すれば、全面には絶縁層ＩＬが
形成される。この絶縁層ＩＬは、下層に５００ÅのＳｉ
窒化膜、上層に１０００ÅのＳｉ酸化膜が積層されたも
のである。尚、Ｓｉ窒化膜は、ガラスから溶出する不純
物のストッパとして働く。
形成される。この絶縁層ＩＬは、下層に５００ÅのＳｉ
窒化膜、上層に１０００ÅのＳｉ酸化膜が積層されたも
のである。尚、Ｓｉ窒化膜は、ガラスから溶出する不純
物のストッパとして働く。
【００５９】続いて、第１のＴＦＴ１０１の能動層１１
２、この能動層１１２が延在されて成る保持容量８の下
層電極、第２のＴＦＴ１０４の第２の能動層１１６の形
成部分に半導体層（Ｐ−Ｓｉまたはａ−Ｓｉ）が形成さ
れている。
２、この能動層１１２が延在されて成る保持容量８の下
層電極、第２のＴＦＴ１０４の第２の能動層１１６の形
成部分に半導体層（Ｐ−Ｓｉまたはａ−Ｓｉ）が形成さ
れている。
【００６０】更には、全面にゲート絶縁膜１０７が積層
され、この上にゲート電極１１１、ゲート電極１１１と
一体のゲートラインＧＬが形成されると同時に、保持容
量１０８の上層電極が前記ゲート電極と同一材料で同層
に形成されている。この保持容量１０８の上層電極は、
図３の保持容量電極２に相当し、保持容量ラインＣＬも
含めて一体で左右に延在して形成される。ここでゲート
電極材料は、前述した高融点金属材料の他にＡｌを主成
分とした材料を用いても良い。Ａｌが使用できる理由と
して、層間絶縁膜１１４がプラズマＣＶＤ等で低温成膜
できるからである。
され、この上にゲート電極１１１、ゲート電極１１１と
一体のゲートラインＧＬが形成されると同時に、保持容
量１０８の上層電極が前記ゲート電極と同一材料で同層
に形成されている。この保持容量１０８の上層電極は、
図３の保持容量電極２に相当し、保持容量ラインＣＬも
含めて一体で左右に延在して形成される。ここでゲート
電極材料は、前述した高融点金属材料の他にＡｌを主成
分とした材料を用いても良い。Ａｌが使用できる理由と
して、層間絶縁膜１１４がプラズマＣＶＤ等で低温成膜
できるからである。
【００６１】また能動層である半導体層は、前記ゲート
電極材料で形成されたパターンをマスクとして不純物が
注入される。もちろんＰチャンネルとＮチャンネルのＴ
ＦＴがあるため、一方はレジストにてマスクされる（こ
れはボトムゲート型構造でも同様である。）。そして不
純物が注入された後に半導体層がパターニングされる。
また保持容量電極１０２の下層の半導体層は、不純物が
注入されない。しかしここに前記第１のゲート電極１１
１に加わる電圧、あるいはそれ以上の電圧を加え、半導
体層にチャンネルを発生させることで電極として活用し
ている。
電極材料で形成されたパターンをマスクとして不純物が
注入される。もちろんＰチャンネルとＮチャンネルのＴ
ＦＴがあるため、一方はレジストにてマスクされる（こ
れはボトムゲート型構造でも同様である。）。そして不
純物が注入された後に半導体層がパターニングされる。
また保持容量電極１０２の下層の半導体層は、不純物が
注入されない。しかしここに前記第１のゲート電極１１
１に加わる電圧、あるいはそれ以上の電圧を加え、半導
体層にチャンネルを発生させることで電極として活用し
ている。
【００６２】更に層間絶縁膜１１４が形成された後、ド
レインラインＤＬ、駆動ラインＶＬが形成され、その上
に第１の平坦化膜ＰＬＮ１が形成された後に陽極１０６
として透明電極が形成される。この陽極１０６と第２の
ＴＦＴ１０４とのコンタクトＣ３は、駆動ラインＶＬと
同層にソース電極ＳＥが形成される。またダイレクトに
コンタクトしても良い。また陽極１０６が形成された
後、第１の平坦化膜ＰＬＮ１と陽極１０６の凹凸をなだ
らかにするため、第２の平坦化膜ＰＬＮ２が形成され、
この陽極１０６に対応する第２の平坦化膜ＰＬＮ２が取
り除かれている。
レインラインＤＬ、駆動ラインＶＬが形成され、その上
に第１の平坦化膜ＰＬＮ１が形成された後に陽極１０６
として透明電極が形成される。この陽極１０６と第２の
ＴＦＴ１０４とのコンタクトＣ３は、駆動ラインＶＬと
同層にソース電極ＳＥが形成される。またダイレクトに
コンタクトしても良い。また陽極１０６が形成された
後、第１の平坦化膜ＰＬＮ１と陽極１０６の凹凸をなだ
らかにするため、第２の平坦化膜ＰＬＮ２が形成され、
この陽極１０６に対応する第２の平坦化膜ＰＬＮ２が取
り除かれている。
【００６３】またＥＬ素子２０は、前実施の形態と同様
なので説明は省略する。
なので説明は省略する。
【００６４】本実施の形態でも、平坦化膜として前実施
の形態で採用した膜が採用される。詳細な説明は前実施
の形態で説明したので、省略する。
の形態で採用した膜が採用される。詳細な説明は前実施
の形態で説明したので、省略する。
【００６５】また第２の平坦化膜ＰＬＮ２は、省略して
も良い。
も良い。
【００６６】上述の２つの実施の形態においては、半導
体膜としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又
は非晶質シリコン膜等の半導体膜を用いても良い。また
シングルゲート型で説明したがダブルゲート型ＴＦＴで
も良い。
体膜としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又
は非晶質シリコン膜等の半導体膜を用いても良い。また
シングルゲート型で説明したがダブルゲート型ＴＦＴで
も良い。
【００６７】更に、上述の実施の形態においては、有機
ＥＬ表示装置について説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、発光層が無機材料から成る無機Ｅ
Ｌ表示装置にも適用が可能であり、同様の効果が得られ
る。
ＥＬ表示装置について説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、発光層が無機材料から成る無機Ｅ
Ｌ表示装置にも適用が可能であり、同様の効果が得られ
る。
【００６８】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、従来
用いていた平坦化膜の有機材料よりもその熱処理温度が
高い膜を採用すれば、より多くの水蒸気を外部に放出で
き、水蒸気（または水分）による表示ムラを防止でき
る。また材料として酸化珪素を主成分とする材料を用い
ているので、有機材料よりも吸湿性が低いため、水蒸気
（または水分）による表示ムラをより防止できる。
用いていた平坦化膜の有機材料よりもその熱処理温度が
高い膜を採用すれば、より多くの水蒸気を外部に放出で
き、水蒸気（または水分）による表示ムラを防止でき
る。また材料として酸化珪素を主成分とする材料を用い
ているので、有機材料よりも吸湿性が低いため、水蒸気
（または水分）による表示ムラをより防止できる。
【００６９】一方、平坦化膜は、ＥＬ素子間に流れる電
流を均一にするため、表面がなだらかである必要があ
る。従って、塗布する前は流動性を有する材料の採用に
より、よりＥＬ素子の有機層を均一にでき、ＥＬ素子の
輝度を均一にできる。
流を均一にするため、表面がなだらかである必要があ
る。従って、塗布する前は流動性を有する材料の採用に
より、よりＥＬ素子の有機層を均一にでき、ＥＬ素子の
輝度を均一にできる。
【図１】本発明のＥＬ表示装置を説明する図である。
【図２】本発明のＥＬ表示装置を説明する図である。
【図３】従来および本発明のＥＬ表示装置を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に対応する従来のＥＬ表示装置
の断面図である。
の断面図である。
【図５】図３のＢ−Ｂ線に対応する従来のＥＬ表示装置
の断面図である。
の断面図である。
【図６】図３のＡ−Ａ線に相当するトップゲート型ＴＦ
Ｔを採用したＥＬ表示装置の断面図である。
Ｔを採用したＥＬ表示装置の断面図である。
【図７】図３のＢ−Ｂ線に相当するトップゲート型ＴＦ
Ｔを採用したＥＬ表示装置の断面図である。
Ｔを採用したＥＬ表示装置の断面図である。
１ 第１のＴＦＴ ２ 保持容量電極 ３ 容量電極 ４ 第２のＴＦＴ ６ 陽極 ８ 保持容量 １４ 層間絶縁膜 ２０ ＥＬ素子 ＧＬ ゲートライン ＤＬ ドレインライン ＣＬ 保持容量ライン ＶＬ 駆動ラインＶＬ ＰＬＮ１、ＰＬＮ２ 平坦化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB02 AB13 AB14 BB07 CA01 CA05 CB01 DA00 EB00 FA01 FA03 5C094 AA03 AA33 AA38 AA60 BA03 BA27 DA09 EA05 EB02 FB01
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁性を有する基板上に形成されたＥＬ
素子と、前記ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタとを
有するＥＬ表示装置に於いて、前記ＥＬ素子を構成する
陽極の下層には、水分を蒸発させる温度に耐えうる膜が
平坦化膜として形成されることを特徴とするＥＬ表示装
置。 - 【請求項２】 絶縁性を有する基板上に形成されたＥＬ
素子と、前記ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタとを
有するＥＬ表示装置に於いて、前記ＥＬ素子を構成する
陽極のエッジは、水分を蒸発させる温度に耐えうる膜が
平坦化膜として覆われていることを特徴とするＥＬ表示
装置 - 【請求項３】 前記平坦化膜は、焼結前に流動性を有
し、焼結温度は、有機系の材料よりも温度が高い材料で
成ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
ＥＬ表示装置。 - 【請求項４】 前記温度は、３００度Ｃ以上であること
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の
ＥＬ表示装置。 - 【請求項５】 前記水分を蒸発させる温度に耐えうる膜
は、酸化珪素を主成分とする材料からなることを特徴と
する請求項１から請求項４のいずれかに記載のＥＬ表示
装置。 - 【請求項６】 絶縁性を有する透明基板に形成された薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う層間絶
縁膜と、前記層間絶縁膜の凹凸を被覆し、その表面を平
坦化する第１の平坦化膜と、前記薄膜トランジスタの活
性領域と電気的に接続されるＥＬ素子とを有し、 前記ＥＬ素子を構成する陽極が配置される前記第１の平
坦化膜は、酸化珪素を主成分とする材料からなることを
特徴とするＥＬ表示装置。 - 【請求項７】 絶縁性を有する透明基板に形成された薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う層間絶
縁膜と、前記層間絶縁膜の凹凸を被覆し、その表面を平
坦化する第１の平坦化膜と、前記薄膜トランジスタの活
性領域と電気的に接続されるＥＬ素子とを有し、 前記ＥＬ素子を構成する陽極が配置される前記第１の平
坦化膜および前記陽極のエッジを被覆する第２の平坦化
膜は、酸化珪素を主成分とする材料からなることを特徴
とするＥＬ表示装置。 - 【請求項８】 前記酸化珪素を主成分とする材料は、ス
ピンオングラス膜、ディッピングにより形成される膜、
吹きつけにより形成される膜または刷毛塗りにより形成
される膜でなることを特徴とする請求項５から請求項６
のいずれかに記載のＥＬ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28179499A JP2001102165A (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | Ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28179499A JP2001102165A (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | Ｅｌ表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001102165A true JP2001102165A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17644080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28179499A Pending JP2001102165A (ja) | 1999-10-01 | 1999-10-01 | Ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001102165A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004079509A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US7034457B2 (en) | 2003-02-24 | 2006-04-25 | Sony Corporation | Display unit and method of manufacturing the same |
| US8120031B2 (en) | 2002-05-17 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including an opening formed in a gate insulating film, a passivation film, and a barrier film |
-
1999
- 1999-10-01 JP JP28179499A patent/JP2001102165A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004079509A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP4493933B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US8120031B2 (en) | 2002-05-17 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including an opening formed in a gate insulating film, a passivation film, and a barrier film |
| US9366930B2 (en) | 2002-05-17 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with capacitor elements |
| US10133139B2 (en) | 2002-05-17 | 2018-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US10527903B2 (en) | 2002-05-17 | 2020-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US11422423B2 (en) | 2002-05-17 | 2022-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7034457B2 (en) | 2003-02-24 | 2006-04-25 | Sony Corporation | Display unit and method of manufacturing the same |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050823 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
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