JP6198434B2 - 表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
本発明の一態様は、画素部と、前記画素部の外側に設けられる駆動回路部と、を有し、前記画素部は、画素トランジスタと、前記画素トランジスタを覆う無機材料で形成される第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に設けられ、且つ有機材料で形成される第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に設けられ、且つ無機材料で形成される第3の絶縁層と、を有し、前記駆動回路部は、前記画素トランジスタに信号を供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタを覆う前記第1の絶縁層と、を有し、前記駆動回路部において、前記第2の絶縁層は形成されていないことを特徴とする表示装置である。
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図1を用いて説明する。
別言すれば、ゲートドライバ回路部106は、第1の絶縁層122上に第2の絶縁層124が形成されていない、または第1の絶縁層122が第2の絶縁層124によって覆われていない。
本実施の形態では、表示装置の一形態を、図2(A)を用いて説明する。
図2(A)は、図1(A)におけるX1−Y1の断面に相当する図であり、図1(B)と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本実施の形態では、表示装置の一形態を、図2(B)を用いて説明する。
図2(B)は、図1(A)におけるX1−Y1の断面に相当する図であり、図1(B)と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本変形例による表示装置は、実施の形態1〜3における画素トランジスタ及び駆動トランジスタを図3(A)、(B)に示すトランジスタに変更したものである。
104 画素部
106 ゲートドライバ回路部
108 ソースドライバ回路部
110 ゲート電極層
112 ゲート絶縁層
114 半導体層
116 ソース電極層
117 層
118 ドレイン電極層
120 絶縁層
122 第1の絶縁層
124 第2の絶縁層
126 共通電極層
128 第3の無機絶縁層
130 画素電極層
132 第1の配向膜
140 チャネル保護層
152 第2の基板(対向基板)
154 有色層(CF)
156 遮光層(BM)
158 有機絶縁層(OC)
160 対向電極層
162 第2の配向膜
164 液晶層
Claims (18)
- 画素部と、前記画素部の外側に設けられる駆動回路部と、を有し、
前記画素部は、
画素トランジスタと、
前記画素トランジスタを覆う無機材料で形成される第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に設けられ、且つ有機材料で形成される第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上に設けられ、且つ無機材料で形成される第3の絶縁層と、
を有し、
前記駆動回路部は、
前記画素トランジスタに信号を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタを覆う前記第1の絶縁層と、
を有し、
前記駆動回路部において、
前記第2の絶縁層は形成されていなく、
前記画素トランジスタ及び前記駆動トランジスタそれぞれは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート電極上に形成された、前記ゲート絶縁層上に位置する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記画素部は、前記第1の絶縁層下に形成され、前記ゲート絶縁層上に形成された層を有し、当該層は、前記駆動回路部と前記画素部との境界近傍に沿って形成されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記駆動回路部は、
前記第1の絶縁層上に形成される前記第3の絶縁層を有する
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項2において、
前記駆動回路部において、
前記第1の絶縁層は前記第3の絶縁層と接する
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記駆動回路部の外側に設けられる非表示領域を有し、
前記非表示領域は、前記第1の絶縁層を有し、
前記非表示領域において、
前記第2の絶縁層は形成されていない
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記画素トランジスタ及び前記駆動トランジスタそれぞれは、酸化物半導体層にチャネルが形成される
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記層は、前記ソース電極と同一層によって形成されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項5または請求項6において、
前記酸化物半導体層は、酸化インジウム、酸化スズ、及び酸化亜鉛の群から選択された少なくとも一つの酸化物を含む層である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項5乃至請求項7のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、In−Ga−Zn系酸化物半導体層である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項5乃至8のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、結晶部を含み、
前記結晶部は、c軸が前記酸化物半導体層の被形成面の法線ベクトルに平行な方向に揃う
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一において、
前記第1の絶縁層は、酸素または窒素を含むシリコン膜である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項10において、
前記第1の絶縁層は、
酸化シリコン膜と、窒化シリコン膜との積層構造である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項10において、
前記第1の絶縁層は、酸化窒化シリコン膜と、窒化シリコン膜との積層構造である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項12において、
前記窒化シリコン膜は、前記酸化窒化シリコン膜に形成された鬆を覆う
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか一において、
前記第2の絶縁層はアクリル系樹脂材料である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項14のいずれか一において、
前記第3の絶縁層は、窒素を含むシリコン膜である
ことを特徴とする表示装置。 - 画素部と、前記画素部の外側に設けられる駆動回路部と、を有し、
前記画素部は、
画素トランジスタと、
前記画素トランジスタを覆う酸素を含むシリコン膜からなる第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に設けられ、且つアクリル系樹脂材料からなる第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上に設けられ、且つ窒素を含むシリコン膜からなる第3の絶縁層と、
を有し、
前記駆動回路部は、
前記画素トランジスタに信号を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタを覆う前記第1の絶縁層と、
を有し、
前記駆動回路部において、
前記第2の絶縁層は形成されていなく、
前記画素トランジスタ及び前記駆動トランジスタそれぞれは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート電極上に形成された、前記ゲート絶縁層上に位置する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記画素部は、前記第1の絶縁層下に形成され、前記ゲート絶縁層上に形成された層を有し、当該層は、前記駆動回路部と前記画素部との境界近傍に沿って形成されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項16のいずれか一において、
前記画素部において、
前記第2の絶縁層上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極上に形成された前記第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上に形成された第2の電極と、
を有する
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項17のいずれか一に記載する表示装置を有する電子機器。
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