CN110534549A - 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括一显示区和一非显示区，所述阵列基板进一步包括：一基板；一第一透明膜层，所述第一透明膜层设置在位于所述显示区的所述基板上；一层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖在所述基板上；以及一第二透明膜层，所述第二透明膜层设置在所述层间绝缘层上。在不增加黄光道数，透明电容区域可以透光，增大了开口区域，源漏极金属避免了传统的结构，不存在底切问题，后续膜层剥离风险减小。

Description

阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
技术领域
本发明涉及阵列基板领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)以其自发光、全固态、高对比等优点，成为近年来最具潜力的新型显示器件。
OLED开口率越高，光线通过的效率越高，当光线经由背光板发射出来时，并不是所有的光线都能穿过面板，比如OLED源极驱动芯片及栅极驱动芯片用的信号走线，以及薄膜晶体管本身，还有基板上的电容区等，这些地方不完全透光，而有效的透光区域与全部面积的比例就称之为开口率。
而目前底发光结构的OLED面板，因为大量图形占据了一部分面积，提高开口率的程度受到了很大的限制，如图1所示，现有OLED面板中包括衬底35，设置在衬底35上的第一遮光层36和第二遮光层30，缓冲层37设置在第一遮光层36和第二遮光层30上，层间绝缘层38覆盖在缓冲层37上，钝化层39覆盖在层间绝缘层38上，平坦层40设置在钝化层39上，以及像素定义层41设置在平坦层40上，其中栅极绝缘层31、栅极32以及复合膜层，形成的阵列基板的电容区，其中复合膜层由层叠设置的铜膜层34和钼膜层33组成，其中电容区中都是由不透光的金属材料构成，从而导致透光区减小，并且降低开口率。
有鉴于此，如何增加开口率成为了相关研究者或开发人员的重点研究课题。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，将电容区变成透光区，增加开口率，而且复合金属膜层能够解决传统工艺中底切的问题，从而减小导致钝化层覆盖上去容易剥离的风险。
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括一显示区和一非显示区，所述阵列基板进一步包括：一基板；一第一透明膜层，所述第一透明膜层设置在位于所述显示区的所述基板上；一层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖在所述基板上；以及一第二透明膜层，所述第二透明膜层设置在所述层间绝缘层上。
进一步地，在位于所述非显示区的所述基板上依次层叠设有：一有源层，所述有源层设置在所述基板上，且所述有源层与所述第一透明膜层同层设置；一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层上；以及一栅极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层上；所述层间绝缘层包括至少两个第一接触孔，所述至少两个第一接触孔设于所述层间绝缘层内。
进一步地，在位于所述非显示区的层间绝缘层上进一步设有：一复合金属膜层，所述复合金属膜层设置在所述层间绝缘层上，且部分设置在所述第一接触孔内；所述复合金属膜层包括层叠设置的一金属膜层和一第二透明膜层，所述第二透明膜层设置在所述层间绝缘层上，所述金属膜层设置在所述第二透明膜层上。
进一步地，所述阵列基板还包括：一钝化层，所述钝化层设置在所述层间绝缘层和所述复合金属膜层上；一平坦层，所述平坦层设置在所述钝化层上；一第二接触孔，所述第二接触孔贯穿于所述钝化层和所述平坦层；一像素电极层，所述像素电极层设置于所述平坦层上，并通过所述第二接触孔与所述金属膜层连接；以及一像素定义层，所述像素定义层设置于所述平坦层上，且部分覆盖在所述像素电极层上。
进一步地，所述基板包括：一玻璃基板；一遮光层，所述遮光层设置于位于所述非显示区的所述玻璃基板上；以及一缓冲层，所述缓冲层设置于所述遮光层和所述玻璃基板上。
本发明实施例还提供了一种有机发光二极管显示面板，包括上述阵列基板。
本发明实施例还提供了一种有机发光二极阵列基板制作方法，所述方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上沉积一层氧化物并进行图案化以形成同层设置的一有源层和一第一透明膜层；在所述有源层上形成一层栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上沉积一层金属以形成一栅极层；在所述基板、所述有源层、所述栅极绝缘层、所述栅极层和所述第一透明膜层上沉积并形成一层间绝缘层，并在所述层间绝缘层上形成至少两个第一接触孔；以及在所述层间绝缘层上沉积一复合金属膜层，所述复合金属膜层包括一第二透明膜层和一金属膜层，并且将位于所述显示区的复合金属膜层中的金属膜层蚀刻掉，仅保留第二透明膜层。
进一步地，所述提供一基板的步骤中进一步包括：提供一玻璃基板；在玻璃基板上沉积一层金属，并对所述金属进行图形化以形成一遮光层；以及在所述遮光层和所述玻璃基板上沉积一层缓冲层。
进一步地，在沉积复合金属膜层并对所述复合金属膜层进行蚀刻步骤之后，还包括：在所述层间绝缘层和所述复合金属膜层上沉积一层钝化层；在所述钝化层上涂覆一层光阻材料，形成一平坦层；通过光刻所述钝化层和所述平坦层制作一第二接触孔；以及在所述平坦层上制作一像素电极层，所述像素电极层通过所述第二接触孔与所述金属膜层连接。
进一步地，在制作像素电极层步骤之后，还包括在所述平坦层和所述像素电极层上制作一像素定义层。
本发明提供的一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法的优点在于，并未增加黄光道数，透明电容区域可以透光，增大了开口区域，源漏极金属避免了传统的结构，不存在底切问题，后续膜层剥离风险减小。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有技术中阵列基板的结构示意图。
图2为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图。
图3为本发明实施例提供的阵列基板制作方法的步骤流程图。
图4为图3所示的本发明实施例提供基板步骤的步骤流程图。
图5A为本发明实施例提供的阵列基板的基板结构示意图。
图5B为本发明实施例提供的阵列基板沉积有源层结构示意图。
图5C为本发明实施例提供的阵列基板沉积栅极和栅极绝缘层结构示意图。
图5D为本发明实施例提供的阵列基板沉积绝缘层结构示意图。
图5E为本发明实施例提供的阵列基板沉积源极和漏极以及钝化层结构示意图。
图5F为本发明实施例提供的阵列基板沉积平坦层结构示意图。
图5G为本发明实施例提供的阵列基板制作像素电极层和像素定义层结构示意图。
图6为本发明实施例提供的显示面板结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量，由此限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征，在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本实施例将从阵列基板的角度进行描述，该阵列基板可以集成在显示面板中，该显示面板应用在移动终端中，移动终端可以包括手机、平板电脑等。
如图2所示，所述阵列基板包括一显示区21和一非显示区20，所述显示区21为阵列基板的透光区，所述非显示区20中由于存在不透光膜层，所以所述非显示区无法完全透光。
所述阵列基板进一步包括：一基板25、一第一透明膜层18、一层间绝缘层8、一第二透明膜层19。其中，所述第一透明膜层18设置在位于所述显示区21的所述基板25上。所述层间绝缘层8覆盖在所述基板25上。所述第二透明膜层19设置在所述层间绝缘层8上。
下文将进一步描述所述阵列基板的每一膜层的结构。
所述基板25包括一玻璃基板1、一遮光层2和一缓冲层3。具体地，如图5A所示，在玻璃基板1上层叠设置遮光层2和缓冲层3，缓冲层3设置于所述遮光层2上。
所述遮光层2的厚度为500-10000埃，采用金属材料制成，例如Mo，Al，Cu，Ti等，或者是合金。在制作遮光层2的过程中，需要对遮光层进行光刻操作，以图形化。所述缓冲层3的材料可以是氧化硅(SiOx)或是氮化硅(SiNx)，或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜，所述缓冲层3的厚度为1000-5000埃。
如图5B所示，在本实施例中，在所述缓冲层3上沉积一层氧化物，所述氧化物的材料可以是铟镓锌氧化物(IGZO)，铟锌锡氧化物(IZTO)，铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等等，厚度100-1000埃。在制作所述氧化物的过程中，需对氧化物进行光刻，形成同层设置的有源层4和第一透光膜层18，所述有源层4位于非显示区20，所述第一透光膜层18位于显示区21。
如图5C所示，在所述有源层4上设有一层栅极绝缘层6，在所述栅极绝缘层6上设置一层栅极层7。
其中所述栅极绝缘层6材料为SiOx或是SiNx，或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜，厚度1000-3000埃，所述栅极层7材料可以为Mo，Al，Cu，Ti等，或者是合金，厚度2000-10000埃。
如图5D所示，在所述有源层4和所述缓冲层3上覆盖一层层间绝缘层(IDL)8，所述层间绝缘层8的材料为SiOx或是SiNx，或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜，厚度为2000埃-10000埃，再对所述层间绝缘层8进行黄光和蚀刻操作，形成第一接触孔16，所述第一接触孔16位于所述非显示区20。
如图5E所示，在所述层间绝缘层8上设置复合金属膜层22，所述复合金属膜层22包括金属膜层10和第二透明膜层19，所述第二透明膜层19设置在所述层间绝缘层8上，所述金属膜层10设置在所述第二透明膜层19上。在本发明的实施例中复合金属膜层22中的金属膜层10选用铜材料，第二透明膜层19选用氧化铟锡材料，其中氧化铟锡的厚度200-2000埃，铜的厚度3000-10000埃。当然，在其他部分实施例中，所述金属膜层10的材料包括但不限于铜，例如铝。所述第二透明膜层19的材料包括但不限于氧化铟锡，例如氧化铟镓锌。
在显示区21对应的部分所述金属膜层10被刻蚀掉，仅保留第二透明膜层19，而在非显示区20的所述复合金属膜层22被设置为源极和漏极。相较于现有技术中如图1所示的阵列基板的结构，本发明所述实施例中的所述第一透明膜层18与所述第二透明膜层19形成的电容区完全透光，因此与现有技术相比显著增加了开口率。
在所述层间绝缘层8和所述复合金属膜层22上还覆盖一层钝化层11，所述钝化层11材料为SiOx或是SiNx，或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜，厚度1000-5000埃。由于在所述第二透明膜层19上直接设置金属膜层10，与现有技术的复合金属膜层(如图1所示的铜膜层和钼膜层)相比，本发明实施例中的所述复合金属膜层22的下层只有第二透明膜层19，金属膜层10作为源漏极，因此蚀刻时不会有底切的问题，从而使复合金属膜层22更加平坦，所以在钝化层11沉积的过程中，剥离的风险较小。
如图5F和5G所示，在所述钝化层11上设置一层平坦层13，在所述平坦层13上设置一像素电极层14，在所述钝化层11和所述平坦层13内还设有第二接触孔17。在所述钝化层11上还设有一像素层12，所述像素电极层14通过所述第二接触孔17与所述金属膜层10连接。在所述平坦层13上还设置有一像素定义层15。
其中所述平坦层13的厚度为0.5-5um，其由光阻材料制成，所述像素电极层14的厚度500-2000埃。
如图6所示，在本发明的一个实施例中，提供一种显示面板50，包括上述实施例中所述的阵列基板。所述阵列基板的具体结构如上文所述，在此不再赘述。
另外，本发明提供一种显示装置，包括上述实施例中显示面板50，其中，所述显示装置可以为液晶电视TV、液晶显示装置(例如柔性显示器、高效显示器)、手机、数码相框、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
根据本发明的另一方面，还提供了一种阵列基板的制备方法，如图3所示，包括以下步骤。
结合参见图5A，
步骤S910：提供一基板25。
参阅图4所示，在步骤S910中进一步包括以下步骤:
步骤S911：提供一玻璃基板1。
步骤S912：在所述玻璃基板1上沉积一层金属，并且对金属膜层光刻以形成一遮光层2。
在此步骤中，沉积一层500-10000A厚度的金属，作为所述遮光层2，所述遮光层2的材料可以是Mo，Al，Cu，Ti等，或者是合金。对该金属进行光刻操作，以图形化，并形成所述遮光层2。
步骤S913：在所述遮光层2上沉积一层缓冲层3。
在此步骤中，沉积一层氧化硅(SiOx)或是氮化硅(SiNx)，或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜，作为缓冲层(Buffer)3，所述缓冲层3的厚度1000-5000A。
继续参阅图3，结合参见图5B，
步骤S920：在所述基板25上沉积一层氧化物并进行光刻形成有源层4。
在此步骤中，沉积一层氧化(Oxide)材料，所述氧化材料可以是铟镓锌氧化物(IGZO)，铟锌锡氧化物(IZTO)，铟镓锌锡氧化物(IGZTO)等等，厚度100-1000A，对该层进行光刻，以形成同层设置的有源层4和第一透明膜层18。
结合参见图5C，
步骤S930：在所述有源层4上沉积一层栅极绝缘层6。
步骤S940：沉积一层金属作为栅极层7。
在此步骤中，所述栅极层7的材料可以是Mo，Al，Cu，Ti等，或者是合金，厚度2000-10000埃。
其中，先利用一道黄光，蚀刻出栅极层7的图形。然后利用栅极层7图形为自对准，蚀刻栅极绝缘层6。仅在有栅极层7膜层的下方，才有栅极绝缘层6存在，其余位置的栅极绝缘层6均被蚀刻掉，对有源层4进行等离子处理后，于是未受栅极层7和栅极绝缘层6保护的部分有源层4经过等离子处理以后，该区域的电阻明显降低，形成N+导体层，而受到栅极绝缘层6保护的部分有源层(例如栅极绝缘层下方的有源层4)未被等离子处理到，因此该区域保持半导体特性，以作为沟道5。
结合参见图5D，
步骤S950：在所述有源层4和所述缓冲层3上沉积层间绝缘层8。
其中，所述层间绝缘层8采用的材料为SiOx或是SiNx，或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜，厚度2000A-10000A，对层间绝缘层8进行黄光和蚀刻操作，形成第一接触孔16。
结合参见图5E，
步骤S960：在在所述层间绝缘层上沉积复合金属膜层22。
在本实施例中，复合金属膜层22包括层叠设置的氧化铟锡(ITO)膜层和铜(Cu)膜层，氧化铟锡膜层(即第二透明膜层19)的厚度200-2000埃，铜膜层(即金属膜层10)的厚度3000-10000埃，在非显示区采用半色调掩膜版进行黄光工艺时，先通过铜酸和草酸进行蚀刻，以定义出需要图形的地方，然后进行光阻减薄，只在需要铜膜层的位置保留光阻，再进行一次铜酸蚀刻，显示区21只有第二透明膜层19，其余地方为复合金属膜层22(即层叠设置的氧化铟锡膜层和铜膜层)的结构，因此在不增加黄光道数的情况下，采用半色调掩膜版只需要进行一道黄光工艺就形成了复合金属膜层22。
步骤S970：在所述层间绝缘层8和所述复合金属膜层22上沉积并形成一钝化层11。
其中，所述钝化层的材料为SiOx或是SiNx，或是由SiOx和SiOx组成的多层结构薄膜，其厚度1000-5000埃。
步骤S980：在所述钝化层11上制作平坦层13。
所述平坦层11的厚度0.5-5um，其采用光阻材料制成，对所述平坦层11进行光刻，以形成第二接触孔17。
结合参见图5F，
步骤S990:在所述平坦层11上制作一像素电极层14，所述像素电极层14通过一第二接触孔17与所述金属膜层连接。
其中，所述像素电极层14的厚度500-2000埃。
结合参见图5G，
步骤S9100:在所述平坦层11和所述像素电极层14上制作一像素定义层15。
在此步骤中，制作像素定义层15，并且定义出开口区域。
本发明提供的一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法的优点在于，并未增加黄光道数，透明电容区域可以透光，增大了开口区域，源漏极金属避免了传统的结构，不存在底切问题，后续膜层剥离风险减小。
综上该，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括一显示区和一非显示区，其特征在于，所述阵列基板进一步包括：
一基板；
一第一透明膜层，所述第一透明膜层设置在位于所述显示区的所述基板上；
一层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖在所述基板上；以及
一第二透明膜层，所述第二透明膜层设置在所述层间绝缘层上。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在位于所述非显示区的所述基板上依次层叠设有：
一有源层，所述有源层设置在所述基板上，且所述有源层与所述第一透明膜层同层设置；
一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层上；以及
一栅极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层上；
所述层间绝缘层包括至少两个第一接触孔，所述至少两个第一接触孔设于所述层间绝缘层内。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在位于所述非显示区的层间绝缘层上进一步设有：一复合金属膜层，所述复合金属膜层设置在所述层间绝缘层上，且部分设置在所述第一接触孔内；
所述复合金属膜层包括层叠设置的一金属膜层和一第二透明膜层，所述第二透明膜层设置在所述层间绝缘层上，所述金属膜层设置在所述第二透明膜层上。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
一钝化层，所述钝化层设置在所述层间绝缘层和所述复合金属膜层上；
一平坦层，所述平坦层设置在所述钝化层上；
一第二接触孔，所述第二接触孔贯穿于所述钝化层和所述平坦层；
一像素电极层，所述像素电极层设置于所述平坦层上，并通过所述第二接触孔与所述金属膜层连接；以及
一像素定义层，所述像素定义层设置于所述平坦层上，且部分覆盖在所述像素电极层上。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板包括：
一玻璃基板；
一遮光层，所述遮光层设置于位于所述非显示区的所述玻璃基板上；以及
一缓冲层，所述缓冲层设置于所述遮光层和所述玻璃基板上。
6.一种有机发光二极管显示面板，包括如权利要求1至5项中任意一项所述的阵列基板。
7.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括一显示区和一非显示区，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上沉积一层氧化物并进行图案化以形成同层设置的一有源层和一第一透明膜层；
在所述有源层上形成一层栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上沉积一层金属以形成一栅极层；
在所述基板、所述有源层、所述栅极绝缘层、所述栅极层和所述第一透明膜层上沉积并形成一层间绝缘层，并在所述层间绝缘层上形成至少两个第一接触孔；以及
在所述层间绝缘层上沉积一复合金属膜层，所述复合金属膜层包括一第二透明膜层和一金属膜层，并且将位于所述显示区的复合金属膜层中的金属膜层蚀刻掉，仅保留第二透明膜层。
8.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在提供一基板的步骤中，进一步包括：
提供一玻璃基板；
在玻璃基板上沉积一层金属，并对所述金属进行图形化以形成一遮光层；以及
在所述遮光层和所述玻璃基板上沉积一层缓冲层。
9.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在沉积复合金属膜层并对所述复合金属膜层进行蚀刻步骤之后，还包括：
在所述层间绝缘层和所述复合金属膜层上沉积一层钝化层；
在所述钝化层上涂覆一层光阻材料，形成一平坦层；
通过光刻所述钝化层和所述平坦层制作一第二接触孔；以及
在所述平坦层上制作一像素电极层，所述像素电极层通过所述第二接触孔与所述金属膜层连接。
10.如权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在制作像素电极层步骤之后，还包括在所述平坦层和所述像素电极层上制作一像素定义层。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146215A (zh) * 2020-02-21 2020-05-12 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN111244108A (zh) * 2020-01-16 2020-06-05 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN111725281A (zh) * 2020-06-12 2020-09-29 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN111952250A (zh) * 2020-08-10 2020-11-17 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板的制作方法及阵列基板
CN112309968A (zh) * 2020-10-22 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板制作方法及显示面板
CN114089571A (zh) * 2021-11-30 2022-02-25 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及制作方法和显示面板
CN114442316A (zh) * 2022-02-22 2022-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示模组及其制作方法、头戴式显示设备
WO2022227154A1 (zh) * 2021-04-29 2022-11-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110890408B (zh) * 2019-11-28 2022-08-19 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置
CN114709248B (zh) * 2022-03-31 2023-11-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 透明显示基板和透明显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160133682A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same
CN105609528A (zh) * 2014-11-13 2016-05-25 乐金显示有限公司 具有高开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法
US20160247869A1 (en) * 2014-09-02 2016-08-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel structure having high aperture ratio and circuit
CN107808895A (zh) * 2017-10-24 2018-03-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 透明oled显示器及其制作方法
US20180122883A1 (en) * 2016-10-31 2018-05-03 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device and Method of Manufacturing the Same
CN109166896A (zh) * 2018-09-03 2019-01-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2005302963B2 (en) * 2004-11-10 2009-07-02 Cannon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7416924B2 (en) * 2004-11-11 2008-08-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting display with single crystalline silicon TFT and method of fabricating the same
TWI498220B (zh) * 2012-10-31 2015-09-01 Au Optronics Corp 顯示面板及其製造方法
CN104681566B (zh) * 2013-11-27 2017-02-08 乐金显示有限公司 用于显示装置的阵列基板及其制造方法
CN103646966B (zh) * 2013-12-02 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置
CN107078165B (zh) * 2014-09-10 2020-10-02 夏普株式会社 半导体装置、液晶显示装置和半导体装置的制造方法
US10026797B2 (en) * 2014-11-10 2018-07-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display having multi-mode cavity structure
CN104538429B (zh) * 2014-12-26 2019-07-02 深圳市华星光电技术有限公司 Amoled背板的制作方法及其结构
US10446633B2 (en) 2017-10-24 2019-10-15 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Transparent OLED display with transparent storage capacitor and manufacturing method thereof
KR102663899B1 (ko) * 2018-09-28 2024-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160247869A1 (en) * 2014-09-02 2016-08-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel structure having high aperture ratio and circuit
US20160133682A1 (en) * 2014-11-12 2016-05-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display having high aperture ratio and method for manufacturing the same
CN105609528A (zh) * 2014-11-13 2016-05-25 乐金显示有限公司 具有高开口率的有机发光二极管显示器及其制造方法
US20180122883A1 (en) * 2016-10-31 2018-05-03 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device and Method of Manufacturing the Same
CN107808895A (zh) * 2017-10-24 2018-03-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 透明oled显示器及其制作方法
CN109166896A (zh) * 2018-09-03 2019-01-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111244108A (zh) * 2020-01-16 2020-06-05 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN111146215A (zh) * 2020-02-21 2020-05-12 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN111146215B (zh) * 2020-02-21 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN111725281A (zh) * 2020-06-12 2020-09-29 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN111725281B (zh) * 2020-06-12 2023-08-04 维沃移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN111952250A (zh) * 2020-08-10 2020-11-17 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板的制作方法及阵列基板
CN111952250B (zh) * 2020-08-10 2023-08-29 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板的制作方法及阵列基板
CN112309968A (zh) * 2020-10-22 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板制作方法及显示面板
WO2022227154A1 (zh) * 2021-04-29 2022-11-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN114089571A (zh) * 2021-11-30 2022-02-25 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及制作方法和显示面板
CN114089571B (zh) * 2021-11-30 2024-01-16 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及制作方法和显示面板
CN114442316A (zh) * 2022-02-22 2022-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示模组及其制作方法、头戴式显示设备

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US11610922B2 (en) 2023-03-21

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