JP6674269B2 - 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタ100の構造および作製方法の一例について、図面を参照して説明する。
トランジスタ100の構造例について図面を用いて説明する。図1(A)は、トランジスタ100の平面図である。また、図1(B)は、図1(A)にL1−L2の一点鎖線で示す部位と、W1−W2の一点鎖線で示す部位の断面図である。図1(B)において、L1−L2はトランジスタ100のチャネル長方向の断面図であり、W1−W2はトランジスタ100のチャネル幅方向の断面図である。
酸化物半導体層104は、酸化物半導体層104a、酸化物半導体層104b、酸化物半導体層104cを積層した構成を有する。
ここで、酸化物半導体層104a、酸化物半導体層104b、および酸化物半導体層104cの積層により構成される酸化物半導体層104の機能およびその効果について、図3に示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図3(A)は、図1(B)にA1−A2の一点鎖線で示した部位のエネルギーバンド構造を示している。すなわち、図3(A)は、トランジスタ100のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造を示している。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体とに分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、CAAC−OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor)、多結晶酸化物半導体、nc−OS(nanocrystalline Oxide Semiconductor)、擬似非晶質酸化物半導体(a−like OS:amorphous like Oxide Semiconductor)、非晶質酸化物半導体などがある。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
基板101として用いる材料に大きな制限はないが、少なくとも後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えばバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを用いることができる。
絶縁層102および絶縁層110は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどから選ばれた材料を、単層でまたは積層して用いる。また、酸化物材料、窒化物材料、酸化窒化物材料、窒化酸化物材料のうち、複数の材料を混合した材料を用いてもよい。
絶縁層103、絶縁層107、および絶縁層108としては、絶縁層102と同様の材料を用いることができる。また、酸化物半導体層104中の水素濃度の増加を防ぐために、絶縁層103、絶縁層107、および絶縁層108の水素濃度を低減することが好ましい。具体的には、絶縁層103、絶縁層107、および絶縁層108中の水素濃度を、SIMSにおいて、2×1020atoms/cm3以下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1019atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1018atoms/cm3以下とする。また、酸化物半導体中の窒素濃度の増加を防ぐために、絶縁層103、絶縁層107、および絶縁層108中の窒素濃度を低減することが好ましい。具体的には、絶縁層103、絶縁層107、および絶縁層108中の窒素濃度を、SIMSにおいて、5×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017atoms/cm3以下とする。
電極105a、電極105b、電極109、電極113a、および電極113bを形成するための導電性材料としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウムなどから選ばれた金属元素を1種以上含む材料を用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。電極105a、電極105b、電極109、電極113a、および電極113bとして、これらの材料で形成される導電層を複数積層して用いてもよい。
絶縁層111は、絶縁層103と同様の材料および方法を用いて形成することができる。また、絶縁層111として、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁層を複数積層させることで、絶縁層111を形成してもよい。
コンタクトプラグ112a、およびコンタクトプラグ112bとしては、例えば、タングステン、ポリシリコン等の埋め込み性の高い導電性材料を用いることができる。また、図示しないが、当該材料の側面および底面を、チタン層、窒化チタン層またはこれらの積層からなるバリア層(拡散防止層)で覆ってもよい。この場合、バリア層も含めてコンタクトプラグという場合がある。
図2に、酸化物半導体層104aを設けずに、酸化物半導体層104を酸化物半導体層104bと酸化物半導体層104cで構成したトランジスタ150を示す。図2(A)は、トランジスタ150の平面図である。また、図2(B)は、図2(A)にL1−L2の一点鎖線で示す部位と、W1−W2の一点鎖線で示す部位の断面図である。トランジスタ150は、酸化物半導体層104の構成以外はトランジスタ100と同じ構造を有する。
図4にトランジスタ160を示す。トランジスタ160は、絶縁層102と絶縁層103の間にバックゲート電極として機能する電極119を設けた点がトランジスタ100と異なる。図4(A)は、トランジスタ160の平面図である。図4(B)は、図4(A)にL1−L2の一点鎖線で示す部位と、W1−W2の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、電極119は、基板101と絶縁層102の間に設けても構わない。電極119は、電極105aと同様の材料および方法で形成することができる。
図5に示すトランジスタ170のように、電極119を基板101と絶縁層102の間に設けてもよい。図5(A)は、トランジスタ170の平面図である。図5(B)は、図5(A)にL1−L2の一点鎖線で示す部位と、W1−W2の一点鎖線で示す部位の断面図である。
トランジスタ100の作製方法例について図6乃至図11を用いて説明する。図6乃至図11中のL1−L2断面は、図1(A)にL1−L2の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。また、図6乃至図11中のW1−W2断面は、図1(A)にW1−W2の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
本実施の形態では、本明細書等に開示したトランジスタを用いた半導体装置の一例について説明する。
図13(A)乃至図13(C)は、半導体装置400の断面図である。半導体装置400は、トランジスタ100とトランジスタ281を有する。なお、トランジスタ100は上記実施の形態に示した他のトランジスタと置き換えが可能である。図13(A)はトランジスタ100とトランジスタ281のチャネル長方向の断面図であり、図13(B)はチャネル幅方向の断面図である。図13(C)は図13(A)におけるトランジスタ281の拡大図である。
基板401の上にnチャネル型のトランジスタであるトランジスタ282を設けてもよい。図14(A)および図14(B)は、半導体装置410の断面図である。半導体装置410は、半導体装置400にトランジスタ282を付加した構成を有する。図14(A)はトランジスタ100、トランジスタ281、および、トランジスタ282のチャネル長方向の断面図であり、図14(B)はトランジスタ282の拡大図である。
図15(A)乃至図15(C)は半導体装置420の断面図である。半導体装置420は、半導体装置400が有するトランジスタ281を、Fin型のトランジスタ291に置き換えた構成を有する。トランジスタをFin型とすることにより、実効上のチャネル幅が増大し、トランジスタのオン特性を向上させることができる。また、チャネル形成領域に対するゲート電極の電界の寄与を高くすることができるため、トランジスタのオフ特性を向上させることができる。
本明細書等に開示したトランジスタは、OR回路、AND回路、NAND回路、およびNOR回路などの論理回路や、インバータ回路、バッファ回路、シフトレジスタ回路、フリップフロップ回路、エンコーダ回路、デコーダ回路、増幅回路、アナログスイッチ回路、積分回路、微分回路、およびメモリ素子などの様々な半導体回路に用いることができる。
図17(A)に示す回路は、トランジスタ289のソースまたはドレインの一方を、トランジスタ1281のゲートおよび容量素子257の一方の電極に接続した記憶装置の構成例を示している。また、図17(B)に示す回路は、トランジスタ289のソースまたはドレインの一方を、容量素子257の一方の電極に接続した記憶装置の構成例を示している。
情報の書き込みおよび保持について説明する。まず、配線254の電位を、トランジスタ289がオン状態となる電位にする。これにより、配線253の電位が、ノード256に与えられる。即ち、ノード256に所定の電荷が与えられる(書き込み)。ここでは、異なる二つの電位レベルを与える電荷(以下、「Lowレベル電荷」、「Highレベル電荷」という。)のどちらかが与えられるものとする。その後、配線254の電位を、トランジスタ289がオフ状態となる電位とすることで、ノード256に電荷が保持される。
次に情報の読み出しについて説明する。配線251に配線252の電位と異なる所定の電位(定電位)を与えた状態で、配線255に読み出し電位VRを与えると、ノード256に保持されている情報を読み出すことができる。
本実施の形態では、上述したトランジスタを用いた半導体装置の一例として、CPUについて説明する。図18は、上述したトランジスタを一部に用いたCPUの構成例を示すブロック図である。
上述したトランジスタを用いた半導体装置の一例として、撮像装置について説明する。図20(A)乃至図20(C)に、上述したトランジスタを一部に用いた撮像装置の回路構成例を示す。
図21とは異なる撮像装置610の構成例を図22に示す。
また、表示装置(または表示装置において用いられるトランジスタなど)に本発明の一態様を適用することもできる。
次に、図23を用いて、表示装置のより具体的な構成例について説明する。図23(A)は、表示装置3100の構成を説明するためのブロック図である。表示装置3100は、表示領域3131、回路3132、および回路3133を有する。回路3132は、例えば走査線駆動回路として機能する。また、回路3133は、例えば信号線駆動回路として機能する。
また、図23(B)に示す画素回路3137は、トランジスタ3431と、容量素子3233と、トランジスタ3232と、トランジスタ3434と、を有する。また、画素回路3137は、表示素子として機能できる発光素子3125と電気的に接続されている。
図23(C)に示す画素回路3137は、トランジスタ3431と、容量素子3233と、を有する。また、画素回路3137は、表示素子として機能できる液晶素子3432と電気的に接続されている。
上述したトランジスタを使用した半導体装置の一例として、RFタグについて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置を用いた電子機器の一例について説明する。
本実施の形態では、スパッタリング用ターゲットを設置することが可能な成膜室を有する成膜装置(スパッタリング装置)について説明する。本実施の形態に示す成膜装置は、平行平板型のスパッタリング装置や、対向ターゲット式のスパッタリング装置などに用いることができる。
101 基板
102 絶縁層
103 絶縁層
104 酸化物半導体層
105 導電層
106 酸化物半導体層
107 絶縁層
108 絶縁層
109 電極
110 絶縁層
111 絶縁層
114 絶縁層
115 絶縁層
119 電極
121 領域
122 開口
123 導電層
125 導電層
127 絶縁層
128 絶縁層
129 導電層
131 層
132 ハードマスク
150 トランジスタ
160 トランジスタ
170 トランジスタ
220 ウェル
221 p型半導体
223 n型半導体
224 開口
225 開口
251 配線
252 配線
253 配線
254 配線
255 配線
256 ノード
257 容量素子
273 電極
281 トランジスタ
282 トランジスタ
283 チャネル形成領域
284 低濃度p型不純物領域
285 高濃度p型不純物領域
286 絶縁層
287 電極
288 側壁
289 トランジスタ
291 トランジスタ
382 Ec
386 Ec
390 トラップ準位
400 半導体装置
401 基板
403 絶縁層
404 絶縁層
405 絶縁層
406 コンタクトプラグ
407 絶縁層
410 半導体装置
414 素子分離層
415 絶縁層
420 半導体装置
421 電極
422 電極
427 電極
429 電極
442 絶縁層
477 隔壁
487 配線
488 電極
489 コンタクトプラグ
601 光電変換素子
602 トランジスタ
603 トランジスタ
604 トランジスタ
605 トランジスタ
606 容量素子
607 ノード
608 配線
609 配線
610 撮像装置
611 配線
681 光電変換層
682 透光性導電層
686 電極
701 回路
702 回路
703 スイッチ
704 スイッチ
706 論理素子
707 容量素子
708 容量素子
709 トランジスタ
710 トランジスタ
713 トランジスタ
714 トランジスタ
720 回路
730 記憶素子
800 RFタグ
801 通信器
802 アンテナ
803 無線信号
804 アンテナ
805 整流回路
806 定電圧回路
807 復調回路
808 変調回路
809 論理回路
810 記憶回路
811 ROM
900 試料
901 基板
902 酸化物半導体層
911 試料
912 試料
913 試料
914 試料
921 試料
922 試料
923 試料
924 試料
931 試料
932 試料
933 試料
934 試料
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1281 トランジスタ
1283 チャネル形成領域
1284 低濃度n型不純物領域
1285 高濃度n型不純物領域
2700 成膜装置
2701 大気側基板供給室
2702 大気側基板搬送室
2704 搬送室
2705 基板加熱室
2751 クライオトラップ
2752 ステージ
2761 カセットポート
2762 アライメントポート
2763 搬送ロボット
2764 ゲートバルブ
2765 加熱ステージ
2766 ターゲット
2767 ターゲットシールド
2768 基板ホルダ
2769 基板
2770 真空ポンプ
2771 クライオポンプ
2772 ターボ分子ポンプ
2780 マスフローコントローラ
2781 精製機
2782 ガス加熱機構
2784 可変部材
2791 電源
2900 携帯型ゲーム機
2901 筐体
2902 筐体
2903 表示部
2904 表示部
2905 マイクロホン
2906 スピーカ
2907 操作キー
2908 スタイラス
2910 情報端末
2911 筐体
2912 表示部
2913 カメラ
2914 スピーカ部
2915 ボタン
2916 外部接続部
2917 マイク
2920 ノート型パーソナルコンピュータ
2921 筐体
2922 表示部
2923 キーボード
2924 ポインティングデバイス
2940 ビデオカメラ
2941 筐体
2942 筐体
2943 表示部
2944 操作キー
2945 レンズ
2946 接続部
2950 情報端末
2951 筐体
2952 表示部
2960 情報端末
2961 筐体
2962 表示部
2963 バンド
2964 バックル
2965 操作ボタン
2966 入出力端子
2967 アイコン
2970 電気冷蔵庫
2971 筐体
2972 冷蔵室用扉
2973 冷凍室用扉
2980 自動車
2981 車体
2982 車輪
2983 ダッシュボード
2984 ライト
3100 表示装置
3125 発光素子
3130 画素
3131 表示領域
3132 回路
3133 回路
3135 走査線
3136 信号線
3137 画素回路
3152 回路
3153 回路
3232 トランジスタ
3233 容量素子
3431 トランジスタ
3432 液晶素子
3434 トランジスタ
3435 ノード
3436 ノード
3437 ノード
5100 ペレット
5120 基板
5161 領域
100a トランジスタ
104a 酸化物半導体層
104b 酸化物半導体層
104c 酸化物半導体層
105a 電極
105b 電極
107a 領域
112a コンタクトプラグ
112b コンタクトプラグ
112c コンタクトプラグ
112d コンタクトプラグ
113a 電極
113b 電極
113c 電極
115a 電極
122a 開口
122b 開口
124a 酸化物半導体層
124b 酸化物半導体層
124c 酸化物半導体層
126a 開口
126b 開口
126c 開口
2703a ロードロック室
2703b アンロードロック室
2706a 成膜室
2706b 成膜室
2706c 成膜室
2766a ターゲット
2766b ターゲット
2767a ターゲットシールド
2767b ターゲットシールド
2790a マグネットユニット
2790b マグネットユニット
281a トランジスタ
281b トランジスタ
282a トランジスタ
282b トランジスタ
383a Ec
383b Ec
383c Ec
406a コンタクトプラグ
406b コンタクトプラグ
406c コンタクトプラグ
413a 電極
413b 電極
413c 電極
413d 電極
Claims (7)
- 第1の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層上の、第2の酸化物半導体層と、
前記第2の酸化物半導体層上の、第1の電極と、
前記第2の酸化物半導体層上の、第2の電極と、
前記第1の電極の上面及び側面を覆い、前記第2の電極の上面及び側面を覆い、前記第2の酸化物半導体層の側面を覆い、且つ前記第1の酸化物半導体層の側面を覆う、第3の酸化物半導体層と、
前記第3の酸化物半導体層上の、第1の絶縁層と、
前記第1の電極及び前記第2の電極との間に設けられた前記第1の絶縁層の開口部と重なる、第1の凹部の形状を有する第4の酸化物半導体層と、
前記第1の凹部と重なる、第2の凹部の形状を有するゲート絶縁層と、
前記第2の凹部と重なる、ゲート電極と、
前記第4の酸化物半導体層、前記ゲート絶縁層、及び前記ゲート電極上の、第2の絶縁層と、を有し、
前記ゲート電極上の上面は、前記第4の酸化物半導体層の上面、及び前記ゲート絶縁層の上面と等しい位置を有し、
前記第1の絶縁層の上面側は、前記第1の絶縁層の下面側より酸素が多く存在する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 第2の酸化物半導体層と、
前記第2の酸化物半導体層上の、第1の電極と、
前記第2の酸化物半導体層上の、第2の電極と、
前記第1の電極の上面及び側面を覆い、前記第2の電極の上面及び側面を覆い、前記第2の酸化物半導体層の側面を覆う、第3の酸化物半導体層と、
前記第3の酸化物半導体層上の、第1の絶縁層と、
前記第1の電極及び前記第2の電極との間に設けられた前記第1の絶縁層の開口部と重なる、第1の凹部の形状を有する第4の酸化物半導体層と、
前記第1の凹部と重なる、第2の凹部の形状を有するゲート絶縁層と、
前記第2の凹部と重なる、ゲート電極と、
前記第4の酸化物半導体層、前記ゲート絶縁層、及び前記ゲート電極上の、第2の絶縁層と、を有し、
前記ゲート電極上の上面は、前記第4の酸化物半導体層の上面、及び前記ゲート絶縁層の上面と等しい位置を有し、
前記第1の絶縁層の上面側は、前記第1の絶縁層の下面側より酸素が多く存在する領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第2の酸化物半導体層は前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第2の酸化物半導体層は、InまたはZnの一方、もしくは両方を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第3の酸化物半導体層は、前記第2の酸化物半導体層に含まれる金属元素のうち、少なくとも一種類の元素を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記第3の酸化物半導体層は、c軸配向領域を有することを特徴とする半導体装置。 - 第1の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層上の、第2の酸化物半導体層と、
前記第2の酸化物半導体層上の、第1の電極と、
前記第2の酸化物半導体層上の、第2の電極と、
前記第1の電極の上面及び側面を覆い、前記第2の電極の上面及び側面を覆い、前記第2の酸化物半導体層の側面を覆い、且つ前記第1の酸化物半導体層の側面を覆う、第3の酸化物半導体層と、
前記第3の酸化物半導体層上の、第1の絶縁層と、
前記第1の電極及び前記第2の電極との間に設けられた前記第1の絶縁層の開口部と重なる、第1の凹部の形状を有する第4の酸化物半導体層と、
前記第1の凹部と重なる、第2の凹部の形状を有するゲート絶縁層と、
前記第2の凹部と重なる、ゲート電極と、
前記第4の酸化物半導体層、前記ゲート絶縁層、及び前記ゲート電極上の、第2の絶縁層と、を有し、
前記ゲート電極上の上面は、前記第4の酸化物半導体層の上面、及び前記ゲート絶縁層の上面と等しい位置を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第2の絶縁層形成後の加熱処理により、前記第1の絶縁層が有する酸素が、前記第1の酸化物半導体層乃至前記第3の酸化物半導体層へ導入されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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