JP2016149548A5 - 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (7)

1. 第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の、第１の電極と、
   前記第２の酸化物半導体層上の、第２の電極と、
   前記第１の電極の上面及び側面を覆い、前記第２の電極の上面及び側面を覆い、前記第２の酸化物半導体層の側面を覆い、且つ前記第１の酸化物半導体層の側面を覆う、第３の酸化物半導体層と、
   前記第３の酸化物半導体層上の、第１の絶縁層と、
   前記第１の電極及び前記第２の電極との間に設けられた前記第１の絶縁層の開口部と重なる、第１の凹部の形状を有する第４の酸化物半導体層と、
   前記第１の凹部と重なる、第２の凹部の形状を有するゲート絶縁層と、
   前記第２の凹部と重なる、ゲート電極と、
   前記第４の酸化物半導体層、前記ゲート絶縁層、及び前記ゲート電極上の、第２の絶縁層と、を有し、
   前記ゲート電極上の上面は、前記第４の酸化物半導体層の上面、及び前記ゲート絶縁層の上面と等しい位置を有し、
   前記第１の絶縁層の上面側は、前記第１の絶縁層の下面側より酸素が多く存在する領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の、第１の電極と、
   前記第２の酸化物半導体層上の、第２の電極と、
   前記第１の電極の上面及び側面を覆い、前記第２の電極の上面及び側面を覆い、前記第２の酸化物半導体層の側面を覆い、且つ前記第１の酸化物半導体層の側面を覆う、第３の酸化物半導体層と、
   前記第３の酸化物半導体層上の、第１の絶縁層と、
   前記第１の電極及び前記第２の電極との間に設けられた前記第１の絶縁層の開口部と重なる、第１の凹部の形状を有する第４の酸化物半導体層と、
   前記第１の凹部と重なる、第２の凹部の形状を有するゲート絶縁層と、
   前記第２の凹部と重なる、ゲート電極と、
   前記第４の酸化物半導体層、前記ゲート絶縁層、及び前記ゲート電極上の、第２の絶縁層と、を有し、
   前記ゲート電極上の上面は、前記第４の酸化物半導体層の上面、及び前記ゲート絶縁層の上面と等しい位置を有し、
   前記第１の絶縁層の上面側は、前記第１の絶縁層の下面側より酸素が多く存在する領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第２の酸化物半導体層は前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第２の酸化物半導体層は、ＩｎまたはＺｎの一方、もしくは両方を含むことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第３の酸化物半導体層は、前記第２の酸化物半導体層に含まれる金属元素のうち、少なくとも一種類の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第３の酸化物半導体層は、ｃ軸配向領域を有することを特徴とする半導体装置。
7. 第１の酸化物半導体層と、
   前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
   前記第２の酸化物半導体層上の、第１の電極と、
   前記第２の酸化物半導体層上の、第２の電極と、
   前記第１の電極の上面及び側面を覆い、前記第２の電極の上面及び側面を覆い、前記第２の酸化物半導体層の側面を覆い、且つ前記第１の酸化物半導体層の側面を覆う、第３の酸化物半導体層と、
   前記第３の酸化物半導体層上の、第１の絶縁層と、
   前記第１の電極及び前記第２の電極との間に設けられた前記第１の絶縁層の開口部と重なる、第１の凹部の形状を有する第４の酸化物半導体層と、
   前記第１の凹部と重なる、第２の凹部の形状を有するゲート絶縁層と、
   前記第２の凹部と重なる、ゲート電極と、
   前記第４の酸化物半導体層、前記ゲート絶縁層、及び前記ゲート電極上の、第２の絶縁層と、を有し、
   前記ゲート電極上の上面は、前記第４の酸化物半導体層の上面、及び前記ゲート絶縁層の上面と等しい位置を有する半導体装置の作製方法であって、
   前記第２の絶縁膜形成後の加熱処理により、前記第１の絶縁膜が有する酸素が、前記第１の酸化物半導体層乃至前記第３の酸化物半導体層へ導入されることを特徴とする半導体装置の作製方法。