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  1. 基板上に、ゲート電極を形成し、
    前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成し、
    前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極と重畳する領域を有する第１の酸化物半導体膜を形成し、
    前記第１の酸化物半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
    前記第１の酸化物半導体膜と接する領域を有する金属酸化膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
    前記金属酸化膜を介して酸素を導入して、前記第１の酸化物半導体を酸素が供給された第２の酸化物半導体膜とし、
    前記第２の酸化物半導体膜を、不活性ガスを有する雰囲気下で加熱し、その後、前記第２の酸化物半導体膜を、酸素を有する雰囲気下で加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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